JPH04180282A - レーザダイオードモジュール - Google Patents
レーザダイオードモジュールInfo
- Publication number
- JPH04180282A JPH04180282A JP2309804A JP30980490A JPH04180282A JP H04180282 A JPH04180282 A JP H04180282A JP 2309804 A JP2309804 A JP 2309804A JP 30980490 A JP30980490 A JP 30980490A JP H04180282 A JPH04180282 A JP H04180282A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polarizing beam
- polarized light
- light
- beam splitter
- diode module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 17
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 206010041662 Splinter Diseases 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光フアイバ通信等の光信号伝送に用いられる
レーザダイオードモジュールに関スる。
レーザダイオードモジュールに関スる。
従来の技術
従来、半導体レーザを光フアイバ通信等の光信号伝送系
の光源として用いる場合、半導体レーザからの出射光の
一部が伝送路あるいは伝送用光学部品の各接続部等で反
射されて半導体レーザへ帰還し、半導体レーザの発振特
性の不安定化や雑音増加を引き起こす原因となっていた
。この戻り光が帰還するのを防止するために、−船釣に
半導体レーザの出射側にファラデー回転子と偏光ビーム
スプリッタで構成された光アイソレータを取り付けて、
レーザダイオードモジュールが構成されている。
の光源として用いる場合、半導体レーザからの出射光の
一部が伝送路あるいは伝送用光学部品の各接続部等で反
射されて半導体レーザへ帰還し、半導体レーザの発振特
性の不安定化や雑音増加を引き起こす原因となっていた
。この戻り光が帰還するのを防止するために、−船釣に
半導体レーザの出射側にファラデー回転子と偏光ビーム
スプリッタで構成された光アイソレータを取り付けて、
レーザダイオードモジュールが構成されている。
第４図に従来のレーザダイオードモジュールの構成を示
す。図に示す、半導体レーザ１、コリメート用レンズ２
、光アイソレータおよび集光用レンズ３、光ファイバ４
が最も基本的な構成である。
す。図に示す、半導体レーザ１、コリメート用レンズ２
、光アイソレータおよび集光用レンズ３、光ファイバ４
が最も基本的な構成である。
この構成に対し戻り光の帰還を防止するだめ光アイソレ
ータは、第１の偏光ビームスプリッタ６、ファラデー回
転子６、第２の偏光ビームスプリッタ７、ファラデー回
転子に磁界を加える永久磁石８、および第１と第２の偏
光ビームスプリッタを固定するだめのホルダー９が追加
されている。半導体レーザ１からの出射光はコリメート
用レンズ２で平行光となり、その平行となった出射光の
偏光方向と第１の偏光ビームヌプリッタ５の偏光方向を
同じにすることにより出射光は第１の偏光ビームスプリ
ンタ５を通過する。通過した直線偏光の出射光はファラ
デー回転子６を通過後偏光方向が４５°回転し、第２の
偏光ビームスプリッタ７を通過し集光用レンズ３で光フ
ァイバ４の始端に集光され光ファイバ４により伝搬する
。ここで、ファラデー回転子６を通過後の光がほとんど
損失なく透過するように、第２の偏光ビームスプリンタ
７は偏光方向を通過する直線偏光に合わせである。一方
、光ファイバ４の端面等の伝送路あるいは伝送用光学部
品により反射した戻り光は、前述と同じ経路を逆方向に
たどり、集光用レンズ３゜第２の偏光ビームスプリッタ
７を通りファラデー回転子６を通過後偏光方向がさらに
４５°回転し第１の偏光ビームスプリッタ６の偏光方向
と直交するため、そこで戻り光は遮断され半導体レーザ
に帰還しないようになっている。
ータは、第１の偏光ビームスプリッタ６、ファラデー回
転子６、第２の偏光ビームスプリッタ７、ファラデー回
転子に磁界を加える永久磁石８、および第１と第２の偏
光ビームスプリッタを固定するだめのホルダー９が追加
されている。半導体レーザ１からの出射光はコリメート
用レンズ２で平行光となり、その平行となった出射光の
偏光方向と第１の偏光ビームヌプリッタ５の偏光方向を
同じにすることにより出射光は第１の偏光ビームスプリ
ンタ５を通過する。通過した直線偏光の出射光はファラ
デー回転子６を通過後偏光方向が４５°回転し、第２の
偏光ビームスプリッタ７を通過し集光用レンズ３で光フ
ァイバ４の始端に集光され光ファイバ４により伝搬する
。ここで、ファラデー回転子６を通過後の光がほとんど
損失なく透過するように、第２の偏光ビームスプリンタ
７は偏光方向を通過する直線偏光に合わせである。一方
、光ファイバ４の端面等の伝送路あるいは伝送用光学部
品により反射した戻り光は、前述と同じ経路を逆方向に
たどり、集光用レンズ３゜第２の偏光ビームスプリッタ
７を通りファラデー回転子６を通過後偏光方向がさらに
４５°回転し第１の偏光ビームスプリッタ６の偏光方向
と直交するため、そこで戻り光は遮断され半導体レーザ
に帰還しないようになっている。
発明が解決しようとする課題
このような従来のレーザダイオードモジュールでは、光
フアイバ通信等において２つ以上の変調信号を同時に伝
送する際、第２の偏光ビームスプリッタ７から光ファイ
バ４の始端に入射する光が直線偏光で偏光方向が同じた
めに各信号が干渉し、雑音が発生しＳ／Ｎ特性が悪くな
るという課題があった。
フアイバ通信等において２つ以上の変調信号を同時に伝
送する際、第２の偏光ビームスプリッタ７から光ファイ
バ４の始端に入射する光が直線偏光で偏光方向が同じた
めに各信号が干渉し、雑音が発生しＳ／Ｎ特性が悪くな
るという課題があった。
また、光アイソレータを組み込むことにより、原理的に
は半導体レーザ１の発振特性の不安定化や雑音増加を防
止できるはずであるが、実際は半導体レーザ１から出射
した光も反射した戻シ光も直線偏光であるが、厳密には
その直線偏光と直交する成分を含んでいる。そのため出
射光と戻り光の一部が干渉し半導体レーザ１の発振特性
の不安定化や雑音増加の原因になっていた。中でも第１
および第２の偏光ビームスプリッタ６および７内で反射
することによ多分岐された不要な直線偏光１０（必要な
直線偏光と直交する成分）が第１および第２の偏光ビー
ムスプリッタの側面とホルダー９との接触面で反射し半
導体レーザ１に戻ってしまい、発振特性の不安定化や雑
音増加の原因になっていた。
は半導体レーザ１の発振特性の不安定化や雑音増加を防
止できるはずであるが、実際は半導体レーザ１から出射
した光も反射した戻シ光も直線偏光であるが、厳密には
その直線偏光と直交する成分を含んでいる。そのため出
射光と戻り光の一部が干渉し半導体レーザ１の発振特性
の不安定化や雑音増加の原因になっていた。中でも第１
および第２の偏光ビームスプリッタ６および７内で反射
することによ多分岐された不要な直線偏光１０（必要な
直線偏光と直交する成分）が第１および第２の偏光ビー
ムスプリッタの側面とホルダー９との接触面で反射し半
導体レーザ１に戻ってしまい、発振特性の不安定化や雑
音増加の原因になっていた。
本発明はこのような課題を解決するもので、半導体レー
ザの発振特性の不安定化を排除し、雑音の発生を抑え良
好なＳ／Ｎ特性が得られるレーザダイオードモジュール
を提供することを目的とする。
ザの発振特性の不安定化を排除し、雑音の発生を抑え良
好なＳ／Ｎ特性が得られるレーザダイオードモジュール
を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するだめに本発明は、光アイソレータの
第２の偏光ビームスプリッタから８射した直線偏光を非
偏光にするデポラライザーをレーザダイオードモジュー
ル内に加え、さらに第１および第２の偏光ビームスプリ
、り内で反射した不要な直線偏光が最初に到達する前記
第１および第２の偏光ビームスプリッタの側面外側に空
隙を設けるとともに、第１および第２の偏光ビームスプ
リッタの側面に凹凸を設けて前記反射した不要な直線偏
光を散乱させるようにしたものである。
第２の偏光ビームスプリッタから８射した直線偏光を非
偏光にするデポラライザーをレーザダイオードモジュー
ル内に加え、さらに第１および第２の偏光ビームスプリ
、り内で反射した不要な直線偏光が最初に到達する前記
第１および第２の偏光ビームスプリッタの側面外側に空
隙を設けるとともに、第１および第２の偏光ビームスプ
リッタの側面に凹凸を設けて前記反射した不要な直線偏
光を散乱させるようにしたものである。
作用
この構成により、光フアイバ中を伝送する光信号の偏光
状態が直線偏光から円偏光あるいはランダム偏光等の非
偏光になυ、２つ以上の変調信号を同時に伝送しても各
信号が干渉することなく、雑音の発生を抑え、良好なＳ
／Ｎ特性が得られるとともに、第１および第２の偏光ビ
ームスプリッタ内で反射した不要な直線偏光が再びもと
の光路をたどシ半導体レーザに戻らないようになり、半
導体レーザの発振特性を安定させることができる。
状態が直線偏光から円偏光あるいはランダム偏光等の非
偏光になυ、２つ以上の変調信号を同時に伝送しても各
信号が干渉することなく、雑音の発生を抑え、良好なＳ
／Ｎ特性が得られるとともに、第１および第２の偏光ビ
ームスプリッタ内で反射した不要な直線偏光が再びもと
の光路をたどシ半導体レーザに戻らないようになり、半
導体レーザの発振特性を安定させることができる。
実施例
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。なお、従来例と同一の部分には同一番号を付し同
一番号の部分の説明は省略する。
する。なお、従来例と同一の部分には同一番号を付し同
一番号の部分の説明は省略する。
第１図は本発明の第１の実施例のレーザダイオードモジ
ュールの構成図である。図において、半導体レーザ１か
らの出射光はコリメート用レンズ２で平行光となり、出
射光の偏光方向と第１の偏光ビームスプリッタ５の偏光
方向を同じにしておき、第１の偏光ビームスプリッタ５
を通過させる。通過した直線偏光の光はファラデー回転
子〇を通過後偏光方向が４５°回転し第２の偏光ビーム
ヌプリッタ７を通過する。ここで第２の偏光ビームスプ
リッタ７は、ファラデー回転子６を通過後の光がほとん
ど損失することなく通過するように出射光と偏光方向を
合わせておく。さらに第２の偏光ビームスプリッタ７を
通過した直線偏光の出射光はデポラライザ−１１により
非偏光になり、集光用レンズ３で光ファイバ４の始端に
集光され光ファイバにより伝搬される。さらに偏光ビー
ムスプリッタは立方体であることから、第１および第２
の偏光ビームスプリッタ６および７の各ホルダー９を円
筒型にしておき、その円筒孔に立方体の偏光ビームスプ
リッタを挿入し、円筒孔と第１および第２の偏光ビーム
スプリッタ５および７の四隅が接している所のみを接着
剤で固定すれば、これにより同筒孔に接する四隅を除き
空隙１２が形成される。かつ、第１および第２の偏光ビ
ームヌプリッタ６および７の側面に凹凸を設けておけば
固定時に四隅に接着剤が付くだけなのでそのまま凹凸が
残り、反射した戻り光を散乱させる。
ュールの構成図である。図において、半導体レーザ１か
らの出射光はコリメート用レンズ２で平行光となり、出
射光の偏光方向と第１の偏光ビームスプリッタ５の偏光
方向を同じにしておき、第１の偏光ビームスプリッタ５
を通過させる。通過した直線偏光の光はファラデー回転
子〇を通過後偏光方向が４５°回転し第２の偏光ビーム
ヌプリッタ７を通過する。ここで第２の偏光ビームスプ
リッタ７は、ファラデー回転子６を通過後の光がほとん
ど損失することなく通過するように出射光と偏光方向を
合わせておく。さらに第２の偏光ビームスプリッタ７を
通過した直線偏光の出射光はデポラライザ−１１により
非偏光になり、集光用レンズ３で光ファイバ４の始端に
集光され光ファイバにより伝搬される。さらに偏光ビー
ムスプリッタは立方体であることから、第１および第２
の偏光ビームスプリッタ６および７の各ホルダー９を円
筒型にしておき、その円筒孔に立方体の偏光ビームスプ
リッタを挿入し、円筒孔と第１および第２の偏光ビーム
スプリッタ５および７の四隅が接している所のみを接着
剤で固定すれば、これにより同筒孔に接する四隅を除き
空隙１２が形成される。かつ、第１および第２の偏光ビ
ームヌプリッタ６および７の側面に凹凸を設けておけば
固定時に四隅に接着剤が付くだけなのでそのまま凹凸が
残り、反射した戻り光を散乱させる。
また第２図、第３図は本発明の第２．第３の実施例のレ
ーザダイオードモジュールの構成図である。第１図の実
施例と構成は同じであるが、第２図の実施例ではコリメ
ート用レンズ２ａの光入射 ４面を光軸に対して垂直
より傾斜させている。これによりコリメート用レンズ２
ａから反射する戻り光が半導体レーザ１に帰還するのを
防止でき、半導体レーザ１を安定に発振させることがで
きる。
ーザダイオードモジュールの構成図である。第１図の実
施例と構成は同じであるが、第２図の実施例ではコリメ
ート用レンズ２ａの光入射 ４面を光軸に対して垂直
より傾斜させている。これによりコリメート用レンズ２
ａから反射する戻り光が半導体レーザ１に帰還するのを
防止でき、半導体レーザ１を安定に発振させることがで
きる。
第３の実施例においては同じく光ファイバ４の始端を光
軸に対して垂直より傾斜させることにより光ファイバ４
から反射する戻り光が半導体レーザ１に帰還するのを防
止でき、半導体レーザ１を安定に発振させることができ
る。なお、第１．第２および第３の実施例に示す各方法
は言及するまでもなく、同時に採用してもよい。
軸に対して垂直より傾斜させることにより光ファイバ４
から反射する戻り光が半導体レーザ１に帰還するのを防
止でき、半導体レーザ１を安定に発振させることができ
る。なお、第１．第２および第３の実施例に示す各方法
は言及するまでもなく、同時に採用してもよい。
発明の効果
以上の説明から明らかなように本発明によれば、半導体
レーザを用いた光フアイバ通信等において、２つ以上の
変調信号を同時に伝送しても各信号が干渉することなく
、雑音の発生を抑え、良好なＳ／Ｎ特性が得られるとと
もに、半導体レーザの発振特性を安定化させるレーザダ
イオードモジュールを実現することができる。
レーザを用いた光フアイバ通信等において、２つ以上の
変調信号を同時に伝送しても各信号が干渉することなく
、雑音の発生を抑え、良好なＳ／Ｎ特性が得られるとと
もに、半導体レーザの発振特性を安定化させるレーザダ
イオードモジュールを実現することができる。
第１図は本発明の第１の実施例を示すレーザダイオード
モジュールの構成図、第２図は同本発明の第２の実施例
の構成図、第３図は同本発明の第３の実施例の構成図、
第４図は従来のレーザダイオードモジュールの構成図で
ある。 １°°゛・°°半導体レーザ、２，２１Ｌ・・・・・・
コリメート用レンズ、３・・・・・・集光用レンズ、４
・・・・・・光ファイバ、５・・・・・・第１の偏光ビ
ームスプリッタ、６・・川・ファラデー回転子、７・・
・・・・第２の偏光ビームスプリッタ、８・・・・・・
永久磁石、９・・・・・・ホルダー、１１・・・・・・
デポラライザー、１２・・・・・・空隙。
モジュールの構成図、第２図は同本発明の第２の実施例
の構成図、第３図は同本発明の第３の実施例の構成図、
第４図は従来のレーザダイオードモジュールの構成図で
ある。 １°°゛・°°半導体レーザ、２，２１Ｌ・・・・・・
コリメート用レンズ、３・・・・・・集光用レンズ、４
・・・・・・光ファイバ、５・・・・・・第１の偏光ビ
ームスプリッタ、６・・川・ファラデー回転子、７・・
・・・・第２の偏光ビームスプリッタ、８・・・・・・
永久磁石、９・・・・・・ホルダー、１１・・・・・・
デポラライザー、１２・・・・・・空隙。
Claims (4)
- （１）半導体レーザと、その半導体レーザから出射され
たレーザ光を平行光にするコリメート用レンズと、偏光
方向が互いに４５°となるように配設した第１の偏光ビ
ームスプリッタおよび第２の偏光ビームスプリッタと、
それら第１および第２の偏光ビームスプリッタの間にフ
ァラデー回転子と、そのファラデー回転子の外周部に配
置した永久磁石と、上記第２の偏光ビームスプリッタを
通過した直線偏光を非偏光にするデポラライザーと、そ
のデポラライザーを通過した非偏光の光を光ファイバの
始端に入射させる集光用レンズとを有するレーザダイオ
ードモジュール。 - （２）第１および第２の偏光ビームスプリッタ内で反射
した垂直直線偏光の光が最初に到達するそれら第１およ
び第２の偏光ビームスプリッタの側面外側に空隙を設け
るとともに、第１および第２の偏光ビームスプリッタの
側面に凹凸部を設けて前記反射した不要な垂直直線偏光
の光を散乱させることを特徴とする請求項１記載のレー
ザダイオードモジュール。 - （３）コリメート用レンズの光入射面が光軸に対して垂
直より傾斜していることを特徴とする請求項１記載のレ
ーザダイオードモジュール。 - （４）光ファイバの始端が光軸に対して垂直より傾斜し
ていることを特徴とする請求項１記載のレーザダイオー
ドモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2309804A JPH04180282A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | レーザダイオードモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2309804A JPH04180282A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | レーザダイオードモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04180282A true JPH04180282A (ja) | 1992-06-26 |
Family
ID=17997448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2309804A Pending JPH04180282A (ja) | 1990-11-14 | 1990-11-14 | レーザダイオードモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04180282A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729372A (en) * | 1993-06-28 | 1998-03-17 | Fujitsu Limited | Optical transmission method and apparatus and optical amplification method and apparatus for optical communication system |
| WO2003005509A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Furukawa Electric Co.,Ltd | Module laser a semiconducteur, amplificateur de lumiere et procede de production de module laser a semiconducteur |
| US6765935B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, manufacturing method thereof and optical amplifier |
| US6782028B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and an optical amplifier |
| US7085440B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-08-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor laser module and optical amplifier |
| US7245643B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-07-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing the same |
| US7408867B2 (en) | 2002-04-04 | 2008-08-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of aligning an optical fiber, method of manufacturing a semiconductor laser module, and semiconductor laser module |
-
1990
- 1990-11-14 JP JP2309804A patent/JPH04180282A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729372A (en) * | 1993-06-28 | 1998-03-17 | Fujitsu Limited | Optical transmission method and apparatus and optical amplification method and apparatus for optical communication system |
| US6765935B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-07-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, manufacturing method thereof and optical amplifier |
| US6782028B2 (en) | 2000-12-15 | 2004-08-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device for use in a semiconductor laser module and an optical amplifier |
| WO2003005509A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-16 | Furukawa Electric Co.,Ltd | Module laser a semiconducteur, amplificateur de lumiere et procede de production de module laser a semiconducteur |
| US7085440B2 (en) | 2001-07-02 | 2006-08-01 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Semiconductor laser module and optical amplifier |
| US7245643B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-07-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module and method of manufacturing the same |
| US7259905B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-08-21 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module |
| US7529021B2 (en) | 2001-07-02 | 2009-05-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module |
| US7408867B2 (en) | 2002-04-04 | 2008-08-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method of aligning an optical fiber, method of manufacturing a semiconductor laser module, and semiconductor laser module |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5686990A (en) | Optical source isolator with polarization maintaining optical fiber and aspheric collimating and focusing lens | |
| JPH04180282A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| US5066092A (en) | Optical arrangement for a feedback-free coupling of a laser emission emitted by a semiconductor laser into an optical fiber | |
| JP2943436B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPH02136819A (ja) | 光アイソレータ内蔵型半導体レーザモジュールにおける光アイソレータの回転方向位置調整方法 | |
| JPH03135511A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| JP3161885B2 (ja) | 光アイソレーター | |
| JP2930431B2 (ja) | 偏光無依存型光アイソレータ | |
| JPS6257012B2 (ja) | ||
| JPH1020253A (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH03135504A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| JP2001013379A (ja) | 光モジュール | |
| JP2794132B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| KR100238274B1 (ko) | 광 아이솔레이터 | |
| JPS62192718A (ja) | 光アイソレ−タ | |
| JPS59184584A (ja) | 半導体レ−ザモジユ−ル | |
| JP2831158B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH03135512A (ja) | ファラデー回転子 | |
| JPH0581014B2 (ja) | ||
| JP3569873B2 (ja) | 偏光無依存型光アイソレータ | |
| RU2082190C1 (ru) | Оптический изолятор | |
| JP2840708B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH03135516A (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH04369615A (ja) | 光アイソレータ | |
| JPS61102621A (ja) | 光アイソレ−タ |