JPH038385A - 半導体レーザ装置とその製造方法 - Google Patents

半導体レーザ装置とその製造方法

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JPH038385A
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秀行 中西
Takeshi Hamada
健 浜田
Masaru Kazumura
数村　勝
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光情報処理装置等において光源に用いる半導
体レーザ装置とその製造方法に関する。
（従来の技術） 第２図は、光情報処理装置等の光源として使用する従来
の半導体レーザ装置を示す概略断面図である。１は半導
体レーザ素子の固定台２に固定されており、レーザ光３
が矢印方向に出力され、その出力の一部は光検出素子４
によって検出されて、レーザ光３の出力を一定に保つＡ
ＰＣに利用される。また、５は固定台２に対応するキャ
ップで。
固定台２に嵌着、接着等の方法により固着されており、
頂部にはレーザ光３を必要な方向に回折させるための回
折素子６が組み付けられており、そして７は電極である
。
光情報処理装置等の従来のレーザ光源は上述のように、
個別の部品の組み立てにより形成されていた。
（発明が解決°しようとする課題） そのため部品点数が多く組み立て工程が複雑であるとと
もに、組み立て精度が高くならない不利な点があった。
特に回折素子６にはキャップ５の組み一部は工程と、回
折素子６の組み付は工程の２工程の精度が合計されるか
ら一層厳しい精度が要求され、組み立て歩留りの向上が
困難な問題点を有している。
本発明は上述に鑑み１回折素子の組み立て、組み付けを
簡素化して高精度のレーザ光放射を行なうことを可能に
した。半導体レーザ装置、およびその製造方法の提供を
目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は上記の目的を、半導体レーザ素子を必要な光検
出器等と共に固定台に固着して、これにモールド樹脂を
被覆した後、その頂部に凹凸パターンを形成した金型を
圧着することにより、回折格子となる格子パターンを形
成する工程を有する半導体レーザ装置の製造方法によっ
て達成する。
（作　用） 上記の本発明の構成によれば、モールド樹脂自体が回折
素子となるので、部品点数も少なくなり、しかも格子パ
ターンはモールド樹脂の塑性を利用して、凹凸パターン
を形成した金型を圧着して得るから、組み立て精度の高
い半導体レーザ装置がきわめて容易に形成可能となる。
（実施例） 以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面概略図で、図（ａ
）、図（ｂ）はそれぞれ格子パターンの形成前、形成後
を示し、８は金型であリレーザ光を必要な方向に回折す
るための凹凸パターン９が形成されている。またＩＯは
モールド樹脂であり、その他の符号は第２図に用いた符
号と同じ、または同一機能のものを示している。
まず第１図（、）において、本発明は固定台２に半導体
レーザ素子１を固着させ、光検出素子４の組み付けをす
るまでは従来例と同じで、所用の配線を行なってから従
来のキャップ５の代りに全体をモールド樹脂１０を被覆
し、必要な方向にレーザ光３を回折する凹凸パターン９
を形成した金型８を、レーザ光３の光路に対応させて圧
着し、それにより第１図（ｂ）のように格子パターン９
′をモールド樹脂１０に転写して半導体レーザ装置を形
成する。
第１表 第１表は上記のようにして形成した半導体レーザ装置と
、従来例との組み立て精度の比較結果を示すものである
。
第３図は第１表の比較項目の説明図で、（ａ）、（ｂ）
はそれぞれ本発明および従来例装置を示している。第１
表のΔＸ、Δｙはレーザ光３の軸Ｘと回折素子６（本発
明の図（ａ）では格子パターン９′以下同様）の中心軸
とのずれ、Δ２は半導体レーザ素子１の放射端面と、回
折素子６、または格子パターン９′間の設計目標値との
ずれ、Δθはレーザ光３の光軸に垂直な面内におけるレ
ーザ光３に対する回折素子６、または格子パターン９′
の回転角方向のずれを表している。
この表から本発明の半導体レーザ装置は明らかに従来例
に比して、数倍精度のよい組み立てが可能なことがわか
る。
（発明の効果） 以上、説明して明らかなように本発明は、部品点数が少
なく、組み立て工程が簡略化されて、組み立て精度が極
めて大きく向上する効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の断面概略図、第２図は従来の半導体レ
ーザ装置の断面概略図、第３図は効果説明のための補助
図である。 １・・・半導体レーザ素子、　２・・・固定台。 ３・・・レーザ光、　４・・・光検出素子、　５・・・
キャップ、　　６・・・回折素子、　７・・・電極、８
・・・金型、　９・・・凹凸パターン、　９′・・・格
子パターン、　１０・・・モールド樹脂。 ７電檜 （ａ） 第 図 （ｂ） 第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）固定台に固着した半導体レーザ素子が必要な光検
    出器等と共に樹脂によりモールドされ、その頂部に、上
    記半導体レーザ素子の放射するレーザ光を回折する格子
    パターンが形成されていることを特徴とする半導体レー
    ザ装置。
  2. （２）半導体レーザ素子を必要な光検出器等と共に固定
    台に固着して、これにモールド樹脂を被覆した後、その
    頂部に凹凸パターンを形成した金型を圧着することによ
    り、回折格子となる格子パターンを形成する工程を有す
    ることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661566A (ja) * 1992-08-07 1994-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイスとその製造方法
EP0607700A3 (en) * 1992-12-24 1994-11-30 Sharp Kk Semiconductor laser device.
US5500846A (en) * 1993-01-04 1996-03-19 U.S. Philips Corporation Radiation source-detection unit employing a grating having two grating structures, and a device including that unit
US5974066A (en) * 1997-05-09 1999-10-26 Motorola, Inc. Low cost, efficient vertical cavity surface emitting laser package, method, bar code scanner and optical storage unit
WO2000060711A1 (fr) * 1999-04-05 2000-10-12 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif laser a semiconducteur et son procede de fabrication, systeme de communication optique, et systeme a capteur optique
WO2001082427A1 (en) * 2000-04-27 2001-11-01 Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. Method and apparatus for fabricating a lens encapsulation on a semiconductor laser
FR3001026A1 (fr) * 2013-01-14 2014-07-18 Waitrony Optoelectronics Ltd Appareil a del a diffusion d'intensite lumineuse
CN104939721A (zh) * 2014-03-31 2015-09-30 韩国哈贝任医学美容仪器有限公司 洗脸用电动刷装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5680181A (en) * 1979-12-05 1981-07-01 Toshiba Corp Semiconductor luminous device
JPS62141794A (ja) * 1985-12-16 1987-06-25 Toshiba Corp 半導体レ−ザ装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5680181A (en) * 1979-12-05 1981-07-01 Toshiba Corp Semiconductor luminous device
JPS62141794A (ja) * 1985-12-16 1987-06-25 Toshiba Corp 半導体レ−ザ装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661566A (ja) * 1992-08-07 1994-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学デバイスとその製造方法
EP0607700A3 (en) * 1992-12-24 1994-11-30 Sharp Kk Semiconductor laser device.
US5500846A (en) * 1993-01-04 1996-03-19 U.S. Philips Corporation Radiation source-detection unit employing a grating having two grating structures, and a device including that unit
US5974066A (en) * 1997-05-09 1999-10-26 Motorola, Inc. Low cost, efficient vertical cavity surface emitting laser package, method, bar code scanner and optical storage unit
WO2000060711A1 (fr) * 1999-04-05 2000-10-12 Sharp Kabushiki Kaisha Dispositif laser a semiconducteur et son procede de fabrication, systeme de communication optique, et systeme a capteur optique
US6778574B1 (en) 1999-04-05 2004-08-17 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device and its manufacturing method, and optical communication system and optical sensor system
EP1746692A2 (en) 1999-04-05 2007-01-24 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device including a resin section
EP1746692A3 (en) * 1999-04-05 2007-03-21 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device including a resin section
WO2001082427A1 (en) * 2000-04-27 2001-11-01 Csem Centre Suisse D'electronique Et De Microtechnique S.A. Method and apparatus for fabricating a lens encapsulation on a semiconductor laser
FR3001026A1 (fr) * 2013-01-14 2014-07-18 Waitrony Optoelectronics Ltd Appareil a del a diffusion d'intensite lumineuse
CN104939721A (zh) * 2014-03-31 2015-09-30 韩国哈贝任医学美容仪器有限公司 洗脸用电动刷装置

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