JP2822387B2 - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JP2822387B2 JP2822387B2 JP63122077A JP12207788A JP2822387B2 JP 2822387 B2 JP2822387 B2 JP 2822387B2 JP 63122077 A JP63122077 A JP 63122077A JP 12207788 A JP12207788 A JP 12207788A JP 2822387 B2 JP2822387 B2 JP 2822387B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- lens
- faraday rotator
- coil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
- G02B6/4209—Optical features
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光ファイバ通信において，半導体レーザを用
いて電気信号を光信号に変換し，半導体レーザと光ファ
イバを結合する半導体レーザモジュールに関し，特に光
アイソレータを内蔵する半導体レーザモジュールに関す
る。
いて電気信号を光信号に変換し，半導体レーザと光ファ
イバを結合する半導体レーザモジュールに関し，特に光
アイソレータを内蔵する半導体レーザモジュールに関す
る。
従来，半導体レーザ（以下LDと略す。）を用いた高速
PCM伝送あるいはアナログ直接変調による画像伝送シス
テムでは，光コネクタ及び他の光デバイス等からの反射
光がLDに再注入して生じる反射雑音の影響が大きく，こ
のためLDにアイソレータを内蔵して反射光の再注入を阻
止する半導体レーザモジュールが開発されている。
PCM伝送あるいはアナログ直接変調による画像伝送シス
テムでは，光コネクタ及び他の光デバイス等からの反射
光がLDに再注入して生じる反射雑音の影響が大きく，こ
のためLDにアイソレータを内蔵して反射光の再注入を阻
止する半導体レーザモジュールが開発されている。
ここで，第２図に従来の光アイソレータ付半導体レー
ザモジュールの構成を示す。
ザモジュールの構成を示す。
第２図を参照して，半導体レーザ１の出射光はレンズ
２により平行光に変換された後，偏光子3,45゜ファラデ
ー回転子4,及び検光子６を備える光アイソレータを経て
レンズ５によって集束され，ファイバ７に結合される。
そして，上記の光アイソレータによって，反射光の半導
体レーザ１への再注入を阻止している。
２により平行光に変換された後，偏光子3,45゜ファラデ
ー回転子4,及び検光子６を備える光アイソレータを経て
レンズ５によって集束され，ファイバ７に結合される。
そして，上記の光アイソレータによって，反射光の半導
体レーザ１への再注入を阻止している。
上述のように従来のアイソレータ付半導体レーザモジ
ュールでは，半導体レーザ１からの出射光がレンズ２に
より平行光に変換され，偏光子3,45゜ファラデー回転子
4,及び検光子６からなる光アイソレータを経て，レンズ
５に集束されファイバに結合される構成となっており,4
5゜ファラデー回転子４にはマグネット等により所定の
強さの直流磁界が印加されている。このため,LDモジュ
ールを構成する上で偏光子，検光子の光学面を調整する
のに極めて高い精度が要求され，さらに難度が高く，製
作にかなりの時間がかかるという問題点がある。
ュールでは，半導体レーザ１からの出射光がレンズ２に
より平行光に変換され，偏光子3,45゜ファラデー回転子
4,及び検光子６からなる光アイソレータを経て，レンズ
５に集束されファイバに結合される構成となっており,4
5゜ファラデー回転子４にはマグネット等により所定の
強さの直流磁界が印加されている。このため,LDモジュ
ールを構成する上で偏光子，検光子の光学面を調整する
のに極めて高い精度が要求され，さらに難度が高く，製
作にかなりの時間がかかるという問題点がある。
本発明によれば、半導体レーザと，該半導体レーザか
らの出射光を所定の直径の平行光に変換する第１のレン
ズと，常光に対する異常光の移動距離が前記所定の直径
以上の複屈折材料の偏光子と，コイルが巻回されたファ
ラデー回転子と，前記平行光を集束する第２のレンズ
と，前記偏光子の偏光面に対し偏光面が45゜傾斜して配
置された検光子と，光ファイバとを有し，前記コイルに
より発生する直流磁界を制御して前記ファラデー回転子
のファラデー回転角を変化させるようにしたことを特徴
とする半導体レーザモジュールが得られる。
らの出射光を所定の直径の平行光に変換する第１のレン
ズと，常光に対する異常光の移動距離が前記所定の直径
以上の複屈折材料の偏光子と，コイルが巻回されたファ
ラデー回転子と，前記平行光を集束する第２のレンズ
と，前記偏光子の偏光面に対し偏光面が45゜傾斜して配
置された検光子と，光ファイバとを有し，前記コイルに
より発生する直流磁界を制御して前記ファラデー回転子
のファラデー回転角を変化させるようにしたことを特徴
とする半導体レーザモジュールが得られる。
次に，本発明について実施例によって説明する。第１
図を参照して，本発明による半導体レーザモジュールは
半導体レーザ1,半導体レーザ光を所定の直径（直径ｄ）
の平行光に変換する第１のレンズ2,常光に対する異常光
の移動距離が所定の直径ｄ以上の複屈折材料を用いた偏
光子3,コイル８が巻回されたファラデー回転子4,平行光
を集束する第２のレンズ5,偏光面が偏光子３の偏光面に
対してほぼ45゜傾斜した検光子６及び光ファイバ７を備
えている。
図を参照して，本発明による半導体レーザモジュールは
半導体レーザ1,半導体レーザ光を所定の直径（直径ｄ）
の平行光に変換する第１のレンズ2,常光に対する異常光
の移動距離が所定の直径ｄ以上の複屈折材料を用いた偏
光子3,コイル８が巻回されたファラデー回転子4,平行光
を集束する第２のレンズ5,偏光面が偏光子３の偏光面に
対してほぼ45゜傾斜した検光子６及び光ファイバ７を備
えている。
半導体レーザ１の出射光は第１のレンズ２により平行
光に変換された後，偏光子3,ファラデー回転子４を経
て，第２のレンズ５で集束される。この集束光は検光子
６を経て，光ファイバ７に入射する。この際，ファラデ
ー回転子４に巻回されたコイル８には直流電流がＩが供
給され，これによって直流磁界Ｈを励起される。この直
流磁界Ｈは直流電流Ｉを制御（変化）させることによっ
て変化する。即ち，直流電流Ｉに応じて直流磁界Ｈは変
化する。ここでファラデー回転子４の長さをｌとすると
その回転角θは次式の関係を満足して変化する。
光に変換された後，偏光子3,ファラデー回転子４を経
て，第２のレンズ５で集束される。この集束光は検光子
６を経て，光ファイバ７に入射する。この際，ファラデ
ー回転子４に巻回されたコイル８には直流電流がＩが供
給され，これによって直流磁界Ｈを励起される。この直
流磁界Ｈは直流電流Ｉを制御（変化）させることによっ
て変化する。即ち，直流電流Ｉに応じて直流磁界Ｈは変
化する。ここでファラデー回転子４の長さをｌとすると
その回転角θは次式の関係を満足して変化する。
θ＝VH・ｌ（V;ベルデ定数） ……（１） このように，コイル８に与える直流電流Ｉを制御し
て，直流磁界Ｈを変化させてファラデー回転子４の回転
角を調整しているから，即ち，ファラデー回転子４の回
転角を連続的に変化することができるから,LDモジュー
ルを構成する際の調整の難度が低減され，しかも調整精
度を高くすることができるとともに自由度が大きくでき
る。
て，直流磁界Ｈを変化させてファラデー回転子４の回転
角を調整しているから，即ち，ファラデー回転子４の回
転角を連続的に変化することができるから,LDモジュー
ルを構成する際の調整の難度が低減され，しかも調整精
度を高くすることができるとともに自由度が大きくでき
る。
以上説明したように，本発明ではファラデー回転子に
コイルを巻回して，コイルにより発生する直流磁界を制
御して，ファラデー回転角を連続的に変化できるように
したから，製造上の調整が容易となるばかりでなく，調
整精度が高められ，自由度を大きくできるという効果が
ある。
コイルを巻回して，コイルにより発生する直流磁界を制
御して，ファラデー回転角を連続的に変化できるように
したから，製造上の調整が容易となるばかりでなく，調
整精度が高められ，自由度を大きくできるという効果が
ある。
第１図は本発明の半導体レーザモジュールの一実施例を
説明するための図，第２図は従来の半導体レーザモジュ
ールを説明するための図である。 １……半導体レーザ,2……レンズ,3……偏光子,4……フ
ァラデー回転子,5……レンズ,6……検光子,7……光ファ
イバ,8……コイル。
説明するための図，第２図は従来の半導体レーザモジュ
ールを説明するための図である。 １……半導体レーザ,2……レンズ,3……偏光子,4……フ
ァラデー回転子,5……レンズ,6……検光子,7……光ファ
イバ,8……コイル。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザと，該半導体レーザからの出
射光を所定の直径の平行光に変換する第１のレンズと，
常光に対する異常光の移動距離が前記所定の直径以上の
複屈折材料の偏光子と，コイルが巻回されたファラデー
回転子と，前記平行光を集束する第２のレンズと，前記
偏光子の偏光面に対し偏光面が45゜傾斜して配置された
検光子と，光ファイバとを有し，前記コイルにより発生
する直流磁界を制御して前記ファラデー回転子のファラ
デー回転角を変化させるようにしたことを特徴とする半
導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63122077A JP2822387B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63122077A JP2822387B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体レーザモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01292876A JPH01292876A (ja) | 1989-11-27 |
| JP2822387B2 true JP2822387B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=14827085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63122077A Expired - Lifetime JP2822387B2 (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822387B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3050832A1 (fr) * | 2016-04-28 | 2017-11-03 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de couplage optique a isolateur de faraday |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51116689A (en) * | 1975-04-05 | 1976-10-14 | Nec Corp | Semiconductor laser device |
| JPS59184584A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-19 | Nec Corp | 半導体レ−ザモジユ−ル |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63122077A patent/JP2822387B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01292876A (ja) | 1989-11-27 |
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