JP2734552B2 - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JP2734552B2 JP2734552B2 JP63224469A JP22446988A JP2734552B2 JP 2734552 B2 JP2734552 B2 JP 2734552B2 JP 63224469 A JP63224469 A JP 63224469A JP 22446988 A JP22446988 A JP 22446988A JP 2734552 B2 JP2734552 B2 JP 2734552B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- polarization plane
- lens
- signal
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
- G02B6/4209—Optical features
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ファイバ通信において、半導体レーザを用
いて電気信号を光信号に変換し、半導体レーザと光ファ
イバを結合する半導体レーザモジュールに係わり、光ア
イソレータを内蔵し、反射雑音の問題を低減した半導体
レーザモジュールに関する。
いて電気信号を光信号に変換し、半導体レーザと光ファ
イバを結合する半導体レーザモジュールに係わり、光ア
イソレータを内蔵し、反射雑音の問題を低減した半導体
レーザモジュールに関する。
〔従来の技術〕 従来、この種の半導体レーザ（以下、LDと略す）を用
いる高速PCM伝送やアナログ直接変調による画像伝送シ
ステムでは、光コネクタや他の光デバイス等からの反射
光がLDに再注入して生じる反射雑音の影響が大きい。こ
のため、アイソレータを内蔵して反射光の再注入を阻止
する半導体レーザモジュールが開発されている。また、
変調方式は強度変調となっている。
いる高速PCM伝送やアナログ直接変調による画像伝送シ
ステムでは、光コネクタや他の光デバイス等からの反射
光がLDに再注入して生じる反射雑音の影響が大きい。こ
のため、アイソレータを内蔵して反射光の再注入を阻止
する半導体レーザモジュールが開発されている。また、
変調方式は強度変調となっている。
第２図は従来の光アイソレータ付強度変調型半導体レ
ーザモジュールの構成を示したものである。半導体レー
ザ１の出射光はレンズ２により平行光に変換された後、
偏光子３、45゜ファラデ回転子４、検光子５から構成さ
れる光アイソレータを経て、レンズ６により集束され、
ファイバ７に結合する構造となっており、反射光の再注
入を阻止するようになっていた。
ーザモジュールの構成を示したものである。半導体レー
ザ１の出射光はレンズ２により平行光に変換された後、
偏光子３、45゜ファラデ回転子４、検光子５から構成さ
れる光アイソレータを経て、レンズ６により集束され、
ファイバ７に結合する構造となっており、反射光の再注
入を阻止するようになっていた。
しかしながら、以上のように構成された半導体レーザ
モジュールにおいては、強度変調を行っている限り、半
導体レーザ駆動電流で決定される、強度の出力光が得ら
れるようになっている。従って、主信号に外部から副信
号を重畳するような場合、従来の半導体レーザモジュー
ルでは何らの手段もなく、半導体レーザ駆動回路、つま
り、副信号を重畳する電気回路を外部に構成しなければ
ならず、回路規模の拡大という問題点を有していた。
モジュールにおいては、強度変調を行っている限り、半
導体レーザ駆動電流で決定される、強度の出力光が得ら
れるようになっている。従って、主信号に外部から副信
号を重畳するような場合、従来の半導体レーザモジュー
ルでは何らの手段もなく、半導体レーザ駆動回路、つま
り、副信号を重畳する電気回路を外部に構成しなければ
ならず、回路規模の拡大という問題点を有していた。
本発明の目的は上述した問題点に鑑みてなされたもの
で、回路規模の縮小化を図ることのできる半導体レーザ
モジュールを提供することにある。
で、回路規模の縮小化を図ることのできる半導体レーザ
モジュールを提供することにある。
請求項１記載の半導体レーザモジュールでは、（イ）
半導体レーザと、（ロ）この半導体レーザの出射光を所
定の直径の平行光に変換する第１のレンズと、（ハ）異
常光の移動距離が前記直径以上の複屈折材料を用いた偏
光子と、（ニ）第１のファラデ回転子と、（ホ）平行光
を集束する第２のレンズと、（ヘ）偏光子の偏光面に対
し、偏光面が45゜傾いて配置される検光子と、（ト）直
流磁界が外部から制御でき、ファラデ回転角が連続的に
可変可能なコイルが巻装された第２のファラデ回転子
と、（チ）コイルに流れる電流を制御して外部から得ら
れる副信号に応じた偏光面に設定しこの状態を保存する
偏光面保存手段と、（リ）平行光を再度集光する第３の
レンズと、（ヌ）偏光面保存手段によって保存された偏
光面を保持したまま主信号に副信号を重畳した形で伝送
する偏波面保存ファイバとが順次所定間隔おいて配置さ
れたことを特徴としている。
半導体レーザと、（ロ）この半導体レーザの出射光を所
定の直径の平行光に変換する第１のレンズと、（ハ）異
常光の移動距離が前記直径以上の複屈折材料を用いた偏
光子と、（ニ）第１のファラデ回転子と、（ホ）平行光
を集束する第２のレンズと、（ヘ）偏光子の偏光面に対
し、偏光面が45゜傾いて配置される検光子と、（ト）直
流磁界が外部から制御でき、ファラデ回転角が連続的に
可変可能なコイルが巻装された第２のファラデ回転子
と、（チ）コイルに流れる電流を制御して外部から得ら
れる副信号に応じた偏光面に設定しこの状態を保存する
偏光面保存手段と、（リ）平行光を再度集光する第３の
レンズと、（ヌ）偏光面保存手段によって保存された偏
光面を保持したまま主信号に副信号を重畳した形で伝送
する偏波面保存ファイバとが順次所定間隔おいて配置さ
れたことを特徴としている。
このように本発明にあっては、第２のファラデ回転子
を有し、この第２のファラデ回転子の印加直流磁界を外
部より制御でき、それを通過する光の偏光面の回転角を
可変可能な構成としたので、外部より入力される副信号
を制御電流に変換し、回転角の異なる偏光面に対応させ
ることにより、主信号に副信号を重畳でき、また偏波面
保存ファイバで偏光面を保持したまま伝送できる。
を有し、この第２のファラデ回転子の印加直流磁界を外
部より制御でき、それを通過する光の偏光面の回転角を
可変可能な構成としたので、外部より入力される副信号
を制御電流に変換し、回転角の異なる偏光面に対応させ
ることにより、主信号に副信号を重畳でき、また偏波面
保存ファイバで偏光面を保持したまま伝送できる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明に係わる半導体レーザモジュールの一
実施例を示す概略構成図である。本実施例の半導体レー
ザモジュールは、半導体レーザ10と、この半導体レーザ
10の前方に配置されかつ半導体レーザ10の出射光を所定
の直径の平行光に変換する第１のレンズ11と、この第１
のレンズ11の前方に配置されかつ異常光の移動距離が、
直径以上の複屈折材料を用いた偏光子12と、この偏光子
12の前方に配置されたファラデ回転子13と、平行光を集
束する第２のレンズ14と、偏光面が偏光子12のそれに対
してほぼ45゜傾いた検光子15と、直流電流Ｉを変化させ
直流磁界を制御することにより偏光面を回転させること
が可能なコイル16を巻装した第２のファラデ回転子17
と、平行光を再び集束する第３のレンズ18と、この第３
のレンズ18の前方に配置された偏波面保存ファイバ19と
で構成されている。
実施例を示す概略構成図である。本実施例の半導体レー
ザモジュールは、半導体レーザ10と、この半導体レーザ
10の前方に配置されかつ半導体レーザ10の出射光を所定
の直径の平行光に変換する第１のレンズ11と、この第１
のレンズ11の前方に配置されかつ異常光の移動距離が、
直径以上の複屈折材料を用いた偏光子12と、この偏光子
12の前方に配置されたファラデ回転子13と、平行光を集
束する第２のレンズ14と、偏光面が偏光子12のそれに対
してほぼ45゜傾いた検光子15と、直流電流Ｉを変化させ
直流磁界を制御することにより偏光面を回転させること
が可能なコイル16を巻装した第２のファラデ回転子17
と、平行光を再び集束する第３のレンズ18と、この第３
のレンズ18の前方に配置された偏波面保存ファイバ19と
で構成されている。
次に、以上のように構成された半導体レーザモジュー
ルの動作を説明する。半導体レーザ10の出射光は、第１
のレンズ11により平行光に変換された後、偏光子12、フ
ァラデ回転子13を経て、第２のレンズ14で集束される。
さらにこの集束された光は検光子15を経て、ファラデ回
転角を外部直流電流Ｉ、つまり直流磁界Ｈを制御するこ
とにより可変可能なコイル16を巻いた第２のファラデ回
転子17に入射され、第３のレンズ18で集束される。この
後、偏波面保存ファイバ19に入射し、偏波面を保持した
まま伝送される。
ルの動作を説明する。半導体レーザ10の出射光は、第１
のレンズ11により平行光に変換された後、偏光子12、フ
ァラデ回転子13を経て、第２のレンズ14で集束される。
さらにこの集束された光は検光子15を経て、ファラデ回
転角を外部直流電流Ｉ、つまり直流磁界Ｈを制御するこ
とにより可変可能なコイル16を巻いた第２のファラデ回
転子17に入射され、第３のレンズ18で集束される。この
後、偏波面保存ファイバ19に入射し、偏波面を保持した
まま伝送される。
この際、コイル16に流れる直流電流Ｉを変化させ、コ
イル16に励起する直流磁界Ｈを制御すると、偏波面の回
転角θは次式の関係を満足して変化する。ただし、ファ
ラデ回転子17の長さをｌとし、ベルデ定数はＶとする。
イル16に励起する直流磁界Ｈを制御すると、偏波面の回
転角θは次式の関係を満足して変化する。ただし、ファ
ラデ回転子17の長さをｌとし、ベルデ定数はＶとする。
θ＝Ｖ・Ｈ・ｌ ……（１） つまり、外部からの副信号等の情報を制御電流に変換
して、その制御電流に応じた偏光面が得られる。この偏
光面は、偏光面保存ファイバ19でその回転角を保持した
まま伝送される。このようにして副信号を偏光面に対応
させ、主信号に重畳することができる。
して、その制御電流に応じた偏光面が得られる。この偏
光面は、偏光面保存ファイバ19でその回転角を保持した
まま伝送される。このようにして副信号を偏光面に対応
させ、主信号に重畳することができる。
以上説明したように請求項１記載の発明によれば、フ
ァラデ回転角が連続的に可変可能なコイルが巻装された
第２のファラデ回転子を有し、この第２のファラデ回転
子の印加直流磁界を外部より制御でき、それを通過する
光の偏光面の回転角を可変可能な構成とすると共に、偏
光面保存手段によってコイルに流れる電流を制御して外
部から得られる副信号に応じた偏光面に設定することに
したので、主信号に副信号を重畳することができ、かつ
偏波面保存ファイバで偏光面を保持したまま伝送するこ
とができる。従って、主信号に外部からの副信号を重畳
するような場合、従来のように副信号を重畳する電気回
路を外部に構成する必要はなく、従来に比べて回路規模
の大幅な縮小化を図ることができるという効果がある。
ァラデ回転角が連続的に可変可能なコイルが巻装された
第２のファラデ回転子を有し、この第２のファラデ回転
子の印加直流磁界を外部より制御でき、それを通過する
光の偏光面の回転角を可変可能な構成とすると共に、偏
光面保存手段によってコイルに流れる電流を制御して外
部から得られる副信号に応じた偏光面に設定することに
したので、主信号に副信号を重畳することができ、かつ
偏波面保存ファイバで偏光面を保持したまま伝送するこ
とができる。従って、主信号に外部からの副信号を重畳
するような場合、従来のように副信号を重畳する電気回
路を外部に構成する必要はなく、従来に比べて回路規模
の大幅な縮小化を図ることができるという効果がある。
第１図は本発明に係わる半導体レーザモジュールの一実
施例を示す概略構成図、第２図は半導体レーザモジュー
ルの従来例を示す概略構成図である。 10……半導体レーザ、11……第１のレンズ、 12……偏光子、13……ファラデ回転子、 14……第２のレンズ、15……検光子、 16……コイル、 17……第２のファラデ回転子、 18……第３のレンズ、 19……偏波面保存光ファイバ。
施例を示す概略構成図、第２図は半導体レーザモジュー
ルの従来例を示す概略構成図である。 10……半導体レーザ、11……第１のレンズ、 12……偏光子、13……ファラデ回転子、 14……第２のレンズ、15……検光子、 16……コイル、 17……第２のファラデ回転子、 18……第３のレンズ、 19……偏波面保存光ファイバ。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザと、 この半導体レーザの出射光を所定の直径の平行光に変換
する第１のレンズと、 異常光の移動距離が前記直径以上の複屈折材料を用いた
偏光子と、 第１のファラデ回転子と、 前記平行光を集束する第２のレンズと、 前記偏光子の偏光面に対し、偏光面が45゜傾いて配置さ
れる検光子と、 直流磁界が外部から制御でき、ファラデ回転角が連続的
に可変可能なコイルが巻装された第２のファラデ回転子
と、 前記コイルに流れる電流を制御して外部から得られる副
信号に応じた偏光面に設定しこの状態を保存する偏光面
保存手段と、 前記平行光を再度集光する第３のレンズと、 前記偏光面保存手段によって保存された偏光面を保持し
たまま主信号に副信号を重畳した形で伝送する偏波面保
存ファイバ とが順次所定間隔おいて配置されたことを特徴とする半
導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224469A JP2734552B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224469A JP2734552B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体レーザモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273683A JPH0273683A (ja) | 1990-03-13 |
| JP2734552B2 true JP2734552B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=16814283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63224469A Expired - Lifetime JP2734552B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734552B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109138U (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-11 | ||
| JPS6384185A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP63224469A patent/JP2734552B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0273683A (ja) | 1990-03-13 |
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