WO1999034658A1 - Element transparent de blindage contre des ondes electromagnetiques et son procede de production - Google Patents

Description

明細書

電磁波シールド用透明部材及びその製造方法

技術分野

本発明は、 改良された電磁波シールド用透明部材とその製造方法に関する。 該透 明部材は、 プラズマディスプレイ等の電子情報機器に対する電磁波のシールド、 例 えばプラズマディスプレイ等の電磁波シールド前面フィル夕として有効である。 該 透明部材は、 優れた電磁波シールド性を有し、 モアレ干渉縞の発生しない、 視認性 に優れたものである。

背景技術

各種電子情報機器から発せられる電磁波、 及び他界から受ける電磁波は各機器相 互間の誤動作の原因になったり、 更には人体に対する悪影響を及ぼすものとして、 問題となっている。 現在一般に検討されている電磁波シールド方法として次の 2つ の方法がある。

その 1つの方法は、 ニッケルまたは銅を表面にメツキした導電性繊維をメッシュ 状にして、 これを 2枚の基板の間に挟持するか、 基板上に接着剤を介して接着する メッシュ方式である。

もう 1つの方法は、 I T O (インジウムスズ酸化物） 、 銀等を使って、 これを基 板の全面に薄膜状でコ一ティングして得た薄膜方式である。

メッシュ方式では、 一般に電磁波シールド性には優れているが、 透明性に劣って いる。 更にはモアレ干渉縞も発生しやすい。

一方薄膜方式では透明性、 モアレ干渉縞の点については満足されているが電磁波 シールド性に劣り、 波長依存性があるため、 特に高周波帯域でのシールド性が悪い。 電磁波シールド部材を通してプラズマディスプレイ （P D P ) 等の表示裏面を見 る場合には透明性以外に視認性、 つまり長時間視聴しても見やすく、 目にあまり疲 労感も持たないという点についても要求されているがこれについては両方法共に満 足されていない。

本発明は、 より高い透明性をもって、 より高い電磁波シールド性を有するシール ド材の開発をすることを目的とする。

本発明はまた、 視認性とモアレ干渉縞の発生を防止ないし軽減するシールド材を 開発することを目的とする。

図面の簡単な説明

図 1は、 第 1発明の透明部材の断面図である。

図 2は、 工程 Fで得られた部材の斜視図である。

図 3は、 実施例 1 Bにおける高視認性電磁波シールド用透明シー卜の斜視図である。 図 4は、 網の目パターンが正方形である場合の平面図である。

図 5は、 網の目パターンが長方形である場合の平面図である。

図 6は、 実施例 1 C〜 2 Cで得られた高電磁波シールド性透明シートの斜視断面 図である。

発明の開示

本発明は、 以下の項 1〜項 23に関する。

項 1. 基体 （1) 上に、 全光線透過率 50 %以上になるように、 網の目導電パ夕 ーンが物理的薄膜形成手段による銅又はその合金薄膜層 （2) とメツキ手段による 銅厚膜層 （4) との順次積層にて形成されていて、 かつ該導電パターンの有する電 気抵抗値が 20 ΟπιΩΖ口以下であることを特徵とする電磁波シールド用透明部材。 項 2. 銅厚膜層 （4) 上に更に褐色から黒色の着色層 （5) を設けてなる項 1に 記載の電磁波シールド用透明部材。

項 3. 前記透明基体 （1) が全光線透過率 65%以上のシート状熱可塑性樹脂で ある項 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

項 4. 前記物理的薄膜形成手段がスパッタリング法又はイオンプレーティング法 である項 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

項 5. 前記メツキ手段が電解メツキ法である項 1に記載の電磁波シールド用透明 部材。

項 6. 前記銅又はその合金の薄膜層 （2) の厚さが 100〜2000人である項 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

項 7. 前記銅厚膜層 （4) の厚さが 1〜 10 /zmである項 1に記載の電磁波シ一 ルド用透明部材。

項 8. 前記着色層 （5) が酸化銅又は硫化銅よりなる項 2に記載の電磁波シール ド用透明部材。

項 9. 次の工程 A〜工程 Eを含む項 1に記載の電磁波シールド用透明部材の製造 方法。

工程 A：全光線透過率 65%以上のシート状熱可塑性樹脂の片面に、 銅又はその 合金をスパッタリングして、 厚さ 100〜2000人の薄膜層を形成する工程。

工程 B ：前記薄膜層をフォトリソグラフィ法により現像して、 網の目パターンを 露出する工程。

工程 C ：前記網の目パターン上に銅を電解メツキして厚さ 1から 10 imの銅厚 膜層を積層する工程。

工程 D：次に非網の目パターン部分の残存レジストを剥離除去する工程。

工程 E ：全面を化学エッチングして非網の目パターン部分の銅又はその合金薄膜 層を溶解除去し、 スパッタリングによる銅又はその合金薄膜層と電解メツキによる 銅厚膜層との積層による網の目導電パターンを得る工程。

項 10. 更に工程 Fを含む項 9に記載の電磁波シールド用透明部材の製造方法： 工程 F ：前記によって得られた網の目導電パターンの銅表面を酸化又は硫化処理 して、 褐色から黒色の酸化銅又は硫化銅表面層を形成する工程。

項 1 1. 透明シート （21) 上に、 線幅 1〜25 の銅を主成分とする網の目 銅パターン （2P) が開口率 56〜96 %でもって形成されている電磁波シールド 用透明部材。

項 12. 網の目銅パターン（2 P)の表面に更に褐色から黒色の着色層 （24) が 設けられている項 1 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

項 13. 前記褐色から黒色の着色層 （24) が、 酸化銅又は硫化銅よりなる項 1 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

項 14. 前記透明シ一ト （21) が、 全光線透過率 60%以上、 厚さ 0. 05〜

5 mmの熱可塑性樹脂シートである項 1 1に記載の電磁波シールド用透明部材。 項 15. 前記網の目銅パターン （2 P) が、 物理的薄膜形成手段による銅を主成 分とする銅の薄膜層（22)を下地層に、 メツキ手段による銅の厚膜層 （23) を上 層にして形成されている項 1 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

項 16. 前記銅を主成分とする銅の薄膜層 （22) の膜厚が、 50人〜 l m、 銅の厚膜層 （23) が 1〜15 /xmである項 11に記載の電磁波シールド用透明部 材。

項 17. 前記網の目銅パターン （2 P) の開口部の形状が、 正方形又は長方形の いずれかである項 1 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

項 18. 透明シート （31) 上に、 全光線透過率が 50%以上になるように、 銅 を主成分とする網の目状銅パターン （3 P) と透明導電性薄膜層 （32) とが設け られている電磁波シールド用透明部材。

項 19. 網の目状銅パターン（3 P)上に、 更に褐色から黒色の着色層 （33) が 設けられている項 18に記載の電磁波シールド用透明部材。

項 20. 前記褐色から黒色の着色層（33)が酸化銅又は硫化銅よりなる項 18に 記載の電磁波シールド用透明部材。

項 21. 前記透明シート （31) が全光線透過率 60%以上を有する熱可塑性樹 脂シ一トである項 18の記載の電磁波シールド用透明部材。

項 22. 前記網の目状銅パターン （3P) が線幅 l〜25 zm、 開口率 56〜9 6 %よりなる正方形又は長方形の格子状パターンである項 18に記載の電磁波シ一 ルド用透明部材。

項 23. 前記透明導電性薄膜層 （32) の膜厚が 100〜 1 500人である項 18 に記載の電磁波シールド用透明部材。

本発明の第 1発明を図 1及び図 2に、 第 2発明を図 3に、 第 3発明を図 6に各 々示す。

本第 1力 ^ら第 3発明において、 電磁波シールド用透明部材の基体の材質としては、 ガラス板等の無機物、 ポリメチルメタアタリレート、 ポリスチレン又はスチレンと アクリロニトリル又はメチルメタアタリレートとの共重合体、 ポリ （4—メチルぺ ンテン一 1) 、 ポリプロピレンとかシクロペンテン、 ノルボルネン、 テトラシクロ ドデカン等の環状ォレフィンモノマーによる単独又はエチレン等の共重合による非 晶性環状ォレフィンポリマ一、 ポリエチレンテレフ夕レート、 ポリエチレンナフタ レート、 ポリアリレート、 ポリエ一テルサルホン、 ポリカーボネート、 各種液晶性 ポリマー等の熱可塑性樹脂、 アクリル系、 ウレタン系、 エポキシ系、 シリコーン系 の熱硬化性樹脂が例示できる。 好ましい基体の材質としては、 ガラス板等の無機物 及び熱可塑性樹脂が挙げられる。 該榭脂は、 耐熱性、 耐候性、 非収縮性、 耐薬品性、 その他の機械的強度にも優れているものが良い。

基体の全光線透過率は通常約 5 0 %以上、 好ましくは約 6 0 %以上、 より好まし くは約 6 5 %以上、 特に約 8 5 %以上である。

基体の形状及び厚みは、 厚さ 0 5〜 5mmのフィルム状又は板状のものが例 示される。 具体的には、 厚さ l〜5mm、 好ましくは 1〜3mmの強化又は非強化 無機ガラス板、 厚さ 0. 0 5〜5mm、 好ましくは 0. l〜4mm、 より好ましく は 0. l〜3mm、 特に 0. 1〜 2 mmのフィルム状又は板状の熱可塑性樹脂また は熱硬化性樹脂が挙げられる。

本発明でいう全光線透過率 （以下 T tと呼ぶ） とは、 J I S K7 1 0 5 ( 1 9 8 1 ) に基づいて作製された日本電色工業株式会社製の濁度計タイプ NDH— 2 0 D型によって測定した値 （％) であり、 この値が大きい程透明で視認性に優れてい ることになる。

前記基体は、 一般には単独の板状又はフィルム状の基体であるが、 適宜 2種以上 を複合した複合基体であっても良い。 更には、 表面反射防止又は赤外線もしくは紫 外線防止加工等を適宜施してもよい。

網の目導電パターンの網の目の形状は、 例えば縦横同一幅又は異幅の格子状の形 状、 開口部分が直角四辺形での形状、 ある角度をもって斜めに交差した形状、 つま り開口部分が菱形である場合、 あるいは 3と 5〜1 0角形程度の多角形状、 つまり 開口部が 3と 5〜1 0角形である場合も含む。

網の目導電パターン、 特に銅又は銅を主成分とするパターンの線幅は、 1〜2 5 lim, 好ましくは 3〜2 0 ΓΠ、 より好ましくは 5〜 1 5 xmである。

また物理的薄膜形成手段としては、 スパッタリング法、 真空蒸着法、 イオンプレ —ティング法が例示される。 これらは、 共通して該金属又は非金属を何らかの方法 で気体又はイオンの状態にして、 これを透明基体表面に受けて、 これを沈着して簿 膜状とするもので、 本発明では該金属として銅又はその合金を使用する。

(1) 第 1発明について

銅又は合金薄膜層は、 例えばスパッタリング法、 真空蒸着法、 イオンプレーティ ング法などの物理的薄膜形成手段により形成することができる。 前記物理的手段の中でも、 スパッタリング法又はイオンプレーティング法が好ま しく、 スパッタリング法がより好ましい。

前記薄膜形成手段によって形成される銅又はその合金薄膜層は、 銅については可 能な限り純銅であることが好ましく、 またその合金については、 銅を主体として例 えば CuZZn (黄銅） 、 CuZSn (青銅） 、 CuZAl、 Cu/Ni, Cu/Pd, リン青銅、 CuZB e等の合金を挙げることができる。

銅厚膜層は、 電解メツキ又は無電解メツキのいずれかで形成することができ、 好 ましくは電解メツキにより迅速に必要な厚さの銅厚膜層を形成できる。

銅又は合金薄膜層と銅厚膜層の積層体では、 導電パターン化のために行う化学ェ ツチングによりしばしば観察される線幅の縮小化 （サイドエッチング） は実質的に なく、 所望する網の目導電パターンを再現性良く形成できるので、 細い線幅の網の 目でも、 低い電気抵抗値を得ることができ、 すなわち高い透明性と電磁波シールド 性を得ることができる。

銅又は合金薄膜層 （2) は、 銅厚膜層 （4) 形成のために設けられるもので、 電 磁波シールド性発現の実質的因子は、 該銅厚膜層にある。 銅又はその合金による薄 膜層 （2) は約 100〜 2000人、 好ましくは 300〜 1700人であり、 銅厚 膜層 （4) は、 約 l〜10 zm、 好ましくは 2〜8 mである。

銅又はその合金による薄膜層の厚みが上記の範囲にあると、 迅速にメツキ （特に 電解メツキ） を行うことができ、 かつ、 化学エッチングにおいてサイドエッチング 現象を伴うことがない。

一方、 銅厚膜層 （4) の厚みが上記の範囲にあると、 十分な電磁波をシールド性 を有する。

電磁波シールド用透明部材の電気抵抗値は、 S O OmQZ口以下、 好ましくは 5 〜150πιΩノロ、 さらに好ましくは 5〜5 ΟπιΩノロである。

尚、 本発明でいう電気的抵抗値は、 得られた網の目銅導電パターンについて、 三 菱油化株式会社製 LORES ΤΑ (口レス夕、 商品名： MCP— TESTERFP) に専用 MCPプローブ （四端子による測定） を連結した電気抵抗測定器を使い、 該 パターンの銅表面に四端子をしつかり当接して、 場所を変えて測定したものである。 褐色から黒色の着色層 （5) は、 視認性のより向上をはかるために設けられる。 そして、 着色層の色は褐色から黒色がよく、 好ましくは黒色である。

前記着色層 （5 ) は銅表面に設けられ、 可能なかぎり薄層でかつ該銅表面と強固 に密着するものであることが望ましい。 かかる意味においては、 酸化銅又は硫化銅 によるのが良い。 酸化銅又は硫化銅は、 銅表面を酸化又は硫化処理して得ることが できる。

次に、 電磁波シールド用透明部材の製造方法について説明する。

以下において、 特に好ましい製造法の実施態様を記載する。

工程 Aにおいて、 基体 （1 ) としては、 前記に記載の基体、 好ましくはその自身 の有する T tが 6 5 %以上の前記シート状の熱可塑性樹脂を用いる。 中でもポリエ チレンテレフタレ一ト、 ポリエチレンナフタレート、 非晶性ポリオレフインのシ一 トが良い。 そして、 該シート状の厚さは、 取り扱い性とか該 T tから見て、 特に 0 . 1〜 l mm程度のものを使用するのが良い。 そして、 該シート状の片面にスパッ夕 リング法にて銅又はその合金を夕一ゲットとして、 これを厚さ 1 0 0〜 2 0 0 0人 の薄膜状にスパッ夕蒸着する。 このスパッタリングに際しては、 該シートを何らの 前処理を施す必要はないが、 場合によっては、 その表面を脱脂洗浄するかグロ一又 はコロナによる放電処理等の前処理をすることもできる。

スパッタリング条件は、 一般的条件に従って行えば良いが、 次のような条件で行 う方が好ましい。 つまり、 1 0―¹〜 1 0— ²トール以下の低ガス圧 （ガスはアルゴン 等の不活性ガス） 下で行う低ガス圧スパッタリングである。 この低ガス圧スパッタ リングは、 3極グロ一放電、 2極グロ一 R F放電、 マグネトロン、 イオンビームに よるスパッタリングに相当するが、 マグネトロンによるスパッタリングがより好ま しい。 これは、 形成される薄膜の速度が早く、 純度も高く、 またスパッタリング装 置の真空槽内に発生する温度も低い （せいぜい 1 0 0 °C前後） ことによる。

次に行う工程 Bは、 前記工程にて得られた銅又はその合金の薄膜層をフォトリソ グラフィ法を使って現像し、 所望の網の目パターンを露出する。 ここで、 フォトリ ソグラフィ法は、 一般に行われている感光性レジストの塗布—マスキングフィルム の真空密着—露光—露光部又は非露光部の溶解除去のための現像→所望する網の目 パターンの露出をいう。 ここで感光性レジストには、 ネガ型とポジ型があり、 ネガ 型では露光されて紫外線を受けるとその部分のみが光硬化する。 ポジ型はネガ型の 逆の光特性を有し、 紫外光を受けた部分が光分解する。 両者現像処理を行えば、 ネ ガ型では、 未露光部分が溶解除去され、 ポジ型では露光部分が溶解除去されること になる。 従って、 マスキングフィルムは、 ネガ型ではポジフィルム （網の目パター ンは黒） をポジ型ではネガフィルム （網の目パターンは透明） を使用することにな る。

尚、 前記感光性レジストには、 特定されないが一般的にはネガ型ではアクリル系、 ポジ型ではジァゾ系が使用される。 また、 該レジストは、 一般には液状であるので これを塗布しても良く、 ドライフィルムの様に、 予めフィルム状であっても良い。 また、 網の目パターンの内容、 特に微細パターンでない該パターンを所望する場 合には、 フォトリソグラフィ法に代えて、 印刷手法により、 直接薄膜層上に網の目 パターンを露出状態で得ることができる。

次に行う工程 Cでは、 前工程までの露出網の目パターン部分の前記薄膜層をべ一 スとして、 この上に銅を電解メツキして、 厚さ 1〜1 0 mの厚さに銅を積層する。 電解メツキの条件は、 一般に行われている銅のメツキに準じて行えば良い。 例え ば、 硫酸銅と硫酸を主成分として調製された硫酸銅メツキ浴を用いる場合には、 含 リン銅を陽極としてこの中に前記薄膜形成熱可塑性樹脂シートを陰極として浸潰し、 陰極電流密度 0 . 5〜6 AZ d m ²、 該溶液温度 1 5〜3 0 、 メツキ速度 0 . 1 〜1 . S w mZm i nで行う。 勿論、 他の方法、 例えばシアン化第一銅とシアン化 ナトリウムを主成分とするメツキ浴による銅メツキ、 つまりシアン化銅メツキとか、 ピロリン酸銅とピロリン酸カリウムを主成分とするメツキ浴による銅メツキ、 つま りピロリン酸銅メツキによっても良い。

工程 Dは、 前記工程で露出せずに残存している非網の目パターン部分の感光性レ ジスト層を剥離除去する。 剥離除去は、 一般には各種有機溶剤又はアルカリ系水溶 液の剥離用薬液を用いてこれを噴射又は揺動浸漬する。

工程 Eは、 全面を同時に化学エッチングするものであるが、 化学エッチングの時 間は少なくとも前記非網の目パターン部分の銅又はその合金の薄膜層のすべてが、 溶解除去されるまでである。 化学エッチングの時間は該薄膜層の厚さによって変わ る。 全面を同時に化学エッチングするので、 工程 Cによる銅電解メツキによる層厚 は、 該薄膜層の厚さに相当する分、 化学エッチングされて薄くなるが、 しかし該簿 膜層の厚さ （1 0 0〜2 0 0 0人） に比較して、 電解メツキによる銅厚膜層ははる かに厚い （l〜1 0 /z m) ので、 電気抵抗値に実質的変化はない。

ここで、 化学エッチングは、 銅又はその合金をエッチング液によって化学的に溶 解除去する操作である。 従って、 エッチング液は、 該銅又はその合金が溶解するも のであれば制限はない。 一般的には、 通常使用される塩化第二鉄又は塩化第二銅の 水溶液であるが、 これらのものよりマイルドにエッチングできる、 例えば硫酸ノ過 酸化水素系水溶液等を使うのが良い。 これは、 ここでの化学エッチングが非網の目 パターンにあるスパッ夕による銅又はその合金による極めて薄い層を単に除去すれ ば、 所望する導電パターンが自ら形成されてくるからである。 つまり、 厚い銅層を 化学エッチングして導電パターンを形成するものとは異なるからである。

化学エッチング時間は、 約 2 0〜 5 0秒と短時間で終了するが、 終了後は直ちに 水洗し、 乾燥して全行程を終了する。

工程 Fは、 工程 Eで得た銅の導電パターン表面に別色を着色して、 視認性を改善 するために行う工程である。 ここでは、 この別色を褐色から黒色とするのが好まし いことから、 これを酸化銅又は硫化銅にて行う。 この酸化銅による着色は該導電パ ターンを酸化剤と接して、 化学的に銅表面を酸化して酸化銅の表層膜とすることに より行う。 一方硫化銅による着色は硫化剤と接することで行われる。 従って、 この ような化学的方法での着色であるために、 異種の材料でコ一ティング等による新た な着色層を設ける方法とは異なり、 より薄い層でもって一体的に形成されるので剥 離するようなこともない。

前記の酸化剤としては種々あるが、 アルカリ性の強酸化剤の水溶液が良い。 これ には、 例えば亜塩素酸ナトリゥムを水酸化ナトリゥムでアル力リ性にした水溶液が あり、 これに浸漬するだけで良く、 浸漬時間は数分程度で良い。

該水溶液中の水酸化ナトリウム濃度、 亜塩素酸ナトリウム濃度、 浸漬時間等を変 えることで、 生成する酸化銅の結晶構造に由来と考えられるが、 その色を褐色から 黒色の範囲で自由に変えることができる。

また硫化剤としては、 例えば硫黄又はその無機化合物 （例えば硫化カリ） を主成 分とする水溶液である。 ここで硫黄の場合は、 それ単独では効率的ではないのでこ れに生石灰、 カゼイン， 必要によっては助剤的に硫化カリを添加して水溶液化する。 一方硫化カリの場合には、 反応促進の為に塩化アンモニゥム等を併用して水溶液ィ匕 する。 触触の時間、 温度等はいずれの場合も適宜実験にて決めればよい。

工程 A〜工程 Fで処理されて得られた透明部材の構造を更に図示すると図 1のと おりである。 該図は、 その構造の 1部を断面図で示している。 該図で 1は T t 65 %以上のシ一ト状熱可塑性樹脂、 2は銅又はその合金をスパッタリングした薄膜層、 2 aはリソグラフィ法による網の目パターン露出部分で、 3は全面コ一ティングし た感光性レジス卜 3 aが残存する部分、 4は露出部分の該薄膜層上に電解メツキに より積層した銅厚膜層、 5は酸化銅表面層である。 また図 2は工程 Fを斜視図で示 し、 6は開口部分であり、 この開口部分の全面積によって T tは変動する。

前記に記載する特に好ましい製造方法以外にも、 例えば、 予め銅のスパッ夕リン グと電解メツキとを行った後に、 フォトリソグラフィと共に化学エッチングを行う とか、 又はまず銅のスパッタリングを行い、 得られた銅の薄膜層をフォトリソダラ フィと共に化学エッチングし、 該薄膜をパターン化する。 次に銅を電解メツキして、 該パターン部分のみに銅を電解メツキして積層する等でも良い。 しかし、 工程 A〜 工程 Eの方法は、 特に原稿パターンに対する忠実な再現性の点で好ましい。

尚、 前記製造方法による導電パターンの再現性の確認は、 該パターンがメッシュ

(格子） 状で、 線幅 10 m以上、 ピッチ 100 m以上、 厚さ 10 m以下のも ので行った。 2. 54 cmをピッチで除したものがメッシュ度ということになる。

(2) 第 2発明について

電磁波シールド用透明部材上に設けられる銅を主成分とする網の目銅パターン (2 P) の線幅としては、 l〜25 im、 好ましくは 3〜20 wm、 更に好ましく 5 ~ 15 mでめる。

該パターンの材料が銅を主成分とするのは、 他の金属に比較して、 電磁波シール ド性付与の点から総合的 （性能、 品質、 製造のしゃすさ等） に見て、 最も有効な材 料であるからである。 ここで銅を主成分とするとは、 銅のみ又は銅と他の金属との 合金、 例えば、 これには CuZZn (黄銅） 、 CuZSn (青銅） 、 CuZAし CuZN i、 Cu/Pd、 Cu/P b, C uノ B e等の銅を主体とする 2種合金、 Cu/Sn/P (リン青銅） 等の銅を主体とする 3種合金をも含む意味である。 また、 前記線幅による銅パターンの形態は網の目状であるが、 この意味は、 線幅 1〜25 mの銅を主成分とする連続線でからなるものであって、 好ましくは、 開 口部の形状が正方形又は長方形である格子状の網の目、 菱形、 3と 5〜 10の多角 形、 更には円形も網の目として示すことができる。 更に好ましくは正方形又は長方 形の網の目パターンである。

該パターンの有する開口部の開口 （面積） 率は、 56 %〜 96%程度、 好ましく は 60〜90 %程度である。

尚、 前記開口率の求め方を、 前記正方形と長方形の格子状網の目パターンの場合 を例にとって説明する。

まず、 前記正方形の場合について図 4と式 1とによって説明する。 該図において、 点線と実線とで交叉して表示する部分 Bが開口部で、 この開口部 Bは銅パ夕一ン P の 1個を構成単位とする Aによって形成されている。 従って、 開口率 56~96% は式 1によって求められる。 ただし aは 1〜25 imの間で選ばれた銅パターンの 線幅、 bは構成単位 Aの一辺の長さ （ m) である。 開口率 - 100 X { (Bの面積） / (Aの面積） }

= 100 X (b-a) V (b²) (式 1 )

次に、 長方形の場合について図 5と式 2とによって説明する。 該図において、 点 線と実線とで交叉する部分 Gが開口部で、 この開口部 Gは銅パターン Pの 1個を構 成単位とする Hによって形成されている。 従って、 開口率 56〜96 %は式 2によ つて求められる。 ただし cと dは 1〜25 zmの間で選ばれた銅パターンの線幅で あるが、 一般には c=dであるが、 c≠dの場合もある。 eと f は構成単位 Hの長 辺の長さ （ m) と短辺の長さ （ m) である。 開口率 =100X { (Gの面積） / (Hの面積） }

= 100 X { (e-d) X (f -c) } / (f Xe) (式 2) 次に、 前記の通り構成される第 2発明の電磁波シールド用透明部材の製造方法に ついて説明する。 この製造方法について、 次の 3例を挙げるが、 これに限定される ものではない。 まずその第 1例は、 前記透明シートに銅箔を透明接着剤を介して接着した銅張り シートを使って、 これに感光性レジストをコ一ティングした後、 所望する網の目パ ターン画像を有するマスクを真空密着させた後、 フォトエッチング法 （露光—現像 一化学エッチング） によって、 線幅 l ~ 2 5 z m、 開口率 5 6〜9 6 %の網の目銅 パターンを該透明シート上に設ける方法である。

第 2例は、 前記透明シート上に、 まず無電解メツキのためのメツキ核を形成させ るためのアンカー層 （例えば、 ポリヒドロキシェチルァクリレートのような親水性 樹脂） を設け、 そして該アンカー層にパラジウムを触媒とする化学メツキ用の無電 解メツキ層を設け、 そのメツキ層を銅の無電解メツキ液にて処理して、 厚さ 1〜1 0 / mの銅層を全面に設け、 この無電解メツキによって得られた銅層を、 前記の銅 箔の場合と同じようにフォトエッチング法によって、 線幅 l〜2 5 w m、 開口率 5 6〜9 6 %の網の目銅パターンを該透明シート上に設ける方法である。

第 3例は、 前記透明シ一ト上に設けられる線幅 1〜2 5 m、 開口率 5 6〜9 6 %の網の目状銅パターンが、 物理的薄膜形成手段による銅を主成分とする銅の薄膜 を下層にして、 上層にメツキ手段による銅の厚膜層が積層されてなるというもので ある。

前記第 3例の方法は、 具体的には次の 2つの方法が例示できる。 まずその 1つに は、 前記透明シート上に物理的薄膜形成手段、 例えば、 スパッタリング法、 真空蒸 着法、 又はイオンプレーティング法によって銅を主成分とする厚さ約 5 0 A〜 1 m、 好ましくは 1 0 0人〜 0 · 7 / mの薄膜層を設ける。 次に、 該薄膜層の全面に メツキ手段、 例えば、 電解によって銅のメツキを行って、 厚さ約 l〜1 0 w mの厚 膜層を積層する。 最後に、 前記銅の厚膜層をフォトエッチング法によって所望の網 の目パターンに変える。

もう 1つの方法は、 まず前記と同様に、 透明シート上に物理的薄膜形成手段によ つて銅を主成分とする厚さ約 5 0人〜 1 /xm、 好ましくは 1 0 0人〜 0 . 7 z mの 薄膜層を設ける。 次に、 該薄膜層を網の目パターンを有するマスクを使ってフォト リソグラフィ法 （マスクによる露光から現像までの工程） により、 該パターン部を 露出する。 つまりここで非パ夕一ン部は感光性レジストによってマスキングされて いる状態にある。 次に露出した該パターン部の該薄膜層上にメツキ手段によって銅 をメツキして厚さ約 1〜1 0 mの厚膜の該パ夕一ン層を積層する。 次に、 非パ夕 ーン部に残存する該レジスト膜を溶剤で剥離除去する。 最後に、 全面を化学エッチ ングし、 非パターン部の該薄膜層が除去されたら直ちにエッチングを停止する。 全 面を化学エッチングするので、 既に該パ夕一ンを形成しているメツキによる銅も同 時にエッチングされる。 しかし、 非パターン部の薄膜層がはるかに早くエッチング されるので、 該メツキによって厚膜にある銅の厚さ減少は極めて小さく、 実質的に その層厚は維持され、 サイドエッチングも起こらない。

以上の 3つの各例の方法の中でも、 好ましい方法は第 3例の物理的薄膜形成手段 とメツキ手段との併用によるものである。

次に、 褐色から黒色の着色層 （2 4 ) を設けた電磁波シールド用透明部材につい て説明する。 この着色層は、 上層の銅厚膜層の表面に設けられるが、 特に表面が褐 色から黒色の範囲に着色された該電磁波シールド用透明部材であることで、 これを 通して、 P D P等の画面を見ると、 より見やすく、 しかもより長時間見続けても目 の疲労感はあまり感じない。 つまり、 モアレ干渉縞の非発生による視認性の向上と は別の意味での視認性が付与できることになる。 尚、 この褐色から黒色は、 純粋な 褐色から純粋な黒色、 更には両色が適宜混合された混色の範囲を意味するが、 純粋 な褐色よりもこれに黒色が多く加色された黒褐色の着色層であるのが好ましい。 前記着色層 （2 4 ) を設ける手段については制限はない。 例示すると次の 3つが ある。 ：

(0 褐色から黒色の着色顔料をコーティング用樹脂に混合して得たコーティング樹 脂液を網の目銅パターン表面にコーティングする方法；

(i i) フォトエッチング法を使って網の目銅パターンを形成する際に、 予め褐色か ら黒色に着色された感光性レジストを使用し、 該銅パターン上に残る該レジストを 剥離せずにそのまま残しておく方法；及び

(i i i) 網の目銅パターンを酸化又は硫化処理して、 表面を酸化銅又は硫化銅に変え る化学的方法。

前記の 3つの方法の中でも、 （i i i)の酸ィヒ又は硫化処理による化学的方法が好まし レ^ これは他の 2つの方法とは異なり、 この着色層が銅パターン層と一体的に形成 されるので、 銅との界面で密着性がよく、 そして単に酸化又は硫化処理条件を変え ることで、 この酸化銅又は硫化銅表面層の厚さと着色の色調とを自由に変えること ができるからである。

前記酸化処理は、 例えば、 得られた電磁波シールド用透明部材を亜塩素酸ナトリ ゥムを水酸化ナトリゥムでアル力リ性にした水溶液、 つまりアル力リ性の強酸化剤 水溶液に浸漬することによって酸化銅に変えることができる。 ここで処理条件 （温 度、 浸漬時間、 アルカリ濃度、 亜塩素酸ナトリウム濃度等） については、 事前にテ ストし、 最適条件を決めるのがよい。 また硫化 処理は、 例えば硫黄又はその無機化合物 （例えば硫化カリ） を主成分として水溶化 して、 これと該電磁波シールド用透明部材と接する。 ここで硫黄の場合は、 それ単 独では効率的ではないのでこれに生石灰、 カゼイン、 必要によっては更に助剤的に 硫化カリを添加して水溶液化する。 一方硫化カリの場合には、 反応促進の為に塩化 アンモニゥム等を併用して水溶液化する。 いずれの場合も接触の時間， 温度等は適 宜実験により決める。 尚、 酸化銅又は硫化銅 による表面層の厚さは、 酸化又は硫化条件によって自由に変えることができるが、 あまり厚くすると銅パターンとしての電気抵抗値が大きくなり、 その結果、 電磁波 シールド効果の低下を招くことになるので、 電気抵抗値として約 20 ΟπιΩΖ口を 超えないような酸化銅又は硫化銅表面層厚とする。

(3) 第 3発明について

基体 （3 1) 上に銅を主成分とする網の目状銅パターン （3Ρ) と透明導電性薄 膜層 （32) を形成する。 まずこの形成に際して、 最終的に得られた透明部材の全 体に有する T tは、 50%以上、 好ましくは 60 %以上である。

ここで前記網の目状銅パターン （3P) について説明する。

該パターンの材料が銅を主成分とするのは他の金属に比較して電磁波シールド性 を付与する点から総合的 （性能、 品質、 製造のしゃすさ等） にみて最も有効な材料 であるからである。 ここで銅を主成分とするとは、 銅のみ又は銅と他の金属との合 金、 例えば CuZZn (黄銅） 、 CuZSn (青銅） 、 CuZAし Cu/N i , Cuノ Pb、 CuZB e等の銅を主体とする二種合金、 CuZSnZP (りん青銅） 等の銅を主体とする三種合金等をも含む意味である。

また、 前記パターンは連続した銅を主成分とする銅連続線が、 ある形状をもった 開口部をもって規則的に網の目に配置されているパターンである。 具体的には、 開 口部が正方形又は長方形でもってなる格子銅パターン、 菱形とか、 円形とかさらに は 3又は 5〜 10のいずれかによる多角形よりなる銅パターン等が例示できるが、 この中でも正方形又は長方形の格子銅パターンが好ましい。

該パターンの線幅は、 l〜25 im、 好ましくは 3〜20 tm、 より好ましくは 5〜15 Aimである。 また、 開口部は 56〜96%、 好ましくは 60〜 90%であ る。

この開口率については前記と同様に式 1及び式 2から求めることができる。

尚、 前記網の目状銅パターンの厚さについては電磁波シールド効果が最大限に発 現されるように透明導電性薄膜層 （32) の膜厚よりも、 より厚膜である必要があ るがあまり厚くても該効果は上がらない。 かかる意味から約 0. 5〜10 m、 好 ましくは 1〜7 imに設定するのがよい。

次に前記透明導電膜層 （32) について説明する。 まず該薄膜層は前記網の目状 銅パターン （3 P) の下層又は上層として全面に設けられるものである。 そしてこ の層は透明で導電性、 つまりより低抵抗性を有する導電性素材によって形成される が、 この透明性は少なくとも全体の T tが 50%より小さくならないようなもので 可能な限り T tの高いものが好ましい。 また、 薄膜層が形成し易く基体 （31) お よび網の目状銅パターン （3 P) とも十分な密着力を有するものであるのが好まし い。 透明導電膜層 （32) の膜厚については 100〜 1500人、 好ましくは 1 5 0〜 1200 Aである。

前記透明で導電性を有しかつ薄膜層の形成し易い導電性材としては、 例えば銀 、 白金、 アルミニウム、 クロム等の金属単体、 酸化インジウム、 二酸化スズ、 酸化 亜鉛、 酸化カドミウム等の金属酸化物、 酸化インジウムにスズをドーピングしたィ ンジゥムスズ酸化物 （I T〇） 、 二酸化スズにアンチモンをドーピングしたアンチ モンスズ酸化物 （ΑΤΟ) 、 二酸化スズにフッ素をドーピングしたフッ素スズ酸化 物 （FTO) 、 酸化亜鉛をアルミニウムでドーピングしたアルミニウム亜鉛酸化物

(ΑΖΟ) 、 酸化インジウムと酸化亜鉛の複合酸化物等が挙げられ、 好ましくは金 属酸化物又はドーピングされた金属酸化物、 特に I TOを挙げることができる。 次に高電磁波シールド性透明シートの製造方法について説明するがこの製造方法 について制限するものでなく、 例えば次の 4例を挙げることができる。

第 1の方法は前記透明基体 （3 1 ) の片面に無電解メツキのためのメツキ核を形 成するためのアンカー層 （親水性樹脂） （例えばポリヒドロキシェチルァクリレ一 ト） を設け、 そして該アンカ一層にパラジウムを触媒とする化学メツキ用の無電解 メツキ層を設け、 そのメツキ層を銅の無電解メツキ液にて処理し、 場合によっては 更に電解による銅メツキを行って、 1〜 1 0 mの銅層を全面に設ける。 次に所望 の網の目状パターンを有するマスキングフィルムを使って一般に行われるフォトェ ツチング法によって網の目状銅パターンを形成する。

次に前記の網の目状銅パターンを含む全面に透明導電性薄膜層 （3 2 ) を積層す る。 該薄膜層の積層法には特に制限はないが前記で例示する導電性素材を使って真 空蒸着法、 スパッタリング法、 イオンプレーティング法等の物理的薄膜形成手段に よって積層するのがよい。 これらの中でもスパッタリング法は速やかにかつ高品質 の透明導電性薄膜を形成することができるので好ましい。

第 2の方法は前記透明基体 （3 1 ) に銅箔を接着ラミネートした銅張りシートを 使う方法、 即ち、 該銅張り面を前記例 1と同様にフォトエッチング法によって所望 の網の目状銅パターンとなし、 更に該パ夕一ンの上から全面に物理的薄膜形成手段 によって透明導電性薄膜を設ける方法である。

第 3の方法は、 まず透明基体 （3 1 ) 上に設けられる網の目状銅パターン （3 P ) 自身が、 銅を主成分とする銅の薄膜を下地層としてその上にメツキ手段、 例えば電 解メツキによって銅を厚膜にメツキすることによってつくられる。 そしてこの形成 された該銅パターン （3 P ) の上に全面に前記と同様にして透明導電性薄膜層 （3 2 ) を積層する方法である。

尚、 該銅パターン自身を形成する方法には次の 2つの方法 I、 I Iがある。

方法 Iは、 前記透明基体 （3 1 ) 面に前記の銅を主成分とする銅素材を使って前 記の物理的薄膜形成手段によって厚さ 5 0人〜 1 /z m、 好ましくは 1 0 0人〜 0 . 7 z mの厚さの薄膜層を設ける。 次に該薄膜層の全面に電解メツキによって銅メッ キを行って、 厚さ 1〜 1 0 /z mの厚膜層を積層する。 最後に所望する網の目状パ夕 —ン画像を有するマスキングフィルムを使ってフォトリソグラフィ法を用いてフォ トエッチングする。 これにより銅の薄膜層を下地層にその上に銅の厚膜が積層され た 2層よりなる網の目状銅パターンが形成されることになる。

方法 I Iは、 まず前記と同様に透明基体 （3 1 ) 面に物理的薄膜形成手段によって 銅を主成分とする厚さ 5 0人〜 1 t m、 好ましくは 1 0 0人〜 0 . の薄膜層 を設ける。 次に該薄膜層を所望する網の目状パターン画像を有するマスキングフィ ルムを使って、 フォトリソグラフィ法により現像して該パ夕一ン部を露出する。 つ まりここでは非パ夕一ン部は感光性レジストによりマスクされている状態にしてお く。 次に露出した該パ夕一ン部の該薄膜層上にメツキ手段によって銅を電解メツキ して厚さ 1〜 1 0 の厚膜の該パターン層を積層する。 次に非パ夕一ン部に残存 する該レジスト膜を溶媒で剥離除去する。

次に、 全面を化学エッチングし前記非パターン部の該薄膜層が溶解除去されたら、 直ちにエッチングを停止する。 全面を化学エッチングするので、 既に該パターンを 形成しているメツキによる銅も同時にエッチングされる。 しかし非パターン部の薄 膜層がはるかに早くエッチングされるので、 該メツキによって厚膜にある銅の減少 はきわめて小さく実質的に元の厚さを維持して残る。

第 4の方法は、 透明導電性薄膜層 （3 2 ) を下層にその上に網の目状銅パターン

( 3 P ) を設ける方法である。 具体的にはまず透明基体 （3 1 ) の片面の全面に前 記する導電性材を使ってこれを物理的薄膜形成手段によって透明導電性薄膜 （3 2 ) を設ける。 次に所望する網の目状パターン画像を有するマスキングフィルムを使つ てフォトリソグラフィ法により現像してパターンに相当する部分を露光する。 つま りここでは非パターン部は感光性レジストによりマスクされている状態にある。 そして前記のパターン部を形成する露出部分 （透明導電性薄膜部分） に厚さ 1〜 1 0 の銅を電解メツキする。 最後に非パターン部分の残存レジストを剥離 （又 は溶解） 除去する。

つまりこの方法では、 透明導電性薄膜層 （3 2 ) が下層となって全面に設けられ その上層に所望する網の目状銅パターン （3 P ) が設けられるという構成をとるこ とになる。

尚、 導電性薄膜層 （3 2 ) に銅を電解メツキする場合該薄膜層の材質によっては、 電解メツキ環境 （通電性、 電解メツキ液に対する耐性等） 、 メツキされる銅との密 着性等が問題になる場合がある。 このような場合には予め種々のテストして密着の ための前処理条件を知る必要がある。 例えば該薄膜層を I T〇とした場合には、 銅 メツキ層との密着性が弱いので予め I T O層にパラジウムとニッケルとの各無電解 メツキを行ってその上に銅を電解メツキする方法をとる。

しかし、 前記 4例の方法の中でも第 3及び第 4の方法が接着剤層が不要であるた め好ましい。

着色層 （3 3 ) の色は、 特に褐色から黒色が選ばれる。

尚、 ここで褐色から黒色の意味は褐色又は黒色の単色もあれば両色が適宜混色さ れた場合もあり、 好ましいのは黒の強い黒褐色の混色がよい。

具体的に着色の方法は次の第 5〜第 7の方法が例示でき：。

第 5の方法：褐色から黒色顔料をコーティング樹脂に混合して調製したコ一ティ ング樹脂液を網の目状銅パターン （3 P ) の表面に薄くコ一ティングする方法； 第 6の方法： フォトエッチング法を使って網の目状銅パターン （P ) を形成する際 に使用する感光性レジストを予め着色しておき該銅パターン上に残る該レジストを 剥離せずにそのまま残しておく方法；及び

第 7の方法：網の目状銅パターン （3 P ) を酸化処理又は硫化処理して表面を酸 化銅又は硫化銅に変える化学的方法。

第 7の方法が好ましいものである。

前記酸化処理は例えば得られた網の目状銅パターン （3 P ) を亜塩素酸ナトリウ ムを水酸化ナトリゥムでアル力リ性にした水溶液、 つまりアル力リ性の強酸化剤水 溶液に浸漬するだけで容易に酸化銅に変えることができる。 この時の条件 （温度、 浸漬時間、 アルカリ濃度亜塩素酸濃度等） については事前にテストし最適条件を決 めるのがよい。

また硫化処理は、 例えば硫黄又はその無機化合物 （例えば硫化カリ） を主成分と して水溶液化して、 これに該銅パターン面を接する。 ここで硫黄による場合は、 そ れ単独では効率的でないのでこれに生石灰、 カゼイン、 必要によっては更に助剤的 に硫化カリを添加して水溶液ィヒする。 一方硫化カリの場合には、 反応促進の為に塩 化アンモニゥム等を併用して水溶液化する。 いずれの場合も接触の時間、 温度は適 宜実験により決める。 尚、 酸化 銅又は硫化銅による表面層の厚さは酸化又は硫化条件によって自由に変えることが できるが、 あまり厚くすると銅パターンとしての電気抵抗値が大きくなり、 その結 果電磁波シールド効果を下げる方向に傾く。 その電気抵抗値としては約 20 OmQ 口であり、 これを超えないように可能な限り薄い酸化銅層又は硫化銅層にするの がよい。

尚、 全面に設ける透明導電性薄膜層 （32) は、 前記の通り網の目状銅パターン (3 P) の下層又は上層として、 設ければ良いが、 該パターンを挟んで上下の両層 に設けることもできる。 この両層の場合には、 更に電磁波シールド性の向上と該パ ターンの保護も期待される。

発明を実施するための最良の形態

実施例及び比較例によって更に本発明を詳述する。 尚、 電磁波シールド性、 全光 線透過率 T t及びモアレ干渉縞は、 次の方法にて測定したものである。

電磁波シールド性は、 （財） 関西電子工業振興セン夕一法 （一般に KEC法と呼 んでいる） によって、 周波数 100〜1000MHz (メガヘルツ） の範囲で測定 した電磁波の減衰率 （dB—デシベル） で表したものである。

全光線透過率 T tは、 J I S K7105 ( 1981) に基づいた日本電色工業 株式会社製の濁度計タイプ NDH— 2 OD型によって測定した透過率 （％) である。 モアレ干渉縞は、 得られた電磁波シ一ルド用透明部材を、 P DP表示画面の前面 に、 隙間 1 Ommに設置した時にモアレ干渉縞が現れているかどうか、 肉眼にて目 測したものである。 その発生の程度を 3段階で評価し、 全く発生していない又は確 認できない場合を◎、 若干発生しているが実用上問題ない場合を〇、 発生が明白で 実用上問題になる場合を Xとした。

尚、 開口率については本文中で説明した式 1又は式 2により求め、 合わせて視認性 についてもチェックした。

(実施例 1 A)

厚さ 125 xm、 サイズ 400 X 100 Omm、 T t = 90 %の二軸延伸ポリェ チレンテレフタレート （以下 PETフィルムと呼ぶ） を使って、 次のスパッタリン グを行う前に、 まずグロ一放電して前処理した。 この前処理の PETフィルムをマ グネトロン式スパッ夕装置の真空槽内に、 銅ターゲットに対峙して配置し、 空気を アルゴンに完全置換して得た真空度 2 X 10_³トールの環境下、 印加電圧 DC 9 k Wで lmZm i nで 3回繰り返しのスパッ夕蒸着を行った。

前記にて得られた銅薄膜の厚さは、 1 200人 （± 100人） で均一であった。 また一部を切り取ってテープ剥離テストしたが、 銅薄膜が剥離するような様子はな 力、つた。

次に、 前記得られた銅蒸着 PETフィルムの該蒸着面に、 ポジ型レジストを口一 ルコ一夕にてコ一ティングし、 厚さ 5 の該レジスト層を設けた。 そして、 該レ ジス卜層面に、 線幅 15 / m、 ピッチ 1 50 mのメッシュ状パターン （メッシュ 度 = 170) を描写したネガフィルム （該パターン部分が透明で、 非パタン部分が 黒色で、 メッシュ状に描写されたマスキング用フィルム） を真空密着した後、 露光 した。 （超高圧水銀灯を光源として、 1 30m JZcm²を照射した。 ） この露光 によって、 該メッシュパターン部分のレジストは、 分解されているので、 この部分 を現像液にて溶解除去して、 最後に水洗乾燥した。 非パターン部分の該レジストは、 該銅蒸着面と密着して残存している。 従って、 非パターン部分はマスクされており、 パターン部分は、 該銅蒸着層が露出されていることになる。

次に、 前記露出のメッシュ状パターンに次の条件にて、 銅を電解メツキした。 つ まり、 含リン銅を陽極として、 該パターンを陰極として、 硫酸銅と硫酸及び水との 混合液をメツキ液として、 該浴の温度 23°Cとして、 陰極電流密度 1. iAZdm ²、 メツキ速度 0. 3 j mZrn i nにて電解メツキした。 そして十分に水洗して乾 燥した。

次に、 前記電解メツキしたものの全面にアセトンを噴射しつつ、 軽夕ツチでブラ ッシングして、 非パターン部分の残存レジストを溶解除去し、 水洗、 乾燥した。 得 られた一部を切り取って、 断面を顕微鏡して拡大し観察したところ、 積層された銅 メツキ層は極めてシャープに角柱状を呈し、 幅は 15. 1 rn. 厚さ （高さ） は 4. 9 /zmであった。 ここで、 銅メツキ層が極めてシャープに角柱状で積層されたのは、 予めフォトレジストによって、 枠をつくり、 この枠が正確にシャープに形成されて いるために、 この枠に沿って、 銅が積層されたためと考えられる。

次に、 前記銅メツキされたものを、 アセトンに浸漬して残存する非パターン部分 のレジストを溶解除去した後、 水洗して乾燥後、 これを次の条件で全面エッチング した。 化学エッチング液として、 硫酸と過酸化水素とを含む水溶液を用い、 これを浴槽 に入れて、 攪拌しながら、 前記をエッチングした。 エッチング時間は 30秒であり、 30秒したら直ちに水洗し乾燥した。 PETフィルム上に 170メッシュのシャ一 プな導電パターンが形成され、 180° に折り曲げても、 剥離するようなことは全 くなかった。 形成された導電パターンの線幅は、 I 5 wmで、 厚さは 4. 8 imで あった。

尚、 該パターンは角柱状で、 サイドエッチングは全く見られなかった。 このもの の電気抵抗値、 電磁波減衰率、 T tを表 1にまとめた。

例 S気抵抗値 電磁波滅衰卒 ( d B) T t

( m Ω /□) 100MHz δΟΟΜΗζ 1000MHz (%) 実施例 1 A 1 5. 7 48 4 8 5 0 6 6. 1 実施例 2 A 1 5. 1 4 1 47 6 8. 1 比較例 1 A 2 0 4 1 5 1 9 7 8 3. 0

(実施例 2 A)

実施例 1 Aにおいて、 次の条件を変える以外は同様にして、 各工程を経て、 まず メッシュ状の銅による導電パ夕一ンを P E Tフィルム上に積層した。

•銅のスパッタリングにより形成した薄膜層の厚さは 1 700人

•ポジ型レジストのコ一ティング厚さは 7 tm

'ネガフィルムのパターン画像は、 線幅 2 5 mZピッチ 2 5 0 am

(メッシュ度 = 10 1) のメッシュ状パ夕一ン

•銅の電解メツキ厚さは 6. 8 Atm

•化学エッチングの時間は 50秒

前記にて得られた導電パターンの厚さは、 6. 6 mで、 線幅は 2 5. 0 mで ありサイドエッチングも全くなく、 その断面観察ではシャープな角柱状を呈した。 次に前記形成された銅の導電パターンの表面を褐色から黒色に着色するために、 水酸化ナトリゥムと亜塩素酸ナトリウムとを成分とする水溶液を酸化浴として、 7 0でで 5分間全体を浸潰した。 5分間経過したら取り出して水洗乾燥した。 該パタ 一ンの銅は、 黒褐色に変化し、 その着色層の厚さは約 0. 5 2 A6IT1であった。 この ものの電気抵抗値、 電磁波減衰率、 T tは表 1にまとめた。

さらに前記得られた着色導電パ夕一ン PETフィルムをプラズマディスプレイの 画面に 1 Ommの距離で懸垂し、 画像を見ると、 実施例 1 Aの未着色品に比較して 見やすく、 目の疲れもない感じで視認することができた。

(実施例 3 A) まず実施例 2 Aと同一条件にて P E Tフィルム上に積層銅によるメッシュ状導電 パターンを形成した。 そしてこれを硫黄を主成分として、 これに生石灰、 カゼイン 及び硫化カリを添加して蒸留水に溶解して調整した硫化浴に 4 0 で、 6 0秒間接 した。 直ちに取り出して水洗 '乾燥した。 該パターン表面は着色され実施例 2より も黒色で鮮明であつた。 勿論この着色手段による該パッターンへの悪影響はなつか つた。 （比較例 1

A)

実施例 1 Aにおいて、 次の条件を変える以外、 同一条件にて各工程を順次行い、 比較用の導電パターンを有する P E Tフィルムを作製した。

•オフネガフィルムのパターン画像は、 線幅 1 3 Ai m/ピッチ 2 0 0 m

(メッシュ度 = 1 9 5 ) のメッシュ状パターン

，銅の電解メツキによる積層厚さ 0 . 8 x m

得られた P E Tフィルム上の銅の導電パターンの線幅は 1 0〜 1 2 . 銅の厚 さは 0 . 6〜0 . 6 7 mで一定でなかった。 このバラツキについては、 前記メッ シュパターンの線幅と銅のメツキの厚さが小さすぎた為に、 化学ェツチングによる 細りと、 銅の電解メツキにムラが発生したためでないかと考えられる。

得られたものの電気抵抗値、 電磁波減衰率、 T tは表 1にまとめた。

尚、 本発明における電磁波シールド用透明部材は、 このままでも使用できるが、 パターンが銅で形成されていることと、 外力による損傷等を考えて、 実際の使用に 際しては、 全面に保護膜を設けたものとするのが良い。 該保護膜の選択については、 勿論強い密着力を有することは当然であるが、 透明性、 水分、 酸素に対するバリヤ 性、 耐衝撃性、 耐熱性、 耐薬品性等にも優れていることを考慮する必要がある。 具 体的には、 例えばアクリル系、 ウレタン系、 シリコーン系の硬化型有機系物質によ るものとか、 無機系化合物、 例えば二酸化ケイ素に代表されるものが挙げられる。 尚、 二酸化ケイ素による保護膜は、 前記有機系より好ましいが、 これは二酸化ケ ィ素をスパッタリングして、 物理的に保護膜を形成することもできるが、 化学的に 例えばペルヒドロポリシラザン溶液をコ一ティングし、 これを加熱又は加水のもと に二酸化ゲイ素に分解するとか、 多官能アルコキシシランを用いるゾルーゲル法に よる二酸化ケイ素保護膜の形成も可能である。 (実施例 I B)

まず、 透明シートとして厚さ 125 m、 大きさ 400 X 1000 mm, T t 9 0%の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム （以下、 PETフィルムと呼 ぶ） を用い、 各々についてグロ一放電によって片面を前処理した。 そしてこの前処 理 PETフィルムをマグネトロン式スパッタ装置の真空槽内に、 銅夕一ゲッ卜に対 峙して配置し、 空気をアルゴンに完全置換して得た真空度 2 X 10— ³トールの環境 下、 投入電力 DC 9 kWで lm m i nで 3回繰り返しのスパッタ蒸着を行った。 前記にて得られた銅薄膜の厚さは 0. 12 mで均一であった。 また、 1部を切 り取って 180 ° 折り曲げテストしたが、 銅薄膜が剥離するような様子はなかつた。 次に、 得られた前記銅蒸着 P ETフィルムについて、 次の条件で銅蒸着面に銅の 電解メツキを行った。 つまり、 硫酸銅と硫酸の混合水溶液のメツキ浴中で、 浴温度 23°C、 陰極電流密度 1. 7A/dm²、 メツキ速度 0. 3 imZm i nの条件で 銅の電解メツキを行った。 前記にて得られた銅メツキ層の厚さは 2 j mで、 均一で あり、 また 1部を切り取って 180° 折り曲げテストしたが、 前記同様に PETフ イルムから剥離する様子はなかった。

次に、 前記得られた銅メツキ PETフィルムを、 次の条件でフォトエッチングし て網の目導電パターンに変えた。

まず、 銅メツキ層面にポジ型フォトレジストをロールコ一夕で、 厚さ 2 m にコーティングした。 そして次に、 線幅 15 m、 ピッチ 180 / mの正方形の格 子パターン画像を有するマスク用ポジフィルムを真空密着した後、 紫外光源で 13 0m Jノ cm²の露光を行った。 そして現像液を噴射して、 露光部分 （非格子パ夕 ーン画像） の該レジストを溶解除去し、 水洗した。 次に、 これをエッチング装置の 槽内に固定し、 20での過酸化水素一硫酸系エッチング液に揺動浸漬して、 該露光 部分に相当する銅メツキ層を下地の銅スパッ夕蒸着層と共に 2分間エッチング除去 し、 水洗一乾燥後、 最後に水酸化ナトリウム水溶液 （濃度 5%) に浸漬 （1分間） して、 残存する未露光部分 （格子バタ一ン画像） のレジスト膜を剥離除去して、 正 方形状の銅パターンに変えた。

次に、 前記パターンの表面を着色するために、 次の条件で酸化処理した。 つまり、 前記の銅パターンを有する P ETフィルムの全体を 70°Cに加熱された水酸化ナト リゥムと亜塩素酸ナトリゥムとを水に溶解して得た混合水溶液の浴中に 5分間浸演 し取り出して、 水洗一乾燥した。 銅パターンの表面は酸化され、 黒褐色の酸化銅層 に変化した。 この酸化銅着色層の厚さは 1 mであった。

得られた着色銅パターンはシャープで、 線幅は 1 4 で、 ほぼ 1対 1に再現さ れた。 T t、 開口率、 電磁波シ一ルド性、 モアレ干渉縞及び視認性の測定結果を表 2にまとめた。 尚、 本例による電磁波シールド用透明部材の構成を図 3の斜視図で示す。 2 1は P E T フィルム、 2 2は銅薄膜層、 2 3は電解メツキによる銅厚膜層で、 この 2つの層が 実質的銅パターン層 2 Pになっている。 2 4は酸化銅による着色層である。

表 2

(実施例 2 B )

実施例 1 Bと同じ条件でスパッ夕リングして得た銅蒸着 P E Tフィルムを用いて、 まず次の条件でフォトリソグラフィ法によって正方形格子パターンを露出した。 つ まり、 該銅蒸着面に、 ネガ型レジストを口一ルコ一夕にてコーティングし、 厚さ 2 mの該レジスト層を設けた。 そして、 該レジスト層面に、 線幅 1 5 m、 ピッチ 1 5 0 Ai mの正方形の格子パターン画像を有するマスク用ポジフィルムを真空密着 した後、 紫外光源で 1 1 O m Jノ c m²の露光を行った。 そして、 現像液にて非露 光部分 （格子パターン画像） の該レジストを溶解除去し、 水洗した。 次に、 前記露出されている正方形格子パターンの銅蒸着部分に次の条件にて、 銅 を電解メツキし、 厚膜の銅を積層した。 つまり、 含リン銅を陽極として、 該パター ンを陰極として、 硫酸銅と硫酸の混合水溶液のメツキ浴中で、 浴温度 2 3 、 陰極 電流密度 1 . 7 A/ d m メツキ速度 0 . 3 w mZm i nの条件で銅の電解メッ キを行った。 そして十分に水洗して乾燥し、 最後に残存する露光部分 （非格子画像 部分） のレジスト膜を水酸化ナトリウム水溶液 （濃度 5 %) で剥離除去し、 水洗— 乾燥した。 このメツキによる銅の厚さは 1 mであった。

次に、 得られた前記の銅メツキパターンと銅蒸着層とを有する P E Tフィルムの 全面を次の条件でエッチング処理した。 つまり、 該 P E Tフィルムをエッチング装 置の槽内に固定し、 2 0 °Cの過酸化水素一硫酸系エッチング液に揺動浸漬して、 該 露光部分に相当する非格子画像部分の銅蒸着層部分をエッチング除去した。 この場 合のエッチング時間は 2 0秒であった。 該銅蒸着部分が除去されると直ちにエッチ ングを停止し、 水洗—乾燥した。 かくして得られた正方形状の銅パターンの線幅は 前記マスク用ポジフィルムと同じ 1 5 mで 1対 1に再現され、 又該パターン層の 全厚は 1 mであった。 このエッチングではメツキによる銅パターン部分も同時に エッチングされるが、 前記の結果から非格子画像部分の銅蒸着層の方が優先的にェ ツチングされ、 銅メツキのパターン部分は実質的にエッチングされていないことが わかる （サイドエッチングもない） 。

そして、 前記得られた銅パターン P E Tフィルムを硫黄を主成分として、 これに 生石灰、 カゼィン及び硫化力リを添加して蒸留水に溶解して調整した硫化浴に 4 0 で、 6 0秒間浸漬した。 直ちに取り出して水洗 ·乾燥した。 該パターンの表面は 着色され、 実施例 1 Bよりも黒色で鮮明であった。 そして実施例 1 Bと同様項目に ついて測定し、 表 2にまとめた。

(比較例 1 B )

実施例 2 Bにおけるマスク用ポジフィルムとして、 線幅 3 0 m、 ピッチ 1 8 0 j mの正方形の格子パターン画像を有する該フィルムを使用する以外、 同一条件に て実施し、 銅による正方形状格子パターンを P E Tフィルム上に形成した。 得られ た銅パターンの線幅は 2 9 mであり、 銅パターンの全厚は 1 j mであり、 その他 の測定項目については表 2にまとめた。 (比較例 2B)

実施例 2 Bにおけるマスク用ポジフィルムとして、 線幅 30 wm、 ピッチ 100 mの正方形の格子パターン画像を有する該フィルムを使用する以外は、 同一条件 にて実施し、 銅による正方形状格子パターンを P ETフィルム上に形成した。 得ら れた銅パターンの線幅は 29 zmで、 銅パターンの全厚は 1 imであり、 その他の 測定項目については表 2にまとめた。

(実施例 1 C)

まず、 透明シートとして厚さ 125 m、 大きさ 400 X 1000 mm, T t 9 0%の二軸延伸ポリエチレンテレフ夕レートフィルム （以下、 PETフィルムと呼 ぶ） を用い、 この片面をグロ一放電によって前処理した。 そしてこの前処理 PET フィルムをマグネトロン式スパッ夕装置の真空槽内に、 I TO (ターゲット） と対 峙して配置し、 次の条件で I TOをスパッタリングして、 全面に I TO薄膜をスパ ッ夕蒸着した。

'スパッタリング動作圧 ' ■ · '真空槽内が 4. 5 %の酸素を含有するアルゴン ガスにて置換して得た真空度 2 X 10— ³トール

•スパッタリング温度 · · · · 90°C

•スパッタリング時間 . · · · 4秒

このスパッ夕蒸着によって形成された I TO薄膜層の厚さは、 200人で表面抵 抗値は、 400Ω ロであり、 また丁 1;は88. 9%であった。

次に前記 I TO薄膜面にポジ型フォトレジストをロールコ一夕にて厚さ 2 wmに なるようにコーティングした。 そして次に線幅 15 m、 ピッチ 150 mでもつ て作られた正方形の格子パターン画像を有するマスク用ネガフィルムを使って、 こ れをコ一ティング面と真空密着しつつ、 1 3 OmJZcm² の強度で紫外線を照射 した。 そして、 紫外光の照射された該パターン画像に相当するパ夕一ン部分を現像 して、 剥離除去した。

従って、 非パターン画像に相当する部分の該レジストは、 残存しマスクされてい る。 以下これを I TOパターン PETフィルムと呼ぶ。

次に、 前記 I TOパターン PETフィルムを、 まずパラジウム無電解液浴 （日鉱 メタルプレーティング株式会社製、 品番 CG— 535 A、 pH=3〜3. 5) に常 温で 1分間浸漬し、 十分洗浄後、 今度はニッケル無電解浴 （日鉱メタルプレ一ティ ング株式会社製、 品番二コム N、 pH=4. 5〜5) 中に 70°Cで、 5分間浸漬し て、 ニッケル層を設けた。

尚、 このパラジウム無電解とニッケル無電解は、 前述するように、 次に行う銅の 電解メツキのための下地層 （この場合、 層厚は 0. 2μπιであった） となるもので、 これの介在によって I TOパターン層と銅メツキによる厚膜層とが密着してより強 固な銅パターンが形成されることになる。

従って、 この下地層は、 全面に設ける透明導電性薄膜層 （32) が I TOによつ て、 下層として設けられる場合に行う前処理といった 1例であり、 該薄膜層が I T O以外の種類のものであれば、 前処理の内容 （前処理はしない場合もあれば、 他の 方法での前処理を行う場合等） も異なることになる。

次に、 前記下地層を有する I TOパターン層を陰極として、 硫酸銅と硫酸との混 合水溶液を陰極とするメツキ浴に浸漬し、 常温で電解 （陰極電流密度 2 AZ dm² 、 メツキ速度 0. 2 分） メツキした。 このメツキによって積層された銅の厚 さは、 1. 1 mであった。 以下これを銅メツキパターン P ETフィルムと呼ぶ。 次に、 前記銅メツキパターン PETフィルムの非パターン部分に残る前記レジス ト膜をアセトンによって溶解除去した。 これによつて、 下層としての全面 I TO透 明導電薄膜層とその上層として、 正方形状の格子銅パターンとが PETフィルム上 に形成されていることになる。 得られた該パターンの線幅は 14 mであり、 他の 電磁波シールド性、 T t及びモアレ干渉縞については表 3にまとめた。

尚開口率は、 式 1によって求めたものである。

表 3

(実施例 2C)

前記実施例 1 Cによって得られた正方形格子銅パターンを持つ PETフィルムに、 次の条件で酸化処理し、 該パターンの銅の表面を着色し黒褐色の着色層 3を形成し た。

つまり、 前記 PETフィルムの全体を 70 に加熱した水酸化ナトリウムと亜塩 素酸ナトリウムとを水に溶解して得た混合水溶液の浴中に、 5分間浸漬し取り出し て水洗乾燥した。 銅パターンの表面は酸化され、 黒褐色の酸化銅層に変化した。 こ の酸化銅着色層の厚さは、 0. 8 /zmであった。 このものと実施例 1とを各々 PD Pに懸垂して、 表示画像を見た。 その結果は、 本例が、 まず見た瞬間気分的に落ち 着きを感じ、 更に長時間凝視したが、 目が疲労するような感じは受けなかった。 尚、 その他の電磁波シールド性、 T t及びモアレ干渉縞については、 実施例 1と の間に差はなかった。

前記実施例 1と実施例 2とを合わせてその構造を図示すると図 6に示すとおりで ある。 つまり、 31は PETフィルム、 32は下層として全面に設けられた I TO 透明薄膜層、 33は電解メツキによる銅メツキ層、 34は酸化銅による黒褐色の着 色層である。

(実施例 3C)

実施例 1 Cと同じ PETフィルムを 4枚準備し、 同様にグロ一放電による前処理 を行った。 そして、 この各々の前処理した FETフィルムをマグネトロン式スパッ 夕リング装置の真空槽内に銅夕一ゲットと対峙して配置し、 該槽内の空気をァルゴ ンガスにて完全置換して得た真空度 2 X 10— ³トールの動作圧下において、 投入電 力 9 kW (DC) で、 lmノ分の速度で走行しつつ、 スパッタリングを行い、 これ を 3回反復して、 膜厚 0. 12/xm (±0. 01) の銅の簿膜層を蒸着した。

尚、 各々についてその一部を切り取って、 180での折り曲げテストを行ったが、 いずれも該薄膜層が P E Tフィルム面から剥離するようなことはなかった。

次に、 前記得られた 4枚の PETフィルムの銅薄膜面をフォトリソグラフィ法に より処理し、 開口率の異なる正方形格子パターンに変えた。 つまり、 まず該薄膜面 にポジ型レジスト （光分解型） を 2 コーティングし、 そのコーティング面に線 幅 15 —定とし、 ピッチを 100 ;t m、 150 rn, 200 mおよび 250 に各々変えて作製したマスク用ネガフィルムを用い、 各々について真空密着し、 1 1 OmJ/cm² の紫外光源を照射した。 そして、 露光された該パターン部分の 該レジストを現像して溶解除去した （非パターン部分の該レジストはそのまま密着 残存している。 ） 。

次に、 前記得られた各々 4枚の PETフィルム上に形成されている正方形格子パ ターンの銅薄膜層に、 次の条件で銅を電解メツキし、 厚膜の銅を積層し、 銅パター ンとなし、 最後に非パターン部の残存レジスト膜を溶解除去した。 つまり、 該パタ ーンを陰極として、 硫酸銅と硫酸の混合水溶液をメツキ浴として、 これを陽極とし て、 浴温 23 、 電流密度 1. 7 A/dm² 、 メツキ速度 0. 3 mノ分の速度で 電解メツキした。 この電解メツキによる銅パターンの厚さは、 各々一様に 2. 5 n mであった。

次に、 前記銅薄膜上に形成されている銅パターンを有する 4枚の PETフィルム を次の条件で、 化学エッチング処理し、 非パターン部分の銅薄膜層を溶解除去した。 つまり、 各々 4枚の PETフィルムの全体をエッチング装置内にセットし、 20で 過酸化水素 Z硫酸系エッチング液を 30秒間接触した。 非パターン部分の銅薄膜は 溶解除去されたので、 直ちにエッチングを停止し、 水洗乾燥した。 これによつて得 られた銅パターンの厚さは、 各々一様に 2. 41 (±0. 01) urnであつすこ。 こ の厚さは、 エッチング前の前記厚さ （2. 5 ) と実質的な差はないことがわか る。 このことは、 銅パターン部分も非パターン部分の銅薄膜と同時にエッチングさ れるが、 両者の膜厚に大きな差があり、 かつ両者の銅の膜質に差が生じ、 該銅薄膜 の方が優先してエッチングされたものと考えられる。

尚、 実施例 1の方法による銅パターンよりも線幅の減少は小さく、 1対 1で再現 された。 次ぎに硫黄を主成分として、 これに生石灰、 カゼイン及び硫化カリを添加 して蒸留水に溶解した。 これを硫化浴として 40 で該銅パターン面と約 60秒間 接して後水洗 ·乾燥した。 表面は着色され、 実施例 2 Cの酸化銅層の色よりもより 黒色で鮮明であった。 次に前記 得られた着色銅パ夕一ンを有する各々の PETフィルムについて、 該銅パターンを 覆って全面に上層被覆する形で、 I TOをスパッタリングした。 ここでのスパッタ リング条件は、 スパッタリング時間を 8秒とする以外は、 実施例 1 Cと同様条件に て行った。 スパッタ蒸着された I TOの膜厚は 410人であり、 その表面抵抗値は、 300 口であった。

前記得られた 4枚について、 形成された銅パターンの線幅 ピッチに対する電磁 波シールド性、 T t及びモアレ干渉縞について測定し、 これを表 3にまとめた。

(比較例 1 C)

実施例 3 Cにおいて、 I TO薄膜層は設けない以外は全く同一条件にて PETフ イルム上に各々銅パターンを形成し、 4種の正方形銅パターンを有する 4枚の PE Tフィルムを作製した。 各 PETフィルムについて、 実施例 3Cと同様に測定し結 果を表 3にまとめた。

(比較例 2C)

実施例 1 Cで使用したと同じ PETフィルムを用い、 同様にグロ一放電による前 処理を行い、 そしてその処理面に実施例 3で実施したと同じ条件にて I T〇を全面 スパッタリングして、 同じ膜厚の I TO薄膜層を設けた。 得られた I TO透明薄膜 層のみを有する Ρ Ε Τフィルムについて実施例 3 Cと同様に測定し結果を表 3にま とめた。 (比較例 3 C)

線幅 3 0 u m, ピッチ 1 8 0 で作製された正方形格子バタ一ン画像を有する マスク用ネガフィルムを使用する以外は、 実施例 1と同一条件で実施し、 P E Tフ イルム上に全面 I T O薄膜層、 その上に銅格子パターンを順次積層した。 この得ら れたものについて、 実施例 1と同様にして各測定し表 3にまとめたがモアレ干渉縞 が見られる。

表 3から明らかなように、 まず電磁波シールド性は、 勿論銅パターン単独、 I T O薄膜単独の場合よりも両者併用の場合がはるかに高いシールド効果を発現してい ることがわかる。 更に、 特に 1 0 0 MH zよりも高電磁波長では、 相乗的効果とな つて現れており、 これは驚くべき結果である。

そして、 透明性と電磁波シールド性のバランスにおいて、 透明性を上げても、 そ の上がった分の透明性に対して、 電磁波シールド性の低下も小さい。 このことは、 電磁波シールド性を低下せずに、 透明性を上げることが可能になつた事として大き く評価されるものである。

本発明は、 前記のとおり構成されているので、 次のような効果を奏する。

第 1発明

透明基体と、 この上に形成される銅の網の目の導電パターンとは、 特にスパッ夕 リング等の技術によって直接形成した銅 （又はその合金） 薄膜層を介して積層され ているので、 該基体とは極めて高い密着力を有している。 これは、 屈曲にも耐え、 かつ高温高湿中での長時間使用でも剥離することはない。

前記のとおり、 銅の導電パターンは従来の様に接着剤等を介せず、 直接形成され ているので、 それによる透明性の低下はない。

更に、 優れた電磁波シールド性を得るために必要な導電パターンの電気抵抗がよ り狭い幅で、 より厚い層厚で銅がメツキされて形成されるので、 電磁波シ一ルド効 果と共に、 高い透明性を有する部材である。

また、 本発明の電磁波シールド用透明部材の製造方法に関して、 項 9に記載の方 法を使うことで、 パターンの細りサイドエッチングの懸念はなくなり、 製造が容易 にかつ高い収率で得ることができるようになった。

更に、 網の目導電パターンの表層を酸化銅又は硫化銅にて褐色から黒色に着色す ることもでき、 この着色層の存在は、 各機器に装着して使用する場合、 見やすく長 時間の凝視でも目の疲労感も小さい。

第 2発明

本発明は前記の通り構成されているので次のような効果を奏する。

本発明における電磁波シールド用透明部材は、 高い電磁波シールド性と透明性と 共に、 更に従来のようなモアレ干渉縞の発生に対してそれを解消又は軽減できる特 性が付与されている。 また網の目銅パターン表面が褐色から黒色に着色されること で視認性のより向上がはかれる。

前記特性を有しているので、 これを P D P等の表示画面の前面に装着して使用す ると、 P D P等から発せられる電磁波は勿論、 外部から受ける電磁波をも十分にシ ールドすると共に、 画像を鮮明にかつ気持ちよく視認することができる。

尚、 この電磁波シールド用透明部材は、 P D Pの他に C R Tやその他の電子情報 機器等にも使用することで、 該機器の内部を見れると共に、 それから発せられる電 磁波、 逆に他から受ける電磁波をシールドできるので、 電磁波によって誤動作に導 くような原因は発生しない。

第 3発明

まず、 電磁波をシールドする効果が、 各々単独 （銅パターンのみ、 透明導電性薄 膜層のみ） の場合に比較して、 大きく向上すると共に、 特に高い電磁波長領域で相 乗的に向上する。

電磁波シールド効果を下げずして、 透明性を上げることが可能になった。 このこ とは、 一般に両者は二律背反の関係にあることに対して、 これをくつがえすもので ある。

網の目状銅パターンの表面に更に褐色から黒色の着色層を設けることで、 視認性 が付与されること。 また、 特に正方形又は長方形の格子銅パターンの場合のモアレ 干渉縞の発生を、 該パターンの線幅を特定することでこれを解消又は軽減すること もできる。

前記のような各効果を有することで、 その用途は電磁波を発生する P D P、 C R T等を初め、 各々電子機器の電磁波シールド部材としての使用を更に拡大すること になる。

Claims

請求の範囲

1. 基体 （1) 上に、 全光線透過率 50%以上になるように、 網の目導電パ ターンが物理的薄膜形成手段による銅又はその合金薄膜層 （2) とメツキ手段によ る銅厚膜層 （4) との順次積層にて形成されていて、 かつ該導電パターンの有する 電気抵抗値が 20 ΟπιΩΖ口以下であることを特徴とする電磁波シールド用透明部 材。

2. 銅厚膜層 （4) 上に更に褐色から黒色の着色層 （5) を設けてなる請求 項 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

3. 前記透明基体 （1) が全光線透過率 65%以上のシート状熱可塑性樹脂 である請求項 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

4. 前記物理的薄膜形成手段がスパッタリング法又はイオンプレーティング 法である請求項 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

5. 前記メツキ手段が電解メツキ法である請求項 1に記載の電磁波シールド 用透明部材。

6. 前記銅又はその合金の薄膜層 （2) の厚さが 100〜2000人である 請求項 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

7. 前記銅厚膜層 （4) の厚さが 1〜10 mである請求項 1に記載の電磁 波シールド用透明部材。

8. 前記着色層 （5) が酸化銅又は硫化銅よりなる請求項 2に記載の電磁波 シールド用透明部材。

9. 次の工程 A〜工程 Eを含む請求項 1に記載の電磁波シールド用透明部材 の製造方法。

工程 A：全光線透過率 65%以上のシート状熱可塑性樹脂の片面に、 銅又はその 合金をスパッタリングして、 厚さ 100〜2000人の薄膜層を形成する工程。 工程 B ：前記薄膜層をフォトリソグラフィ法により現像して、 網の目パターンを 露出する工程。

工程 C ：前記網の目パターン上に銅を電解メツキして厚さ 1から 10 mの銅厚 膜層を積層する工程。

工程 D ：次に非網の目パターン部分の残存レジストを剥離除去する工程。

差替え用紙（規則 26) 工程 E：全面を化学エッチングして非網の目パターン部分の銅又はその合金薄膜 層を溶解除去し、 スパッタリングによる銅又はその合金薄膜層と電解メツキによる 銅厚膜層との積層による網の目導電パターンを得る工程。

10. 更に工程 Fを含む請求項 9に記載の電磁波シールド用透明部材の製造 方法：

工程 F ：前記によって得られた網の目導電パターンの銅表面を酸化又は硫化処理 して、 褐色から黒色の酸化銅又は硫化銅表面層を形成する工程。

1 1. 透明シート （21) 上に、 線幅 1〜25 //mの銅を主成分とする網の 目銅パターン （2 P) が開口率 56〜 96%でもって形成されている電磁波シール ド用透明部材。

12. 網の目銅パターン （2P) の表面に更に褐色から黒色の着色層 （24) が設けられている請求項 11に記載の電磁波シールド用透明部材。

13. 前記褐色から黒色の着色層 （24) が、 酸化銅又は硫化銅よりなる請 求項 1 1に記載の電磁波シールド用透明部材。

14. 前記透明シート （21) が、 全光線透過率 60%以上、 厚さ 0. 05 〜 5 mmの熱可塑性樹脂シートである請求項 1 1に記載の電磁波シールド用透明部 材。

15. 前記網の目銅パターン （2 P) が、 物理的薄膜形成手段による銅を主 成分とする銅の薄膜層（22)を下地層に、 メツキ手段による銅の厚膜層（23)を上 層にして形成されている請求項 11に記載の電磁波シールド用透明部材。

16. 前記銅を主成分とする銅の薄膜層 （22) の膜厚が、 50A〜l m、 銅の厚膜層 （23) が 1〜1 5 /mである請求項 1 1に記載の電磁波シールド用透 明部材。

17. 前記網の目銅パターン （2 P) の開口部の形状が、 正方形又は長方形 のいずれかである請求項 11に記載の電磁波シールド用透明部材。

18. 透明シート （3 1) 上に、 全光線透過率が 50 %以上になるように、 銅を主成分とする網の目状銅パターン （3 P) と透明導電性薄膜層 （32) とが設 けられている電磁波シールド用透明部材。

19. 網の目状銅パターン （3P) 上に、 更に褐色から黒色の着色層 （33)

差替え用紙 （規則 26) が設けられている請求項 18に記載の電磁波シールド用透明部材。

20. 前記褐色から黒色の着色層 （33) が酸化銅又は硫化銅よりなる請求 項 18に記載の電磁波シールド用透明部材。

21. 前記透明シ一卜 （31) が全光線透過率 60%以上を有する熱可塑性 樹脂シートである請求項 18の記載の電磁波シールド用透明部材。

22. 前記網の目状銅パターン （3 P) が線幅 l〜25 / m、 開口率 56〜 96%よりなる正方形又は長方形の格子状パターンである請求項 18に記載の電磁 波シールド用透明部材。

23. 前記透明導電性薄膜層 （32) の膜厚が 100〜1500人である請求 項 18に記載の電磁波シールド用透明部材。

差替え用紙 （規則 26)