JPS63227092A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS63227092A JPS63227092A JP6153787A JP6153787A JPS63227092A JP S63227092 A JPS63227092 A JP S63227092A JP 6153787 A JP6153787 A JP 6153787A JP 6153787 A JP6153787 A JP 6153787A JP S63227092 A JPS63227092 A JP S63227092A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- separation function
- polarization separation
- optical material
- polarization
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信あるいは光計測等の光信号伝送用の光
源として用いられる半導体レーザ装置に関する。
源として用いられる半導体レーザ装置に関する。
従来の技術
第３図に示すように、半導体レーザをデバイスとして用
いる場合、マウント４及びサブマウント５に固定された
半導体レーザ素子１の活性層端面の劣化や汚染などを防
止し、信頼性を確保する目的から、一般的にサフマイヤ
ガラス等からなる窓材３０を含む気密封土用キャップ２
によシ気密封止を行ない、電極６及び７をハーメチック
シールにより取シ出す構成が用いられている。
いる場合、マウント４及びサブマウント５に固定された
半導体レーザ素子１の活性層端面の劣化や汚染などを防
止し、信頼性を確保する目的から、一般的にサフマイヤ
ガラス等からなる窓材３０を含む気密封土用キャップ２
によシ気密封止を行ない、電極６及び７をハーメチック
シールにより取シ出す構成が用いられている。
一方、一般的に半導体レーザの順方向注入電流９と光出
力１０の関係は第４図に示すように、順方向注入電流９
を増加するとともに光出力１ｏも増加していき、頭方向
注入電流９が発振しきい電流８を越えると、出力光はレ
ーザ発振光となる。
力１０の関係は第４図に示すように、順方向注入電流９
を増加するとともに光出力１ｏも増加していき、頭方向
注入電流９が発振しきい電流８を越えると、出力光はレ
ーザ発振光となる。
このレーザ発振出力光は、可干渉性のよい偏光度の高い
直線偏光となるが、順方向注入電流９が発振しきい電流
８よりも小さい領域での出力光は、可干渉性の悪い自然
発光光となっている。。
直線偏光となるが、順方向注入電流９が発振しきい電流
８よりも小さい領域での出力光は、可干渉性の悪い自然
発光光となっている。。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このような構成では、気密封止用キャップ２の
窓材３ｏを透過する半導体レーザ素子１からの出力光に
は可干渉性の悪い自然発光光が一部含まれることになシ
、ヘテロダイン型光通信や干渉を応用した光センサある
いは光計測などにおけるコヒーレント光を利用するシス
テム、機器の光源としては極めて不都合となる。
窓材３ｏを透過する半導体レーザ素子１からの出力光に
は可干渉性の悪い自然発光光が一部含まれることになシ
、ヘテロダイン型光通信や干渉を応用した光センサある
いは光計測などにおけるコヒーレント光を利用するシス
テム、機器の光源としては極めて不都合となる。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記の問題点を解決するために、偏光分離機
能を有する光学材料を半導体レーザの気密封止用キャッ
プの窓材に吏用するものである。
能を有する光学材料を半導体レーザの気密封止用キャッ
プの窓材に吏用するものである。
作用
本発明は、上記の方法によシ、半導体レーザ素子からの
出力光が偏光分離機能を有する光学材料を透過し、偏光
度の高い直線偏光光となシ、コヒーレント光を利用する
システム、機器への適用が可能となり、同時に半導体レ
ーザ素子の信頼性確保のための気密封止の効果も兼ね備
えることができるものである。
出力光が偏光分離機能を有する光学材料を透過し、偏光
度の高い直線偏光光となシ、コヒーレント光を利用する
システム、機器への適用が可能となり、同時に半導体レ
ーザ素子の信頼性確保のための気密封止の効果も兼ね備
えることができるものである。
実施例
例えば光通信分野において、光信号の強弱を利用する強
度変調方式に比較して、受信感度の大幅な改善が可能な
光の周波数や位相を変調するヘテロダイン・コヒーレン
ト型の光通信や、光計測分野における干渉を応用した精
密計測などの光源として、可干渉性あるいは偏光度の高
い直線偏光性が要求される。
度変調方式に比較して、受信感度の大幅な改善が可能な
光の周波数や位相を変調するヘテロダイン・コヒーレン
ト型の光通信や、光計測分野における干渉を応用した精
密計測などの光源として、可干渉性あるいは偏光度の高
い直線偏光性が要求される。
本発明の半導体レーザ装置の一実施例を第１図に示す。
本発明の構成は、マウント４及びサブマウント６に固定
された半導体レーザ素子１と、前記半導体レーザ１から
の出力光を取り出すための窓材として偏光分離機能を有
する光学材料３を使用した気密封止用キャップ２よシな
る。ここで言う偏光分離機能を有する光学材料とは、ル
チルガどの複屈折結晶や、偏光フィルムなど偏光分離機
能をもつものである。
された半導体レーザ素子１と、前記半導体レーザ１から
の出力光を取り出すための窓材として偏光分離機能を有
する光学材料３を使用した気密封止用キャップ２よシな
る。ここで言う偏光分離機能を有する光学材料とは、ル
チルガどの複屈折結晶や、偏光フィルムなど偏光分離機
能をもつものである。
第２図において、半導体レーザ素子１からの出力光１１
は自然発光光（図中点線矢印）を含む直線偏光光（図中
実線矢印）であり、その消光比は実験によれば、約２０
ｄＢ程度となっている。この出力光が偏光分離機能を有
する光学材料３を透過した後の出力光１２は偏光分離機
能の効果により約３５ｄＢ程度の消光比を有する直線偏
光光となり、さらに、半導体レーザ素子１の信頼性確保
のための気密封止の効果も兼ね備えることができるもの
である。
は自然発光光（図中点線矢印）を含む直線偏光光（図中
実線矢印）であり、その消光比は実験によれば、約２０
ｄＢ程度となっている。この出力光が偏光分離機能を有
する光学材料３を透過した後の出力光１２は偏光分離機
能の効果により約３５ｄＢ程度の消光比を有する直線偏
光光となり、さらに、半導体レーザ素子１の信頼性確保
のための気密封止の効果も兼ね備えることができるもの
である。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば半導体レーザ素
子からの出力光が偏光分離機能を有する光学材料を透過
し偏光度の高い直線偏光光となり、コヒーレント光を利
用するシステム、機器への適用が可能となり、同時に半
導体レーザ素子の信頼性確保のための気密封止の効果も
兼ね備えることができるものである。
子からの出力光が偏光分離機能を有する光学材料を透過
し偏光度の高い直線偏光光となり、コヒーレント光を利
用するシステム、機器への適用が可能となり、同時に半
導体レーザ素子の信頼性確保のための気密封止の効果も
兼ね備えることができるものである。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
一部切欠側面図、第２図は本実施例の半導体レーザ装置
の効果を示すための説明図、第３図は従来の半導体レー
ザ装置の一部切欠側面図、第４図は一般的な半導体レー
ザ装置における順方向注入電流と光出力との関係を示す
特性図である。 １・・・・・・半導体レーザ素子、２・川・・気密封止
用キャップ、３・・・・・・偏光分離機能を有する光学
材料窓材、４・・・・・・マウント、５・川・・サブマ
ウント。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−−ヂ専ｆ＆Ｌ−ゲｉシ ５−１−ア７″７ウント Ｅ＝一覧＆ 第 ２ｒＩｌ
一部切欠側面図、第２図は本実施例の半導体レーザ装置
の効果を示すための説明図、第３図は従来の半導体レー
ザ装置の一部切欠側面図、第４図は一般的な半導体レー
ザ装置における順方向注入電流と光出力との関係を示す
特性図である。 １・・・・・・半導体レーザ素子、２・川・・気密封止
用キャップ、３・・・・・・偏光分離機能を有する光学
材料窓材、４・・・・・・マウント、５・川・・サブマ
ウント。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
−−ヂ専ｆ＆Ｌ−ゲｉシ ５−１−ア７″７ウント Ｅ＝一覧＆ 第 ２ｒＩｌ
Claims (1)
- 偏光分離機能を有する光学材料を、半導体レーザの気密
封止用キャップの窓材に使用してなる半導体レーザ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153787A JPS63227092A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6153787A JPS63227092A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63227092A true JPS63227092A (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=13173957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6153787A Pending JPS63227092A (ja) | 1987-03-17 | 1987-03-17 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63227092A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000060711A1 (fr) * | 1999-04-05 | 2000-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif laser a semiconducteur et son procede de fabrication, systeme de communication optique, et systeme a capteur optique |
| JP2020017619A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 |
-
1987
- 1987-03-17 JP JP6153787A patent/JPS63227092A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000060711A1 (fr) * | 1999-04-05 | 2000-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif laser a semiconducteur et son procede de fabrication, systeme de communication optique, et systeme a capteur optique |
| US6778574B1 (en) | 1999-04-05 | 2004-08-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and its manufacturing method, and optical communication system and optical sensor system |
| JP2020017619A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 住友電気工業株式会社 | 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 |
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