JPH0627153A - 縦型変調方式光電圧センサ - Google Patents
縦型変調方式光電圧センサInfo
- Publication number
- JPH0627153A JPH0627153A JP4183601A JP18360192A JPH0627153A JP H0627153 A JPH0627153 A JP H0627153A JP 4183601 A JP4183601 A JP 4183601A JP 18360192 A JP18360192 A JP 18360192A JP H0627153 A JPH0627153 A JP H0627153A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electro
- transparent electrodes
- optic crystal
- transparent
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 測定電圧の上限値を向上させることができる
縦型変調方式光電圧センサを提供すること。 【構成】 電気光学結晶４に電界を印加する透明電極
３，３’を電気光学結晶４とは異なる透明基板６，６’
に設け、透明電極３，３’と電気光学結晶４とが直接接
触しないように配置する。偏光子１から入射した光は１
／４波長板２、透明電極３、透明基板６を介して電気光
学結晶４に入射し、透明電極３，３’に印加された測定
電圧に応じて光変調される。透明電極３，３’と電気光
学結晶４を直接接触しないように配置しているので、測
定電圧が電気光学結晶４の耐電圧特性またはその沿面の
耐電圧特性に依存することがなく、測定電圧の上限値を
向上させることが可能となる。また、透明電極３，３’
は１／４波長板２，２’あるいは偏光子１と検光子５に
取り付けることもできる。
縦型変調方式光電圧センサを提供すること。 【構成】 電気光学結晶４に電界を印加する透明電極
３，３’を電気光学結晶４とは異なる透明基板６，６’
に設け、透明電極３，３’と電気光学結晶４とが直接接
触しないように配置する。偏光子１から入射した光は１
／４波長板２、透明電極３、透明基板６を介して電気光
学結晶４に入射し、透明電極３，３’に印加された測定
電圧に応じて光変調される。透明電極３，３’と電気光
学結晶４を直接接触しないように配置しているので、測
定電圧が電気光学結晶４の耐電圧特性またはその沿面の
耐電圧特性に依存することがなく、測定電圧の上限値を
向上させることが可能となる。また、透明電極３，３’
は１／４波長板２，２’あるいは偏光子１と検光子５に
取り付けることもできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電圧の測定に用いられる
縦型変調方式の光電圧センサに関し、特に本発明は光電
圧センサの測定上限電圧を高めることができる縦型変調
方式光電圧センサに関するものである。
縦型変調方式の光電圧センサに関し、特に本発明は光電
圧センサの測定上限電圧を高めることができる縦型変調
方式光電圧センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の縦型変調方式光電圧センサ
の構成を示す図であり、同図において、１は偏光子、
２，２’は１／４波長板、３，３’は電気光学結晶に直
接取り付けられた透明電極、４は例えばＢＧＯ（Ｂi12
Ｇe Ｏ20、以下ＢＧＯと略記する）結晶等からなる電気
光学結晶、５は検光子である。
の構成を示す図であり、同図において、１は偏光子、
２，２’は１／４波長板、３，３’は電気光学結晶に直
接取り付けられた透明電極、４は例えばＢＧＯ（Ｂi12
Ｇe Ｏ20、以下ＢＧＯと略記する）結晶等からなる電気
光学結晶、５は検光子である。
【０００３】同図において、偏光子１より入射する光は
偏光子１により方向変換され、１／４波長板２、透明電
極３を介して電気光学結晶４に入射する。透明電極３，
３’には測定電圧が印加されており、電気光学結晶４に
入射した光は電気光学結晶４において測定電圧に応じて
光変調される。変調された光はさらに透明電極３’、１
／４波長板２’を介して検光子５に入射され方向変換さ
れる。検光子５の出力は図示しない光ファイバ等を介し
て光電圧変換器に入力され、測定電圧に対応した電気信
号に変換される。
偏光子１により方向変換され、１／４波長板２、透明電
極３を介して電気光学結晶４に入射する。透明電極３，
３’には測定電圧が印加されており、電気光学結晶４に
入射した光は電気光学結晶４において測定電圧に応じて
光変調される。変調された光はさらに透明電極３’、１
／４波長板２’を介して検光子５に入射され方向変換さ
れる。検光子５の出力は図示しない光ファイバ等を介し
て光電圧変換器に入力され、測定電圧に対応した電気信
号に変換される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来の縦型変調方式光電圧センサにおいては、電気光学結
晶４に測定電圧を印加するための透明電極３，３’が直
接取付られていた。上記の様に電気光学結晶４に透明電
極３，３’が直接取り付けられている場合、測定電圧の
上限値は電気光学結晶４の耐電圧特性またはその沿面の
耐電圧特性に依存する。そして、特に、その沿面の耐電
圧値はかなり低い値を示すため、光電圧センサの測定電
圧上限もそれに従ってかなり低い値となり、上記構成の
光電圧センサにおいては、その測定電圧の上限は数百Ｖ
程度であった。
来の縦型変調方式光電圧センサにおいては、電気光学結
晶４に測定電圧を印加するための透明電極３，３’が直
接取付られていた。上記の様に電気光学結晶４に透明電
極３，３’が直接取り付けられている場合、測定電圧の
上限値は電気光学結晶４の耐電圧特性またはその沿面の
耐電圧特性に依存する。そして、特に、その沿面の耐電
圧値はかなり低い値を示すため、光電圧センサの測定電
圧上限もそれに従ってかなり低い値となり、上記構成の
光電圧センサにおいては、その測定電圧の上限は数百Ｖ
程度であった。
【０００５】このため従来において高電圧を測定する場
合には、分圧器等を使用して光電圧センサに加わる電圧
を低くする必要があった。本発明は上記した従来技術の
問題点に鑑みなされたものであって、測定電圧の上限値
を向上させることができる縦型変調方式光電圧センサを
提供することを目的とする。
合には、分圧器等を使用して光電圧センサに加わる電圧
を低くする必要があった。本発明は上記した従来技術の
問題点に鑑みなされたものであって、測定電圧の上限値
を向上させることができる縦型変調方式光電圧センサを
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の請求項１の発明においては、電気光学結晶
４に電界を印加する透明電極３，３’と、印加される電
界の方向と結晶内を伝播する光の光軸が平行となる電気
光学結晶４とを備えた縦型変調方式光電圧センサにおい
て、透明電極３，３’を電気光学結晶４とは異なる透明
基板に設け、透明電極３，３’と電気光学結晶４とが直
接接触しないように配置したものである。
め、本発明の請求項１の発明においては、電気光学結晶
４に電界を印加する透明電極３，３’と、印加される電
界の方向と結晶内を伝播する光の光軸が平行となる電気
光学結晶４とを備えた縦型変調方式光電圧センサにおい
て、透明電極３，３’を電気光学結晶４とは異なる透明
基板に設け、透明電極３，３’と電気光学結晶４とが直
接接触しないように配置したものである。
【０００７】本発明の請求項２の発明においては、請求
項１の発明において、電気光学結晶４の前後に電気光学
結晶４の光の入出射面に平行になるように配置されたガ
ラス基板６，６’を設け、ガラス基板６，６’に透明電
極３，３’を設けたものである。本発明の請求項３の発
明においては、請求項１の発明において、透明電極３，
３’を電気光学結晶４の前後に配置された１／４波長板
２，２’に取り付けたものである。
項１の発明において、電気光学結晶４の前後に電気光学
結晶４の光の入出射面に平行になるように配置されたガ
ラス基板６，６’を設け、ガラス基板６，６’に透明電
極３，３’を設けたものである。本発明の請求項３の発
明においては、請求項１の発明において、透明電極３，
３’を電気光学結晶４の前後に配置された１／４波長板
２，２’に取り付けたものである。
【０００８】本発明の請求項４の発明においては、請求
項１の発明において、透明電極３，３’を偏光子１およ
び検光子５に取り付けたものである。
項１の発明において、透明電極３，３’を偏光子１およ
び検光子５に取り付けたものである。
【０００９】
【作用】本発明の請求項１の発明においては、透明基板
に透明電極３，３’を設け、透明電極３，３’と電気光
学結晶４とが直接接触しないように配置したので、測定
電圧が電気光学結晶４の耐電圧特性またはその沿面の耐
電圧特性に依存することがなく、測定電圧の上限値を向
上させることが可能となる。
に透明電極３，３’を設け、透明電極３，３’と電気光
学結晶４とが直接接触しないように配置したので、測定
電圧が電気光学結晶４の耐電圧特性またはその沿面の耐
電圧特性に依存することがなく、測定電圧の上限値を向
上させることが可能となる。
【００１０】本発明の請求項２の発明においては、ガラ
ス基板６，６’に透明電極３，３’を設けたので、請求
項１の発明と同様、測定電圧の上限値を向上させること
が可能となる。本発明の請求項３の発明においては、透
明電極３，３’を電気光学結晶４の前後に配置された１
／４波長板２，２’に取り付けたので、請求項１の発明
と同様、測定電圧の上限値を向上させることができると
ともに、透明電極３，３’を取り付ける基板を設ける必
要がないので、構成が簡単となる。
ス基板６，６’に透明電極３，３’を設けたので、請求
項１の発明と同様、測定電圧の上限値を向上させること
が可能となる。本発明の請求項３の発明においては、透
明電極３，３’を電気光学結晶４の前後に配置された１
／４波長板２，２’に取り付けたので、請求項１の発明
と同様、測定電圧の上限値を向上させることができると
ともに、透明電極３，３’を取り付ける基板を設ける必
要がないので、構成が簡単となる。
【００１１】本発明の請求項４の発明においては、透明
電極３，３’を偏光子１および検光子５に取り付けたの
で、請求項１の発明と同様、測定電圧の上限値を向上さ
せることができるとともに、電気光学結晶４と透明電極
３，３’の間隔を大きくすることができ、より高い電圧
の測定が可能となる。
電極３，３’を偏光子１および検光子５に取り付けたの
で、請求項１の発明と同様、測定電圧の上限値を向上さ
せることができるとともに、電気光学結晶４と透明電極
３，３’の間隔を大きくすることができ、より高い電圧
の測定が可能となる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す図であ
り、１は偏光子、２，２’は１／４波長板、３，３’は
透明電極、４は例えばＢＧＯ結晶等からなる電気光学結
晶、５は検光子、６，６’は透明電極３，３’を設けた
ガラス基板である。同図において、図４の従来例に示し
たものと同一のものには同一の符号が付されており、本
実施例においては、透明電極３，３’を取り付けたガラ
ス基板６，６’を設けた点が従来例と相違しており、そ
の余の構成は従来例と同じである。
り、１は偏光子、２，２’は１／４波長板、３，３’は
透明電極、４は例えばＢＧＯ結晶等からなる電気光学結
晶、５は検光子、６，６’は透明電極３，３’を設けた
ガラス基板である。同図において、図４の従来例に示し
たものと同一のものには同一の符号が付されており、本
実施例においては、透明電極３，３’を取り付けたガラ
ス基板６，６’を設けた点が従来例と相違しており、そ
の余の構成は従来例と同じである。
【００１３】本実施例において、透明電極３，３’を設
けたガラス基板６，６’は、電気光学結晶４の光軸方向
に対して前後に、かつ、電気光学結晶４の光の入出射面
に平行になるように配置されており、ガラス基板６，
６’と電気光学結晶４との間には所定の隙間が設けられ
ている。また、ガラス基板６，６’にはガラス基板６，
６’への入出射時における反射により透過光量の減少を
防ぐため、反射防止膜が設けられている。
けたガラス基板６，６’は、電気光学結晶４の光軸方向
に対して前後に、かつ、電気光学結晶４の光の入出射面
に平行になるように配置されており、ガラス基板６，
６’と電気光学結晶４との間には所定の隙間が設けられ
ている。また、ガラス基板６，６’にはガラス基板６，
６’への入出射時における反射により透過光量の減少を
防ぐため、反射防止膜が設けられている。
【００１４】図１において、偏光子１から入射した光は
１／４波長板２、透明電極３、ガラス基板６を介して電
気光学結晶４に入射し、透明電極３，３’に印加された
測定電圧に応じて光変調される。電気光学結晶４におい
て光変調された光は、さらに、ガラス基板６’、透明電
極３’、１／４波長板２’を介して検光子５に入射す
る。
１／４波長板２、透明電極３、ガラス基板６を介して電
気光学結晶４に入射し、透明電極３，３’に印加された
測定電圧に応じて光変調される。電気光学結晶４におい
て光変調された光は、さらに、ガラス基板６’、透明電
極３’、１／４波長板２’を介して検光子５に入射す
る。
【００１５】本実施例においては、上記のように、透明
電極３，３’をガラス基板６，６’に設け、ガラス基板
６，６’と電気光学結晶４との間に所定の隙間を設けた
ので、測定電圧が電気光学結晶４の耐電圧特性またはそ
の沿面の耐電圧特性に依存することがなく、従来数百Ｖ
程度であった測定電圧の上限値を数ｋＶ程度までに向上
させることが可能となる。
電極３，３’をガラス基板６，６’に設け、ガラス基板
６，６’と電気光学結晶４との間に所定の隙間を設けた
ので、測定電圧が電気光学結晶４の耐電圧特性またはそ
の沿面の耐電圧特性に依存することがなく、従来数百Ｖ
程度であった測定電圧の上限値を数ｋＶ程度までに向上
させることが可能となる。
【００１６】図２は本発明の第２の実施例を示す図であ
り、本実施例においては、上記第１の実施例に示したよ
うにガラス基板を設けず、透明電極３，３’を電気光学
結晶４と所定の隙間をもって前後に配置される１／４波
長板２，２’に直接取付たものである。本実施例におい
ては、第１の実施例と同様、透明電極３，３’を取り付
けた１／４波長板２，２’と電気光学結晶４との間に所
定の隙間が設けられているので、測定電圧が電気光学結
晶４の耐電圧特性またはその沿面の耐電圧特性に依存す
ることがなく、測定電圧の上限値を数ｋＶ程度までに向
上させることが可能となる。また、第１の実施例のよう
にガラス基板を設ける必要がないので、構成を簡単にす
ることができる。
り、本実施例においては、上記第１の実施例に示したよ
うにガラス基板を設けず、透明電極３，３’を電気光学
結晶４と所定の隙間をもって前後に配置される１／４波
長板２，２’に直接取付たものである。本実施例におい
ては、第１の実施例と同様、透明電極３，３’を取り付
けた１／４波長板２，２’と電気光学結晶４との間に所
定の隙間が設けられているので、測定電圧が電気光学結
晶４の耐電圧特性またはその沿面の耐電圧特性に依存す
ることがなく、測定電圧の上限値を数ｋＶ程度までに向
上させることが可能となる。また、第１の実施例のよう
にガラス基板を設ける必要がないので、構成を簡単にす
ることができる。
【００１７】図３は本発明の第３の実施例を示す図であ
り、本実施例においては、上記第１の実施例に示したよ
うにガラス基板を設けず、透明電極３，３’を偏光子１
と検光子５に直接取付たものである。本実施例において
は、第１の実施例と同様、透明電極３，３’を取り付け
た偏光子１と検光子５と電気光学結晶４との間に所定の
隙間が設けられているので、測定電圧が電気光学結晶４
の耐電圧特性またはその沿面の耐電圧特性に依存するこ
とがなく、測定電圧の上限値を数ｋＶ程度までに向上さ
せることが可能となる。また、本実施例においては、透
明電極３，３’を偏光子１と検光子５に取り付けている
ので、電気光学結晶４と透明電極３，３’の間隔を第
１、第２の実施例のものより大きくすることができ、よ
り高い電圧の測定が可能となる。
り、本実施例においては、上記第１の実施例に示したよ
うにガラス基板を設けず、透明電極３，３’を偏光子１
と検光子５に直接取付たものである。本実施例において
は、第１の実施例と同様、透明電極３，３’を取り付け
た偏光子１と検光子５と電気光学結晶４との間に所定の
隙間が設けられているので、測定電圧が電気光学結晶４
の耐電圧特性またはその沿面の耐電圧特性に依存するこ
とがなく、測定電圧の上限値を数ｋＶ程度までに向上さ
せることが可能となる。また、本実施例においては、透
明電極３，３’を偏光子１と検光子５に取り付けている
ので、電気光学結晶４と透明電極３，３’の間隔を第
１、第２の実施例のものより大きくすることができ、よ
り高い電圧の測定が可能となる。
【００１８】なお、上記実施例においては、電気光学結
晶としてＢＧ０を用いる例を示したが、本発明は上記実
施例に限定されるものではなく、電気光学結晶として例
えば、Ｂi12 Ｓi Ｏ20、Ｌi Ｎb Ｏ3 、Ｌi Ｔa Ｏ3 、
水晶等各種の電気光学結晶を用いることができる。
晶としてＢＧ０を用いる例を示したが、本発明は上記実
施例に限定されるものではなく、電気光学結晶として例
えば、Ｂi12 Ｓi Ｏ20、Ｌi Ｎb Ｏ3 、Ｌi Ｔa Ｏ3 、
水晶等各種の電気光学結晶を用いることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明においては、透明電極を電気光学結晶とは異なる
透明基板に設け、透明電極と電気光学結晶とが直接接触
しないように配置したので、測定電圧が電気光学結晶の
耐電圧特性またはその沿面の耐電圧特性に依存すること
がなく、測定電圧上限値を高めることが可能となり、光
電圧センサの適用範囲を大幅に広げることができる。
本発明においては、透明電極を電気光学結晶とは異なる
透明基板に設け、透明電極と電気光学結晶とが直接接触
しないように配置したので、測定電圧が電気光学結晶の
耐電圧特性またはその沿面の耐電圧特性に依存すること
がなく、測定電圧上限値を高めることが可能となり、光
電圧センサの適用範囲を大幅に広げることができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す図である。
【図４】従来例を示す図である。
１ 偏光子 ２，２’ １／４波長板 ３，３’ 透明電極 ４ 電気光学結晶 ５ 検光子 ６，６’ ガラス基板
Claims (4)
- 【請求項１】 電気光学結晶(4) に電界を印加する透明
電極(3,3')と、印加される電界の方向と結晶内を伝播す
る光の光軸が平行となる電気光学結晶(4) とを備えた縦
型変調方式光電圧センサにおいて、 透明電極(3,3')を電気光学結晶(4) とは異なる透明基板
に設け、透明電極(3,3')と電気光学結晶(4) とが直接接
触しないように配置したことを特徴とする縦型変調方式
光電圧センサ。 - 【請求項２】 電気光学結晶(4) の前後に電気光学結晶
(4) の光の入出射面に平行になるように配置されたガラ
ス基板(6,6')を設け、 ガラス基板(6,6')に透明電極(3,3')を設けたことを特徴
とする請求項１の縦型変調方式光電圧センサ。 - 【請求項３】 透明電極(3,3')を電気光学結晶(4) の前
後に配置された１／４波長板(2,2')に取り付けたことを
特徴とする請求項１の縦型変調方式光電圧センサ。 - 【請求項４】 透明電極(3,3')を偏光子(1) および検光
子(5) に取り付けたことを特徴とする請求項１の縦型変
調方式光電圧センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183601A JPH0627153A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 縦型変調方式光電圧センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183601A JPH0627153A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 縦型変調方式光電圧センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0627153A true JPH0627153A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16138669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4183601A Pending JPH0627153A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 縦型変調方式光電圧センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0627153A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7679632B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-03-16 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Thermal printer and method of controlling the same |
| US7782349B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-24 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Thermal printer and method of controlling the same |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP4183601A patent/JPH0627153A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7679632B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-03-16 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Thermal printer and method of controlling the same |
| US7782349B2 (en) | 2006-05-31 | 2010-08-24 | Toshiba Tec Kabushiki Kaisha | Thermal printer and method of controlling the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4607909A (en) | Method for modulating a carrier wave | |
| US5003268A (en) | Optical signal sampling apparatus | |
| JPH0627153A (ja) | 縦型変調方式光電圧センサ | |
| Uesugi et al. | Electric field tuning of second‐harmonic generation in a three‐dimensional LiNbO3 optical waveguide | |
| Thioulouse et al. | High-speed modulation of an electrooptic directional coupler | |
| JP3063138B2 (ja) | 導波路型波長測定装置 | |
| JPH0989961A (ja) | 電界検出装置 | |
| Thylen et al. | Bandpass response traveling-wave modulator with a transit time difference compensation scheme | |
| JP3235301B2 (ja) | 光電圧センサー | |
| CN117908280B (zh) | 一种低剩余幅度调制的弯曲波导电光相位调制器 | |
| JP2734553B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPS60257325A (ja) | 光電圧センサ | |
| JPH02232620A (ja) | レーザ光源装置 | |
| JP2580443B2 (ja) | 光電圧センサ | |
| JPH07159464A (ja) | 光電界センサの光学バイアス調整方法 | |
| Toda et al. | Integrated-optic fiber laser Doppler velocimeter: Proposal and first demonstration | |
| JP3430340B2 (ja) | 電界センサ | |
| JPH0519817Y2 (ja) | ||
| JP3355503B2 (ja) | 電界センサ | |
| JP3398191B2 (ja) | 導波路型光制御デバイス | |
| JP3355502B2 (ja) | 電界センサ | |
| JP2004212136A (ja) | 電界センシング装置およびその製造方法 | |
| SU1013999A1 (ru) | Оптико-электронный преобразователь угла поворота в электрический сигнал | |
| JP3435584B2 (ja) | 電界センサヘッドおよび電界センサ | |
| JPH08136588A (ja) | 光電圧センサ |