JPH03135504A - レーザダイオードモジュール - Google Patents
レーザダイオードモジュールInfo
- Publication number
- JPH03135504A JPH03135504A JP27416189A JP27416189A JPH03135504A JP H03135504 A JPH03135504 A JP H03135504A JP 27416189 A JP27416189 A JP 27416189A JP 27416189 A JP27416189 A JP 27416189A JP H03135504 A JPH03135504 A JP H03135504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beam splitter
- polarizing beam
- polarization beam
- semiconductor laser
- polarized light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光フアイバ通信等の光信号伝送に用いられる
レーザダイオードモジュールに関する。
レーザダイオードモジュールに関する。
従来の技術
半導体レーザを光フアイバ通信等の光信号伝送系の光源
として用いる場合、半導体レーザからの出射光の一部が
伝送路あるいは伝送用光学部品の各接続部で反射して半
導体レーザへ帰還した場合、半導体レーザの発振特性の
不安定化や雑音増加を引き起こす原因となる。この戻シ
光が帰還するのを防止するために、一般的に半導体し〜
ザの出射側にファラデー回転子と偏光ビームスプリッタ
で構成された光アイソレータを取り付けて、レーザダイ
オードモジュールが構成される。
として用いる場合、半導体レーザからの出射光の一部が
伝送路あるいは伝送用光学部品の各接続部で反射して半
導体レーザへ帰還した場合、半導体レーザの発振特性の
不安定化や雑音増加を引き起こす原因となる。この戻シ
光が帰還するのを防止するために、一般的に半導体し〜
ザの出射側にファラデー回転子と偏光ビームスプリッタ
で構成された光アイソレータを取り付けて、レーザダイ
オードモジュールが構成される。
第３図に従来のレーザダイオードモジュールの構成図、
第４図に従来の偏光ビームスプリッタとホルダーの分解
斜視図を示す。同図において、半導体レーザ１、ごリメ
ートレ／ズ２．２アラデ一回転子３、ファラデー回転子
３の周辺部に７アラデ一回転子３に磁界を加えるための
円筒をの永久磁石４、偏光ビームスプリッタ６、集光レ
ンズ６、光ファイバ７から構成され、偏光ビームスプリ
ッタ５はホルダー８によって、永久磁石４に接着されて
いる。
第４図に従来の偏光ビームスプリッタとホルダーの分解
斜視図を示す。同図において、半導体レーザ１、ごリメ
ートレ／ズ２．２アラデ一回転子３、ファラデー回転子
３の周辺部に７アラデ一回転子３に磁界を加えるための
円筒をの永久磁石４、偏光ビームスプリッタ６、集光レ
ンズ６、光ファイバ７から構成され、偏光ビームスプリ
ッタ５はホルダー８によって、永久磁石４に接着されて
いる。
半導体レーザ１からの出射光はコリメートレンズ２で平
行光となり、ファラデー回転子３を通過する。半導体レ
ーザ１から出射された直線偏光の光はこのファラデー回
転子３により偏光方向が４６°回転する。偏光ビームス
プリッタ５はファラデー回転子３で４６°回転した直線
偏光の光が通過できるよう偏光方向が合わせである。そ
して、偏光ビームスプリッタ６を通過した光は集光レン
ズ６で光ファイバ７の始端に集光され伝搬する。−方、
光ファイバの端面等の伝送路あるいは伝送用光学部品に
より反射した戻り光は前述と同経路をたどり、集光レン
ズ６、偏光ビームスプリッタ６を通り、ファラデー回転
子３を透過後備光方向がさらに４６°回転し、半導体レ
ーザ１からの出射光の偏光方向と直交する。直交してい
る２つの光は干渉しない。このため原理的には半導体レ
ーザ１の発振特性の不安定化や雑音増加を防止できる。
行光となり、ファラデー回転子３を通過する。半導体レ
ーザ１から出射された直線偏光の光はこのファラデー回
転子３により偏光方向が４６°回転する。偏光ビームス
プリッタ５はファラデー回転子３で４６°回転した直線
偏光の光が通過できるよう偏光方向が合わせである。そ
して、偏光ビームスプリッタ６を通過した光は集光レン
ズ６で光ファイバ７の始端に集光され伝搬する。−方、
光ファイバの端面等の伝送路あるいは伝送用光学部品に
より反射した戻り光は前述と同経路をたどり、集光レン
ズ６、偏光ビームスプリッタ６を通り、ファラデー回転
子３を透過後備光方向がさらに４６°回転し、半導体レ
ーザ１からの出射光の偏光方向と直交する。直交してい
る２つの光は干渉しない。このため原理的には半導体レ
ーザ１の発振特性の不安定化や雑音増加を防止できる。
発明が解決しようとする課題
このような従来の構成では、原理的には半導体レーザ１
の発振特性の不安定化や雑音増加を防止できるはずであ
るが、実際は半導体レーザ１から出射した光も反射した
戻り光に１−でも直線偏光とはいえ厳密にはその直線偏
光と直交する成分を含んでいる。そのため、干渉し半導
体レーザ１の発振特性の不安定化や雑音増加の原因にな
っていた。
の発振特性の不安定化や雑音増加を防止できるはずであ
るが、実際は半導体レーザ１から出射した光も反射した
戻り光に１−でも直線偏光とはいえ厳密にはその直線偏
光と直交する成分を含んでいる。そのため、干渉し半導
体レーザ１の発振特性の不安定化や雑音増加の原因にな
っていた。
中でも偏光ビームスプリッタ５内で反射することにより
分岐された垂直直線偏光９の光が、第４図に示すように
ホルダー８と偏光ビームスプリッタ５の側面６ａが密着
し、かつ接着剤で固定されるため、側面５２Ｌで反射し
半導体レーザ１に戻ってしまい発振特性の不安定化や雑
音増加の原因になっていた。
分岐された垂直直線偏光９の光が、第４図に示すように
ホルダー８と偏光ビームスプリッタ５の側面６ａが密着
し、かつ接着剤で固定されるため、側面５２Ｌで反射し
半導体レーザ１に戻ってしまい発振特性の不安定化や雑
音増加の原因になっていた。
本発明はこのような課題を解決するもので、偏光ビーム
スプリッタ内で反射した垂直直線偏光の光が再びもとの
光路をたどり半導体レーザに戻らないようにすることを
目的とする。
スプリッタ内で反射した垂直直線偏光の光が再びもとの
光路をたどり半導体レーザに戻らないようにすることを
目的とする。
課題を解決するだめの手段
この課題を解決するために本発明は、偏光ビームスプリ
ッタ内で反射した垂直直線偏光の光が最初に到達する前
記偏光ビームスプリッタの側面外側に空隙を設けると共
に、前記側面に凹凸を設けて前記反射した垂直直線偏光
の光を散乱させたものである。
ッタ内で反射した垂直直線偏光の光が最初に到達する前
記偏光ビームスプリッタの側面外側に空隙を設けると共
に、前記側面に凹凸を設けて前記反射した垂直直線偏光
の光を散乱させたものである。
作用
この構成により、偏光ビームスプリッタ内で反射した垂
直直線偏光の光が再ひもとの光路をたどり半導体レーザ
に戻らないようになり、半導体レーザの発振特性をさら
に安定させることができる。
直直線偏光の光が再ひもとの光路をたどり半導体レーザ
に戻らないようになり、半導体レーザの発振特性をさら
に安定させることができる。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を参照にしながら説
明する。第１図は本発明の一実施例にょるレーザダイオ
ードモジュールの構成図であり、第２図は本発明の一実
施例による偏光ビームスプリッタと円筒型ホルダーの分
解斜視図である。第１図において、１は半導体レーザ、
２はコリメートレンズ、３はファラデー回転子、４はフ
ァラデー回転子３に磁界を加えるだめの円筒型の永久磁
石、１０は偏光ビームスプリッタ、６は集光レンズ、７
は光ファイバである。まだ、偏光ビームスプリッタ１０
のホルダー１１は円筒型にしである。
明する。第１図は本発明の一実施例にょるレーザダイオ
ードモジュールの構成図であり、第２図は本発明の一実
施例による偏光ビームスプリッタと円筒型ホルダーの分
解斜視図である。第１図において、１は半導体レーザ、
２はコリメートレンズ、３はファラデー回転子、４はフ
ァラデー回転子３に磁界を加えるだめの円筒型の永久磁
石、１０は偏光ビームスプリッタ、６は集光レンズ、７
は光ファイバである。まだ、偏光ビームスプリッタ１０
のホルダー１１は円筒型にしである。
そして第２図に示すように偏光ビームスプリッタ１０と
円筒型ホルダー１１の接続は円筒型ホルダー１１の円筒
穴に偏光ビームスプリッタ１０を挿入し、円筒穴と偏光
ビームスプリッタ１０の四隅が接している所に接着剤を
つけて固定する。これにより偏光ビームスプリッタ１０
の側面１０＆外側に空隙１２が形成され、かつ偏光ビー
ムスプリッタ１０の側面に凹凸部１０ａを設けておけば
固定時に四隅に接着剤が付くだけなのでそのまま凹凸が
残る。
円筒型ホルダー１１の接続は円筒型ホルダー１１の円筒
穴に偏光ビームスプリッタ１０を挿入し、円筒穴と偏光
ビームスプリッタ１０の四隅が接している所に接着剤を
つけて固定する。これにより偏光ビームスプリッタ１０
の側面１０＆外側に空隙１２が形成され、かつ偏光ビー
ムスプリッタ１０の側面に凹凸部１０ａを設けておけば
固定時に四隅に接着剤が付くだけなのでそのまま凹凸が
残る。
発明の効果
以上のように本発明によれば、偏光ビームスプリッタ内
で反射した垂直直線偏光の光が再ひもとの光路をたどり
半導体レーザに戻らないようになり、半導体レーザの発
振特性をさらに安定させることができる。
で反射した垂直直線偏光の光が再ひもとの光路をたどり
半導体レーザに戻らないようになり、半導体レーザの発
振特性をさらに安定させることができる。
第１図は本発明の一実施例によるレーザダイオ−トモジ
ュールの構成図、第２図は本発明の一実施例による偏光
ビームスプリッタと円筒型ホルダーの分解斜視図、第３
図は従来のレーザダイオードモジュールの構成図、第４
図は従来の偏光ビームスプリッタとホルダーの分解斜視
図である。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・コリメー
トレンズ、３・・・・・・ファラデー回転子、４・・・
・・・永久磁石、５・・・・・・偏光ビームスプリッタ
、６・・・・・・集光レンズ、ア・・・・・・光フフイ
パ、９・・・・・・垂直直線偏光、１０・・・・・・偏
光ビームスプリッタ、１０ａ・・・・・・凹凸部、１１
・・・・・・ホルダー、１２・・・・・・空隙。
ュールの構成図、第２図は本発明の一実施例による偏光
ビームスプリッタと円筒型ホルダーの分解斜視図、第３
図は従来のレーザダイオードモジュールの構成図、第４
図は従来の偏光ビームスプリッタとホルダーの分解斜視
図である。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・コリメー
トレンズ、３・・・・・・ファラデー回転子、４・・・
・・・永久磁石、５・・・・・・偏光ビームスプリッタ
、６・・・・・・集光レンズ、ア・・・・・・光フフイ
パ、９・・・・・・垂直直線偏光、１０・・・・・・偏
光ビームスプリッタ、１０ａ・・・・・・凹凸部、１１
・・・・・・ホルダー、１２・・・・・・空隙。
Claims (1)
- 半導体レーザと、前記半導体レーザから出射されたレー
ザ光を平行光にするコリメートレンズと、ファラデー回
転子と、前記ファラデー回転子の周辺部に円筒型の永久
磁石と、前記ファラデー回転子より出射した光が通過す
る偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタ
を通過した光を光ファイバの始端に入射させる集光レン
ズとを有し、前記偏光ビームスプリッタ内で反射した垂
直直線偏光の光が最初に到達する前記偏光ビームスプリ
ッタの側面外側に空隙を設けると共に、前記側面に凹凸
部を設けて前記反射した垂直直線偏光の光を散乱させる
ことを特徴とするレーザダイオードモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27416189A JPH03135504A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | レーザダイオードモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27416189A JPH03135504A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | レーザダイオードモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03135504A true JPH03135504A (ja) | 1991-06-10 |
Family
ID=17537887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27416189A Pending JPH03135504A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | レーザダイオードモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03135504A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138719A (en) * | 1988-12-01 | 1992-08-18 | Hutchinson, S.A. | Gloves, finger stalls and similar protective and operational articles, and processes for their manufacture |
| CN103163607A (zh) * | 2011-12-13 | 2013-06-19 | 苏州洲通光电科技有限公司 | 一种可见光信号传输光缆 |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27416189A patent/JPH03135504A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138719A (en) * | 1988-12-01 | 1992-08-18 | Hutchinson, S.A. | Gloves, finger stalls and similar protective and operational articles, and processes for their manufacture |
| CN103163607A (zh) * | 2011-12-13 | 2013-06-19 | 苏州洲通光电科技有限公司 | 一种可见光信号传输光缆 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4375910A (en) | Optical isolator | |
| CA2004939A1 (fr) | Tete optique a isolateur integre pour le couplage d'un laser semi-conducteur a un guide de lumiere | |
| JPH02136819A (ja) | 光アイソレータ内蔵型半導体レーザモジュールにおける光アイソレータの回転方向位置調整方法 | |
| CA2005957C (en) | Semiconductor laser device | |
| US5917643A (en) | Optical isolator | |
| JP2943436B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPH03135504A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| US5760946A (en) | Optical isolator, faraday rotator suitable for use in the same, and laser diode module incorporating the same | |
| JPH04180282A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| JPH03135511A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| JPH08148756A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH03135516A (ja) | 光アイソレータ | |
| JP2794132B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JP2526604B2 (ja) | 光アイソレ―タ付半導体レ―ザモジ―ル | |
| JPH0830791B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH0540492Y2 (ja) | ||
| JPH1020253A (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH036076A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH03273208A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JP2831158B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH0219113U (ja) | ||
| JPH01175785A (ja) | 光アイソレータ内蔵半導体レーザモジュール | |
| JPS5931067U (ja) | 偏波面保存光フアイバ形磁界センサ | |
| JPH03174789A (ja) | 半導体レーザ素子用キャップ及びそれを備えた半導体レーザ装置 | |
| DE59206440D1 (de) | Optischer Isolator |