JPH03113414A - 光アイソレータ - Google Patents
光アイソレータInfo
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- JPH03113414A JPH03113414A JP25157089A JP25157089A JPH03113414A JP H03113414 A JPH03113414 A JP H03113414A JP 25157089 A JP25157089 A JP 25157089A JP 25157089 A JP25157089 A JP 25157089A JP H03113414 A JPH03113414 A JP H03113414A
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- analyzer
- optical
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Landscapes
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、光源から発した光が光学系の端面で反射し光
源に戻るのを防止するための光アイソレータに関するも
のである。
源に戻るのを防止するための光アイソレータに関するも
のである。
光源からの光を光学系を介して伝達しようとすると、光
学系の端面で反射した光が光源に戻ってくる。例えば光
ファイバによる信号伝送で、レーザー光源から発した光
はレンズを介してファイバ端面に投影され、その多くは
伝送光としてファイバ内部に入ってゆくが、レンズやフ
ァイバの端面で表面反射をしてレーザー光源まで戻って
その端面で再度表面反射し、ノイズとなってしまう。 このようなノイズを消去するため、光アイソレークが使
用されている。光アイソレータは、第１図に示すように
、偏光子１、ファラデー回転子３および検光子２をこの
順に並べたものである。 偏光子ｌは矢印Ｚ方向に偏光方向を持っている。 ファラデー回転子３は磁界５−４Ｎ中に置かれており、
透過する光の偏光面を入射側から視て時計方向（図示の
出射側から視ると反時計方向）に４５゜回転させる。検
光子２は、偏光子１に対し偏光方向が上記の４５°回転
した矢印Ｚ −４ｙ方向になっている。 光源からの光Ｏは、矢印Ｏｚ力方向偏光面を持つ偏光だ
けが偏光子１を通過し、ファラデー回転子３で偏光面が
４５°回転して検光子２の偏光方向Ｚ−ｙに合致するた
め、検光子２を透過する。その透過光Ｏ（偏光面Ｏｚ−
＋ｙ）のうち、多くは次の光学系、例えば光ファイバ（
不図示）に入射するが、一部は光ファイバの端面で表面
反射する。 その反射光Ｒ（偏光面ＲＺ −１ｙ ）が上記とは逆向
に検光子２を透過し、ファラデー回転子３で偏光面が反
時計方向に４５°回転する。そのため反射光は、偏光面
Ｒｙが偏光子１と直交するので透過することがない。し
たがって反射光Ｒがノイズになることを防止できる。 このような光アイソレータでは、偏光子や検光子がその
偏光方向と直交する偏光面を有する光を消す性能、すな
わち消光性能が充分に高いことが求められる一方で、偏
光方向と同方向の偏光面を有する光の透過率の損失が少
ないこと、すなわち挿入損失が充分に低いことが要求さ
れている。 一方、第１図に示すように光アイソレークの光学端面を
、光源からの光軸と垂直に配置すると、入射光が偏光子
、ファラデー回転子、検光子の表面で反射して光源に戻
り、ノイズとなってしまう。このノイズを防ぐには、光
学端面を光源からの光軸に対して傾けて配置することで
、表面反射光を光路外に外すことが有効である。例えば
特開昭６４−２０５２２号公報には、偏光子、ファラデ
ー回転子、検光子を個別に傾け、偏光子、ファラデー回
転子、検光子の表面反射光が光源に戻らないようにした
光アイソレータが開示されている。
学系の端面で反射した光が光源に戻ってくる。例えば光
ファイバによる信号伝送で、レーザー光源から発した光
はレンズを介してファイバ端面に投影され、その多くは
伝送光としてファイバ内部に入ってゆくが、レンズやフ
ァイバの端面で表面反射をしてレーザー光源まで戻って
その端面で再度表面反射し、ノイズとなってしまう。 このようなノイズを消去するため、光アイソレークが使
用されている。光アイソレータは、第１図に示すように
、偏光子１、ファラデー回転子３および検光子２をこの
順に並べたものである。 偏光子ｌは矢印Ｚ方向に偏光方向を持っている。 ファラデー回転子３は磁界５−４Ｎ中に置かれており、
透過する光の偏光面を入射側から視て時計方向（図示の
出射側から視ると反時計方向）に４５゜回転させる。検
光子２は、偏光子１に対し偏光方向が上記の４５°回転
した矢印Ｚ −４ｙ方向になっている。 光源からの光Ｏは、矢印Ｏｚ力方向偏光面を持つ偏光だ
けが偏光子１を通過し、ファラデー回転子３で偏光面が
４５°回転して検光子２の偏光方向Ｚ−ｙに合致するた
め、検光子２を透過する。その透過光Ｏ（偏光面Ｏｚ−
＋ｙ）のうち、多くは次の光学系、例えば光ファイバ（
不図示）に入射するが、一部は光ファイバの端面で表面
反射する。 その反射光Ｒ（偏光面ＲＺ −１ｙ ）が上記とは逆向
に検光子２を透過し、ファラデー回転子３で偏光面が反
時計方向に４５°回転する。そのため反射光は、偏光面
Ｒｙが偏光子１と直交するので透過することがない。し
たがって反射光Ｒがノイズになることを防止できる。 このような光アイソレータでは、偏光子や検光子がその
偏光方向と直交する偏光面を有する光を消す性能、すな
わち消光性能が充分に高いことが求められる一方で、偏
光方向と同方向の偏光面を有する光の透過率の損失が少
ないこと、すなわち挿入損失が充分に低いことが要求さ
れている。 一方、第１図に示すように光アイソレークの光学端面を
、光源からの光軸と垂直に配置すると、入射光が偏光子
、ファラデー回転子、検光子の表面で反射して光源に戻
り、ノイズとなってしまう。このノイズを防ぐには、光
学端面を光源からの光軸に対して傾けて配置することで
、表面反射光を光路外に外すことが有効である。例えば
特開昭６４−２０５２２号公報には、偏光子、ファラデ
ー回転子、検光子を個別に傾け、偏光子、ファラデー回
転子、検光子の表面反射光が光源に戻らないようにした
光アイソレータが開示されている。
しかし同公報に開示された構成の光アイソレータでは、
消光性能および挿入損失ともに不充分である。 従来、偏光子および検光子に用いられていた偏光ビーム
スプリッタＰＢＳは、消光比が３０〜５０ｄＢであり、
視野角が小さいために傾斜角度をあまり大きくできない
。天然の複屈折性結晶（例えば方解石）を用いた偏光プ
リズムは、視野角が広いものの、結晶内における特性の
ばらつきが太き（、光路長が短いローションタイプで消
光比が５０ｄＢ程度であった。消光比６０ｄＢ程度以上
を得るためには、光路長が長（なり、光アイソレータの
高性能化と小型化を両立させることが困難であった。 本発明は、このような点を改善し、消光性能および挿入
損失が優れた光アイソレータを提供するものである。
消光性能および挿入損失ともに不充分である。 従来、偏光子および検光子に用いられていた偏光ビーム
スプリッタＰＢＳは、消光比が３０〜５０ｄＢであり、
視野角が小さいために傾斜角度をあまり大きくできない
。天然の複屈折性結晶（例えば方解石）を用いた偏光プ
リズムは、視野角が広いものの、結晶内における特性の
ばらつきが太き（、光路長が短いローションタイプで消
光比が５０ｄＢ程度であった。消光比６０ｄＢ程度以上
を得るためには、光路長が長（なり、光アイソレータの
高性能化と小型化を両立させることが困難であった。 本発明は、このような点を改善し、消光性能および挿入
損失が優れた光アイソレータを提供するものである。
【課題を解決するための手段］
前記課厘を解決するための本発明を適用した光アイソレ
ータを、図面により説明する。 本発明の第１発明の光アイソレータは、第１図に示すよ
うに、偏光子１、光の進行方向の磁界５−ＩＮ中に置か
れたファラデー回転子３、および検光子２を順に並べた
もので、偏光子１または／および検光子２としてルチル
セナルモンプリズムを用いることを特徴としている。 本発明の第２発明の光アイソレータは、同じく第１図に
示すように、偏光子１、光の進行方向の磁界５−４Ｎ中
に置かれたファラデー回転子３、および検光子２を順に
並べたもので、偏光子ｌまたは／および検光子２として
ルチルセナルモンプリズムを用いる。例えば偏光子１に
ルチルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子１の持
つ光軸Ｃと偏光方向Ｚに直交する方向ｙとにより形成さ
れる面を基準直交面ｃ−ｙ（第３図参照）として偏光子
１を基準直交面ｃ−ｙが保たれる方向に角度θｙ＝Ｑ、
ｌ〜１６°傾斜させる。偏光方向Ｚと光源から光学系に
至る光軸Ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｚ（第３
図参照）としたとき、基準面Ｃ−Ｚが保たれる方向に０
．１〜１０°傾斜させる。 尚、上記のように偏光子１を傾斜させる場合は、ファラ
デー回転子３を同時に傾斜させてもよい。 本発明の第３発明の光アイソレータは、第２図に示すよ
うに、偏光子ｌ、ファラデー回転子３、および検光子２
と、偏光子２（検光子２と共通）、ファラデー回転子５
、および検光子４の組み合わせが複数の多段型になって
いる。偏光子１または／および検光子２と、偏光子２ま
たは／および検光子４としてルチルセナルモンプリズム
を用いる。さらにルチルセナルモンプリズムを用いた偏
光子または／および検光子を第２発明のように傾斜させ
てもよい。 【作用】 ルチルセナルモンプリズムは、視野角が大きいために傾
斜角度を大きくできる。結晶内における特性のばらつき
が少ない。そのため、上記のように偏光子または／およ
び検光子としてルチルセナルモンプリズムを用いて光ア
イソレータを構成したことにより、消光性能を向上させ
ることができる。特に光アイソレータの素子を角度を大
きく傾斜させることができるため、各光学素子表面で起
こる表面反射成分は光軸から外れ、光源に戻ることがな
（なるから、光源のノイズを減らすことができる。傾斜
角度を上記の角度範囲内にしたことにより、光アイソレ
ータとしての消光性能が充分に高く、挿入損失が充分に
低いまま表面反射成分が光源に戻ることを防止できる。 【実施例］ 以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。 第１図に示すように本発明の光アイソレータは、偏光子
１１磁界Ｓ−Ｎ中に置かれたファラデー回転子３、およ
び検光子２を順に並べたもので、例えば半導体レーザー
と光ファイバの中間に配置されている。 偏光子ｌにルチルセナルモンプリズムを用いる。ルチル
セナルモンプリズムは、ルチル結晶の光学軸方位の異な
る２個のプリズム１ａ、１ｂを接合しである。偏光子ｌ
と検光子２の光入射面および光出射面には夫々反射防止
の薄膜コーティングが施されている。また上下面および
両側面は迷光を吸収するために黒塗りがされている。 ファラデー回転子３は、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット）単結晶の一部をＧａ、Ｍｇ、 Ｚｒ
で置換した厚さ ５００μｍの基板に、ガーネット（Ｂ
ｉＧｄＴｂ） ｓ （ＦｅＧａ） ８０１２単結晶を液
相エキビタルシャルで４００μｍの厚さに着けてか′ら
３８０μｍの厚さまでに研磨したものである。光入射
面および光出射面には夫々反射防止膜、上下面および両
側面には黒塗りが施されている。 この光アイソレータで、偏光子ｌ及び検光子２に挿入損
失が０．０３ｄＢで消光比が６０ｄＢのルチルセナルモ
ンプリズム、ファラデー回転子３に挿入損失が０．０３
ｄＢで消光比が４７ｄＢの磁気光学素子を用い、偏光子
１、ファラデー回転子３、および検光子２を全く傾けな
いで構成した場合、挿入損失が０、０９ｄＢで消光比が
４５ｄＢであった。ファラデー回転子３の大きさを３
ｍｍ口にした光アイソレータでは８ｍｍφＸ８ｍｍの大
きさにすることができた。 第１図に示した光アイソレータを、偏光子ｌの持つ偏光
方向Ｚと光軸Ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｚ（
第３図参照）としたとき、偏光子ｌおよびファラデー回
転子３を基準面Ｃ−Ｚが保たれる方向に角度θｚ＝ ０
．１〜１０＠傾斜させる。また光軸Ｃと偏光方向Ｚに直
交する方向ｙとにより形成される面を基準直交面ｃ−ｙ
（第３図参照）として、基準直交面ｃ−ｙが保たれる方
向に角度θｙ＝ ０．１〜１６°傾斜させた。挿入損失
および消光性能にさしたる劣化がなく、表面反射による
ノイズを軽減できた。 同じ（第１図に示した光アイソレータで、偏光子１とフ
ァラデー回転子３だけを、前記と同じ角度だけ傾斜させ
たが、挿入損失および消光性能にさしたる劣化がなく、
表面反射によるノイズを軽減できた。 多段型の光アイソレータは、第２図に示すように、偏光
子１、偏光子（検光子）２および偏光子（検光子）４に
挿入損失が０．０３ｄＢで消光比が６０ｄＢのルチルセ
ナルモンプリズム、ファラデー回転子３及びファラデー
回転子５に挿入損失が０．０３ｄＢで消光比が夫々４３
ｄＢおよび４５ｄＢの磁気光学素子を用い、光アイソレ
ータを全く傾けないで構成した場合、挿入損失が０．１
５ｄＢで消光比が６０ｄＢであった。 ファラデー回転子３および５の大きさを３ ｍｍ口にし
た光アイソレータでは８ｍｍ◆Ｘ １２ｍｍの大きさに
することができた。 同じく第２図に示す多段型の光アイソレータで、偏光子
（検光子）２を挿入損失が０．０３ｄＢで消光比が６０
ｄＢのルチルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子
１および偏光子（検光子）２に挿入損失が０．０３ｄＢ
で消光比が６０ｄＢのルチルセナルモンプリズムを用い
た場合も同様な結果であった。 同じく第２図に示す多段型の光アイソレータで、各素子
を前記の角度だけ傾けたが、挿入損失および消光性能に
さしたる劣化がなく、表面反射によるノイズを軽減でき
た。 なお角度θｙは０．１〜１６°で、角度θＺは０．１〜
１０°以下が好ましいという根拠は、上記によって得ら
れたルチルセナルモンプリズムの偏光子１（または検光
子２）につき挿入損失の入射角依存性および消光性能の
入射角依存性を測定することによりにより決定された。 測定にあたって、入射光角度をθｙにするには、第４図
に示すように、光路Ｏを固定のままにしておき、偏光子
ｌの持つ偏光方向Ｚに直交する方向ｙと光軸Ｃとにより
形成される面を基準直交面ｃ−ｙ（第３図参照）とした
とき、偏光子１を基準直交面ｃ−ｙが保たれる方向に角
度θｙだけ傾斜させてゆ（。また入射角度θＺにするに
は、光軸Ｃと偏光方向Ｚとにより形成される面を基準面
ｃ−ｚとしたとき、偏光子ｌを基準面ｃ−ｚが保たれる
方向に角度θＺだけ傾斜させてゆく。プリズム１ａの側
から光を入射させた場合（光路０．）と、プリズム１ｂ
の側から光を入射させた場合（光路０□）の両方につい
て、挿入損失および消光性能の変化を調べた。 第５図には偏光子であるルチルセナルモンプリズムにつ
いての入射角度θｙまたはθＺに対する挿入損失の変化
を示しである。 第６図には同じ（ルチルセナルモンプリズムについての
入射角度θｙまたはθＺに対する消光性能の変化を示し
である。 第５図に示した挿入損失と第６図に示した消光比性能か
ら、ルチルセナルモンプリズムを偏光子および検光子と
して光アイソレータに用いる場合、表面反射成分を除去
するため偏光子および検光子を傾けるには、従来のよう
に単に偏光子等を傾けるだけではなく、傾ける方向およ
びその方向によって規制されるべき角度の限界が必要な
ことがわかる。挿入損失と消光性能の関係から、角度θ
ｙ力方向の傾けは０．１〜１６°、角度θ２方向への傾
けは０．１〜ｌＯ°程度の範囲内であれば挿入損失と消
光性能の劣化は殆どない。 なお、第５図と第６図に示した結果から、接合されたプ
リズム結晶光学軸方位の違いにより、光の入射方向で挿
入損失、消光比が異なることがわかる。このプリズムを
アイソレータに用いる場合、消光比が太き（なる方向と
逆の方向から入射させ（光路０．を採る）、反射光が入
射する（光路０□を採る）方向の消光比を高（するよう
にすることが好ましいことがわかる。 【発明の効果］ 以上詳細に説明したように本発明の光アイソレータは、
ルチルセナルモンプリズムを用いることで高性能化、小
型化をじつげんできた。また光学素子を傾斜させたこと
により、表面反射成分が光源に戻ることがな（なるから
、消光性能を高（保ち光源のノイズを減らすことができ
る。傾斜方向を特定し、その角度を制限したことにより
、挿入損失が充分に低いまま消光性能を高く保つことが
できる。
ータを、図面により説明する。 本発明の第１発明の光アイソレータは、第１図に示すよ
うに、偏光子１、光の進行方向の磁界５−ＩＮ中に置か
れたファラデー回転子３、および検光子２を順に並べた
もので、偏光子１または／および検光子２としてルチル
セナルモンプリズムを用いることを特徴としている。 本発明の第２発明の光アイソレータは、同じく第１図に
示すように、偏光子１、光の進行方向の磁界５−４Ｎ中
に置かれたファラデー回転子３、および検光子２を順に
並べたもので、偏光子ｌまたは／および検光子２として
ルチルセナルモンプリズムを用いる。例えば偏光子１に
ルチルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子１の持
つ光軸Ｃと偏光方向Ｚに直交する方向ｙとにより形成さ
れる面を基準直交面ｃ−ｙ（第３図参照）として偏光子
１を基準直交面ｃ−ｙが保たれる方向に角度θｙ＝Ｑ、
ｌ〜１６°傾斜させる。偏光方向Ｚと光源から光学系に
至る光軸Ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｚ（第３
図参照）としたとき、基準面Ｃ−Ｚが保たれる方向に０
．１〜１０°傾斜させる。 尚、上記のように偏光子１を傾斜させる場合は、ファラ
デー回転子３を同時に傾斜させてもよい。 本発明の第３発明の光アイソレータは、第２図に示すよ
うに、偏光子ｌ、ファラデー回転子３、および検光子２
と、偏光子２（検光子２と共通）、ファラデー回転子５
、および検光子４の組み合わせが複数の多段型になって
いる。偏光子１または／および検光子２と、偏光子２ま
たは／および検光子４としてルチルセナルモンプリズム
を用いる。さらにルチルセナルモンプリズムを用いた偏
光子または／および検光子を第２発明のように傾斜させ
てもよい。 【作用】 ルチルセナルモンプリズムは、視野角が大きいために傾
斜角度を大きくできる。結晶内における特性のばらつき
が少ない。そのため、上記のように偏光子または／およ
び検光子としてルチルセナルモンプリズムを用いて光ア
イソレータを構成したことにより、消光性能を向上させ
ることができる。特に光アイソレータの素子を角度を大
きく傾斜させることができるため、各光学素子表面で起
こる表面反射成分は光軸から外れ、光源に戻ることがな
（なるから、光源のノイズを減らすことができる。傾斜
角度を上記の角度範囲内にしたことにより、光アイソレ
ータとしての消光性能が充分に高く、挿入損失が充分に
低いまま表面反射成分が光源に戻ることを防止できる。 【実施例］ 以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。 第１図に示すように本発明の光アイソレータは、偏光子
１１磁界Ｓ−Ｎ中に置かれたファラデー回転子３、およ
び検光子２を順に並べたもので、例えば半導体レーザー
と光ファイバの中間に配置されている。 偏光子ｌにルチルセナルモンプリズムを用いる。ルチル
セナルモンプリズムは、ルチル結晶の光学軸方位の異な
る２個のプリズム１ａ、１ｂを接合しである。偏光子ｌ
と検光子２の光入射面および光出射面には夫々反射防止
の薄膜コーティングが施されている。また上下面および
両側面は迷光を吸収するために黒塗りがされている。 ファラデー回転子３は、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット）単結晶の一部をＧａ、Ｍｇ、 Ｚｒ
で置換した厚さ ５００μｍの基板に、ガーネット（Ｂ
ｉＧｄＴｂ） ｓ （ＦｅＧａ） ８０１２単結晶を液
相エキビタルシャルで４００μｍの厚さに着けてか′ら
３８０μｍの厚さまでに研磨したものである。光入射
面および光出射面には夫々反射防止膜、上下面および両
側面には黒塗りが施されている。 この光アイソレータで、偏光子ｌ及び検光子２に挿入損
失が０．０３ｄＢで消光比が６０ｄＢのルチルセナルモ
ンプリズム、ファラデー回転子３に挿入損失が０．０３
ｄＢで消光比が４７ｄＢの磁気光学素子を用い、偏光子
１、ファラデー回転子３、および検光子２を全く傾けな
いで構成した場合、挿入損失が０、０９ｄＢで消光比が
４５ｄＢであった。ファラデー回転子３の大きさを３
ｍｍ口にした光アイソレータでは８ｍｍφＸ８ｍｍの大
きさにすることができた。 第１図に示した光アイソレータを、偏光子ｌの持つ偏光
方向Ｚと光軸Ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｚ（
第３図参照）としたとき、偏光子ｌおよびファラデー回
転子３を基準面Ｃ−Ｚが保たれる方向に角度θｚ＝ ０
．１〜１０＠傾斜させる。また光軸Ｃと偏光方向Ｚに直
交する方向ｙとにより形成される面を基準直交面ｃ−ｙ
（第３図参照）として、基準直交面ｃ−ｙが保たれる方
向に角度θｙ＝ ０．１〜１６°傾斜させた。挿入損失
および消光性能にさしたる劣化がなく、表面反射による
ノイズを軽減できた。 同じ（第１図に示した光アイソレータで、偏光子１とフ
ァラデー回転子３だけを、前記と同じ角度だけ傾斜させ
たが、挿入損失および消光性能にさしたる劣化がなく、
表面反射によるノイズを軽減できた。 多段型の光アイソレータは、第２図に示すように、偏光
子１、偏光子（検光子）２および偏光子（検光子）４に
挿入損失が０．０３ｄＢで消光比が６０ｄＢのルチルセ
ナルモンプリズム、ファラデー回転子３及びファラデー
回転子５に挿入損失が０．０３ｄＢで消光比が夫々４３
ｄＢおよび４５ｄＢの磁気光学素子を用い、光アイソレ
ータを全く傾けないで構成した場合、挿入損失が０．１
５ｄＢで消光比が６０ｄＢであった。 ファラデー回転子３および５の大きさを３ ｍｍ口にし
た光アイソレータでは８ｍｍ◆Ｘ １２ｍｍの大きさに
することができた。 同じく第２図に示す多段型の光アイソレータで、偏光子
（検光子）２を挿入損失が０．０３ｄＢで消光比が６０
ｄＢのルチルセナルモンプリズムを用いた場合、偏光子
１および偏光子（検光子）２に挿入損失が０．０３ｄＢ
で消光比が６０ｄＢのルチルセナルモンプリズムを用い
た場合も同様な結果であった。 同じく第２図に示す多段型の光アイソレータで、各素子
を前記の角度だけ傾けたが、挿入損失および消光性能に
さしたる劣化がなく、表面反射によるノイズを軽減でき
た。 なお角度θｙは０．１〜１６°で、角度θＺは０．１〜
１０°以下が好ましいという根拠は、上記によって得ら
れたルチルセナルモンプリズムの偏光子１（または検光
子２）につき挿入損失の入射角依存性および消光性能の
入射角依存性を測定することによりにより決定された。 測定にあたって、入射光角度をθｙにするには、第４図
に示すように、光路Ｏを固定のままにしておき、偏光子
ｌの持つ偏光方向Ｚに直交する方向ｙと光軸Ｃとにより
形成される面を基準直交面ｃ−ｙ（第３図参照）とした
とき、偏光子１を基準直交面ｃ−ｙが保たれる方向に角
度θｙだけ傾斜させてゆ（。また入射角度θＺにするに
は、光軸Ｃと偏光方向Ｚとにより形成される面を基準面
ｃ−ｚとしたとき、偏光子ｌを基準面ｃ−ｚが保たれる
方向に角度θＺだけ傾斜させてゆく。プリズム１ａの側
から光を入射させた場合（光路０．）と、プリズム１ｂ
の側から光を入射させた場合（光路０□）の両方につい
て、挿入損失および消光性能の変化を調べた。 第５図には偏光子であるルチルセナルモンプリズムにつ
いての入射角度θｙまたはθＺに対する挿入損失の変化
を示しである。 第６図には同じ（ルチルセナルモンプリズムについての
入射角度θｙまたはθＺに対する消光性能の変化を示し
である。 第５図に示した挿入損失と第６図に示した消光比性能か
ら、ルチルセナルモンプリズムを偏光子および検光子と
して光アイソレータに用いる場合、表面反射成分を除去
するため偏光子および検光子を傾けるには、従来のよう
に単に偏光子等を傾けるだけではなく、傾ける方向およ
びその方向によって規制されるべき角度の限界が必要な
ことがわかる。挿入損失と消光性能の関係から、角度θ
ｙ力方向の傾けは０．１〜１６°、角度θ２方向への傾
けは０．１〜ｌＯ°程度の範囲内であれば挿入損失と消
光性能の劣化は殆どない。 なお、第５図と第６図に示した結果から、接合されたプ
リズム結晶光学軸方位の違いにより、光の入射方向で挿
入損失、消光比が異なることがわかる。このプリズムを
アイソレータに用いる場合、消光比が太き（なる方向と
逆の方向から入射させ（光路０．を採る）、反射光が入
射する（光路０□を採る）方向の消光比を高（するよう
にすることが好ましいことがわかる。 【発明の効果］ 以上詳細に説明したように本発明の光アイソレータは、
ルチルセナルモンプリズムを用いることで高性能化、小
型化をじつげんできた。また光学素子を傾斜させたこと
により、表面反射成分が光源に戻ることがな（なるから
、消光性能を高（保ち光源のノイズを減らすことができ
る。傾斜方向を特定し、その角度を制限したことにより
、挿入損失が充分に低いまま消光性能を高く保つことが
できる。
第１図は光アイソレータの実施例を示す斜視図、第２図
は光りアイソレータの別な実施例の概略図、第３図は光
アイソレータの傾きを説明する図、第４図は偏光子を示
す斜視図、第５図は光アイソレータの挿入損失を示す図
、第６図は光アイソレータの消光比性能を示す図である
。 ｌ、２．４・・・偏光子 ３．５・・・ファラデー回転子 ｌａ、１ｂ・・・ルチル結晶プリズム
は光りアイソレータの別な実施例の概略図、第３図は光
アイソレータの傾きを説明する図、第４図は偏光子を示
す斜視図、第５図は光アイソレータの挿入損失を示す図
、第６図は光アイソレータの消光比性能を示す図である
。 ｌ、２．４・・・偏光子 ３．５・・・ファラデー回転子 ｌａ、１ｂ・・・ルチル結晶プリズム
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光源と光学系の中間に配置され、偏光子、光の進行
方向の磁界中に置かれたファラデー回転子、および検光
子からなる光アイソレータにおいて、偏光子または／お
よび検光子としてルチルセナルモンプリズムを用いるこ
とを特徴とする光アイソレータ。 ２、光源と光学系の中間に配置され、偏光子、光の進行
方向の磁界中に置かれたファラデー回転子、および検光
子からなる光アイソレータにおいて、偏光子または／お
よび検光子としてルチルセナルモンプリズムを用い、該
ルチルセナルモンプリズムの持つ偏光方向と光源から光
学系に至る光軸とにより形成される面を基準面とし、該
光軸と該偏光方向に直交する面とにより形成される面を
基準直交面として、偏光子およびファラデー回転子を前
記基準面が保たれる方向に０．１〜１０゜傾斜させ、前
記基準直交面が保たれる方向に０．１〜１６゜傾斜させ
たことを特徴とする光アイソレータ。 ３、請求項第１項または第２項に記載の光アイソレータ
が多段型であることを特徴とする光アイソレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251570A JP2686453B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1251570A JP2686453B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光アイソレータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03113414A true JPH03113414A (ja) | 1991-05-14 |
| JP2686453B2 JP2686453B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=17224781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1251570A Expired - Fee Related JP2686453B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686453B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0780717A3 (en) * | 1995-12-18 | 1999-05-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator and optical part having heat-resistant anti-reflection coating |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6481927A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Toshiba Corp | Optical device |
| JPH01139213U (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-22 |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP1251570A patent/JP2686453B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6481927A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Toshiba Corp | Optical device |
| JPH01139213U (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-22 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0780717A3 (en) * | 1995-12-18 | 1999-05-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Optical isolator and optical part having heat-resistant anti-reflection coating |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2686453B2 (ja) | 1997-12-08 |
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|---|---|---|---|
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