JP2686453B2 - 光アイソレータ - Google Patents
光アイソレータInfo
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- JP2686453B2 JP2686453B2 JP1251570A JP25157089A JP2686453B2 JP 2686453 B2 JP2686453 B2 JP 2686453B2 JP 1251570 A JP1251570 A JP 1251570A JP 25157089 A JP25157089 A JP 25157089A JP 2686453 B2 JP2686453 B2 JP 2686453B2
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Description
本発明は、光源から発した光が光学系の端面で反射し
光源に戻るのを防止するための光アイソレータに関する
ものである。
光源に戻るのを防止するための光アイソレータに関する
ものである。
光源からの光を光学系を介して伝達しようとすると、
光学系の端面で反射した光が光源に戻ってくる。例えば
光ファイバによる信号伝送で、レーザー光源から発した
光はレンズを介してファイバ端面に投影され、その多く
は伝送光としてファイバ内部に入ってゆくが、レンズや
ファイバの端面で表面反射をしてレーザー光源まで戻っ
てその端面で再度表面反射し、ノイズとなってしまう。 このようなノイズを消去するため、光アイソレータが
使用されている。光アイソレータは、第１図に示すよう
に、偏光子１、ファラデー回転子３および検光子２をこ
の順に並べたものである。偏光子１は矢印ｚ方向に偏光
方向を持っている。ファラデー回転子３は磁界Ｓ→Ｎ中
に置かれており、透過する光の偏光面を入射側から視て
時計方向（図示の出射側から視ると反時計方向）に45゜
回転させる。検光子２は、偏光子１に対し偏光方向が上
記の45゜回転した矢印ｚ→ｙ方向になっている。 光源からの光Ｏは、矢印Oz方向に偏光面を持つ偏光だ
けが偏光子１を通過し、ファラデー回転子３で偏光面が
45゜回転して検光子２の偏光方向ｚ→ｙに合致するた
め、検光子２を透過する。その透過光Ｏ（偏光面Oz→
ｙ）のうち、多くは次の光学系、例えば光ファイバ（不
図示）に入射するが、一部は光ファイバの端面で表面反
射する。その反射光Ｒ（偏光面Rz→ｙ）が上記とは逆向
に検光子２を透過し、ファラデー回転子３で偏光面が反
時計方向に45゜回転する。そのため反射光は、偏光面Ry
が偏光子１と直交するので透過することがない。したが
って反射光Ｒがノイズになることを防止できる。 このような光アイソレータでは、偏光子や検光子がそ
の偏光方向と直交する偏光面を有する光を消す性能、す
なわち消光性能が充分に高いことが求められる一方で、
偏光方向と同方向の偏光面を有する光の透過率の損失が
少ないこと、すなわち挿入損失が充分に低いことが要求
されている。 一方、第１図に示すように光アイソレータの光学端面
を、光源からの光軸と垂直に配置すると、入射光が偏光
子、ファラデー回転子、検光子の表面で反射して光源に
戻り、ノイズとなってしまう。このノイズを防ぐには、
光学端面を光源からの光軸に対して傾けて配置すること
で、表面反射光を光路外に外すことが有効である。例え
ば特開昭64−20522号公報には、偏光子、ファラデー回
転子、検光子を個別に傾け、偏光子、ファラデー回転
子、検光子の表面反射光が光源に戻らないようにした光
アイソレータが開示されている。
光学系の端面で反射した光が光源に戻ってくる。例えば
光ファイバによる信号伝送で、レーザー光源から発した
光はレンズを介してファイバ端面に投影され、その多く
は伝送光としてファイバ内部に入ってゆくが、レンズや
ファイバの端面で表面反射をしてレーザー光源まで戻っ
てその端面で再度表面反射し、ノイズとなってしまう。 このようなノイズを消去するため、光アイソレータが
使用されている。光アイソレータは、第１図に示すよう
に、偏光子１、ファラデー回転子３および検光子２をこ
の順に並べたものである。偏光子１は矢印ｚ方向に偏光
方向を持っている。ファラデー回転子３は磁界Ｓ→Ｎ中
に置かれており、透過する光の偏光面を入射側から視て
時計方向（図示の出射側から視ると反時計方向）に45゜
回転させる。検光子２は、偏光子１に対し偏光方向が上
記の45゜回転した矢印ｚ→ｙ方向になっている。 光源からの光Ｏは、矢印Oz方向に偏光面を持つ偏光だ
けが偏光子１を通過し、ファラデー回転子３で偏光面が
45゜回転して検光子２の偏光方向ｚ→ｙに合致するた
め、検光子２を透過する。その透過光Ｏ（偏光面Oz→
ｙ）のうち、多くは次の光学系、例えば光ファイバ（不
図示）に入射するが、一部は光ファイバの端面で表面反
射する。その反射光Ｒ（偏光面Rz→ｙ）が上記とは逆向
に検光子２を透過し、ファラデー回転子３で偏光面が反
時計方向に45゜回転する。そのため反射光は、偏光面Ry
が偏光子１と直交するので透過することがない。したが
って反射光Ｒがノイズになることを防止できる。 このような光アイソレータでは、偏光子や検光子がそ
の偏光方向と直交する偏光面を有する光を消す性能、す
なわち消光性能が充分に高いことが求められる一方で、
偏光方向と同方向の偏光面を有する光の透過率の損失が
少ないこと、すなわち挿入損失が充分に低いことが要求
されている。 一方、第１図に示すように光アイソレータの光学端面
を、光源からの光軸と垂直に配置すると、入射光が偏光
子、ファラデー回転子、検光子の表面で反射して光源に
戻り、ノイズとなってしまう。このノイズを防ぐには、
光学端面を光源からの光軸に対して傾けて配置すること
で、表面反射光を光路外に外すことが有効である。例え
ば特開昭64−20522号公報には、偏光子、ファラデー回
転子、検光子を個別に傾け、偏光子、ファラデー回転
子、検光子の表面反射光が光源に戻らないようにした光
アイソレータが開示されている。
しかし同公報に開示された構成の光アイソレータで
は、消光性能および挿入損失ともに不充分である。 従来、偏光子および検光子に用いられていた偏光ビー
ムスプリッタPBSは、消光比が30〜50dBであり、視野角
が小さいために傾斜角度をあまり大きくできない。天然
の複屈折性結晶（例えば方解石）を用いた偏光プリズム
は、視野角が広いものの、結晶内における特性のならつ
きが大きく、光路長が短いローションタイプで消光比が
50dB程度であった。消光比が60dB程度以上を得るために
は、光路長が長くなり、光アイソレータの高性能化と小
型化を両立させることが困難であった。 本発明は、このような点を改善し、消光性能および挿
入損失が優れた光アイソレータを提供するものである。
は、消光性能および挿入損失ともに不充分である。 従来、偏光子および検光子に用いられていた偏光ビー
ムスプリッタPBSは、消光比が30〜50dBであり、視野角
が小さいために傾斜角度をあまり大きくできない。天然
の複屈折性結晶（例えば方解石）を用いた偏光プリズム
は、視野角が広いものの、結晶内における特性のならつ
きが大きく、光路長が短いローションタイプで消光比が
50dB程度であった。消光比が60dB程度以上を得るために
は、光路長が長くなり、光アイソレータの高性能化と小
型化を両立させることが困難であった。 本発明は、このような点を改善し、消光性能および挿
入損失が優れた光アイソレータを提供するものである。
前記課題を解決するための本発明を適用した光アイソ
レータを、図面により説明する。 本発明の第１発明の光アイソレータは、第１図に示す
ように、偏光子１、光の進行方向の磁界Ｓ→Ｎ中に置か
れたファラデー回転子３、および検光子２を順に並べた
もので、偏光子１または／および検光子２としてルチル
セナルモンプリズムを用いることを特徴としている。 本発明の第２発明の光アイソレータは、同じく第１図
に示すように、偏光子１、光の進行方向の磁界Ｓ→Ｎ中
に置かれたファラデー回転子３、および検光子２を順に
並べたもので、偏光子１または／および検光子２として
ルチルセナルモンプリズムを用いる。例えば偏光子１に
ルチルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子１の持
つ光軸ｃと偏光方向Ｚに直交する方向ｙとにより形成さ
れる面を基準直交面ｃ−ｙ（第３図参照）として偏光子
１を基準直交面ｃ−ｙが保たれる方向に角度θｙ＝0.1
〜16゜傾斜させる。偏光方向ｚと光源から光学系に至る
光軸ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｚ（第３図参
照）としたとき、基準面ｃ−ｚが保たれる方向に0.1〜1
0゜傾斜させる。 尚、上記のように偏光子１を傾斜させる場合は、ファ
ラデー回転子３を同時に傾斜させてもよい。 本発明の第３発明の光アイソレータは、第２図に示す
ように、偏光子１、ファラデー回転子３、および検光子
２と、偏光子２（検光子２と共通）、ファラデー回転子
５、および検光子４の組み合わせが複数の多段型になて
いる。偏光子１または／および検光子２と、偏光子２ま
たは／および検光子４としてルチルセナルモンプリズム
を用いる。さらにルチルセナルモンプリズムを用いた偏
光子または／および検光子を第２発明のように傾斜させ
てもよい。
レータを、図面により説明する。 本発明の第１発明の光アイソレータは、第１図に示す
ように、偏光子１、光の進行方向の磁界Ｓ→Ｎ中に置か
れたファラデー回転子３、および検光子２を順に並べた
もので、偏光子１または／および検光子２としてルチル
セナルモンプリズムを用いることを特徴としている。 本発明の第２発明の光アイソレータは、同じく第１図
に示すように、偏光子１、光の進行方向の磁界Ｓ→Ｎ中
に置かれたファラデー回転子３、および検光子２を順に
並べたもので、偏光子１または／および検光子２として
ルチルセナルモンプリズムを用いる。例えば偏光子１に
ルチルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子１の持
つ光軸ｃと偏光方向Ｚに直交する方向ｙとにより形成さ
れる面を基準直交面ｃ−ｙ（第３図参照）として偏光子
１を基準直交面ｃ−ｙが保たれる方向に角度θｙ＝0.1
〜16゜傾斜させる。偏光方向ｚと光源から光学系に至る
光軸ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｚ（第３図参
照）としたとき、基準面ｃ−ｚが保たれる方向に0.1〜1
0゜傾斜させる。 尚、上記のように偏光子１を傾斜させる場合は、ファ
ラデー回転子３を同時に傾斜させてもよい。 本発明の第３発明の光アイソレータは、第２図に示す
ように、偏光子１、ファラデー回転子３、および検光子
２と、偏光子２（検光子２と共通）、ファラデー回転子
５、および検光子４の組み合わせが複数の多段型になて
いる。偏光子１または／および検光子２と、偏光子２ま
たは／および検光子４としてルチルセナルモンプリズム
を用いる。さらにルチルセナルモンプリズムを用いた偏
光子または／および検光子を第２発明のように傾斜させ
てもよい。
ルチルセナルモンプリズムは、視野角が大きいために
傾斜角度を大きくできる。結晶内における特性のばらつ
きが少ない。そのため、上記のように偏光子または／お
よび検光子としてルチルセナルモンプリズムを用いて光
アイソレータを構成したことにより、消光性能を向上さ
せることができる。特に光アイソレータの素子を角度を
大きく傾斜させることができるため、各光学素子表面で
起こる表面反射成分は光軸から外れ、光源に戻ることが
なくなるから、光源のノイズを減らすことができる。傾
斜角度を上記の角度範囲内にしたことにより、光アイソ
レータとしての消光性能が充分に高く、挿入損失が充分
に低いまま表面反射成分が光源に戻ることを防止でき
る。
傾斜角度を大きくできる。結晶内における特性のばらつ
きが少ない。そのため、上記のように偏光子または／お
よび検光子としてルチルセナルモンプリズムを用いて光
アイソレータを構成したことにより、消光性能を向上さ
せることができる。特に光アイソレータの素子を角度を
大きく傾斜させることができるため、各光学素子表面で
起こる表面反射成分は光軸から外れ、光源に戻ることが
なくなるから、光源のノイズを減らすことができる。傾
斜角度を上記の角度範囲内にしたことにより、光アイソ
レータとしての消光性能が充分に高く、挿入損失が充分
に低いまま表面反射成分が光源に戻ることを防止でき
る。
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。 第１図に示すように本発明の光アイソレータは、偏光
子１、磁界Ｓ→Ｎ中に置かれたファラデー回転子３、お
よび検光子２を順に並べたもので、例えば半導体レーザ
ーと光ファイバの中間に配置されている。 偏光子１にルチルセナルモンプリズムを用いる。ルチ
ルセナルモンプリズムは、ルチル結晶の光学軸方位の異
なる２個のプリズム1a、1bを接合してある。偏光子１と
検光子２の光入射面および光出射面には夫々反射防止の
薄膜コーティングが施されている。また上下面および両
側面は迷光を吸収するために黒塗りがされている。 ファラデー回転子３は、GGG（ガドリニウム、ガリウ
ム、ガーネット）単結晶の一部をGa、Mg、Zrで置換した
厚さ500μｍの基板に、ガーネット（BiGdTb）３（FeG
a）5O12単結晶を液相エキピタルシャルで400μｍの厚さ
に着けてから380μｍの厚さまでに研磨したものであ
る。光入射面および光出射面には夫々反射防止膜、上下
面および両側面には黒塗りが施されている。 この光アイソレータで、偏光子１及び検光子２に挿入
損失が0.03dBで消光比が60dBのルチルセナルモンプリズ
ム、ファラデー回転子３に挿入損失が0.03dBで消光比が
47dBの磁気光学素子を用い、偏光子１、ファラデー回転
子３、および検光子２を全く傾けないで構成した場合、
挿入損失が0.09dBで消光比が45dBであった。ファラデー
回転子３の大きさを3mm□にした光アイソレータでは8mm
φ×8mmの大きさにすることができた。 第１図に示した光アイソレータを、偏光子１の持つ偏
光方向ｚと光軸ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｚ
（第３図参照）としたとき、偏光子１およびファラデー
回転子３を基準面ｃ−ｚが保たれる方向に角度θｚ＝0.
1〜10゜傾斜させる。また光軸ｃと偏光方向ｚに直交す
る方向ｙとにより形成される面を基準直交面ｃ−ｙ（第
３図参照）として、基準直交面ｃ−ｙが保たれる方向に
角度θｙ＝0.1〜16゜傾斜させた。挿入損失および消光
性能にさしたる劣化がなく、表面反射によるノイズを軽
減できた。 同じく第１図に示した光アイソレータで、偏光子１と
ファラデー回転子３だけを、前記と同じ角度だけ傾斜さ
せたが、挿入損失および消光性能にさしたる劣化がな
く、表面反射によるノイズを軽減できた。 多段型の光アイソレータは、第２図に示すように、偏
光子１、偏光子１（検光子）２および偏光子（検光子）
４に挿入損失が0.03dBで消光比が60dBのルチルセナルモ
ンプリズム、ファラデー回転子３及びファラデー回転子
５に挿入損失が0.03dBで消光比が夫々43dBおよび45dBの
磁気光学素子を用い、光アイソレータを全く傾けないで
構成した場合、挿入損失が0.15dBで消光比が60dBであっ
た。ファラデー回転子３および５の大きさを3mm□にし
た光アイソレータでは8mmφ×12mmの大きさにすること
ができた。 同じく第２図に示す多段型の光アイソレータで、偏光
子（検光子）２を挿入損失が0.03dBで消光比が60dBのル
チルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子１および
偏光子（検光子）２に挿入損失が0.03dBで消光比が60dB
のルチルセナルモンプリズムを用いた場合も同様な結果
であった。 同じく第２図に示す多段型の光アイソレータで、各素
子を前記の角度だけ傾けたが、挿入損失および消光性能
にさしたる劣化がなく、表面反射によるノイズを軽減で
きた。 なお角度θｙは0.1〜16゜の範囲、角度θｚは0.1〜10
゜の範囲が好ましいという根拠は、上記によって得られ
たルチルセナルモンプリズムの偏光子１（または検光子
２）につき挿入損失の入射角依存性および消光性能の入
射角依存性を測定することにより決定された。 測定にあたって、入射光角度をθｙにするには、第４
図に示すように、光路Ｏを固定のままにしておき、偏光
子１の持つ偏光方向ｚに直交する方向ｙと光軸ｃとによ
り形成される面を基準直交面ｃ−ｙ（第３図参照）とし
たとき、偏光子１を基準直交面ｃ−ｙが保たれる方向に
角度θｙだけ傾斜させてゆく。また入射角度θｚにする
には、光軸ｃと偏光方向ｚとにより形成される面を基準
面ｃ−ｚとしたとき、偏光子１を基準面ｃ−ｚが保たれ
る方向に角度θｚだけ傾斜させてゆく。プリズム1aの側
から光を入射させた場合（光路O1）と、プリズム1bの側
から光を入射させた場合（光路O2）の両方について、挿
入損失および消光性能の変化を調べた。 第５図には偏光子であるルチルセナルモンプリズムに
ついての入射角度θｙまたはθｚに対する挿入損失の変
化を示してある。 第６図には同じくルチルセナルモンプリズムについて
の入射角度θｙまたはθｚに対する消光性能の変化を示
してある。 第５図に示した挿入損失と第６図に示した消光比性能
から、ルチルセナルモンプリズムを偏光子および検光子
として光アイソレータに用いる場合、表面反射成分を除
去するため偏光子および検光子を傾けるには、従来のよ
うに単に偏光子等を傾けるだけではなく、傾ける方向お
よびその方向によって規制されるべき角度の限界が必要
なことがわかる。挿入損失と消光性能の関係から、角度
θｙ方向への傾けは0.1〜16゜、角度θｚ方向への傾け
は0.1〜10゜程度の範囲内であれば挿入損失と消光性能
の劣化は殆どない。 なお、第５図と第６図に示した結果から、接合された
プリズム結晶光学軸方位の違いにより、光の入射方向で
挿入損失、消光比が異なることがわかる。このプリズム
をアイソレータに用いる場合、消光比が大きくなる方向
と逆の方向から入射させ（光路O1を採る）、反射光が入
射する（光路O2を採る）方向の消光比を高くするように
することが好ましいことがわかる。
子１、磁界Ｓ→Ｎ中に置かれたファラデー回転子３、お
よび検光子２を順に並べたもので、例えば半導体レーザ
ーと光ファイバの中間に配置されている。 偏光子１にルチルセナルモンプリズムを用いる。ルチ
ルセナルモンプリズムは、ルチル結晶の光学軸方位の異
なる２個のプリズム1a、1bを接合してある。偏光子１と
検光子２の光入射面および光出射面には夫々反射防止の
薄膜コーティングが施されている。また上下面および両
側面は迷光を吸収するために黒塗りがされている。 ファラデー回転子３は、GGG（ガドリニウム、ガリウ
ム、ガーネット）単結晶の一部をGa、Mg、Zrで置換した
厚さ500μｍの基板に、ガーネット（BiGdTb）３（FeG
a）5O12単結晶を液相エキピタルシャルで400μｍの厚さ
に着けてから380μｍの厚さまでに研磨したものであ
る。光入射面および光出射面には夫々反射防止膜、上下
面および両側面には黒塗りが施されている。 この光アイソレータで、偏光子１及び検光子２に挿入
損失が0.03dBで消光比が60dBのルチルセナルモンプリズ
ム、ファラデー回転子３に挿入損失が0.03dBで消光比が
47dBの磁気光学素子を用い、偏光子１、ファラデー回転
子３、および検光子２を全く傾けないで構成した場合、
挿入損失が0.09dBで消光比が45dBであった。ファラデー
回転子３の大きさを3mm□にした光アイソレータでは8mm
φ×8mmの大きさにすることができた。 第１図に示した光アイソレータを、偏光子１の持つ偏
光方向ｚと光軸ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｚ
（第３図参照）としたとき、偏光子１およびファラデー
回転子３を基準面ｃ−ｚが保たれる方向に角度θｚ＝0.
1〜10゜傾斜させる。また光軸ｃと偏光方向ｚに直交す
る方向ｙとにより形成される面を基準直交面ｃ−ｙ（第
３図参照）として、基準直交面ｃ−ｙが保たれる方向に
角度θｙ＝0.1〜16゜傾斜させた。挿入損失および消光
性能にさしたる劣化がなく、表面反射によるノイズを軽
減できた。 同じく第１図に示した光アイソレータで、偏光子１と
ファラデー回転子３だけを、前記と同じ角度だけ傾斜さ
せたが、挿入損失および消光性能にさしたる劣化がな
く、表面反射によるノイズを軽減できた。 多段型の光アイソレータは、第２図に示すように、偏
光子１、偏光子１（検光子）２および偏光子（検光子）
４に挿入損失が0.03dBで消光比が60dBのルチルセナルモ
ンプリズム、ファラデー回転子３及びファラデー回転子
５に挿入損失が0.03dBで消光比が夫々43dBおよび45dBの
磁気光学素子を用い、光アイソレータを全く傾けないで
構成した場合、挿入損失が0.15dBで消光比が60dBであっ
た。ファラデー回転子３および５の大きさを3mm□にし
た光アイソレータでは8mmφ×12mmの大きさにすること
ができた。 同じく第２図に示す多段型の光アイソレータで、偏光
子（検光子）２を挿入損失が0.03dBで消光比が60dBのル
チルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子１および
偏光子（検光子）２に挿入損失が0.03dBで消光比が60dB
のルチルセナルモンプリズムを用いた場合も同様な結果
であった。 同じく第２図に示す多段型の光アイソレータで、各素
子を前記の角度だけ傾けたが、挿入損失および消光性能
にさしたる劣化がなく、表面反射によるノイズを軽減で
きた。 なお角度θｙは0.1〜16゜の範囲、角度θｚは0.1〜10
゜の範囲が好ましいという根拠は、上記によって得られ
たルチルセナルモンプリズムの偏光子１（または検光子
２）につき挿入損失の入射角依存性および消光性能の入
射角依存性を測定することにより決定された。 測定にあたって、入射光角度をθｙにするには、第４
図に示すように、光路Ｏを固定のままにしておき、偏光
子１の持つ偏光方向ｚに直交する方向ｙと光軸ｃとによ
り形成される面を基準直交面ｃ−ｙ（第３図参照）とし
たとき、偏光子１を基準直交面ｃ−ｙが保たれる方向に
角度θｙだけ傾斜させてゆく。また入射角度θｚにする
には、光軸ｃと偏光方向ｚとにより形成される面を基準
面ｃ−ｚとしたとき、偏光子１を基準面ｃ−ｚが保たれ
る方向に角度θｚだけ傾斜させてゆく。プリズム1aの側
から光を入射させた場合（光路O1）と、プリズム1bの側
から光を入射させた場合（光路O2）の両方について、挿
入損失および消光性能の変化を調べた。 第５図には偏光子であるルチルセナルモンプリズムに
ついての入射角度θｙまたはθｚに対する挿入損失の変
化を示してある。 第６図には同じくルチルセナルモンプリズムについて
の入射角度θｙまたはθｚに対する消光性能の変化を示
してある。 第５図に示した挿入損失と第６図に示した消光比性能
から、ルチルセナルモンプリズムを偏光子および検光子
として光アイソレータに用いる場合、表面反射成分を除
去するため偏光子および検光子を傾けるには、従来のよ
うに単に偏光子等を傾けるだけではなく、傾ける方向お
よびその方向によって規制されるべき角度の限界が必要
なことがわかる。挿入損失と消光性能の関係から、角度
θｙ方向への傾けは0.1〜16゜、角度θｚ方向への傾け
は0.1〜10゜程度の範囲内であれば挿入損失と消光性能
の劣化は殆どない。 なお、第５図と第６図に示した結果から、接合された
プリズム結晶光学軸方位の違いにより、光の入射方向で
挿入損失、消光比が異なることがわかる。このプリズム
をアイソレータに用いる場合、消光比が大きくなる方向
と逆の方向から入射させ（光路O1を採る）、反射光が入
射する（光路O2を採る）方向の消光比を高くするように
することが好ましいことがわかる。
以上詳細に説明したように本発明の光アイソレータ
は、ルチルセナルモンプリズムを用いることで高性能
化、小型化をじつげんできた。また光学素子を傾斜させ
たことにより、表面反射成分が光源に戻ることがなくな
るから、消光性能を高く保ち光源のノイズを減らすこと
ができる。傾斜方向を特定し、その角度を制限したこと
により、挿入損失が充分に低いまま消光性能を高く保つ
ことができる。
は、ルチルセナルモンプリズムを用いることで高性能
化、小型化をじつげんできた。また光学素子を傾斜させ
たことにより、表面反射成分が光源に戻ることがなくな
るから、消光性能を高く保ち光源のノイズを減らすこと
ができる。傾斜方向を特定し、その角度を制限したこと
により、挿入損失が充分に低いまま消光性能を高く保つ
ことができる。
第１図は光アイソレータの実施例を示す斜視図、第２図
は光りアイソレータの別な実施例の概略図、第３図は光
アイソレータの傾きを説明する図、第４図は偏光子を示
す斜視図、第５図は光アイソレータの挿入損失を示す
図、第６図は光アイソレータの消光比性能を示す図であ
る。 １、２、４……偏光子 ３、５……ファラデー回転子 1a、1b……ルチル結晶プリズム
は光りアイソレータの別な実施例の概略図、第３図は光
アイソレータの傾きを説明する図、第４図は偏光子を示
す斜視図、第５図は光アイソレータの挿入損失を示す
図、第６図は光アイソレータの消光比性能を示す図であ
る。 １、２、４……偏光子 ３、５……ファラデー回転子 1a、1b……ルチル結晶プリズム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−81927（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−139213（ＪＰ，Ｕ) 「化学大辞典５」 （昭51−９−10) 共立出版株式会社 Ｐ．366
Claims (3)
- 【請求項１】光源と光学系の中間に配置され、偏光子、
光の進行方向の磁界中に置かれたファラデー回転子、お
よび検光子からなる光アイソレータにおいて、偏光子ま
たは／および検光子がルチル結晶の光学方位の異なる２
個のプリズム板を接合したルチルセナルモンプリズムで
あることを特徴とする光アイソレータ。 - 【請求項２】前記ルチルセナルモンプリズムの持つ偏光
方向と前記光源から前記光学系に至る光軸とにより形成
される面を基準面、該光軸と該偏光方向に直交する面と
により形成される面を基準直交面とし、前記ルチルセナ
ルモンプリズムを、該基準面が保たれる方向に0.1〜10
゜傾斜させ、さらに該基準直交面が保たれる方向に0.1
〜16゜傾斜させたことを特徴とする請求項１に記載の光
アイソレータ。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載の光アイソ
レータが多段型であることを特徴とする光アイソレー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251570A JP2686453B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251570A JP2686453B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光アイソレータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03113414A JPH03113414A (ja) | 1991-05-14 |
| JP2686453B2 true JP2686453B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=17224781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1251570A Expired - Fee Related JP2686453B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686453B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0780717B1 (en) * | 1995-12-18 | 2001-11-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator and optical part having heat-resistant anti-reflection coating |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6481927A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Toshiba Corp | Optical device |
| JPH01139213U (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-22 |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP1251570A patent/JP2686453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 「化学大辞典５」 （昭５１−９−１０） 共立出版株式会社 Ｐ．３６６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03113414A (ja) | 1991-05-14 |
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