JP2687167B2 - 半導体レーザ装置とその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置とその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光情報処理装置等において光源に用いる半
導体レーザ装置とその製造方法に関する。
導体レーザ装置とその製造方法に関する。
（従来の技術） 第２図は、光情報処理装置等の光源として使用する従
来の半導体レーザ装置を示す概略断面図である。半導体
レーザ素子１は，固定台２に固定されており、レーザ光
３が矢印方向に出力され、外部より戻ってくる光信号11
は光検出素子４によって検出される。また、固定台２に
装着されるキャップ５は、固定台２に嵌着、接着等の方
法により固着されており、キャップ５の頂部にはレーザ
光３を必要な方向に回折させるための回折素子６が組み
付けられており、そして７が外部に取り出されている。
来の半導体レーザ装置を示す概略断面図である。半導体
レーザ素子１は，固定台２に固定されており、レーザ光
３が矢印方向に出力され、外部より戻ってくる光信号11
は光検出素子４によって検出される。また、固定台２に
装着されるキャップ５は、固定台２に嵌着、接着等の方
法により固着されており、キャップ５の頂部にはレーザ
光３を必要な方向に回折させるための回折素子６が組み
付けられており、そして７が外部に取り出されている。
光情報処理装置等の従来の半導体レーザ装置は上述の
ように、個別の部品の組み立てにより形成されていた。
ように、個別の部品の組み立てにより形成されていた。
（発明が解決しようとする課題） そのため部品点数が多く組み立て工程が複雑であると
ともに、組み立て精度が高くならない不利な点があっ
た。特に回折素子６にはキャップ５の組み付け工程と、
回折素子６の組み付け工程の２工程の精度が合計される
から一層厳しい精度が要求され、組み立て歩留りの向上
が困難な問題点を有している。
ともに、組み立て精度が高くならない不利な点があっ
た。特に回折素子６にはキャップ５の組み付け工程と、
回折素子６の組み付け工程の２工程の精度が合計される
から一層厳しい精度が要求され、組み立て歩留りの向上
が困難な問題点を有している。
本発明は上述に鑑み、回折素子の組み立て、組み付け
を簡素化して高精度のレーザ光放射を行なうことを可能
にした、半導体レーザ装置、およびその製造方法の提供
を目的とする。
を簡素化して高精度のレーザ光放射を行なうことを可能
にした、半導体レーザ装置、およびその製造方法の提供
を目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、固定台に固着した半導体レーザ素子と光検
出器とが樹脂によってモールドされ、樹脂の頂部に、半
導体レーザ素子から目的物に向けて射出したレーザ光を
通過させ、且つ、目的物で反射されたレーザ光を光検出
器に向けて回折させる格子パターンが形成された半導体
レーザ装置である。
出器とが樹脂によってモールドされ、樹脂の頂部に、半
導体レーザ素子から目的物に向けて射出したレーザ光を
通過させ、且つ、目的物で反射されたレーザ光を光検出
器に向けて回折させる格子パターンが形成された半導体
レーザ装置である。
又、本発明は、半導体レーザ素子と光検出器とを固定
台に固着して樹脂でモールドした後、モールドした樹脂
の頂部に、凹凸パターンを形成した金型を圧着して、回
折格子となる格子パターンを形成した半導体レーザ装置
の製造方法である。
台に固着して樹脂でモールドした後、モールドした樹脂
の頂部に、凹凸パターンを形成した金型を圧着して、回
折格子となる格子パターンを形成した半導体レーザ装置
の製造方法である。
（作用） 上記の本発明の構成によれば、モールド樹脂自体が回
折素子となるので、部品点数も少なくなり、しかも格子
パターンはモールド樹脂の塑性を利用して、凹凸パター
ンを形成した金型を圧着して得るから、組み立て精度の
高い半導体レーザ装置がきわめて容易に形成可能とな
る。
折素子となるので、部品点数も少なくなり、しかも格子
パターンはモールド樹脂の塑性を利用して、凹凸パター
ンを形成した金型を圧着して得るから、組み立て精度の
高い半導体レーザ装置がきわめて容易に形成可能とな
る。
（実施例） 以下、本発明を図面を用いて実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面概略図で、第１
図（ａ）、第１図（ｂ）はそれぞれ格子パターンの形成
前、形成後を示し、８は金型でありレーザ光を必要な方
向に回折するための凹凸パターン９が形成されている。
また10はモールド樹脂であり、その他の符号は第２図に
用いた符号と同じ、または同一機能のものを示してい
る。
図（ａ）、第１図（ｂ）はそれぞれ格子パターンの形成
前、形成後を示し、８は金型でありレーザ光を必要な方
向に回折するための凹凸パターン９が形成されている。
また10はモールド樹脂であり、その他の符号は第２図に
用いた符号と同じ、または同一機能のものを示してい
る。
まず第１図（ａ）において、本発明は固定台２に半導
体レーザ素子１を固着させ、光検出素子４の組み付けを
するまでは従来例と同じで、所用の配線を行なってから
従来のキャップ５の代りに全体をモールド樹脂10で被覆
し、必要な方向にレーザ光３を回折する凹凸パターン９
を形成した金型８を、半導体レーザ装置１から射出され
るレーザ光３の光路に対して垂直方向に圧着することに
より、第１図（ｂ）に示すように、格子パターン９′を
モールド樹脂10に転写して半導体レーザ装置を形成す
る。
体レーザ素子１を固着させ、光検出素子４の組み付けを
するまでは従来例と同じで、所用の配線を行なってから
従来のキャップ５の代りに全体をモールド樹脂10で被覆
し、必要な方向にレーザ光３を回折する凹凸パターン９
を形成した金型８を、半導体レーザ装置１から射出され
るレーザ光３の光路に対して垂直方向に圧着することに
より、第１図（ｂ）に示すように、格子パターン９′を
モールド樹脂10に転写して半導体レーザ装置を形成す
る。
第１表は上記のようにして形成した半導体レーザ装置
と、従来例との組み立て精度の比較結果を示すものであ
る。
と、従来例との組み立て精度の比較結果を示すものであ
る。
第３図は第１表の比較項目の説明図で、第３図
（ａ）、第３図（ｂ）はそれぞれ本発明および従来例装
置を示している。第１表のΔx,Δｙはレーザ光３の中心
軸Ｘと従来例の回折素子６または本発明の格子パターン
９′〔第１図（ｂ）参照〕の中心軸とのずれ、Δｚは半
導体レーザ素子１の放射端面と回折素子６または格子パ
ターン９′間の設計目標値とのずれ、Δθはレーザ光３
の光軸に垂直な面内におけるレーザ光３に対する回折素
子６または格子パターン９′の回転角方向のずれを表し
ている。
（ａ）、第３図（ｂ）はそれぞれ本発明および従来例装
置を示している。第１表のΔx,Δｙはレーザ光３の中心
軸Ｘと従来例の回折素子６または本発明の格子パターン
９′〔第１図（ｂ）参照〕の中心軸とのずれ、Δｚは半
導体レーザ素子１の放射端面と回折素子６または格子パ
ターン９′間の設計目標値とのずれ、Δθはレーザ光３
の光軸に垂直な面内におけるレーザ光３に対する回折素
子６または格子パターン９′の回転角方向のずれを表し
ている。
この表から本発明の半導体レーザ装置は明らかに従来
例に比して、数倍精度のよい組み立てが可能なことがわ
かる。
例に比して、数倍精度のよい組み立てが可能なことがわ
かる。
（発明の効果） 以上、説明して明らかなように本発明は、部品点数が
少なく、組み立て工程が簡略化されて、組み立て精度が
極めて大きく向上する効果が得られる。
少なく、組み立て工程が簡略化されて、組み立て精度が
極めて大きく向上する効果が得られる。
第１図は本発明の断面概略図、第２図は従来の半導体レ
ーザ装置の断面概略図、第３図は効果説明のための補助
図である。 １……半導体レーザ素子、２……固定台、３……レーザ
光、４……光検出素子、５……キャップ、６……回折素
子、７……電極、８……金型、９……凹凸パターン、
９′……格子パターン、10……モールド樹脂、11……光
信号。
ーザ装置の断面概略図、第３図は効果説明のための補助
図である。 １……半導体レーザ素子、２……固定台、３……レーザ
光、４……光検出素子、５……キャップ、６……回折素
子、７……電極、８……金型、９……凹凸パターン、
９′……格子パターン、10……モールド樹脂、11……光
信号。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−183575（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−153388（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−80181（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−141794（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−130585（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】固定台に固着した半導体レーザ素子と光検
出器とが樹脂によってモールドされ、該樹脂の頂部に、
前記半導体レーザ素子から目的物に向けて射出したレー
ザ光を通過させ、且つ、前記目的物で反射されたレーザ
光を前記光検出器に向けて回折させる格子パターンが形
成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】半導体レーザ素子と光検出器とを固定台に
固着して樹脂でモールドした後、モールドした前記樹脂
の頂部に、凹凸パターンを形成した金型を圧着して、回
折格子となる格子パターンを形成したことを特徴とする
半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14218989A JP2687167B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14218989A JP2687167B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038385A JPH038385A (ja) | 1991-01-16 |
| JP2687167B2 true JP2687167B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=15309457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14218989A Expired - Fee Related JP2687167B2 (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2687167B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2768154B2 (ja) * | 1992-08-07 | 1998-06-25 | 松下電器産業株式会社 | 光学デバイスとその製造方法 |
| US5557116A (en) * | 1992-12-24 | 1996-09-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and resin layer |
| KR100326688B1 (ko) * | 1993-01-04 | 2002-06-20 | 요트.게.아. 롤페즈 | 광주사장치및방사원검출장치 |
| US5974066A (en) * | 1997-05-09 | 1999-10-26 | Motorola, Inc. | Low cost, efficient vertical cavity surface emitting laser package, method, bar code scanner and optical storage unit |
| WO2000060711A1 (fr) * | 1999-04-05 | 2000-10-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif laser a semiconducteur et son procede de fabrication, systeme de communication optique, et systeme a capteur optique |
| GB0010164D0 (en) * | 2000-04-27 | 2000-06-14 | Suisse Electronique Microtech | Technique for hybrid integration of heteropolysiloxane lenses and alignment structures onto vertical cavity surface emitting laser chips |
| FR3001026A1 (fr) * | 2013-01-14 | 2014-07-18 | Waitrony Optoelectronics Ltd | Appareil a del a diffusion d'intensite lumineuse |
| KR101475903B1 (ko) * | 2014-03-31 | 2014-12-23 | (주)하배런메디엔뷰티 | 세안용 전동 브러쉬 장치 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5680181A (en) * | 1979-12-05 | 1981-07-01 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous device |
| JPS62141794A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP14218989A patent/JP2687167B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH038385A (ja) | 1991-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |