WO1999016328A1 - Schmuckstein - Google Patents

Schmuckstein Download PDF

Info

Publication number
WO1999016328A1
WO1999016328A1 PCT/EP1998/006074 EP9806074W WO9916328A1 WO 1999016328 A1 WO1999016328 A1 WO 1999016328A1 EP 9806074 W EP9806074 W EP 9806074W WO 9916328 A1 WO9916328 A1 WO 9916328A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gemstone
layer
carrier
pyramid
gem
Prior art date
Application number
PCT/EP1998/006074
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ernst Michael Winter
Lothar SCHÄFER
Thorsten Matthee
Original Assignee
Winter Cvd Technik Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Winter Cvd Technik Gmbh filed Critical Winter Cvd Technik Gmbh
Priority to EP98952636A priority Critical patent/EP0987966B1/de
Priority to JP51970199A priority patent/JP2001509065A/ja
Priority to DE59803021T priority patent/DE59803021D1/de
Priority to AT98952636T priority patent/ATE212803T1/de
Priority to US09/319,142 priority patent/US6794014B2/en
Priority to CA002271736A priority patent/CA2271736C/en
Priority to CNB988014416A priority patent/CN1167368C/zh
Publication of WO1999016328A1 publication Critical patent/WO1999016328A1/de

Links

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A44—HABERDASHERY; JEWELLERY
    • A44C—PERSONAL ADORNMENTS, e.g. JEWELLERY; COINS
    • A44C27/00—Making jewellery or other personal adornments
    • A44C27/001—Materials for manufacturing jewellery
    • A44C27/005—Coating layers for jewellery
    • A44C27/007—Non-metallic coatings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet

Definitions

  • the invention relates to artificial gemstones.
  • Gemstones especially gemstones, are ground or ground before they are set in the metal body of a piece of jewelry to spectrally disassemble and reflect the incident light, thereby causing the brilliance and fire of a gemstone.
  • this requires a minimum size and purity of the gem. So about two are suitable
  • One third of the mined diamonds are not used to manufacture screw stones by grinding because they are either too small or too deep or because of their color or inclusions they can only be used industrially (for technical purposes).
  • the brilliance or shine of the diamond is mainly due to the fact that a large part of the light falling into the gem stone is scattered back almost in the direction from which it came. This is achieved in that the light that has entered the diamond crystal through the upper facets is reflected in the lower brilliant area and can exit again through the upper facets. The light is reflected in at least two reflection steps by a total of about (180 _ + x).
  • the arrangement of the facet angles to one another must take into account the optical properties of the diamond / air interface, so that the angle of total reflection is never exceeded.
  • the angles of the light beam path are always larger than those of the total reflection angle. That is, the light is reflected back upwards, on the other hand the light must strike the upper facets and the panel at such an angle that the light can exit.
  • the diamond brilliants are not cut in such a way that the light is reflected back exactly in the direction from which it came (as would be the case with the cat's eye). Rather, there is an opening angle between the incident and emerging beam, which leads to the eye-catching reflections. The exit angle is different for different wavelengths due to the dispersion.
  • Essential for the fire of the brilliant is the dispersion of the light in the diamond, which causes the light to be broken down like a prism and then perceived by the eye as spectral colors.
  • the object of the invention is to create artificial gemstones from large-scale gemstone layers obtained by vapor deposition, which despite the unfavorable dimensions, i. H. given the limited thickness of these layers an attractive appearance.
  • a screw stone which consists of a preferably tabular support or substrate, one surface of which has at least one pyramid-shaped depression and carries a gem layer obtained by gas phase deposition, preferably by the CVD or PVD method.
  • the underside should be designed accordingly, so that there is a reflection of a large part of the incident light, as with single-crystal natural brilliants.
  • This can be achieved by appropriate pretreatment of the surface of the silicon wafer to be coated. After this pretreatment, the silicon wafer has the necessary shape as a negative shape, so that the back or underside of the diamond layer that is formed receives the correspondingly positive shape.
  • materials such as noble metals, tungsten, molybdenum or hard metal which can be coated well with diamond and are also suitable as supports or supports for such artificially produced diamond layers the surface of which a suitable structure can be incorporated.
  • the incorporation of the structure into the support to be coated can either mechanically, for. B. by grinding a certain profile, electrolytically or, in particular in the case of a silicon wafer, can be achieved chemically or plasma-technically by etching.
  • isotropic as well as anisotropic processes can be used.
  • anisotropic etchant z. B. KOH. This base leads to the formation of pyramidal etching pits in the single-crystal wafer.
  • a pyramidal structure can also be etched into a base using an isotropic etchant.
  • a suitable composition of the etching solution can produce the required angles of the pyramid. If, as mentioned above, there is a gradual mirroring of approximately 180 ⁇ x, the angles of the pyramid must be adjusted accordingly.
  • edge areas of the carrier of the gemstone layer other pyramid angles can be set than in the middle area.
  • the angles of the facets can be selected so that the light is reflected back and forth several times in the gemstone layer, whereby a strong splitting of the spectral colors is achieved.
  • the easiest way is to introduce the same angle on the entire surface of the carrier by a single etching attack, which z. B. have a pyramid opening angle of 109. This angle can easily be achieved by etching procedures. Before the etching procedure, the surface of the carrier can be subjected to laser damage in order to easily achieve the desired geometry.
  • Orientations other than (100) or (111) wafers can also be used. What matters is that Targeted interaction of crystal orientation of the gem layer and direction of the etching attack in order to achieve an optimal optical effect.
  • a polycrystalline, e.g. B. in contrast to a diamond single crystal, there are still grain boundaries, which are to be considered as additional refractive areas due to a different refractive index.
  • the grain boundaries advantageously in their structure, for. B. must be aligned columnar to have a positive effect on brilliance and fire. In any case, the influence of the grain boundaries must be taken into account in the optical effect.
  • the light can also be scattered back in that the back or underside of the gas phase gemstone, in particular CVD diamonds, is additionally z. B. is mirrored by gold or titanium. Then the reflection takes place simply by reflection on the gold or titanium surface.
  • an octagonal shape of the surface of the artificial diamond layer is advantageous, which is subsequently ground into it. The angles in the underside have to be adapted to the changed exit conditions.
  • the surface of the substrate or substrate bearing the deposited gem layer does not have to be flat; it can e.g. B. be convex to obtain artificial gemstones in the form of a cabochon or boutton.
  • artificial gemstones in particular diamonds, not only with special optical properties such as brilliance and fire, but also with surface dimensions, e.g. B. by multiple dimensioning, gaining how they are not nearly attainable with the stones occurring in nature and also cannot be obtained with other synthetic processes, in particular the high-pressure, high-temperature technology, for economic and technical reasons.
  • the gemstones according to the invention can be given their own body color (e.g. blue by boron or yellow by nitrogen) during manufacture by the composition of the gas phase, which enables their use in any conceivable piece of jewelry or any conceivable decoration with gemstones.
  • Fig. 1 A schematic side view of the gem layer of a gem.
  • Fig. 2 A schematic view of area Y of FIG. 1 on an enlarged scale.
  • 3 A schematic top view of the gem layer according to FIG. 1.
  • Fig. 4 A schematic view of the gem layer according to Fig. 1 from below.
  • Fig. 5 A schematic view of area X of Fig. 4 on an enlarged scale.
  • the gemstone layer 1 has a multiplicity of pyramid-shaped elevations 2 with an angle "A" on the underside and is provided with an octagonal facet cut on its top.
  • the polished and polished gem layer 1 adhering to the carrier forms the gem according to the invention, which is in a piece of jewelry, z. B. a ring can be taken.
  • the carrier to which the gemstone layer is applied does not have to have the dimensions of the later gem. Parts can be separated from a large-area carrier with a layer of precious stones and processed or processed into a gem.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Adornments (AREA)
  • Cosmetics (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

Ein künstlicher Schmuckstein besteht aus einem vorzugsweise tafelförmigen Träger oder Substrat, dessen eine Oberfläche mindestens eine pyramidenförmige Vertiefung aufweist und eine durch Gasphasenabscheidung erhaltene Edelsteinschicht (1) trägt.

Description

Schmuckstein
Die Erfindung betrifft künstliche Schmucksteine.
Schmucksteine, insbesondere Edelsteine, werden, bevor sie im Metallkörper eines Schmuckstückes gefaßt werden, geschliffen oder angeschliffen, um das einfallende Licht spektral zu zerlegen und zu reflektieren, wodurch die Brillanz und das Feuer eines Schmucksteines bewirkt wird. Dies setzt jedoch eine Mindestgröße und Reinheit des Schmucksteines voraus. So eignen sich etwa zwei Drittel der geschürften Diamanten nicht zur Herstellung von Schraucksteinen durch Schleifen, weil sie entweder zu geringe Körperlichkeit bzw. Tiefe haben oder sich wegen ihrer Farbe oder ihrer Einschlüsse nur industriell (für technische Zwecke) verwerten lassen.
Die Brillanz bzw. den Glanz erhält der Diamant vor allem dadurch, daß ein großer Teil des in den Schmuckstein einfallenden Lichtes nahezu in die Richtung zurückgestreut wird, aus der es gekommen ist. Dies wird dadurch erreicht, daß das Licht, welches durch die oberen Facetten in den Diamantkristall eingefallen ist, im unteren Brillantbereich reflektiert wird und durch die oberen Facetten wieder austreten kann. Das Licht wird dabei in mindestens zwei Reflexionsschritten um insgesamt etwa (180 _+ x ) gespiegelt. Die Anordnung der Facettenwinkel zueinander muß dabei den optischen Eigenschaften der Grenzfläche Diamant/Luft Rechnung tragen, so daß der Winkel der Totalreflexion nie überschritten wird.
Es ist beim Strahlengang im Diamanten wichtig, daß in den Rückfacetten, also im unteren Teil des Diamanten, die Winkel des Lichtstrahlengangs immer größer als die des Totalreflexionswinkels sind. D. h. das Licht wird nach oben zurückreflektiert, andererseits muß das Licht auf die oberen Facetten und die Tafel in einem solchen Winkel auftreffen, daß das Licht austreten kann. Die Diamantbrillanten sind nicht derart geschliffen, daß das Licht exakt in die Richtung zurückgeworfen wird, aus der es gekommen ist (wie es beim Katzenauge der Fall wäre). Vielmehr liegt zwischen einfallendem und austretendem Strahl ein Öffnungswinkel, der zu den ins Auge fallenden Reflexen führt. Der Austrittswinkel ist aufgrund der Dispersion für verschiedene Wellenlängen unterschiedlich.
Wesentlich für das Feuer des Brillanten ist die Dispersion des Lichtes im Diamanten, die dazu führt, daß das Licht wie in einem Prisma zerlegt und dann als Spektralfarben vom Auge wahrgenommen wird.
Ein weiterer Effekt, der beim Betrachten eines Brillanten auftritt, sind die vielen Reflexe, die aus den Facetten ins Auge fallen, wenn der Brillant gedreht wird. Dies sind die wesentlichen Aufgaben, die die Facetten zu erfüllen haben.
Künstliche nach dem CVD-Verfahren hergestellte Diamantschichten sind entweder zu teuer oder zu dünn, um daraus geschliffene Schmucksteine, z. B. Brillanten, herzustellen, die den beeindruckenden Glanz aufweisen, der ihren Wert begründet. Wichtig für den Glanz ist die Einhaltung einer genauen geometrischen Form, um einen möglichst großen Anteil des einfallenden Lichtes in die Einfallsrichtung zu reflektieren.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung von künstlichen Schmucksteinen aus durch Gasphasenabscheidung erhaltenen großflächigen Edelsteinschichten, die trotz der ungünstigen Abmessungen, d. h. der begrenzten Stärke dieser Schichten ein attraktives Aussehen erhalten.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit einem Schrauck- stein gelöst, der aus einem vorzugsweise tafelförmigen Träger oder Substrat besteht, dessen eine Oberfläche mindestens eine pyramidenförmige Vertiefung aufweist und eine durch Gasphasenabscheidung vorzugsweise nach dem CVD- oder PVD-Verfahren erhaltene Edelsteinschicht trägt.
Damit die Edelstein- insbesondere Diamantschicht eines erfindungsgemäßen Schmucksteines Brillanz hat, muß deren auf dem Träger, z. B. einem Siliziumwafer , aufliegende Unterseite entsprechend ausgebildet sein, so daß es wie beim einkristallinen natürlichen Brillanten zu einer Reflexion eines Großteils des einfallenden Lichtes kommt. Dies kann durch eine entsprechende Vorbehandlung der Oberfläche des zu beschichtenden Siliziumwafers erreicht werden. Nach dieser Vorbehandlung weist der Siliziumwafer die notwendige Form als Negativform auf, so daß die Rückseite oder Unterseite der sich bildenden Diamantschicht die entsprechend positive Form erhält. Als Träger oder Unterlage für derartige künstlich hergestellte Diamantschichten eignen sich neben Siliziumwafern auch solche Werkstoffe, wie Edelmetalle, Wolfram, Molybdän oder Hartmetall, die sich gut mit Diamant beschichten lassen und in deren Oberfläche eine entsprechende Struktur eingearbeitet werden kann.
Die Einarbeitung der Struktur in den zu beschichtenden Träger kann in Abhängigkeit von dessen Werkstoff entweder mechanisch, z. B. durch Einschleifen eines bestimmten Profils, elektrolytisch oder aber, insbesondere bei einem Siliziumwafer , chemisch bzw. plasmatechnisch durch Ätzen erreicht werden. Hier können isotrope wie auch anisotrope Verfahren zum Einsatz kommen. Als anisotropes Ätzmittel bietet sich z. B. KOH an. Diese Base führt zur Ausbildung von pyramidalen Ätzgruben im einkristallinen Wafer. Bei Verwendung einer Ätzmaske kann auch mittels eines isotropen Ätzmittels eine pyramidale Struktur in eine Unterlage geätzt werden. Eine geeignete Zusammensetzung der Ätzlösung kann die erforderlichen Winkel der Pyramide erzeugen. Sollte, wie oben erwähnt, eine schrittweise Spiegelung um etwa 180 ± x erfolgen, müssen die Winkel der Pyramide entsprechend angepaßt werden.
In den Randbereichen des Trägers der Edelsteinschicht können andere Pyramidenwinkel als im mittleren Bereich eingestellt werden. Es ist aber auch möglich, die reflektierenden Flächen (Facetten) an der Unterseite der Schicht mit unterschiedlichen Winkeln auszurichten, um auf diesem Weg die Brillanz und das Feuer unabhängig voneinander einzustellen. Dabei können die Winkel der Facetten so gewählt werden, daß das Licht in der Edelsteinschicht mehrfach hin und her reflektiert wird, wodurch eine starke Aufspaltung der spektralen Farben erreicht wird.
Am einfachsten ist es, durch einen einzigen Ätzangriff auf der gesamten Oberfläche des Trägers gleiche Winkel einzubringen, die z. B. etwa einen Pyramidenöffnungswinkel von 109 aufweisen. Dieser Winkel läßt sich durch Ätzprozeduren leicht erreichen. Vor der Ätzprozedur kann die Oberfläche des Trägers einer Laserschädigung unterworfen werden, um die gewünschte Geometrie leicht zu erreichen.
Es können auch andere Orientierungen als (100) oder (111) Wafer zum Einsatz kommen. Maßgebend ist, das gezielt eingestellte Zusammenspiel von Kristallorientierung der Edelsteinschicht und Richtung des Ätzangriffs, um einen optimalen optischen Effekt zu erreichen. In einer polykristallinen, z. B. nach dem CVD-Verfahren hergestellten künstlichen Diamantschicht sind im Gegensatz zu einem Diamanteinkristall noch Korngrenzen vorhanden, die durch einen abweichenden Brechungsindex als zusätzlich brechende Bereiche zu berücksichtigen sind. Das hat zur Folge, daß die Korngrenzen vorteilhafterweise in ihrer Struktur z. B. säulenartig ausgerichtet sein müssen, um einen positiven Effekt auf Brillanz und Feuer zu haben. In jedem Fall muß der Einfluß der Korngrenzen beim optischen Effekt berücksichtigt werden.
Bei einer einfachen Pyramidenform kann das Licht auch dadurch zurückgestreut werden, daß die Rückseite bzw. Unterseite des Gasphasen-Edelsteines, insbesondere CVD-Diamanten zusätzlich z. B. durch Gold oder Titan verspiegelt wird. Dann erfolgt die Reflexion einfach durch Spiegelung an der Gold- oder Titanoberfläche. Um der Brillanz und dem Feuer von Einkristallbrillanten möglichst nahe zu kommen, ist eine achteckige Form der Oberfläche der künstlichen Diamantschicht vorteilhaft, die nachträglich in diese eingeschliffen wird. Dabei sind die Winkel in der Unterseite an die geänderten Austrittsverhältnisse anzupassen.
Diese mit einer durch Gasphasenabscheidung erhaltenen Edelsteinschicht versehenen Träger können als Schmucksteine in herkömmlicher Weise, z. B. im Metallkörper eines Schmuckstückes gefaßt werden.
Die die niedergeschlagene Edelsteinschicht tragende Fläche des Trägers oder Substrates muß nicht eben sein; sie kann z. B. konvex sein, um künstliche Schmucksteine in Gestalt eines Cabochon oder Boutton zu erhalten.
Mit der Erfindung lassen sich künstliche Schmucksteine, insbesondere Diamanten nicht mit nur besonderen optischen Eigenschaf en wie Brillanz und Feuer, sondern auch mit Oberflächendimensionen, z. B. durch Mehrfach- dimensionierung, gewinnen, wie sie mit den in der Natur vorkommenden Steinen nicht annähernd erreichbar sind und auch mit anderen Syntheseverfahren, insbesondere der Hochdruck-Hochtemperatur-Technik aus ökonomisch-technischen Gründen nicht zu erhalten sind. Den erfindungsgemäßen Edelsteinen kann bei der Herstellung durch die Zusammensetzung der Gasphase eine eigene Körperfarbe (z. B. Blau durch Bor oder Gelb durch Stickstoff) verliehen werden, was deren Einsatz bei jedem nur denkbaren Schmuckstück oder jeder denkbaren Verzierung mit Edelsteinen ermöglicht.
Ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Schmucksteines wird noch an Hand der Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1: Eine schematische Seitenansicht der Edelsteinschicht eines Schmucksteines.
Fig. 2: Eine schematische Ansicht des Bereiches Y der Fig. 1 im vergrößerten Maßstab. Fig. 3: Eine schematische Draufsicht auf die Edelsteinschicht nach Fig. 1.
Fig. 4: Eine schematische Ansicht der Edelsteinschicht nach Fig. 1 von unten.
Fig. 5: Eine schematische Ansicht des Bereiches X der Fig. 4 im vergrößerten Maßstab.
In den Zeichnungen ist aus Gründen der Vereinfachung und Klarheit nur die Edelsteinschicht 1 ohne deren Träger dargestellt, dessen an die Edelsteinschicht 1 angrenzende Seite spiegelbildlich geformt ist.
Die Edelsteinschicht 1 weist auf der Unterseite eine Vielzahl von pyramidenförmigen Erhebungen 2 mit einem Winkel "A" auf und ist an ihrer Oberseite mit einem Achtkantfacettenschliff versehen.
Die auf dem nicht dargestellten Träger fest haftende und geschliffene Edelsteinschicht 1 bildet den erfindungsgemäßen Schmuckstein, der in einem Schmuckstück, z. B. einem Ring, gefaßt werden kann.
Der Träger, auf den die Edelsteinschicht aufgebracht wird, muß nicht die Abmessungen des späteren Schmucksteines haben. Von einem großflächigen Träger mit Edelsteinschicht können Teile abgetrennt und zu einem Schmuckstein ver- bzw. bearbeitet werden.

Claims

Patentansprüche
1. Schmuckstein, gekennzeichnet durch einen vorzugsweise tafelförmigen Träger, dessen eine Oberfläche mindestens eine pyramidenförmige Vertiefung aufweist und eine durch Gasphasenabscheidung erhaltene Edelsteinschicht (1) trägt.
2. Schmuckstein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger ein Siliziumwafer ist.
3. Schmuckstein nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger ein (100) oder (111) Wafer ist .
4. Schmuckstein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus Edelmetall besteht.
5. Schmuckstein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus Hartmetall besteht.
6. Schmuckstein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus einem Refraktärmetall wie Wolfram oder Molybdän besteht.
7. Schmuckstein nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die pyramidenförmigen Vertiefungen mechanisch, z. B. durch Schleifen oder Prägen, erhalten wurden.
8. Schmuckstein nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die pyramidenförmigen Vertiefungen durch Ätzen erhalten wurden.
9. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Pyramidenwinkel der Vertiefungen eines Trägers verschieden sind .
10. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Pyramidenwinkel der Vertiefungen etwa 109 beträgt.
11. Schmuckstein, nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Korngrenzen der Edelsteinschicht (1) säulenartig ausgerichtet sind .
12. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die pyramidenförmigen Vertiefungen verspiegelt sind.
13. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Edelsteinschicht (1) geschliffen ist.
14. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Edelsteinschicht (1) durch Dotierung eine Körperfarbe aufweist .
15. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die die Edelsteinschicht (1) tragende Fläche des Trägers gekrümmt ist.
PCT/EP1998/006074 1997-09-30 1998-09-23 Schmuckstein WO1999016328A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP98952636A EP0987966B1 (de) 1997-09-30 1998-09-23 Schmuckstein
JP51970199A JP2001509065A (ja) 1997-09-30 1998-09-23 装身石
DE59803021T DE59803021D1 (de) 1997-09-30 1998-09-23 Schmuckstein
AT98952636T ATE212803T1 (de) 1997-09-30 1998-09-23 Schmuckstein
US09/319,142 US6794014B2 (en) 1997-09-30 1998-09-23 Gemstone
CA002271736A CA2271736C (en) 1997-09-30 1998-09-23 Decorative stone
CNB988014416A CN1167368C (zh) 1997-09-30 1998-09-23 饰石

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE29717496.7 1997-09-30
DE29717496 1997-09-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1999016328A1 true WO1999016328A1 (de) 1999-04-08

Family

ID=8046687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP1998/006074 WO1999016328A1 (de) 1997-09-30 1998-09-23 Schmuckstein

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6794014B2 (de)
EP (1) EP0987966B1 (de)
JP (1) JP2001509065A (de)
CN (1) CN1167368C (de)
AT (1) ATE212803T1 (de)
CA (1) CA2271736C (de)
DE (1) DE59803021D1 (de)
ES (1) ES2172227T3 (de)
IN (1) IN190683B (de)
RU (1) RU2189769C2 (de)
WO (1) WO1999016328A1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030177753A1 (en) * 2002-03-21 2003-09-25 Ronen Seliktar Decorative, diamond-cut jewelry surface
US6862898B2 (en) * 2002-03-21 2005-03-08 Select Jewelry, Inc. Article of jewelry
US7526928B1 (en) 2002-11-04 2009-05-05 Azotic Coating Technology, Inc. Multi-color gemstones and gemstone coating deposition technology
US6997014B2 (en) * 2002-11-04 2006-02-14 Azotic Coating Technology, Inc. Coatings for gemstones and other decorative objects
AT507689B1 (de) * 2008-12-19 2011-08-15 Swarovski D Kg Schmucksteinbesetzte paillette
AT508020B1 (de) * 2009-03-26 2010-10-15 Swarovski & Co Facettiert geschliffener verbundkörper
CN103349404B (zh) * 2013-08-02 2015-05-13 深圳市金艺珠宝有限公司 带多棱面反射槽饰品的加工方法及其加工设备
GB2533097A (en) * 2014-12-08 2016-06-15 Crystal Clear Jewellery Ltd Creating optical effects

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2444705A1 (de) * 1974-09-19 1976-04-01 Winter & Sohn Ernst Verfahren zur verbesserung von transparenten schmucksteinen und durch dieses verfahren bearbeiteter schmuckstein
US4599251A (en) * 1983-06-23 1986-07-08 Metalem S.A. Decorated article, method of fabricating the same and substrates used in connection therewith
JPH01244706A (ja) * 1988-03-28 1989-09-29 Mitsubishi Metal Corp 人工ダイヤモンドコートの金および金合金製装飾品
JPH0363002A (ja) * 1989-07-31 1991-03-19 Sachiko Kosaka 宝石状反射装飾体
US5087528A (en) * 1989-05-23 1992-02-11 Bock and Schupp GmbH & Co. KG, Zifferblafter-Fabrik Fashion article
WO1993017593A1 (en) * 1992-03-06 1993-09-16 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Decorative silicon article
WO1996006961A1 (en) * 1994-08-26 1996-03-07 Deposition Sciences, Inc. Novel gemstones and decorative objects comprising a substrate and an optical interference film

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US229328A (en) * 1880-06-29 Fbanois ed meyee
US2521846A (en) * 1944-07-26 1950-09-12 Waylande C Gregory Composite glass and metal article
US5431028A (en) * 1991-08-21 1995-07-11 Lampert; Dennis Metal jewelry article having artificial diamond baguettes formed therein and method of manufacturing thereof
US5882786A (en) * 1996-11-15 1999-03-16 C3, Inc. Gemstones formed of silicon carbide with diamond coating

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2444705A1 (de) * 1974-09-19 1976-04-01 Winter & Sohn Ernst Verfahren zur verbesserung von transparenten schmucksteinen und durch dieses verfahren bearbeiteter schmuckstein
US4599251A (en) * 1983-06-23 1986-07-08 Metalem S.A. Decorated article, method of fabricating the same and substrates used in connection therewith
JPH01244706A (ja) * 1988-03-28 1989-09-29 Mitsubishi Metal Corp 人工ダイヤモンドコートの金および金合金製装飾品
US5087528A (en) * 1989-05-23 1992-02-11 Bock and Schupp GmbH & Co. KG, Zifferblafter-Fabrik Fashion article
JPH0363002A (ja) * 1989-07-31 1991-03-19 Sachiko Kosaka 宝石状反射装飾体
WO1993017593A1 (en) * 1992-03-06 1993-09-16 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd. Decorative silicon article
WO1996006961A1 (en) * 1994-08-26 1996-03-07 Deposition Sciences, Inc. Novel gemstones and decorative objects comprising a substrate and an optical interference film

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 585 (C - 669) 22 December 1989 (1989-12-22) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 015, no. 211 (C - 0836) 29 May 1991 (1991-05-29) *

Also Published As

Publication number Publication date
EP0987966A1 (de) 2000-03-29
IN190683B (de) 2003-08-16
US20010049003A1 (en) 2001-12-06
EP0987966B1 (de) 2002-02-06
DE59803021D1 (de) 2002-03-21
CN1167368C (zh) 2004-09-22
ES2172227T3 (es) 2002-09-16
RU2189769C2 (ru) 2002-09-27
US6794014B2 (en) 2004-09-21
ATE212803T1 (de) 2002-02-15
CN1241120A (zh) 2000-01-12
CA2271736C (en) 2005-06-14
CA2271736A1 (en) 1999-04-08
JP2001509065A (ja) 2001-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69630535T2 (de) Edelsteine aus siliziumkarbid
AU719775B2 (en) Gemstones formed of silicon carbide with diamond coating
US5612102A (en) Faceted jewelry ornament with facet grooved for light diffraction
EP0987966B1 (de) Schmuckstein
EP3537919B1 (de) Schmuckstein
EP1895868B1 (de) Geschliffener edel-, halbedel- oder mineralstein und schleifart
AU8910001A (en) Diamond cut
WO1999007244A1 (de) Verfahren zur festlegung eines edelsteinschliffs mit hoher reflektion, verfahren zum schleifen eines edelsteins mit hoher reflektion sowie geschliffener edelstein mit hoher reflektion
EP0991337B1 (de) Schmucksteine
CH705949B1 (de) Kombinationsring.
EP3291699B1 (de) Uhrglas mit mindestens einem schmuckstein
EP1336351A2 (de) Schmuckstück mit Stein
DE4218412C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Diamantschmuck
AT11232U1 (de) Schmuckstein mit verspiegelter vorderseite
US20030224167A1 (en) Hybrid gem System
CH684301A5 (de) Schliff-Form für Edelsteine.
WO1991015132A1 (de) Zur herstellung von kesselketten geeigneter schmuckstein
EP0399072B1 (de) Schmuckstück
DE3810001C1 (de)
JP3181566B2 (ja) 装飾用玉のカット
EP1694155B1 (de) Edelstein mit facetten
EP1136014A1 (de) Schmuckstück
IE42227B1 (en) Impovements in or relating to methods of polishing diamonds
WO1993025725A1 (de) Verfahren zur abscheidung glatter polykristalliner schichten
DE3810001C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 98801441.6

Country of ref document: CN

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CA CN JP KR RU US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2271736

Country of ref document: CA

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1998952636

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 1999 519701

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09319142

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1998952636

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1998952636

Country of ref document: EP