JPH01191811A - 光学装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学装置及びその製造方法に関し、特に詳細に
は、レンズ付き半導体光学装置に及びこの製造方法に関
する。

〔従来技術〕

近年、半導体発光素子、例えばレーザダイオードの放射
光を利用する光通信システムが発達してきた。このよう
なシステムでは、半導体発光素子チップからの放射光を
光ファイバ等の光学部品に効率よく光結合する必要があ
る。しかし、半導体発光素子チップから放射される光は
、通常約３０度から約６０度の広がり角を以って放射さ
れる。

そのため、この状態で、光ファイバ等の光学部品に光結
合すると、放射光が分散し光結合効率が低くなる。そこ
で、このような半導体発光素子を光ファイバ等の光学部
品に光結合する場合には、半導体発光素子チップの発光
部の直前にレンズ等の受動光学要素を置き、放射された
光を平行光束にしたり、他の光学部品等の光入射部に放
射光が集束するように構成していた。このような場合、
レンズ等の光学部品を配置する際、この光学部品の光軸
と放射光の光軸とを一致させ、さらに、光学部品を半導
体素子の発光部に対して適切な位置に設置する必要があ
る。具体的には、半導体レーザの放射光を直径的０．３
ｍｍ程度の平行光束にするには、半導体レーザの発光部
から約１００μｍから１５０μｍ程度の離れた位置にレ
ンズを配置するのが好ましい。

このようなレンズ付き半導体発光装置を第７図に示す。

この第７図では、半導体発光素子チップ１はパッケージ
本体２に形成された位置合わせ溝４に沿って位置決めさ
れ、ハンダ付は等によりパッケージ２に固定されている
。更に、この半導体発光素子チップ１はパッケージ本体
２に設けられた電極部３とボンディングワイヤ１６を介
して電気的に接続されている。レンズ５はパッケージ本
体２に形成されたレンズ収容四部６に嵌め込まれ、紫外
線硬化樹脂等の接着剤等７で固定されていた。そして、
この位置合わせ溝４及び凹部６は機械加工により形成し
ていた。

〔発明の解決しようとする課題〕

一般にレンズ等を用いて半導体発光素子チップの放射光
を効率良く利用するためには、この先軸間のずれを約１
０μｍ以下に押さえる必要がある。

また、半導体発光素子チップの発光部とレンズとの位置
関係もできるだけ精度良くしておくことが好ましい。し
かし、先に説明した従来のレンズ付き半導体発光装置で
は、半導体発光素子チップの位置決めに使用する位置合
わせ溝４及びレンズの位置を決めるレンズ収容凹部６が
機械加工で形成されているため、こ゛れらの相対位置関
係の精度を±５０μｍ以下にすることが難しく、半導体
発光素子チップの発光部の光軸とレンズの光軸とが±５
０μｍ程度ずれる可能性が大きい。このため、従来では
、第７図に示すようなレンズ付き半導体発光装置を多量
に生産し、その中から、良好な位置精度を有している製
品のみを選別し、使用していた。この様に多量の製品か
ら良品のみを選別する方法では、製品の歩留まりが高く
することが出来ず、極めて不経済である。そのため、こ
のようにして製造された装置は製品単価が高くなってい
た。

また、この様な不経済を避けるため、半導体発光素子チ
ップ又はレンズのいずれか一方を先にパッケージに取り
付け、他方を位置調整しつつ固定する方法も考えられる
。しかしこの方法では、例え顕微鏡を介して観察したと
しても、レンズの軸心（中心）を視認することが非常に
難しい。又、レンズを介して半導体発光素子チップの発
光部を見定めてレンズと半導体発光素子チップの光軸を
合わせることは、半導体発光素子チップの発光部の位置
をレンズを介して視認するため、さらに困難である。そ
のため、実用には向かない。

また更に、半導体発光素子チップを先にパッケージに固
定し、半導体発光素子チップを発光させ、その放射光を
レンズを介して光検知器にて検知しつつ、その放射光の
光強度が最大となるように調整し固定する方法も考えら
れる。しかし、この方法では、検知装置が複雑かつ高価
となり量産には向かないのである。

本発明は上記問題点を解決し、光学能動素子の光を効率
の良く利用することのできる光学装置を提供することを
目的とする。

また更に、本発明は光学能動素子の光を効率良く利用で
きる光学装置を安価でかつ高い歩留まりで製造できる製
造方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を達成するため、本発明の光学装置では、基体
上に装着され、該基体の上面に沿って光を発光または受
光する光学能動素子と、該基体の上面に垂直な面に取り
付けられる光透過性の薄板とを含み、該薄板が、該光学
素子と反対側の面に光学受動素子を収容するための光学
受動素子収容凹部を有し、更に該光学素子側の面の該光
学受動素子収容四部に対応する部分に位置合わせ用のマ
ークを有し、該光学受動素子が凹部に固定され、該位置
合わせ用マーク及び光学受動素子収容凹部がフォトリソ
グラフィ法により形成されていることを特徴とする。

さらに本発明の光学装置の製造方法では、光学能動素子
を基体の上面に固定する工程と１、光透過性の薄板の一
方の面に円形状の凹部を、他方の面の該凹部に対応する
部分に位置合わせ用マークをフォトリソグラフィ法によ
りそれぞれ形成する工程と、前記工程により形成された
薄板を該基体の上面に垂直な面に当接させ、前記位置合
わせ用マークを利用して、該薄板に形成した該凹部中心
部と光学能動素子の光軸との位置合わせを行う工程と、
前記位置合わせ工程完了後、前記薄板を該垂直な面に固
定し、更に、前記凹部に光学受動素子を固定する工程を
含むことを特徴とする。

〔作用〕

本発明の光学装置では、光学受動素子を固定する薄板を
、光学能動素子を載せている基体と別体にし、光学能動
素子と光学受動素子の相対位置調整を可能にし、それら
の光軸を正確に一致できるようにしている。

また、上記相対位置調整では、薄板上にフォトリソグラ
フィ法で光学受動素子収容凹部を形成し、さらにフォト
リソグラフィ法を利用して、この光学受動素子収容凹部
に対して正確に位置決めれた位置合わせマークを形成し
、これらを利用して位置調整を行い正確でかつ簡単な位
置決めを可能にしている。

本発明の光学装置では、上述のように、レンズ等の光学
受動素子と光を発光又は受光する光学能動素子との光軸
合わせに使用するマーク等が光学受動素子を固定する薄
板内にフォトリソグラフィ法により形成されているので
、これを用いて正確な光軸合わせが可能になる。

また、上記光学装置を製造する際にも、光学受動素子を
介することなく位置合わせマーク及び能動光学素子の光
軸を視認できるため、光軸合わせが容易となり、光学装
置を歩留まり高く安価に製造することができる。

〔実施例〕

以下図面を参照しつつ本発明に従う実施例について説明
する。

同一符号を付した要素は同一機能を有するため、重複す
る説明は省略する。

第１図は本発明に従う第１の実施例のレンズ付き半導体
発光装置の構成を示す。ここに示す実施例は、半導体発
光素子を高速度で動作させるためのチップキャリア型パ
ッケージに関するものである。この図において、パッケ
ージ本体２に位置決め用溝４が形成されている。半導体
発光素子チップ１が位置決め用溝４に沿って位置決めさ
れ、ハンダ付けによりパッケージ本体２に固定されてい
る。パッケージ本体２には、更に電極部３が設けられ、
この電極部３は半導体発光素子チップ１にボンデングワ
イヤ１６により電気的に接続されている。

パッケージ本体２の側面２ａには光透過性の薄板８が固
定されている。この光透過性の薄板８の材料としては、
石英ガラス−１通常のガラス、光学ガラス等のガラス材
料、又は可視光及び赤外光を透過するプラスチック等が
考えられる。更に、単結晶又は多結晶又はアモルファス
状の材料でもよい。

薄板８の構造を第２（ｂ）図及び第２（ｃ）図に示す。

これらの図はそれぞれ薄板８の表面及び裏面を示してい
る。この薄板８の一方の面には、レンズが嵌め込まれる
円形状のレンズ収容凹部６が形成されており、また他方
の面のこの凹部に対応する部分には、光軸位置合わせ用
マーク９が形成されている。この光軸位置合せ用マーク
９を利用し、レンズの軸心と半導体発光素子チップ２の
発光部の光軸とが一致するように位置調整を行う。

そして、この位置調整後、レンズをこのレンズ収容四部
６に嵌め込み、固定する。そして、このレンズが嵌め込
まれるレンズ収容凹部６及び位置合せ用マーク９はフォ
トリソグラフィ法を利用して形成されている。

次に、上記半導体発光装置の製造方法について説明する
。

上記半導体発光素子チップ１は、ＩｎＰ基板にＩ　ｎＧ
ａＡｓ　Ｐ混晶系のエピタキシャル層を形成することに
より、形成し、例えば１．５μｍの波長のレーザ光を発
光する半導体レーザを形成する。

このような半導体レーザを形成する方法は当業者にとっ
てよく知られているので、ここでは省略する。

次に、上記実施例で使用する光透過性の薄板８の製造方
法を第２図及び第３図を用いて説明する。

まず、厚さ２５０μｍで、その両面が鏡面研磨されてい
るＧａＰ結晶基板１０を用意する。

ＧａＰ結晶基板１０上にＳｉＯ２膜８ａを１０００Ａ程
度の厚さで形成する。この状態を第３（ａ）図に示す。

次に、この結晶基板１０上の５ｉ０２膜上にフォトレジ
スト８ｂを塗布し、フォトリソグラフィ法によりＳｉＯ
２膜８ａに直径４００μｍの円形状の穴部を形成する。

この形成過程及び形成された状態を第３（ｂ）図及び第
３（ｃ）図に示す。ここで、第２（ａ）図に示すように
１枚の結晶基板上に一度に多量の薄板を形成する。この
方法はフォトリソグラフィ法の利点を生かせて好ましい
。次に、Ｓ　ｉ　Ｏ２膜１０ａ上のレジストを除去し、
化学エツチング法によりＧａＰ結晶基板１０をエツチン
グし、深さ約１００μｍのレンズ収容凹部６を形成する
。次に凹部６を形成した面とは反対の面に、先に形成し
たマスク位置合せ用マーク１１を利用して、半導体発光
素子チップ１の発光部とレンズの軸心との位置合わせに
使用する光軸位置合せ用マーク９をフォトリソグラフィ
法を使用して形成する。このレンズ収容凹部６の形成と
同時に、マスク位置合せ用マーク１１をＳｉＯ２膜上に
形成する。この位置合わせマーク１１の形状は矩形状で
、その内部にクロス部分を有するようにしているが、こ
の形状に限定されるものでなく、以下に述べる光軸位置
合わせ用マーク形成の際使用するフォトマスクの位置合
わせに使用できるものであれば、どの様な形状のマーク
でもよい。光軸位置合せ用マーク９の形状は長さ１０μ
ｍ１幅５μｍ程度の長方形のパターンを第５図に示すよ
うに十字型である。

この形成は先に説明したＳ　１０２マークに穴部を形成
したと同様な方法で行う。

次に、レンズ収容凹部６と光軸位置合わせ用マー　り９
をＧａＰ結晶基板１０に形成した後、結晶基板１０の両
面に無反射コーティングを施す。これは半導体発光素子
チップへの反射光を防止するためである。この無反射コ
ーティングは、例えば電子サイクロトロン共鳴型の化学
気相堆積装置（以下、ＥＣＲ型ＣＶＤ装置という。）等
を用いて付着させる。その−例として、窒化シリコン膜
を付着させることによって、反射率０．５％以下の無反
射コーティングが形成できた。また、このＥＣＲ型ＣＶ
Ｄ装置は、指向性をもって膜を形成できるので、レンズ
収容凹部６の底面に膜を形成するのに特に適している。

しかし、この様な無反射コーティングを形成する装置と
しては、ＥＣＲ型ＣＶＤ装置に限定されず、屈折率１．
５〜２程度の透明誘電体膜をその堆積厚さを制御しつつ
堆積できる装置、例えば、プラズマＣＶＤ装置、電子ビ
ーム蒸着装置、スパッタリング装置等を使用しても無反
射コーティングを行うことができる。

次に、ＧａＰ結晶基板１０の光軸位置合わせマーク形成
側の面に金属膜２５を真空蒸着により形成する。更に、
この金属膜２５上にすずをメツキし、メタライズ部分を
形成する。このようにしてメタライズ部分を形成した状
態を第２（ｂ）図及び第２（Ｃ）図に示す。この第２（
ｂ）図及び第２（Ｃ）図では薄板に分離した状態を示し
ている。

このメタライズ部分は、形成された薄板８をパッケージ
本体２の側面に固定する際、使用される。

更に、このように形成したＧａＰ結晶基板１０をダイシ
ングし、約１．５ｍｍｘ３ｍｍ程度の小片に分割し、薄
板８を完成させる。

上記のように形成した半導体発光素子チップ１□及び薄
板８をパッケージ本体２に固定し、半導体発光装置を製
造する。以下、これらの組み立て方法について説明する
。

まず最初に半導体発光素子チップ１をパッケージ本体２
にダイボンディングし、次にこの半導体発光素子チップ
１とパッケージ本体２に設けた電極部３とをボンディン
グワイヤにより、電気的に接続する。このようにして半
導体発光素子を形成する。次に、この半導体素子に薄板
を固定する方法を第４図及び第５図を用いて説明する。

まず第４図に示すように、マイクロマニプレータ上のス
テージ１２上に先に説明したように形成した半導体素子
チップ１が固定されたパッケージ本体２をクランプ１３
により固定する。つぎに、薄板８を真空チャック１４に
て吸着し、レンズ収容凹部６が半導体発光素子チップ１
の発光部の真上にくるようにマイクロマニプレータを動
かす。

真上にきたら、真空チャック１４を下降させ、薄板８を
パッケージ本体２の側面に軽く接触させる。

次に、光学顕微鏡を用いて半導体発光素子チップ１の発
光部及び光軸合わせ用マーク９を視認しつつ、光軸合わ
せを行う。

光学顕微鏡はマイクロマニプレータのステージ１２の上
方に設置されている。そして半導体発光素子チップ１の
直上部付近に、この光学顕微鏡の対物レンズ１５が位置
するように設置する。この対物レンズ１５の作動距離は
十分長いものである必要がある。また、ここで使用する
真空チャック１４は上下動のみするものでもよいが、マ
ニプレータにより前後左右に微動調整できるものが好ま
しい。この様な状態で、光学顕微鏡を覗きつつ、半導体
発光素子チップ１の発光部の光軸が薄板８に形成したレ
ンズ収容凹部６の中心に位置するようにマイクロマニプ
レータを作動し、位置調整をする。

この位置調整方法は以下の通りである。

第５図に光学顕微鏡の視野の状態を示す。この図に示す
ように、半導体発光素子チップ１の発光部ではエピタキ
シャル成長時の段差１ａが残っているので、容易に発光
部の光軸を視認することができる。また、光軸位置合わ
せ用マーク９は、レンズ収容凹部６の中心に関して点対
称に配置されているため、この先軸位置合わせ用マーク
９のパターンの中心がこのレンズ収容四部６の中心にな
る。ここで、半導体発光素子チップ１のエピタキシャル
成長の段差１ａが、第５図に示すように、光軸位置合わ
せマーク９のパターンの中心にくるようにマイクロマニ
プレータを動かし位置調整する。

この調整においては、先に説明したように光軸合わせマ
ーク９のパターンの中心がレンズ収容凹部６の中心、す
なわち、レンズがこの四部６に嵌め込まれたときのレン
ズ５の中心となるため、レンズ５の中心を容易に視認す
ることができる。また、半導体発光素子チップ１０発光
部の視認が単なる平板状の透明体を介して行うことがで
きるので、そのエピタキシャル成長の段差１ａを容易に
視認することができる。このため、これらのマークを使
用して容易に光軸位置合わせ行うことが可能になる。

光軸位置合わせ完了後、パッケージ本体２の側面に付着
したハンダ２ｂを介して、パッケージ本体２に押し付け
る。次に、マイクロマニプレータのステージ１２内に設
けたヒータに電流を流し、パッケージ本体２を加熱し、
パッケージ本体２の側面に付着させたハンダ２ｂを溶か
し、薄板８の光軸位置合わせ用マーク９が形成されてい
る面のメタライズ部分に融着させ、薄板８とパッケージ
本体２を固定する。

次に、真空チャック１４を薄板８からはずし、真空チャ
ック１４でレンズ５を吸着し、レンズ収容凹部６の近傍
にレンズ５を置く。レンズ５は自動的にレンズ収容凹部
６に落ち込み、落ち込んだ状態でレンズの軸心と半導体
発光素子チップ１の発光部の光軸とが一致する。このレ
ンズが落ち込んだ状態を第３（ｄ）図に示す。この図に
おいてレンズ５は点線で示しあり、レンズ５はレンズ収
容凹部６のエッヂ部分で支持させることになる。

この後、このレンズ５を紫外線硬化型の樹脂で以って薄
板８に固定する。このようにして、本発明に従う実施例
である光学装置が製造できる。

本発明は上記実施例に限定されるものでなく、種々の変
形例が考えられ得る。

具体的には、上記実施例では光を発生する半導体レーザ
を例にとって説明したが、この代わりに、光信号を別の
ファイバに切替るようなスイッチ素子に本発明を適用し
てもよい。

また更に、上記実施例では、レンズ収容凹部は化学エツ
チング法により形成しているが、ドライエツチング法、
例えば、プラズマエツチング法によっても形成できる。

上記実施例では、薄板８とパッケージ本体２の固定をハ
ンダ２ｂを用いて行っているが、これらの固定を紫外線
硬化型の樹脂や、接着剤を使用してもよい。

また、レンズ５をレンズ収容凹部に固定する際、紫外線
硬化型の樹脂の代わりに熱硬化型の樹脂を用いてもよい
。

また更に、上記実施例ではＩｎＧａＡｓＰを用いた半導
体レーザを例にとって説明したが、このタイプのものに
限定されるものでなく、ＡＩ　ＧａＡｓ、Ｉ　ｎＧａＡ
、Ｑ　Ｐ等の各種の混晶系の材料を用いた半導体発光素
子であればどれでも使用できる。また、半導体レーザに
よらず端面発光型の発光ダイオードに使用してもよい。

また更に、上記実施例では、薄板にＧａＰ結晶基板を使
用しているが、サファイヤ等の光透過率の良い材料、ガ
ラス等の可視光や赤外光を透過できる材料であってフォ
トリソグラフィ法で加工が可能のものであれば良い。こ
の薄板の形成の際、この両面を研磨した結晶基板をガラ
ス板に張り付けて、フォトリソグラフィ法により円形状
のレンズ収容凹部６、マスク位置合せ用マーク１１及び
光軸位置合せ用マーク９をしてもよい。ガラス板に張り
付けた状態を第２（ｄ）図に示す。このようにガラス板
に張り付は処理することにより、光軸位置合わせ用マー
ク９及び円形状のレンズ収容凹部６形成の際、位置決め
に使用する位置合わせ用マークをこのガラス板の周辺部
上に形成し、この位置合わせ用マークを利用して、光軸
位置合わせ用マーク９及び円形状のレンズ収容凹部６を
フォトリソグラフィで形成できる。このように形成する
ことにより、容易に位置決め用マークを有する薄板を一
度に多量に製造することができる。

また更に、薄板にレンズ収容凹部を形成する際、ＳｉＯ
膜を形成して行っているが、５１３Ｎ４膜を形成して、
レンズ収容四部を形成しても良い。

更に、上記実施例では光軸位置合せ用マーク９の形状は
長さ１０μｍ、幅５μｍ程度の長方形のパターンを第５
図に示すように十字型としているが、このパターンはこ
の形状、大きさに限定にされるものでなく、種々の形状
、異なる大きさでもよい。例えば、パターン形状を三角
形状、環状等のちのでもよい。

上記実施例では、この先軸位置合せ用マーク９は、エツ
チングによりＧａＰ結晶基板上に彫り込むように形成し
ているが、金属の蒸着により形成してもよい。

また更に、上記実施例ではいわゆるチップキャリア型の
高周波用のパッケージを用いた半導体発光装置について
説明したが、低周波用のいわゆるメタルキャン型と呼ば
れるパッケージにも適用出来る。この適用例を第６図に
示す。この第６図において、半導体発光素子１はパッケ
ージ本体２上に固定され、このパッケージ本体２の側面
には薄板８が固定されている。この薄板８は上記実施例
のものと同じ方法で形成できる。そしてこの薄板８には
レンズ５が固定されている。このレンズ５と半導体発光
素子１との光軸位置合わせは上記実施例の場合と同様に
行うことができる。更に、このパッケージ本体２には発
光素子の出力強度調整用半導体受光素子１８が固定され
る。更に、このパッケージ本体２の全面には保護キャッ
プ１７をかぶせ、半導体発光素子１及び半導体受光素子
１８を保護している。これらの半導体発光素子１及び半
導体受光素子１８には、外部端子１９、２０及び２１が
それぞれに接続されており、他の電気部品と接続できる
ようになっている。

〔発明の効果〕

本発明の光学装置では、光学能動素子と光学受動素子と
の光軸合わせか、簡単にかつ正確に行なっているのでえ
るので、安価で、効率のよい光学装置が実現できる。

また、本発明の製造方法では、目視により、かつ簡単に
光学素子同志の光軸位置合わせができるため、製品歩留
りが高くなる。したがって、従来のように、多量に製造
した光学装置の中から、完成品を選別し、不良品を廃棄
するといった不経済性をなくすことができ、また更に、
目視により位置合わせができるため、位置合わせ用に高
価な測定装置を使用しなくてすむ。又位置合わせの際に
、光学能動素子に電気を流したりする設備が不要になる
。

以上のように、本発明に従う光学装置は安価でかつ光結
合効率の高いものであるので、本発明は光通信等のオプ
トエレクトロニクスの分野の技術発展に資するところが
大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の斜視図、第２図は第１図に示
す半導体発光装置で使用する薄板の製造の過程及び薄板
の構成図、第３図は第２図に示す薄板にレンズ収容凹部
を形成する工程を示す図、第４図は薄板を半導体発光素
子に対して位置調整する方法を説明する図、第５図は第
４図で使用する光学顕微鏡視野の状態を示す図、第６図
は本発明の別の実施例を示す図及び第７図は従来例の斜
視図である。 １・・・半導体発光素子チップ、１ａ・・・段差部、２
・・・パッケージ本体、２ａ・・・パッケージ本体側面
、２ｂ・・・ハンダ、３・・・電極部、４・・・位置合
わせ溝、５・・・レンズ、６・・・レンズ収容凹部、７
・・・紫外線硬化型樹脂、８・・・薄板、８ａ・・・Ｓ
ｉＯ２膜、８ｂ・・・レジスト、９・・・光軸合わせ用
マーク、１０・・・ＧａＰ結晶基板、１１・・・マスク
位置合わせ用マーク、１２・・・ステージ、１３・・・
クランプ、１４・・・真空チャック、１５・・・対物レ
ンズ、１６・・・ボンディングワイヤ。 特許出願人　　住友電気工業株式会社 代理人弁理士　　　長谷用　　芳　　樹間　　　　　　
　　　寺　　　嶋　　　史　　　開本発明の一実施例 第１図 本発明の光学装置をこ使用する薄板 第２図 第３図 薄板の調節固定 第４図 顕微鏡視野 第５図 本発明の別の実施例 第６図 従来例 第７図 手続補正書 昭和６３年８月１１日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基体上に装着され、該基体の上面に沿って光を発光
   または受光する光学能動素子と、該基体の上面に垂直な
   面に取り付けられる光透過性の薄板とを含み、 該薄板が、該光学能動素子と反対側の面に光学受動素子
   を収容するための光学受動素子収容凹部を有し、更に該
   光学能動素子側の面の該光学受動素子収容凹部に対応す
   る部分に位置合わせ用のマークを有し、 該光学受動素子が凹部に固定され、該位置合わせ用マー
   ク及び光学受動素子収容凹部がフォトリソグラフィ法に
   より形成されている光学装置。 ２、光学能動素子を基体の上面に固定する工程と、 光透過性の薄板の一方の面に円形状の凹部を、他方の面
   の該凹部に対応する部分に位置合わせ用マークをフォト
   リソグラフィ法によりそれぞれ形成する工程と、 前記工程により形成された薄板を該基体の上面に垂直な
   面に当接させ、前記位置合わせ用マークを利用して、該
   薄板に形成した該凹部中心部と光学能動素子の光軸との
   位置合わせを行う工程と、前記位置合わせ工程完了後、
   前記薄板を該垂直な面に固定し、更に、前記凹部に光学
   受動素子を固定する工程を含む光学装置の製造方法。