WO2000060711A1 - Dispositif laser a semiconducteur et son procede de fabrication, systeme de communication optique, et systeme a capteur optique - Google Patents

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semiconductor laser
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laser chip
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Atsushi Shimonaka
Hidenori Kawanishi
Kazuhiro Emoto
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Sharp Kabushiki Kaisha
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor laser device widely used in an optical communication system or an optical sensor system such as a communication, medical, or industrial sensor, and a method for manufacturing the semiconductor laser device.
  • the present invention relates to a semiconductor laser device used for an application in which a person directly looks at a light source and a method of manufacturing the same, and an optical communication system and an optical sensor system using the same to ensure eye safety. Background art
  • FIG. 10 shows an example of a conventional space-emitting semiconductor light-emitting device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-264885.
  • a laser chip 1 is soldered to a metal heat sink 6, and an upper surface thereof and an electrode (lead frame) 3 are electrically connected by wires 3a.
  • the heat sink 6 is integrally formed on the stem 8. Further, the laser chip 1 is sealed by a cap 9 to which the diffusion plate 5 is adhered.
  • light emitted from the laser chip 1 is radiated to the diffusion plate 5, and the direction and phase of the light are disturbed by the diffusion plate 5 and scattered. As a result, the coherency of the emitted light is reduced and safety to the eyes is ensured, and then emitted into space.
  • a method of molding a laser chip using a mixture of a silica-based resin and an epoxy-based resin is also known.
  • This method due to the difference in the refractive index between the epoxy resin and the silica resin, The direction is scattered and the coherency of the emitted light is reduced.
  • epoxy-based materials are transparent to laser light and silica-based materials are opaque to laser light, epoxy-based resins mixed with a small amount of silica-based resin are used.
  • the diffusion plate 5 as shown in FIG. 10 when used, in a use environment of the semiconductor laser device, a problem such as a damage of the diffusion plate due to a drop of mounted equipment or the like occurs, and a high output power is generated. There was concern that coherent light would be emitted into space. Furthermore, when a laser chip is molded using a resin mixed with a diffusion material, for example, when a resin mixed with a silica-based resin is used, since the silica-based resin has a high moisture permeability, the use of the resin may deteriorate the wire with use. Problems such as deterioration of the laser chip end face occurred, and reliability was reduced.
  • the present invention has been made in order to solve such problems of the related art, and can prevent high-output coherent light from being emitted into space, thereby ensuring safety for eyes. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser device capable of improving reliability, a method of manufacturing the same, and an optical communication system and an optical sensor system using the same. Disclosure of the invention
  • the semiconductor laser device of the present invention has a resin portion in which all or a part of a light emitting side surface is roughened, or a whole or a part of a surface facing a laser chip is roughened.
  • the light is diffused by the roughened portion of the light source to reduce the coherency of the emitted light, thereby achieving the above object.
  • the semiconductor laser device of the present invention has a resin portion for integrating a container accommodating a laser chip and a sealing member having a light diffusing function. The distance is reduced, thereby achieving the above object.
  • a resin portion containing a material having a different refractive index or a resin portion made of a resin material having birefringence is provided so as not to come into contact with the laser chip, and light is diffused by the resin portion. As a result, the coherency of the emitted light is reduced, thereby achieving the above object.
  • a resin portion having a region in which materials having different refractive indices are mixed or a region made of a resin material having birefringence in part is provided so that the region does not come into contact with the laser chip.
  • the light is diffused by the region to reduce the coherency of the emitted light, thereby achieving the above object.
  • the resin portion has a curved surface whose center near a center of a surface facing the laser chip has a light emission point as a center of curvature.
  • the resin portion has a curved surface having a center of curvature on a side opposite to the laser chip, in a peripheral portion of a surface facing the laser chip.
  • the resin portion has a substantially flat shape near the center of a surface facing the laser chip and a convex shape at a peripheral portion.
  • an angle formed by a normal line of at least the light passing portion of the convex portion with respect to a light vector of a peak of light oscillated from the laser chip is greater than 0 ° and 3 ° or less. Is preferred.
  • the resin portion has a substantially flat shape near the center of a surface facing the laser chip, and has a roughened peripheral portion.
  • the resin portion may be made of a birefringent resin material.
  • a resin portion made of a resin material having birefringence and a laser chip are integrated, and light is diffused by the resin portion to reduce coherency of radiated light. This achieves the above object.
  • the birefringent resin material has an intrinsic birefringence value ⁇ at the oscillation wavelength of the semiconductor laser element and an average refractive index n at the wavelength, ⁇ / ⁇ 2 > 0.015. It is preferable that the following relationship be satisfied.
  • the resin material having birefringence is selected from the group consisting of polyimide, polycarbonate, polyarylate, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, polyphenylene oxide, polyallyl sulfone, polyamideimide, polyolefin, polyacrylonitrile, cellulose and polyester. It may be one kind, a polymer blend of two or more of these, or a polymer blend containing one or more of these.
  • the birefringent resin material may be an aromatic polyester.
  • the aromatic polyester may be polyarylate or polycarbonate.
  • the aromatic polyester is a polyarylate obtained from a divalent phenol compound represented by the following general formula (I) and an aromatic dicarboxylic acid, or a polycarbonate obtained from the phenol compound and phosgene. Is also good.
  • a method for manufacturing a semiconductor laser device is directed to a semiconductor laser having a resin part in which all or a part of a light emitting side surface is roughened, or a whole or part of a surface facing a laser chip is roughened.
  • a method of manufacturing an element comprising: a step of molding a laser chip or a container containing the laser chip with a resin material; and a step of curing the resin material and roughening a corresponding portion.
  • a method for manufacturing a semiconductor laser device is directed to a semiconductor laser having a resin part in which all or a part of a light emitting side surface is roughened, or a whole or part of a surface facing a laser chip is roughened.
  • a method for manufacturing an element comprising: molding a laser chip or a container containing the laser chip with a resin material; And a step of roughening a corresponding portion of the cured resin, thereby achieving the above object.
  • the step of roughening the corresponding portion of the cured resin can be performed by etching, polishing, or crimping a mold having a rough surface.
  • An optical communication system includes the semiconductor laser device according to the present invention, whereby the above object is achieved.
  • An optical sensor system includes the semiconductor laser device according to the present invention, thereby achieving the above object.
  • the entirety or a part of the light emitting side surface of a resin portion such as a mold resin is roughened as shown in Embodiment 1 described later, or a cap is formed as shown in Embodiment 8 described later.
  • All or part of the surface of the resin part, such as resin, for integrating the glass into the cap that faces the laser chip is roughened. Since the roughened portion of the resin part can diffuse the light and reduce the coherency of the radiated light, the diffusion plate is damaged as in the past, and there is a concern about safety to the eyes. There is no problem that the reliability of the semiconductor laser device is deteriorated by the silica-based resin.
  • a desired portion of the resin portion can be easily roughened by using a mold or the like when the resin is cured after being molded with the resin material.
  • the desired portion can be easily roughened by etching, polishing, or crimping a mold having a rough surface. Can be done.
  • the surface of the resin portion is roughened by using a resin material having birefringence, so that the light diffusion property of the resin material itself and the surface roughening are achieved. Light diffusing ability by combining the two diffusion functions, more effective light Can be diffused, and a semiconductor laser device having good stability can be obtained.
  • a container such as a cap containing a laser chip and a sealing member (cap glass) having a light diffusion function such as a diffusion plate are provided as described in a second embodiment described later. It is integrated with the resin part.
  • the sealing member having the diffusion function since the sealing member having the diffusion function is integrated with the resin, the diffusion plate may be damaged as in the related art and the safety to the eyes may be concerned, or the reliability of the semiconductor laser device may be reduced due to the silica resin. There is no problem of the decrease
  • a resin portion in which materials having different refractive indexes are mixed is provided. Due to the difference in the refractive index of the material contained in the resin part, light can be diffused to reduce the coherency of the radiated light. None. Further, since the laser chip is not in contact with the resin portion, stress distortion or the like due to a change in environmental temperature does not occur, and furthermore, reliability is reduced even if a material having moisture permeability such as silica resin is included. None.
  • a resin portion made of a resin material having birefringence is provided.
  • the refractive index differs depending on the polarization state of the incident light, and the light is diffused, which can reduce the coherency of the radiated light and damage the diffuser as in the past, raising concerns about eye safety. There is no. Further, there is no problem that the reliability of the semiconductor laser device is reduced by the silicic resin as in the related art.
  • the S-polarized light extraction efficiency can be improved as shown in Embodiment 5 described later. Can be improved.
  • the shape of the resin portion near the center of the surface facing the laser chip is a curved surface with the light emitting point of the laser chip as the center of curvature
  • the shape of the peripheral portion is a curved surface with the center of curvature on the side opposite to the laser chip.
  • the upper surface is flat as shown in Embodiments 6 and 2 described later.
  • the light extraction efficiency can be improved when the light extraction surface is appropriate.
  • the resin portion is characterized in that, when the angle formed by the normal line of at least the light passing portion of the convex portion with respect to the light vector of the peak of the light oscillated from the laser chip is larger than 0 ° and 3 ° or less, As shown in a sixth embodiment described later, the light extraction efficiency is further improved.
  • a resin portion having a part of a region where materials having different refractive indexes are mixed is provided. Since light can be scattered due to the difference in the refractive index of the material contained in this region to reduce the coherency of the radiated light, there is a concern about safety to the eyes due to the breakage of the diffuser as in the past. There is no.
  • a region where a material having a different refractive index is mixed is not in contact with the laser chip, stress distortion or the like due to a change in environmental temperature does not occur.
  • a moisture-permeable material such as a silicic resin is contained in this region. However, the reliability does not decrease.
  • a resin portion having a region made of a resin material having birefringence in part is provided.
  • the refractive index varies depending on the polarization state of the incident light, and the light is diffused, so that the coherency of the radiated light can be reduced and the diffusion plate is damaged as before, and there is concern about eye safety.
  • the reliability of the semiconductor laser device is reduced by the silicic resin as in the related art.
  • a resin portion made of a resin material and a laser chip are integrated. Since the refractive index varies depending on the polarization state of the incident light, and the light is diffused, the coherency of the radiated light can be reduced, and the diffuser may be damaged as in the past, raising concerns about eye safety. There is no. In addition, since the birefringent resin material does not have moisture permeability unlike silica-based resin and the like, it can be directly molded.
  • this birefringent resin material has a characteristic birefringence value ⁇ n at the oscillation wavelength of the semiconductor laser element and an average refractive index n at the wavelength of ⁇ / If the relationship of ⁇ 2 > 0.015 is satisfied, a sufficient light diffusion function can be obtained.
  • the resin material having the birefringence examples include polyimide, polycarbonate, polyrelate, polyether sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenylene oxide, polyallyl sulfone, polyamideimide, polyolefin, polyacrylonitrile, cellulose and polyester. Can be used. Further, a polymer blend containing two or more of these polymers or a polymer blend containing one or two or more of these polymers may be used. As described in Embodiment 9 and Embodiment 10 described later, light can be diffused by utilizing the birefringence of these resin materials. Further, since the transparency is good, the light extraction efficiency can be improved. Can be improved.
  • Aromatic polyesters usually have an inherently high birefringence, most of which have relatively high thermal stability, and are often colorless and have good light transmission.
  • Representative examples of aromatic polyesters having such high birefringence and excellent transparency include polyarylate-polycarbonate.
  • a polyarylate obtained from a divalent phenol compound represented by the following general formula (I) and an aromatic dicarboxylic acid, or a polyarylate obtained from a divalent phenol compound represented by the following general formula (I) and phosgene Polycarbonate is preferred.
  • 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) -fluorene represented by the following structural formula (II) disclosed in JP-A-5-111115 and the like is used as a divalent phenol compound.
  • Aromatic polyesters are typical.
  • a small amount of a trivalent phenol compound or aromatic tricarboxylic acid may be added to obtain a three-dimensional (cross-linked) aromatic polyester, thereby improving the mechanical strength of the mold portion.
  • the semiconductor laser device of the present invention has a high level of safety for the eyes and high reliability, it is suitable for applications where a person looks directly at the light source, such as a wireless optical communication system or an optical sensor system. Can be used. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of the semiconductor laser device of the first embodiment
  • FIG. 1B is a perspective view of a mold used for manufacturing the semiconductor laser device
  • FIG. 1C and FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a semiconductor laser device of another embodiment 1.
  • FIG. 2 is a perspective view of the semiconductor laser device of the second embodiment.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view of a semiconductor laser device according to the third embodiment
  • FIG. 3B is a perspective view of a mold used for manufacturing the semiconductor laser device
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor laser device of the fourth embodiment.
  • FIG. 5 (a) is a cross-sectional view of the semiconductor laser device of the fifth embodiment
  • FIG. 5 (b) is a diagram showing the relationship between the reflectance of light rays to the resin portion and the incident angle for S-polarized light and P-polarized light.
  • FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor laser device according to the sixth embodiment.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the semiconductor laser device of the seventh embodiment.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a semiconductor laser device according to the eighth embodiment.
  • FIG. 9 (a) is a perspective view of the semiconductor laser device of Embodiment 9, and FIG. 9 (b) is a perspective view for explaining the light diffusion.
  • FIG. 10 is a perspective view of a conventional semiconductor laser device. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1A is a cross-sectional view illustrating the semiconductor laser device of the first embodiment.
  • a laser chip 1 is die-bonded to a recess 2a on an upper side of a lead frame 2, and an upper electrode thereof is electrically connected to the other lead frame 3 by a wire 3a.
  • the laser chip 1 is molded with resin, and the tip of the resin part 4 is roughened.
  • This semiconductor laser device can be manufactured, for example, as follows. First, the laser chip 1 is die-bonded to the recess 2a at the upper part of the lead frame 2 using a silver paste or the like, similarly to the process of manufacturing a normal molded light emitting diode. Then, the upper electrode of the laser chip 1 and the lead frame 3 are electrically connected by a wire bonding process.
  • the chip is immersed in a mold filled with a molding resin, and the resin is cured by heating.
  • the oscillation wavelength of the semiconductor laser element is used as the resin.
  • a transparent epoxy resin was used.
  • a mold having a roughened bottom surface 5a as shown in FIG. 1 (b) was used as a mold. In this case, no extra steps are required simply by changing the mold design of the mold.
  • the region to be roughened also depends on the spread of light of the laser chip itself, but generally only the tip portion needs to be roughened.
  • the side surfaces can be roughened if necessary.
  • the portion having the light diffusion function is the roughened portion of the resin portion 4 and is integrated with the laser chip.
  • the element strength can be improved. Also, even if the resin part is peeled off for some reason, the wire 3a connecting the laser chip 1 and the lead frame 3 is cut and the laser oscillation stops, so that safety to the eyes is ensured. Can be maintained.
  • the portion in contact with the laser chip 1 is made of only a transparent resin and does not use a material having high moisture permeability such as a silica-based resin as in the prior art, so that it absorbs little water and does not cause element deterioration due to it.
  • the tip portion of the resin portion is melted with a solvent, or particles having a suitable roughness or a suitable sand particle are removed.
  • a substantially similar rough surface can also be obtained by grinding with a paper file or the like or by pressing a mold having a rough surface to the front end of the mold. In this case, by simply adding a process after curing the mold, the conventional mounting process for light-emitting diodes can be used.
  • a resin having a smooth surface is mixed with a resin having a different refractive index as a diffusing material, for example, a mixture of a silica-based resin and an epoxy-based resin is first cured and then further cured.
  • a light diffusing portion as shown in FIG. 1 (c) may be formed by immersing the laser chip 1 in a transparent resin such as a resin and curing it.
  • the light diffusion portion as shown in FIG. 1D may be formed by covering the periphery of the resin portion 4 of the semiconductor laser device molded with a transparent resin with a diffusible resin and curing the resin.
  • the light diffusing portion can be formed by using a resin material having birefringence as shown in Embodiments 9 to 12 described later. In this case, in a region made of a birefringent resin material, the refractive index varies depending on the polarization state of the incident light, and the light can be scattered.
  • the semiconductor laser device obtained by these methods is included in the invention described in claim 4.
  • FIG. 2 is a perspective view showing a semiconductor laser device according to the second embodiment.
  • a laser chip 1 is mounted on a heat sink 6 and an upper surface thereof is electrically connected to a lead frame 3 by wires 3a, similarly to a normal semiconductor laser package.
  • the heat sink 6 is integrated on a stage 8 provided with a light receiving element 7. Further, the laser chip 1 is sealed by a cap 9 to which a cap glass (diffusion plate) 5 having a light diffusion function is adhered, and the diffusion plate 5 is integrated with the cap 9 by a resin portion 4.
  • the cap can be produced, for example, as follows.
  • Resin is dropped into the inside of the cap 9 to which the diffusion plate 5 is adhered, and thermally cured.
  • the amount of the resin material at this time may be such that the resin portion 4 does not contact the laser chip 1 when the laser chip 1 is sealed with the cap 9, and strict control is not required.
  • the resin material for example, a transparent resin such as an epoxy resin can be used, and the diffusion plate 5 can be the same as the conventional one.
  • the cap 9 thus obtained is welded onto the stem 8 by electric heating.
  • the resin portion 4 is embedded so as to cover the diffusion plate 5 inside the cap 9, so that the diffusion plate The eye is not damaged and will not be dropped, thus ensuring safety for the eyes.
  • the laser chip 1 during laser oscillation generates heat and reaches a temperature several to several ten higher than the ambient temperature.
  • stress distortion was generated at the interface between the resin part 4 and the laser chip 1 due to a difference in thermal expansion coefficient, and the laser chip 1 was found to have deteriorated depending on the use conditions.
  • the semiconductor laser device according to the second embodiment since the resin portion 4 and the laser chip 1 are not in contact with each other, stress distortion due to a temperature change between the laser chip 1 and the resin portion 4 occurs. And reliability can be further improved.
  • an ordinary cap glass having no light diffusion function is used instead of the diffusion plate 5, and a light diffusion resin (for example, a material having a different refractive index as a diffusion material is used as the diffusion material) in the cap 9.
  • a light diffusion resin for example, a material having a different refractive index as a diffusion material is used as the diffusion material
  • the resin portion is kept out of contact with the laser chip, the reliability does not decrease even if a material in which a silica-based resin is mixed with an epoxy-based resin is used.
  • the semiconductor laser device obtained by this method is included in the invention described in claim 3.
  • FIG. 3A is a perspective view showing a semiconductor laser device according to the third embodiment.
  • a laser chip 1 is mounted on an IC substrate 14, and an upper surface thereof and a lead frame 3 are electrically connected by wires 3a.
  • This laser chip 1 has a high reflectance on one side, and light is extracted from only one end face.
  • a 45 ° mirror 15 is arranged on the light emitting side of the laser chip 1 so that light is emitted to the upper surface.
  • a lens (resin part) 4 made of a resin is disposed thereon so as to cover the laser chip 1 and the 45 ° mirror 15. Furthermore, on the IC board 14 IC chip 12 is mounted.
  • the lens 4 made of resin can be manufactured by using dies 10 and 11 as shown in FIG. 3 (b), for example.
  • the resin material 4a a resin in which a material having a different refractive index is mixed as a light diffusing material, for example, a resin in which a silica-based resin is mixed in an epoxy-based resin can be used from the viewpoint of safety of laser light to the eyes.
  • the lens 4 may be fixed by molding with a resin 13.
  • the resin 13 it is preferable to use a resin having low moisture permeability.
  • a resin material having birefringence as shown in Embodiments 9 to 12 described later may be used instead of the resin in which materials having different refractive indices are mixed.
  • the light emitted from the laser chip 1 is diffused by the resin portion 4 and the radiation angle pattern is controlled by the lens effect. Therefore, light can be emitted into space over a wider angle range. Since the safety for the eye is determined by the optical power or optical power density incident on the pupil, it is very effective to be able to control the radiation angle distribution by the lens effect. Further, since the resin portion 4 and the laser chip 1 are not in contact with each other, stress distortion due to a temperature change between the laser chip 1 and the resin portion 4 does not occur, and reliability can be improved. Even if a material having moisture permeability such as a silica-based resin is used, the reliability does not decrease. Furthermore, if the 45 ° mirror 15 has a diffuser function with a rough surface, the safety to the eyes is further improved, and the diffusing material mixed into the resin part 4 is reduced to make the lens transparent. It is also possible to increase sex.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a semiconductor laser device according to the fourth embodiment.
  • This semiconductor laser device is obtained by molding a resin into a conventionally known semiconductor laser device to give a light diffusing function.
  • Laser chip 1 is a can-type package
  • a lens (resin portion) 4 made of resin is formed so as to cover the cap 9 and the cap glass 5b (normal one having no light diffusion function).
  • the resin lens 4 can be manufactured using, for example, a mold 10 as shown in FIG. 3B.
  • the resin material a resin mixed with a material having a different refractive index as a light diffusing material, for example, a resin mixed with a silica-based resin in an epoxy-based resin or the like can be used from the viewpoint of safety of laser light to the eyes.
  • a resin material having birefringence as shown in Embodiment 9 to Embodiment 12 described later may be used instead of a resin in which materials having different refractive indexes are mixed.
  • a compact semiconductor laser package that can ensure safety to the eyes can be obtained by the ordinary semiconductor laser device manufacturing process and the molding process.
  • the light emitted from the laser chip 1 is diffused by the resin portion 4, and the radiation angle pattern can be easily controlled by the lens effect, and the connection to the optical fiber can be performed. easy. Since the resin portion 4 and the laser chip 1 are not in contact with each other, stress distortion due to a temperature change between the laser chip 1 and the resin portion 4 does not occur, and reliability can be improved. Even if a material having moisture permeability such as a silica-based resin is used, the reliability does not decrease.
  • FIG. 5 is a sectional view showing a semiconductor laser device according to the fifth embodiment.
  • This semiconductor laser device is obtained by changing the surface shape of the resin portion 4 in the semiconductor laser device of the second embodiment. Note that, in FIG. 5 and FIGS. 6 to 8 described later, the illustration of the lead frame and the wires is omitted.
  • the shape near the center of the surface of the resin portion 4 facing the laser chip 1 was formed into a curved surface with the light emission point 0 of the laser chip 1 as the center of curvature.
  • the region that was not substantially irradiated with the laser light had an arbitrary shape.
  • Fig. 5 (b) shows the relationship between the reflectance of light rays
  • the figure shows P-polarized light (the direction of the electric field is perpendicular to the plane of incidence). From this figure, it can be seen that the reflectance of S-polarized light is lowest at the time of vertical incidence.
  • the reflectance of the S-polarized light incident on the resin portion 4 can be reduced, and the light extraction efficiency can be increased. This is particularly effective when a laser chip with a small beam spread angle is used. In the present embodiment, the light extraction efficiency can be improved by about 1% to 2%.
  • the surface shape of the resin portion of the semiconductor laser device of the second embodiment is changed.
  • the surface shape of the resin portion of the semiconductor laser device of the third embodiment can be changed. This is nothing but the problem of changing the design of the inner wall surface of the vehicle.
  • FIG. 6 is a sectional view showing a semiconductor laser device according to the sixth embodiment.
  • This semiconductor laser device is obtained by further changing the surface shape of the resin portion 4 in the semiconductor laser device of the fifth embodiment.
  • the shape near the center of the surface of the resin portion 4 facing the laser chip 1 was made substantially flat, and the shape of the peripheral portion was made convex.
  • the reason are as follows.
  • all the light rays incident on the resin part 4 are vertically incident, and the direction does not change in the resin part 4.
  • light is reflected at the interface between the diffusion plate 5 and the air, and the light extraction efficiency reaches a peak.
  • the present inventors examined several resin shapes, and found that when the diffusion plate 5 on the upper surface is flat, the resin shape as shown in FIG. 6 can improve light extraction efficiency most. confirmed.
  • the light diffusing resin is integrated with the ordinary cap glass as described in the second embodiment, since the light extraction surface (the upper surface of the cap glass) is flat, the shape of the resin surface facing the laser chip is not changed. According to the present embodiment, the light extraction efficiency is improved.
  • the transmittance at the interface between the resin portion 4 and air is obtained by making the shape near the center of the surface of the resin portion 4 facing the laser chip 1 substantially flat and making the shape of the peripheral portion convex. Can be compensated for by improving the transmittance at the interface between the diffusion plate 5 and the air, and the overall transmittance can be improved. In this embodiment, the light extraction efficiency can be improved by about 3%.
  • the angle (tilt angle) 16 between the normal line of the peripheral portion (convex portion) of the resin portion 4 and the peak ray vector of the oscillation light from the laser chip 1 is 3 degrees or less, The effect of improving light extraction efficiency was confirmed at a tilt angle of 0 degrees and 16 ⁇ 3 degrees.
  • the region of the resin portion 4 which is not substantially irradiated with the laser beam can have any shape, and the shape may be designed only for the region irradiated with the laser beam.
  • FIG. 7 is a sectional view showing a semiconductor laser device according to the seventh embodiment.
  • This semiconductor laser device is obtained by further changing the surface shape of the resin portion 4 in the semiconductor laser device of the fifth embodiment.
  • the shape near the center of the surface of the resin portion 4 facing the laser chip 1 is made a curved surface with the light emission point 0 of the laser chip 1 as the center of curvature, and the shape of the peripheral portion is called a laser chip.
  • a curved surface ⁇ ′ having a center of curvature on the opposite side was formed.
  • the reflectance of light is lower for P-polarized light than for S-polarized light Therefore, the overall reflectance can be reduced by effectively utilizing the P-polarized light.
  • light rays near the central axis can be regarded as almost S-polarized light with respect to the virtual incident plane.
  • a light beam deviated by about 45 degrees from the central axis has almost 1: 1 mixture of S-polarized light and P-polarized light, and the ratio of P-polarized light increases as the angle increases.
  • the center of curvature is set as the light emission point ⁇ of the laser chip 1 to reduce the reflectance of S-polarized light from the center axis of the resin part 4 to about 45 degrees, and the P-polarized light from around 45 degrees to the periphery.
  • a curved surface having a center of curvature on the side opposite to the laser chip is used.
  • the light reflectance at the interface of the resin part 4 can be reduced according to the polarization state, and the light extraction efficiency can be improved.
  • the light extraction efficiency was improved by 2% by using a laser chip having a horizontal and vertical beam spread angle of 30 degrees.
  • FIG. 8 is a sectional view showing a semiconductor laser device according to the eighth embodiment.
  • This semiconductor laser device is obtained by changing the surface shape of the resin portion 4 in the semiconductor laser device of the second embodiment.
  • a normal cap glass having no light diffusion function is used in place of the diffusion plate 5, and a light diffusion resin is dropped into the cap 9 to harden it.
  • the light-diffusing material typically absorbs light as large as about 20%, it has led to the heat generation of the element and a reduction in light extraction efficiency.
  • a normal transparent resin is used, and the resin portion 4 is roughened as in Embodiment 8 on the entire surface of the resin facing the laser chip 1.
  • Light diffusion occurs in the roughened portion, and a semiconductor laser device that does not require the diffusion plate 5 can be obtained. In this case, reflection occurs near the center and the transmittance decreases, but the effect can be reduced to about 10%.
  • the semiconductor laser device obtained by this method is included in the first aspect of the present invention.
  • FIG. 9A is a perspective view showing a semiconductor laser device of the ninth embodiment.
  • This semiconductor laser device has realized a light diffusion function using a birefringent resin material.
  • a laser chip 1 is mounted on a heat sink 6 and an upper surface thereof is electrically connected to a lead frame 3 by wires 3a, similarly to a normal semiconductor laser package.
  • the heat sink 6 is integrated on a stage 8 provided with a light receiving element 7.
  • the laser chip 1 is hermetically sealed by a cap 9 to which a cap glass 5b (a normal one having no light diffusion function) is adhered, and the cap glass 5b is formed by a resin portion 4c made of a birefringent resin material. It is integrated with Cap9.
  • the semiconductor laser device of Embodiment 9 can be manufactured, for example, as follows.
  • a highly transparent fluorinated polyimide (or simply polyimide) was used as the birefringent resin material. This material is described in the Journal of Japan Society of Applied Physics, As indicated, 2,2'-bis-4,4'-diaminobiphenyl (TFD B) and 4,4'-diaminodiphenyl ether (ODA) are combined with 2,2'-bishexaflu It can be synthesized by polymerizing with o-propane dianhydride (FDA) and heating.
  • FDA o-propane dianhydride
  • the generated copolymer molecules are oriented along the plane of the cap glass 5b, and are refracted by the polarization state of the light incident on the cap glass 5b.
  • the rates are different and light can be diffused.
  • the difference in refractive index at this time is about 0.008, which is a sufficient amount for light diffusion.
  • the cap glass with resin 4 c, 5 b thus obtained is attached to the cap 9 and arranged so as to cover the laser chip 1.
  • light diffusion of the semiconductor laser device will be described. In FIG.
  • the light emitting point of the laser chip 1 is arranged at the origin of the rectangular coordinate system, the optical axis direction is shown as the z direction, and the direction parallel to the laser chip 1 is shown as the X direction. Since ordinary laser light has an electric field E in a direction parallel to the active layer of the laser chip (not shown, but in a direction parallel to the laser chip), this light is applied to a resin portion having a plane perpendicular to the z-axis. When incident on 4c, all rays whose X component of the ray direction vector is not 0 have an electric field component perpendicular to the resin interface and a horizontal electric field component. These rays have different refractive indices in the resin part 4c, and the light is diffused. In Fig. 9 (b), the P wave is the component where the electric field is incident parallel to the interface, and the S wave is the component which is incident vertically.
  • the birefringence It is possible to realize light diffusion with high light extraction efficiency and good light transmittance of a resin material having a property. Therefore, unlike the case where a moisture-permeable material such as a silica-based resin is used, the light transmittance does not deteriorate and the light extraction efficiency does not decrease.
  • the resin portion 4c made of a birefringent resin material does not need to be formed in the shape of a parallel plate as in the present embodiment, and for example, the light diffusing property as described in the third and fourth embodiments. It may be shaped like the resin part 4 of FIG.
  • the resin portion 4 of the third embodiment is formed using fluorinated polyimide, molecules are oriented along the glass surface on the cap glass 5b, but the regularity of the orientation increases as the distance from the glass surface increases. Disappears and eventually loses birefringence. Thus, the alignment is uniform in a part of the resin part, and light is diffused in this part.
  • the resin portion 4 of the fourth embodiment when a resin material having birefringence is used for the resin portion 4 of the fourth embodiment, the resin portion is relatively thin, so that the molecular orientation is uniform in the resin and the birefringence is almost present in all regions. A resin part is obtained.
  • a plurality of molding steps are required to convert a part of the resin into a resin having a diffusive property.
  • a birefringent resin material represented by polyimide has low moisture permeability, so that it can be directly molded on a laser chip.
  • polyimide polycarbonate, polyarylate, polyethersulfone, polyphenylene sulfide, boliphenylene oxide, polyarylsulfone, polyamideimide, polyolefin, polyacrylonitrile, cellulose and polyester
  • it may be a blend of two or more of these polymers or a polymer blend containing one or two or more of these.
  • the intrinsic birefringence value ⁇ n at the oscillation wavelength of the semiconductor laser element and the average refractive index n at that wavelength satisfy the relationship of ⁇ ⁇ ⁇ ). Is more effective.
  • a resin part in the case of polycarbonate, can be prepared by heating and melting a polycarbonate pellet obtained by the condensation of phosgene and bisphenol A, flowing into a mold, and cooling to room temperature. Further, a part of the light diffusion function can be performed by a birefringent resin.
  • the resin portion 4 of the semiconductor laser element shown in FIG. 4 is formed using a birefringent resin material.
  • a polyacrylate resin material and a polycarbonate resin material represented by the following structural formula were molded using a mold 10 shown in FIG. Boria relay resin material Bolicarbonate resin material
  • the high resin A light diffusing function can be realized based on birefringence, and a semiconductor laser device having safety for eyes can be manufactured without requiring complicated processing or the like. Furthermore, both of these resin materials have excellent heat resistance at a Tg of 160 ° C. or higher, and also have excellent moisture resistance.
  • a semiconductor laser device was manufactured in substantially the same manner as in Embodiment 1 except that the polyarylate resin material shown in Embodiment 11 was used instead of the epoxy resin in Embodiment 1. In the present embodiment, no processing related to curing was performed.
  • the semiconductor laser device obtained in this way had a light diffusion function and was able to ensure safety for the eyes. Furthermore, the device characteristics were not degraded and the thermal characteristics were excellent.
  • an optical communication system and an optical sensor system will be described. Since the semiconductor laser device of the present invention is safe for eyes, it is suitable for use in places where humans can directly see, such as wireless optical communication systems and optical sensor systems.
  • the upper limit of the laser radiation power specified in the international safety standard is determined by the size and radiation angle of the light source. For example, with a Lambertian distribution that is a general radiation angle pattern and a directional half angle of 15 degrees, if the size of the light source is 10 mm and the wavelength is 780 nm, the light output up to about 160 mW can be obtained. It becomes possible.
  • the present invention by providing a light diffusing function by roughening the resin molded on the laser chip or the resin for integrating the cap glass with the cap, etc. No obstacles such as cracks of the diffuser occur as in the past, and safety to the eyes is ensured. Further, since no diffusing material such as silica resin is used, the reliability of the semiconductor laser device can be improved. Furthermore, when the mold resin is roughened, the resin and the laser chip are bonded, so even if the resin may peel off for any reason, the wire of the laser chip will be cut to the eye. Safety is ensured.
  • the surface is roughened using a mold or the like at the time of curing, so that it is possible to reduce the cost of the semiconductor laser element without changing the design of the mold and requiring extra steps. it can.
  • a simple process after curing the mold can be used to add the conventional light emitting diode mounting process to the semiconductor laser device. Can be made.
  • both the light diffusion property of the resin material itself and the light diffusion property due to the surface roughening can be achieved.
  • the resin material having birefringence can be directly molded on the laser chip, productivity can be improved.
  • the resin portion and the diffusion plate are integrated with each other, the diffusion plate is not easily damaged, and safety for eyes can be ensured.
  • the laser chip and the resin part are not brought into contact, stress distortion from the resin part to the laser chip due to a change in environmental temperature or the like can be prevented, and the reliability of the semiconductor laser element can be improved. it can.
  • light is diffused due to a difference in the refractive index of the material contained in the resin portion, so that there is no obstacle such as a break of a diffusion plate as in the related art, and the eye is safe. Nature is secured.
  • a diffusion material having moisture permeability such as silica resin
  • the reliability does not decrease because the laser chip and the resin are not in contact with each other. Stress distortion can also be prevented.
  • the emission angle pattern is controlled by the lens effect, and light can be emitted into space over a wider angle range.
  • This semiconductor laser device can also be manufactured by a normal semiconductor laser device manufacturing process and a molding process, and a small-sized semiconductor laser package that can ensure eye safety can be realized. Further, since the radiation angle pattern can be easily controlled by the lens effect, it is easy to connect to the optical fiber.
  • the refractive index varies depending on the polarization state of the incident light to diffuse the light, reducing the coherence of the radiated light and ensuring safety for the eyes. Nature can be secured. Further, there is no problem that the reliability of the semiconductor laser device is reduced by the silica resin as in the conventional case. Even when not directly molded on the laser chip, the light transmittance of the resin material is high, so the light extraction efficiency can be improved, the light intensity / power consumption ratio can be improved, and power consumption can be reduced and device reliability can be improved. .
  • the shape of the resin portion near the center of the surface facing the laser chip By making the shape of the resin portion near the center of the surface facing the laser chip a curved surface with the light emission point of the laser chip as the center of curvature, the extraction efficiency of S-polarized light can be improved. This is particularly effective when a laser chip having a small beam divergence angle is used.
  • the shape of the resin portion near the center of the surface facing the laser chip is a curved surface with the light emitting point of the laser chip as the center of curvature
  • the shape of the peripheral portion is a curved surface with the center of curvature on the side opposite to the laser chip.
  • the light extraction efficiency from the diffusion plate can be improved.
  • the angle between the normal line of at least the light passing portion of the convex portion of the resin portion and the ray vector of the peak of the light emitted from the laser chip should be greater than 0 ° and 3 ° or less. If this is the case, the light extraction efficiency is further improved.
  • a light diffusion function can be given to the region, and the diffuser plate is broken as in the conventional case.
  • the safety of the eyes is ensured without any obstacles such as Further, even if a diffusion material such as a silicon resin is used, the area is not in contact with the laser chip, so that the reliability can be improved.
  • This area can be easily achieved by placing a resin mixed with a material with a different refractive index into a mold and curing it first, and then putting a resin not mixed with a material with a different refractive index into the mold and curing it. Can be manufactured.
  • the refractive index varies depending on the polarization state of the incident light to diffuse the light, thereby reducing the coherence of the radiated light.
  • safety for the eyes can be ensured.
  • the reliability of the semiconductor laser device is reduced by the silicic resin as in the related art. Even when not directly molded on the laser chip, the light transmittance of the resin material is high, so the light extraction efficiency is improved and the light intensity power consumption ratio is improved to reduce power consumption. And the reliability of the element can be improved.
  • the present invention by integrating a resin portion made of a resin material having birefringence and a laser chip, light is diffused by changing the refractive index according to the polarization state of incident light, and radiation is emitted. Light coherency can be reduced. Since this birefringent resin material does not have moisture permeability unlike silica-based resin and the like, direct molding is possible and productivity can be improved.
  • the semiconductor laser device of the present invention safety for the eyes can be ensured, and an optical communication system and an optical sensor system with excellent reliability can be realized. It can be used very effectively.

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Description

明 細 書 半導体レーザ素子及びその製造方法、
並びに光通信システム及び光センサーシステム 技術分野
本発明は、 通信用、 医療用、 工業用センサー等、 光通信システムや光センサ一 システムに幅広く用いられる半導体レーザ素子及びその製造方法に関し、 特に、 無線通信やセンサー用光源等、 空間にその光が放射され、 人が直接光源を見るよ うな用途に用いられる半導体レーザ素子及びその製造方法、 並びにそれを用いて 眼に対する安全性を確保した光通信システムや光センサーシステムに関する。 背景技術
従来の空間放射型半導体発光素子の例として、 特開平 8— 2 6 4 8 8 5号公報 に開示されているものを図 1 0に示す。
この半導体発光素子は、 レーザチップ 1が金属製のヒートシンク 6に半田付け され、 その上面と電極 (リードフレーム) 3とがワイヤ 3 aにより電気的に接続 されている。 ヒートシンク 6はステム 8上に一体化して形成されている。 さらに、 拡散板 5が接着されたキャップ 9によってレーザチップ 1が密閉されている。 この半導体発光素子においては、 レーザチップ 1から出射した光は拡散板 5へ と放射され、 拡散板 5によって光の方向や位相が乱されて散乱される。 これによ り放射光のコヒーレンシ一を低減させて眼に対する安全性を確保した上で、 空間 へと放出させる。
さらに、 光拡散機能を実現する他の方法として、 シリカ系樹脂をエポキシ系樹 脂に混合したものを用いてレーザチップをモールドする方法も知られている。 こ の方法では、 エポキシ系樹脂とシリカ系樹脂との屈折率の違いからレーザ光の方 向が散乱されて、 放射光のコヒーレンシ一が低減される。 一般に、 エポキシ系の 材料がレーザ光に対して透明であり、 シリカ系の材料がレーザ光に対して不透明 であるため、 エポキシ系樹脂にシリカ系樹脂を少量混入したものが用いられてい る。
しかしながら、 図 1 0に示したような拡散板 5を用いた場合には、 半導体レー ザ素子の使用環境において、 搭載機器の落下等によって拡散板が破損する等の問 題が生じ、 高出力のコヒーレント光が空間へ放出されるという懸念があつた。 さらに、 拡散材料を混入した樹脂を用いてレーザチップをモールドした場合、 例えばシリカ系樹脂を混入した樹脂を用いた場合には、 シリカ系樹脂の透湿性が 高いため、 使用と共にワイヤの劣断やレーザチップ端面の劣化等の問題が生じて 信頼性が低下していた。
本発明は、 このような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、 高出力のコヒーレント光が空間へ放出されるのを防いで眼に対する安全性を確保 することができ、 さらに、 信頼性を向上させることができる半導体レーザ素子及 びその製造方法、 並びにそれを用いた光通信システム及び光センサーシステムを 提供することを目的とする。 発明の開示
本発明の半導体レーザ素子は、 光放射側表面の全部もしくは一部が粗面化され、 またはレーザチップと相対する面の全部もしくは一部が粗面化された樹脂部を有 し、 該樹脂部の粗面化された部分によって光が拡散されて放射光のコヒーレンシ 一が低減され、 そのことにより上記目的が達成される。
本発明の半導体レーザ素子は、 レーザチップを収納している容器と光拡散機能 を有する封止部材とを一体化させる樹脂部を有し、 該封止部材によって光が拡散 されて放射光のコヒ一レンシ一が低減され、 そのことにより上記目的が達成され る。 本発明の半導体レーザ素子は、 屈折率が異なる材料を混入した樹脂部、 または 複屈折性を有する樹脂材料からなる樹脂部がレーザチップと接触しないように設 けられ、 該樹脂部によって光が拡散されて放射光のコヒーレンシ一が低減され、 そのことにより上記目的が達成される。
本発明の半導体レーザ素子は、 屈折率が異なる材料を混入した領域、 または複 屈折性を有する樹脂材料からなる領域を一部に有する樹脂部が、 該領域がレーザ チップと接触しないように設けられ、 該領域によって光が拡散されて放射光のコ ヒーレンシ一が低減され、 そのことにより上記目的が達成される。
前記樹脂部は、 前記レーザチップと相対する面の中央付近の形状が、 該レーザ チップの光出射点を曲率中心とする曲面であるのが好ましい。
前記樹脂部は、 前記レーザチップと相対する面の周辺部の形状が、 該レーザチ ップとは反対側に曲率中心を有する曲面であるのが好ましい。
前記樹脂部は、 前記レーザチップと相対する面の中央付近の形状がほぼ平坦で あり、 周辺部の形状が凸状であるのが好ましい。
前記樹脂部は、 前記凸状部分の少なくとも光通過部での法線が、 該レーザチッ プから発振される光のピークの光線べクトルに対してなす角度が 0 ° より大で 3 ° 以下であるのが好ましい。
前記樹脂部は、 前記レーザチップと相対する面の中央付近の形状がほぼ平坦で あり、 周辺部が粗面化されているのが好ましい。
前記樹脂部は、 複屈折性を有する樹脂材料からなっていてもよい。
本発明の半導体レーザ素子は、 複屈折性を有する樹脂材料からなる樹脂部とレ 一ザチップとが一体化され、 該樹脂部によって光が拡散されて放射光のコヒーレ ンシ一が低減され、 そのことにより上記目的が達成される。
前記複屈折性を有する樹脂材料は、 半導体レーザ素子の発振波長での固有複屈 折値 Δ ηと、 該波長での平均屈折率 nとが、 Δ η / η 2〉0 . 0 0 1 5の関係を 満たすのが好ましい。 前記複屈折性を有する樹脂材料は、 ポリイミド、 ポリカーボネート、 ポリアリ レート、 ボリエーテルスルホン、 ポリフエ二レンサルファイド、 ポリフエ二レン オキサイド、 ポリアリルスルホン、 ポリアミドイミド、 ポリオレフイン、 ポリア クリロニトリル、 セルロース及びポリエステルのうちの 1種類であるか、 これら の 2種類以上のポリマーブレンドであるか、 またはこれらの 1種類もしくは 2種 類以上を含むポリマ一プレンドであってもよい。
前記複屈折性を有する樹脂材料は、 芳香族ポリエステルであってもよい。 前記芳香族ポリエステルは、 ポリアリレートまたはポリカーボネートであって もよい。
前記芳香族ポリエステルは、 下記一般式 ( I ) で示される 2価のフエノール化 合物と芳香族ジカルボン酸とから得られるポリアリレート、 または該フエノール 化合物とホスゲンとから得られるポリカーボネー卜であってもよい。
Figure imgf000006_0001
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、 光放射側表面の全部もしくは一部が 粗面化され、 またはレーザチップと相対する面の全部もしくは一部が粗面化され た樹脂部を有する半導体レーザ素子を製造する方法であって、 レーザチップまた は該レーザチップを収納している容器を樹脂材料でモールドする工程と、 該樹脂 材料を硬化させると共に該当する部分を粗面化させる工程とを含み、 そのことに より上記目的が達成される。
本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、 光放射側表面の全部もしくは一部が 粗面化され、 またはレーザチップと相対する面の全部もしくは一部が粗面化され た樹脂部を有する半導体レーザ素子を製造する方法であって、 レーザチップまた は該レーザチップを収納している容器を樹脂材料でモールドし、 該樹脂材料を硬 化させる工程と、 硬化された樹脂の該当する部分を粗面化させる工程とを含み、 そのことにより上記目的が達成される。
前記硬化された樹脂の該当する部分を粗面化させる工程を、 該当する部分をェ ツチングするか、 研磨するか、 または粗面を有する金型を圧着することにより行 うことができる。
本発明の光通信システムは、 本発明の半導体レーザ素子を備えており、 そのこ とにより上記目的が達成される。
本発明の光センサーシステムは、 本発明の半導体レーザ素子を備えており、 そ のことにより上記目的が達成される。
以下、 本発明の作用について説明する。
本発明にあっては、 後述する実施形態 1に示すように、 モールド樹脂等の樹脂 部の光放射側表面の全部もしくは一部を粗面化し、 または後述する実施形態 8に 示すように、 キヤップガラスをキヤップに一体化させるための樹脂等の樹脂部の レーザチップと相対する面の全部もしくは一部を粗面化している。 このように樹 脂部の粗面化された部分によって光を拡散して放射光のコヒーレンシ一を低減す ることができるので、 従来のように拡散板が破損して眼に対する安全性が懸念さ れたり、 シリカ系樹脂により半導体レーザ素子の信頼性が低下するという問題は 生じない。
この樹脂部は、 樹脂材料でモールドした後で樹脂の硬化時に金型等を用いるこ とにより、 所望の部分を容易に粗面化させることができる。 或いは、 樹脂材料を 硬化させた後で、 該当する部分をエッチングするか、 研磨するか、 または粗面を 有する金型を圧着することによつても、 所望の部分を容易に粗面化させることが できる。
さらに、 後述する実施形態 1 2に示すように、 樹脂部に複屈折性を有する樹脂 材料を用いてその表面を粗面化することにより、 樹脂材料自体の有する光拡散性 と表面の粗面化による光拡散性の 2つの拡散機能が結合されて、 より効果的に光 を拡散させることができ、 安定性の良い半導体レーザ素子を得ることができる。 他の本発明にあっては、 後述する実施形態 2に示すように、 レーザチップを収 納しているキャップ等の容器と拡散板等の光拡散機能を有する封止部材 (キヤッ プガラス) とを樹脂部で一体化している。 このように拡散機能を有する封止部材 が榭脂により一体化されているので、 従来のように拡散板が破損して眼に対する 安全性が懸念されたり、 シリカ系樹脂により半導体レーザ素子の信頼性が低下す るという問題は生じない。
他の本発明にあっては、 後述する実施形態 2〜実施形態 4に示すように、 屈折 率が異なる材料を混入した樹脂部を設けている。 この樹脂部に含まれる材料の屈 折率の違いによって光を拡散させて放射光のコヒーレンシ一を低減することがで きるので、 従来のように拡散板が破損して眼に対する安全性が懸念されることは ない。 また、 レーザチップが樹脂部と接触していないので、 環境温度の変化によ る応力歪み等が生じず、 さらに、 シリカ系樹脂等の透湿性を有する材料を含んで いても信頼性が低下することはない。
或いは、 後述する実施形態 9及び実施形態 1 1に示すように、 複屈折性を有す る樹脂材料からなる樹脂部を設けている。 入射光の偏光状態により屈折率が異な り、 光が拡散されるので、 放射光のコヒーレンシ一を低減することができ、 従来 のように拡散板が破損して眼に対する安全性が懸念されることはない。 また、 従 来のようにシリ力系樹脂により半導体レーザ素子の信頼性が低下するという問題 も生じない。
上記樹脂部のレーザチップと相対する面の中央付近の形状を、 レーザチップの 光出射点を曲率中心とする曲面にすることにより、 後述する実施形態 5に示すよ うに、 S偏光の取り出し効率を向上させることができる。
上記樹脂部のレーザチップと相対する面の中央付近の形状を、 レーザチップの 光出射点を曲率中心とする曲面にし、 周辺部の形状をレーザチップとは反対側に 曲率中心を有する曲面にすることにより、 後述する実施形態 7に示すように、 光 の偏光状態に応じて光の取り出し効率を向上させることができる。
上記樹脂部のレーザチップと相対する面の中央付近の形状をほぼ平坦にし、 周 辺部の形状を凸状にすることにより、 後述する実施形態 6や実施形態 2に示すよ うに、 上面が平坦な光取り出し面である場合に光の取り出し効率を向上させるこ とができる。
上記樹脂部は、 凸状部分の少なくとも光通過部での法線が、 レーザチップから 発振される光のピークの光線ベクトルに対してなす角度が 0 ° より大で 3 ° 以下 である場合に、 後述する実施形態 6に示すように、 光の取り出し効率がさらに向 上する。
上記樹脂部のレーザチップと相対する面の中央付近の形状をほぼ平坦にし、 周 辺部を粗面化することにより、 後述する実施形態 8に示すように、 詳細な設計を 行わなくても容易に光の取り出し効率を向上させることができる。
他の本発明にあっては、 後述する実施形態 1に示すように、 屈折率が異なる材 料を混入した領域を一部に有する樹脂部を設けている。 この領域に含まれる材料 の屈折率の違いによって光を散乱させて放射光のコヒーレンシ一を低減すること ができるので、 従来のように拡散板が破損して眼に対する安全性が懸念されるこ とはない。 また、 屈折率が異なる材料を混入した領域がレーザチップと接触して いないので環境温度の変化による応力歪み等が生じず、 さらに、 この領域にシリ 力系樹脂等の透湿性を有する材料を含んでいても信頼性が低下することはない。 或いは、 後述する実施形態 1に示すように、 複屈折性を有する樹脂材料からな る領域を一部に有する樹脂部を設けている。 入射光の偏光状態により屈折率が異 なり、 光が拡散されるので、 放射光のコヒーレンシ一を低減することができ、 従 来のように拡散板が破損して眼に対する安全性が懸念されることはない。 また、 従来のようにシリ力系樹脂により半導体レーザ素子の信頼性が低下するという問 題も生じない。
他の本発明にあっては、 後述する実施形態 1 0に示すように、 複屈折性を有す る樹脂材料からなる樹脂部とレーザチップとが一体化されている。 入射光の偏光 状態により屈折率が異なり、 光が拡散されるので、 放射光のコヒーレンシ一を低 減することができ、 従来のように拡散板が破損して眼に対する安全性が懸念され ることはない。 また、 複屈折性樹脂材料は、 シリカ系樹脂等のように透湿性を有 していないので、 直接モールドが可能である。
後述する実施形態 9に示すように、 この複屈折性を有する樹脂材料は、 半導体 レーザ素子の発振波長での固有複屈折値 Δ nと、 該波長での平均屈折率 nとが、 Δ η / η 2> 0 . 0 0 1 5の関係を満たすものであれば、 十分な光拡散機能が得 られる。
上記複屈折性を有する樹脂材料としては、 ポリイミド、 ポリカーボネート、 ポ リアリレー卜、 ボリエーテルスルホン、 ポリフエ二レンサルファイド、 ポリフエ 二レンオキサイド、 ポリアリルスルホン、 ポリアミドイミド、 ポリオレフイン、 ポリアクリロニトリル、 セルロース及びポリエステル等を用いることができる。 また、 これらの 2種類以上のポリマーブレンドや、 これらの 1種類もしくは 2種 類以上を含むポリマ一ブレンドであってもよい。 後述する実施形態 9及び実施形 態 1 0に示すように、 これらの樹脂材料の複屈折性を利用して光を拡散させるこ とができ、 さらに、 透明性が良好であるので光の取り出し効率を向上することが できる。
上記複屈折性を有する樹脂材料としては、 後述する実施形態 1 1及び実施形態 1 2に示すように芳香族ポリエステルを用いることもできる。 芳香族ポリエステ ルは、 通常、 固有の高い複屈折性を有しており、 その大部分は熱安定性が比較的 高く、 さらに、 無色で光透過性が良好なものが多い。 このように高い複屈折性を 有し、 透明性に優れた芳香族ポリエステルの代表的なものとしては、 ポリアリレ ートゃポリカーボネート等が挙げられる。 特に、 下記一般式 (I ) で示される 2 価のフエノール化合物と芳香族ジカルボン酸とから得られるポリアリレートや、 下記一般式 ( I ) で示される 2価のフエノール化合物とホスゲンとから得られる ポリカーボネー卜が好ましい
Figure imgf000011_0001
例えば、 特開平 5— 1 1 1 15号公報等に開示されている下記構造式 (I I) で示される 9, 9一ビス (4ーヒドロキシフエニル) —フルオレンを 2価のフエ ノール化合物として用いる芳香族ポリエステルが代表的なものとして挙げられる。
Figure imgf000011_0002
さらに、 場合によっては 3価のフエノール化合物や芳香族卜リカルボン酸を少 量加えることにより、 3次元化 (架橋) した芳香族ポリエステルとしてもよく、 これによりモールド部の機械的強度が向上する。
本発明の半導体レーザ素子は、 眼に対する安全性力確保され、 しかも信頼性が 良好であるので、 ワイヤレスの光通信システムや光センサ一システム等、 人が直 接光源を見るような用途に好適に用いることができる。 図面の簡単な説明
図 1 (a) は実施形態 1の半導体レーザ素子の断面図であり、 図 1 (b) はそ の作製に用いられる金型の斜視図であり、 図 1 (c) 及び図 1 (d) は他の実施 形態 1の半導体レーザ素子を示す断面図である。
図 2は実施形態 2の半導体レーザ素子の斜視図である。
図 3 (a) は実施形態 3の半導体レーザ素子の断面図であり、 図 3 (b) はそ の作製に用いられる金型の斜視図である。 図 4は実施形態 4の半導体レーザ素子の断面図である。
図 5 ( a ) は実施形態 5の半導体レーザ素子の断面図であり、 図 5 ( b ) は樹 脂部に対する光線の反射率と入射角度の関係を S偏光及び P偏光について示す図 である。
図 6は実施形態 6の半導体レーザ素子の断面図である。
図 7は実施形態 7の半導体レーザ素子の断面図である。
図 8は実施形態 8の半導体レーザ素子の断面図である。
図 9 ( a ) は実施形態 9の半導体レーザ素子の斜視図であり、 図 9 ( b ) はそ の光拡散について説明するための斜視図である。
図 1 0は従来の半導体レーザ素子の斜視図である。 発明を実施するための最良の形態
以下に、 本発明の実施形態について、 図面を参照しながら説明する。
(実施形態 1 )
図 1 ( a ) は実施形態 1の半導体レーザ素子を示す断面図である。
この半導体レーザ素子は、 レーザチップ 1がー方のリードフレーム 2の上部の くぼみ 2 aにダイボンドされ、 その上部電極と他方のリードフレーム 3とがワイ ャ 3 aにより電気的に接続されている。 このレーザチップ 1は樹脂によりモール ドされ、 その樹脂部 4の先端は粗面化されている。
この半導体レーザ素子は、 例えば以下のようにして作製することができる。 まず、 通常のモールドされた発光ダイオードの作製工程と同様に、 レーザチッ プ 1をリードフレーム 2の上部のくぼみ 2 aに銀ペースト等を用いてダイボンド する。 そして、 レーザチップ 1の上部電極とリードフレーム 3とをワイヤボンド 工程により電気的に接続する。
その後、 モールド用樹脂を充填した金型にチップを浸して樹脂を加熱すること により硬化させる。 本実施形態 1では、 樹脂として半導体レーザ素子の発振波長 に対して透明なエポキシ系樹脂を用いた。 そして、 樹脂硬化時に光を拡散させる ような機能を与えるために、 金型として図 1 ( b ) に示すような底面 5 aを荒ら したものを用いた。 この場合、 モールドの金型設計の変更のみで余分な工程が不 要である。
粗面化する領域は、 レーザチップ自身の光の広がりにも依存するが、 概ね先端 部のみを粗面化すればよい。 さらに、 必要に応じて側面を粗面化することも可能 である。
このようにして得られる本実施形態 1の半導体レーザ素子においては、 光拡散 機能を有する部分が樹脂部 4の粗面化された部分であり、 レーザチップと一体化 されているので、 従来の拡散板を用いた場合のように拡散板が割れる等の障害が 発生せず、 素子強度を向上させることができる。 また、 何らかの原因で樹脂部が 剥離されるようなことがあっても、 レーザチップ 1とリードフレーム 3とを接続 するワイヤ 3 aが切断されてレーザ発振が停止するので、 眼に対する安全性を確 保することができる。 さらに、 レーザチップ 1に接する部分は透明樹脂のみであ り、 従来のようにシリカ系樹脂等の透湿性の高い材料を用いていないので、 水分 吸収が少なく、 それに起因する素子劣化は生じない。
なお、 本実施形態 1において、 滑らかな面を有する金型を用いて樹脂を硬化さ せた後、 溶剤で樹脂部の先端部分を溶かしたり、 適度な粗さを有する粒子や適度 な砂番を有する紙ヤスリ等により研磨したり、 粗い面を有する金型をモールド先 端部に圧着したりする方法によっても、 ほぼ同様の粗面を得ることができる。 こ の場合、 モールド硬化後の簡単なプロセス追加により、 従来の発光ダイオードの 実装プロセスを利用することができる。
或いは、 滑らかな面を有する金型に、 拡散材料として屈折率が異なる材料を混 入した樹脂、 例えばシリカ系樹脂をエポキシ系樹脂に混合したもの等を入れて一 次硬化させた後、 さらにエポキシ樹脂等の透明樹脂を入れてレーザチップ 1を浸 して硬化させることにより図 1 ( c ) に示すような光拡散部を形成してもよい。 または、 透明な樹脂によってモールドされた半導体レーザ素子の樹脂部 4の周囲 を拡散性樹脂で覆って硬化させることにより図 1 ( d ) に示すような光拡散部を 形成してもよい。 この場合、 屈折率が異なる材料を含む領域では屈折率の違いに よって光を散乱させることができるので、 粗面と同等の拡散機能を有する拡散領 域を得ることができる。 さらに、 屈折率が異なる材料を混入した樹脂の代わりに 後述する実施形態 9〜実施形態 1 2に示すような複屈折性を有する樹脂材料を用 いて光拡散部を形成することもできる。 この場合、 複屈折性を有する樹脂材料か らなる領域では、 入射光の偏光状態によって屈折率が異なり、 光を散乱させるこ とができる。 これらの方法により得られる半導体レーザ素子は、 請求項 4に記載 の発明に含まれる。
(実施形態 2 )
図 2は実施形態 2の半導体レーザ素子を示す斜視図である。
この半導体レーザ素子は、 通常の半導体レーザパッケージと同様に、 レーザチ ップ 1がヒートシンク 6に実装され、 その上面とリードフレーム 3とがワイヤ 3 aにより電気的に接続されている。 ヒートシンク 6は、 受光素子 7を設けたステ ム 8上に一体化されている。 さらに、 光拡散機能を有するキャップガラス (拡散 板) 5を接着したキャップ 9によってレーザチップ 1が密閉され、 拡散板 5は樹 脂部 4によりキャップ 9と一体化されている。
本実施形態 2において、 キャップの作製は例えば以下のようにして行うことが できる。
拡散板 5を接着したキャップ 9の内側に樹脂を滴下して熱硬化させる。 このと きの樹脂材料の量は、 キャップ 9でレーザチップ 1を封止したときにレーザチッ プ 1に樹脂部 4が接触しない程度であればよく、 厳密な制御は不要である。 樹脂 材料としては例えばエポキシ樹脂等の透明樹脂を用いることができ、 拡散板 5と しては従来と同様のものを用いることができる。 このようにして得られたキヤッ プ 9を、 ステム 8上に通電加熱により溶接する。 このようにして得られる本実施形態 2の半導体レーザ素子においては、 樹脂部 4がキヤップ 9の内側の拡散板 5を覆うように埋め込まれているので、 従来のよ うに通常の落下等で拡散板が破損して欠落することはなく、 眼に対する安全性を 確保することができる。
ところで、 上記実施形態 1に示したような半導体レーザ素子では、 レーザ発振 中のレーザチップ 1が発熱して環境温度よりも数で〜数 1 0 高い温度となる。 このとき、 樹脂部 4とレーザチップ 1との界面に熱膨張係数の違いによる応力歪 みが発生し、 使用条件によってはレーザチップ 1の劣化が見られていた。 これに 対して、 本実施形態 2の半導体レーザ素子では、 樹脂部 4とレーザチップ 1とが 接触していないので、 レーザチップ 1と樹脂部 4との間の温度変化による応力歪 みが発生せず、 信頼性をさらに向上させることができる。
なお、 本実施形態 2において、 拡散板 5の代わりに光拡散機能を有しない通常 のキャップガラスを用い、 キャップ 9の中に光拡散性の樹脂 (例えば拡散材料と して屈折率の異なる材料を混入した樹脂や、 複屈折性を有する樹脂材料等) を滴 下して硬化させても、 ほぼ同等の効果を得ることができる。 この場合にも、 樹脂 部をレーザチップと接触させないようにすれば、 シリカ系樹脂をエポキシ系樹脂 に混合した材料を用いても信頼性が低下することはない。 この方法により得られ る半導体レーザ素子は、 請求項 3に記載の発明に含まれる。
(実施形態 3 )
図 3 ( a ) は実施形態 3の半導体レーザ素子を示す斜視図である。
この半導体レーザ素子は、 レーザチップ 1が I C基板 1 4上に実装され、 その 上面とリードフレーム 3とがワイヤ 3 aにより電気的に接続されている。 このレ 一ザチップ 1は片面高反射率を有し、 光は片端面からのみ取り出される。 レーザ チップ 1の光出射側には 4 5 ° ミラー 1 5が配置され、 光が上面に放射されるよ うになつている。 その上にレーザチップ 1及び 4 5 ° ミラ一 1 5を覆うように樹 脂からなるレンズ (樹脂部) 4が配置されている。 さらに、 I C基板 1 4上には I Cチップ 1 2が実装されている。
本実施形態 3において、 樹脂からなるレンズ 4は、 例えば図 3 ( b ) に示すよ うな金型 1 0及び 1 1を用いて作製することができる。 樹脂材料 4 aとしては、 レーザ光の眼に対する安全性から、 光拡散材料として屈折率が異なる材料を混入 した樹脂、 例えば、 シリカ系樹脂をエポキシ系樹脂に混入したもの等を用いるこ とができる。 さらに、 駆動回路等を集積した I Cチップ 1 2を実装した後、 樹脂 1 3によりモールドしてレンズ 4を固定してもよい。 この樹脂 1 3としては、 透 湿性の低いものを用いるのが好ましい。 さらに、 屈折率が異なる材料を混入した 樹脂の代わりに後述する実施形態 9〜実施形態 1 2に示すような複屈折性を有す る樹脂材料を用いてもよい。
このようにして得られる本実施形態 3の半導体レーザ素子においては、 レーザ チップ 1から出射した光が樹脂部 4により拡散されると共に、 そのレンズ効果に より放射角度パターンが制御される。 よって、 より広い角度範囲にわたって光を 空間に放射させることができる。 眼に対する安全性は、 瞳に入射される光パワー または光パワー密度によって規定されるので、 レンズ効果によって放射角度分布 を制御できるということは非常に有効である。 また、 樹脂部 4とレーザチップ 1 とが接触していないので、 レーザチップ 1と樹脂部 4との間の温度変化による応 力歪みが発生せず、 信頼性を向上させることができる。 また、 シリカ系樹脂等の 透湿性を有する材料を用いても、 信頼性が低下することはない。 さらに、 4 5 ° ミラー 1 5が粗面を有する拡散機能を持つようなものであれば、 眼に対する安全 性をより一層向上させると共に、 樹脂部 4に混入させる拡散材料を減らしてレン ズの透明性を上昇させることも可能である。
(実施形態 4 )
図 4は本実施形態 4の半導体レーザ素子を示す断面図である。
この半導体レーザ素子は、 従来から知られている半導体レーザ素子に樹脂をモ ールドして光拡散機能を与えたものである。 レーザチップ 1はキヤン型パッケー ジに封止されており、 キャップ 9及びキャップガラス 5 b (光拡散機能を有しな い通常のもの) を覆うように樹脂からなるレンズ (樹脂部) 4が形成されている。 本実施形態 4において、 樹脂からなるレンズ 4は、 例えば上記図 3 ( b ) に示 したような金型 1 0を用いて作製することができる。 樹脂材料としては、 レーザ 光の眼に対する安全性から、 光拡散材料として屈折率が異なる材料を混入した樹 脂、 例えば、 シリカ系樹脂をエポキシ系樹脂に混入したもの等を用いることがで きる。 さらに、 屈折率が異なる材料を混入した樹脂の代わりに後述する実施形態 9〜実施形態 1 2に示すような複屈折性を有する樹脂材料を用いてもよい。
このように、 通常の半導体レーザ素子の作製工程とモールド工程とによって、 眼に対する安全性を確保できる小型な半導体レーザパッケージが得られる。
本実施形態 4の半導体レーザ素子においては、 レーザチップ 1から出射した光 が樹脂部 4により拡散されると共に、 そのレンズ効果により放射角度パターンが 容易に制御でき、 光ファイバ一への接続等が行い易い。 樹脂部 4とレーザチップ 1とが接触していないので、 レーザチップ 1と樹脂部 4との間の温度変化による 応力歪みが発生せず、 信頼性を向上させることができる。 また、 シリカ系樹脂等 の透湿性を有する材料を用いても信頼性が低下することはない。
(実施形態 5 )
図 5は本実施形態 5の半導体レーザ素子を示す断面図である。
この半導体レーザ素子は、 実施形態 2の半導体レーザ素子における樹脂部 4の 面形状を変更したものである。 なお、 図 5及び後述の図 6〜図 8では、 リードフ レームやワイヤの図示は省略してある。
具体的には、 樹脂部 4のレーザチップ 1と相対する面の中央付近の形状を、 レ —ザチップ 1の光出射点 0を曲率中心とする曲面にした。 そして、 実質的にレ一 ザ光が照射されない領域は、 任意の形状とした。
以下の説明においては、 簡単のために、 実施形態 2の樹脂面に相当する仮想入 射面を用いて説明する。 この半導体レーザ素子において、 レーザチップ 1から出射した光はその電界方 向が出射端面に沿っているので、 レーザチップ 1からほぼ中心軸に沿って出射さ れる光が仮想入射面に入射する際には、 ほぼ s偏光 (電界の向きが入射面に平 行) であると考えられる。
図 5 ( b ) は、 樹脂部 4に対する光線の反射率と入射角度の関係を S偏光及び
P偏光 (電界の向きが入射面に垂直) について示したものである。 この図から、 S偏光については垂直入射時に最も反射率が'低くなることがわかる。
従って、 樹脂部 4の曲率中心をレーザチップ 1の光出射点〇とすることで、 樹 脂部 4に入射される S偏光の反射率を低くして、 光の取り出し効率を高くするこ とができ、 特にビーム広がり角度が小さいレーザチップを用いる場合には効果的 である。 本実施形態では光の取り出し効率を 1 % ~ 2 %程度向上させることがで きた。
なお、 本実施形態 5では、 実施形態 2の半導体レーザ素子の樹脂部の面形状を 変更したが、 実施形態 3の半導体レーザ素子の樹脂部の面形状を変更することも 可能であり、 樹脂部の内壁面形状を設計変更するという問題に他ならない。
(実施形態 6 )
図 6は本実施形態 6の半導体レーザ素子を示す断面図である。
この半導体レーザ素子は、 実施形態 5の半導体レーザ素子における樹脂部 4の 面形状をさらに変更したものである。
具体的には、 樹脂部 4のレーザチップ 1と相対する面の中央付近の形状をほぼ 平坦にし、 周辺部の形状を凸状にした。
その理由は、 以下の通りである。 実施形態 5では、 樹脂部 4に入射する光線が 全て垂直入射となり、 樹脂部 4中でその方向が変わらない。 この状態では、 拡散 板 5と空気の界面で光が反射され、 光取り出し効率が頭打ちになる。 そこで、 本 発明者らが幾通りかの樹脂形状を検討した結果、 上面の拡散板 5が平坦である場 合に、 図 6に示したような樹脂形状が最も光の取り出し効率を向上できることが 確認された。 なお、 実施形態 2で示したように通常のキャップガラスに光拡散性 樹脂を一体化した場合でも、 光取り出し面 (キャップガラス上面) が平坦である ので、 レーザチップに相対する樹脂面の形状を本実施形態のようにすることで、 光取り出し効率が向上する。
上述したように、 ビームの広がり角が 1 0度〜 3 0度程度のレーザチップを用 いた場合には、 樹脂界面に入射する光はほぼ S偏光と見なしてよい。 本実施形態 では、 樹脂部 4のレーザチップ 1と相対する面の中央付近の形状をほぼ平坦にし、 周辺部の形状を凸状にすることにより、 樹脂部 4と空気との界面での透過率の低 下を拡散板 5と空気との界面での透過率の向上で補って、 全体の透過率を向上さ せることができる。 本実施形態では光の取り出し効率を約 3 %向上させることが できた。
本実施形態において、 樹脂部 4の周辺部 (凸部) の法線とレーザチップ 1から の発振光のピーク光線ベクトルとのなす角度 (傾斜角度) 1 6が 3度以下である のが好ましく、 0度ぐ傾斜角度 1 6≤ 3度で光の取り出し効率向上効果が確認さ れた。
なお、 本実施形態 6では、 樹脂部 4において実質的にレーザ光が照射されない 領域は任意の形状とすることができ、 レーザ光が照射される領域だけについて形 状を設計してもよい。
(実施形態 7 )
図 7は本実施形態 7の半導体レーザ素子を示す断面図である。
この半導体レーザ素子は、 実施形態 5の半導体レーザ素子における樹脂部 4の 面形状をさらに変更したものである。
具体的には、 樹脂部 4のレーザチップ 1と相対する面の中央付近の形状を、 レ 一ザチップ 1の光出射点 0を曲率中心とする曲面にし、 周辺部の形状をレーザチ ップとは反対側に曲率中心を有する曲面〇' にした。
図 5 ( b ) に示したように、 光の反射率は S偏光よりも P偏光の方が低くなる ので、 P偏光を有効に利用することにより全体の反射率を下げることができる。 実施形態 5で説明したように、 中心軸付近の光線は仮想入射面に対してほぼ S 偏光と見なすことができる。 一方、 中心軸から 4 5度程度ずれた光線は、 S偏光 と P偏光とがほぼ 1対 1で混在しており、 角度が増すにつれて P偏光の割合が増 加する。
このため、 樹脂部 4の中心軸から 4 5度程度までは S偏光の反射率を下げるた めに曲率中心をレーザチップ 1の光出射点〇とし、 4 5度付近から周辺部は P偏 光の反射率を下げるためにレーザチップとは反対側に曲率中心を有する曲面〇 ' とする。 これにより、 樹脂部 4界面での光の反射率を偏光状態に応じて低減して 光の取り出し効率を向上することができる。 本実施形態では、 水平、 垂直のビー ム広がり角度が 3 0度のレーザチップを用いて、 光の取り出し効率を 2 %向上さ せることができた。
(実施形態 8 )
図 8は本実施形態 8の半導体レーザ素子を示す断面図である。
この半導体レーザ素子は、 実施形態 2の半導体レーザ素子における樹脂部 4の 面形状を変更したものである。
上記実施形態 5〜実施形態 7に示したように、 中心軸付近ではほぼ S偏光であ り、 この S偏光は垂直入射で透過率が最大になるが、 中心軸から離れた領域では P偏光が増加し、 この P偏光は入射角度約 5 7度付近で透過率が最大になる。 そこで、 図 8に示すように、 樹脂部 4のレーザチップ 1と相対する面の中央付 近の形状をほぼ平坦にし、 レーザ光出射点から見て中心軸から 4 5度程度離れた 樹脂部 4の周辺部のみを粗面化することにより、 詳細な設計を必要とせずに最も 簡単に P偏光の取り出し効率を向上させて、 光の取り出し効率を向上させること ができる。
ところで、 上記実施形態 2において、 拡散板 5の代わりに光拡散機能を有しな い通常のキャップガラスを用い、 キャップ 9の中に光拡散性の樹脂を滴下して硬 化させることもできると述べたが、 光拡散材料は光の吸収が通常 2 0 %程度と大 きいため、 素子の発熱や光の取り出し効率の低下につながつていた。
そこで、 光拡散性の樹脂を用いる代わりに通常の透明樹脂を用い、 本実施形態 8のような樹脂部 4の粗面化を、 レーザチップ 1と相対する樹脂面の全面に施す ことにより、 その粗面化された部分で光拡散が生じ、 拡散板 5を必要としない半 導体レーザ素子が得られる。 この場合、 中央部付近では反射が起こって透過率が 低下するが、 その影響は 1 0 %程度まで小さくすることができる。 この方法によ り得られる半導体レーザ素子は、 請求項 1に記載の発明に含まれる。
(実施形態 9 )
図 9 ( a ) は本実施形態 9の半導体レーザ素子を示す斜視図である。
この半導体レーザ素子は、 複屈折性樹脂材料を用いて光拡散機能を実現したも のである。
この半導体レーザ素子は、 通常の半導体レーザパッケージと同様に、 レーザチ ップ 1がヒートシンク 6に実装され、 その上面とリードフレーム 3とがワイヤ 3 aにより電気的に接続されている。 ヒートシンク 6は、 受光素子 7を設けたステ ム 8上に一体化されている。 さらに、 レーザチップ 1はキャップガラス 5 b (光 拡散機能を有しない通常のもの) を接着したキャップ 9によって密閉され、 キヤ ップガラス 5 bは、 複屈折性を有する樹脂材料からなる樹脂部 4 cによりキヤッ プ 9と一体化されている。
本半導体レーザ素子では、 レーザチップ 1から出射した光が通常の拡散機能を 持たないキャップガラス 5 b上に形成された複屈折性を有する樹脂部 4 cにより 拡散される。
本実施形態 9の半導体レーザ素子は例えば以下のようにして作製することがで さる。
複屈折性樹脂材料としては、 透明性の高いフッ素化ポリイミド (または単なる ポリイミド) を用いた。 この材料は、 応用物理学会誌 1 9 9 9年 1月号 P . 8に記 載されているように、 2, 2 ' 一ビス一 4, 4' —ジアミノビフエニル (TFD B) と 4, 4' ージアミノジフエニルエーテル (ODA) とを 2, 2 ' 一ビスへ キサフルォロプロパン二無水物 (FDA) と重合させて加熱することにより合成 することができる。 例えば、 キャップガラス 5 b上でフッ素化ポリイミドを重合 させると、 生成する共重合体分子はキャップガラス 5 b面内に沿って配向するた め、 キャップガラス 5 bに入射する光の偏光状態によって屈折率が異なり、 光の 拡散を実現させることができる。 このときの屈折率差は 0. 008程度であり、 光拡散のために充分な量である。 このようにして得られた樹脂付きキャップガラ ス 4 c、 5 bをキャップ 9に取り付けてレーザチップ 1と覆うように配置する。 以下に、 この半導体レーザ素子の光拡散について説明する。 図 9 (b) では、 レーザチップ 1の光出射点を直交座標系の原点に配置し、 その光軸方向を z方向、 レ一ザチップ 1に平行な方向を X方向として示している。 通常のレーザ光はレ一 ザチップの活性層に平行な方向 (図示していないが、 レーザチップと平行な方 向) に電界 Eを有するので、 この光が z軸に垂直な平面を有する樹脂部 4 cに入 射した場合、 光線の方向ベクトルの X成分が 0でない光線は全て、 樹脂界面に垂 直な電界成分と水平な電界成分とを有する。 これらの光線は樹脂部 4 cの中で屈 折率が異なり、 光が拡散される。 図 9 (b) 中 P波は界面に電界が平行に入射す る成分で、 S波は垂直に入射する成分である。
本発明者らは、 実験及び計算機シミュレーションを行った結果、 樹脂部 4じに 垂直入射した際の S波及び P波の屈折率 n S及び n Pを用いて、 平均屈折率 n = (nS + nP) 2と、 S波及び P波の屈折率差 (固有複屈折値) n S 一 n P I とから、 ΔηΖη2>0. 00 15であれば充分な光拡散機能が得られ ることを確認している。 例えば、 フッ素化ポリイミドの場合には、 6FDA— Τ FDBの含有率が 0%〜: L 00%の範囲でほぼ η= 1. 6〜1. 5、 Δη=0. 008であり、 上記条件を満たしている。
このようにして得られる本実施形態 8の半導体レーザ素子においては、 複屈折 性を有する樹脂材料の光透過性が良好で高い光取り出し効率で光拡散を実現する ことができる。 従って、 シリカ系樹脂等の透湿性を有する材料を用いた場合のよ うに、 光透過率が悪くなり、 光取り出し効率が低下するということはない。
なお、 複屈折性を有する樹脂材料からなる樹脂部 4 cは、 本実施形態のように 平行平板の形状で形成する必要はなく、 例えば実施形態 3や実施形態 4に示した ような光拡散性の樹脂部 4のような形状としてもよい。 例えば、 実施形態 3の樹 脂部 4をフッ素化ポリイミドを用いて形成すると、 キャップガラス 5 b上にガラ ス面に沿うように分子が配向されるが、 ガラス面から離れるに従って配向の規則 性が無くなり、 ついには複屈折性が無くなる。 このように、 配向が揃うのは樹脂 部の一部分であり、 この部分で光が拡散される。 さらに、 実施形態 4の樹脂部 4 に複屈折性を有する樹脂材料を用いた場合には、 樹脂部が比較的薄いため、 榭脂 内で分子配向が揃い、 ほぼ全領域で複屈折性を有する樹脂部が得られる。
(実施形態 1 0 )
本実施形態では、 複屈折性を有する樹脂材料をレーザチップに直接モールドし た例について説明する。
上記実施形態 1では、 例えば図 1 ( c ) や図 1 ( d ) に示すように、 樹脂の一 部を拡散性を有する樹脂にするために複数のモールド工程を必要としていた。 し かし、 ポリイミドに代表される複屈折性樹脂材料は、 シリカ系樹脂材料と異なり、 透湿性が低いため、 レーザチップに直接モールドすることが可能である。
また、 ポリイミド以外でも、 ポリカーボネート、 ポリアリレート、 ポリエーテ ルスルホン、 ポリフエ二レンサルファイド、 ボリフエ二レンオキサイド、 ポリア リルスルホン、 ポリアミドイミド、 ポリオレフイン、 ポリアクリロニトリル、 セ ルロース及びボリエステル等を用いることができる。 また、 これらの 2種類以上 のボリマ一ブレンドや、 これらの 1種類もしくは 2種類以上を含むポリマーブレ ンドであってもよい。 特に、 半導体レーザ素子の発振波長での固有複屈折値 Δ n と、 その波長での平均屈折率 nとが、 Δ η Ζ η ^Χ) . 0 0 1 5の関係を満たす ものであればより効果的である。
例えば、 ポリカーボネートの場合には、 ホスゲンとビスフエノール Aの縮合に より得られたポリカーボネートペレツトを加熱熔融して金型に流し込み、 常温ま で冷却すれば樹脂部を作製することができる。 さらに、 光拡散機能の一部を複屈 折性樹脂で行うことも可能である。
(実施形態 1 1 )
本実施形態では、 複屈折性を有する樹脂材料を用いて図 4に示した半導体レー ザ素子の樹脂部 4を形成した例について説明する。
下記構造式で示すポリァリレート樹脂材料及びポリカ一ポネ一ト樹脂材料を、 図 3に示した金型 1 0を用いて成型した。 ボリアリレー卜樹脂材料
Figure imgf000024_0001
ボリカーボ'ネー卜樹脂材料
Figure imgf000024_0002
これらの芳香族ポリエステル樹脂材料を用いることにより、 通常の半導体レー ザ素子の作製工程とモールドエ程によつて眼に対する安全性を確保することがで きる、 小型な半導体レーザパッケージが得られる。
このようにして得られた半導体レーザ素子においては、 樹脂自体の有する高い 複屈折性に基づいて光拡散機能を実現することができ、 複雑な加工等を必要とせ ずに眼に対する安全性を有する半導体レーザ素子を作製することができる。 さら に、 これらの樹脂材料は両方とも T gが 1 6 0 °C以上で耐熱性に優れ、 耐湿性に も優れている。
(実施形態 1 2 )
実施形態 1におけるエポキシ系樹脂の代わりに実施形態 1 1に示したポリアリ レート樹脂材料を用いた以外はほぼ実施形態 1と同様にして半導体レーザ素子を 作製した。 なお、 本実施形態においては、 硬化に関する処理は何等行わなかった。 このようにして得られた半導体レーザ素子は、 光拡散機能を有しており、 眼に 対する安全性を確保することができた。 さらに、 素子特性の劣化も生じず、 熱特 性にも優れていた。
(実施形態 1 3 )
本実施形態では、 光通信システムや光センサ一システムについて説明する。 本発明の半導体レーザ素子は、 眼に対する安全性が確保されているので、 ワイ ャレスの光通信システムや光センサーシステム等、 人間が直接見ることができる 場所での利用に好適である。
ところで、 国際的な安全規格 ( I E C 6 0 8 2 5— 1 ) に規定されるレーザ放 射パワーの上限値は、 光源の大きさと放射角度等により決定される。 例えば、 一 般的な放射角度パターンであるランバート分布で指向半値角 1 5度の場合、 光源 の大きさ 1 0 mm、 波長 7 8 0 n mとすると、 約 1 6 0 mW程度までの光出力が 可能となる。
このような高出力のレーザ光を空間に放出するためには、 眼に対する安全性を 確保しながら、 しかも、 外的衝撃等によっても光拡散機能の低下等が生じない、 上記実施形態 1〜 1 2に示したような半導体レーザ素子を用いることが必要であ る。 このような半導体レーザ素子を用いることにより、 安全性はもとより長期の 信頼性が得られることは既に述べた通りである。 例えば、 無線通信や、 医療用、 工業用センサー等、 幅広い分野に使用することが可能である。 産業上の利用可能性
以上詳述したように、 本発明による場合には、 レーザチップにモ一ルドされた 樹脂やキャップガラスをキャップに一体化させるための樹脂等を粗面化して光拡 散機能を与えることにより、 従来のように拡散板が割れる等の障害が発生せず、 眼に対する安全性が確保される。 また、 シリカ樹脂等の拡散材料を用いていない ので、 半導体レーザ素子の信頼性を向上させることができる。 さらに、 モールド 樹脂を粗面化した場合には、 樹脂とレーザチップとが接合しているため、 何らか の理由で樹脂が剥離することがあってもレーザチップのワイヤが切断されて眼に 対する安全性が確保される。
樹脂材料でモールドした後で硬化時に金型等を用いて粗面化することにより、 モールドの金型の設計変更のみで余分な工程を必要とせず、 半導体レーザ素子の 低価格化を図ることができる。 或いは、 エッチングや研磨、 粗面を有する金型を 圧着して粗面化させることにより、 モールド硬化後の簡単なプロセスの追加によ り従来の発光ダイオードの実装プロセスを利用して半導体レーザ素子を作製する ことができる。
さらに、 樹脂部に複屈折性を有する樹脂材料を用いてその表面を粗面化するこ とにより、 樹脂材料自体の有する光拡散性と表面の粗面化による光拡散性の両拡 散機能が結合されて、 より効果的に光を拡散させることができ、 さらに安定性に 優れた半導体レーザ素子が得られる。 この複屈折性を有する樹脂材料はレーザチ ップに直接モールドすることができるので、 生産性の向上を図ることができる。 他の本発明にあっては、 樹脂部と拡散板とが一体化しているので拡散板が破損 され難く、 眼に対する安全性を確保することができる。 さらに、 レーザチップと 樹脂部とを接触させないようにすれば、 環境温度の変化等によるレーザチップへ の樹脂部からの応力歪みを防いで半導体レーザ素子の信頼性を向上させることが できる。
他の本発明にあっては、 樹脂部に含まれる材料の屈折率の違いによって光を拡 散させることにより、 従来のように拡散板が割れる等の障害が発生せず、 眼に対 する安全性が確保される。 また、 シリカ樹脂等の透湿性を有する拡散材料を用い てもレーザチップと樹脂が接触していないので信頼性が低下することはなく、 環 境温度の変化等によるレーザチップへの樹脂部からの応力歪みも防ぐことができ る。 さらに、 樹脂部をレンズ形状にすることにより、 そのレンズ効果によって放 射角度パターンが制御され、 より広い角度範囲にわたって光を空間に放射させる ことができる。 眼に対する安全性は、 瞳に入射される光パワーまたは光パワー密 度によって規定されるので、 レンズ効果によって放射角度分布を制御できるとい うことは非常に有効である。 この半導体レーザ素子は、 通常の半導体レーザ素子 の作製工程とモールド工程とによっても作製可能であり、 眼に対する安全性を確 保できる小型な半導体レーザパッケージを実現できる。 さらに、 レンズ効果によ り放射角度パターンが容易に制御できるので、 光ファイバ一への接続等が行い易 い。
或いは、 複屈折性を有する樹脂材料からなる樹脂部を設けることにより、 入射 光の偏光状態により屈折率が異ならせて光を拡散させて、 放射光のコヒ一レンシ 一を低減して眼に対する安全性を確保することができる。 また、 従来のようにシ リカ系樹脂により半導体レーザ素子の信頼性が低下するという問題も生じない。 レーザチップに直接モールドしない場合でも樹脂材料の光透過率が高いため、 光 取り出し効率を高くして光強度/消費電力比を改善して低消費電力化及び素子の 信頼性向上を図ることができる。
上記樹脂部のレーザチップと相対する面の中央付近の形状を、 レーザチップの 光出射点を曲率中心とする曲面にすることにより、 S偏光の取り出し効率を向上 させることができる。 特に、 ビーム広がり角の小さいレーザチップを用いる場合 には効果的である。 上記樹脂部のレーザチップと相対する面の中央付近の形状を、 レーザチップの 光出射点を曲率中心とする曲面にし、 周辺部の形状をレーザチップとは反対側に 曲率中心を有する曲面にすることにより、 偏光状態に応じた効率的な光の取り出 しを行うことができる。
上記樹脂部のレーザチップと相対する面の中央付近の形状をほぼ平坦にし、 周 辺部の形状を凸状にすることにより、 拡散板からの光の取り出し効率を向上させ ることができる。
上記樹脂部の凸状部分の少なくとも光通過部での法線を、 レーザチップから発 振される光のピークの光線ベクトルに対してなす角度が 0 ° より大で 3 ° 以下で あるようにすれば、 光の取り出し効率がさらに向上する。
上記樹脂部のレーザチップと相対する面の中央付近の形状をほぼ平坦にし、 周 辺部を粗面化することにより、 詳細な設計を行わなくても光の取り出し効率を容 易に向上させることができる。
他の本発明にあっては、 樹脂部の一部に屈折率が異なる材料を混入した領域を 設けることにより、 その領域に光拡散機能を与えることができ、 従来のように拡 散板が割れる等の障害が発生せず、 眼に対する安全性が確保される。 また、 シリ 力樹脂等の拡散材料を用いてもその領域がレーザチップと接触していないので、 信頼性を向上させることができる。 この領域は、 屈折率が異なる材料を混入した 榭脂を金型に入れて一次硬化させ、 その後で屈折率が異なる材料を混入していな い樹脂を金型に入れて硬化させることにより、 容易に作製することができる。 或いは、 複屈折性を有する樹脂材料からなる領域を一部に有する樹脂部を設け ることにより入射光の偏光状態により屈折率が異ならせて光を拡散させて、 放射 光のコヒ一レンシ一を低減して眼に対する安全性を確保することができる。 また、 従来のようにシリ力系樹脂により半導体レーザ素子の信頼性が低下するという問 題も生じない。 レーザチップに直接モールドしない場合でも樹脂材料の光透過率 が高いため、 光取り出し効率を高くして光強度 消費電力比を改善して低消費電 力化及び素子の信頼性向上を図ることができる。
他の本発明にあっては、 複屈折性を有する樹脂材料からなる樹脂部とレーザチ ップとを一体化することにより、 入射光の偏光状態により屈折率を異ならせて光 を拡散させ、 放射光のコヒーレンシ一を低減することができる。 この複屈折性樹 脂材料は、 シリカ系樹脂等のように透湿性を有していないので、 直接モールドが 可能であり、 生産性の向上を図ることができる。
上記複屈折性を有する樹脂材料として特定の芳香族ポリエステルを用いること により、 耐熱性や耐湿性にも優れ、 光取り出し効率が良好で眼に対する安全性も 良好な半導体レーザ素子が得られる。
本発明の半導体レーザ素子を用いることにより、 眼に対する安全性が確保され、 しかも信頼性に優れた光通信システムや光センサーシステムを実現することがで き、 人間が直接光源を見るような用途において非常に有効に利用することができ る。

Claims

請求の範囲
1 . 光放射側表面の全部もしくは一部が粗面化され、 またはレーザチップと相 対する面の全部もしくは一部が粗面化された樹脂部を有し、 該樹脂部の粗面化さ れた部分によって光が拡散されて放射光のコヒーレンシ一が低減される半導体レ 一ザ素子。
2 . レーザチップを収納している容器と光拡散機能を有する封止部材とを一体 化させる樹脂部を有し、 該封止部材によって光が拡散されて放射光のコヒーレン シ一が低減される半導体レーザ素子。
3 . 屈折率が異なる材料を混入した樹脂部、 または複屈折性を有する樹脂材料 からなる樹脂部がレーザチップと接触しないように設けられ、 該樹脂部によって 光が拡散されて放射光のコヒーレンシ一が低減される半導体レーザ素子。
4 . 屈折率が異なる材料を混入した領域、 または複屈折性を有する樹脂材料か らなる領域を一部に有する樹脂部が、 該領域がレーザチップと接触しないように 設けられ、 該領域によって光が拡散されて放射光のコヒーレンシ一が低減される 半導体レーザ素子。
5 . 前記樹脂部は、 前記レーザチップと相対する面の中央付近の形状が、 該レ 一ザチップの光出射点を曲率中心とする曲面である請求の範囲 2から請求の範囲 4のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
6 . 前記樹脂部は、 前記レーザチップと相対する面の周辺部の形状が、 該レー ザチップとは反対側に曲率中心を有する曲面である請求の範囲 5記載の半導体レ 一ザ素子。
7. 前記樹脂部は、 前記レーザチップと相対する面の中央付近の形状がほぼ平 坦であり、 周辺部の形状が凸状である請求の範囲 2から請求の範囲 4のいずれか に記載の半導体レーザ素子。
8. 前記樹脂部は、 前記凸状部分の少なくとも光通過部での法線が、 該レーザ チップから発振される光のピークの光線べクトルに対してなす角度が 0° より大 で 3° 以下である請求の範囲 7記載の半導体レーザ素子。
9. 前記樹脂部は、 前記レーザチップと相対する面の中央付近の形状がほぼ平 坦であり、 周辺部が粗面化されている請求の範囲 2から請求の範囲 4のいずれか に記載の半導体レーザ素子。
1 0. 前記樹脂部は、 複屈折性を有する樹脂材料からなる請求の範囲 1記載の 半導体レーザ素子。
1 1. 複屈折性を有する樹脂材料からなる樹脂部とレーザチップとが一体化さ れ、 該樹脂部によって光が拡散されて放射光のコヒーレンシ一が低減される半導 体レーザ素子。
12. 前記複屈折性を有する樹脂材料は、 半導体レーザ素子の発振波長での固 有複屈折値 Δ nと、 該波長での平均屈折率 nとが、 ΔηΖη2>0. 001 5の 関係を満たす請求の範囲 3、 4、 10および 1 1のいずれかに記載の半導体レー ザ素子。
1 3 . 前記複屈折性を有する樹脂材料は、 ポリイミド、 ポリカーボネート、 ポ リアリレート、 ポリエーテルスルホン、 ポリフエ二レンサルファイド、 ポリフエ 二レンオキサイド、 ポリアリルスルホン、 ポリアミドイミド、 ポリオレフイン、 ポリアクリロニトリル、 セルロース及びポリエステルのうちの 1種類であるか、 これらの 2種類以上のポリマーブレンドであるか、 またはこれらの 1種類もしく は 2種類以上を含むポリマーブレンドである請求の範囲 3、 4、 1 0、 1 1およ び 1 2のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
1 4. 前記複屈折性を有する樹脂材料は、 芳香族ポリエステルである請求の範 囲 3から請求の範囲 1 2のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
1 5 . 前記芳香族ポリエステルは、 ポリアリレートまたはポリ力一ポネートで ある請求の範囲 1 4記載の半導体レーザ素子。
1 6 . 前記芳香族ポリエステルは、 下記一般式 ( I ) で示される 2価のフエノ ール化合物と芳香族ジカルボン酸とから得られるポリアリレート、 または該フエ ノール化合物とホスゲンとから得られるポリカーボネートである請求の範囲 1 5 記載の半導体レーザ素子。
Figure imgf000032_0001
1 7 . 光放射側表面の全部もしくは一部が粗面化され、 またはレーザチップと 相対する面の全部もしくは一部が粗面化された樹脂部を有する半導体レーザ素子 を製造する方法であって、
レーザチップまたは該レーザチップを収納している容器を樹脂材料でモールド する工程と、
該樹脂材料を硬化させると共に該当する部分を粗面化させる工程と
を含む半導体レーザ素子の製造方法。
1 8 . 光放射側表面の全部もしくは一部が粗面化され、 またはレーザチップと 相対する面の全部もしくは一部が粗面化された樹脂部を有する半導体レーザ素子 を製造する方法であって、
レーザチップまたは該レーザチップを収納している容器を樹脂材料でモールド し、 該樹脂材料を硬化させる工程と、
硬化された樹脂の該当する部分を粗面化させる工程と
を含む半導体レーザ素子の製造方法。
1 9 . 前記硬化された樹脂の該当する部分を粗面化させる工程を、 該当する部 分をエッチングするか、 研磨するか、 または粗面を有する金型を圧着することに より行う請求の範囲 1 8記載の半導体レーザ素子の製造方法。
2 0 . 請求の範囲 1から請求の範囲 1 6のいずれかに記載の半導体レーザ素子 を備えた光通信システム。
2 1 . 請求の範囲 1から請求の範囲 1 6のいずれかに記載の半導体レーザ素子 を備えた光センサーシステム。
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