JPS61102621A - 光アイソレ−タ - Google Patents
光アイソレ−タInfo
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- JPS61102621A JPS61102621A JP22490184A JP22490184A JPS61102621A JP S61102621 A JPS61102621 A JP S61102621A JP 22490184 A JP22490184 A JP 22490184A JP 22490184 A JP22490184 A JP 22490184A JP S61102621 A JPS61102621 A JP S61102621A
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- Japan
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- light
- polarizing prism
- prism
- optical
- optical axis
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
- G02B6/4209—Optical features
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光アイソレータの改良に関する。
光通信の送信部では、半導体レーザと光ファイバ等の伝
送路を光結合することが必要である。この場合、光ファ
イバの入射面、或いは伝送路の後に接続されている光回
路素子からの反射光が、再び半導体レーザに注入される
と、半導体レーザが不安定となり、光信号に含まれる雑
音が増加する。
送路を光結合することが必要である。この場合、光ファ
イバの入射面、或いは伝送路の後に接続されている光回
路素子からの反射光が、再び半導体レーザに注入される
と、半導体レーザが不安定となり、光信号に含まれる雑
音が増加する。
したがって、半導体レーザと光ファイバ等の伝送路の間
に光アイソレータを挿入して、半導体レーザの発振の安
定化を計っている。
に光アイソレータを挿入して、半導体レーザの発振の安
定化を計っている。
この光アイソレータを挿入にあたっては、光結合効率の
高いことが要求されている。
高いことが要求されている。
第２図は従来の光アイソレータの１例の構成図であって
、（ａ）は順方向の光路を、（ｂ）は逆方向の光路をそ
れぞれ示す。
、（ａ）は順方向の光路を、（ｂ）は逆方向の光路をそ
れぞれ示す。
第２図において、光アイソレータは、複屈折性結晶体（
例えばルチル）よりなる第１の偏光プリズム１と、例え
ばＹＩＧ等の磁器光学結晶体よりなる平行六面体のファ
ラデー回転子３と、第１の偏光プリズム１と同形状、同
材質で、光学軸が４５度傾いた第２の偏光プリズム２と
が、光軸上に順次配置され構成されている。
例えばルチル）よりなる第１の偏光プリズム１と、例え
ばＹＩＧ等の磁器光学結晶体よりなる平行六面体のファ
ラデー回転子３と、第１の偏光プリズム１と同形状、同
材質で、光学軸が４５度傾いた第２の偏光プリズム２と
が、光軸上に順次配置され構成されている。
第１の偏光プリズム１の入射面側には、半導体レーザ５
が設置され、半導体レーザ５の出射光が、グラントムソ
ンプリズムのような偏光子６を経て第１の偏光プリズム
１の入射面に傾斜して入射するように配置されている。
が設置され、半導体レーザ５の出射光が、グラントムソ
ンプリズムのような偏光子６を経て第１の偏光プリズム
１の入射面に傾斜して入射するように配置されている。
また、第２の偏光プリズム２の後方には、光ファイバ７
が設置されている。
が設置されている。
ファラデー回転子３の磁界方向は半導体レーザ５の光軸
に平行で、図示の矢印Ｈ方向であり、第１の偏光プリズ
ムｌの光学軸は紙面に垂直（Ｘ軸で示す）である。また
、偏光子６の光学軸は、第 、ｌの偏光プリズム１の光
学軸に垂直、即ち紙面に平行（Ｙ軸で示す）に設置され
ている。
に平行で、図示の矢印Ｈ方向であり、第１の偏光プリズ
ムｌの光学軸は紙面に垂直（Ｘ軸で示す）である。また
、偏光子６の光学軸は、第 、ｌの偏光プリズム１の光
学軸に垂直、即ち紙面に平行（Ｙ軸で示す）に設置され
ている。
このように構成配置されているので、半導体レーザ５の
出射光、即ち順方向の光は、第２図（ａｌのように、偏
光子６によりＹ軸方向の成分のみが通過し、直線偏光で
第１の偏光プリズム１に入射する。
出射光、即ち順方向の光は、第２図（ａｌのように、偏
光子６によりＹ軸方向の成分のみが通過し、直線偏光で
第１の偏光プリズム１に入射する。
したがって、第１の偏光プリズム１で常光屈折率で屈折
して透過し、ファラデー回転子３に入射する。そして、
ファラデー回転子３により偏光面が４５度回転され、第
２の偏光プリズム２の光学軸に垂直の偏光面となり第２
の偏光プリズム２に入射する。よって、第２の偏光プリ
ズム２においｔも、常光屈折率で屈折して通過し、半導
体レーザ５の光軸に平行で、Ｗ量シフトした光として出
射する。
して透過し、ファラデー回転子３に入射する。そして、
ファラデー回転子３により偏光面が４５度回転され、第
２の偏光プリズム２の光学軸に垂直の偏光面となり第２
の偏光プリズム２に入射する。よって、第２の偏光プリ
ズム２においｔも、常光屈折率で屈折して通過し、半導
体レーザ５の光軸に平行で、Ｗ量シフトした光として出
射する。
この光は半導体レーザ５とはＷだけ平行に偏倚した位置
に設置した光ファイバ７の端面に、垂直に入射して光フ
ァイバ７に伝送される。
に設置した光ファイバ７の端面に、垂直に入射して光フ
ァイバ７に伝送される。
即ちこの光アイソレータは、半導体レーザ５の出射光の
うち、第１の偏光プリズム１に対して常光成分のみが、
光ファイバ７に光結合する。
うち、第１の偏光プリズム１に対して常光成分のみが、
光ファイバ７に光結合する。
なお、偏光子６の入射面には、無反射コーテングを施し
てあり、また第１の偏光プリズム１、ファラデー回転子
３、第２の偏光プリズム２のそれぞれの入射面にも無反
射コーテングを施し、しかもこれらの入射面に対してす
べて斜めに入射するように光路を選択しであるので、こ
れらの面からの、反射戻り光が極めて少なくて、且つ光
結合度が高い。
てあり、また第１の偏光プリズム１、ファラデー回転子
３、第２の偏光プリズム２のそれぞれの入射面にも無反
射コーテングを施し、しかもこれらの入射面に対してす
べて斜めに入射するように光路を選択しであるので、こ
れらの面からの、反射戻り光が極めて少なくて、且つ光
結合度が高い。
なお、偏光子６を、Ｘ軸方向に向けて、第１の偏光プリ
ズム１に対する入射光の偏光方向を、光学軸方向に向け
た場合にも、前述のようなことは成立する。但しこの場
合は、第１．第２の偏光プリズムの何れに対しても、異
常光屈折率で屈折して、通過することは勿論である。
ズム１に対する入射光の偏光方向を、光学軸方向に向け
た場合にも、前述のようなことは成立する。但しこの場
合は、第１．第２の偏光プリズムの何れに対しても、異
常光屈折率で屈折して、通過することは勿論である。
次に、光ファイバ７の入射面での反射光、即ち逆方向の
光について第２図（ｂ）を参照しながら説明する 第２の偏光プリズム２の光学軸に垂直方向の偏光面を有
している偏光が入射する場合は、この光は、第２の偏光
プリズム２に正常光として入射し、正常光屈折率で屈折
し通過して、ファラデー回転子３に入射する。
光について第２図（ｂ）を参照しながら説明する 第２の偏光プリズム２の光学軸に垂直方向の偏光面を有
している偏光が入射する場合は、この光は、第２の偏光
プリズム２に正常光として入射し、正常光屈折率で屈折
し通過して、ファラデー回転子３に入射する。
この光は、ファラデー回転子３で、偏光面が４５度回転
されて、第１の偏光プリズム１の光学軸に平行（Ｘ軸方
向）となり、第１の偏光プリズム１で異常光屈折率モ屈
折し、通過して、半導体し一ザ５の光軸に対して大きく
上方に傾斜した実線ｍ１で示す方向に出射される。なお
、この第１の偏光プリズム１は 異常光屈折率〉常光屈
折率である。
されて、第１の偏光プリズム１の光学軸に平行（Ｘ軸方
向）となり、第１の偏光プリズム１で異常光屈折率モ屈
折し、通過して、半導体し一ザ５の光軸に対して大きく
上方に傾斜した実線ｍ１で示す方向に出射される。なお
、この第１の偏光プリズム１は 異常光屈折率〉常光屈
折率である。
同様なことは、逆方向から第２の偏光プリズム２に入射
する光が、第２の偏光プリズム２の光学軸方向の偏光で
ある場合にも成立する。この場合は、第２の偏光プリズ
ム２に対しては異常光として、また４５度ファラデー回
転後に、第１の偏光プリズムｌに対しては正常光として
屈折し、第１の偏光プリズム１を通過後、半導体レーザ
５の光軸に対して大きく下方に傾斜して、鎖線ｍ２で示
す方向に出射される。
する光が、第２の偏光プリズム２の光学軸方向の偏光で
ある場合にも成立する。この場合は、第２の偏光プリズ
ム２に対しては異常光として、また４５度ファラデー回
転後に、第１の偏光プリズムｌに対しては正常光として
屈折し、第１の偏光プリズム１を通過後、半導体レーザ
５の光軸に対して大きく下方に傾斜して、鎖線ｍ２で示
す方向に出射される。
したがって、光ファイバの反射光等の逆方向の光は、半
導体レーザ５に帰還されない。
導体レーザ５に帰還されない。
なお、逆方向の直線偏光が、ファラデー回転子３を通過
後に楕円偏光になった場合、その短軸成分は、第２の偏
光プリズム２に対するものと同じ偏光成分として第１の
偏光プリズム１に入射し通過して、半導体レーザ５の光
軸の方向に出射される。しかしこの短軸成分光の偏光面
は、偏光子６の光学軸に垂直であるので、偏光子６を通
過しない。よって半導体レーザ５に帰還しない。
後に楕円偏光になった場合、その短軸成分は、第２の偏
光プリズム２に対するものと同じ偏光成分として第１の
偏光プリズム１に入射し通過して、半導体レーザ５の光
軸の方向に出射される。しかしこの短軸成分光の偏光面
は、偏光子６の光学軸に垂直であるので、偏光子６を通
過しない。よって半導体レーザ５に帰還しない。
また、ファラデー回転子３を通過後の楕円偏光の消光比
（短軸成分／長軸成分）の現状は、−３５ｄＢ以上であ
るので、事実上は直線偏光とみなして、差支えない。
（短軸成分／長軸成分）の現状は、−３５ｄＢ以上であ
るので、事実上は直線偏光とみなして、差支えない。
即ち、第２図に示したものは、光アイソレータの機能を
有する。
有する。
しかしながら上記従来の光アイソレータは、入゛射光と
出射光とが平行にシフトして偏倚している。
出射光とが平行にシフトして偏倚している。
このために、このような光アイソレータを送信部に組み
込む場合には、半導体レーザと光ファイバの光学軸とを
シフトして配置しなければならない。
込む場合には、半導体レーザと光ファイバの光学軸とを
シフトして配置しなければならない。
半導体レーザと光ファイバ７とを平行にシフトして配置
することは非常に困難なことで、光結合効率が低下する
という問題点がある。
することは非常に困難なことで、光結合効率が低下する
という問題点がある。
１丸〔問題点を解決するための手段〕
上記従来の問題点は、第１の偏光プリズム、第２の偏光
プリズムの入出射面が光軸に対して傾斜し、且つ、該第
１の偏光プリズムの順方向の出射光がファラデー回転子
の側面の中点において全反射して、該第２の偏光プリズ
ムに入射され、該第■の偏光プリズムへの順方向の入射
光の光軸と、該第２の偏光プリズムからの出射光の光軸
とが同一直線をなすよう構成されてなる、本発明の光ア
イソレータによって解決される。
プリズムの入出射面が光軸に対して傾斜し、且つ、該第
１の偏光プリズムの順方向の出射光がファラデー回転子
の側面の中点において全反射して、該第２の偏光プリズ
ムに入射され、該第■の偏光プリズムへの順方向の入射
光の光軸と、該第２の偏光プリズムからの出射光の光軸
とが同一直線をなすよう構成されてなる、本発明の光ア
イソレータによって解決される。
上記本発明の手段によれば、第１の偏光プリズムの入射
光と、第２の偏光プリズムからの出射光とか、同一直線
上にあるので、光源である半導体レーザと伝送路である
光ファイバとを、容易に、高精度に配置することができ
、且つ、第１、の偏光プリズムの出射光が、ファラデー
回転子の側面で全反射されるので、光結合効率が高い。
光と、第２の偏光プリズムからの出射光とか、同一直線
上にあるので、光源である半導体レーザと伝送路である
光ファイバとを、容易に、高精度に配置することができ
、且つ、第１、の偏光プリズムの出射光が、ファラデー
回転子の側面で全反射されるので、光結合効率が高い。
即ち従来の問題点は除去される。
以下図示実施例により、本発明の要旨を具体的
（１″ に説明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物
を示す。
（１″ に説明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物
を示す。
第１図は本発明の１実施例の構成図であって、（ａｌは
順方向の光路を、（ｂ）は逆方向の光路をそれぞれ示す
。
順方向の光路を、（ｂ）は逆方向の光路をそれぞれ示す
。
第１図において、光アイソレータは、複屈折性結晶体（
例えばルチル）よりなる第１の偏光プリズム１１と、例
えばＹＩＧ等の磁器光学結晶体よりなるファラデー回転
子１３と、第１の偏光プリズム１１と同形状、同材質で
、光学軸が第１の偏光プリズム１１の光学軸に対して４
５度傾いた第２の偏光プリズム１２とが、光軸上に順次
配置され構成されている。
例えばルチル）よりなる第１の偏光プリズム１１と、例
えばＹＩＧ等の磁器光学結晶体よりなるファラデー回転
子１３と、第１の偏光プリズム１１と同形状、同材質で
、光学軸が第１の偏光プリズム１１の光学軸に対して４
５度傾いた第２の偏光プリズム１２とが、光軸上に順次
配置され構成されている。
第１の偏光プリズム１１の入射面側には、半導体レーザ
５が設置され、半導体レーザ５の出射光が、グラントム
ソンプリズムのような偏光子６を経て第１の偏光プリズ
ム１１の入射面に傾斜して入射するように配置されてい
る。また、第２の偏光プリズム１２の後方には１．光フ
ァイバ７が設置されている。
５が設置され、半導体レーザ５の出射光が、グラントム
ソンプリズムのような偏光子６を経て第１の偏光プリズ
ム１１の入射面に傾斜して入射するように配置されてい
る。また、第２の偏光プリズム１２の後方には１．光フ
ァイバ７が設置されている。
ファラデー回転子１３の磁界方向は半導体レーザ５の光
軸に平行で、図示の矢印Ｈ方向であり、第１の偏光プリ
ズム１１の光学軸は紙面に垂直（Ｘ軸で示す）な面に対
して２２．５度傾斜している。また、偏光子６の光学軸
は、第１の偏光プリズム１１の光学軸に垂直、即ち紙面
に平行（Ｙ軸で示す）な面に対して２２．５度傾斜する
如く設置しである。
軸に平行で、図示の矢印Ｈ方向であり、第１の偏光プリ
ズム１１の光学軸は紙面に垂直（Ｘ軸で示す）な面に対
して２２．５度傾斜している。また、偏光子６の光学軸
は、第１の偏光プリズム１１の光学軸に垂直、即ち紙面
に平行（Ｙ軸で示す）な面に対して２２．５度傾斜する
如く設置しである。
なお、第１の偏光プリズム１１の出射光が、ファラデー
回転子１３の側面１３ａの中点で全反射角（ファラデー
回転子１３の屈折率が２．２のとき全反射角ｅ、は２７
度）で投射するように、第１の偏光プリズム１１への入
射角、及び第１の偏光プリズム１１の頂角を選択しであ
る。また、第１の偏光プリズム１１と第２の偏光プリズ
ム１２とは、ファラデー回転子１３に対して対称に配置
しである。
回転子１３の側面１３ａの中点で全反射角（ファラデー
回転子１３の屈折率が２．２のとき全反射角ｅ、は２７
度）で投射するように、第１の偏光プリズム１１への入
射角、及び第１の偏光プリズム１１の頂角を選択しであ
る。また、第１の偏光プリズム１１と第２の偏光プリズ
ム１２とは、ファラデー回転子１３に対して対称に配置
しである。
なお、第２の偏光プリズム１２は、第１の偏光プリズム
１１と同形のものを第１の偏光プリズム１１に対して１
８０度反軸反転配置したちである。
１１と同形のものを第１の偏光プリズム１１に対して１
８０度反軸反転配置したちである。
このように構成配置されているので、半導体レーザ５の
出射光、即ち順方向の光は、第１図ｆａｔのように、偏
光子６によりＹ軸に２２．５度傾斜した成分のみが通過
し、直線偏光で第１の偏光プリズム１１に入射する。
出射光、即ち順方向の光は、第１図ｆａｔのように、偏
光子６によりＹ軸に２２．５度傾斜した成分のみが通過
し、直線偏光で第１の偏光プリズム１１に入射する。
したがって、第１の偏光プリズム１１で常光屈折率で屈
折して透過し、ファラデー回転子３に入射する。そして
、ファラデー回転子１３の側面１３ａの中点で全反射し
て、ファラデー回転子１３を通過する間に偏光面が４５
度回転され、第２の偏光プリズム１２に入射する。
折して透過し、ファラデー回転子３に入射する。そして
、ファラデー回転子１３の側面１３ａの中点で全反射し
て、ファラデー回転子１３を通過する間に偏光面が４５
度回転され、第２の偏光プリズム１２に入射する。
この光は、第２の偏光プリズム１２で常光屈折率で屈折
し通過して、第１の偏光プリズム１１の入射面の入射点
と対称の出射点、即ち半導体レーザ５の光軸と同一直線
上の点で、平行な出射光となり半導体レーザ５の光軸に
一致して設置した光ファイバ７の端面に、垂直に入射し
て光ファイバ７に伝送される。
し通過して、第１の偏光プリズム１１の入射面の入射点
と対称の出射点、即ち半導体レーザ５の光軸と同一直線
上の点で、平行な出射光となり半導体レーザ５の光軸に
一致して設置した光ファイバ７の端面に、垂直に入射し
て光ファイバ７に伝送される。
以上は半導体レーザ５の出射光のうち、第１の偏光プリ
ズム１１に対して常光成分のみを考えた場合であるが、
偏光子６を第１の偏光プリズム１１の光学軸方向に一致
させた場合、即ち第１の偏光プリズム１１に対する異常
光を入射した場合にも同様のことが成立する。この場合
は、第１の偏光プリズム１１．第２の偏光プリズム１２
のいずれに対しても、異常光として屈折する。
ズム１１に対して常光成分のみを考えた場合であるが、
偏光子６を第１の偏光プリズム１１の光学軸方向に一致
させた場合、即ち第１の偏光プリズム１１に対する異常
光を入射した場合にも同様のことが成立する。この場合
は、第１の偏光プリズム１１．第２の偏光プリズム１２
のいずれに対しても、異常光として屈折する。
なお、なお、偏光子６の入射面には、無反射コーテング
を施してあり、また第１の偏光プリズム１１．７アラデ
一回転子１３、第２の偏光プリズム１２のそれぞれの入
射面にも無反射コーテングを施し、しかもこれらの入射
面に対してすべて斜めに入射するように光路を選択しで
あるので、これらの面からの、反射戻り光が極めて少な
くて、且つ光結合度が高い。
を施してあり、また第１の偏光プリズム１１．７アラデ
一回転子１３、第２の偏光プリズム１２のそれぞれの入
射面にも無反射コーテングを施し、しかもこれらの入射
面に対してすべて斜めに入射するように光路を選択しで
あるので、これらの面からの、反射戻り光が極めて少な
くて、且つ光結合度が高い。
次に、光ファイバ７の入射面での反射光、即ち逆方向の
光について第１図（ｂｌを参照しながら説明する 第２の偏光プリズム１２の光学軸に垂直方向の偏光面を
有している偏光が入射する場合は、この光は、第２の偏
光プリズム１２に正常光として入射し、正常光屈折率で
屈折し通過して、ファラデー回転子１３の側面１３ａに
入射角θ２で投射される。
光について第１図（ｂｌを参照しながら説明する 第２の偏光プリズム１２の光学軸に垂直方向の偏光面を
有している偏光が入射する場合は、この光は、第２の偏
光プリズム１２に正常光として入射し、正常光屈折率で
屈折し通過して、ファラデー回転子１３の側面１３ａに
入射角θ２で投射される。
ここにおいて、
θ２ ＝ｅ。
全反射角θ１＝入射角θ２
であるので、側面１３ａの中点で全反射して、偏光面が
４５度回転されて、第１の偏光プリズム１１の光学軸に
平行した偏光面（Ｙ軸に２２．５度傾斜した面）となり
、第１の偏光プリズム１１に入射する。
４５度回転されて、第１の偏光プリズム１１の光学軸に
平行した偏光面（Ｙ軸に２２．５度傾斜した面）となり
、第１の偏光プリズム１１に入射する。
そして異常光屈折率で屈折し、通過して、半導体レーザ
５の光軸に対して大きく上方に傾斜した実線ｍ３で示す
方向に出射される。′ また、第２の偏光プリズム１２に入射する光が光学軸方
向の偏光である場合、この光は第２の偏光プリズム１２
に異常光として入射し、異常光屈折率で屈折し、ファラ
デー回転子１３の側面１３ａに入射角ｅ２で投射される
が、この場合 全反射角ｅ、＞入射角ｅ２ であるので、側面１３ａで一部は鎖線で示す如くに、フ
ァラデー回転子１３の外に出射し、他の一部は反射して
、偏光面が４５度回転されて、第１の偏光プリズム１１
の光学軸に垂直の偏光面（Ｘ軸に２２．５度傾斜したｍ
）となり、第１の偏光プリズム１１に入射する。
５の光軸に対して大きく上方に傾斜した実線ｍ３で示す
方向に出射される。′ また、第２の偏光プリズム１２に入射する光が光学軸方
向の偏光である場合、この光は第２の偏光プリズム１２
に異常光として入射し、異常光屈折率で屈折し、ファラ
デー回転子１３の側面１３ａに入射角ｅ２で投射される
が、この場合 全反射角ｅ、＞入射角ｅ２ であるので、側面１３ａで一部は鎖線で示す如くに、フ
ァラデー回転子１３の外に出射し、他の一部は反射して
、偏光面が４５度回転されて、第１の偏光プリズム１１
の光学軸に垂直の偏光面（Ｘ軸に２２．５度傾斜したｍ
）となり、第１の偏光プリズム１１に入射する。
そして正常屈折率で屈折し、通過して半導体レーザー５
の光軸に対して大きく下方に傾斜した鎖線ｍ４で示す方
向に出射される。
の光軸に対して大きく下方に傾斜した鎖線ｍ４で示す方
向に出射される。
したがって、光ファイバの反射光等の逆方向の光は、半
導体レーザ５に帰還されない。
導体レーザ５に帰還されない。
なお、逆方向の直線偏光が、ファラデー回転子１３を通
過後に楕円偏光になった場合においても、第２図におい
て説明した通り、その影響は殆どない。
過後に楕円偏光になった場合においても、第２図におい
て説明した通り、その影響は殆どない。
上述のように、本発明は第１の偏光プリズム１１の入射
光と、第２の偏光プリズム１２の出射光とが、同一直線
上にあるので、光源である半導体レーザ５と伝送路であ
る光ファイバ７とを、容易に、高精度に配置することが
でき、且つ、第１の偏光プリズム１１の出射光が、ファ
ラデー回転子１３の側面１３ａにいて全反射されるので
、光アイソレータを挿入することによる、光伝送損失を
極力低く押さえることができる。
光と、第２の偏光プリズム１２の出射光とが、同一直線
上にあるので、光源である半導体レーザ５と伝送路であ
る光ファイバ７とを、容易に、高精度に配置することが
でき、且つ、第１の偏光プリズム１１の出射光が、ファ
ラデー回転子１３の側面１３ａにいて全反射されるので
、光アイソレータを挿入することによる、光伝送損失を
極力低く押さえることができる。
以上説明したように本発明は、第１の偏光プリズムの入
射光と、第２の偏光プリズムの出射光とが、同一直線上
にあるので、光源と伝送路とを、容易に、高精度に配置
することができ、且つ、第１の偏光プリズムの出射光が
、ファラデー回転子の側面で全反射されるので、光アイ
ソレータ内での光伝送損失が少ない等、実用上で優れた
効果がある。
射光と、第２の偏光プリズムの出射光とが、同一直線上
にあるので、光源と伝送路とを、容易に、高精度に配置
することができ、且つ、第１の偏光プリズムの出射光が
、ファラデー回転子の側面で全反射されるので、光アイ
ソレータ内での光伝送損失が少ない等、実用上で優れた
効果がある。
第１図は本発明の１実施例の構成図で、（ａｌは順方向
の光路、（ｂ）は逆方向の光路を示し、第２図は従来の
光アイソレータの構成図で、（ａ）は順方向の光路、（
ｂ）は逆方向の光路を示す。 図において、 １．１１は第１の偏光プリズム、 ２．１２は第２の偏光プリズム、 ３．１３はファラデー回転子、 １３ａはファラデー回転子の側面、 （５は半導体レーザ、 ６は偏光子、 ７は光ファイバをそれぞれ示す。 察１ 目 率Ｚ璽 （α）
の光路、（ｂ）は逆方向の光路を示し、第２図は従来の
光アイソレータの構成図で、（ａ）は順方向の光路、（
ｂ）は逆方向の光路を示す。 図において、 １．１１は第１の偏光プリズム、 ２．１２は第２の偏光プリズム、 ３．１３はファラデー回転子、 １３ａはファラデー回転子の側面、 （５は半導体レーザ、 ６は偏光子、 ７は光ファイバをそれぞれ示す。 察１ 目 率Ｚ璽 （α）
Claims (1)
- 第１の偏光プリズムと、ファラデー回転子と、該第１の
偏光プリズムに対して光学軸が４５度傾いた第２の偏光
プリズムとを、光軸上に順次配置してなる光アイソレー
タにおいて、該第１、第２の偏光プリズムの入出射面が
光軸に対して傾斜し、且つ該第１の偏光プリズムの順方
向の出射光が該ファラデー回転子の側面の中点において
全反射して該第２の偏光プリズムに入射され、該第１の
偏光プリズムへの順方向の入射光の光軸と、該第２の偏
光プリズムの出射光の光軸とが同一直線をなすよう構成
されてなることを特徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22490184A JPS61102621A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 光アイソレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22490184A JPS61102621A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 光アイソレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61102621A true JPS61102621A (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=16820927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22490184A Pending JPS61102621A (ja) | 1984-10-25 | 1984-10-25 | 光アイソレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61102621A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5726801A (en) * | 1994-12-21 | 1998-03-10 | E-Tek Dynamics, Inc. | Reduced optical isolator module for a miniaturized laser diode assembly |
| US6301045B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-10-09 | Alliance Fiber Optics Products, Inc. | Three-port optical circulator |
-
1984
- 1984-10-25 JP JP22490184A patent/JPS61102621A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5726801A (en) * | 1994-12-21 | 1998-03-10 | E-Tek Dynamics, Inc. | Reduced optical isolator module for a miniaturized laser diode assembly |
| US6301045B1 (en) * | 1999-01-27 | 2001-10-09 | Alliance Fiber Optics Products, Inc. | Three-port optical circulator |
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