JPH03135511A - レーザダイオードモジュール - Google Patents
レーザダイオードモジュールInfo
- Publication number
- JPH03135511A JPH03135511A JP1274160A JP27416089A JPH03135511A JP H03135511 A JPH03135511 A JP H03135511A JP 1274160 A JP1274160 A JP 1274160A JP 27416089 A JP27416089 A JP 27416089A JP H03135511 A JPH03135511 A JP H03135511A
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- JP
- Japan
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- light
- laser diode
- diode module
- analyzer
- polarized light
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
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- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光フアイバ通信等の光信号伝送に用いられる
レーザダイオードモジュールに関する。
レーザダイオードモジュールに関する。
従来の技術
半導体レーザを光フアイバ通信等の光信号伝送系の光源
として用いる場合、半導体レーザからの出射光の一部が
伝送路あるいは伝送用光学部品の各接続部で反射して半
導体レーザへ帰還した場合、半導体レーザの発振特性の
不安定化や雑音増加をひき起こす原因となる。この戻り
光が帰還するのを防止するために、一般的に半導体レー
ザの出射側に光アイソレータを取付で、レーザダイオー
ドモジュールが構成される。
として用いる場合、半導体レーザからの出射光の一部が
伝送路あるいは伝送用光学部品の各接続部で反射して半
導体レーザへ帰還した場合、半導体レーザの発振特性の
不安定化や雑音増加をひき起こす原因となる。この戻り
光が帰還するのを防止するために、一般的に半導体レー
ザの出射側に光アイソレータを取付で、レーザダイオー
ドモジュールが構成される。
第４図に従来のレーザダイオードモジュールの構成図を
示す。第４図において、半導体レーザ１、コリメート用
レンズ２、光アイソレータ及び集光用レンズ３、光ファ
イバ４から構成される。
示す。第４図において、半導体レーザ１、コリメート用
レンズ２、光アイソレータ及び集光用レンズ３、光ファ
イバ４から構成される。
ここで光アイソレータは、偏光子５．磁気光学結晶６、
及び磁気光学結晶に磁界を加える永久磁石７、検光子８
より成る。半導体レーザ１からの出射光はコリメート用
レンズ２で平行光となり、その偏光方向と偏光子５の偏
光方向を同じにすることにより偏光子５を通過する。通
過した直線偏光の光は磁気光学結晶６を通過後偏光方向
が４５゜回転し、検光子８を通り集光用レンズ３で光フ
ァイバ４の始端に集光され伝搬する。ここで検光子８は
、磁気光学結晶６を透過後の光がほとんど損失なく透過
するように偏光方向が合せである。−方、光ファイバ４
の端面等の伝送路あるいは伝送用光学部品により反射し
た戻り光は、前述と同経路をたどり、集光用レンズ３．
検光子８を通り、磁気光学結晶６を通過後偏光方向がさ
らに４５゜回転し偏光子５の偏光方向と直交するため、
そこで戻り光は遮断され半導体レーザに帰還しないよう
になっている。
及び磁気光学結晶に磁界を加える永久磁石７、検光子８
より成る。半導体レーザ１からの出射光はコリメート用
レンズ２で平行光となり、その偏光方向と偏光子５の偏
光方向を同じにすることにより偏光子５を通過する。通
過した直線偏光の光は磁気光学結晶６を通過後偏光方向
が４５゜回転し、検光子８を通り集光用レンズ３で光フ
ァイバ４の始端に集光され伝搬する。ここで検光子８は
、磁気光学結晶６を透過後の光がほとんど損失なく透過
するように偏光方向が合せである。−方、光ファイバ４
の端面等の伝送路あるいは伝送用光学部品により反射し
た戻り光は、前述と同経路をたどり、集光用レンズ３．
検光子８を通り、磁気光学結晶６を通過後偏光方向がさ
らに４５゜回転し偏光子５の偏光方向と直交するため、
そこで戻り光は遮断され半導体レーザに帰還しないよう
になっている。
発明が解決しようとする課題
このような従来のレーザダイオードモジュールでは、光
フアイバ通信等において２つ以上の変調信号を同時に伝
送する際、検光子から光ファイバの始端に入射する光が
直線偏光で偏光方向が同じために各信号が干渉し、雑音
が発生しＳ／Ｎ特性が悪（なるという課題があった。
フアイバ通信等において２つ以上の変調信号を同時に伝
送する際、検光子から光ファイバの始端に入射する光が
直線偏光で偏光方向が同じために各信号が干渉し、雑音
が発生しＳ／Ｎ特性が悪（なるという課題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので２つ以上の変
調信号を同時に伝送する際、雑音の発生を抑え、良好な
Ｓ／Ｎ特性が得られることを目的とするものである。
調信号を同時に伝送する際、雑音の発生を抑え、良好な
Ｓ／Ｎ特性が得られることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この課題を解決するために本発明は、光アイソレータの
検光子から出射した直線偏光を非偏光にするデポラライ
ザーをレーザダイオードモジュール内に加えたものであ
る。
検光子から出射した直線偏光を非偏光にするデポラライ
ザーをレーザダイオードモジュール内に加えたものであ
る。
作用
この構成により、光フアイバ中を伝送する光信号の偏光
状態が直線偏光から円偏光あるいはランダム偏光等の非
偏光になり、２つ以上の変調信号を同時に伝送しても各
信号が干渉することなく、雑音の発生を抑え、良好なＳ
／Ｎ特性が得られることとなる。
状態が直線偏光から円偏光あるいはランダム偏光等の非
偏光になり、２つ以上の変調信号を同時に伝送しても各
信号が干渉することなく、雑音の発生を抑え、良好なＳ
／Ｎ特性が得られることとなる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。尚、従来例と同一部分は同一符号を付す。第１図
は本発明の第１の実施例によるレーザダイオードモジュ
ールの構成図である。第１図において、半導体レーザ１
から出射光はコリメート用レンズ２で平行光となり、そ
の偏光方向と偏光子５の偏光方向を同じにしておき偏光
子５を通過させる。通過した直線偏光６の光は磁気光学
結晶６を通過後偏光方向が４５°回転し検光子８を通過
する。ここで検光子８は、磁気光学結晶６を透過後の光
がほとんど損失なく透過するように偏光方向を合せてお
く。さらに検光子８を通過した直線偏光はデボラライザ
−９により非偏光になり、集光用レンズ３で光ファイバ
４の始端に集光され伝搬する。
する。尚、従来例と同一部分は同一符号を付す。第１図
は本発明の第１の実施例によるレーザダイオードモジュ
ールの構成図である。第１図において、半導体レーザ１
から出射光はコリメート用レンズ２で平行光となり、そ
の偏光方向と偏光子５の偏光方向を同じにしておき偏光
子５を通過させる。通過した直線偏光６の光は磁気光学
結晶６を通過後偏光方向が４５°回転し検光子８を通過
する。ここで検光子８は、磁気光学結晶６を透過後の光
がほとんど損失なく透過するように偏光方向を合せてお
く。さらに検光子８を通過した直線偏光はデボラライザ
−９により非偏光になり、集光用レンズ３で光ファイバ
４の始端に集光され伝搬する。
また、第２図、第３図に本発明の第２．第３の実施例に
よるレーザダイオードモジュールの構成図である。第１
図の実施例と構成は同じだが、第２図の実施例ではコリ
メート用レンズ２ａの光入射面を光軸に対して垂直より
傾斜させている。これによりコリメート用レンズ２ａか
ら反射する戻り光が半導体レーザ１に帰還するのを防止
でき光アイソレータを取り付ける以上に半導体レーザ１
を安定に発振させることができる。第３の実施例におい
ては同じ（光ファイバ４の始端を光軸に対して垂直より
傾斜させることにより光ファイバ４から反射する戻り光
が半導体レーザ１に帰還するのを防止でき光アイソレー
タを取り付ける以上に半導体レーザ１を安定に発振させ
ることができる。なお、第２．第３の実施例は言うまで
もないが、同時に行ってもかまわない。
よるレーザダイオードモジュールの構成図である。第１
図の実施例と構成は同じだが、第２図の実施例ではコリ
メート用レンズ２ａの光入射面を光軸に対して垂直より
傾斜させている。これによりコリメート用レンズ２ａか
ら反射する戻り光が半導体レーザ１に帰還するのを防止
でき光アイソレータを取り付ける以上に半導体レーザ１
を安定に発振させることができる。第３の実施例におい
ては同じ（光ファイバ４の始端を光軸に対して垂直より
傾斜させることにより光ファイバ４から反射する戻り光
が半導体レーザ１に帰還するのを防止でき光アイソレー
タを取り付ける以上に半導体レーザ１を安定に発振させ
ることができる。なお、第２．第３の実施例は言うまで
もないが、同時に行ってもかまわない。
発明の効果
以上のように本発明によれば半導体レーザを用いた光フ
アイバ通信等において、２つ以上の変調信号を同時に伝
送する際、雑音の発生を抑え良好なＳ／Ｎ特性が得られ
る。また光アイソレータを取り付けるだけでは除去でき
ない戻り光が半導体レーザに帰還しないようになりさら
に発振特性を安定させることができる。
アイバ通信等において、２つ以上の変調信号を同時に伝
送する際、雑音の発生を抑え良好なＳ／Ｎ特性が得られ
る。また光アイソレータを取り付けるだけでは除去でき
ない戻り光が半導体レーザに帰還しないようになりさら
に発振特性を安定させることができる。
第１図は本発明の第１の実施例によるレーザダイオード
モジュールの構成図、第２図は本発明の第２の実施例に
よるレーザダイオードモジュールの構成図、第３図は本
発明の第３図の実施例によるレーザダイオードモジュー
ルの構成図、第４図は従来のレーザダイオードモジュー
ルの構成図である。
モジュールの構成図、第２図は本発明の第２の実施例に
よるレーザダイオードモジュールの構成図、第３図は本
発明の第３図の実施例によるレーザダイオードモジュー
ルの構成図、第４図は従来のレーザダイオードモジュー
ルの構成図である。
Claims (5)
- （１）半導体レーザと、前記半導体レーザから出射され
たレーザ光を平行光にするコリメート用レンズ及び光ア
イソレータと、前記光アイソレータを通った光を光ファ
イバの始端に入射させる集光レンズと、前記光アイソレ
ータから出射した直線偏光を非偏光にするデポラライザ
ーとを有するレーザダイオードモジュール。 - （２）コリメート用レンズの光入射面が光軸に対して垂
直より傾斜していることを特徴とする請求項１記載のレ
ーザダイオードモジュール。 - （３）光ファイバの始端が光軸に対して垂直より傾斜し
ていることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオー
ドモジュール。 - （４）デポラライザーがλ／４板であることを特徴とす
る請求項１記載のレーザダイオードモジュール。 - （５）光アイソレータが、偏光子と、磁気光学結晶と、
この磁気光学結晶に磁界を加える永久磁石と、検光子と
で構成したことを特徴とする請求項１記載のレーザダイ
オードモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274160A JPH03135511A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | レーザダイオードモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274160A JPH03135511A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | レーザダイオードモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03135511A true JPH03135511A (ja) | 1991-06-10 |
Family
ID=17537872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1274160A Pending JPH03135511A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | レーザダイオードモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03135511A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729372A (en) * | 1993-06-28 | 1998-03-17 | Fujitsu Limited | Optical transmission method and apparatus and optical amplification method and apparatus for optical communication system |
| WO2003005509A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Furukawa Electric Co.,Ltd | Module laser a semiconducteur, amplificateur de lumiere et procede de production de module laser a semiconducteur |
| US6765935B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, manufacturing method thereof and optical amplifier |
| US6782028B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and an optical amplifier |
| US7085440B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-08-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor laser module and optical amplifier |
| US7245643B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-07-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing the same |
| US7408867B2 (en) | 2002-04-04 | 2008-08-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of aligning an optical fiber, method of manufacturing a semiconductor laser module, and semiconductor laser module |
| US8182159B2 (en) | 2006-12-27 | 2012-05-22 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Lens assembly, optical device, optical axis adjusting method for an optical device |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP1274160A patent/JPH03135511A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729372A (en) * | 1993-06-28 | 1998-03-17 | Fujitsu Limited | Optical transmission method and apparatus and optical amplification method and apparatus for optical communication system |
| US6765935B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, manufacturing method thereof and optical amplifier |
| US6782028B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and an optical amplifier |
| WO2003005509A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Furukawa Electric Co.,Ltd | Module laser a semiconducteur, amplificateur de lumiere et procede de production de module laser a semiconducteur |
| US7085440B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-08-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor laser module and optical amplifier |
| US7245643B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-07-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing the same |
| US7259905B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-08-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module |
| US7529021B2 (en) | 2001-07-02 | 2009-05-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module |
| US7408867B2 (en) | 2002-04-04 | 2008-08-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of aligning an optical fiber, method of manufacturing a semiconductor laser module, and semiconductor laser module |
| US8182159B2 (en) | 2006-12-27 | 2012-05-22 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Lens assembly, optical device, optical axis adjusting method for an optical device |
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