JPS646578B2 - - Google Patents
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- JPS646578B2 JPS646578B2 JP58125130A JP12513083A JPS646578B2 JP S646578 B2 JPS646578 B2 JP S646578B2 JP 58125130 A JP58125130 A JP 58125130A JP 12513083 A JP12513083 A JP 12513083A JP S646578 B2 JPS646578 B2 JP S646578B2
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- Japan
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- optical
- optical fiber
- light emitting
- emitting element
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/58—Compensation for non-linear transmitter output
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/504—Laser transmitters using direct modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/503—Laser transmitters
- H04B10/505—Laser transmitters using external modulation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景と目的〕
本発明は光結合器に係り、特に直接輝度変調で
きる発光素子と光フアイバとを結合した光結合器
の改良に関するものである。
きる発光素子と光フアイバとを結合した光結合器
の改良に関するものである。
従来のこの種光結合器の構成には次の２種類が
ある。
ある。
１ 半導体レーザや発光ダイオードと光フアイバ
とを直接対向させたもの。
とを直接対向させたもの。
２ 半導体レーザや発光ダイオードと光フアイバ
とをレンズを介して対向させたもの。
とをレンズを介して対向させたもの。
これらのいずれの場合も光結合状態は、時間的
に一定である。このため、半導体レーザや発光ダ
イオードを用いたアナログ直接変調方式による光
伝送においては、光フアイバで光伝送後に高調波
歪が発生することは実験的に確認されている。
に一定である。このため、半導体レーザや発光ダ
イオードを用いたアナログ直接変調方式による光
伝送においては、光フアイバで光伝送後に高調波
歪が発生することは実験的に確認されている。
この原因の１つとして、半導体レーザに変調を
かけることによつて半導体レーザの発光状態が変
化し、それにともなつて光フアイバとの結合状態
が変化することが考えられる。
かけることによつて半導体レーザの発光状態が変
化し、それにともなつて光フアイバとの結合状態
が変化することが考えられる。
ところで、従来の光結合器の構造では、半導体
レーザを例にとれば、半導体レーザと光フアイバ
との結合状態は、物理的に固定となつているた
め、光フアイバへの結合効率が半導体レーザを輝
度変調する変調信号に同期して変化し、それが原
因で歪が発生することを避けることが困難であつ
た。
レーザを例にとれば、半導体レーザと光フアイバ
との結合状態は、物理的に固定となつているた
め、光フアイバへの結合効率が半導体レーザを輝
度変調する変調信号に同期して変化し、それが原
因で歪が発生することを避けることが困難であつ
た。
本発明は上記に鑑みてなされたもので、その目
的とするところは、アナログ光信号伝送時の高調
波歪の低減をはかることができる広帯域アナログ
光伝送用の光結合器を提供することにある。
的とするところは、アナログ光信号伝送時の高調
波歪の低減をはかることができる広帯域アナログ
光伝送用の光結合器を提供することにある。
本発明の特徴は、直接輝度変調する発光素子と
光フアイバとの間に光位相変調器を設け、この光
位相変調器に上記発光素子を輝度変調する変調信
号に同期した駆動信号を与えて上記発光素子から
の光を位相変調する構成とした点にある。
光フアイバとの間に光位相変調器を設け、この光
位相変調器に上記発光素子を輝度変調する変調信
号に同期した駆動信号を与えて上記発光素子から
の光を位相変調する構成とした点にある。
以下本発明を第１図に示した実施例および第２
図、第３図を用いて詳細に説明する。
図、第３図を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の光結合器を備えたアナログ光
伝送系の一実施例を示すブロツク図である。第１
図において、正弦波電気入力（変調信号）１はレ
ーザ駆動回路２で電流信号に変換され、例えば、
半導体レーザ３に流れる。半導体レーザ３からの
出射光は、コリメート用レンズ４ａで平行光線に
変換され、偏光子５を通過した後光位相変調器６
に導かれる。光位相変調器６は、例えば、
L1NbO3等の電気光学結晶素子に電極を付け、両
電極に印加する電圧を制御して通過する光を変調
する構成のもので、この両電極にては、レーザ駆
動回路２に与える変調信号に同期した駆動信号を
印加してある。
伝送系の一実施例を示すブロツク図である。第１
図において、正弦波電気入力（変調信号）１はレ
ーザ駆動回路２で電流信号に変換され、例えば、
半導体レーザ３に流れる。半導体レーザ３からの
出射光は、コリメート用レンズ４ａで平行光線に
変換され、偏光子５を通過した後光位相変調器６
に導かれる。光位相変調器６は、例えば、
L1NbO3等の電気光学結晶素子に電極を付け、両
電極に印加する電圧を制御して通過する光を変調
する構成のもので、この両電極にては、レーザ駆
動回路２に与える変調信号に同期した駆動信号を
印加してある。
光位相変調器６からの出射光は、コリメート用
レンズ４ｂを通つた後光フアイバ７に入射する。
この場合、半導体レーザ３に直接変調をかける
と、その変調信号１に同期して半導体レーザ３か
らの出射光の位相が変化し、その結果、コリメー
ト用レンズ４ｂと光フアイバ７との結合効率が変
調信号１に同期して変動する。そのため、光フア
イバ７からの出力光を観測すると、一種の振幅変
調（光輝度変調）がかけられているため、高調波
歪が発生している。この現象は、光フアイバ７が
短尺であつても起こり、特に光フアイバ７が多モ
ード光フアイバの場合には、励磁モードが若干変
化するため、光フアイバ長に比例して歪が増大し
ている。
レンズ４ｂを通つた後光フアイバ７に入射する。
この場合、半導体レーザ３に直接変調をかける
と、その変調信号１に同期して半導体レーザ３か
らの出射光の位相が変化し、その結果、コリメー
ト用レンズ４ｂと光フアイバ７との結合効率が変
調信号１に同期して変動する。そのため、光フア
イバ７からの出力光を観測すると、一種の振幅変
調（光輝度変調）がかけられているため、高調波
歪が発生している。この現象は、光フアイバ７が
短尺であつても起こり、特に光フアイバ７が多モ
ード光フアイバの場合には、励磁モードが若干変
化するため、光フアイバ長に比例して歪が増大し
ている。
ところで、本発明に係る光結合器においては、
半導体レーザ３と光フアイバ７との間、すなわち
コリメート用レンズ４ａと４ｂとの間に光位相変
調器６を挿入し、それの駆動信号を変調信号１と
同期した信号とし、光フアイバ７からの出力光を
スペクトラムアナライザで観測しながら光位相変
調器６を調整し、高調波歪が最小になるようにし
てある。
半導体レーザ３と光フアイバ７との間、すなわち
コリメート用レンズ４ａと４ｂとの間に光位相変
調器６を挿入し、それの駆動信号を変調信号１と
同期した信号とし、光フアイバ７からの出力光を
スペクトラムアナライザで観測しながら光位相変
調器６を調整し、高調波歪が最小になるようにし
てある。
第２図、第３図はそれぞれ第１図の光フアイバ
７の断面図で、第２図は偏波面保存光フアイバ、
第３図はグレーデイド形光フアイバで、光フアイ
バ７として第２図に示す偏波面保存光フアイバ８
を用いてもよいし、また、第３図に示す多モード
グレーデイド形光フアイバ９を用いてもよいが、
偏波面保存光フアイバ８を用いる場合には、光位
相変調器６の前段に偏光子５を設けるようにし、
多モードグレーデイド形光フアイバ９を用いる場
合には、偏光子５を設けなくともよい。
７の断面図で、第２図は偏波面保存光フアイバ、
第３図はグレーデイド形光フアイバで、光フアイ
バ７として第２図に示す偏波面保存光フアイバ８
を用いてもよいし、また、第３図に示す多モード
グレーデイド形光フアイバ９を用いてもよいが、
偏波面保存光フアイバ８を用いる場合には、光位
相変調器６の前段に偏光子５を設けるようにし、
多モードグレーデイド形光フアイバ９を用いる場
合には、偏光子５を設けなくともよい。
なお、光位相変調器６として光ICを用いても
よいことはいうまでもない。
よいことはいうまでもない。
以上説明したように、本発明によれば、アナロ
グ光信号伝送時の高調波歪の低減をはかることが
できるので、高品質（画面のよこしまがない）な
TV画像の伝送が可能になり、また、光フアイバ
による伝送距離に制限がなくなるので、長距離伝
送が可能になるという効果がある。
グ光信号伝送時の高調波歪の低減をはかることが
できるので、高品質（画面のよこしまがない）な
TV画像の伝送が可能になり、また、光フアイバ
による伝送距離に制限がなくなるので、長距離伝
送が可能になるという効果がある。
第１図は本発明の光結合器を備えたアナログ光
伝送系の一実施例を示すブロツク図、第２図、第
３図はそれぞれ第１図の光フアイバの断面図であ
る。 ３；半導体レーザ、４ａ，４ｂ；コリメート用
レンズ、５；偏光子、６；光位相変調器、７；光
フアイバ、８；偏波面保存光フアイバ、９；多モ
ードグレーデイド形光フアイバ。
伝送系の一実施例を示すブロツク図、第２図、第
３図はそれぞれ第１図の光フアイバの断面図であ
る。 ３；半導体レーザ、４ａ，４ｂ；コリメート用
レンズ、５；偏光子、６；光位相変調器、７；光
フアイバ、８；偏波面保存光フアイバ、９；多モ
ードグレーデイド形光フアイバ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 直接輝度変調できる発光素子と光フアイバと
を結合した光結合器において、前記発光素子と前
記光フアイバとの間に光位相変調器を設け、該光
位相変調器に前記発光素子を輝度変調する変調信
号に同期した駆動信号を与えて前記発光素子から
の光を位相変調する構成としてあることを特徴と
する光結合器。 ２ 前記発光素子が半導体レーザである特許請求
の範囲第１項記載の光結合器。 ３ 前記光位相変調器は、電気光学結晶素子に電
極を取り付けた構成としてある特許請求の範囲第
１項または第２項記載の光結合器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125130A JPS6017409A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 光結合器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58125130A JPS6017409A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 光結合器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6017409A JPS6017409A (ja) | 1985-01-29 |
| JPS646578B2 true JPS646578B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=14902592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58125130A Granted JPS6017409A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | 光結合器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017409A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4954591A (en) * | 1987-11-06 | 1990-09-04 | Pilkington Visioncare Holdings, Inc. | Abrasion resistant radiation curable coating for polycarbonate article |
| US5104692A (en) * | 1990-04-20 | 1992-04-14 | Pilkington Visioncare Holdings, Inc. | Two-layer antireflective coating applied in solution |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP58125130A patent/JPS6017409A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6017409A (ja) | 1985-01-29 |
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