JPH0661566A - 光学デバイスとその製造方法 - Google Patents

光学デバイスとその製造方法

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JPH0661566A
JPH0661566A JP4211070A JP21107092A JPH0661566A JP H0661566 A JPH0661566 A JP H0661566A JP 4211070 A JP4211070 A JP 4211070A JP 21107092 A JP21107092 A JP 21107092A JP H0661566 A JPH0661566 A JP H0661566A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザ光源と、レンズ等の光学素子を有した
光学デバイスに関し、小形で、構造が安定で、しかも製
造が容易で、光源の波長変動が生じない光学デバイスを
提供する。 【構成】 基板5表面に、第1の光学素子2と、反射形
でしかも回折形の集光作用を有する第2の光学素子を設
け、基板5裏面に半導体レーザ1を設け、半導体レーザ
1からの発振光4を、第1及び第2の光学素子2、3に
入射させ、第2の光学素子3によって反射回折した光7
を半導体レーザ1の表面出射端9に入射させ、第1の光
学素子2により、発振光4Aをコリメートして出射光8
としてとりだすものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光源と、コリメ
ータレンズ等の光学素子を有した光学デバイスに関する
ものであり、特に、半導体レーザ光源を有していなが
ら、小形であり構造が安定で、光源の波長変動が生じな
い光学デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザ光源は、小形軽量である
が、温度により、波長が変動する特徴があり、特に波長
安定が求められる光システムでは、そのままでは使いに
くいという問題点があった。これを解決する方法として
図6に示す光学デバイスがあった(末田哲夫:「オプト
ロニクス技術活用のための光学部品の使い方と留意
点」、p.90、オプトロニクス社)。
【0003】半導体レーザ1の裏面出射端13より出射
された発振光15は、コリメータレンズ10により平行
光となり、直線グレーティング12に入射する。このグ
レーティング12は、選択波長に対して、リトローの条
件で設けられていて、つまり、選択された波長での1次
回折光7のみが発振光15に対して平行に回折され、再
びコリメータレンズ10で集光され、半導体レーザ1の
裏面出射端13に入射する。他の波長の1次回折光は裏
面出射端13には入射しない。これにより、レーザ発振
波長が、選択波長に引きずり込まれ、表面出射端9から
安定波長の発振光14’として、出射される。この発振
光14’をコリメータレンズ11で平行化すれば、波長
安定な平行光14として、光学システムに使用すること
ができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図6に示した従来の光
学デバイスでは、半導体レーザ1を波長安定化するため
に、コリメータレンズ10と直線グレーティング12と
いう少なくとも2つの部品を組み合わせて用いているた
め、小型化が困難であり、さらにそれぞれの位置合わせ
や、グレーティング12の微妙な傾き角調整も難しく、
出射レーザ光14’を平行化する場合には、さらにコリ
メータレンズ11の調整も行なわなければならず、つま
り光学的アライメントが難しく、組立に時間・人手がか
かるという課題があった。また、組み立てても、温度変
化、振動等の外乱に弱く、安定性に欠けるという課題が
あった。さらに、これらの光学部品10、11、12は
別々に製造しなければならないという課題があった。
【0005】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、小形で、光学アライメントが簡単で、しかも構造が
安定で、製造も容易な光学デバイスを提供するものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、基板と、上記基板の表面に形成した第1
の光学素子と、上記基板の表面に形成した反射形でしか
も回折形の集光作用を有する第2の光学素子と、半導体
レーザからなり、上記半導体レーザからの発振光を、上
記第2の光学素子に入射させ、上記第2の光学素子によ
って反射回折させた光を上記半導体レーザの表面出射端
に入射させることを特徴とする光学デバイスを提供する
ものである。
【0007】
【作用】本発明は、発振レーザ光を波長選択して、レー
ザ出射端面にもどすことにより、半導体レーザの波長を
安定化させる第2の光学素子と、レーザ光を、例えば、
コリメートさせたり、集光させたりする、第1の光学素
子を、同一基板上に形成した構造であるため、小形にな
り、これらの光学素子の位置合わせも、公知のプレーナ
技術で容易に正確にでき(作製と同時に位置合わせが行
えるので、作製後の組立の必要がない)、また構造も安
定になり、またこれらの光学素子は、どちらをも含む金
型を作製し、光学素子を同時に複製することにより、相
対的位置関係を保ったままで、一度に製造できる。
【0008】
【実施例】図1(a)、(b)はそれぞれ本発明の第1
の実施例の光学デバイスの基本構成を示す断面図、上面
図であり、図2は、本発明の第1の実施例の光学デバイ
スにおいて、各波長の反射回折の様子を示す側面図であ
る。本発明の第1の実施例を図1、2を用いて詳細に説
明する。
【0009】本発明の第1の実施例の光学デバイスは、
図1に示すように、例えば4.5mm厚のガラス基板5
の表面に、第1の光学素子2と、その回りに第2の光学
素子3を形成し、第1の光学素子2の中央真下の基板5
の裏面に、半導体レーザ1を設けている。第1の光学素
子2は、口径が例えば1mmの透過形のマイクロフレネ
ルレンズであり、点光源をコリメートするように設定さ
れている。このマイクロフレネルレンズは、例えば、最
大溝深さが1.3μmの同心円の鋸歯形状グレーティング
からなり、外周にいくほど周期が小さくなる構造をして
いる。第2の光学素子3は、反射形で集光作用を有する
反射形回折光学レンズであり、口径が例えば1mm〜
1.3mmのドーナツ形で、点光源を、同じ位置に焦点
をもつように反射集光するように設定されている。この
光学素子3は、例えばAgやAl、Au等の金属層また
は誘電体の多層膜の反射層6を上面に設けた、例えば最
大溝深さが0.24μmの同心円の鋸歯形状反射形グレー
ティングからなる。グレーティング周期は、最内周から
最外周まで、例えば2.4μmから1.8μmまで徐々に小
さくなっている。この素子3は反射形のマイクロフレネ
ルレンズの外周部分に相当する。
【0010】半導体レーザ1の表面出射端9からの発振
光4(例えば、中心波長が0.78μm周辺)は、基板5
内を通って、発振光の周辺部分4Bは、第2の光学素子
3に入射する。第2の光学素子3に入射した発振光4B
は、例えば、50%の回折効率で反射回折されて、選択
された波長(例えば0.780μm)での反射1次回折光
7のみが、半導体レーザ1の表面出射端9に集光されて
入射する。入射光量は、表面出射端9の反射率に依存し
ていたが、本実施例では、全発振光量の、例えば、5%
から33%を入射光量としたが、これは、表面出射端9
のほぼ反射率(例えば5%)以上にすれば、波長変動を
抑制する効果があった。図2に示しているように、(図
2では、選択波長を基準にした波長差Δλの光に対し
て、それぞれ集光の様子を示し、光線を示す実線は波長
が選択波長λのとき(Δλ=0)のときで、1点鎖線、
点線は、それぞれ、Δλ>0のとき、Δλ<0のときで
ある)、他の波長(例えば0.77〜0.79μm)の1
次回折光は、第2の光学素子3での回折角が異なるた
め、表面出射端9にはほとんど入射しない(Δλ>0の
ときは焦点距離が短くなり、Δλ<0のときは、逆に長
くなる)。これにより、レーザ発振波長が、選択波長に
引きずり込まれ、同一の表面出射端9から安定波長の発
振光4として、出射される。この発振光中央部4Aは、
第1の光学素子2により、コリメートされて、平行出射
光8として出力する。例えば、光ディスクのピックアッ
プ等の光学システムに利用するにはこの光8を用いる。
本実施例では、反射回折光として、1次のものを用いた
が、2次等の他の次数の回折光を用いてもよい。
【0011】第2の光学素子は、半導体レーザ1へのフ
ィードバック用として用いているが、基板5の外周部に
ドーナツ形に形成することにより、中央部の発振光4A
の光量を減らすことがなく、また、発振光周辺部4B
は、ビーム成形のため、従来では多くの場合、故意に用
いていなかったが、本実施例の光学デバイスでは、この
光4Bを有効利用するという効果がある。また、通常半
導体レーザ1からの発振光は円形ではなく細長い楕円で
あるため、その楕円の長軸方向に合わせるように、第2
の光学素子3をドーナツ形の両端に部分的に形成しても
よい。
【0012】このように、本発明者は、波長選択するグ
レーティングとレンズの働きを、第2の光学素子3にさ
せ、これを、出射光4をコリメートする第1の光学素子
2と同一基板5上に形成することにより、光学デバイス
が小形になり、これらの光学素子の位置合わせも、公知
のプレーナ技術で容易に正確にでき、作製と同時に位置
合わせが行えるので、作製後の組立の必要もなくなり、
また構造も安定になり、非常に効果があることを発見し
た。
【0013】本実施例の第2の光学素子3は、レーザ1
の表面出射端9から素子2、3の形成したガラス面まで
の距離をaとすると、位相シフト関数として、Φ(r)
=λ/(nπ)・(√(a2+r2)−a)−2mπで与
えられる。ただし、λは、光の波長、rは、レンズ3の
中心からの距離、nは基板5の屈折率である。mは0≦
Φ≦2πを満たす整数である。これは近似的に、焦点距
離がf=a/2のレンズである。
【0014】光学素子2、3の製造方法としては、公知
のプレーナ技術の1つである電子ビーム描画法を用い
た。すなわち、ガラス板5上にコーティングした、例え
ば、PMMAやCMS等の電子ビームレジストに第1と
第2の光学素子2、3に対応するように、電子ビームを
同心円状に照射し、現像処理を行なうことにより、膜厚
を変化させ、その後、第2の光学素子3上のみに反射層
6を堆積した。大量生産は、反射層6を堆積する前に、
第1と第2の光学素子を同時に含む金型を作製し、例え
ば、UV硬化樹脂を用いて金型から複製し、反射層6を
堆積すれば原盤と同一の光学素子2、3が同時に、相対
的位置関係を保ったままで作製でき、本発明の光学デバ
イスが、低価格で製造可能である。また、光学素子2、
3が、熱的に問題がある場合は、現像後、イオンビーム
エッチングや、弗酸等でガラス板5に転写すると熱的に
も安定になる。
【0015】本実施例では、光学素子2、3を構成する
グレーティングのパターン形状は円形としたが、半導体
レーザ1からの出射光4の発散球面波は、一般に非点収
差が発生するため、グレーティングのパターン形状を楕
円形とすることにより、逆の方向に非点収差を発生させ
て無収差にすることも可能である。また、本実施例で
は、光学素子2、3を構成するグレーティングの断面形
状は鋸歯形状にしたが、これは、矩形形状でも、回折効
率は悪くなるが、同様の効果がある。さらに、本実施例
では、第1の光学素子を回折形のレンズとしたが、屈折
形の平凸レンズでも、レンズ厚が大きくなるものの一体
化としての効果はある。
【0016】また、第1の光学素子2と半導体レーザ1
の位置合わせが、第2の光学素子3を設けたことによっ
て、第2の光学素子3からの反射1次回折光が、表面出
射端9にくるようにすればよいため、簡単になる。ま
た、出射光8の波長をモニターして、設計波長になるよ
うに位置合わせを行なえば、位置合わせの自動化も容易
にできるという効果もある。
【0017】図3は本発明の第2の実施例の光学デバイ
スの基本構成を示す断面図(a)と上面図(b)であ
る。第1の実施例と異なる点について説明する。
【0018】本実施例では、基板5として、左下部を、
基板5下面から例えば、30°の角度で斜め方向に切断
した、例えば厚さ4mmのガラス板を用い、その切断部
分に、半導体レーザ1の表面出射端9を垂直に設置して
ある。表面出射端9から出射された発振光4は、基板5
上面に形成した第1、第2の光学素子2A、2Bに、垂
直方向から例えば30°の斜角度で入射する。第1の光
学素子2Aを取り囲むように形成した第2の光学素子3
Aに入射した発振光4Bは、第1の実施例と同じく、選
択波長の反射1次回折光7が表面出射端9に入射し、波
長を選択波長で固定化する。第1の光学素子2Aに入射
した発振光4Aは、反射コリメートされて、基板下面に
設けた反射層6Aに反射され、基板5を通過し、外部に
コリメートされた出射光8として出射される。基板5の
表面から斜め方向外部に、出射光8を出射させることに
よって、通常の半導体レーザ光が細長い楕円であるが、
発振光4の楕円の長軸を、基板5内を伝搬する発振光4
の光軸(または、半導体レーザ1から第1の光学素子2
Aへの光軸)と平行になるように、半導体レーザ1を設
置することにより、その楕円率が小さくなり(円形に近
づき)、ビーム成形される効果がある。
【0019】第1の光学素子2Aは、例えば、長軸方向
1mm、短軸方向0.86mmのサイズの反射形でしか
も斜入射用(例えば30°の斜入射角)の回折光学マイ
クロレンズで、第2の光学素子3Aも、例えば、長軸方
向1mmから1.3mm、短軸方向0.86mmから1.
1mmのサイズの斜入射用の反射形回折光学レンズであ
り、どちらの素子2A、3Aの上面にも反射層6A’を
堆積している。第1の光学素子2Aは、構成するグレー
ティングは、断面が鋸歯形状で、パターン形状は楕円形
であり、楕円形の中心位置は、外周部にいくにしたがっ
て、楕円形の光源1側の長軸方向とは逆方向に、徐々に
ずれており、それぞれ、斜入射で生じる非点収差、コマ
収差を補正した構造になっている。第2の光学素子3A
は、断面が矩形形状で、平面的には、放物線状のグレー
ティングが、光源1側に近づくにつれて、周期と曲率が
徐々に大きくなる構造をしている。
【0020】本実施例では、基板5上に第1と第2の光
学素子2A,3Aを形成した構造について述べたが、以
下述べる第3、4の実施例ともに、さらに多くの光学素
子を同一基板5上に形成して、ジグザグ光路を利用して
光学的処理を行なわせる、公知のプレーナ光学系にも用
いることができる。
【0021】図4は本発明の第3の実施例の光学デバイ
スの基本構成を示す断面図(a)と下面図(b)であ
る。第2の実施例と異なる点について説明する。
【0022】本実施例では、半導体レーザ1、第2の光
学素子3B、第2の光学素子2Bをすべて、例えば1.
5mm厚の基板5の下面にこの順で設けている。基板5
下面に傾けて設置した半導体レーザ1からの発振光4
は、基板5内をジグザグ伝搬する形で、第2の光学素子
3Bに入射し、出射する反射1次回折光7は、逆向きに
ジグザグ伝搬する形で、半導体レーザ1の表面出射端9
に入射し、発振波長を固定化する。第2の光学素子3B
から出射された0次回折光(透過光)は、さらにジグザ
グ伝搬する形で、第1の光学素子に入射し、コリメート
されて、出射光8として、取り出すものである。
【0023】本実施例では、第2の実施例と比べて、光
源1からコリメータレンズである第1の光学素子2まで
の光路長を長くとれるため、基板5の厚さを薄くでき、
あるいは第1の光学素子2は長焦点でよいため設計作製
が楽になる。さらに、第2の光学素子3Bの大きさが第
1の光学素子2Bのおよそ半分ですむため、電子ビーム
描画で作製するとき、作製が楽になる。
【0024】図5は本発明の第4の実施例の光学デバイ
スの基本構成を示す断面図(a)と下面図(b)であ
る。第3の実施例と異なる点について説明する。
【0025】本実施例では、半導体レーザ1、第1の光
学素子2C、第2の光学素子3Cをすべて、例えば、3
mm厚の基板5の下面にこの順で設けている。基板5下
面に傾けて設置した半導体レーザ1からの発振光4は、
基板5内をジグザグ伝搬する形で、第1の光学素子2C
に入射し、コリメートされ、さらにジグザグ伝搬する形
で、均一周期の直線グレーティングである第2の光学素
子3Cに入射し、その反射1次回折光7は、逆向きにジ
グザグ伝搬する形で、第1の光学素子2Cをへて半導体
レーザ1の表面出射端9に入射し、発振波長を固定化す
る。第2の光学素子3Cから出射された0次回折光(透
過光)は、基板5内を伝搬して出射光8として、取り出
すものである。
【0026】本実施例では、第2の光学素子3Cは、均
一周期の直線グレーティングでよいため、第3の実施例
と比べて設計作製が楽になるという効果がある。
【0027】以上、本発明の光学デバイスについて、実
施例について述べたが、第1と第2の光学素子以外に第
3あるいは複数の他の光学素子を、同一基板上に形成し
ても同様の効果が得られる。また、これらの実施例の光
学デバイス以外に、それぞれの光学デバイスの構成を組
み合わせた光学デバイスも構成可能であり、同様の効果
を有するのは言うまでもない。
【0028】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、小形で、
光学アライメントが簡単で、しかも構造が安定で、製造
も容易な光学デバイスが実現可能であるという効果を有
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の第1の実施例の光学デバイス
の基本構成を示す断面図 (b)は同上面図
【図2】本発明の第1の実施例の光学デバイスにおい
て、各波長の反射回折の様子を示すを示す側面図
【図3】(a)は本発明の第2の実施例の光学デバイス
の基本構成を示す断面図 (b)は同上面図
【図4】(a)は本発明の第3の実施例の光学デバイス
の基本構成を示す断面図 (b)は同下面図
【図5】(a)は本発明の第4の実施例の光学デバイス
の基本構成を示す断面図 (b)は同下面図
【図6】従来の光学デバイスの構成を示す側面図
【符号の説明】
1 半導体レーザ 2 第1の光学素子 3 第2の光学素子 4 発振光 5 基板 6 反射層 7 反射1次回折光 8 出射光 9 表面反射端

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板と、上記基板上に形成した第1の光学
    素子と、上記基板上に形成した反射形でしかも回折形の
    集光作用を有する第2の光学素子と、半導体レーザから
    なり、上記半導体レーザからの発振光を、上記第2の光
    学素子に入射させ、上記第2の光学素子によって反射回
    折させた光を上記半導体レーザの表面出射端に入射させ
    ることを特徴とする光学デバイス。
  2. 【請求項2】第1の光学素子は、回折形の光学素子であ
    ることを特徴とする請求項1に記載の光学デバイス。
  3. 【請求項3】第2の光学素子は、第1の光学素子の回り
    に形成してなり、半導体レーザからの発振光を、上記第
    1の光学素子に入射させ、出射させることを特徴とする
    請求項1に記載の光学デバイス。
  4. 【請求項4】第1の光学素子は、反射形の光学素子であ
    り、半導体レーザから上記第1の光学素子への光軸は基
    板表面に対して垂直ではなく、傾いていることを特徴と
    する請求項1に記載の光学デバイス。
  5. 【請求項5】半導体レーザからの発振光を、第2の光学
    素子に入射させ、出射された0次回折光を、第1の光学
    素子に入射させることを特徴とする請求項4に記載の光
    学デバイス。
  6. 【請求項6】第2の光学素子は、均一周期の直線グレー
    ティングであって、半導体レーザからの発振光を、第1
    の光学素子に入射させ、出射された光を、上記第2の光
    学素子に入射させることを特徴とする請求項4に記載の
    光学デバイス。
  7. 【請求項7】発振光の楕円の長軸を、半導体レーザから
    第1の光学素子への光軸と平行にさせるように上記半導
    体レーザを設けることを特徴とする請求項4に記載の光
    学デバイス。
  8. 【請求項8】半導体レーザの表面出射端に入射させる光
    の、発振光に対する割合は、表面出射端の反射率以上に
    することを特徴とする請求項1に記載の光学デバイス。
  9. 【請求項9】第1の光学素子と第2の光学素子を同時に
    含む金型を作製し、上記金形を用いて、第1の光学素子
    と第2の光学素子を同時に複製することを特徴とする請
    求項1に記載の光学デバイスの製造方法。
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