WO2000007170A1

WO2000007170A1 - Dispositif electro-optique, son procede de fabrication, affichage a projection et dispositif electronique

Info

Publication number: WO2000007170A1
Application number: PCT/JP1999/004003
Authority: WO
Inventors: Ryo Ishii; Kinya Ozawa
Original assignee: Seiko Epson Corporation
Priority date: 1998-07-27
Filing date: 1999-07-26
Publication date: 2000-02-10
Also published as: DE69923425T2; DE69923425D1; KR100505525B1; KR20010030705A; US6720944B1; EP1026652B1; EP1026652A4; JP2001056651A; JP3324120B2; EP1026652A1

Description

明細書電気光学装置、電気光学装置の製造方法、投射型表示装置及び電子機器 [技術分野]

本発明は、テレビや、ビデオ力ラ、携帯情報端末等の表示部、あるいは、投射型表示装置等の光変調器として利用される電気光学装置の技術分野に属する。さらに詳しくは、液晶等の電気光学物質を包囲するシール部と基板との間に配線用に一又は複数の導電層が積層される構造の電気光学装置の技術分野に属する。

[背景技術]

一般的な電気光学装置にあつては、基板間のシール部によって包囲された領域に液晶等の電気光学物質を挟持した構成をとつている。シール部には、基板間隔を所定間隔に保持するために、スぺ一ザと呼ばれるビーズ、グラスファイバ一等からなる略球形或いはファイノ一状の粒子が混入されている。基板の内側の面には電気光学物質を駆動するための画素電極が設けられており、その画素電極はシ —ル部の外側領域（即ちシール外領域）に設けた端子に配線を介して接続される。すなわち、このような従来の電気光学装置にあってはシール部と基板との間の導電層は配線層の 1層のみである。

また、基板上に半導体スイッチング素子を有する電気光学装置にあっては、光による漏れ電流に起因する画質不良が生じるため、半導体層への光の進入を防止すべく、金属等からなる遮光層を基板とシール部との間に設ける必要がある。このため、基板上に形成された配線、絶縁層、遮光層が順番に積層される結果、シ

—ル部と基板との間の導電層は、配線層と遮光層との 2層となる。

更に各画素に半導体スィツチング素子を有するとともに、これらのスィッチング素子を駆動するための駆動回路がシール部の内側領域（即ちシール内領域）に設けられ、これを制御回路によって制御する電気光学装置にあっては、シール部と基板との間には、配線用の 1層又は 2層と遮光用の 1層との合計 3層の導電層が層間絶縁膜を介して積層される場合も有る。尚、駆動回路をシール外領域に設けた電気光学装置の場合にも、シール部と基板との間において 1層又は複数層の導電層を用いて各種配線（例えば走査線、デ一夕線及び容量線など）を形成する場合もある。

以上のように駆動方式や駆動回路の場所、更に配線用、遮光用、電極用等に用いる導電層の層数などにより様々な構造の電気光学装置が存在するが、いずれの場合にも、シール部と基板との間にある導電層を用いてシール外領域からシーレ内領域へ至る複数の配線を形成する必要がある。

しかしながら、特にシール部と基板との間の導電層が複数層となる電気光学装置にあっては、両基板をシール部により貼り合わせる際に、両基板を圧着すると、シール部に含まれるスぺーサ部材によって導電層にスポット的に強い圧力がかかる。そのため、配線や遮光層が変形したり、絶縁層が突き破られることにより配線と遮光層とが短絡したり、また、層間絶縁膜を介して上下に重ねられた配線同士が短絡したり、さらには、配線が切断されてしまう問題がある。

また、このような問題は、特に、基板上に半導体スイッチング素子を有する電気光学装置のみならず、ガラス基板内面に A 1 (アルミニウム）等の反射層を設けてその上に絶縁層及び画素電極を設けるような構成の内面反射型の電気光学装置においても十分考えられる。

更に、シール外領域からシール内領域へ至る各種配線を一層のみの導電層から形成する場合にも、基板を圧着する際にやはりスぺ一サ部材により局所的な圧力がかかるため、この部分で配線が断線する可能性がある。要するに、シール部と基板との間にある 1層又は複数層の導電層を用いてシール外領域からシール内領域へ至る各種配線を形成するいずれの構造を採る電気光学装置においても、このようなスぺーサ部材に起因した配線の断線や短絡の問題がある。

本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、電気光学物質を挟持する一方の基板上に形成された配線がスぺ一サ部材に起因して不良化するのを防止することが可能な電気光学装置及び電気光学装置の製造方法、並びに、この電気光学装置を備える投射型表示装置及び電子機器を提供することを課題とする。

[発明の開示本発明は上記課題を解決するために、一対の基板間のシール部によって包囲された領域に電気光学物質が挟持されるとともに、前記一対の基板のうち一方の基板上に導電層が積層された電気光学装置であって、前記シ一ル部は、スぺーサ部材を含む部分と前記スぺ一サ部材を含まない部分とを具備し、前記一方の基板上における前記導電層からなる配線が前記シール部に対向する領域には、前記シ一ル部のうち前記スぺーサ部材を含まない部分に配置されていることを特徴とする。本発明の電気光学装置によれば、光硬化性や熱硬化性の樹脂接着剤等のシール材からなるシール部は、例えば所定粒径のファィバ状やビーズ状のスぺーサ部材を含む部分と含まない部分とに分かれている。基板上におけるスぺ一サ部材を含まない部分に対向する領域に、導電層からなる配線が積層されている。つまり、導電層からなる配線が交差するシール部には、スぺ一サ部材が存在しないため、基板を圧着しても配線にはスぺーサ部材による局部的な圧力がかからない。そのため、スぺーサ部材に起因する配線の切断を防止することが可能となる。同時に、シール部に含まれるスぺーサ部材により基板間隔を精度良く制御できるので、特に電気光学物質中にスぺーサ部材を混入することが画像劣化を引き起こすような小型等の電気光学装置の場合に大変役立つ。

本発明の電気光学装置の一の態様では、前記導電層は、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の導電層を含む。

この態様によれば、複数の導電層を用いて層間絶縁膜で相互に絶縁され上下に重ねられた複数の配線を形成した場合に、前述の如きスぺ一サ部材に起因する配線の切断のみならず、上下に重ねられた配線間におけるスぺ一サ部材による局部的な圧力に起因する短絡を防止することが可能となる。

尚、複数の導電層により例えば、反射電極等の画素電極、走査線ゃデ一夕線等の配線、画素電極をスイッチングする T F T (Thin Film Transistor) 等の素子用の遮光膜などを立体構造を用いて、限られた基板上スペースを有効利用しての配置が可能となり、特に配線がシール部と交差する部分で必要となる複数の配線の幅を立体的な配線構造の採用により低減可能となるので有利である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記シール部のうち前記スぺーサ部材を含まない部分は、前記電気光学物質を注入する開口部を封止した封止部である。この態様によれば、スぺ一サ部材を含まない部分を、電気光学物質を注入する開口部を封止する封止部とするので、配線のパターンを工夫することによって 1 種類のシール材料を用いて従来どおりの製造方法によって本発明の電気光学装置を得ることができる。特に、電気光学物質が液晶であり、封止部が液晶注入口を封止する構成を採用すれば、液晶駆動に必要とされる各種配線を通すのに液晶注入口の幅は適しているので実践: h好都合である。

また、前記一方の基板は、複数の走査線と複数のデ一夕線とを備えるとともに、これらの各交点に対応する画素位置にスィツチング素子とそれに接続された画素電極とを有し、前記複数の導電層は、前記走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路への配線になる第 1の導電層と、前記データ線にデ一夕信号を供給するデ

―夕線駆動回路への配線となる第 2の導電層とを含むように構成してもよい。このように構成すれば、第 1の導電層からなる配線であって走査線駆動回路への配線と、第 2の導電層からなる配線であってデ一夕線駆動回路への配線との積層位置にはスぺ一サ部材が存在しないため、これらの配線の切断や短絡を防止することができる。特に、シール部の内側領域にデータ線駆動回路及び走査線駆動回路を形成する場合にあっては、第 1の導電層と第 2の導電層とが積層構造をとる場合が多くなるため、本発明による構成が有用となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記導電層の一部ないし全面が遮光膜である。

この態様によれば、導電層を配線用に用いるだけでなく、その一部（即ち一又は複数の導電層のうちの一の導電層の少なくとも一部）を配線用且つ遮光用に又は専ら遮光用に用いることができる。ここに、遮光層とは具体的には A 1等の金属層である。例えば、平面的に見てシ一ル材の内側に位置するシール内領域にあり実際に画像表示に寄与する画像表示領域の額縁を規定する遮光膜、画像表示領域内に複数配列された画素電極の間隙を遮光する或いは各画素の開口領域を規定する遮光膜（カラーフィル夕のブラックマスク、ブラックマトリクス等）、画素電極のスィッチング制御用に設けられた T F T等の半導体素子における光による漏れ電流に起因する画質不良を防止するための遮光膜など各種の遮光膜として導電層を機能させることができる。このように遮光膜と配線とを同一導電層から形成できるので、装置構造及び製造プロセスの簡略化が図れる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記配線上に形成されており平坦化処理が施された層間絶縁膜を更に備える。

この態様によれば、例えば液晶プロジェクタ用の反射型ライトバルブのように直視型ではないため、光の散乱率ではなく反射率を高めることに重点が置かれる液晶装置の場合に、平坦化による反射率の向上を図れるので有利である。更に、シール部に対向する基板上領域では、通常ダミー配線を入れてシール部に沿った基板面高さの均一化を図ってスぺーサ部材による基板間隔制御が行われるが、当該平坦化処理を、このようにダミ一配線を入れた後の C M P (Chemical Machine Polish) 処理により行えば、 C M P処理が良好に作用し、平坦度の向上を図れる。本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上で平面的に見て前記シール材の内側に位置するシール内領域に、複数配列された画素電極と前記配線に接続され前記画素電極を駆動する駆動回路とを更に備える。

この態様によれば、このような駆動回路を基板上におけるシール部の外側（シ —ル外領域）に設ける場合と比較して、シール部に交差する配線の合計本数を削減可能である。例えば、シール部に交差する配線数は、駆動回路から各画素に至る走査線、デ一夕線等の配線の数と比べると、一般に遥かに少ない。

この駆動回路を備えた態様では、前記シール内領域に、前記画素電極に接続された複数の走査線及び複数のデータ線を更に備えており、前記駆動回路は、前記走査線及び前記データ線を夫々駆動する走査線駆動回路及びデータ線駆動回路を含み、前記デ一夕線駆動回路は、前記走査線駆動回路よりも前記配線が前記シ一ル部に交差する部分の近くに配置されているように構成してもよい。

このように構成すれば、シール部のうちスぺ一サ部材を含まない部分に対向する基板上領域に配置された配線により、シール外領域にある制御回路や信号源から走査線駆動回路及びデータ線駆動回路への信号供給を行える。この際特に、 A 1等の導電性金属膜からなる配線は基板上に引き回される配線長に応じてその配線容量や遅延が大きくなるものの、駆動周波数の低い走査線駆動回路用の配線における配線長を相対的に長くすると同時に駆動周波数の高いデ一夕線駆動回路用の配線における配線長を相対的に短くすることにより、このような配線容量や遅延による悪影響が殆ど或いは実践上全く生じないようにできるので有利である。或いはこの駆動回路を備えた態様では、前記シール内領域に、前記駆動回路を制御する制御回路を更に備えるように構成してもよい。

このように構成すれば、シール部のうちスぺーサ部材を含まない部分に対向する基板上領域に配置された配線により、シール外領域にある信号源から制御回路への信号供給を行える。この際特に、信号源から制御回路への配線数は、制御回路から駆動回路への配線数よりも少なく構成できるので、シール材のうちスぺ一サ部材を含まない部分が小さくても配線可能となる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、導電層が積層された基板と他の基板とを、スぺ一サ部材を含む部分とスぺ一サ部材を含まない部分とを具備するシール部によって貼り合わせる電気光学装置の製造方法であって、前記導電層からなる配線が前記シール部に対向する前記基板上の領域には、前記シール部のうち前記スぺ —サ部材を含まない部分が配置されるように前記シール部を形成するシール部形成工程を具備することを特徴とする。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、シール部がスぺ一サ部材を含む部分と含まない部分に分かれており、導電層からなる配線がシール部に対向する基板上の領域には、シール部のうちスぺーサ部材を含まない部分が配置されるようにシール部が形成される。つまり、導電層からなる配線が交差するシール部には、スぺーサ部材が存在しないため、シール部により一対の基板を貼り合わせる際に基板を圧着しても配線にはスぺーサ部材による局部的な圧力がかからない。そのため、スぺーサ部材に起因する配線の切断を防止することが可能となる。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記シール部形成工程は、前記導電層からなる配線が前記シール部と対向する領域に、前記電気光学物質を注入するための開口部が位置するようにシール材を塗布する工程を含む。

この態様によれば、開口部（電気光学物質注入口）とシール部に対向する配線の形成位置とを一致させるものであり、配線のパターンさえ工夫すればシ一ル材料として 1種類の材料を用いて本発明の電気光学装置を得ることができる。もちろん、開口部は、電気光学物質注入後に封止材によって封止される。

本発明の電気光学装置の製造方法の一の態様では、シール部形成工程前に、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の前記導電層から前記配線を形成する配線形成工程を更に含む。

この態様によれば、配線形成工程により複数の導電層を用いて複数の配線を形成した後に、シール部により一対の基板を貼り合わせる際に基板を圧着しても、前述の如きスぺーサ部材に起因する配線の切断のみならず、上下に重ねられた配線間におけるスぺ一サ部材による局部的な圧力に起因する短絡を防止することが可能となる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を表示部として具備する電子機器であることを特徴とする。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備しているので、基板を圧着しても配線にはスぺーサ部材による局部的な圧力がかからないため、スぺ一サ部材に起因する配線不良を防止することが可能となり、表示画像の品位の向上、装置信頼性の向上及び製造歩留まりの改善を図れる。

本発明の電子機器の一の態様では、前記導電層は、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の導電層を含む。

この態様によれば、前述の如きスぺーサ部材に起因する配線の切断のみならず、上下に重ねられた配線間におけるスぺ一サ部材による局部的な圧力に起因する短絡を防止することが可能となる。

本発明の投射型表示装置は上記課題を解決するために、光源から出射した光を上述した本発明の電気光学装置によって変調し、前記変調した光をスクリーンに - 投射する投射型表示装置であることを特徴とする。

本発明の投射型表示装置によれば、上述した本発明の電気光学装置によって光変調を行うので、基板を圧着しても配線にはスぺーサ部材による局部的な圧力がかからないため、スぺ一サ部材に起因する配線部分の配線不良を防止することが可能となり、装置信頼性の向上及び製造歩留まりの改善を図れる。

本発明の投射型表示装置の一の態様では、前記導電層は、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の導電層を含む。

この態様によれば、前述の如きスぺ一サ部材に起因する配線の切断のみならず、上下に重ねられた配線間におけるスぺ一サ部材による局部的な圧力に起因する短絡を防止することが可能となる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。 [図面の簡単な説明]

図 1は、本発明の第 1実施形態にかかる電気光学装置の構成を示す平面図である。

図 2は、図 1の A— A ³ 線で切断した断面図である。

図 3は、第 1実施形態におけるシール部を通過する配線部分の拡大断面図である。

図 4は、第 1実施形態の変形例における A— A ⁵ 線で切断した断面図である。図 5は、第 1実施形態の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。

図 6は、第 1実施形態の素子基板上に形成された画素電極下の積層構造を示す断面図である。

図 Ίは、本発明の第 2実施形態にかかる電気光学装置の構成を示す平面図である。

図 8は、本発明の第 3実施形態にかかる電気光学装置の構成を示す平面図である。

図 9は、各実施形態の電気光学装置を適用した携帯電話の構成を示す図である。図 1 0は、各実施形態の電気光学装置を適用した携帯情報機器の構成を示す図である。

図 1 1は、各実施形態の電気光学装置を適用したビデオカメラの構成を示す図である。

図 1 2は、各実施形態の電気光学装置を適用した投射型表示装置の概略構成を示す図である。

[発明を実施するための最良の形態]

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 1 . 第 1実施形態

まず、本発明の第 1実施形態にかかる電気光学装置について図 1から図 6を参照して説明する。図 1は、この電気光学装置の構成を示す平面図である。図 2は、図 1における電気光学装置の A— A，で切断した断面図であり、図 3はその配線部分の拡大断面図であり、図 4は、その変形例における A— A ' 線で切断した断面図である。また、図 5は、この電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図 6は、各画素における素子基板上に形成された画素電極下の積層構造を示す断面図である。

図 1及び図 2に示されるように、電気光学装置を構成する 2枚の基板のうち、半導体スイッチング素子が形成されるシリコン基板 1上には、複数の走査線 5 1 と複数のデ一夕線 4 1とがそれそれ形成されるとともに、それらの各々の交差点に対応する画素位置に後述のスイッチング素子（図 5及び図 6参照）とそれに接続された画素電極 6 3 aとがそれぞれ形成されている。そして、これら走査線 5 1、デ一夕線 4 1、スイッチング素子及び画素電極 6 3 aによって、画像表示領域 1 1が構成されている。

このうち、走査線 5 1は、基板 1上におけるシール部 3の内側に相当するシール内領域に形成された走査線駆動回路 1 2に接続されており、この走査線駆動回路 1 2は、シール部 3の外側に相当するシール外領域に形成された制御回路 1 4 に、配線 8 1を介して接続されている。一方、デ一夕線 4 1は、シール内領域に形成されたデ一夕線駆動回路 1 3に接続されており、このデータ線動回路 1 3は、制御回路 1 4に、配線 8 2を介して接続されている。ここで、制御回路 1 4は、外部接続用の電極端子 1 5を介して供給される信号に基づいて、走査線駆動回路 1 2およびデータ線駆動回路 1 3をそれそれ駆動するものである。尚、各画素電極 6 3 aをスイッチング制御するスィッチング素子、走査線駆動回路 1 2、デ一夕線駆動回路 1 3及び制御回路 1 4は、例えばバルクシリコン型の M O S トランジス夕で構成されている。

シール部 3は、光硬化性や熱硬化性の樹脂接着剤等からなり両基板間で液晶等の電気光学物質を包囲するシール材 3 1と、これに混入されたビーズ状、フアイバ状等の所定粒径のスぺーサ部材 3 2と、このようなスぺ一サ部材 3 2が混入されておらずシール材 3 1と同一の又は異なる光硬化性や熱硬化性の樹脂接着剤等からなり液晶等の注入後に開口部 3 3 (注入口）を封止する封止材 3 4とを含む c 図 2に示すように、シール部 3のうち封止材 3 4と基板 1との間には、基板 1 上に、 A 1等の導電性であり反射性の金属膜から夫々なる 2層の導電層 6 2 b及び 6 3 bが設けられている。これらの導電層 6 2 b及び 6 3 bは、層間絶縁膜 7 2、 7 3及び 7 4を介して積層されており、下側の導電層 6 2 bは、図 1に示した配線 8 1及び 8 2を構成する。他方、上側の導電層 6 3 bは、シール部 3に沿つて画像表示領域 1 1の額縁を規定する遮光膜を構成する。導電層 6 2 bと同一膜から更に、 M O S トランジスタの配線や、走査線駆動回路 1 2、データ線駆動回路 1 3および制御回路 1 4の内部配線、これらの間を接続する配線、これらの駆動回路に電源を供給する電源配線等が形成されている。また導電層 6 3 bと同 —膜から前述の画素電極 6 3 aが形成されている。

ここで本実施形態によれば、図 2に示す断面構造を有する電気光学装置の製造プロセスにおいて、両基板をその周囲に沿って塗布されたシール材 3 1により貼り合わせる際に両基板を圧着し、その後、開口部 3 3から液晶等からなる電気光学物質を注入した後、開口部 3 3を封止材 3 4により封止する。これにより、電気光学物質は、基板 1及び基板 2間において、シール材 3 1及び封止材 3 4からなるシール部 3によって封入された構成となる。しかるに本実施形態では、シ一ル材 3 1には、スぺ一サ部材 3 2が混入されるが、封止材 3 4には、スぺーサ部材 3 2が混入されないので、前述した従来例の如く、シール部 3と交差する配線 8 1及び 8 2を構成する導電層 6 2 bに対して、スぺーサ部材 3 2により局所的に応力がかかって当該配線 8 1及び 8 2がこの部分で断線したり導電層 6 3 と短絡したりして配線不良が引き起こされる事態を未然防止できる。

図 3 ( a ) に示すように、封止材 3 4と基板 1との間に導電層 6 2 b及び 6 3 bと共に積層される層間絶縁膜 7 2、 7 3及び 7 4については特に平坦化処理を行わなくてもよい。即ち、配線 8 1及び 8 2を構成する導電層 6 2 bが存在すると、一般にその上方にできる凹凸面に対してスぺ一サ部材 3 2による局所的な圧力がかかって特に凸状部分における応力集中により断線や短絡しやすくなるが、本実施形態では、スぺーサ部材 32を含まない封止材 34が層間絶縁膜 74の上方に存在するので、このようなスぺーサ部材 32による断線や短絡が発生することはない。加えて、本実施形態の如く配線 81及び 82がシール部 3の一部（一辺の一部のみ）に偏って存在するために高さが一定しないシール材の全域に渡つてスぺ一サ部材を用いて均一な間隙制御を行うことは一般には困難或いは不可能となるが、本実施形態では、このように配線 81及び 82が存在する凹凸面はスベーサ部材 32による基板間の間隙制御の対象とならない。この結果、配線 81 及び 82に起因した凹凸を平坦化しなくても、基板間の間隙制御には支障がなくて済む。

或いは、図 3 (b) に示すように、封止材 34と基板 1の間に導電層 62 b及び 63 bと共に積層される層間絶縁膜 72、 73及び 74を CMP処理等により平坦化してもよい（図 3 (b) の例では、層間絶縁膜 73が平坦化されている）。 CMP処理を行う場合には特に、該 CMP処理が良好に行われるように、 CMP 処理の化学研磨対象となる層間絶縁膜の下地となる導電層 62 bや 63 bから C MP用ダミーパターンを形成しておくと良い。ここで、導電層 62 bと同一膜からなる CMP用ダミーパターンは、導電層 62 bによる配線 81及び 82を除いて、基板 1上のほぼ全体を覆うようにパ夕一ニングされるものであり、このような導電層 62 bには A 1が用いられ、その厚さは概ね 500 nm (ナノメ一夕）程度である。他方、導電層 63 bと同一膜からなる CMP用ダミーパターンは、画素電極 63 aを除く領域において基板 1全体を覆う遮光層を兼ねた CMP用ダミーパターンとして用いられるものであり、このような導電層 63 ^には八1が用いられ、その厚さは、概ね 400 nm位である。このように CMP用ダミ一パ夕一ンを形成する場合、開口部 33以外の部分には配線 81及び 82が引き廻されていないので、スぺーサ部材 32が混入されたシール材 31の下に位置する導電層 62 b及び 63 bと同一膜は、 CM P用ダミーパターンのみ存在することになる。この結果、平坦性が向上し、基板 1及び 2の間隔が全面にわたって均一になって、良好な表示画面を得ることが可能となる。

尚、層間絶縁層 72、 73及び 74は夫々、酸化シリコン等により概ね 130 nm〜 1 100 nmの厚みで形成されている。これらのうち少なくとも層間絶縁膜 74は、画像表示領域における画素電極 63 aにおける反射率向上のために好ましくは CMP処理により平坦化されている。実践的には、基板 1側の層間絶縁膜 73を平坦化しなくても、層間絶縁膜 74を平坦化すれば、最終的に画素電極 63 aの下地平面における十分な平坦化を図ることも可能である。特に、上述のように、導電層 62bや導電層 63bと同一膜から CMPダミーパ夕一ンを形成しておけば、 CMP処理により高い平坦度が得られる。

また本実施形態では、図 4に示すように、基板 1上に 3層の導電層 61 b、 6 2b及び 63bが設けられていてもよい。この場合には、下側の 2層の導電層 6 lbや 62bは、図 1に示した配線 81及び 82を構成する。他方、上側の導電層 63 bは、シール部 3に沿って画像表示領域 11の額縁を規定する遮光膜を構成する。導電層 6 lbや 62 bと同一膜から更に、 MOSトランジスタの配線や、走査線駆動回路 12、デ一夕線駆動回路 13および制御回路 14の内部配線、これらの間を接続する配線、これらの駆動回路に電源を供給する電源配線、 CMP 用ダミーパターン等が形成されている。また導電層 63 bと同一膜から前述の画素電極 63 aおよび CMP用ダミ一パターンが形成されている。その他の構成については図 2に示したものと同様であり、図 4では図 2に示したのと同様の構成要素に付いては同様の参照符号を付してある。

図 4において、導電層 6 lbは、導電層 62 b及び 63 bと同様に A 1膜等から形成され、その厚さは概ね 50 Onm程度である。また、層間絶縁層 71〜7 4については夫々、酸化シリコン等により概ね 130 nm〜 1100 nmの厚みで形成されており、いずれかの層が CMP処理により平坦化されていてもよい。また、このように CMP処理を行う場合には、導電層 61b、 62 b及び 63 b から CMP用ダミーパターンを形成するのが好ましい。

図 4に示したように 3層の導電層 61 b、 62 b及び 63 bを含む場合にも、その製造プロセスにおいて、両基板をその周囲に沿って塗布されたシール材 31 により貼り合わせる際に両基板を圧着し、その後、開口部 33から液晶等からなる電気光学物質を注入した後、開口部 33を封止材 34により封止する。そして、封止材 34には、スぺーサ部材 32が混入されないので、配線 81及び 82を構成する導電層 61 bや 62 bに対して、スぺーサ部材 32により局所的に応力がかかって当該配線 8 1及び 8 2が断線したり相互に或いは導電層 6 3 bと短絡したりして配線不良が引き起こされる事態を未然防止できる。

また図 1から図 4に示したように第 1実施形態の電気光学装置では特に、基板 1上におけるシール内領域に、走査線駆動回路 1 2及びデ一夕線駆 «J回路 1 3が配置されている。このため、このような駆動回路を基板 1上におけるシール外領域に設ける場合と比較して、シール部 3に交差する配線 8 1及び 8 2の合計本数を削減可能である。具体的には例えば、シール部 3に交差する配線は、 3〜4本程度の駆動回路用の電源線、 4本程度の駆動回路用のクロック線、 2〜 4本程度の駆動回路用のラッチパルス線、 1〜 2 4本程度の画像信号線などであり、こららの総数は、駆動回路から各画素に至る走査線 5 1、デ一夕線 4 1等の配線の数 (例えば数十〜数千本）と比べると、一般に遥かに少ない。このため、一般に幅の限られた開口部 3 3に配線を通すのがより容易となり有利である。但し、走査線駆動回路 1 2及びデ一夕線駆動回路 1 3の一方又は両方をシール外領域に配置しても、これらの駆動回路から走査線 5 1及びデータ線 4 1に至る引き出し配線がスぺ一サ部材 3 2を含まないシール部 3を通るように構成する限り、スぺ一サ部材 3 2に起因する配線不良を防止するという本発明の効果は得られる。

更に第 1実施形態では特に、デ一夕線駆動回路 1 3は、走査線駆動回路 1 2よりも配線 8 1及び 8 2がシール部 3に交差する部分の近くに配置されている。このため、配線 8 1及び 8 2については、基板 1上に引き回される配線長に応じてその配線容量や遅延が大きくなるものの、駆動周波数の低い走査線駆動回路 1 2 用の配線 8 1における配線長を相対的に長くすると同時に駆動周波数の高いデ一夕線駆動回路 1 3用の配線 8 2における配線長を相対的に短くすることにより、このような配線容量や遅延による悪影響が殆ど或いは実践上全く生じないようにできるので有利である。尚、 A 1等の導電層 6 2 b等からなる配線であれば、配線抵抗については、微細化しても基本的に低く抑えられるので殆ど問題とはならない。

次に、本実施形態における電気光学装置の回路構成の一例について図 5及び図 6を参照してその動作と共に説明する。尚、この構成例では、図 4に示したように基板 1上に 4層の層間絶縁膜を介して 3層の導電層が積層されているものとする。

図 5において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素は、画素電極 63 aを制御するための FET 30がマトリクス状に複数形成されており、画像信号が供給されるデータ線 4 1 が当該 FE T 30のソースに電気的に接続されている。データ線 41に書き込む画像信号 S l、 S 2、 ···、 Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線 41同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、 FET 30のゲートに走査線 5 1が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線 5 1にパルス的に走査信号 G 1、 G2、 ···、 Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極 63 aは、 FET30 のドレインに電気的に接続されており、スィツチング素子である FET 30を一定期間だけそのスィッチを閉じることにより、デ一夕線 41から供給される画像信号 S l、 S 2、 ···、 Snを所定のタイミングで書き込む。画素電極 63 aを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号 S 1、 S 2、 ···、 Snは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリ一ホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を介して通過不可能とされ、ノーマリ一ブラックモ一ドであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を介して通過可能とされ、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が反射される。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極 63 aと対向電極（図 2に示した対向電極 22) との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量 70を付加する。具体的には、 FET 30のドレイン電極から延設した第 1 蓄積容量電極に容量線 52の一部からなる（或いは前段にある走査線 5 1の一部からなる）第 2蓄積容量電極を、層間絶縁膜を介して対向配置させて蓄積容量 7 0とする。このように構成すれば、例えば、画素電極 63 aの電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも 3桁も長い時間だけ蓄積容量 70により保持される。これにより、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い液晶装置が実現でぎる。 15

図 6において、 A 1の反射膜からなる各画素電極 63 aの下方には、同じく A 1の遮光膜からなる第 2導電層 62 aが形成されている。第 2導電層 62 aは前述した配線 81や 82を形成する導電層 62 bと同一膜からなるが、画像表示領域において相隣接する—画素電極 63 a間の間隙を遮光する機能を有する。

図 6において、一方の基板の一例である P型（又は N型）の半導体基板 1上には、 N型（又は P型）のゥエル領域 2に FET30が形成されており、各 FET 30は、素子分離用のフィールド酸化膜 4により、相互に分離されている。半導体基板 1として、通常ゥェ一ハと称される単結晶シリコンからなる半導体基板を用いれば、このように基板 1上に FET30を直接形成することができるが、このような基板としては、基板上に半導体膜を介して FET 30や T FTを形成可能であるシリコン基板、石英基板、ガラス基板等を用いてもよい。特に、本実施形態のように、画素電極 63aが反射膜からなる形式の反射型の液晶装置の場合には、基板 1を光が透過する必要はないので、不透明な半導体基板を用いることが可能とされており、小型の液晶装置を製造する際に FET 30等の素子の作り込みが容易であるため有利である。また、ゥエル領域 2は、不純物拡散により形成され、フィールド酸化膜 4は、選択的熱酸化により形成される。

各 FET30では、フィールド酸化膜 4の開口部を介して、ゥヱル領域 2に高濃度ドープされたソース領域 6 a及びドレイン領域 6 bが形成されており、これらの間に位置するチャネル領域にゲート絶縁膜 5 aを介して対向するようにゲート電極 5が設けられている。ゲート電極 5及びフィールド酸化膜 4の上は、第 1 層間絶縁膜 71が形成されている。第 1層間絶縁膜 71上には、第 1導電層 61 aが設けられており、第 1層間絶縁膜 71に開孔されたコンタクトホール CH 1、 CH 2を夫々介してソース領域 6 a及びドレイン領域 6 bに接続されることにより、 FE T 30のソース電極及びドレイン電極を構成している。ゲート電極 5としては、例えば高濃度にドープされた導電性のポリシリコン又は導電性のメタルシリサイドが用いられ、 CVD法等により形成される。第 1層間絶縁膜 71としては、例えば、 NSG (ノンド一プトシリケ一トガラス）、 PSG (リンシリケ —トガラス）、 BSG (ボロンシリケ一トガラス）、 BPSG (ボロンリンシリケ一トガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等 16

が用いられ、スパッタリング方法、 TEOS (テトラェチルオルソシリケート）を用いたプラズマ CVD法等により形成される。また、第 1導電層 6 laとしては、 A 1が用いられ、スパッタリング法により例えば 500 nm程度の膜厚に形成される。

更に、このように構成された FET30上には、第 2層間絶縁膜 72が設けられており、この第 2層間絶縁膜 72上には、第 2導電層 62 aが設けられており、第 2層間絶縁膜 72に開孔されたコンタクトホール CH3を介してドレイン電極と接続される。また、第 2導電層 62 aは前述の如く、相隣接する画素電極 63 a間の間隙を遮光する遮光膜としても機能する。第 2導電層 62 a上には、第 3 層間絶縁膜 73が形成されている。第 2層間絶縁膜 72及び第 3層間絶縁膜 73 は、第 1層間絶縁膜 71と同様に、例えば、 NSG、 PSG、 BSG、 BPSG などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなり、その膜厚は例えば、第 2層間絶縁膜 72が 100 Onm程度とされ、第 3層間絶縁膜 73が 100 Onm程度とされる。また、第 2導電層 62 aは、第 1導電層 61 aと同様に、 A 1からなり、その膜厚は例えば 500 nm〜800 nm程度とされる。第 3層間絶縁膜 73が形成されて、さらに、この表面には、画素電極 63 aが形成されている。ここで、第 3層間絶縁膜 73に開孔されたコンタクトホ一ル CH 4に、タングステンなどの高融点金属からなる柱状の接続プラグが充填されて、これにより、画素電極 63 aと第 2導電層 62 aとが接続されている。画素電極 63 aは、第 1導電層 61 a、第 2導電層 62 aと同様に、 A 1からなり、その膜厚は例えば 400 nm程度とされる。

尚、図 6に示した FET 30に代えて、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜或いは単結晶シリコン膜等の半導体膜を用いて T FTを基板（例えば、石英基板やガラス基板などの透明基板）上に構成してもよい。この場合、 TFTを形成するプロセスと並行して駆動回路等を構成する回路素子を T FTを用いて形成できるので、実用上有利である。

尚、以上のように導電層から形成され、シール内領域に配置される（即ち、液晶に対向する）遮光膜については、対向電極 22と同電位にするのが好ましい。 2. 第 2実施形態 1 7

次に、本発明の第 2実施形態にかかる電気光学装置について図 7を参照して説明する。図 7は、この電気光学装置の構成を示す平面図である。図 7において図 1と同様の構成要素については同様の参照符号を付し、その説明は省略する。第 2実施形態では、制御回路 1 4 ' は、シール外領域ではなく、各駆動回路とともにシール内領域に配置されており、接続電極端子 1 5から制御回路 1 4への配線が導電層 6 2 b等から形成されて、開口部 3 3 (封止材 3~4に対向する領域）を介して引き廻されている。その他の構成については第 1実施形態の場合と同様である。

従って、制御回路 1 4，への配線数が少ない場合に、開口部 3 3が狭くても該開口部 3 3を介し制御回路 1 4 ' に至る配線を、スぺ一サ部材 3 2に起因する断線や短絡の心配無く引き回すことが可能となる。

尚、第 1又は第 2実施形態とは異なり、制御回路を基板 1とは別体の外部回路として用意して、外部接続された制御回路から接続電極端子 1 5を介して制御信号を入力し、接続電極端子 1 5から走査線駆動回路 1 2およびデータ線駆動回路 1 3への配線を開口部 3 3に引き廻す構造を採用することもできる。

3 . 第 3実施形態

次に、本発明の第 3実施形態にかかる電気光学装置について説明する。図 8は、この電気光学装置の構成を示す平面図である。図 8において図 1と同様の構成要素については同様の参照符号を付し、その説明は省略する。

第 3実施形態では、シ一ル部 3，は、シ一ル材 3 1，にスぺ一サ部材 3 2が混入された部分と、電気光学物質を注入するための開口部 3 3以外に設けられ、スベーサ部材 3 2が混入されていない部分 1 3 1とを含んで構成されている。その他の構成については、第 1実施形態と同様である。

本実施形態においても、第 1実施形態と同様に、導電層 6 2 b等からなる配線 8 1及び 8 2は、スぺ一サ部材 3 2の混入されていない部分 1 3 1と基板との間を通過するので、これらには、スぺ一サ部材 3 2による局部的な圧力がかからなレ、。そのため、スぺ一サ部材 3 2に起因する短絡や切断による配線不良を回避することが出来る。

以上図 1から図 8を参照して説明した実施形態における電気光学装置の基板 1 1 8

上には更に、画像信号を所定タイミングでサンプリングするサンプリング回路、画像信号のデータ線への書込み負荷軽減のために各デ一夕線について画像信号に先行するタイミングで所定電位のプリチャージ信号を書き込むプリチャージ回路を形成してもよいし、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。また、特閧平 9— 1 2 7 4 9 7号公報、特公平 3— 5 2 6 1 1号公報、特開平 3— 1 2 5 1 2 3号公報、特閧平 8— 1 7 1 1 0 1号公報等に開示されているように、基板 1上において F E T 3 0又は T F Tに対向する位置（即ち、 F E T 3 0等の下側）にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けてもよい。このように F E T 3 0等の下側にも遮光膜を設ければ、特に画素電極 6 3 aを I T 0 ( Indium Tin Oxide) 膜等の透明電極から構成することにより透過型の電気光学装置とする場合に、基板 1の側からの戻り光等が F E T 3 0等に入射するのを未然に防ぐことができる。

以上図 1から図 8を参照して説明した各実施形態では、対向基板 2の外側に、例えば、 T N (Twisted Nematic) モード、 V A(Vertically Aligned)モ一ド、 P D L C (Polymer Dispersed Liquid Crystal )モ一ド等の動作モ一ドゃ、ノ一マリ —ホワイトモ一ド /ノーマリーブラックモ一ドの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。また、画素電極 6 3 aに対向する所定領域に R G Bのカラ一フィル夕をその保護膜と共に、対向基板 2上に形成してもよい。あるいは、基板 1上の R G Bに対向する画素電極 6 3 a下にカラ一レジスト等でカラ一フィル夕層を形成することも可能である。このようにすれば、直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラ一電気光学装置に各実施形態の装置を適用できる。更に、対向基板 2上に 1画素 1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板 2上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、 R G B色を作り出すダイクロイックフィル夕を形成してもよい。このダイクロイックフィル夕付き対向基板によれば、より明るいカラ一電気光学装置が実現できる。

尚、各実施形態において直視型の電気光学装置とする場合には、上述した C M P処理に代えて、各層間絶縁膜における段差をそのまま残したり更に凹凸面を有 1 9

する光散乱層を設けることにより、反射板による反射光を段差や凹凸面で散乱させて表示を行うことが可能となり、直視型の電気光学装置として良好に機能し得る。

4 . 応用例

次に、上記電気光学装置を組み込んだ応用例のいくつかについて例示する。図 9は、携帯電話を示し、図 1 0は、携帯情報端末を示し、また、図 1 1は、電気光学物質ファインダ一付きビデオカメラを示し、いずれも、上記第 1、第 2又は第 3実施形態にかかる電気光学装置 1 1 0 1を表示部として備える電子機器である。

また、図 1 2は、本発明の電気光学装置を用いた電子機器の一例であり、本発明の電気光学装置を反射型ライトバルブとして用いたプロジェクタ（投射型表示装置）の要部を平面的に見た概略構成図である。この図 1 2は、偏光変換素子 1 3 0の中心を通る X Z平面における断面図である。本例のプロジェクタは、システム光軸 Lに沿って配置した光源部 1 1 0、インテグレー夕レンズ 1 2 0、偏光変換素子 1 3 0から概略構成される偏光照明装置 1 0 0、偏光照明装置 1 0 0から出射された S偏光光束を S偏光光束反射面 2 0 1により反射させる偏光ビームスプリツ夕 2 0 0、偏光ビームスプリツ夕 2 0 0の S偏光反射面 2 0 1から反射された光のうち、青色光（B ) の成分を分離するダイクロイックミラ一 4 1 2、分離された青色光（B ) を青色光を変調する反射型ライトバルブ 3 0 0 B、青色光が分離された後の光束のうち赤色光（R ) の成分を反射させて分離するダイクロイックミラ一 4 1 3、分離された赤色光（R ) を変調する反射型ライトバルブ 3 0 0 R、ダイクロイックミラ一 4 1 3を透過する残りの緑色光（G) を変調する反射型ライトバルブ 3 0 0 G、 3つの反射型ライトバルブ 3 0 0 R、 3 0 0 G、 3 0 0 Bにて変調された光をダイクロイックミラ一 4 1 2， 4 1 3 , 偏光ビームスプリツ夕 2 0 0にて合成し、この合成光をスクリーン 6 0 0に投射する投射レンズからなる投射光学系 5 0 0から構成されている。上記 3つの反射型ライトバルブ 3 0 0 R、 3 0 0 G、 3 0 0 Bには、それぞれ前述の第 1、第 2又は第 3実施形態の電気光学装置が用いられている。

光源部 1 1 0から出射されたランダムな偏光光束は、インテグレー夕レンズ 1 20

20により複数の中間光束に分割された後、第 2のィンテグレ一夕レンズを光入射側に有する偏光変換素子 130により偏光方向がほぼ揃った一種類の偏光光束 (S偏光光束）に変換されてから偏光ビームスプリツ夕 200に至るようになつている。偏光変換素子 130から出射された S偏光光束は、偏光ビ一ムスプリツ夕 200の S偏光光束反射面 201によって反射され、反射された光束のうち、青色光（B) の光束がダイクロイツクミラ一 412の青色光皮射層にて反射され、反射型ライトバルブ 300 Bによって変調される。また、ダイクロイツクミラ —412の青色光反射層を透過した光束のうち、赤色光（R) の光束はダイク口イツクミラー 413の赤色光反射層にて反射され、反射型ライトバルブ 30 OR によって変調される。一方、ダイクロイツクミラー 413の赤色光反射層を透過した緑色光（G) の光束は反射型ライトバルブ 300 Gによって変調される。このようにして、それそれの反射型ライトバルブ 300R、 300 G、 300Bによって色光の変調がなされる。

反射型ライトバルブ 300 R、 300 G、 300 となる電気光学装置は、液晶装置の場合、 TN型液晶（液晶分子の長軸が電圧無印加時にパネル基板に略並行に配向された液晶）または SH型液晶（液晶分子の長軸が電圧無印加時にパネル基板に略垂直に配向された液晶）を採用している。

TN型液晶を採用した場合には、画素の反射電極と、対向する基板の共通電極との間に挟持された液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧以下の画素（OF F画素）では、入射した色光は液晶層により楕円偏光され、反射電極により反射され、液晶層を介して、入射した色光の偏光軸とほぼ 90度ずれた偏光軸成分の多い楕円偏光に近い状態の光として反射 '出射される。一方、液晶層に電圧印加された画素（ON画素）では、入射した色光のまま反射電極に至り、反射されて、入射時と同一の偏光軸のまま反射 '出射される。反射電極に印加された電圧に応じて TN型液晶の液晶分子の配列角度が変化するので、入射光に対する反射光の偏光軸の角度は、画素のトランジスタを介して反射電極に印加する電圧に応じて可変される。

また、 SH型液晶を採用した場合には、液晶層の印加電圧が液晶のしきい値電圧以下の画素（OFF画素）では、入射した色光のまま反射電極に至り、反射さ 2 1

れて、入射時と同一偏光軸のまま反射 ·出射される。一方、液晶層に電圧印加された画素（O N画素）では、入射した色光は液晶層にて楕円偏光され、反射電極により反射され、液晶層を介して、入射光の偏光軸に対して偏光軸がほぼ 9 0度ずれた偏光軸成分の多い楕円偏光として反射 '出射する。 T N型液晶の場合と同様に、反射電極に印加された電圧に応じて T N型液晶の液晶分子の配列角度が変化するので、入射光に対する反射光の偏光軸の角度は、画素のトランジスタを介して反射電極に印加する電圧に応じて可変される。

これらの電気光学装置の画素から反射された色光のうち、 s偏光成分は S偏光を反射する偏光ビームスプリッ夕 2 0 0を透過せず、一方、 P偏光成分は透過する。この偏光ビームスプリツ夕 2 0 0を透過した光により画像が形成される。従つて、投射される画像は、 T N型液晶を電気光学装置に用いた場合は O F F画素の反射光が投射光学系 5 0 0に至り O N画素の反射光はレンズに至らないのでノ一マリーホワイト表示となり、 S H液晶を用いた場合は O F F画素の反射光は投射光学系に至らず O N画素の反射光が投射光学系 5 0 0に至るのでノーマリーブラック表示となる。

反射型電気光学装置は、ガラス基板に T F Tァレ一を形成したアクティブマトリクス型電気光学装置に比べ、半導体技術を利用して画素が形成されるので画素数をより多く形成でき、且つパネルサイズも小さくできるので、高精細な画像を投射できると共に、プロジェクタを小型化できる。

以上図 9から図 1 2に示した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、力一ナビゲーシヨン装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング 'ワークステーション（E W S ) 、テレビ電話、 P 0 S端末、夕ツチパネルを備えた装置等などの電子機器にも、第 1から第 3実施形態の電気光学装置を適用可能である。

尚、本発明は、以上説明した実施形態に限るものではなく、本発明の要旨を変えない範囲で実施形態を適宜変更して実施することができる。

Claims

2 2 請求の範囲

1 . —対の基板間のシール部によって包囲された領域に電気光学物質が挟持されるとともに、前記一対の基板のうち一方の基板上に導電層が積層された電気光学装置であって、 _

前記シール部は、スぺ一サ部材を含む部分と前記スぺーサ部材を含まない部分とを具備し、

前記一方の基板上における前記導電層からなる配線が前記シール部に対向する領域には、前記シール部のうち前記スぺーサ部材を含まない部分に配置されていることを特徴とする電気光学装置。

2 . 請求項 1に記載の電気光学装置において、前記導電層は、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の導電層を含むことを特徴とする電気光学装置。

3 . 請求項 1又は 2に記載の電気光学装置において、

前記シール部のうち前記スぺ一サ部材を含まない部分は、前記電気光学物質を注入する開口部を封止した封止部であることを特徴とする電気光学装置。

4 . 請求項 1から 3のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記導電層の一部ないし全面が遮光膜となることを特徴とする電気光学装置。

5 . 請求項 1から 4のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記配線上に形成されており平坦化処理が施された層間絶縁膜を更に備えたことを特徴とする電気光学装置。

6 . 請求項 1から 5のいずれか一項に記載の電気光学装置において、前記基板上で平面的に見て前記シール材の内側に位置するシール内領域に、複数配列された画素電極と前記配線に接続され前記画素電極を駆動する駆動回路とを更に備えたことを特徴とする電気光学装置。

7 . 請求項 6に記載の電気光学装置において、

前記シール内領域に、前記画素電極に接続された複数の走査線及び複数のデ一夕線を更に備えており、

前記駆動回路は、前記走査線及び前記データ線を夫々駆動する走査線駆動回路及びデータ線駆動回路を含み、 2 3

前記データ線駆動回路は、前記走査線駆動回路よりも前記配線が前記シール部に交差する部分の近くに配置されていることを特徴とする電気光学装置。

8 . 請求項 6に記載の電気光学装置において、前記シール内領域に、前記駆動回路を制御する制御回路を更に備えたことを特徴とする電気光学装置。

9 . 導電層が積層された一方の基板と他方の基板とを、スぺ一サ部材を含む部分と前記スぺ一サ部材を含まない部分とを具備するシール部よって貼り合わせる電気光学装置の製造方法であって、

前記導電層からなる配線が前記シール部に対向する前記基板上の領域には、前記シール部のうち前記スぺ一サ部材を含まない部分が配置されるように前記シール部を形成するシール部形成工程を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

1 0 . 請求項 9に記載の電気光学装置の製造方法において、

前記シール部形成工程は、前記導電層からなる配線が前記シール部と対向する領域に、前記電気光学物質を注入するための開口部が位置するようにシール材を塗布する工程を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

1 1 . 請求項 9又は 1 0に記載の電気光学装置の製造方法において、

前記シ一ル部形成工程前に、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の前記導電層から前記配線を形成する配線形成工程を更に含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。

1 2 . —対の基板間のシール部によって包囲された領域に電気光学物質が挟持されるとともに、前記一対の基板のうち一方の基板上に導電層が積層された電気光学装置を表示部として具備する電子機器であって、

前記シール部は、スぺ一サ部材を含む部分と前記スぺ一サ部材を含まない部分とを具備し、

前記一方の基板上における前記導電層からなる配線が前記シール部に対向する領域には、前記シール部のうち前記スぺ一サ部材を含まない部分が配置されていることを特徴とする電子機器。

1 3 . 請求項 1 2に記載の電子機器において、前記導電層は、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の導電層を含むことを特徴とする電子機器。

1 4 . 光源から出射した光を電気光学装置によって変調し、前記変調した光をスクリーンに投射する投射型表示装置であって、

前記電気光学装置は、一対の基板間のシール部によって包囲された領域に電気光学物質が挟持されるとともに、前記一対の基板のうち一方の基板上に導電層が積層された電気光学装置であり、

前記一方の基板上における前記導電層からなる配線が前記シール部に対向する領域には、前記シール部のうち前記スぺ一サ部材を含まない部分が配置されていることを特徴とする投射型表示装置。

1 5 . 請求項 1 4に記載の投射型表示装置において、前記導電層は、前記基板上に層間絶縁膜を介して積層された複数の導電層を含むことを特徴とする投射型表