WO2000031684A1 - Procede de mesure de la force de coercition d'une carte magnetique - Google Patents

Description

明 細 書

磁気カードの抗磁力判定方法 技術分野

本発明は、 磁気カードの抗磁力判定方法に関する。 より詳しくは、 本発明は、 磁気カードの抗磁力の高低を自動判定する機能を有する磁気力一ドリーダに好適 な磁気力一ドの抗磁力判定方法に関するものである。 背景技術

従来、 磁気力一ドリーダでは抗磁力が同じ磁気カードを使用するのが一般的で ある。 即ち、 予め上位からの信号により用いる磁気カードの抗磁力が指定されて おり、 2種類以上の抗磁力の磁気力一ドを同一の磁気カードリーダで処理するよ うにはなっていない。

近年、 磁気カードの抗磁力を大きくする傾向がある。 例えば、 抗磁力が 3 0 0 O eの低抗磁力カードを、 抗磁力が 2 7 5 O O eの高抗磁力カードに切り換える 動きがある。 このため、 過渡期には、 低抗磁力カードと高抗磁力カードの両方の 磁気カードが同時に使用される可能性がある。 一般に、 抗磁力の異なる磁気カー ドをライ 卜する場合、 抗磁力に応じた適正なライ ト電流を設定しないと適正な力 ード出力を得ることができない。 したがって、 上位装置の指令によらずに磁気力 —ドの抗磁力に応じて適正なライ ト電流を設定するためには、 当該磁気カードが 高抗磁力力一ドであるか低抗磁力カードであるかを判定する機能を磁気力一ドリ ーダに備える必要がある。

本発明は、 挿入されたカードに基づいて使用される磁気カードの抗磁力を判定 することができる磁気カードの抗磁力判定方法を提供することを目的とする。 発明の開示

かかる目的を達成するために請求の範囲第 1項記載の発明は、 力一ド揷入口よ り挿入された低抗磁力カード又は高抗磁力力一ドに形成された磁気情報を磁気へ ッ ドにより再生又は記録するようにした磁気カードの抗磁力判定方法であって、

確認用写 し 低抗磁力カードのデ一夕のみ消去可能な電流にて挿入されたカードのデータを消 去したのち、 カードのデ一夕を再生し、 デ一夕が破壊状態である場合に挿入され たカードを低抗磁力カードと判定するものである。 したがって、 低抗磁力カード のデ一夕のみ消去可能な電流によってデータが破壊されたか否かによって磁気力 一ドの抗磁力が判定される。 また、 このようにカードの抗磁力判定機能を磁気力 一ドリ一ダにもたせることができるので、 各カードに対し適切なライ ト電流にて ライ ト処理できる磁気カードリーダを提供することができる。

また、 請求の範囲第 2項記載の発明は、 カード挿入口より挿入されたカードが 低抗磁力カードであるかを検出し、 カードに形成された磁気情報を磁気へッドに より再生又は記録するようにした磁気カードの抗磁力判定方法であって、 低抗磁 力カードのデータのみ消去可能な電流にて挿入されたカードのデ一夕を消去した のち、 カードのデ一夕を再生し、 データが破壊状態である場合に挿入された力一 ドを低抗磁力カードと判定するものである。 したがって、 低抗磁力カードのデ一 夕のみ消去可能な電流によってデータが破壊されたか否かによって低抗磁力力一 ドであるか低抗磁力力一ド以外のカードであるかが判定される。

これらの場合、 請求の範囲第 3項記載の磁気カードの抗磁力判定方法のように、 データの破壊状態は、 再生したデータの磁化反転回数により判定するか、 予め定 められたカードに記録されているべき特定データが認識されないことにより判定 することが望ましい。 この場合には、 再生したデ一夕の磁化反転回数が通常のそ の磁気ストライプの記録密度による磁化反転回数よりも少ないとき、 又は記録さ れているべき特定データが認識されないときにはデータが破壊されていると考え られ、 低抗磁力カードか否かを判定できる。

即ち、 再生したデ一夕の磁化反転回数が通常のその磁気ストライプの記録密度 による磁化反転回数よりも少ないとき、 又は記録されているべき特定データが認 識されないときにはデータが破壊されていると考えることができるので、 これら のときにはカードが低抗磁力力一ドであると判定することができる。

また、 請求の範囲第 4項記載の発明は、 カード揷入口より挿入された低抗磁力 カード又は高抗磁力カードに形成された磁気情報を磁気へッドにより再生又は記 録するようにした磁気カードの抗磁力判定方法であって、 低抗磁力力一ドのデ一 夕のみ書き替え可能な電流にて挿入されたカードのデ一夕を書き替えたのち、 力 ―ドのデ一夕を再生し、 デ一夕が破壊状態である場合に挿入されたカードを低抗 磁力カードと判定するものである。 したがって、 低抗磁力カードのデータのみ書 き替え可能な電流によってデータを書き替えることでデ一夕が破壊されたか否か によって磁気カードの抗磁力が判定される。 また、 このようにカードの抗磁力判 定機能を磁気カードリーダにもたせることができるので、 各力一ドに対し適切な ライ ト電流にてライ ト処理できる磁気カードリーダを提供することができる。 この場合、 請求の範囲第 5項記載の磁気カードの抗磁力判定方法のように、 デ 一夕の破壊状態は、 予め定められたカードに記録されているべき特定デ一夕が認 識されないことにより判定することが望ましい。 この場合には、 記録されている べき特定データが認識されないときにはデータが破損されていると考えられ、 低 抗磁力カードか否かを判定できる。

即ち、 記録されているべき特定データが認識されなければデータが破損されて いると考えることができるので、 このときには力一ドが低抗磁力力一ドであると 判定することができる。

また、 請求の範囲第 6項記載の発明は、 力一ド揷入口より挿入されたカードが 低抗磁力カードであるかを検出し、 カードに形成された磁気情報を磁気へッドに より再生又は記録するようにした磁気カードの抗磁力判定方法であって、 低抗磁 力カードのデ一夕のみ書き替え可能な電流にて挿入されたカードのデ一夕を書き 替えたのち、 カードのデータを再生し、 デ一夕が破壊状態である場合に挿入され たカードを低抗磁力カードと判定するものである。 したがって、 低抗磁力カード のデ一夕のみ書き替え可能な電流によってデ一夕が書き替えられて破壊されたか 否かによって低抗磁力カードであるか低抗磁力カード以外の力一ドであるかが判 定される。

また、 請求の範囲第 7項記載の発明は、 カード挿入口より挿入されたカードが 高抗磁力カードであるかを検出し、 カードに形成された磁気情報を磁気へッドに より再生又は記録するようにした磁気カードの抗磁力判定方法であって、 低抗磁 力カードのデ一夕のみ書き替え可能な電流にて挿入された力一ドのデ一夕を書き 替えたのち、 カードのデータを再生し、 デ一夕が破壊されていない状態である場 合に挿入されたカードを高抗磁力カードと判定するものである。 したがって、 低 抗磁力カードのデータのみ書き替え可能な電流によってデータを書き替えようと しても実際にはデータが書き替えられないことから、 デ一夕が破壊されていない かどうかによつて高抗磁力カードであるか高抗磁力カード以外の力一ドであるか が判定される。

この場合、 請求の範囲第 8項記載の磁気カードの枋磁力判定方法のように、 デ 一夕の破壊されていない状態は、 予め定められたカードに記録されているべき特 定デ一夕が認識されることにより判定することが望ましい。 この場合には、 デ一 夕が実際に書き替えられていればデータが破壊されたと考えられ、 データが実際 には書き替えられていなければデータが破壊されていないと考えることができ、 高抗磁力カードであるか高抗磁力カード以外の力一ドであるかを判定できる。 即ち、 記録されているベき特定デー夕が認識されればデー夕は破壊されてレ、な いと考えることができるので、 このときには力一ドが高抗磁力力一ドであると判 定することができる。

さらに、 請求の範囲第 9項記載の発明は、 カード挿入口より挿入された低抗磁 力力一ド又は高抗磁力カードに形成された磁気情報を磁気へッドにより再生又は 記録するようにした磁気カードの抗磁力判定方法であって、 低抗磁力カード及び 高抗磁力力一ドのデータを消去可能な電流にて挿入されたカードのデータを消去 したのち、 低抗磁力カードのみライ ト可能な電流にてデ一夕をライ トし、 その後 当該データを再生した時に適正な再生状態である場合に挿入されたカードを低抗 磁力カードと判定するものである。 したがって、 消去後にライ 卜されたデ一夕が 適正に再生されるか否かによって磁気カードの抗磁力が判定される。 また、 この ようにカードの抗磁力判定機能を磁気カードリーダにもたせることができるので、 各カードに対し適切なライ ト電流にてライ ト処理できる磁気カードリーダを提供 することができる。

この場合、 請求の範囲第 1 0項記載の磁気カードの抗磁力判定方法のように、 デ一夕の適正な再生状態は、 再生したデータの磁化反転回数により判定するか、 予め定められた力一ドに記録されているべき特定データの認識により判定するこ とが望ましい。 この場合には、 再生したデータの磁化反転回数が通常のその磁気 ストライプの記録密度による磁化反転回数よりも少ないとき、 又は記録されてい るべき特定データが認識されないときにはデータの再生状態が不適切であると考 えられ、 低抗磁力カードか否かを判定できる。

即ち、 再生したデータの磁化反転回数が通常のその磁気ストライプの記録密度 による磁化反転回数よりも少ないとき、 又は記録されているべき特定データが認 識されないときにはデータの再生状態が不適切であると考えることができるので、 このときにはカードが高抗磁力カードであると判別できる。

また、 請求の範囲第 1 1項記載の発明は、 カード揷入口より挿入されたカード が高抗磁力カードであるかを検出し、 カードに形成された磁気情報を磁気へッド により再生又は記録するようにした磁気力一ドの抗磁力判定方法であって、 低抗 磁力カード及び高抗磁力力一ドのデ一夕を消去可能な電流にて挿入されたカード のデータを消去したのち、 低抗磁力カードのみライ ト可能な電流にてデータをラ ィ 卜し、 その後当該データを再生した時に適正な再生が不可能である場合に挿入 されたカードを高抗磁力カードと判定するものである。 したがって、 消去後にラ ィ 卜されたデータが適正に再生されるか否かによって磁気カードが高抗磁力力一 ドであるか高抗磁力カード以外の力一ドであるかが判定される。

この場合、 請求の範囲第 1 2項記載の磁気カードの抗磁力判定方法のように、 再生出力の磁化反転回数が磁気ストライプの記録密度による通常の磁化反転回数 よりも少ない場合に適正な再生が不可能と判定することが望ましい。 この場合に は、 再生したデ一夕の磁化判定回数が通常のその磁気ストライプの記録密度によ る磁化反転回数よりも少ないときにはデータの再生が不適切、 即ち再生が不可能 であると考えられ、 高抗磁力力一ドか高抗磁力力一ド以外のカードかを判定でき る。

即ち、 再生出力の磁化判定回数が磁気ストライプの記録密度による通常の磁化 判定回数よりも少ない場合には、 データの再生状態が不適切、 即ち適正な再生が 不可能であると考えることができるので、 このときには力一ドが高抗磁力力一ド であると判別することができる。

また、 請求の範囲第 1 3項記載の発明は、 カード挿入口より挿入されたカード が低抗磁力カードであるかを検出し、 カードに形成された磁気情報を磁気へッド により再生又は記録するようにした磁気力一ドの抗磁力判定方法であって、 低抗 磁力カード及び高抗磁力カードのデータを消去可能な電流にて挿入されたカード のデータを消去したのち、 低抗磁力カードのみライ ト可能な電流にてデータをラ イ トし、 その後当該デ一夕を再生した時に適正な再生状態である場合に挿入され たカードを低抗磁力カードと判定するものである。 したがって、 消去後にライ ト されたデ一夕が適正に再生されるか否かによって磁気カードが低抗磁力カードで あるか低抗磁力力一ド以外の力一ドであるかが判定される。

更に、 請求の範囲第 14項記載の磁気カードの抗磁力判定方法のように、 デ一 夕の適正な再生状態は、 予め定められたカードに記録されているべき特定デ一夕 が認識された場合に適正な再生状態であると判定することが望ましい。 この場合 には、 記録されているべき特定データが認識されればデ一夕の再生状態が適正で あると考えられ、 低抗磁力カードか低抗磁力力一ド以外のカードかを判定できる。 即ち、 再生出力中に特定データが認識された場合には、 データの再生状態が適 切、 即ち適正な再生状態であると考えることができるので、 このときにはカード が低抗磁力カードであると判別することができる。 図面の簡単な説明

F i g. 1は本発明の磁気カードの抗磁力判定方法を実施する磁気力一ドリ一 ダの概略構成図である。 F i g. 2は磁気ヘッ ドの各抗磁力カードに対する DC 消去特性を示す図である。 F i g. 3は各抗磁力カードの飽和特性を示す図であ る。 F i g. 4は本発明の磁気カードの抗磁力判定方法の第 1の実施形態を示す フローチャートである。 F i g. 5は本発明の磁気カードの抗磁力判定方法の第 2の実施形態を示すフローチャートである。 F i g. 6は本発明の磁気カードの 抗磁力判定方法の第 3の実施形態を示すフローチャートである。 F i g. 7は本 発明の磁気力一ドの抗磁力判定方法の第 4の実施形態を示すフローチャートであ る。 F i g. 8は本発明の磁気カードの抗磁力判定方法の第 5の実施形態を示す フローチャートである。

発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明の構成を図面に示す最良の形態に基づいて詳細に説明する。

F i g. 1に、 本発明を適用した磁気力一ドリーダの実施形態の一例を示す。 なお、 本実施形態の力一ドリーダは、 例えば 3000 eの低抗磁力カードと 27

500 eの高抗磁力力一ドに対応するものである。

磁気カードリーダは、 カード揷入口 2より挿入した磁気力一ド 1に形成された 磁気情報を磁気へッド 3により再生又は記録するようにしたもので、 磁気情報を 記録するためのデータトラックの抗磁力を判定する判定手段を備えている。 判定 手段は、 磁気へッド 3を介して所定の電流にてデ一夕を記録又は消去すると共に そのデータの再生を行って磁気カード 1の抗磁力を判定する抗磁力判定部 4を有 している。 また、 制御部 10は、 所定の電流にてデータを記録する前にデータト ラックに記録されたデータを記憶しておく元データメモリ （記憶部） 5を有して いる。

カード挿入口 2より挿入された磁気カード 1は、 カード走行駆動手段 6によつ て駆動されるローラ対 7， 7により搬送される。 カード走行駆動手段 6はセンサ 8， 8からの信号に基づいてローラ対 7 , 7を正逆両方向に回転させる。

磁気へッド 3は、 例えば 27500 eの高抗磁力カード用のもので、 電流の大 きさを変化させることで 3000 eの低抗磁力カード用としても使用することが できる。 この磁気ヘッド 3は、 記録及び再生の機能を有する磁気ヘッドであり、 磁気ヘッド制御部 9によって制御される。 この磁気ヘッド 3の各抗磁力 （ 300，

650， 2750, 40000 e) のカードに対する D C消去特性を F i g. 2 に示す。 F i g. 2より、 低抗磁力 （ 300 Oe) カードのみ消去できる電流と は 20〜30 mA程度、 低抗磁力力一ドと高抗磁力カード （275 OOe) の両 方を消去できる電流とは 120 mA以上となることが分かる。

また、 F i g. 3に各抗磁力のカードの飽和特性を示す。 低抗磁力カード （3 000 e) の飽和電流は 12. 5 mA 0 -P (ゼロ—ピーク） である。 ライ ト電 流は磁気ヘッド 3のライ ト能力のマージン等を考慮し、 飽和電流値の 1. 5〜3 倍程度にするのが一般的である。 I S 0の高抗磁力カードの規定では、 飽和電流 値の 80%の出力がとれる電流 （7. 5 mA) の 2. 5〜3. 5倍でライ トし、 カードのテストを行うことになつている。 よって、 7. 5 x 3 = 22. 5mA0 —P程度が低抗磁力力一ドのみライ 卜できる電流値となる。

次に、 磁気カード 1の抗磁力判定方法について説明する。 制御部 1 0は以下に 説明するプログラムを実行して抗磁力を判定する。

F i g . 4に示す第 1の方法では、 カード揷入口 2より挿入された低抗磁力力 一ド又は高抗磁力力一ドに形成された磁気情報を磁気へッド 3により再生又は記 録するようにした磁気カード 1の抗磁力判定方法であって、 低抗磁力カードのデ 一夕のみ消去可能な電流にて挿入されたカードのデータを消去したのち、 カード のデ一夕を再生し、 データが破壊状態である場合に挿入されたカードを低抗磁力 カードと判定する。 データの破壊状態は、 予め定められたカードに記録されてい るべき特定データが認識されないことにより判定するようにしている。

磁気カード 1にデータをライ トする場合を例に具体的に説明すると、 先ず、 力 ード揷入口 2から磁気カード 1を取り込んだ （ステップ S 3 1 ) 後、 低抗磁力力 —ドのみ消去可能な電流、 例えば 2 0 mAの電流にて D C (直流） 消去を行う (ステップ S 3 2 ) 。 次に、 磁気力一ド 1のデータを 3 0 %のスライスをかけて リードする （ステヅプ S 3 3 ) 。 即ち、 出力波形のうち 3 0 %以上のものをみる。 ここで、 一般に磁気カード 1にデータを記録する場合には、 特定デ一夕として 例えば S T X (スタート ·ォブ ·テキスト ：テキス卜の最初のキャラクタとして 用いられる伝送制御キャラクタ） コードが一緒に記録されている。 したがって、 ステップ S 3 2の D C消去によって記録されているデータが破壊されていなけれ ばリードしたデータの中に S T Xコードの存在を認識することができ、 一方、 デ —夕が破壊されていればリードしたデータの中に S T Xコ一ドの存在を認識する ことができないはずである。 ステップ S 3 2では低抗磁力カードのみ消去可能な 電流で D C消去を行っているので、 カード挿入口 2から取り込まれた磁気カード 1が高抗磁力力一ドであればデ一夕は破壊されることはなく、 低抗磁力カードで あればデータは破壊されてしまう。

したがって、 リードしたデ一夕の中に S T Xコードが確認された場合は、 ステ ップ S 3 4からステップ S 3 5に進んで磁気カード 1が高抗磁力カードであると 判定し、 ライ ト電流を高抗磁力カード用の電流値、 例えは 2 0 O mA O— pに切 り換える。 一方、 リードしたデ一夕の中に S T Xコードが確認されない場合には、 ステップ S 3 4からステップ S 3 6に進んで磁気力一ド 1が低抗磁力カードであ ると判定し、 ライ ト電流を低抗磁力カード用の電流値、 例えば 2 2 . 5 mA 0 - Pに切り換える。

次に、 ステップ S 3 7では切り換えた値の電流でデ一夕のライ トを行い、 ステ ップ S 3 8ではライ トしたデ一夕を 3 0 %のスライスをかけてリードし直してラ ィ トしたデ一夕と一致しているか否かを確認し、 この後このプログラムを終了す る。 なお、 上述の例では特定デ一夕として S T Xコードを使用しているが、 S T Xコ一ドに限るものではないことは勿論である。

このようにして磁気カード 1が低抗磁力力一ドであるか高抗磁力カードである かの判定を行った後、 各カードにおける適正なライ ト電流によりデ一夕のライ ト を行う。 したがって、 高抗磁力カードと低抗磁力カードとが混じって市場に流通 しても、 カードの抗磁力を自動的に判定することができ、 同一のカードリーダで これらの磁気カードを処理することができる。 即ち、 カードの抗磁力判定機能を 磁気カードリーダにもたせることができるので、 各カードに対し適正なライ ト電 流にてライ ト処理できる磁気力一ドリーダを提供することができる。

次に、 F i g . 5に基づいて第 2の方法について説明する。 この方法は、 第 1 の方法に対して、 リードしたデ一夕が破壊状態であるか否かの判定方法が異なつ ている。 即ち、 データの破壊状態は、 再生したデ一夕の磁化反転回数により判定 するようにしている。

磁気カード 1にデータをライ トする場合を例に具体的に説明すると、 先ず、 力 —ド挿入口 2から磁気カード 1を取り込んだ （ステップ S 4 1 ) 後、 低抗磁力力 ードのみ消去可能な電流、 例えば 2 0 mAの電流にて D C消去を行う （ステップ S 4 2 ) 。 次に、 磁気カード 1のデータを 3 0 %のスライスをかけてリードする (ステップ S 4 3 ) 。 このとき、 データが磁化反転する回数を計数する。

次に、 ステップ S 4 4では、 リード出力の磁化反転回数をその磁気ストライブ の記録密度による通常の磁化反転回数と比較する。 もし、 ステップ S 4 2の D C 消去によつて磁気ストライプに記録されているデータが破壊されて t、ればリ一ド 出力の磁化反転回数は通常の場合により少ないはずであり、 破壊されていなけれ ばリード出力の磁化反転関数は通常の場合よりも少ないとはいえないはずである。 ステップ S 4 2では低抗磁力カードのみ消去可能な電流で D C消去を行っている ので、 カード揷入口 2から取り込まれた磁気カード 1が高抗磁力力一ドであれば デ一夕は破壊されることはなく、 低抗磁力カードであればデ一夕は破壊される。 したがって、 リードしたデ一夕の磁化反転回数が通常の場合よりも少なくデ一 夕が破壊されていると考えられるときにはステップ S 4 4からステップ S 4 5に 進んで磁気カード 1が低抗磁力カードであると判定し、 ライ ト電流を低抗磁力力 ード用の電流値に切り換える。 一方、 リードしたデータの磁化反転回数が通常の 場合よりも少ないとは言えずデータは破壊されていないと考えられるときにはス テツブ S 4 4からステップ S 4 6に進んで磁気力一ド 1が高抗磁力力一ドである と判定し、 ライ ト電流を高抗磁力カード用の電流値に切り換える。

この後、 ステップ S 4 7では切り換えた電流でデ一夕のライ トを行い、 ステヅ プ S 4 8ではライ トしたデ一夕を 3 0 %のスライスをかけてリードし直してライ トしたデ一夕と一致しているか否かを確認し、 この後このプログラムを終了する なお、 上述の第 1および第 2の方法では、 挿入されたカードが低抗磁力カード か高抗磁力カードかの判別を行っているが、 このように低抗磁力カードか高抗磁 力カードかの判別に限るものではなく、 例えば F i g . 4のステップ S 3 6にお いて、 S T Xコードが認識されない場合には高抗磁力カード以外のカードである と判定し、 これを更に低抗磁力力一ドかそれ以外の力一ドであるかを判別するよ うにしても良い。 F i g . 5のステップ S 4 5でも同様である。

次に、 F i g . 6に基づいて第 3の方法について説明する。 この方法は、 力一 ド揷入口 2より挿入された低抗磁力カード又は高抗磁力力一ドに形成された磁気 情報を磁気へッド 3により再生又は記録するようにした磁気カードの抗磁力判定 方法であって、 低抗磁力カードのデ一夕のみ書き替え可能な電流にて挿入された カードのデータを書き替えたのち、 カードのデータを再生し、 データが破壊状態 である場合に挿入されたカードを低抗磁力カードと判定する。 データの破壊状態 は、 予め定められたカードに記録されているべき特定デ一夕が認識されないこと により判定するようにした。

磁気カード 1にデータをライ トする場合を例に具体的に説明すると、 先ず、 力 —ド揷入口 2から磁気カード 1を取り込んだ （ステップ S 5 1 ) 後、 例えば S T Xコ一ド以外のデ一夕を低抗磁力カードのみ書き替え可能な電流にてデータの書 き替えを行う （ステップ S 5 2 ) 。 次に、 磁気カード 1の書き替えを行ったデ一 夕を 3 0 %のスライスをかけてリードする （ステップ S 5 3 ) 。 そして、 F i g . 4の方法と同様の理由から、 リードしたデ一夕の中に S T Xコ一ドが確認された 場合は、 ステップ S 5 4からステップ S 5 5に進んで磁気カード 1が高抗磁力力 —ドであると判定し、 ライ ト電流を高抗磁力カード用の電流値に切り換える。 一 方、 リードしたデ一夕の中に S T Xコードが確認されない場合には、 ステップ S 5 4からステップ S 5 6に進んで磁気カード 1が低抗磁力カードであると判定し、 ライ ト電流を低抗磁力カード用の電流値に切り換える。

この後、 ステップ S 5 7では切り換えた値の電流でデ一夕のライ トを行い、 ス テツプ S 5 8ではライ 卜したデ一夕を 3 0 %のスライスをかけてリードし直して ライ 卜したデ一夕と一致しているか否かを確認し、 この後このプログラムを終了 する。

なお、 上述の第 3の方法では、 挿入された力一ドが低抗磁力力一ドか高抗磁力 カードかの判別を行っているが、 このように低抗磁力カードか高抗磁力カードか の判別に限るものではなく、 例えば低抗磁力カードか低抗磁力カード以外の力一 ドであるかを判別するようにしても良い。 例えば F i g . 6のステップ S 5 6に おいて、 S T Xコ一ドが認識されない場合には高抗磁力カード以外のカードと判 定し、 これを更に低抗磁力力一ドか低抗磁力カード以外のカードであるか否かを 判別するようにしても良い。

次に、 F i g . 7に基づいて第 4の方法について説明する。 この方法では、 力 ―ド揷入口 2より挿入された低抗磁力カード又は高抗磁力カードに形成された磁 気情報を磁気へッド 3により再生又は記録するようにした磁気カードの抗磁力判 定方法であって、 低抗磁力力一ド及び高抗磁力カードのデータを消去可能な電流 にて挿入されたカードのデータを消去したのち、 低抗磁力カードのみライ ト可能 な電流にてデ一夕をライ 卜し、 その後当該データを再生した時に適正な再生状態 である場合に挿入されたカードを低抗磁力力一ドと判定する。 データの適正な再 生状態は、 予め定められたカードに記録されているべき特定デ一夕が認識されな いことにより判定する。 磁気カード 1にデ一夕をライ トする場合を例に具体的に説明すると、 先ず、 力 —ド揷入口 2から磁気カード 1を取り込んだ （ステップ S 7 1 ) 後、 低抗磁力力 ード及び高抗磁力カードのデータを消去可能な電流、 例えば 1 2 0 mAの電流に てデ一夕の D C消去を行う （ステップ S 7 2 ) 。 次に、 低抗磁力カードのみライ ト可能な電流、 例えば 2 2 . 5 mA 0—pの電流にてデ一夕をライ トした （ステ ヅプ S 7 3 ) 後、 このデ一夕を 3 0 %のスライスをかけてリードする （ステップ S 7 4 ) 。 そして、 リードしたデ一夕の中に S T Xコードが確認された場合は、 ステップ S 7 5からステップ S 7 6に進んで磁気カード 1が低抗磁力カードであ ると判定し、 ライ ト電流を低抗磁力カード用の電流値に切り換える。 一方、 リー ドしたデ一夕の中に S T Xコードが確認されない場合には、 ステップ S 7 5から ステップ S 7 7に進んで磁気カード 1が高抗磁力カードであると判定し、 ライ ト 電流を高抗磁力力一ド用の電流値に切り換える。

この後、 ステップ S 7 8では切り換えた電流でデ一夕のライ トを行い、 ステヅ プ S 7 9ではライ 卜したデ一夕を 3 0 %のスライスをかけてリードし直してライ トしたデ一夕と一致しているか否かを確認し、 この後このプログラムを終了する。 次に、 F i g . 8に基づいて第 5の方法について説明する。 この方法は、 第 4 の方法に対して、 適正な再生が可能か否かの判定方法が異なっている。 即ち、 デ 一夕の適正な再生状態は、 再生したデータの磁化反転回数により判定するように している。

磁気カード 1にデータをライ 卜する場合を例に具体的に説明すると、 先ず、 力 —ド挿入口 2から磁気カード 1を取り込んだ （ステップ S 8 1 ) 後、 低抗磁力力 ―ド及び高抗磁力力一ドのデ一夕を消去可能な電流にてデータの D C消去を行う (ステップ S 8 2 ) 。 次に、 低抗磁力カードのみライ ト可能な電流にてデ一夕を ライ 卜した （ステップ S 8 3 ) 後、 このデ一夕を 3 0 %のスライスをかけてリ一 ドする （ステップ S 8 4 ) 。 このとき、 データが磁化反転する回数を計数する。 そして、 リードしたデータの磁化反転回数がその磁気ストライプの記録密度に よる通常の磁化反転回数よりも少ない場合には再生が不適正と判断しステップ S 8 5からステップ S 8 6に進んで磁気カード 1が高抗磁力力一ドであると判定し、 ライ ト電流を高抗磁力カード用の電流値に切り換える。 一方、 リードしたデータ の磁化反転回数がその磁気ストライプの記録密度による通常の磁化反転回数より も少ないとは言えなければ再生が適正と判断しステップ S 8 5からステップ S 8 7に進んで磁気カード 1が低抗磁力カードであると判定し、 ライ ト電流を低抗磁 力カード用の電流値に切り換える。

この後、 ステップ S 8 8では切り換えた電流でデ一夕のライ トを行い、 ステツ プ S 8 9ではライ 卜したデ一夕を 3 0 %のスライスをかけてリードし直してライ トしたデ一夕と一致しているか否かを確認し、 この後このプログラムを終了する。 なお、 上述の形態は本発明の好適な形態の一例ではあるがこれに限定されるも のではなく本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変形実施可能である。 例 えば、 上述の説明では、 低抗磁力カードとして 3 0 O O eのものを、 高抗磁力力 ードとして 2 7 5 0 0 eのものを判別するようにしたが、 抗磁力の大きさとして はこれらに限るものではないことは勿論である。

また、 F i g . 5のステップ S 4 4、 F i g . 8のステップ S 8 5では、 リー ド出力の磁化反転回数を、 その磁気ストライプの記録密度による通常の磁化反転 回数と比較するようにしていたが、 その磁気ストライプの記録密度による通常の 磁化反転回数に基づいて定めた判定値 Xと比較するようにしても良い。 例えば、 本来有るはずの磁化反転回数の 1 / 3程度の値を判定値 Xとして使用する。 この 場合例えば I S Oの第 1 トラックについては、 磁化反転回数は少なくとも （全て 0が記録された場合） 7 0 0個程度有るので、 判定値 Xとしては 2 3 0を使用す る。

また、 上述の説明では、 1つの磁気ヘッド 3を用いてリード， ライ ト， 消去を 行っていたが、 これらを別々の磁気ヘッ ドで行うようにしても良い。 この場合に は、 カード走行 1回での処理が可能である。

また、 上述の説明では、 磁気カードの抗磁力を判定する前に元データの保存を 行っていなかつたが、 元データを保存しておく必要がある場合には上述の各方法 を用いて判定を行う前に各チャンネルの元データを 1度リードし元データメモリ 5に格納しておくようにしても良い。

さらに、 上述の各方法は、 必ずしも全てのチャンネルで行う必要はない。 また、 チャンネル毎に判定する方法を変えても良い。 例えば、 1チャンネルは F i g . 4の方法、 2チャンネルは F i g. 5の方法、 3チャンネルは F i g. 6の方法 で同時に判定を行い、 判定デ一夕の数を増やして判定精度を上げるようにしても 良い。

Claims

1 . カード揷入口より挿入された低抗磁力力一ド又は高抗磁力カードに形成され た磁気情報を磁気へッドにより再生又は記録するようにした磁気力一ドの抗磁力 判定方法であって、 上記低抗磁力カードのデ一夕のみ消去可能な電流にて挿入さ れたカードのデータを消去したのち、 上記カードのデ一夕を再生し、 上記デ一夕 が破壊状態である場合に挿入されたカードを低抗磁力カードと判定することを特 徴とする磁気カードの抗磁力判定方法。

2 . カード揷入口より挿入されたカードが低抗磁力カードであるかを検出し、 力 の

一ドに形成された磁気情報を磁気へッ ドにより再生又は記録するようにした磁気 カードの抗磁力判定方法であって、 上記低抗磁力カードのデ一夕のみ消去可能な 囲

電流にて挿入されたカードのデータを消去したのち、 上記カードのデ一夕を再生 し、 上記デ一夕が破壊状態である場合に挿入されたカードを低抗磁力カードと判 定することを特徴とする磁気カードの抗磁力判定方法。

3 . 上記デ一夕の破壊状態は、 上記再生したデ一夕の磁化反転回数により判定す るか、 予め定められたカードに記録されているべき特定デ一夕が認識されないこ とにより判定するようにしたことを特徴とする請求の範囲第 1又は 2項記載の磁 気力一ドの抗磁力判定方法。

4 . カード揷入口より挿入された低抗磁力カード又は高抗磁力カードに形成され た磁気情報を磁気へッドにより再生又は記録するようにした磁気力一ドの抗磁力 判定方法であって、 上記低抗磁力カードのデータのみ書き替え可能な電流にて揷 入されたカードのデ一夕を書き替えたのち、 上記カードのデータを再生し、 上記 デ一夕が破壊状態である場合に挿入されたカードを低抗磁力カードと判定するこ とを特徴とする磁気力一ドの抗磁力判定方法。

5 . 上記デ一夕の破壊状態は、 予め定められたカードに記録されているべき特定 デ一夕が認識されないことにより判定するようにしたことを特徴とする請求の範 囲第 4項記載の磁気カードの抗磁力判定方法。

6 . カード揷入口より挿入されたカードが低抗磁力カードであるかを検出し、 力 一ドに形成された磁気情報を磁気へッ ドにより再生又は記録するようにした磁気 カードの抗磁力判定方法であって、 上記低抗磁力力一ドのデ一夕のみ書き替え可 能な電流にて挿入されたカードのデータを書き替えたのち、 上記力一ドのデ一夕 を再生し、 上記データが破壊状態である場合に挿入された力一ドを低抗磁力カー ドと判定することを特徴とする磁気カードの抗磁力判定方法。

7 . カード挿入口より挿入されたカードが高抗磁力カードであるかを検出し、 力 一ドに形成された磁気情報を磁気へッ ドにより再生又は記録するようにした磁気 カードの抗磁力判定方法であって、 上記低抗磁力カードのデータのみ書き替え可 能な電流にて挿入されたカードのデータを書き替えたのち、 上記カードのデ一夕 を再生し、 上記データが破壊されていない状態である場合に挿入されたカードを 高抗磁力カードと判定することを特徴とする磁気カードの抗磁力判定方法。

8 . 上記データの破壊されていない状態は、 予め定められたカードに記録されて いるべき特定データが認識されることにより判定するようにしたことを特徴とす る請求の範囲第 7項記載の磁気カードの抗磁力判定方法。

9 . 力一ド揷入口より挿入された低抗磁力カード又は高抗磁力カードに形成され た磁気情報を磁気へッドにより再生又は記録するようにした磁気力一ドの抗磁力 判定方法であって、 上記低抗磁力カード及び高抗磁力カードのデータを消去可能 な電流にて挿入されたカードのデータを消去したのち、 上記低抗磁力カードのみ ライ ト可能な電流にてデータをライ 卜し、 その後当該デ一夕を再生した時に適正 な再生状態である場合に挿入されたカードを低抗磁力カードと判定することを特 徴とする磁気カードの抗磁力判定方法。

1 0 . 上記データの適正な再生状態は、 上記再生したデータの磁化反転回数によ り判定するか、 予め定められたカードに記録されているべき特定デ一夕の認識に より判定するようにしたことを特徴とする請求の範囲第 9項記載の磁気カードの 抗磁力判定方法。

1 1 . カード挿入口より挿入されたカードが高抗磁力カードであるかを検出し、 カードに形成された磁気情報を磁気ヘッドにより再生又は記録するようにした磁 気力一ドの抗磁力判定方法であって、 低抗磁力力一ド及び高抗磁力力一ドのデ一 夕を消去可能な電流にて挿入された力一ドのデ一夕を消去したのち、 上記低抗磁 力カードのみライ ト可能な電流にてデ一夕をライ 卜し、 その後当該デ一夕を再生 した時に適正な再生が不可能である場合に挿入された力一ドを高抗磁力力一ドと 判定することを特徴とする磁気カードの抗磁力判定方法。

1 2 . 再生出力の磁化反転回数が磁気ストライプの記録密度による通常の磁化反 転回数よりも少ない場合に適正な再生が不可能と判定するようにしたことを特徴 とする請求の範囲第 1 1項記載の磁気カードの抗磁力判定方法。

1 3 . カード揷入口より挿入されたカードが低抗磁力カードであるかを検出し、 力一ドに形成された磁気情報を磁気へッ ドにより再生又は記録するようにした磁 気力一ドの抗磁力判定方法であって、 低抗磁力力一ド及び高抗磁力カードのデ一 夕を消去可能な電流にて挿入されたカードのデ一夕を消去したのち、 上記低抗磁 力カードのみライ ト可能な電流にてデータをライ 卜し、 その後当該デ一夕を再生 した時に適正な再生状態である場合に挿入された力一ドを低抗磁力力一ドと判定 することを特徴とする磁気力一ドの抗磁力判定方法。

1 4 . 上記データの適正な再生状態は、 予め定められたカードに記録されている べき特定データが認識された場合に適正な再生状態であると判定するようにした ことを特徴とする請求の範囲第 1 3項記載の磁気カードの抗磁力判定方法。