JPH0274917A - 光アイソレータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光通信、光計測および光記録等に用いる光ア
イソレータに関するものである。

（従来の技術） 半導体レーザを光通信等の光信号伝送系の光源として用
いる場合、半導体レーザからの出射光は一部が伝送路あ
るいは伝送用光学部品の各接続部で反射して、半導体レ
ーザの発振特性の不安定化や雑音増加を引き起こす原因
となる。この戻り光が半導体レーザに帰還するのを防止
するために５−膜内に光アイソレータが使用されている
。

従来の光アイソレータは第２図に示すように、偏光子１
１．磁気光学素子１２．検光子１３および磁石１４を備
えている。半導体レーザからの出射光１５は偏光子１１
を通過して直線偏光となり、磁気光学素子１２通過時に
その偏光方向は４５°回転され、偏光子１１と４５°の
角度で配置した検光子１３を通過する。

逆に１反射戻り光１６は検光子１３を通過して直線偏光
となり、磁気光学素子１２通過時に、ファラデー効果の
もつ非相反性により、偏光方向はさらに４５°回転され
、偏光子１１と直交するために直線偏光は通過できない
。以上のような原理で、反射戻り光１６が半導体レーザ
に帰還するを防止することができる。

（発明が解決しようとする課題） 上記従来の一般的な磁気光学素子は、半導体レーザ光の
波長の変化に伴い回転角が変化する性質を有している。

一方、半導体レーザの出射光波長にもバラッキがある。

したがって、使用する半導体レーザの出射光波長のずれ
によって、磁気光学素子による回転角が４５″′からず
れてしまい、反射戻り光の一部が偏光子を通過して、半
導体レーザに帰還してしまう欠点があった。

本発明の目的は、従来の欠点を解消し、半導体レーザの
波長のずれによって起こる回転角のずれを補正し、高ア
イソレーシヨン比が得られる信頼性の高い光アイソレー
タを提供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明の光アイソレータは、偏光分離素子、磁気光学素
子および磁石を備え、厚さが光軸の垂直方向において徐
々に変化するくさび状とした磁気光学素子を、光軸に対
して垂直方向に変位させ。

反射戻り光が最小となる位置に固定して使用するもので
ある。

（作　用） 本発明の光アイソレータによれば、使用する半導体レー
ザの波長のずれによって起こる回転角の４５°からのず
れを、磁気光学素子の厚さを変化させることによって補
正することができ、これによって、高アイソレーシヨン
比が得られ、低価格で高信頼性の光アイソレータを得る
ことができる。

（実施例） 本発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。

第１図は本発明の光アイソレータの構成図である。

同図において、くさび状磁気光学素子１を磁石２の中に
飽和磁場が印加されるように配置する。偏光子３を通過
した光は、直線偏光となり、くさび状磁気光学素子１通
過時にその偏光方向は４５°回転され、偏光子３と４５
°の角度が配置された検光子４を通過する。逆に、反射
戻り光は検光子４を通過して直線偏光となり、くさび状
磁気光学素子１通過時に、ファラデー効果のもつ非相反
性により、偏光方向はさらに４５°−転され、偏光子３
と直交するために直線偏光は通過できない。しかし。

使用する半導体レーザを変えると、特性のバラツキによ
って波長がわずかながらずれることがある。

すると、光がくさび状磁気光学素子１を通過する際に回
転角が４５°からずれてしまうため、検光子４を通過す
る光量が減少し、反射戻り光が偏光子３を通過する光量
が増加することになり、アイソレーション比が低下する
ことになる。

一方、磁気光学素子の回転角θは、 θ　＝ＶＨＬ ここで、ｖ：ウエルデ定数 Ｈ：磁界の強さ Ｌ：磁気光学素子の厚さ で表わされるため、磁気光学素子の厚さが変えることに
よって回転角を制御することができる。

したがって、第１図において、くさび状磁気光学素子１
を含む磁石２を、ガイド５に沿って光軸に対して垂直方
向に移動させ、光路にあたる部分の厚さを変化させるこ
とによって回転角を変化させることができる。使用する
半導体レーザの波長に合わせて、回転角がちょうど４５
°になり、半導体レーザへの反射戻り光が最小になるよ
うに固定した。このようにして、本発明の光アイソレー
タによれば、−段の光アイソレータと同程度の構成で二
段接続型光アイソレータと同程度の５７ｄＢの高アイソ
レーシヨン比が得られた。

また、本発明の光アイソレータにおいて、上記の本実施
例にレンズおよび光ファイバーを加え、光アイソレータ
付半導体レーザモジュールとしてもよい。

（発明の効果） 本発明によれば、使用する半導体レーザの波長のずれに
合わせて、くさび状磁気光学素子を光軸に対して垂直方
向に変位させて、磁気光学素子透過後の光の偏光方向の
回転角が常に４５°となるように調整して使用すること
によって１反射戻り光が半導体レーザへ帰還するのを完
全に防止することができ、その実用上の効果は大である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光アイソレータの構
成図、第２図は従来の光アイソレータおよびその原理を
示す構成図である。 １　・・・　くさび状磁気光学素子、　２・・・磁石、
　３・・・偏光子、　４・・・検光子、５　・・・　ガ
イド。 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 偏光分離素子、磁気光学素子、および磁石を備え、厚さ
   が光軸の垂直方向において徐々に変化するくさび状とし
   た、前記磁気光学素子を、光軸に対して垂直方向に変位
   させ、反射戻り光が最小となる位置に固定して使用する
   ことを特徴とする光アイソレータ。