JPH0273683A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
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- JPH0273683A JPH0273683A JP63224469A JP22446988A JPH0273683A JP H0273683 A JPH0273683 A JP H0273683A JP 63224469 A JP63224469 A JP 63224469A JP 22446988 A JP22446988 A JP 22446988A JP H0273683 A JPH0273683 A JP H0273683A
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- Japan
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- semiconductor laser
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- light
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
- G02B6/4209—Optical features
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光フアイバ通信において、半導体レーザを用い
て電気信号を光信号に変換し、半導体レーザと光ファイ
バを結合する半導体レーザモジュールに係わり、光アイ
ソレータを内蔵し、反射雑音の問題を低減した半導体レ
ーザモジュールに関する。
て電気信号を光信号に変換し、半導体レーザと光ファイ
バを結合する半導体レーザモジュールに係わり、光アイ
ソレータを内蔵し、反射雑音の問題を低減した半導体レ
ーザモジュールに関する。
従来、この種の半導体レーザ（以下、ＬＤと略す）を用
いる高速ＰＣＭ伝送やアナログ直接変調による画像伝送
システムでは、光コネクタや他の光デバイス等からの反
射光がＬＤに再注入して生じる反射雑音の影響が大きい
。このため、アイソレータを内蔵して反射光の再注入を
阻止する半導体レーザモジュールが開発されている。ま
た、変調方式は強度変調となっている。
いる高速ＰＣＭ伝送やアナログ直接変調による画像伝送
システムでは、光コネクタや他の光デバイス等からの反
射光がＬＤに再注入して生じる反射雑音の影響が大きい
。このため、アイソレータを内蔵して反射光の再注入を
阻止する半導体レーザモジュールが開発されている。ま
た、変調方式は強度変調となっている。
第２図は従来の光アイソレータ付強度変調型半導体レー
ザモジュールの構成を示したものである。
ザモジュールの構成を示したものである。
半導体レーザ１の出射光はレンズ２により平行光に変換
された後、偏光子３．４５°ファラデ回転子４、検光子
５かろ構成される光アイソレータを経て、レンズ６によ
り集束され、ファイバ７に結合する構造となっており、
反射光の再注入を阻止するようになっていた。
された後、偏光子３．４５°ファラデ回転子４、検光子
５かろ構成される光アイソレータを経て、レンズ６によ
り集束され、ファイバ７に結合する構造となっており、
反射光の再注入を阻止するようになっていた。
しかしながら、以上のように構成された半導体レーザモ
ジュールにおいては、強度変調を行っている限り、半導
体レーザ駆動電流で決定される、強度の出力光が得られ
るようになっている。従って、主信号に外部かろ副信号
を重畳するような場合、従来の半導体レーザモジュール
では何ろの手段もなく、半導体レーザ駆動回路、つまり
、副信号を重畳する電気回路を外部に構成しなければフ
瓜らず、回路規模の拡大という問題点を有していた。
ジュールにおいては、強度変調を行っている限り、半導
体レーザ駆動電流で決定される、強度の出力光が得られ
るようになっている。従って、主信号に外部かろ副信号
を重畳するような場合、従来の半導体レーザモジュール
では何ろの手段もなく、半導体レーザ駆動回路、つまり
、副信号を重畳する電気回路を外部に構成しなければフ
瓜らず、回路規模の拡大という問題点を有していた。
本発明の目的は上述した問題点に鑑みてなされたもので
、回路規模の縮小化を図ることのできる半導体レーザモ
ジュールを提供することにある。
、回路規模の縮小化を図ることのできる半導体レーザモ
ジュールを提供することにある。
前記した目的を達成するために、本発明に係わる半導体
レーザモジュールは、半導体レーザと、半導体レーザの
出射光を所定の直径の平行光に変換する第１のレンズと
、異常光の移動距離が直径以上の複屈折材料を用いた偏
光子と、第１のファラデ回転子と、平行光を集束する第
２のレンズと、偏光子の偏光面に対し、偏光面が４５°
傾いて配置される検光子と、直流磁界が外部から制御で
き、ファラデ回転角が連続的に可変可能なコイルが巻装
された第２のファラデ回転子と、平行光を再度集光する
第３のレンズと、偏波面保存ファイバとが順次所定間隔
おいて配置された構成としたものである。
レーザモジュールは、半導体レーザと、半導体レーザの
出射光を所定の直径の平行光に変換する第１のレンズと
、異常光の移動距離が直径以上の複屈折材料を用いた偏
光子と、第１のファラデ回転子と、平行光を集束する第
２のレンズと、偏光子の偏光面に対し、偏光面が４５°
傾いて配置される検光子と、直流磁界が外部から制御で
き、ファラデ回転角が連続的に可変可能なコイルが巻装
された第２のファラデ回転子と、平行光を再度集光する
第３のレンズと、偏波面保存ファイバとが順次所定間隔
おいて配置された構成としたものである。
このように本発明にあっては、第２のファラデ回転子を
有し、この第２のファラデ回転子の印加直流磁界を外部
より制御でき、それを通過する光の偏光面の回転角を可
変可能な構成としたので、外部より人力される副信号を
制御電流に変換し、回転角の異なる偏光面に対応させる
ことにより、主信号に副信号を重畳でき、また偏波面保
存ファイバで偏光面を保持したまま伝送できる。
有し、この第２のファラデ回転子の印加直流磁界を外部
より制御でき、それを通過する光の偏光面の回転角を可
変可能な構成としたので、外部より人力される副信号を
制御電流に変換し、回転角の異なる偏光面に対応させる
ことにより、主信号に副信号を重畳でき、また偏波面保
存ファイバで偏光面を保持したまま伝送できる。
次：こ、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明に係わる半導体レーザモジュールの一実
施例を示す概略構成図である。本実施例の半導体レーザ
モジュールは、半導体レーザ１０と、この半導体レーザ
ｌＯの前方に配置されかつ半導体レーザｌＯの出射光を
所定の直径の平行光に変換する第１のレンズ１１と、こ
の第１のレンズ１１の前方に配置されかつ異常光の移動
距離が、直径以上の複屈折材料を用いた偏光子１２と、
この偏光子１２の前方に配置されたファラデ回転子１３
と、平行光を集束する第２のレンズ１４と、偏光面が偏
光子１２のそれに対してほぼ４５°傾いた検光子１５と
、直流電流Ｉを変化させ直流磁界を制御することにより
偏光面を回転させることが可能なコイル１６を巻装した
第２のファラデ回転子１７と、平行光を再び集束する第
３のレンズ１８と、この第３のレンズ１８の前方に配置
された偏波面保存ファイバ１９とで構成されている。
施例を示す概略構成図である。本実施例の半導体レーザ
モジュールは、半導体レーザ１０と、この半導体レーザ
ｌＯの前方に配置されかつ半導体レーザｌＯの出射光を
所定の直径の平行光に変換する第１のレンズ１１と、こ
の第１のレンズ１１の前方に配置されかつ異常光の移動
距離が、直径以上の複屈折材料を用いた偏光子１２と、
この偏光子１２の前方に配置されたファラデ回転子１３
と、平行光を集束する第２のレンズ１４と、偏光面が偏
光子１２のそれに対してほぼ４５°傾いた検光子１５と
、直流電流Ｉを変化させ直流磁界を制御することにより
偏光面を回転させることが可能なコイル１６を巻装した
第２のファラデ回転子１７と、平行光を再び集束する第
３のレンズ１８と、この第３のレンズ１８の前方に配置
された偏波面保存ファイバ１９とで構成されている。
次に、以上のように構成された半導体レーザモジュール
の動作を説明する。半導体レーザ１０の出射光は、第１
のレンズ１１により平行光に変換された後、偏光子１２
、ファラデ回転子１３を経て、第２のレンズ１４で集束
される。さらにこの集束された光は検光子１５を経て、
ファラデ回転角を外部直流電流Ｉ、つまり直流磁界Ｈを
制御することにより可変可能なコイル１６を巻いた第２
のファラデ回転子１７に入射され、第３のレンズ１８で
集束される。この後、偏波面保存ファイバ１９に入射し
、偏波面を保持したまま伝送される。
の動作を説明する。半導体レーザ１０の出射光は、第１
のレンズ１１により平行光に変換された後、偏光子１２
、ファラデ回転子１３を経て、第２のレンズ１４で集束
される。さらにこの集束された光は検光子１５を経て、
ファラデ回転角を外部直流電流Ｉ、つまり直流磁界Ｈを
制御することにより可変可能なコイル１６を巻いた第２
のファラデ回転子１７に入射され、第３のレンズ１８で
集束される。この後、偏波面保存ファイバ１９に入射し
、偏波面を保持したまま伝送される。
この際、コイル１６に流れる直流電流Ｉを変化させ、コ
イル１６に励起する直流磁界Ｈを制御すると、偏波面の
回転角θは次式の関係を満足して変化する。ただし、フ
ァラデ回転子１７の長さを１とし、ベルデ定数はＶとす
る。
イル１６に励起する直流磁界Ｈを制御すると、偏波面の
回転角θは次式の関係を満足して変化する。ただし、フ
ァラデ回転子１７の長さを１とし、ベルデ定数はＶとす
る。
θ＝Ｖ−Ｈ−１・・・・・・（１）
つまり、外部からの副信号等の情報を制御電流に変換し
て、その制御電流に応じた偏光面が得られる。この偏光
面は、偏光面保存ファイバ１９でその回転角を保持した
まま伝送される。このようにして副信号を偏光面に対応
させ、主信号に重畳することができる。
て、その制御電流に応じた偏光面が得られる。この偏光
面は、偏光面保存ファイバ１９でその回転角を保持した
まま伝送される。このようにして副信号を偏光面に対応
させ、主信号に重畳することができる。
以上説明したように、本発明に係わる半導体レーデモジ
ュールは、第２のファラデ回転子を有し、この第２のフ
ァラデ回転子の印加直流磁界を外部より制御でき、それ
を通過する光の偏光面の回転角を可変可能な構成とした
ことにより、外部より人力される副信号を制御電流に変
換し、回転角の異なる偏光面に対応させることにより、
主信号に副信号を重畳でき、かつ偏波面保存ファイバで
偏光面を保持したまま伝送できる。従って、主信号に外
部からの副信号を重畳するような場合、従来のように副
信号を重畳する電気回路を外部に構成する必要はなく、
よって従来に比べて回路規模の大幅な縮小化を図ること
ができるという効果を有する。
ュールは、第２のファラデ回転子を有し、この第２のフ
ァラデ回転子の印加直流磁界を外部より制御でき、それ
を通過する光の偏光面の回転角を可変可能な構成とした
ことにより、外部より人力される副信号を制御電流に変
換し、回転角の異なる偏光面に対応させることにより、
主信号に副信号を重畳でき、かつ偏波面保存ファイバで
偏光面を保持したまま伝送できる。従って、主信号に外
部からの副信号を重畳するような場合、従来のように副
信号を重畳する電気回路を外部に構成する必要はなく、
よって従来に比べて回路規模の大幅な縮小化を図ること
ができるという効果を有する。
第１図は本発明に係わる半導体レーザモジュールの一実
施例を示す概略構成図、第２図は半導体レーザモジュー
ルの従来例を示す概略構成図である。 ０・・・・・・半導体レーザ、１１・・・・・・第１の
レンズ、２・・・・・・偏光子、１３・・・・・・ファ
ラデ回転子、４・・・・・・第２のレンズ、１５・・・
・・・検光子、６・・・・・・コイル、 ７・・・・・・第２のファラデ回転子、８・・・・・・
第３のレンズ、 ９・・・・・・偏波面保存光ファイバ。 願 人 日本電気株式会社 理 人 弁理士 山内梅雄
施例を示す概略構成図、第２図は半導体レーザモジュー
ルの従来例を示す概略構成図である。 ０・・・・・・半導体レーザ、１１・・・・・・第１の
レンズ、２・・・・・・偏光子、１３・・・・・・ファ
ラデ回転子、４・・・・・・第２のレンズ、１５・・・
・・・検光子、６・・・・・・コイル、 ７・・・・・・第２のファラデ回転子、８・・・・・・
第３のレンズ、 ９・・・・・・偏波面保存光ファイバ。 願 人 日本電気株式会社 理 人 弁理士 山内梅雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザと、 この半導体レーザの出射光を所定の直径の平行光に変換
する第１のレンズと、 異常光の移動距離が前記直径以上の複屈折材料を用いた
偏光子と、 第１のファラデ回転子と、 前記平行光を集束する第２のレンズと、 前記偏光子の偏光面に対し、偏光面が４５゜傾いて配置
される検光子と、 直流磁界が外部から制御でき、ファラデ回転角が連続的
に可変可能なコイルが巻装された第２のファラデ回転子
と、 前記平行光を再度集光する第３のレンズと、偏波面保存
ファイバとが順次所定間隔おいて配置されたことを特徴
とする半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224469A JP2734552B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224469A JP2734552B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体レーザモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273683A true JPH0273683A (ja) | 1990-03-13 |
| JP2734552B2 JP2734552B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=16814283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63224469A Expired - Lifetime JP2734552B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734552B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109138U (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-11 | ||
| JPS6384185A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP63224469A patent/JP2734552B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109138U (ja) * | 1985-12-26 | 1987-07-11 | ||
| JPS6384185A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2734552B2 (ja) | 1998-03-30 |
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