JP2734553B2 - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JP2734553B2 JP2734553B2 JP63224470A JP22447088A JP2734553B2 JP 2734553 B2 JP2734553 B2 JP 2734553B2 JP 63224470 A JP63224470 A JP 63224470A JP 22447088 A JP22447088 A JP 22447088A JP 2734553 B2 JP2734553 B2 JP 2734553B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- lens
- light
- optical element
- laser module
- Prior art date
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ファイバ通信に係わり、特に電気信号を光
信号に変換する半導体レーザモジュールに関する。
信号に変換する半導体レーザモジュールに関する。
従来、この種の半導体レーザモジュールを用いる高速
PCMやアナログ直接変調による画像伝送システムでは、
第2図に示すように、半導体レーザ1の出射光が第1の
レンズ2により平行光に変換された後、偏光子3、ファ
ラデ回転子4、検光子5から構成される光アイソレータ
を経て、第2のレンズ6により集束され、光ファイバ7
に結合する構成となっており、反射波の再入を阻止する
構成となっていた。
PCMやアナログ直接変調による画像伝送システムでは、
第2図に示すように、半導体レーザ1の出射光が第1の
レンズ2により平行光に変換された後、偏光子3、ファ
ラデ回転子4、検光子5から構成される光アイソレータ
を経て、第2のレンズ6により集束され、光ファイバ7
に結合する構成となっており、反射波の再入を阻止する
構成となっていた。
しかしながら、以上のように構成された半導体レーザ
モジュールにあっては、半導体レーザ駆動電流で決定さ
れる強度変調を行っているので、主信号に補助信号を重
畳するような場合、従来の半導体レーザモジュールでは
何らの手段もなく、補助信号を重畳する電気回路を外部
に構成しなければならず、回路規模の拡大という欠点が
あった。
モジュールにあっては、半導体レーザ駆動電流で決定さ
れる強度変調を行っているので、主信号に補助信号を重
畳するような場合、従来の半導体レーザモジュールでは
何らの手段もなく、補助信号を重畳する電気回路を外部
に構成しなければならず、回路規模の拡大という欠点が
あった。
本発明の目的は上述した欠点に鑑みてなされたもの
で、回路規模の縮小化を図った半導体レーザモジュール
を提供することにある。
で、回路規模の縮小化を図った半導体レーザモジュール
を提供することにある。
本発明では、半導体レーザと、この半導体レーザの出
射光を平行光に変換する第1のレンズと、この第1のレ
ンズにより変換された平行光を、電気的に誘起された誘
電主軸の一方と同一方向を偏光方向とする偏光子と、印
加する光波に比して低周波の電界の変化に対し複屈折に
よる2種の光波の屈折率の変化を得る1次電気光学素子
と、この1次電気光学素子の位相の変化した出射光を集
光する第2のレンズと、この第2のレンズと光学的に結
合するファイバとが順次配列された半導体レーザモジュ
ールにおいて、1次電気光学素子に補助信号電圧源を印
加し、主信号に位相変調用の補助信号を重畳することで
補助信号に準じた位相変調信号を得るよう構成したこと
を特徴としている。
射光を平行光に変換する第1のレンズと、この第1のレ
ンズにより変換された平行光を、電気的に誘起された誘
電主軸の一方と同一方向を偏光方向とする偏光子と、印
加する光波に比して低周波の電界の変化に対し複屈折に
よる2種の光波の屈折率の変化を得る1次電気光学素子
と、この1次電気光学素子の位相の変化した出射光を集
光する第2のレンズと、この第2のレンズと光学的に結
合するファイバとが順次配列された半導体レーザモジュ
ールにおいて、1次電気光学素子に補助信号電圧源を印
加し、主信号に位相変調用の補助信号を重畳することで
補助信号に準じた位相変調信号を得るよう構成したこと
を特徴としている。
このように本発明に係わる半導体レーザモジュール
は、1次電気光学素子に補助信号電圧を印加し、半導体
レーザ出力光の位相を制御することにより位相変調光と
すれば、これによって主信号(駆動電流による強度変調
信号)に補助信号を重畳できる。
は、1次電気光学素子に補助信号電圧を印加し、半導体
レーザ出力光の位相を制御することにより位相変調光と
すれば、これによって主信号(駆動電流による強度変調
信号)に補助信号を重畳できる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明に係わる半導体レーザモジュールの一
実施例を示す概略構成図である。本実施例の半導体レー
ザモジュールは、半導体レーザ10と、この半導体レーザ
10の前方に配置されかつ半導体レーザ10の出射光を平行
光に変換する第1のレンズ11と、この第1のレンズ11の
前方に配置された偏光子12と、この偏光子12の前方に配
置されかつ印加する光波に比して低周波の電界の変化に
対し複屈折による2種の光波の屈折率の変化を得ること
のできる1次電気光学素子13と、この1次電気光学素子
13に接続された補助信号電圧源14と、1次電気光学素子
13の前方に配置されかつこの1次電気光学素子13の出射
光を集光する第2のレンズ15と、この第2のレンズ15の
前方に配置された光ファイバ16とから構成されている。
実施例を示す概略構成図である。本実施例の半導体レー
ザモジュールは、半導体レーザ10と、この半導体レーザ
10の前方に配置されかつ半導体レーザ10の出射光を平行
光に変換する第1のレンズ11と、この第1のレンズ11の
前方に配置された偏光子12と、この偏光子12の前方に配
置されかつ印加する光波に比して低周波の電界の変化に
対し複屈折による2種の光波の屈折率の変化を得ること
のできる1次電気光学素子13と、この1次電気光学素子
13に接続された補助信号電圧源14と、1次電気光学素子
13の前方に配置されかつこの1次電気光学素子13の出射
光を集光する第2のレンズ15と、この第2のレンズ15の
前方に配置された光ファイバ16とから構成されている。
次に、以上のように構成された半導体レーザモジュー
ルの動作を説明する。まず、半導体レーザ10の出射光は
第1のレンズ11により平行光に変換され、偏光子12によ
って直線偏波とし1次電気光学素子13を通して出射波の
位相を変化させる。なお、偏光子12の偏光方向は、1次
電気光学素子13中で電気的に誘起された誘電主軸の一方
と同一方向となっている。このとき、光波の位相は1次
電気光学素子13に接続された補助信号電圧源14によって
変化するため、この補助信号に準じた位相変調信号が得
られ、第2のレンズ15により集光され、光ファイバ16と
結合することになる。
ルの動作を説明する。まず、半導体レーザ10の出射光は
第1のレンズ11により平行光に変換され、偏光子12によ
って直線偏波とし1次電気光学素子13を通して出射波の
位相を変化させる。なお、偏光子12の偏光方向は、1次
電気光学素子13中で電気的に誘起された誘電主軸の一方
と同一方向となっている。このとき、光波の位相は1次
電気光学素子13に接続された補助信号電圧源14によって
変化するため、この補助信号に準じた位相変調信号が得
られ、第2のレンズ15により集光され、光ファイバ16と
結合することになる。
以上説明したように、本発明に係わる半導体レーザモ
ジュールは、1次電気光学素子に補助信号電圧源を印加
し、位相変調として主信号に補助信号を重畳するよう構
成したので、主信号に外部からの補助信号を重畳するよ
うな場合、従来のように補助信号を重畳する電気回路を
外部に別途構成する必要がなくなり、これによって従来
に比べて回路規模の大幅な縮小化を図ることができると
いう優れた効果を奏する。
ジュールは、1次電気光学素子に補助信号電圧源を印加
し、位相変調として主信号に補助信号を重畳するよう構
成したので、主信号に外部からの補助信号を重畳するよ
うな場合、従来のように補助信号を重畳する電気回路を
外部に別途構成する必要がなくなり、これによって従来
に比べて回路規模の大幅な縮小化を図ることができると
いう優れた効果を奏する。
第1図は本発明に係わる半導体レーザモジュールの一実
施例を示す概略構成図、第2図は半導体レーザモジュー
ルの従来例を示す概略構成図である。 10……半導体レーザ、11……第1のレンズ、 12……偏光子、13……1次電気光学素子、 14……補助信号電圧源、 15……第2のレンズ、16……光ファイバ。
施例を示す概略構成図、第2図は半導体レーザモジュー
ルの従来例を示す概略構成図である。 10……半導体レーザ、11……第1のレンズ、 12……偏光子、13……1次電気光学素子、 14……補助信号電圧源、 15……第2のレンズ、16……光ファイバ。
Claims (1)
- 【請求項1】半導体レーザと、この半導体レーザの出射
光を平行光に変換する第1のレンズと、この第1のレン
ズにより変換された平行光を、電気的に誘起された誘電
主軸の一方と同一方向を偏光方向とする偏光子と、印加
する光波に比して低周波の電界の変化に対し複屈折によ
る2種の光波の屈折率の変化を得る1次電気光学素子
と、この1次電気光学素子の位相の変化した出射光を集
光する第2のレンズと、この第2のレンズと光学的に結
合するファイバとが順次配列された半導体レーザモジュ
ールにおいて、前記1次電気光学素子に補助信号電圧源
を印加し、主信号に位相変調用の補助信号を重畳するこ
とで補助信号に準じた位相変調信号を得るよう構成した
ことを特徴とする半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63224470A JP2734553B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63224470A JP2734553B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体レーザモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0273684A JPH0273684A (ja) | 1990-03-13 |
JP2734553B2 true JP2734553B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=16814300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63224470A Expired - Lifetime JP2734553B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2734553B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57169290A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photopulse modulating device |
JPS5971028A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Nec Corp | 光位相変調装置 |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP63224470A patent/JP2734553B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57169290A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photopulse modulating device |
JPS5971028A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Nec Corp | 光位相変調装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0273684A (ja) | 1990-03-13 |
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