WO1999010917A1 - Dispositif d'alignement, procede d'exposition, procede de regulation de la pression d'un systeme optique de projection, et procede de montage du dispositif d'alignement - Google Patents

Dispositif d'alignement, procede d'exposition, procede de regulation de la pression d'un systeme optique de projection, et procede de montage du dispositif d'alignement Download PDF

Info

Publication number
WO1999010917A1
WO1999010917A1 PCT/JP1998/003785 JP9803785W WO9910917A1 WO 1999010917 A1 WO1999010917 A1 WO 1999010917A1 JP 9803785 W JP9803785 W JP 9803785W WO 9910917 A1 WO9910917 A1 WO 9910917A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pressure
optical system
space
housing
gas
Prior art date
Application number
PCT/JP1998/003785
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yasuaki Tanaka
Jin Nishikawa
Katsuyuki Akagawa
Toshihiro Miyake
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP10031868A external-priority patent/JPH11233412A/ja
Priority claimed from JP10202482A external-priority patent/JP2000036447A/ja
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Priority to AU88851/98A priority Critical patent/AU8885198A/en
Priority to KR1020007001949A priority patent/KR20010023314A/ko
Priority to EP98940553A priority patent/EP1020897A4/en
Publication of WO1999010917A1 publication Critical patent/WO1999010917A1/ja
Priority to US10/246,728 priority patent/US20030020888A1/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70241Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70066Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system

Definitions

  • Exposure apparatus Exposure apparatus, exposure method, pressure adjustment method for projection optical system
  • the present invention relates to a lithographic process for manufacturing a semiconductor device, a liquid crystal display device, and the like, that is, an exposure technique used in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit.
  • the present invention is suitable for an exposure apparatus using exposure light traveling in an atmosphere replaced with an inert gas.
  • a lithographic process for manufacturing a semiconductor device or a liquid crystal substrate an exposure apparatus that exposes a pattern image of a reticle (photomask or the like) onto a photosensitive substrate via a projection optical system is used.
  • semiconductor integrated circuits have been developed in the direction of miniaturization, and in the course of lithography, a method of shortening the exposure wavelength of a lithographic light source has been considered as a means for further miniaturization.
  • harmonics of wavelength-tunable lasers such as Ti-sapphire lasers, fourth harmonics of 266 nm wavelength YAG lasers, fifth harmonics of 213 nm wavelength YAG lasers, mercury lasers near 220 nm or 184 nm wavelength
  • Pumps and ArF excimer lasers with a wavelength of 193 nm have attracted attention as short-wavelength light source candidates.
  • the emission spectrum line overlaps with the oxygen absorption spectrum region, so that the above-described decrease in light use efficiency due to oxygen absorption and ozone generation due to oxygen absorption are caused.
  • the transmittance of ArF excimer laser light in a vacuum or in an inert gas such as nitrogen or helium is 100% / m, the free-run state (natural light emission) State) In other words, about 90% / m for the broadband A / F laser, about 98% / m even for the narrow-band A / F laser that narrows the spectrum width and avoids the oxygen absorption line. And the transmittance decreases.
  • the decrease in transmittance is considered to be due to the absorption of light by oxygen and the effect of the generated ozone.
  • the generation of ozone not only adversely affects the transmittance (light utilization efficiency), but also causes degradation of the equipment performance and environmental pollution due to the reaction with the optical material surface and other components.
  • an exposure apparatus using an ArF excimer laser as an exposure light source air in an optical system such as an illumination optical system or a projection optical system that hits the optical path of the exposure light has a small attenuation rate with respect to the ArF excimer laser light.
  • a gas that hardly attenuates for example, nitrogen or helium.
  • an exposure apparatus having a light source such as an ArF excimer laser it is known that the entire optical path needs to be filled with an inert gas such as nitrogen in order to avoid a decrease in light transmittance and generation of ozone. (For example, Japanese Patent Publication No. 6-260385).
  • the conventional device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-78454 does not assume that an inert gas such as a nitrogen gas is forcibly filled in a lens barrel of a projection optical system. For this reason, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 6-260385, a projection exposure apparatus in which a nitrogen gas or an inert gas is filled in a lens barrel of a projection optical system is required to prevent fluctuations in atmospheric pressure and optical elements. Even if the optical performance is adjusted based on the energy to be irradiated, magnification, yield, and focus fluctuations may occur due to pressure fluctuations in the lens barrel, and high-precision projection exposure may not be possible.
  • the illumination optical system has a similar problem, and illumination fluctuation may occur due to pressure fluctuation of a housing in the illumination optical system.
  • an optical system such as an illumination optical system or a projection optical system that is in the optical path of the exposure light
  • an inert gas such as nitrogen
  • a first object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus in which optical performance is not affected by pressure fluctuations in a lens barrel of a projection optical system or a housing of an illumination optical system filled with a specific gas such as an inert gas. And an assembling method thereof.
  • a second object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can reliably prevent an abnormal increase in the internal pressure of an optical system during supply of a specific gas.
  • a third object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of adjusting the pressure of the hermetic chamber after replacing the hermetic chamber in the projection optical system with a specific gas, and a method of adjusting the pressure of the projection optical system. is there.
  • an exposure apparatus having an optical system for projecting an image of a pattern of an original illuminated by exposure light from an exposure light source onto an object to be exposed.
  • a gas supply device that fills the formed space with a specific gas, a pressure detector that detects the pressure in the space, and an optical performance adjustment that adjusts the optical performance of the optical system according to the pressure detected by the pressure detector Device.
  • the specific gas is a gas that has little absorption of the illumination beam (kr F excimer laser light, Ar F excimer laser light, F 2 excimer laser light, etc.), specifically, nitrogen (N2), helium (He ), Argon (Ar), neon (Ne), etc.
  • the gas supply device is provided between optical elements in a lens barrel that houses the projection optical system.
  • a column gas supply / discharge device that fills the formed space with an inert gas
  • the pressure detector is a pressure sensor in the lens tube that detects the pressure in the column space
  • the optical performance adjustment device is a mirror. This is a projection optical performance adjustment device that adjusts the optical performance of the projection optical system according to the pressure detected by the in-cylinder pressure detector.
  • the exposure apparatus has, in addition to the projection optical system, an illumination optical system that illuminates an original on which a predetermined pattern is formed with exposure light emitted from an exposure light source.
  • the gas supply device further includes a housing gas supply / discharge device that fills a space formed between the optical elements in the housing that houses the illumination optical system with an inert gas
  • the pressure detector includes the housing.
  • the optical performance adjusting device further includes an in-housing pressure detector that detects a pressure in the space, and the optical performance adjusting device adjusts the optical performance of the illumination optical system according to the pressure detected by the in-housing pressure detector. And a knot device.
  • the illumination optical system, the light transmission system, and the projection optical system is provided with a casing such as a housing to which an inert gas is supplied and a lens barrel.
  • a casing such as a housing to which an inert gas is supplied and a lens barrel.
  • the atmosphere of the exposure light is replaced with an inert gas in this casing, and generation of ozone is prevented. Therefore, it is possible to prevent the environment and the light use efficiency from being deteriorated, and to prevent the surface of an optical element such as a lens from becoming cloudy, thereby stably exhibiting the performance of the projection exposure apparatus.
  • the present invention detects the pressure in the space. , This Since the optical performance of the optical system is adjusted according to the pressure of the light, even if the pressure in the space fluctuates, illumination unevenness is prevented, and various fluctuations in the imaging performance are suppressed and the The pattern image can be exposed with high precision.
  • the gas supply device is a housing gas supply / discharge device that fills the space formed between the optical elements in the housing that houses the illumination optical system with an inert gas
  • the pressure detector is located in the housing space.
  • the optical performance adjusting device is an illumination optical performance adjusting device that adjusts the optical performance of the illumination optical system according to the pressure detected by the internal pressure detector. .
  • An atmospheric pressure detector for detecting atmospheric pressure may be further provided, and the optical performance of the projection optical system may be adjusted by the projection optical performance adjusting device based on the pressure in the lens barrel space and the atmospheric pressure.
  • the optical performance of the illumination optical system may be adjusted by the illumination optical performance adjustment device based on the pressure in the housing space and the atmospheric pressure.
  • the optical performance adjusting device may be a pressure adjusting device that adjusts the pressure in the space according to the pressure detected by the pressure detector so that the pressure in the space becomes a predetermined target value.
  • Fluctuations in optical performance due to pressure fluctuations in the space are suppressed, and a pattern image can be accurately exposed on an object to be exposed.
  • illumination unevenness can be prevented, and a decrease in exposure accuracy due to the illumination unevenness can be prevented.
  • an atmospheric pressure detector for detecting the atmospheric pressure may be further provided.
  • a projection optical performance adjusting device for adjusting the optical performance of the projection optical system based on the pressure in the lens barrel space and the atmospheric pressure It is preferable to separately provide an illumination optical performance adjusting device for adjusting the optical performance of the illumination optical system based on the body space pressure and the atmospheric pressure.
  • the atmospheric pressure is detected, and the detected atmospheric pressure is used. Even if the optical performance of the illumination optical system is adjusted, even if the optical path from the exposure light source to the illumination optical system is exposed to the atmosphere, illumination unevenness due to fluctuations in atmospheric pressure can be prevented.
  • a plurality of optical elements forming a space in the housing member are provided, and the optical performance adjusting device includes a moving mechanism that relatively moves at least a first optical element of the plurality of optical elements in a predetermined direction with respect to a second optical element. Can be included.
  • a plurality of optical elements forming a space in the housing member are provided, and at least a first optical element among the plurality of optical elements is relatively moved in a predetermined direction with respect to a second optical element by a moving mechanism.
  • the first optical element is held by a first holding member
  • the second optical element is held by a second holding member. It is preferable to provide a seal between the first holding member and the second holding member to prevent a specific gas from flowing out of a space formed between the optical elements.
  • the seal portion includes a concave portion formed on the first holding member side, a convex portion formed on the second holding member side and inserted into the concave portion, and a sealing portion filled between the concave portion and the convex portion to provide a sealing property.
  • a filler having the same.
  • inert grease that is photochemically inert is suitable.
  • the seal portion has a configuration in which a filler is filled between the concave portion and the convex portion, the filler is provided between the inner surface of the concave portion and the outer surface of the convex portion inserted into the concave portion. It will intervene. Therefore, for example, when the adjustment is performed in the adjustment section of the lens of the projection optical system, the filler remains in a state sandwiched between the inner side surface of the concave portion and the outer side surface of the convex portion, and furthermore, in the above displacement direction. Since deformation in the direction orthogonal to the direction is unlikely to occur, it is possible to prevent the two members from shifting with respect to a predetermined positional relationship.
  • the present invention relates to an exposure apparatus that exposes an object to be exposed with an illumination beam via a mask, comprising: a gas supply apparatus that supplies a specific gas to an optical system arranged in an optical path of the illumination beam; and an exposure apparatus connected to the optical system.
  • the gas supply device and the optical system are connected separately, and a branch path is provided in the middle of the supply path, and a branch path is opened when the pressure of the specific gas exceeds a predetermined value.
  • Pipeline opening and closing device is provided separately, and a branch path is provided in the middle of the supply path, and a branch path is opened when the pressure of the specific gas exceeds a predetermined value.
  • the specific gas is supplied to the optical system arranged in the optical path of the illumination beam by the gas supply device via the supply path.
  • a branch passage provided in the middle of the supply passage is opened by the pipeline opening / closing device.
  • the present invention relates to an exposure apparatus for transferring a pattern of a mask onto an object to be exposed via a projection optical system, comprising: a projection optical system having an airtight chamber at least in part; and a gas for supplying a specific gas to the airtight chamber.
  • a supply device an exhaust path switch that opens and closes an exhaust path connected to the airtight chamber, a gas filling degree detection system that detects whether a specific gas is filled in the airtight chamber, and an airtight chamber and a gas supply device.
  • a pressure adjustment mechanism that is provided in the middle of the supply path to be connected and that increases and decreases the pressure in the airtight chamber, a pressure setter that sets the gas supply pressure in the supply path, and exhausts gas before the specific gas is supplied by the gas supply device
  • the gas supply pressure is set to the first value via the pressure setting device
  • the gas supply pressure is set to the first value
  • the exhaust gas Close the vessel
  • a first control device for setting the gas supply pressure to a second value lower than the first value via the pressure setter, and a pressure regulating mechanism after the gas supply pressure is set to the second value.
  • a second control device that starts pressure control in the airtight chamber through the second control device.
  • the exhaust path switch is opened by the first control device, and the gas supply pressure in the supply path is set to the first value via the pressure setting device.
  • the supply of the specific gas to the airtight chamber via the supply path is started by the gas supply device.
  • the first control device closes the exhaust passage switch and at the same time through the pressure setting device.
  • the second control device controls the pressure in the airtight chamber via the pressure adjusting mechanism. Start pressure control.
  • the gas supply pressure is set to a sufficiently high first value suitable for the specific gas and the above replacement is quickly performed.
  • the gas supply pressure is set to a second value suitable for the operation of the pressure adjusting mechanism, and, for example, the projection optical system is used. The pressure in the airtight chamber for adjusting the imaging characteristics of the system can be adjusted without any trouble.
  • the present invention is a pressure adjusting method for adjusting the internal pressure of an airtight chamber inside a projection optical system using a pressure adjustment mechanism in order to adjust the imaging characteristics of the projection optical system, and starts pressure control in the airtight chamber.
  • the exhaust gas path connected to the hermetic chamber is closed, and the specific gas for the hermetic chamber is set in a state where the gas supply pressure is set to the first value.
  • Supply is started.
  • the specific gas is filled in the airtight chamber
  • the exhaust path is closed and the gas supply pressure is set to a second value lower than the first value and in which the pressure adjusting mechanism can operate.
  • pressure control in the airtight chamber for adjusting the imaging characteristics of the projection optical system is started.
  • the gas supply pressure is set to a sufficiently high first value suitable for that, and the above replacement is performed.
  • the gas supply pressure is set to the second value at which the pressure adjustment mechanism can operate, and the imaging is performed. Pressure adjustment in the airtight chamber for characteristic adjustment can be performed without hindrance.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of a projection exposure apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a configuration diagram of a second embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention.
  • FIG. 3 is a configuration diagram of a third embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention.
  • FIG. 4 is a configuration diagram of a fourth embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention.
  • FIG. 5 is a configuration diagram of a fifth embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention.
  • FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing a projection optical system of the projection exposure apparatus according to the present invention.
  • FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing another example of the projection optical system of the projection exposure apparatus according to the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing a configuration of an exposure apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a system diagram showing a configuration of a nitrogen gas supply system for the projection optical system of the apparatus of FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • FIG. 1 shows a schematic configuration of a projection exposure apparatus according to the present invention.
  • the main body of the projection exposure apparatus is housed in a chamber (not shown), and is controlled so that the temperature is kept constant.
  • an ArF excimer laser light source 100 that oscillates pulse light having an output wavelength of 193 nm emits a laser beam as a substantially parallel light beam, and passes through a shirt (not shown). Incident on the projection exposure apparatus.
  • the shirt closes the illumination light path, for example, during wafer or reticle replacement, which causes the light source 100 to self-oscillate and stabilize the beam characteristics including at least one of the center wavelength, wavelength width and intensity of the pulsed light ( Adjustment).
  • Laser light from the light source 100 is incident on the illumination optical system 200 housed in the casing CA via a light transmission system (not shown).
  • the laser beam is reflected by the mirror 201 and enters the beam shaping optical lens unit 202.
  • the incident beam is shaped into a laser beam having a predetermined cross-sectional shape by a shaping optical lens unit 202, and a plurality of ND filters having different transmittances (darkening rates) provided on an evening plate (not shown) are provided. After passing through one, it is reflected by a reflection mirror 203 and guided to a fly-eye lens 204 as an optical integrator.
  • the fly-eye lens 204 is formed by bundling a large number of lens elements, and on the exit surface side of this lens element, a large number of light source images (200) corresponding to the number of the lens elements constituting the lens element are arranged. (Second light source) is formed.
  • the light beams from a number of secondary light sources formed by the fly-eye lens 204 pass through a relay lens unit 205, a variable field stop 206 that defines a rectangular aperture, and a relay lens unit 206.
  • a condenser optical lens unit 209 composed of a plurality of refractive optical elements such as lenses.
  • a gas that does not absorb ArF light for example, nitrogen gas (or helium gas) is supplied from the gas supply device 150 through the conduit IN into the casing CA of the illumination optical system 200, and the conduit The nitrogen gas is discharged from OUT through the gas discharge device 160.
  • the pressure in the housing C A is detected by the pressure sensor P S 1.
  • the light transmitted through the reticle R reaches the surface of the wafer W mounted on the wafer stage WS via various optical members (lens elements and / or mirrors) constituting the projection optical system 300.
  • the wafer stage WS relatively moves the wafer W with respect to light generated from the reticle R irradiated with the illumination light and passing through the projection optical system 300.
  • the reticle R and the wafer W are scanned in opposite directions at a speed ratio corresponding to the magnification of the projection optical system.
  • the projection optical system 300 is provided with, for example, two projection lens units 301 and 302 and one optical performance adjusting lens unit 303, and the optical performance adjusting lens unit 303 is The optical performance is adjusted by the lens driving device 304.
  • a lens driving device 304 is known as, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-78445, and it is possible to adjust the magnification by changing the distance between lenses. A new configuration for changing the configuration will be described in a seventh embodiment described later.
  • the lens unit 301 to 303 is surrounded by a lens barrel LB like the illumination optical system 300, and nitrogen gas is supplied to the lens barrel LB from a gas supply device 150 via a pipe IN. Then, nitrogen gas is discharged from the pipe OUT through the gas discharging device 160.
  • the pressure of the space 310 between the lens units 310 and 301 in the lens barrel LB is the pressure of the space 311 between the lens units 301 and 302 by the pressure sensor PS2. Is measured on PS 3 respectively.
  • the atmospheric pressure in the chamber in which the projection exposure apparatus is housed is measured by an atmospheric pressure sensor PS4.
  • the pressure signals measured by the pressure sensors PS2 to PS4 are converted into digital signals by a pressure signal acquisition circuit 401 and input to a control circuit 402 including a CPU or the like.
  • the lens drive circuit 403 supplies a drive signal to the lens drive device 304 based on a command signal from the control circuit 402, whereby the lens unit 303 changes its optical performance as appropriate.
  • the control circuit 402 has a memory, and how to change the optical performance of the projection optical system according to the pressure detected by each of the pressure sensors PS2 to PS4 is stored in the memory in advance.
  • the refractive index of the gas depends on the pressure, and the fluctuation of the optical performance due to the fluctuation of the pressure in the space 310 inside the lens barrel and the fluctuation of the optical performance due to the fluctuation of the atmospheric pressure in the chamber are superimposed.
  • the optical performance of the entire projection optical system 300 fluctuates. Therefore, the optical performance, such as the focus position, projection magnification, and Seidel's five aberrations, due to the combination of the pressure in the space 310 and the atmospheric pressure and the atmospheric pressure are measured by experiments in advance.
  • the driving amount of the lens driving device 304 corresponding to the driving amount of the adjusting lens unit 303 is stored in the memory in association with each pressure. It is also possible to store the rate of change of each optical property due to a pressure change, and calculate the drive amount by sequentially calculating the change amount of the optical property.
  • the inside of the housing CA of the illumination optical system 200 and the inside of the lens barrel LB of the projection optical system 300 are evacuated by the gas exhaust device 160, and the pressure sensors PS1 to PS3 are evacuated.
  • the outlet side on-off valve of the gas exhaust device 160 is closed.
  • nitrogen gas is supplied from the gas supply device 150 into the housing CA and the lens barrel LB.
  • the pressure measurement values of the pressure sensors P S1 to P S3 reach a predetermined value
  • the supply of nitrogen gas from the gas supply device 150 is stopped, and the inlet side on-off valve is closed.
  • the inside of the housing C A and the inside of the lens barrel LB are filled with nitrogen gas and sealed.
  • Illumination optics 2 Contaminants adhering to the surface of the optical element of the projection optical system 300 or the projection optical system 300 or the casing CA and the lens barrel LB are separated and float in the nitrogen gas. Opening the on-off valves on the inlet and outlet sides while performing such irradiation and discharging the nitrogen gas in the casing CA and the lens barrel LB, the contaminants floating in the gas together with the nitrogen gas are removed from the casing CA. And discharged outside the lens barrel LB.
  • the outlet on-off valve is closed, the inside of the housing CA and the lens barrel LB is set to a predetermined pressure, the inlet-side on-off valve is closed, and the housing CA and the lens barrel LB are sealed.
  • the cause of the pressure change may be a pressure change on the supply side, a blockage in the piping, or the like.
  • the exposure area of the wafer W is positioned at the initial exposure position (scanning exposure start position) by the wafer stage WS, and the reticle R is also set to the initial exposure position by the reticle stage (not shown).
  • illumination light having a uniform cross-sectional shape defined by the reticle blind illuminates a predetermined region of the reticle R.
  • the image of the pattern on the reticle R is projected and exposed on the wafer W while the reticle R and the wafer W are relatively moved.
  • the pressure sensors PS 2 and PS 3 measure the pressures in the spaces 310 and 31 1 in the lens barrel
  • the atmospheric pressure sensor PS 4 measures the atmospheric pressure in the chamber and controls the control circuit 40 2 To enter.
  • the control circuit 402 reads out the driving amount of the lens driving device 304 stored in advance in accordance with the combination of the three inputted pressures, and outputs a lens driving command signal corresponding to the driving amount to the lens driving circuit 400. Output to Thus, the lens driving circuit 403 drives the lens driving device 304, and the optical performance adjusting lens unit 304 is adjusted so that the optical performance of the projection optical system becomes a predetermined performance. Therefore, even if each pressure fluctuates due to the exposure energy, the optical performance of the projection optical system does not fluctuate, and the pattern can be exposed with predetermined accuracy.
  • the optical performance of the projection optical system 300 is corrected. Since illumination unevenness may occur due to pressure fluctuations in the housing CA of the scientific system 200, the optical performance of the illumination optical system 200 may be corrected according to the pressure in the housing CA.
  • a lens unit 210 for adjusting the optical performance is provided between the fly-eye lens unit 204 and the reticle blind 206, and according to the pressure of the housing CA, The lens drive unit 211 drives the lens unit 210 for adjusting the optical performance.
  • the illumination unevenness due to the fluctuation of the optical performance of the illumination optical system 200 is obtained by an experiment in accordance with the pressure in the housing CA, and the driving amount of the lens driving device 211 necessary to suppress the illumination unevenness is determined. It is obtained by experiment or by calculation, and this is stored in the memory of the control circuit 402 in association with the pressure.
  • Other configurations are the same as those in FIG. 1, and the description thereof is omitted.
  • the procedure of the exposure processing of the projection exposure apparatus of the second embodiment is similar to that of the first embodiment, and the description is omitted.
  • the case CA Since the lens unit 210 for adjusting the optical performance is driven by the lens driving device 211 in accordance with the pressure, poor exposure of the pattern image due to uneven illumination is suppressed.
  • the optical path between the laser light source 100 and the housing CA of the illumination optical system 200 is exposed to the atmosphere, the atmospheric pressure in the chamber is detected, and a lens is formed according to the atmospheric pressure.
  • the drive unit 211 may drive the optical performance adjusting lens unit 210. As a result, the illumination unevenness due to the atmospheric pressure fluctuation can be suppressed.
  • the optical performance adjusting lens unit is designed so that the optical performance of the projection optical system does not fluctuate even if the pressure in the barrel LB of the projection optical system 300 fluctuates.
  • G3 is driven, and the lens unit 210 for adjusting the optical performance is driven so that the optical performance of the illumination optical system does not fluctuate even if the pressure in the housing CA of the illumination optical system 200 fluctuates. Therefore, even if the pressure in the housing CA and the lens barrel LB fluctuates due to the exposure energy, the optical performance of the projection optical system and the illumination optical system does not fluctuate, and the pattern can be exposed with predetermined accuracy. it can.
  • the third projection exposure apparatus according to the embodiment of, c therefore is to control to a predetermined target value and the pressure in the barrel LB pressure and projecting projection optical system 300 of the casing CA of the illumination optical system 200
  • the pressure control valve V 1 is provided between the casing CA of the illumination optical system 200 and the gas discharge device 160
  • the pressure control valve V is provided between the space 310 in the lens barrel LB of the projection optical system 300 and the gas discharge device 160. 2 and a pressure control valve V3 between the space 311 and the gas discharge device 160, respectively.
  • the lens unit 305 similar to the lens units 301 and 302 is used instead of the optical performance adjusting lens unit 303 and the lens driving device 304 thereof.
  • the control circuit 402 stores in advance the designed pressure target values in the casing CA of the illumination optical system 200 and the designed pressure target values in the spaces 310 and 31 1 in the lens barrel LB of the projection optical system 300. It is remembered.
  • the interior of the housing CA of the illumination optical system 200 and the spaces 310 and 311 in the lens barrel of the projection optical system 300 are filled with nitrogen gas at a predetermined pressure.
  • the inlet-side on-off valve of the gas supply device 150 and each of the pressure control valves V 1 to V 3 are closed.
  • the openings of the pressure control valves V1 to V3 are adjusted so that the pressures detected by the pressure sensors PS1 to PS3 during the exposure processing match the target values stored in the control circuit 402.
  • the optical performance of the illumination optical system 200 and the optical performance of the projection optical system 300 become predetermined design values, and the pattern can be accurately exposed.
  • the nitrogen gas supply passage to the case CA and the lens barrel LB is in communication, if the pressure of the case CA and the pressure control of the lens chambers 310 and 311 affect each other, the nitrogen gas
  • the supply passages are each independent.
  • the projection exposure apparatus sets the pressure in the housing CA of the illumination optical system 200 and the pressure in the lens barrel LB of the projection optical system 300 to a predetermined target value. And measure the atmospheric pressure with the pressure sensor PS4, and respond to the atmospheric pressure.
  • the optical performance of the illumination optical system 200 and the projection optical system 300 is adjusted. Therefore, similarly to the first embodiment, the illumination optical system 200 is provided with a lens unit 210 for adjusting optical performance and its driving device 211, and the projection optical system 300 is provided with optical performance adjustment.
  • a lens unit 303 and a driving device 304 thereof are provided.
  • the exposure accuracy is reduced due to the pressure of the inert gas charged into each of them.
  • the optical performance adjusting lens units 210 and 303 are used to compensate, so that the exposure accuracy can be improved.
  • FIG. 5 a fifth embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention will be described.
  • the projection exposure apparatus has a configuration in which the optical performance adjusting lens unit 303 is drive-controlled to adjust the optical performance of the projection optical system 300.
  • the optical performance of the projection optical system is adjusted by changing the pressure of the nitrogen gas in the space 311 between the lens units 301 and 302.
  • the space 311 The room is to be controlled. That is, a pressure control valve V1 is provided between the space 311 and the gas supply device 150, and a pressure control valve V2 is provided between the space 311 and the gas discharge device 160. Further, the control circuit 402 has an optical performance (combination of the atmospheric pressure and the atmospheric pressure) of the spaces 310 and 311 in the lens barrel LB, which is obtained in advance by experiment or by calculation (simulation). Focus position, projection magnification, etc.) and pressure control data of the space 311 for correcting the fluctuation of the optical performance are stored in correspondence. The pressure control data may be calculated by storing the rate of change of each optical property due to the pressure change, sequentially obtaining the amount of change in the optical properties, and the like.
  • the gas exhaust device 160 When the inside of the housing CA of the illumination optical system 200 and the inside of the lens barrel LB of the projection optical system 300 are evacuated, and when the pressure measurement values of the pressure sensors PS 1 to PS 3 reach a predetermined value, a gas exhaust device is provided. Close the 160-side outlet valve. Thereafter, nitrogen gas is supplied from the gas supply device 150 into the housing CA and the lens barrel LB, respectively, and when the pressure measurement values of the pressure sensors PS1 to PS3 reach the predetermined values, the nitrogen gas is supplied from the gas supply device 150. Stop supplying nitrogen gas and close the inlet on-off valve and close the pressure control valves VI and V2.
  • the inside of the casing CA and the inside of the lens barrel LB are filled with nitrogen gas.
  • the space 311 is an airtight chamber filled with nitrogen gas, and the space CA of the housing CA and the lens barrel LB is not sealed and nitrogen gas is always flowed. Is also good.
  • the exposure processing is started.
  • the pressure of each of the pressure sensors PS2 to PS4 is measured and input to the control circuit 402.
  • the control circuit 402 reads out the pressure control data of the space 311 stored in advance according to the combination of the input measurement values of each pressure sensor.
  • the control circuit 402 controls the pressure of the nitrogen gas by adjusting the opening of the pressure control valves VI and V2 based on the read pressure control data, and controls the pressure in the space 311.
  • the pressure control valve V2 is closed and the pressure control valve VI is opened.
  • the nitrogen gas from the gas supply device 150 flows into the space 311 and the pressure in the space 311 rises.
  • the pressure control valve V 2 should be opened and the pressure control valve V 1 should be closed. Even if a pressure change in the lens barrel LB (a pressure difference between the atmospheric pressure in the lens barrel LB and the atmospheric pressure) occurs due to such pressure control, the optical performance of the projection optical system (for example, projection magnification, etc.) Is adjusted to have a predetermined performance. Therefore, even if the pressure in the lens barrel LB changes, the optical performance of the projection optical system does not change, and the pattern can be exposed with a predetermined accuracy.
  • a pressure control valve is provided between the space 310 and the gas supply device 150, and a pressure control valve is provided between the space 310 and the gas discharge device 160. It may be used for evacuation and creation of a nitrogen gas atmosphere at a predetermined pressure. When a pressure fluctuation occurs in the space 310, which is an airtight chamber, the optical performance of the projection optical system is adjusted by controlling the pressure in the space 311.
  • the space that should be the controlled room for pressure control is used for simulations and experiments. A more optimal location is selected. For example, the atmospheric pressure at the lens interval of the optical system designed according to the wavelength used for the exposure light is changed, and the change in the relative refractive index at the lens interval at that time is obtained. It is preferable that the interval at which the change is the smallest is set as the control target room. Further, a plurality of spaces to be controlled rooms may be provided.
  • a pressure control target room may be provided in the illumination optical system 200 to correct the optical performance of the illumination optical system 200.
  • a space formed by the lens 205 and a lens (not shown) between the fly-eye lens unit 204 and the reticle blind 206 may be set as the pressure control target chamber. Then, the illumination unevenness due to the fluctuation of the optical performance of the illumination optical system 200 is experimentally determined according to the pressure in the housing CA, and pressure control data necessary to suppress the illumination unevenness is calculated. May be stored in the control circuit 402 corresponding to the pressure.
  • the optical performance adjustment lens unit 303 is provided separately.
  • the provided lens unit may compensate for fluctuations in the optical performance of the projection optical system due to fluctuations in atmospheric pressure.
  • a change in the optical performance of the illumination optical system due to a change in atmospheric pressure may be compensated for by a lens unit provided separately from the lens unit 210 for adjusting the optical performance.
  • a projection optical system 300 including the optical performance adjusting lens unit 303 described in the first, second, and fourth embodiments will be described. This is like moving another lens 303 with respect to lens 301.
  • the packing or a gasket made of a rubber-based material or the like is interposed between the holding member for holding one lens and the holding member for holding the other lens, thereby absorbing a change in the relative distance between the two.
  • the packing gasket made of an elastic material such as a rubber-based material has a certain thickness or more, when it is tightened with two holding members, it is orthogonal to the thickness direction as well as the thickness direction. It may also be deformed in the direction in which it does. Then, the positional relationship between the two lenses is shifted from the originally intended positional relationship in a direction orthogonal to the optical axis, and as a result, the adjustment by the adjusting unit may not be performed with high accuracy.
  • the volume of the space between these two lenses fluctuates and the air pressure in this space changes. Fluctuates. For example, moving the two lenses closer together will increase the air pressure in the space, while moving the two lenses farther away will lower the air pressure in the space. Due to such pressure fluctuations, the refractive index of the atmosphere changes, and the image formation position may fluctuate or image distortion may occur.
  • the projection accuracy in the projection exposure apparatus is reduced, and as a result, it is difficult to realize high-precision overlay of the panel. Has become.
  • the projection optical system 300 includes a plurality of lenses, that is, an optical element 21, a holding member 22 that holds each lens 21, and a cylinder that holds these holding members 22. Lens barrel 23.
  • the projection optical system 300 condenses the exposure light transmitted through the reticle R (see FIG. 1) on the wafer W (see FIG. 1) via a plurality of lenses 21.
  • An opening 24 communicating with both sides of the holding member 22 is formed at the center of each holding member 22.
  • the opening 24 has a small-diameter portion 24 a having a smaller diameter on one surface side (lower surface side) of the holding member 22 than the lens 21, and a larger diameter portion on the other surface side (upper surface side) than the lens 21.
  • the large diameter portion is 24b.
  • Lens 2 in the middle between small diameter section 24a and large diameter section 24b A step 24 c having substantially the same diameter as 1 is formed.
  • Each holding member 22 holds the lens 21 by fitting the outer periphery of the lens 21 into the step 24 c of the opening 24.
  • the holding member 22 communicates between one surface of the holding member 22 and the other surface on which the large diameter portion 24 b is formed on the outer peripheral side of the small diameter portion 24 a of the opening 24.
  • a plurality of communication holes 25 are formed.
  • the lens barrel 23 is composed of three members, for example, a lower lens barrel 23A, an upper lens barrel 23B, and an upper lid 23C.
  • the inner peripheral surface 26 of each of the lower lens barrel 23 A and the upper lens barrel 23 B has an inner diameter substantially the same as the outer diameter of the holding member 22.
  • Openings 27 having a diameter smaller than the outer diameter of the holding member 22 are formed at the lower ends of the lower lens barrel 23 A and the upper lens barrel 23 B. With this opening 27, a holding portion 28 for holding the stored holding member 22 is formed at the lower end of the lower lens barrel 23A and the upper lens barrel 23B.
  • an adjusting part 30 for adjusting the relative positions thereof.
  • the adjusting portion 30 is a biasing member interposed between the flange 31 formed at the upper end of the lower lens barrel 23A and the flange 32 formed at the lower end of the upper lens barrel 23B. It includes a member 34 and a plurality of adjusting screws 33 for changing the distance between the lower lens barrel 23A and the upper lens barrel 23B.
  • the adjusting screw 33 is rotatably supported by the flange 32, and a screw portion formed at the tip thereof is screwed to the flange 31.
  • the biasing member 34 includes, for example, a coil panel of approximately the same diameter as the lens barrel 23 interposed in a compressed state between the flange 31 and the flange 32, whereby the lower lens barrel 23 A And the upper lens barrel 23B are urged away from each other.
  • three adjusting screws 33 are provided at equal angular intervals in the circumferential direction of the flange.
  • the relative position between the flange 31 and the flange 32 that is, the relative position between the lower lens barrel 23A and the upper lens barrel 23B is displaced. I do.
  • tightening the adjustment screw 33 moves the lower lens barrel 23 A and the upper lens barrel 23 B relatively to each other in the approaching direction, and loosening the screw reversely adjusts the lower lens barrel 23 A and the upper lens barrel 23 A. Relative movement in the direction in which 23 B separates. Thereby, the positional relationship between the uppermost lens 21D of the lower lens barrel 23A and the lowermost lens 21C of the upper lens barrel 23B is adjusted.
  • a plurality of lenses 21 constituting the projection optical system 300 are provided with lenses 21 A, 21 B, 21 C... From the top to the bottom. ing.
  • the adjusting portion 30 between the lower lens barrel 23 A and the upper lens barrel 23 B is provided with a seal part 35.
  • the seal portion 35 is provided on the lower ring 36 provided on the upper surface of the holding member 22 accommodated in the uppermost portion of the lower lens barrel 23A and the opening 27 on the lower end of the upper lens barrel 23B. It is composed of an attached upper ring, that is, a convex portion 37, and a sealing material, that is, a filler 38, interposed between the lower ring 36 and the upper ring 37.
  • the lower ring 36 has a substantially U-shaped cross section, and a groove, that is, a concave portion 39 is formed on the upper surface thereof.
  • the groove 39 has substantially the same diameter as the upper ring 37, and its width is set to be larger by a predetermined dimension than the thickness of the upper ring 37.
  • the seal material 38 is made of a viscous material, such as a fluorine-based grease or a fluororesin gel-like material, and is made of an inert grease having an inactive property to a photochemical reaction.
  • the sealing material 38 is filled in the groove 39 of the lower ring 36. By inserting the lower end of the upper ring 37 into the sealing material 38, the sealing material 38 is interposed between the inner surface of the groove 39 and the outer surface of the upper ring 37, and the lens The communication between the inside and outside of the room (space) is cut off, and the adjusting section 30 exhibits the sealing performance.
  • An adjusting section 40 having the same structure as the adjusting section 30 is also provided between the upper end of the upper lens barrel 23B and the upper lid 23C disposed above the upper section.
  • the adjusting portion 40 includes a plurality of adjusting screws 33 provided between the flange 41 formed on the upper end of the upper lens barrel 23B and the outer peripheral portion of the upper lid 23C, and a plurality of biasing members. It consists of 3 and 4. By turning the adjustment screw 33, the relative position between the upper lens barrel 23B and the upper lid 23C is displaced, and the upper lens barrel 23B and the upper lid 23C are mutually moved by the urging member 34. It is urged away.
  • the adjustment unit 40 By displacing the relative position of the upper lens barrel 23 B and the upper lid 23 C by the adjustment unit 40, the upper lens 23 B of the upper lens barrel 23 B and the uppermost lens 21 B are attached to the upper lid 23 C. The positional relationship with the set lens 21A is adjusted.
  • the upper lid 23C has an opening 42 having a step portion 42a for holding the lens 21A at a central portion thereof, and a communication hole 43 formed on an outer peripheral side thereof.
  • the upper lid 23C is a member equivalent to the holding member 22.
  • the adjusting section 40 includes a seal section 45 similar to the seal section 35.
  • the lower part 45 is provided with a lower ring 36 provided on the upper surface of the holding member 22 housed in the uppermost part of the upper lens barrel 23 B, and a substantially L-shaped section attached to the lower surface of the upper lid 23 C.
  • An upper ring that is, a convex portion 47, and a seal member 38 interposed between the lower ring 36 and the upper ring 47.
  • the communication holes 25 are formed in the plurality of holding members 22 housed in the lens barrel 23, for example, two lenses 2
  • the space S1 between 1A and 21B and the space S3 between the lenses 21C and 21D communicate with each other.
  • one of the communication holes 43 formed in the upper lid 23C of the lens barrel 23 is inactive against photochemical reactions such as nitrogen gas and helium gas.
  • a gas supply device (not shown) is connected via a supply pipe 50 for supplying a suitable gas, and a sealing plug 51 for closing the other communication hole 43 is mounted.
  • a gas discharge device (not shown) is connected to one communication hole 25 via a discharge pipe 52.
  • the other communication hole 25 is provided with a sealing plug 51.
  • An inert gas is fed into the lens barrel 23 from a supply pipe 50, and the inert gas is supplied to each space S through the communication hole 25 of each holding member 22, and is discharged from the discharge pipe 52. Is done.
  • the optical path atmosphere of the exposure light in the lens barrel 23 is replaced with the inert gas, and the inert gas is circulated.
  • the sealing material 38 interposed between them is inert grease, It is not elastically deformed like a packing or a gasket, and remains while being interposed between the side surfaces of the groove 39 of the lower ring 36 and the side surfaces of the upper rings 37, 47. Therefore, the sealing performance between the lower ring 36 and the upper ring 37 or 47, that is, the adjusting portions 30 and 40 is maintained.
  • a projection exposure apparatus having such a projection optical system 300, as shown in FIG. 1, exposure light emitted from a light source 100 is transmitted to a reticle R via a light transmission system and an illumination optical system 200. Then, the image of the circuit pattern formed on the reticle R is projected and exposed on a predetermined exposure area of the wafer W via the projection optical system 300. After the projection exposure of the pattern image onto the exposure area is completed, the wafer W is moved to a predetermined position and positioned by the stage device WS, and the pattern image is projected and exposed on the next exposure area. . In this way, the projection and exposure of the pattern image onto the entire wafer W is performed by the so-called step-and-repeat method, in which the movement and positioning of the wafer W and the projection and exposure of the pattern image are sequentially repeated. Will be
  • the inside of the shower body CA of the illumination optical system 200 and the inside of the lens barrel 23 of the projection optical system 300 are replaced with an inert gas.
  • the exposure light passes through the inert gas atmosphere from the light source 100 to the wafer W. Accordingly, it is possible to prevent the generation of ozone generated by the photochemical reaction of the exposure light with the air.
  • the environment and the light use efficiency (transmittance) of the exposure light can be exhibited stably.
  • this projection optical system 300 not only can the atmosphere in the optical path of the exposure light be replaced with an inert gas, but also the inert gas can be recovered and circulated from the lens barrel 23, and the inert gas can be removed. It can be used efficiently without waste. Further, for example, when an ArF excimer laser is used as the exposure light, an adhesive or filler for fixing the lens 21 to the holding member 22 even if the inside of the lens barrel 23 is replaced with an inert gas, Alternatively, foreign matter generated from the inner wall of the lens barrel 23, for example, water, hydroxycarbon, or any other substance that diffuses exposure light, adheres to the lens 21 or floats in the optical path, thereby causing projection optics. A problem arises that the transmittance of the system 300 fluctuates. However, as mentioned above, By recovering the inert gas from the lens barrel 23, it is possible to minimize the fluctuation of the transmittance of the projection optical system 300.
  • the sealing material 38 is viscous. Since it is a material, the sealing material 38 stays interposed between the side surfaces of the groove 39 of the lower ring 36 and the side surfaces of the upper rings 37, 47, and the lens chambers S l, S 2 ... can be sealed. Moreover, even if the lower ring 36 and the upper rings 37, 47 are displaced relative to each other in the optical axis direction, the seal ring 38 can easily follow and deform, and the lower ring 36 and the upper ring 37 can be easily deformed.
  • the positional relationship between the lenses 21A and 21B or the positional relationship between 21C and 21D of the adjusting sections 30 and 40 and the positional relationship between 21C and 21D of the adjusting sections 30 and 40 should be adjusted with high accuracy. Becomes possible. As a result, the accuracy of image formation in the projection exposure apparatus is reduced, that is, the focal position, magnification, and Seidel's five aberrations of the projection optical system 300 are not reduced, and the telecentricity and image contrast are not reduced. It is possible to realize the superposition of the patterns with high accuracy in.
  • the space S 3 communicates with the space S 4 and the space S 1 communicates with the space S 2 respectively.
  • the spaces S1 to S4 are all kept at the same pressure. Also with this, it is possible to prevent the projection accuracy of the projection exposure apparatus 11 from being lowered by the adjustment by the adjustment units 30 and 40, and to realize the pattern superposition with high accuracy.
  • the lens 21 C and 21 E It is also possible to configure so that only the lens 21D moves relative to the lenses 21C and 21E without changing the interval. Similarly, instead of the adjusting unit 40, only the lens 21B is moved relative to the lenses 21A and 21C without changing the distance between the lenses 21A and 21C. You may comprise.
  • the adjusting portions 30 and 40 are provided with the seal portions 35 and 45.
  • the seal part 55 provided in the adjustment part 30 includes a flange 31 at the upper end of the lower lens barrel 23A and a flange 31 at the lower end of the upper lens barrel 23B. And a cylindrical member 56 made of, for example, rubber and provided on the outer peripheral surface side.
  • the sealing portion 57 provided in the adjusting portion 40 is also provided on the outer peripheral surface side of the flange 41 at the upper end of the upper lens barrel portion 23B and the upper lid 23C, for example, a rubber material.
  • the cylindrical member 58 is formed. In such a seal structure, the tubular members 56 and 58 expand and contract in the optical axis direction when adjusting the distance between the optical elements.
  • the seal portions 35, 45, 55, and 57 may be omitted.
  • the inside of the chamber becomes a gas chamber, and the gas chamber and the inside of the lens barrel 23 are communicated via the communication hole 43 of the upper lid 23C.
  • the space S 3 communicates with the space S 4 located on the opposite side of the lens 21 D via the communication hole 25, and the space S 1 is on the opposite side of the lens 21 B.
  • the space S2 located at the position through the communication hole 25.
  • pressure fluctuation in the lens chamber when changing the lens interval may be prevented as follows. That is, the space S3 may be connected to the space S other than the space S4, and the space S1 may be connected to the space S other than the space S2 by a communication pipe instead of the communication hole.
  • the space S3 or S1 may be communicated with a container, which is provided separately from the projection optical system 300 and is filled with an inert gas. In this case, spaces S 1 and S 2 or spaces S 3 and S 4 are communicated with the container.
  • the supply tube 50 is provided in the lens barrel 23 of the projection optical system 300, and the inert gas is supplied from the supply tube 50.
  • the reticle R is also an inert gas.
  • the lens barrel 23 can be integrally connected to the case.
  • the supply pipe 50 may be omitted, and the inert gas may be supplied from the reticle cylinder to the lens barrel 23 by connecting to the lens barrel 23 via the reticle housing and the communication hole 43.
  • the present invention is configured to be applied to the projection optical system 300, but may be applied to other parts such as the illumination optical system 200 and the light transmission system. That is, as long as two optical elements such as a lens and a mirror move relatively, the present invention can be applied in the same manner as described above. For example, by moving the fly-eye lens 204 as an optical integrator shown in FIG. 1 in the direction of the optical axis of the illumination optical system, the optical intergret 204 and the optical lens in-between are arranged.
  • the present invention is also effective for an illumination optical system that adjusts the illuminance distribution of exposure light on a reticle R by changing the distance between each of the two optical elements.
  • the lens 21C when the lens 21C is moved by the adjustment unit 30, the lenses 21A and 21B stacked on the lens 21C also move. become.
  • the mechanism for driving the lens 21 is not limited to this configuration.
  • the holding members for the lenses 21A and 21B are not stacked on the holding member for the lens 21C, and the adjusting unit 3 Even if the holding member of the lens 21C is driven by 0, the lenses 21A and 21B may not move.
  • the lens (or its holding member) may be supported and moved by three piezoelectric elements (such as piezo elements) provided at equal angular intervals in the circumferential direction of the flange. Good.
  • the number of lenses 21 configured to be movable is increased, and the focal position, magnification, distortion, astigmatism, field curvature, coma, and spherical surface of the projection optical system 300 are increased. At least three aberrations may be adjusted.
  • the projection optical system 300 is provided with a tiltable parallel plane plate disposed on the wafer W side in order to correct eccentric coma aberration. Can be applied. (Seventh embodiment)
  • FIG. 8 schematically shows a configuration of an exposure apparatus 410 according to the present embodiment.
  • the exposure apparatus 410 transfers a pattern formed on a reticle R as a mask to a shot area on a wafer W as an object to be exposed through a projection optical system PL by a step-and-scan method. It is a scanning type projection exposure apparatus (so-called scanning stepper).
  • the exposure apparatus 410 includes an illumination system 4122 that includes a light source and irradiates the reticle R with exposure light EL as an illumination beam, a reticle stage RST on which the reticle R is mounted, and a pattern formed on the reticle R.
  • a wafer stage WST on which the wafer W is mounted and a control system for these.
  • the illumination system 412 opens and closes a light source, that is, an ArF excimer laser, and an optical path of light.
  • It includes an optical system including a fly-eye lens, an illumination system aperture stop (revolver), and a blind that limits the illumination field of the illumination light.
  • an optical system including a fly-eye lens, an illumination system aperture stop (revolver), and a blind that limits the illumination field of the illumination light.
  • the illumination optical system exposure light is made uniform and speckle is reduced.
  • the exposure light from the illumination system 4 12, that is, the illumination beam EL irradiates the reticle R mounted on the reticle stage RST described below under uniform and predetermined illumination conditions. .
  • a reticle R on which a predetermined pattern PA is formed is mounted on reticle stage RST, and reticle R is held by a reticle holder (not shown).
  • the reticle stage RST is driven by a predetermined stroke in a predetermined scanning direction (here, in the Y direction) by a reticle stage drive system 414 comprising a linear camera and the like, and is capable of fine movement in an XY plane. ing.
  • the position of the reticle stage RS in the XY plane is constantly detected by the reticle laser interferometer 416 at a predetermined resolution, for example, a resolution of about 0.5 to 1 nm, and the measured value controls the entire apparatus as a whole. It is supplied to the main control section 4 22.
  • unsealed spaces 426, 428 including a plurality of lens elements and an airtight chamber 440 provided between the lens elements are provided.
  • the airtight chamber 440 is for adjusting the gas pressure inside the chamber to adjust the imaging characteristics such as the projection magnification (or symmetric distortion).
  • the space portions 426, 428 and the airtight chamber 440 are filled with a nitrogen gas (N 2 ) as described later, so that the exposure light ( Even when irradiated with ArF laser light, ozone is not generated in the projection optical system PL.
  • the wafer stage WST is arranged below the projection optical system PL and can move two-dimensionally in a horizontal plane (XY plane).
  • the XY stage 466 is mounted on the XY stage 466, and the optical axis direction (Z A Z stage 4 7 6 that can be finely moved in the axial direction).
  • a substrate, that is, a wafer W is suction-held on the Z stage 476 via a wafer holder (not shown), and the Z stage 476 is minutely driven in the optical axis direction by a drive system.
  • the XY stage 466 is driven in the XY two-dimensional direction by a plane motor or the like. That is, the wafer W is driven in a three-dimensional direction by a drive system of the Z stage 476 and a plane motor that drives the XY stage. In FIG. Shown as 7 4.
  • the position of the XY stage 466 is determined by an external wafer laser interferometer 472 via a movable mirror 471 fixed on the XY stage 466 or the Z stage 476, with a predetermined resolution. For example, it is always detected with a resolution of about 0.5 to 1 nm.
  • the measurement value of the wafer laser interferometer 472 is supplied to the main controller 422.
  • a reference mark plate FM on which a so-called base line measurement reference mark and other reference marks are formed is fixed on the Z stage 476, and the surface of the reference mark plate FM is almost flush with the wafer W surface. It is said.
  • the alignment mask on the wafer W is provided beside the projection optical system PL.
  • an Opaxis Alignment Microscope ALG that detects the reference mark, ie, the alignment mark or reference mark on the reference mark plate FM.
  • the alignment microscope ALG an image-forming imaging alignment sensor is used.
  • the measured value of the alignment microscope ALG is also supplied to the main control unit 422.
  • the exposure apparatus 410 detects the position of the surface of the wafer W in the optical axis direction (Z-axis direction) in order to align the exposure surface of the wafer W with the focal position of the projection optical system PL.
  • a so-called oblique incident light type focus detection mechanism (not shown) is provided.
  • FIG. 9 schematically shows the configuration of a gas supply system for supplying nitrogen gas (N 2 ) into projection optical system PL.
  • This gas supply system is composed of a solenoid valve 418, a manual valve 420, a first regulator 424, and a flow rate, which are sequentially connected via a piping system to a nitrogen gas tank (not shown), which is a nitrogen gas supply source. It is equipped with a gas supply device 438 consisting of a total of 4300, a filter unit 432, a nozzle tank 4334, and a distributor 436.
  • the solenoid valve 418 and the manual valve 420 are valves for permitting / cutting off the flow of gas from a nitrogen gas tank (not shown) into the gas supply device 438.
  • the first regulator 4 2 4 is used to set the supply pressure of nitrogen gas supplied from the gas supply device 438 to first to third supply pipes described later.
  • a pressure sensor for detecting the internal pressure (gas pressure) in the piping system in the vicinity of the first regulator 424 is provided near the first regulator 424. There is a pressure turret to display the detected value.
  • the filter unit 432 includes an air filter such as a ULPA filter (ultra low penetration air-filter) or a HEPA filter (high efficiency particulate air-filter), and a chemical filter.
  • an air filter such as a ULPA filter (ultra low penetration air-filter) or a HEPA filter (high efficiency particulate air-filter)
  • a chemical filter is used. The reason why the chemical filter is used is mainly to remove impurities that are a source of fogging substances that fog the lens elements and the like that constitute the projection optical system PL.
  • the buffer tank 4 3 4 uses the temperature of the nitrogen gas sent into the projection optical system PL. This is to temporarily store nitrogen gas in order to adjust the temperature to approximately the same as the temperature of the air inside the projection optical system PL before gas replacement. Therefore, the buffer tank 434 is provided with a temperature controller 435. The target temperature for this temperature adjustment is set to be substantially the same as the temperature in the chamber in which the exposure apparatus 410 is housed, that is, the temperature in the clean room in which the chamber is installed.
  • the distributor 436 transfers the temperature-adjusted nitrogen gas to the three spaces in the projection optical system PL, that is, the central hermetic chamber 4400, the upper and lower unsealed spaces 426, 428. This is for distributing, and three flow regulating valves 437A, 437B, 437C are provided on the discharge side of the distributor 436.
  • One end of the first supply pipe 458, the second supply pipe 460, and one end of the third supply pipe 462 as supply paths are connected to the flow control valves 437A, 437B and 437C, respectively. Is connected.
  • the other end of the first supply pipe 458 is connected to the space 426 above the projection optical system PL.
  • An exhaust pipe 464 is connected to the opposite side of the space 4246 from the first supply pipe 458. More specifically, as shown in FIG. 8, openings 426a and 426b are formed in the space 426 at different heights. This is because the air is efficiently discharged to the outside according to the specific gravity of the gas supplied into the space portion 426 so that the air does not stay above the space portion.
  • the gas to be supplied is nitrogen gas, so that the specific gravity is almost the same as that of air. Therefore, it is not always necessary to do so.
  • helium gas (H e) or the like This is particularly effective when supplying a service.
  • the first supply pipe 458 is connected to one of the openings 4 26 a of the space section 4 26, and the other opening 4 26 b forms a part of the exhaust path and is connected to the exhaust main pipe.
  • An exhaust pipe 4 6 4 communicating with 70 is connected.
  • a pressure detection system that is, a differential pressure sensor 468 is provided near the opening 426a of the first supply pipe 458. .
  • the differential pressure sensor 468 detects the atmospheric pressure, that is, the pressure difference between the pressure in the chamber and the pressure in the first supply pipe 458 (which is almost the same as the pressure in the space 426). The pressure in the space 426 is detected based on the atmospheric pressure.
  • a branch line communicating with the exhaust main pipe 470 that is, a first branch pipe 478 is provided at a position slightly upstream of the portion where the differential pressure sensor 4688 of the first supply pipe 458 is provided.
  • the first branch pipe 478 is provided with a solenoid valve 480 as a switch.
  • a first oxygen sensor 482 is provided in the vicinity of the opening 426 b of the exhaust pipe 466 as shown in FIG.
  • openings 428 a and 428 b are formed at different heights in the space 428 below the projection optical system PL, as shown in FIG.
  • the other end of the third supply pipe 462 described above is connected to the opening 428a.
  • the vicinity of the opening 428a of the third supply pipe 462 is close to the atmospheric pressure, that is, the pressure in the chamber and the pressure in the third supply pipe 462 (the space 4 A pressure detection system, that is, a differential pressure sensor 484 that detects the pressure in the space 428 on the basis of the atmospheric pressure by detecting the pressure difference between the pressure in the space 428 and the pressure in the space 284 is provided. .
  • a branch path communicating with the exhaust main pipe 470, that is, the third branch pipe 468 The third branch pipe 4886 is provided with a solenoid valve 4888 as a switch.
  • An exhaust pipe 490 which forms a part of an exhaust path and communicates with an exhaust main pipe 470 is connected to the other opening 428b of the space 428.
  • a third oxygen sensor 492 is provided in the vicinity of the opening 4 028b of the zero.
  • the other end of the second supply pipe 460 is connected to an airtight chamber 440 of the projection optical system PL via a pressure adjusting mechanism 494.
  • a pressure setting device that is, a second regulator 496 is provided in a portion of the second supply pipe 460 upstream of the pressure adjusting mechanism 494.
  • the pressure adjusting mechanism 498 includes an electromagnetic valve 498 provided on the downstream side of the second regulator 496, a pressure regulator LC provided on the downstream side of the electromagnetic valve 498, and an electromagnetic valve. It has a branch branched at a position between the valve 498 and the pressure regulator LC, that is, a switch provided on the second branch pipe 499, that is, a solenoid valve 497.
  • the pressure regulator LC is connected to the other end of a pipe 4 4 2 (one end of which is connected to the airtight chamber 44) (this pipe 44 2 forms a part of the supply path).
  • An electromagnetic valve 452 provided on a branch pipe 443 branched upstream of the solenoid valve 448 of the pipe 442 is provided. Nitrogen gas in the second supply pipe 60 is supplied through the solenoid valve 452.
  • an exhaust pipe 444 communicating with the exhaust main pipe 470 and forming a part of the exhaust path is connected to the exhaust side of the airtight chamber 440.
  • An exhaust path switch that is, a solenoid valve 450 is provided on the exhaust pipe 44, and a second oxygen sensor 45 54 is provided on the airtight chamber 44 side of the solenoid valve 450.
  • a solenoid valve with a check valve 495 is located downstream of the position where the first, second and third branch pipes 478, 499 and 486 of the exhaust main pipe 470 are connected. Is provided.
  • the measurement values of various sensors are supplied to the main control section 422 of FIG. 8 which is composed of a workstation (or a microcomputer).
  • the main control unit 422 controls each of the solenoid valves, the bellows pump, and the like constituting the gas supply system based on these measured values as described later.
  • the manual valve 420 is manually pre-opened.
  • the main control section 4 2 2 opens the solenoid valve 4 18.
  • Set pressure of the first Regiyure Isseki 4 2 4 in advance, for example, 3 is set in kg / cm 2, supplying 3 kg / cm 2 in nitrogen gas to Roh 'Uz off Atanku 4 3 4 nitrogen gas tank (not shown) I do.
  • the flow control valves 437A to 437C are closed, and after a predetermined time has elapsed, the distributor 436 is filled with nitrogen gas whose temperature has been adjusted to a predetermined temperature.
  • the main control section 422 opens the supply side solenoid valve 498, the solenoid valve 448, 452 in the pressure regulator LC, and the exhaust side solenoid valve 450. At the same time, the main controller 422 opens the flow control valves 437A to 437C.
  • the second leg is set to 2.5 kg / cm2 beforehand, for example, and the gas supply pressure at the supply pipe 460 is the first value of 2.5 kg / cm2. Adjusted to 2 .
  • the main control unit 4 2 2 measures the values measured by the first to third oxygen sensors 4 8 2, 4 5 4, 4 9 2, that is, the exhaust pipes 4 6 4, 4 4 4, 4 9. Monitor the oxygen gas concentration in 0.
  • the main control unit 422 also monitors the measured values of the differential pressure sensors 468, 456, 484. While the air inside the space section 426, the airtight chamber 440, and the space section 428 is being replaced with nitrogen gas, the main control section 422 holds the first to third oxygen sensors 482. , 454, 492 wait for the detected oxygen concentration to fall below a predetermined threshold value, for example, 1%.
  • the main control unit 422 ends the replacement of the nitrogen gas in the space 426, and the nitrogen gas in the space 426. Is determined to be filled, and the fact is displayed on a display device (not shown).
  • the main control unit 422 opens the solenoid valve 480 that opens and closes the first branch pipe 478 until the detection value of the differential pressure sensor 468 becomes less than a predetermined value.
  • the main control unit 422 ends the replacement of the nitrogen gas in the space 428, and It is determined that nitrogen gas has been filled, and the fact is displayed on a display device (not shown).
  • the detection value of the differential pressure sensor 484 becomes equal to or higher than the predetermined value during the replacement of the nitrogen gas (the difference between the gas pressure in the third supply pipe 462 and the atmospheric pressure becomes the predetermined value).
  • the main controller 4222 opens the solenoid valve 488 that opens and closes the third branch pipe 486 until the differential pressure sensor 484 detects less than the predetermined value.
  • both the flow control valves 437A and 437C remain open, and nitrogen gas is always supplied into the spaces 426 and 428. that c
  • the main control unit 4 2 2 always monitors the detection value of the differential pressure sensor 4 6 8 4 8 4 It is desirable to control the opening and closing of the solenoid valves 480 and 488 as appropriate so that abnormally high pressure does not act on the lens elements in the spaces 426 and 428.
  • the main control unit 422 ends the replacement of the nitrogen gas in the airtight chamber 440, and the nitrogen in the airtight chamber 440. It is determined that the gas is filled, and the fact is displayed on a display device (not shown). At the same time, the main control section 422 closes the exhaust side solenoid valve 450 and the supply side solenoid valve 498. Second Regiyure Isseki 4 9 6 settings as described above 2. 5. However a kg / cm 2, pressure regulator LC is a second value, for example 1. Capable of operating at 0 kg / cm 2 or less It has been.
  • the solenoid valve 497 for opening and closing the second branch pipe 499 is opened to adjust the pressure of the airtight chamber 440 and the pressure regulator LC. That is, the main control unit 4 222 monitors the measured value of the differential pressure sensor 4 56 and sets the solenoid valve 4 97 until the gas pressure in the pipe 4 42 reaches the second value. When the excess pressure is released and the gas pressure in the pipe 442 reaches the second value, the solenoid valve 497 is closed and the solenoid valve 452 in the pressure regulator LC is closed at the same time. As a result, the airtight chamber 422 and the pressure regulator LC are filled with nitrogen gas of 1.0 kg / cm 2 or less.
  • the pressure in the hermetic chamber can be adjusted by the pressure regulator LC under a supply pressure of 1 kg / cm 2 or less.
  • the main control unit 422 opens and closes the electromagnetic circuit for opening and closing the second branch pipe 499. Open the valve 497 to prevent abnormally high pressure in the airtight chamber 440.
  • a reticle R is transported by a reticle transport system (not shown), and is held by suction at a reticle stage RST at a mouthing position.
  • the positions of the wafer stage WST and the reticle stage RST are controlled by the main control unit 422, and a reticle alignment mark (not shown) drawn on the reticle R and a reference mark plate for the reticle alignment on the FM.
  • the displacement from the mark is measured using a reticle microscope (not shown). That is, reticle alignment is performed.
  • the main control unit 422 moves the wafer stage WST so that the reference mark for the baseline measurement on the reference mark plate FM is located immediately below the alignment microscope ALG, and the detection signal of the alignment microscope ALG is moved.
  • EGA Enhanced Global Alignment
  • error parameters Rotation, XY scaling, XY
  • the main control unit 422 scans the wafer stage WST for the first shot while monitoring the position information from the laser interferometer 472 according to the position information of each shot area on the wafer W obtained above.
  • reticle stage RST is positioned at the scanning start position, and scanning exposure for the first shot is performed.
  • the main controller 422 drives the reticle stage RST and the wafer stage WST in opposite directions, and adjusts the speed ratio of both to exactly match the projection magnification of the projection optical system PL. Exposure (transfer of the reticle pattern) is performed in a synchronized state at a constant speed while maintaining the speed ratio of both stages by controlling the speed of both stages.
  • the main control unit 422 performs a stepping operation between shots for moving the wafer stage WST to the scanning start position of the second shot. Then, the scanning exposure of the second shot is performed in the same manner as described above. Thereafter, the same operation is performed in the third and subsequent shots.
  • the stepping operation between shots and the scanning exposure operation of the shots are repeated, and the pattern of the reticle R is transferred to all the shot areas on the wafer W by the step-and-scan method.
  • the above-described exposure processing operation is repeatedly performed while sequentially exchanging the wafers W.
  • the fluctuation of the atmospheric pressure in the chamber and the projection optical Irradiation of the exposure light EL to the system PL changes the magnification of the projection optical system PL. Therefore, in the present embodiment, the main control unit 422 measures these fluctuations periodically, for example, for each predetermined port, or obtains them by calculation, and cancels them, that is, the projection magnification.
  • the pressure in the hermetic chamber 440 is controlled via the pressure regulating mechanism 494, mainly the pressure regulator LC, so that the pressure is always controlled to a constant value (for example, 1/4 or 1/5).
  • the pressure control in the hermetic chamber 440 is performed as follows.
  • the main control unit 422 closes the solenoid valve 452 and drives the bellows pump 446 to expand and contract while the solenoid valve 448 is opened, thereby adjusting the pressure within the stroke range of the bellows pump 446.
  • the main control unit 422 closes the solenoid valve 448 and opens the solenoid valve 452, and the second value from the solenoid valve 498 side (1. OkgZcm 2 or less) or more (even if when the control pressure in the airtight chamber 440 by stroke Ichiku control of the bellows pump 446 is controlled to a value exceeding the 1. 0 kg / cm 2 is in excess of 1. 0 kg / cm 2
  • the solenoid valve 452 is closed and the solenoid valve 448 is opened to compress and drive the bellows pump 446. Such an operation is repeated.
  • the above-described adjustment of the gas supply to the pressure regulator LC is performed by appropriately controlling the opening and closing of the solenoid valves 498 and 497.
  • the control pressure in the hermetic chamber 440 is controlled to a value exceeding 1.0 kg / cm 2 by the stroke control of the bellows pump 446.
  • a pressure sensor (not shown) for detecting the line pressure between the second regulator 496 and the solenoid valve 448 is provided, the solenoid valve 448 is closed, the solenoid valve 498 is opened, and the pressure is adjusted as follows. Perform the clause.
  • the solenoid valve 497 is controlled to open and close while monitoring the pressure of the pipeline 443 with a pressure sensor (not shown).
  • the solenoid valves 497 and 498 are controlled. Close. As a result, the pressure regulator LC is filled with a predetermined gas pressure exceeding 1. Okg / cm 2 . Therefore, after that, if the solenoid valve 448 is opened and the bellows pump 446 is driven, the airtight chamber 44 0 can be controlled to a desired pressure.
  • the differential pressure sensor 468, the solenoid valve 480, and the main control unit 4222 cause When a line opening / closing device that configures the branch pipe 4 7 8 is configured, and the pressure of the nitrogen gas exceeds a predetermined value by the differential pressure sensor 4 56, the solenoid valve 4 97, and the main control unit 4 22 A line opening / closing device for opening the second branch pipe 499 is configured at the same time, and the pressure of the nitrogen gas exceeds a predetermined value by the differential pressure sensor 484, the solenoid valve 488, and the main control unit 422. A pipeline opening / closing device that sometimes opens the third branch pipe 486 is configured. Further, in the present embodiment, the oxygen sensor 4554 and the main control unit 4222 constitute a gas filling degree detection system that detects the filling degree of the gas in the hermetic chamber 4440.
  • a control device for opening the solenoid valves 480, 497, and 488 corresponding to the above has been realized.
  • the solenoid valve 450 as an exhaust path switch is opened by the function of the main controller 422, and the second regulator 496 set to the first value is connected to the second valve 496.
  • the gas supply is started from the gas supply device 438 at the gas supply pressure (pressure on the supply side) in the second supply pipe 460 via the pressure setting device composed of the solenoid valve 497 that is closed.
  • the solenoid valve 450 When it is detected by the above-mentioned gas filling degree detection system that nitrogen gas has been filled in the hermetic chamber 440, the solenoid valve 450 is closed and the solenoid valve 497 serving as a pressure setting device is closed.
  • a first controller that sets the gas supply pressure of the pressure regulator LC to a second value lower than the first value, and a pressure adjustment mechanism 494 after the gas supply pressure is set to the second value.
  • a second control device that starts pressure control in the hermetic chamber 40 via the second control device is realized.
  • the present invention is not limited to this, and separate hardware It is a matter of course that the control device, the first control device, and the second control device may be configured by wear (such as a convenience store).
  • the projection magnification is always adjusted to a constant value.
  • the present invention is not limited to this, and the main control unit 422 can superimpose the pattern image of the reticle R more accurately on the shot area of the wafer W.
  • the pressure in the hermetic chamber 440 may be controlled via the pressure regulator LC based on the XY scaling parameter of the EGA described above to fine-tune the projection magnification in the non-scanning direction. .
  • the nitrogen gas is always supplied to the spaces 426 and 428 during the exposure processing, and the nitrogen gas in the space 426 is constantly refreshed.
  • nitrogen gas is retained in the airtight chamber 440, impurities contained in the nitrogen gas in the airtight chamber 440 (impurities of a level that cannot be removed by chemical fill etc.) ) Towards cloudy substance and adheres to the lens element, which may temporarily reduce the transmittance of the projection optical system PL.
  • the transmittance of the projection optical system is measured periodically (for each predetermined lot) to determine the change in magnification due to the irradiation of the exposure light EL of the projection optical system PL.
  • the rate measurement each time the transmittance falls below a certain threshold value, the above-described nitrogen gas replacement in the hermetic chamber may be performed. From the viewpoint of suppressing the generation of cloudy substances, it is desirable to set up a chemical fill at points A, B, and C in Fig. 9, especially point B.
  • a pump is provided downstream of the solenoid valve 495 with a check valve, and the pipe downstream of this pump is connected to the upstream of the first regulator 424 to circulate nitrogen gas.
  • the exhaust gas from the first nitrogen gas replacement is Since it is necessary to exhaust to the outside, a branch is provided between the solenoid valve 495 with a check valve and the pump, and an oxygen sensor and a solenoid valve are arranged in this branch, and the concentration of the oxygen sensor is a predetermined value.
  • the solenoid valve is opened and exhaust gas is exhausted from the branch path to the outside. After that, the solenoid valve is closed and the exhaust gas (nitrogen gas) is pumped to the upstream side of the first leg. And may be used for circulation.
  • an exposure apparatus using an ArF excimer laser as a light source has been described.
  • the present invention is not limited to this, and has an advantage of replacing air in a projection optical system with nitrogen gas or the like. Any device that uses a beam source that emits an illumination beam as an exposure light source can be suitably applied.
  • the optical system to which the nitrogen gas is supplied is the projection optical system.
  • the optical system may be a part or all of the illumination optical system that irradiates the mask with the illumination beam. This is because the illumination optical system also has advantages such as nitrogen gas replacement.
  • the filling degree of the nitrogen gas into the spaces 426, 428 and the airtight chamber 440 is determined by the predetermined gas in the exhaust pipes 446, 444, and 490, that is, Detection was based on oxygen concentration. This makes it possible to reliably detect the timing of filling completion even if there is a fluctuation in the gas pressure during the supply.
  • the concentration of nitrogen gas in the exhaust pipes 464, 4444, and 4990 may be directly detected.
  • a component gas of air such as oxygen or nitrogen or the concentration of the supplied specific gas may be detected.
  • the gas filling degree detection system for detecting the degree of filling of the specific gas into the projection optical system PL or the airtight chamber 440 is not limited to this. It is also possible to detect the lapse of a predetermined time required for replacement by using an image or the like.
  • a differential pressure sensor was used as a pressure detection system, and this was arranged near the projection optical system PL.
  • the present invention is not limited to this.
  • a differential pressure sensor or a pressure sensor In the case of using such a sensor, these sensors may be arranged in any part of the piping system in which the ratio of the pressure to the inside of the projection optical system PL or the vicinity thereof is known.
  • the degree of sealing is high, such as in an airtight chamber 4
  • Boyle-Charles' law almost holds, and in this case, the volume V can be considered to be constant, and as a result, the pressure in the hermetic chamber is considered to be proportional to its temperature, so indirectly based on the output of the temperature sensor The pressure in the airtight chamber may be detected.
  • the projection optical system including only a plurality of reflective optical elements, or a reflective optical element and a refractive optical element are used.
  • the present invention can also be applied to a catadioptric optical system combining the above.
  • an exposure apparatus that uses ultraviolet light having a wavelength of about 19 O nm or more (such as an ArF excimer laser) as exposure light, it is preferable to use nitrogen as the above-mentioned inert gas in consideration of cost, etc.
  • the optical system is a catadioptric optical system, it is preferable to supply nitrogen to the illumination optical system and helium to the projection optical system.
  • an exposure system that uses ultraviolet light with a wavelength of about 200 nm or more (FrF excimer laser, etc.) as exposure light, it illuminates chemically clean dry air instead of nitrogen or inert gas. You may make it supply to an optical system etc. Dry air removes ammonium ions and the like from the air in the clean room by a chemical fill made of activated carbon and the like, and adjusts its humidity to, for example, about 5% or less.
  • an exposure apparatus that uses ultraviolet light (such as an F2 laser) having a wavelength of about 19 Onm or less, it is practical to use helium as the inert gas.
  • the technique of the present invention can be similarly applied to a projection exposure apparatus of a step-and-repeat type or a step-and-scan type.
  • the type of the projection exposure apparatus is not limited to the one used for semiconductor manufacturing.
  • a projection exposure apparatus for a liquid crystal that exposes a liquid crystal display element pattern to a square glass plate, and a thin film magnetic head are used.
  • the technology of the present invention can be widely applied to an exposure apparatus and the like for manufacturing.
  • the magnification of the projection optical system may be not only a reduction system but also any one of an equal magnification and an enlargement system.
  • the light source used as the exposure light in the projection exposure apparatus is not limited to the ArF excimer laser (193 nm), but the KrF excimer laser (248 nm) and F2 laser (157 nm), or a harmonic of a YAG laser or metal vapor laser, or EUV (Extreme Ultra Violet) light with an oscillation spectrum in the range of 5 to 15 nm (soft X-ray region), for example. You can also. In such a case, when an excimer laser is used as the projection optical system, quartz or fluorite is used as the glass material. .
  • an illumination area on a reflective mask is defined in an arc-slit shape, and a reduced projection optical system consisting of only a plurality (about four) of reflective optical elements (mirrors) is used.
  • the reflective mask and the wafer are synchronously moved at a speed ratio according to the magnification of the reduction projection optical system to transfer the pattern of the reflective mask onto the wafer.
  • the EUV light is applied to the reflection mask with its principal ray inclined with respect to the axis orthogonal to the reflection mask.
  • a desired inert gas atmosphere may be formed between the final lens and the wafer of the projection optical system shown in FIG. 8 by an appropriate method. More specifically, the entire stage apparatus on which the wafer is mounted is surrounded by a container (not shown) from the lower end of the projection optical system, and the container is filled with an inert gas. There is a method in which an inert gas is continuously supplied to the open space to form an inert gas atmosphere.
  • any configuration may be adopted as long as it does not deviate from the gist of the present invention, and it is needless to say that the above-described configurations may be appropriately selectively combined.
  • the exposure apparatus in each embodiment incorporates an illumination optical system and a projection optical system composed of a plurality of lenses into the exposure apparatus main body and performs optical adjustment, and a reticle stage and a wafer stage composed of a number of mechanical parts are mounted on the exposure apparatus main body. It can be manufactured by mounting, connecting wiring and piping, and then performing comprehensive adjustments (electrical adjustment, operation check, etc.). It is desirable that the exposure apparatus be manufactured in a clean room in which the temperature and cleanliness are controlled.
  • a step of designing the function and performance of the device a step of manufacturing a reticle based on this design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material, It is manufactured through a step of exposing a wafer to a wafer, a step of assembling a device (including a dicing process, a bonding process, and a package process), and an inspection step.

Description

明細書 露光装置、 露光方法、 投影光学系の圧力調整方法
および露光装置の組み立て方法 本出願は日本国特許出願平成 9年第 229519号、 平成 10年第 31868 号、 および平成 10年第 202482号を基礎とし、 その内容は引用文としてこ こに組込まれる。 技術分野
本発明は、 半導体素子、 液晶表示素子等を製造するためのリソグラフイエ程、 すなわち半導体集積回路の製造工程で用いられる露光技術に関する。 とくに、 不 活性ガスで置換した雰囲気中を進行する露光光を使用した露光装置に好適なもの である。 背景技術
半導体素子または液晶基板等を製造するためのリソグラフイエ程において、 レ チクル (フォトマスク等) のパターン像を投影光学系を介して感光基板上に露光 する露光装置が使用されている。 近年、 半導体集積回路は微細化の方向で開発が 進み、 リソグラフイエ程においては、 より微細化を求める手段としてリソグラフ ィ光源の露光波長を短波長化する方法が考えられている。
現在、 波長 248 nmの KrFエキシマレーザをステッパー光源として採用し た露光装置がすでに開発されている。 また、 T i一サファイアレーザ等の波長可 変レーザの高調波、 波長 266 nmの YAGレーザの 4倍高調波、 波長 213 n mの YAGレーザの 5倍高調波、 波長 220 nm近傍または 184nmの水銀ラ ンプ、 波長 193 nmの A rFエキシマレーザ等が短波長光源の候補として注目 されている。
従来の e線 (波長人 = 546 nm) 、 g線 (λ = 436 ηπι) 、 i線 (λ=3 65 nm) 、 K r Fエキシマレ一ザあるいは波長 250 nm近傍の光を射出する 水銀ランプを光源とした露光装置では、 これらの光源の発光スぺクトル線は酸素 の吸収スぺク トル領域とは重ならず、 酸素の吸収による光利用効率の低下および 酸素の吸収によるオゾンの発生に起因する不都合はなかった。 したがって、 これ らの露光装置では基本的に大気雰囲気での露光が可能であった。
しかしながら、 A r Fエキシマレーザのような光源では、 発光スペク トル線は 酸素の吸収スぺク トル領域と重なるため、 上述の酸素の吸収による光利用効率の 低下および酸素の吸収によるオゾンの発生に起因する不都合が発生する。 たとえ ば、 真空中または窒素あるいはヘリウムのような不活性ガス中での A r Fエキシ マレーザ光の透過率を 1 0 0 %/mとすれば、 大気雰囲気中では、 フリーラン状 態 (自然発光状態) すなわち A r F広帯レーザでは約 9 0 %/m、 スペク トル幅 を狭め、 かつ酸素の吸収線を避けた A r F狭帯レーザを使用した場合でさえ、 約 9 8 %/mと透過率が低下する。
透過率の低下は、 酸素による光の吸収および発生したオゾンの影響によるもの と考えられる。 オゾンの発生は透過率 (光利用効率) に悪影響を及ぼすばかりで なく、 光学材料表面や他の部品との反応による装置性能の劣化および環境汚染を 引き起こす。
このため A r Fエキシマレ一ザを露光光源とする露光装置では、 露光光の光路 に当たる照明光学系や投影光学系などの光学系内の空気を A r Fエキシマレーザ 光に対する減衰率が小さい、 すなわち、 ほとんど減衰させないガス、 例えば窒素 やヘリウム等に置換する必要がある。 尚、 A r Fエキシマレーザのような光源を 有する露光装置において、 光の透過率の低下やオゾンの発生を回避するために光 路全体を窒素等の不活性ガスで満たす必要があることは知られている (たとえば 特閧平 6— 2 6 0 3 8 5号公報) 。
また、 投影露光装置が設置されるクリーンルーム内の圧力変動や、 投影光学系 を構成する光学レンズの温度変動などが光学系性能に影響を及ぼし、 倍率、 收差、 焦点などが変動することがよく知られている。 そのため、 特閧昭 6 0 - 7 8 4 5 4号公報に開示されているように、 投影光学系に照射される露光エネルギを測定 し、 測定したエネルギに基づいて光学性能の変動を推定して光学性能を調節する ようにした投影露光装置が知られている。 この従来の投影露光装置では、 大気圧 変動等に起因する投影光学系の倍率等の結像特性の変動を抑制するため、 投影光 学系内に気密室を設け、 その内圧を調整する圧力調整機構を備えている。 発明の開示
以上の従来技術の問題点を説明する。
( 1 ) 特開昭 6 0 - 7 8 4 5 4号公報の従来装置では、 投影光学系の鏡筒内に窒 素ガスなどの不活性ガスを強制的に充填することは想定していない。 そのため、 特開平 6— 2 6 0 3 8 5号公報のように、 投影光学系の鏡筒内に窒素ガスあるい は不活性ガスを充填した投影露光装置では、 大気圧力の変動や光学素子に照射さ れるエネルギに基づいて光学性能を調節しても、 鏡筒内の圧力変動により、 倍率、 收差、 焦点変動が生じ、 精度の高い投影露光ができないおそれがある。 照明光学 系についても同様の問題があり、 照明光学系内の筐体の圧力変動により照明ムラ が発生するおそれもある。
( 2 ) 特開昭 6 0 - 7 8 4 5 4号公報の従来装置において、 上記のように所定圧 力の窒素ガス等を供給し続けたのでは、 その内圧を調整する装置が複雑になる。
( 3 ) 露光光の光路に当たる照明光学系や投影光学系などの光学系内を窒素等の 不活性ガスで満たす場合、 単にガス供給装置により光学系に所定の供給圧力で窒 素ガス等を供給し続けるのでは、 窒素ガスの供給中に排気側の弁の故障等何らか の事情によって光学系の内圧が異常に上昇することがあり、 かかる場合に光学系 に損傷を与えるおそれがある。
本発明の第 1の目的は、 不活性ガスなどの特定ガスが充填される投影光学系の 鏡筒や照明光学系の筐体内の圧力変動によつて光学性能が影響しないようにした 投影露光装置およびその組み立て方法を提供することにある。
本発明の第 2の目的は、 特定ガスの供給中に、 光学系の内圧が異常に上昇する のを確実に防止することができる露光装置を提供することにある。
本発明の第 3の目的は、 投影光学系内の気密室を特定ガスで置換した後、 該気 密室の圧力調整を可能にする露光装置およびその投影光学系の圧力調整方法を提 供することにある。 本発明による、 露光用光源からの露光光で照明された原版のパターンの像を露 光対象物上に投影する光学系を備える露光装置は、 光学系を収容する収容部材内 の光学素子間に形成された空間に特定ガスを充填するガス供給装置と、 空間内の 圧力を検出する圧力検出器と、 圧力検出器で検出された圧力に応じて光学系の光 学性能を調節する光学性能調節装置とを備える。
ここで、 特定ガスは、 照明ビーム (k r Fエキシマレーザ光、 A r Fエキシマ レーザ光、 F 2エキシマレ一ザ光等) の吸収が少ない気体、 具体的には窒素 (N2) 、 ヘリウム (H e ) 、 アルゴン (A r ) 、 ネオン (N e ) 等を含む。
上記光学系が、 照明光学系により照明された原版のパターンの像を露光対象物 上に投影する投影光学系の場合、 ガス供給装置は、 投影光学系を収容する鏡筒内 の光学素子間に形成された空間に不活性ガスを充填する鏡筒ガス給排装置であり、 圧力検出器は、 鏡筒空間内の圧力を検出する鏡筒内圧力検出器であり、 光学性能 調節装置は、 鏡筒内圧力検出器で検出された圧力に応じて投影光学系の光学性能 を調節する投影光学性能調節装置である。
露光装置は、 投影光学系に加えて、 露光用光源から射出される露光光で所定の パターンが形成された原版を照明する照明光学系を有する。 この場合、 ガス供給 装置は、 照明光学系を収容する筐体内の光学素子間に形成された空間に不活性ガ スを充填する筐体ガス給排装置をさらに含み、 圧力検出器は、 筐体空間内の圧力 を検出する筐体内圧力検出器をさらに含み、 光学性能調節装置は、 筐体内圧カ検 出器で検出された圧力に応じて照明光学系の光学性能を調節する照明光学性能調 節装置をさらに含む。
このような露光装置にあっては、 照明光学系と送光系と投影光学系の少なくと も一部に、 不活性ガスが供給される筐体、 鏡筒などのケ一シングを備えることに より、 このケ一シング内において露光光の雰囲気は不活性ガスに置換され、 ォゾ ンの発生が防止される。 したがって環境を損なったり光利用効率を低下させるこ ともなく、 さらにレンズ等の光学素子表面に白濁を生じさせることも防ぐことが でき、 投影露光装置の性能を安定して発揮させることができる。 このように光学 素子間に形成された空間に不活性ガスを充填して光学素子の透過率や反射率の変 動を防止するようにした場合において、 本発明では、 空間内の圧力を検出し、 こ の圧力に応じて光学系の光学性能を調節するようにしたので、 空間内の圧力が変 動しても、 照明ムラの防止を図り、 種々の結像性能の変動を抑えて露光対象物上 にパターンの像を精度良く露光することができる。
照明光学系にだけ本発明を適用してもよい。 この場合、 ガス供給装置は、 照明 光学系を収容する筐体内の光学素子間に形成された空間に不活性ガスを充填する 筐体ガス給排装置であり、 圧力検出器は、 筐体空間内の圧力を検出する筐体内圧 力検出器であり、 光学性能調節装置は、 筐体内圧力検出器で検出された圧力に応 じて照明光学系の光学性能を調節する照明光学性能調節装置である。
大気圧力を検出する大気圧検出器をさらに設け、 投影光学性能調節装置により、 鏡筒空間内圧力と大気圧力とに基づいて投影光学系の光学性能を調節してもよい。 あるいは、 照明光学性能調節装置により、 筐体空間内圧力と大気圧力とに基づい て照明光学系の光学性能を調節してもよい。
空間内圧力と大気圧力とに基づいて光学系の光学性能を調節するようにしたの で、 投影光学系と露光対象物との間を不活性ガスで置換できず、 その光路の大気 圧変動により光学性能が影響を受けるような場合、 あるいは、 露光光源と照明光 学系との間を不活性ガスで置換できず、 その光路の大気圧変動により照明光学系 の光学性能が影響を受けるような場合でも、 より精度高く照明ムラを防止でき、 また、 種々の結像性能の変動を抑えて精度の高いパターン露光が可能となる。 上記光学性能調節装置を、 圧力検出器で検出された圧力に応じて、 空間内の圧 力が予め定めた目標値となるように空間内の圧力を調節する圧力調節装置として もよい。 空間内の圧力変動による光学性能の変動が抑制されて、 露光対象物上に パターンの像を精度良く露光することができる。 筐体空間内の圧力を検出しその 圧力を目標値に制御することにより、 照明ムラが防止され、 照明ムラによる露光 精度の低下を防止できる。
この場合、 大気圧力を検出する大気圧検出器をさらに設けてもよいが、 鏡筒空 間内圧力と大気圧力とに基づいて投影光学系の光学性能を調節する投影光学性能 調節装置や、 筐体空間内圧力と大気圧力とに基づいて照明光学系の光学性能を調 節する照明光学性能調節装置を別途設けるのが好ましい。
また、 投影露光装置において、 大気圧力を検出し、 検出された大気圧力によつ ても照明光学系の光学性能を調節すれば、 露光光源から照明光学系までの光路が 大気に露出している場合であっても、 その大気圧力変動による照明ムラも防止で ぎる。
収容部材内の空間を形成する光学素子は複数設けられ、 光学性能調節装置は、 複数の光学素子のうち少なくとも第 1の光学素子を第 2の光学素子に対して所定 方向に相対移動させる移動機構を含むことができる。
通常、 上記収容部材内の空間を形成する光学素子は複数設けられ、 複数の光学 素子のうち少なくとも第 1の光学素子は、 移動機構により第 2の光学素子に対し て所定方向に相対移動する。 このような露光装置では、 第 1の光学素子は第 1の 保持部材で、 第 2の光学素子は第 2の保持部材で保持される。 第 1の保持部材と 第 2の保持部材との間には、 光学素子間に形成された空間から特定ガスの流出を 防ぐシール部を設けるのが好ましい。 シール部は、 第 1の保持部材側に形成され た凹部と、 第 2の保持部材側に形成されて凹部内に挿入される凸部と、 凹部と凸 部の間に充填されてシール性を有する充填材とから構成することができる。 充填 材として光化学的に不活性な不活性グリスが好適である。
シール部は、 凹部と凸部との間に充填材を充填した構成となっているので、 充 填材は、 凹部の内側面と、 この凹部に挿入された凸部の外側面との間に介在する こととなる。 したがって、 例えば投影光学系のレンズの調整部等において調整を 行うときに、 充填材は凹部の内側面と凸部の外側面との間に挟まれた状態で留ま り、 しかも上記変位方向に対して直交する方向の変形を生じにくいので、 二つの 部材が所定の位置関係に対してずれるのを防止することができる。 この結果、 投 影露光装置における調整を行う場合等に、 投影精度の低下を招くことなく、 高い 精度でのパターンの重ね合わせを実現することができる。 充填材として粘性材料 であるグリスを用いることにより、 グリスは二つの部材をずらすほどの反力を発 揮するものではないため、 ケ一シングを構成する二つの部材を相対移動させたと きにもこれらを所定の位置関係に対してずらすことなく、 高い精度を維持するこ とができる。 しかも不活性グリスが光化学的に不活性であるので、 ケーシング内 に供給される不活性ガスに光化学反応することもなく、 シール性を維持すること ができる。 本発明は、 マスクを介して照明ビームで露光対象物を露光する露光装置であつ て、 照明ビームの光路中に配置される光学系に特定ガスを供給するガス供給装置 と、 光学系に接続される排気路とは別に設けられ、 ガス供給装置と光学系とを接 続するとともにその途中に分岐路が設けられた供給路と、 特定ガスの圧力が所定 値を超えたときに分岐路を開成する管路開閉装置とを備える。
この構成によれば、 ガス供給装置により供給路を介して特定ガスが照明ビーム の光路中に配置される光学系に供給される。 この特定ガスの供給中に、 その特定 ガスの圧力が所定値を超えたとき、 管路開閉装置により供給路の途中に設けられ た分岐路が開成される。 これにより、 特定ガスの供給中に、 光学系の内圧が異常 に上昇するのを確実に防止することができる。
本発明は、 マスクのパターンを投影光学系を介して露光対象物に転写する露光 装置であって、 少なくとも一部に気密室を有する投影光学系と、 気密室に向けて 特定ガスを供給するガス供給装置と、 気密室に接続された排気路を開閉する排気 路開閉器と、 気密室内に特定ガスが充填されたか否かを検出するガス充填度検出 系と、 気密室とガス供給装置とを接続する供給路の途中に設けられ、 気密室内の 圧力を増減する圧力調整機構と、 供給路におけるガス供給圧力を設定する圧力設 定器と、 ガス供給装置による特定ガスの供給開始に先立って排気路開閉器を開成 しかつ圧力設定器を介してガス供給圧力を第 1の値に設定し、 ガス充填度検出系 により気密室内に特定ガスが充填されたことが検出されたとき、 排気路開閉器を 閉成するとともに圧力設定器を介してガス供給圧力を第 1の値より低い第 2の値 に設定する第 1の制御装置と、 ガス供給圧力が第 2の値に設定された後、 圧力調 整機構を介して気密室内の圧力制御を開始する第 2の制御装置とを備える。 これによれば、 第 1の制御装置により排気路開閉器が開成され、 圧力設定器を 介して供給路におけるガス供給圧力が第 1の値に設定される。 次いで、 ガス供給 装置により供給路を介して気密室に向けて特定ガスの供給が開始される。 この特 定ガスの供給中、 ガス充填度検出系により気密室内に特定ガスが充填されたこと が検出されると、 第 1の制御装置は排気路開閉器を閉成するとともに圧力設定器 を介してガス圧を第 1の値より低い第 2の値に設定する。 そして、 ガス供給圧力 が第 2の値に設定された後、 第 2の制御装置は圧力調整機構を介して気密室内の 圧力制御を開始する。 従って、 気密室内の空気を特定ガスと置換するために気密 室内に特定ガスを供給充填する際には、 それに適した十分に高い第 1の値にガス 供給圧力を設定して、 上記置換を速やかにかつ確実に行うとともに、 上記の置換 が終了して気密内に特定ガスが充填された段階では、 圧力調整機構の動作に適し た第 2の値にガス供給圧力を設定して、 例えば投影光学系の結像特性調整のため の気密室内の圧力調整を支障なく行うことができる。
本発明は、 投影光学系の結像特性を調整するために、 投影光学系内部の気密室 の内圧を圧力調整機構を用いて調整する圧力調整方法であって、 気密室内の圧力 制御を開始するのに先立って、 気密室に接続された排気路を開成しガス供給圧力 を第 1の値に設定した状態で気密室に対する特定ガスの供給を開始する工程と、 気密室内に特定ガスが充填されたとき、 排気路を閉成するとともにガス供給圧力 を第 1の値より低く圧力調整機構が動作可能な範囲の第 2の値に設定する工程と を含む。
これによれば、 気密室内の圧力制御を開始するのに先立って、 気密室に接続さ れた排気路を閉成しガス供給圧力を第 1の値に設定した状態で気密室に対する特 定ガスの供給が開始される。 そして、 気密室内に特定ガスが充填されたとき、 排 気路を閉成するとともにガス供給圧力を第 1の値より低く圧力調整機構が動作可 能な範囲の第 2の値に設定する。 そして、 ガス供給圧力が第 2の値に設定された 後、 投影光学系の結像特性調整のための気密室内の圧力制御が開始される。 従つ て、 気密室内の空気を特定ガスと置換するために気密室内に特定ガスを供給充填 する際には、 それに適した十分に高い第 1の値にガス供給圧力を設定して、 上記 置換を速やかにかつ確実に行うとともに、 上記の置換が終了して気密室内に特定 ガスが充填された段階では、 圧力調整機構が動作可能な第 2の値にガス供給圧力 を設定して、 結像特性調整のための気密室内の圧力調整を支障なく行うことがで きる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明による投影露光装置の第 1の実施例の構成図。
図 2は、 本発明による投影露光装置の第 2の実施例の構成図。 図 3は、 本発明による投影露光装置の第 3の実施例の構成図。
図 4は、 本発明による投影露光装置の第 4の実施例の構成図。
図 5は、 本発明による投影露光装置の第 5の実施例の構成図。
図 6は、 本発明による投影露光装置の投影光学系を示す縦断面図。
図 7は、 本発明による投影露光装置の投影光学系の他の一例を示す縦断面図。 図 8は、 本発明による一実施例の露光装置の構成を概略的に示す図。
図 9は、 図 8の装置の投影光学系に対する窒素ガスの供給システムの構成を示 す系統図。 発明を実施するための最良の形態
以下、 図面を参照しながら本発明による実施例について説明する。
(第 1の実施例)
図 1は本発明による投影露光装置の概略的構成を示している。 投影露光装置本 体は、 図示しないチャンバ一内に収容されており、 温度が一定に保たれるように 制御されている。 図 1に示すように、 例えば 1 9 3 n mの出力波長を持つパルス 光を発振する A r Fエキシマレ一ザ光源 1 0 0からほぼ平行光束としてのレーザ 光が出射され、 図示しないシャツ夕を介して投影露光装置に入射する。 シャツ夕 は、 たとえばウェハまたはレチクルの交換中に照明光路を閉じ、 これにより光源 1 0 0が自己発振してパルス光の中心波長、 波長幅および強度の少なくとも 1つ を含むビーム特性を安定化 (調節) する。
光源 1 0 0からのレーザ光は図示を省略した送光系を介して筐体 C A内に収容 された照明光学系 2 0 0に入射される。 レーザ光はミラー 2 0 1で反射され、 ビ —ム整形光学レンズユニッ ト 2 0 2に入射する。 入射ビームは、 整形光学レンズ ユニッ ト 2 0 2で所定断面形状のレーザ光に整形され、 図示しない夕レッ ト板に 設けられた互いに透過率 (減光率) が異なる複数の N Dフィル夕の 1つを通過し て反射ミラ一 2 0 3で反射して、 オプティカルインテグレ一夕としてのフライア ィレンズ 2 0 4に導かれる。 フライアイレンズ 2 0 4は、 多数のレンズ素子が束 ねられて構成されており、 このレンズ素子の射出面側には、 それを構成するレン ズ素子の数に対応した多数の光源像 (2次光源) が形成される。 フライアイレンズ 2 0 4よって形成される多数の 2次光源からの光束は、 リレ —レンズユニット 2 0 5、 長方形の開口を規定する可変視野絞り 2 0 6、 リレー レンズュニッ ト 2 0 7を通って反射ミラ一 2 0 8で反射された後、 複数のレンズ 等の屈折性光学素子で構成されるコンデンサ光学レンズュニット 2 0 9にて集光 される。 これにより、 可変視野絞りの開口 2 0 6によって規定された均一な照明 光束は重畳的にレチクル Rを照明する。
照明光学系 2 0 0の筐体 C A内には、 ガス供給装置 1 5 0から管路 I Nを介し て A r F光を吸収しない気体たとえば窒素ガス (またはヘリウムガス) が供給さ れ、 管路 O U Tからガス排出装置 1 6 0を介して窒素ガスが排出される。 筐体 C A内の圧力は圧力センサ P S 1で検出される。
レチクル Rを透過した光は、 投影光学系 3 0 0を構成する種々の光学部材 (レ ンズエレメントおよび/またはミラ一) を介してウェハステージ W Sに載置され たゥヱハ Wの表面上に到達し、 レチクル R上のパターンを結像する。 ウェハステ —ジ W Sは、 照明光で照射されるレチクル Rから発生して投影光学系 3 0 0を通 過する光に対してウェハ Wを相対移動する。 露光の際には、 レチクル Rとウェハ Wが投影光学系の倍率に対応した速度比で互に逆方向に走査される。 投影光学系 3 0 0には、 たとえば 2つの投影レンズユニッ ト 3 0 1, 3 0 2と 1つの光学性 能調節用レンズュニッ ト 3 0 3が設けられ、 光学性能調節用レンズュニッ ト 3 0 3はレンズ駆動装置 3 0 4により光学性能が調節されるように構成されている。 レンズ駆動装置 3 0 4は、 一例として特開昭 6 0 - 7 8 4 5 4号公報などにより 公知であり、 たとえばレンズ間距離を変更して倍率などを調節することができる 尚、 レンズ間距離を変更する新たな構成については、 後述の第 7の実施例で説明 する。 レンズュニッ ト 3 0 1〜3 0 3は照明光学系 3 0 0と同様に鏡筒 L Bによ り包囲され、 鏡筒 L Bにはガス供給装置 1 5 0から管路 I Nを介して窒素ガスが 供給され、 管路 O U Tからガス排出装置 1 6 0を介して窒素ガスが排出される。 鏡筒 L B内のレンズュニッ ト 3 0 3と 3 0 1との間の空間 3 1 0の圧力は圧力 センサ P S 2で、 レンズュニヅ ト 3 0 1と 3 0 2との間の空間 3 1 1の圧力は P S 3でそれぞれ測定される。 投影露光装置が収容されるチャンバ内の大気圧力は 大気圧センサ P S 4で測定される。 上述した筐体内圧力センサ P S 1と、 これら の圧力センサ P S 2〜P S 4で測定された圧力信号は圧力信号取込み回路 4 0 1 でデジタル信号に変換されて C P Uなどからなる制御回路 4 0 2に入力される。 レンズ駆動回路 4 0 3は制御回路 4 0 2からの指令信号に基づいてレンズ駆動装 置 3 0 4に駆動信号を供給し、 これによりレンズュニッ ト 3 0 3が適宜その光学 性能を変更する。
制御回路 4 0 2はメモリを備えており、 各圧力センサ P S 2〜P S 4で検出さ れた圧力に応じて投影光学系の光学性能をどのように変更するかが予めメモリに 記憶されている。 気体の屈折率は圧力に依存しており、 鏡筒内部の空間 3 1 0と 3 1 1の圧力変動による光学性能の変動と、 チャンバ内の大気圧変動による光学 性能の変動とが重畳されて、 投影光学系 3 0 0全体としての光学性能が変動する。 そこで、 予め実験により、 空間 3 1 0, 3 1 1の圧力と大気圧力との組合せによ る光学性能、 例えば焦点位置、 投影倍率、 ザイデルの 5収差などの変動をそれそ れ計測する。 その上で、 計測された光学性能の変動を補正するために光学性能調 節用レンズュニッ ト 3 0 3をどのように駆動するかを光学特性毎に実験により、 あるいは計算 (シミュレーション) により求め、 光学性能調節用レンズユニッ ト 3 0 3の駆動量に対応するレンズ駆動装置 3 0 4の駆動量を各圧力に対応づけて メモリに記憶する。 なお、 圧力変化による光学特性毎の変化率などを記憶してお き、 逐次光学特性の変化量を求めて上記駆動量を計算するようにしてもよい。 このように構成された投影露光装置の動作を説明する。
露光動作に先立って、 ガス排出装置 1 6 0により照明光学系 2 0 0の筐体 C A 内と、 投影光学系 3 0 0の鏡筒 L B内を真空排気し、 圧力センサ P S 1〜P S 3 の圧力計測値が所定値に達するとガス排出装置 1 6 0の出口側開閉弁を閉じる。 その後、 ガス供給装置 1 5 0から窒素ガスを筐体 C Aと鏡筒 L B内にそれぞれ供 給する。 圧力センサ P S 1〜P S 3の圧力計測値が所定値に達するとガス供給装 置 1 5 0からの窒素ガスの供給を停止して入口側開閉弁を閉じる。 これにより、 筐体 C A内と鏡筒 L B内は窒素ガスで充填されて密閉される。
A r Fレーザでウェハ Wが照射されないように、 例えばウェハステージ W Sを 移動してウェハ Wを投影光学系 3 0 0の光軸から十分離れた位置に配置し、 その 状態で A レーザ光を照射する。 A r Fレーザ光の照射により、 照明光学系 2 0 0や投影光学系 3 0 0の光学素子の表面あるいは筐体 C Aや鏡筒 L Bに付着し た汚染物質は剥離され窒素ガス中に浮遊する。 このような照射を行いながら入口 側と出口側の開閉弁を開いて筐体 C Aと鏡筒 L B内の窒素ガスを排出させると、 窒素ガスとともにガス中に浮遊している汚染物質が筐体 C Aおよび鏡筒 L B外へ 排出される。 その後、 窒素ガスを供給した状態で出口開閉弁を閉じて筐体 C Aと 鏡筒 L B内を所定圧力にして入口側開閉弁を閉じ、 筐体 C Aと鏡筒 L B内を密閉 する。 鏡筒を密閉せずに常に窒素ガスを流しておくことも考えられるが、 その場 合でも同様の方法により同様な効果が得られる。 この場合、 圧力変化の原因とし ては供給側の圧力変化、 配管のつまり等が考えられる。 また、 ウェハステージ W Sを退避させる代りに、 投影光学 3 0 0とウェハ Wとの間に配置される遮光板を 用いてもよい。
ウェハステージ W Sによりウェハ Wの露光領域を露光初期位置 (走査露光開始 位置) に位置させるとともに、 レチクル Rも図示しないレチクルステージにより 露光初期位置に設定する。 レーザ光源 1 0 0からレーザ光を出射させると、 レチ クルブラインドで規定された断面形状の均一な照明光がレチクル Rの所定領域を 照明する。 レチクル Rとウェハ Wとを相対移動しながらレチクル R上のパターン の像をウェハ W上に投影露光する。 このとき、 圧力センサ P S 2 , P S 3は鏡筒 内の空間 3 1 0と 3 1 1内の圧力を計測し、 大気圧力センサ P S 4はチャンバ内 の大気圧力を計測して制御回路 4 0 2に入力する。 制御回路 4 0 2は入力された 3つの圧力の組合せに応じて予め記憶したレンズ駆動装置 3 0 4の駆動量を読み 出し、 その駆動量に対応したレンズ駆動指令信号をレンズ駆動回路 4 0 3に出力 する。 これにより、 レンズ駆動回路 4 0 3がレンズ駆動装置 3 0 4を駆動し、 光 学性能調節用レンズュニッ ト 3 0 3は投影光学系の光学性能が予め定めた性能と なるように調節される。 したがって、 露光エネルギにより各圧力が変動しても投 影光学系の光学性能が変動せず、 予め定めた精度でパターンを露光することがで きる。
(第 2の実施例)
以上では、 投影光学系 3 0 0の光学性能だけを補正するようにしたが、 照明光 学系 2 0 0の筐体 C A内の圧力変動で照明ムラが発生することがあるので、 筐体 C A内の圧力に応じて照明光学系 2 0 0の光学性能を補正してもよい。 この場合、 図 2に示すように、 たとえば、 フライアイレンズユニッ ト 2 0 4とレチクルブラ インド 2 0 6との間に光学性能調節用レンズュニッ ト 2 1 0を設け、 筐体 C Aの 圧力に応じてレンズ駆動装置 2 1 1で光学性能調節用レンズュニッ ト 2 1 0を駆 動するように構成する。
そして、 筐体 C A内の圧力に応じて照明光学系 2 0 0の光学性能の変動による 照明ムラを実験で求め、 この照明ムラを抑制するために必要なレンズ駆動装置 2 1 1の駆動量を実験で、 あるいは計算で求め、 これを圧力に対応づけて制御回路 4 0 2のメモリに記憶する。 なお、 その他の構成は図 1と同様であり、 その説明 は省略する。
この様な第 2の実施例の投影露光装置の露光処理の手順は、 第 1の実施例の手 順と同様であり説明を省略するが、 この第 2の実施例によれば、 筐体 C Aの圧力 に応じてレンズ駆動装置 2 1 1で光学性能調節用レンズュニッ ト 2 1 0を駆動す るので、 照明ムラによるパターン像の露光不良が抑制される。 なお、 レーザ光源 1 0 0と照明光学系 2 0 0の筐体 C Aとの間の光路が大気に露出している場合に は、 チャンバ内の大気圧を検出し、 その大気圧に応じてレンズ駆動装置 2 1 1で 光学性能調節用レンズュニッ ト 2 1 0を駆動するようにしてもよい。 これにより、 大気圧変動にともなう照明ムラも抑制できる。
このような第 2の実施例による投影露光装置によれば、 投影光学系 3 0 0の鏡 筒 L B内の圧力が変動しても投影光学系の光学性能が変動しないように光学性能 調節用レンズュニヅ ト 3 0 3が駆動されるとともに、 照明光学系 2 0 0の筐体 C A内の圧力が変動しても照明光学系の光学性能が変動しないように光学性能調節 用レンズュニッ ト 2 1 0が駆動されるので、 露光エネルギにより筐体 C A内や鏡 筒 L B内の圧力が変動しても、 投影光学系と照明光学系の光学性能が変動せず、 予め定めた精度でパターンを露光することができる。
(第 3の実施例)
図 3により本発明による投影露光装置の第 3の実施例について説明する。 図 1および図 2と同様な箇所には同一な符号を付して相違点を主に説明する。 第 3の実施例による投影露光装置は、 照明光学系 200の筐体 C A内の圧力と投 影光学系 300の鏡筒 LB内の圧力とを予め定めた目標値に制御するものである c そのため、 照明光学系 200の筐体 C Aとガス排出装置 160との間に圧力制御 弁 V 1を、 投影光学系 300の鏡筒 LB内の空間 310とガス排出装置 160と の間に圧力制御弁 V 2を、 空間 31 1とガス排出装置 160との間に圧力制御弁 V3をそれぞれ設ける。 なお、 この実施例では光学性能調節レンズユニッ ト 30 3とそのレンズ駆動装置 304を省略し、 レンズユニッ ト 301, 302と同じ ようなレンズュニヅト 305を用いている。
制御回路 402には、 照明光学系 200の筐体 C A内の設計上の圧力目標値と、 投影光学系 300の鏡筒 LB内の空間 310内と 31 1内の設計上の圧力目標値 が予め記憶されている。
露光に先立って、 第 1の実施例で説明したように、 照明光学系 200の筐体 C Aの内部と投影光学系 300の鏡筒内の空間 310, 311に所定の圧力で窒素 ガスを充填し、 ガス供給装置 150の入口側開閉弁と各圧力制御弁 V 1~V 3を 閉じておく。 露光処理中に圧力センサ P S 1~P S 3で検出される圧力が、 制御 回路 402に記憶されている目標値と一致するように圧力制御弁 V 1〜V3の開 度が調節される。 これにより、 照明光学系 200の光学性能と投影光学系 300 の光学性能は予め定めた設計上の値となり、 精度良くパターンを露光することが できる。 筐体 CAと鏡筒 LBへの窒素ガス供給通路は連通しているから、 筐体 C Aの圧力制御やレンズ室 310, 311の圧力制御により互の圧力が影響を受け る場合には、 窒素ガス供給通路を各々独立するのが好ましい。
(第 4の実施例)
図 4により本発明による投影露光装置の第 4の実施例について説明する。
図 1および図 3と同様な箇所には同一な符号を付して相違点を主に説明する。 第 4の実施例による投影露光装置は、 第 3の実施例と同様に、 照明光学系 200 の筐体 CA内の圧力と投影光学系 300の鏡筒 LB内の圧力とを予め定めた目標 値に制御するとともに、 圧力センサ PS4で大気圧力を測定し、 大気圧力に応じ て照明光学系 2 0 0と投影光学系 3 0 0の光学性能を調節するようにしたもので ある。 そのため、 第 1の実施例と同様に、 照明光学系 2 0 0には光学性能調節用 レンズュニッ ト 2 1 0とその駆動装置 2 1 1を設けるとともに、 投影光学系 3 0 0には光学性能調節用レンズュニッ ト 3 0 3とその駆動装置 3 0 4を設けたもの である。
このような第 4の実施例の投影露光装置においては、 筐体 C A内と鏡筒 L B内 の圧力を目標値に制御することにより、 それぞれに充填された不活性ガス圧力に よって露光精度が低下するのを抑制するとともに、 さらに、 大気圧変動による光 学性能の変動を光学性能調節用レンズュニッ ト 2 1 0, 3 0 3により補償するよ うにしたので、 露光精度の向上を図ることができる。
(第 5の実施例)
図 5により本発明による投影露光装置の第 5の実施例について説明する。
図 1と同様な箇所には同一な符号を付して相違点について説明する。 第 1の実 施例による投影露光装置では、 光学性能調節用レンズュニッ ト 3 0 3を駆動制御 して投影光学系 3 0 0の光学性能を調節する構成であつたが、 第 5の実施例では、 レンズュニヅ ト 3 0 1と 3 0 2との間の空間 3 1 1における窒素ガスの圧力を変 化させて投影光学系の光学性能を調節する構成である。
図 5に示すように、 投影光学系 3 0 0の鏡筒 L B内に形成された複数の空間 ( 図 5では、 空間 3 1 0と空間 3 1 1を示す) のうち、 空間 3 1 1を制御対象室と する。 すなわち、 空間 3 1 1とガス供給装置 1 5 0との間に圧力制御弁 V 1を設 けると共に、 空間 3 1 1とガス排出装置 1 6 0との間に圧力制御弁 V 2を設ける c さらに、 制御回路 4 0 2には、 予め実験により、 あるいは計算 (シユミレーシ ヨン) により求められた、 鏡筒 L B内の空間 3 1 0と 3 1 1の圧力と大気圧力と の組み合わせによる光学性能 (焦点位置、 投影倍率等) と、 この光学性能の変動 を補正するための空間 3 1 1の圧力制御データとが対応して記憶されている。 尚、 圧力変化による光学特性毎の変化率等を記憶しておき、 逐次光学特性の変 化量を求めて、 上記圧力制御データを計算してもよい。
露光に先立って、 第 1の実施例で説明したように、 ガス排出装置 1 6 0により 照明光学系 2 0 0の筐体 C A内と、 投影光学系 3 0 0の鏡筒 L B内を真空排気し、 圧力センサ P S 1〜P S 3の圧力計測値が所定値に達すると、 ガス排出装置 1 6 0の出口側開閉弁を閉じる。 その後、 ガス供給装置 1 5 0から窒素ガスを筐体 C Aと鏡筒 L B内にそれぞれ供給し、 圧力センサ P S 1〜P S 3の圧力計測値が所 定値に達するとガス供給装置 1 5 0からの窒素ガスの供給を停止して入口開閉弁 を閉じると共に、 圧力制御弁 V I、 V 2を閉じる。 これにより筐体 C A内と鏡筒 L B内は窒素ガスで充填される。 尚、 本実施例では、 空間 3 1 1を窒素ガスで充 填された気密室とし、 筐体 C Aと鏡筒 L Bの空間 3 1 0を密閉せずに常に窒素ガ スを流す構成であってもよい。
次に露光処理を開始する。 露光処理中に各圧力センサ P S 2〜P S 4の圧力を 計測して制御回路 4 0 2に入力する。 制御回路 4 0 2は入力された各圧力センサ の計測値の組み合わせに応じて、 予め記憶した空間 3 1 1の圧力制御データを読 み出す。 そして、 制御回路 4 0 2は、 読み出された圧力制御デ一夕に基づいて、 圧力制御弁 V I、 V 2の開度を調節して窒素ガスの圧力制御を行い、 空間 3 1 1 に圧力変化を与える。 例えば、 空間 3 1 1の圧力を上げたい場合、 圧力制御弁 V 2を閉じると共に、 圧力制御弁 V Iを開く。 これによつて、 ガス供給装置 1 5 0 からの窒素ガスが空間 3 1 1に流入し、 空間 3 1 1の圧力が上昇する。 一方、 空 間 3 1 1の圧力を下げたい場合、 圧力制御弁 V 2を開くと共に、 圧力制御弁 V 1 を閉じればよい。 このような圧力制御により、 鏡筒 L B内の圧力変化 (鏡筒 L B 内の気圧と大気圧との圧力差) が生じた場合でも、 投影光学系の光学性能 (例え ば、 投影倍率等) 、 が予め定めた性能になるように調節される。 従って、 鏡筒 L B内の圧力が変動しても投影光学系の光学性能が変動せず、 予め定めた精度でパ ターンを露光することができる。
なお、 本実施例において、 空間 3 1 0とガス供給装置 1 5 0との間に圧力制御 弁を設けると共に、 空間 3 1 0とガス排出装置 1 6 0との間に圧力制御弁を設け、 真空排気、 所定圧力の窒素ガス雰囲気の作成に供してもよい。 気密室である空間 3 1 0に圧力変動が生じた場合は、 空間 3 1 1の圧力を制御して投影光学系の光 学性能を調節する。
また、 圧力制御の制御対象室となるべき空間は、 シュミレーシヨンや実験等に より最適な箇所が選ばれる。 例えば、 露光光に用いる波長に応じて設計された光 学系のレンズ間隔の気圧を変化させ、 その時のレンズ間隔における相対屈折率の 変化を求める。 その変化が最も少ない間隔を制御対象室とすることが好ましい。 さらに、 制御対象室となるべき空間を複数箇所に設けても良い。
本実施例では、 投影光学系 3 0 0について説明したが、 照明光学系 2 0 0に圧 力制御対象室を設けて、 照明光学系 2 0 0の光学性能を補正してもよい。 この 場合、 フライアイレンズュニッ ト 2 0 4とレチクルプラインド 2 0 6との間に、 レンズ 2 0 5と不図示のレンズとで形成される空間を圧力制御対象室とすれば良 い。 そして、 筐体 C A内の圧力に応じて照明光学系 2 0 0の光学性能の変動によ る照明ムラを実験で求め、 この照明ムラを抑制するために必要な圧力制御データ を算出し、 これを圧力に対応して制御回路 4 0 2に記憶しておけばよい。
なお以上の各実施例では、 投影光学系 3 0 0も含めて光学性能の変動を抑制す るようにしたが、 所望の精度が得られるならば、 照明光学系 2 0 0の光学性能だ けを補償してもよい。 また、 露光光源として波長 1 9 3 n mの A r Fエキシマレ 一ザを使用した場合について説明したが、 Κ I- Fエキシマレーザなどその他の光 源であって、 照明光学系の筐体内や投影光学系の鏡筒内に不活性ガスを充填する 必要のある種々な投影露光装置に本発明を適用できる。
さらに、 投影光学系 3 0 0の鏡筒 L B内の圧力変動にともなう光学性能の変動 を光学性能調節用レンズュニッ ト 3 0 3で抑制する場合、 光学性能調節用レンズ ユニッ ト 3 0 3とは別に設けたレンズュニッ トにより大気圧力変動による投影光 学系の光学性能の変動を補償するようにしてもよい。 同様の趣旨で、 光学性能調 節用レンズュニヅ ト 2 1 0とは別に設けたレンズュニッ トにより大気圧力変動に よる照明光学系の光学性能の変動を補償するようにしてもよい。
(第 6の実施例)
第 1、 第 2、 第 4の実施例で説明した光学性能調節レンズユニッ ト 3 0 3を備 えた投影光学系 3 0 0について説明する。 これは、 レンズ 3 0 1に対して他のレ ンズ 3 0 3を移動させるようなものである。
まず、 この構成の背景について説明する。 レンズを他のレンズに対して移動さ せる場合に、 鏡筒の内部に供給した不活性ガスが漏れるおそれがある。 そのため、 一方のレンズを保持する保持部材と、 他方のレンズを保持する保持部材との間に、 ゴム系材料等からなるパッキンやガスケッ トを挟み込み、 両者の相対距離の変動 を吸収している。 しかしながら、 ゴム系材料等の弾性材料からなるパツキンゃガ スケッ トは、 ある程度以上の厚みがあると、 これを二つの保持部材で締め付けた ときに、 その厚さ方向だけでなく厚さ方向と直交する方向にも変形することがあ る。 すると、 二枚のレンズの位置関係が、 本来意図する位置関係に対し光軸と直 交する方向にズレてしまうことになり、 その結果、 調整部における調整が高精度 で行えないことがある。
さらに、 相対移動するレンズ間の空間を密封する構造を採用する場合、 調整の ため二枚のレンズを相対移動させると、 これら二枚のレンズ間の空間の容積が変 動してこの空間の気圧が変動する。 例えば二枚のレンズを近づける方向に移動さ せれば空間の気圧は高くなり、 逆に二枚のレンズを遠ざける方向に移動させれば 空間の気圧は低くなる。 このような圧力変動に起因して、 雰囲気の屈折率が変化 して結像位置が摇らいだり、 像の歪みが生じることがある。
したがって、 上述したパッキンやガスケッ トを有する光学性能調整用光学レン ズユニッ トでは、 投影露光装置における投影精度の低下を招き、 その結果、 パ夕 —ンの高精度での重ね合わせの実現の妨げとなっている。
そこで、 本実施例における投影光学系 3 0 0の詳細を図 6および図 7を参照し て説明する。 投影光学系 3 0 0以外は第 1の実施例と同一である。
図 6に示すように、 投影光学系 3 0 0は、 複数枚のレンズ、 すなわち光学素子 2 1と、 各レンズ 2 1を保持する保持部材 2 2と、 これらの保持部材 2 2を収め る筒状の鏡筒 2 3とから構成されている。 この投影光学系 3 0 0は、 レチクル R (図 1参照) を透過した露光光を複数のレンズ 2 1を介してウェハ W (図 1参照) 上で集光する。
各保持部材 2 2の中央部には、 保持部材 2 2の両側に連通する開口部 2 4が形 成されている。 この開口部 2 4は、 保持部材 2 2の一面側 (下面側) がレンズ 2 1よりも小径の小径部 2 4 aとされ、 他面側 (上面側) がレンズ 2 1よりも大径 の大径部 2 4 bとされている。 小径部 2 4 aと大径部 2 4 bの中間部にレンズ 2 1と略同径の段部 2 4 cが形成されている。 各保持部材 2 2は、 レンズ 2 1を、 その外周部が開口部 2 4の段部 2 4 cにはめ込まれることによって保持する。 保持部材 2 2には、 開口部 2 4の小径部 2 4 aの外周側に、 保持部材 2 2の一 面側と、 大径部 2 4 bが形成されている他面側とを連通する複数の連通孔 2 5が 形成されている。
鏡筒 2 3は、 例えば下部鏡筒 2 3 Aと、 上部鏡筒 2 3 Bと、 上蓋 2 3 Cの 3つ の部材から構成されている。 下部鏡筒 2 3 A, 上部鏡筒 2 3 Bは、 それぞれその 内周面 2 6が保持部材 2 2の外径と略同寸の内径を有している。 下部鏡筒 2 3 A , 上部鏡筒 2 3 Bの下端部には、 保持部材 2 2の外径よりも小径の開口部 2 7が形 成されている。 この開口部 2 7により、 下部鏡筒 2 3 A , 上部鏡筒 2 3 Bの下端 部には、 収納した保持部材 2 2を保持するための保持部 2 8が形成されている。 これら下部鏡筒 2 3 Aと上部鏡筒 2 3 Bとの間には、 これらの相対位置を調整 する調整部 3 0が備えられている。 調整部 3 0は、 下部鏡筒 2 3 Aの上端部に形 成されたフランジ 3 1と上部鏡筒 2 3 Bの下端部に形成されたフランジ 3 2との 間に介在されている付勢部材 3 4と、 下部鏡筒 2 3 Aと上部鏡筒 2 3 Bとの間の 間隔を変更する複数の調整ねじ 3 3とを含む。 調整ねじ 3 3は、 フランジ 3 2に 回転自在に支持されて、 その先端部に形成されたねじ部がフランジ 3 1に螺合し ている。 付勢部材 3 4は、 例えば、 フランジ 3 1とフランジ 3 2との間に圧縮状 態で介装された、 鏡筒 2 3とほぼ同径のコイルパネを含み、 これにより下部鏡筒 2 3 Aと上部鏡筒 2 3 Bとを互いに離間する方向に付勢する。 なお、 調整ねじ 3 3はフランジ周方向に等角度間隔でたとえば 3本設けられる。
このような調整部 3 0により、 調整ねじ 3 3を回すことによって、 フランジ 3 1とフランジ 3 2との相対位置、 すなわち下部鏡筒 2 3 Aと上部鏡筒 2 3 Bとの 相対位置が変位する。 つまり、 調整ねじ 3 3を締め付ければ下部鏡筒 2 3 Aと上 部鏡筒 2 3 Bとが接近する方向に相対移動し、 逆に緩めれば下部鏡筒 2 3 Aと上 部鏡筒 2 3 Bとが離間する方向に相対移動する。 これにより、 下部鏡筒 2 3 Aの 最上部のレンズ 2 1 Dと、 上部鏡筒 2 3 Bの最下部のレンズ 2 1 Cとの位置関係 が調整される。 なお、 図 6において、 投影光学系 3 0 0を構成する複数枚のレン ズ 2 1を最上部から最下部に向けて、 レンズ 2 1 A , 2 1 B , 2 1 C……と付し ている。
これら下部鏡筒 2 3 Aと上部鏡筒 2 3 Bとの間の調整部 3 0にはシール部 3 5 が備えられている。 シール部 3 5は、 下部鏡筒 2 3 Aの最上部に収められた保持 部材 2 2の上面に設けられた下部リング 3 6と、 上部鏡筒 2 3 Bの下端部の開口 部 2 7に取り付けられた上部リング、 すなわち凸部 3 7と、 これら下部リング 3 6および上部りング 3 7間に介装されたシール材、 すなわち充填材 3 8とから構 成されている。 下部リング 3 6は、 略 U字状の断面形状であり、 その上面側に溝、 すなわち凹部 3 9が形成されている。 溝 3 9は、 上部リング 3 7と略同径を有し、 かつその幅は上部リング 3 7の厚さよりも所定寸法大きく設定されている。 シ一 ル材 3 8には、 例えばフッ素グリースやフッ素樹脂のゲル状のもの等のように、 粘性材料であり、 かつ光化学反応に対して不活性な性質を有する不活性グリス等 が用いられており、 このシール材 3 8は下部リング 3 6の溝 3 9内に充填されて いる。 このシール材 3 8に上部リング 3 7の下端部が挿入されることにより、 溝 3 9の内側面と上部リング 3 7の外側面との間にシール材 3 8が介在することと なり、 レンズ室 (空間) 内外の連通が遮断されて調整部 3 0でシール性が発揮さ れる。
上部鏡筒 2 3 Bの上端部と、 その上方に配置された上蓋 2 3 Cとの間にも、 調 整部 3 0と同様の構造を有する調整部 4 0が設けられている。 調整部 4 0は、 上 部鏡筒 2 3 Bの上端部に形成されたフランジ 4 1と上蓋 2 3 Cの外周部との間に 備えられた複数の調整ねじ 3 3と複数の付勢部材 3 4とから構成されている。 そ して、 調整ねじ 3 3を回すことによって上部鏡筒 2 3 Bと上蓋 2 3 Cの相対位置 が変位し、 付勢部材 3 4によって上部鏡筒 2 3 Bと上蓋 2 3 Cとが互いに離間す る方向に付勢される。 この調整部 4 0により、 上部鏡筒 2 3 Bと上蓋 2 3 Cの相 対位置を変位させることによって、 上部鏡筒 2 3 Bの最上部のレンズ 2 1 Bと、 上蓋 2 3 Cに装着されたレンズ 2 1 Aとの位置関係が調整される。
上蓋 2 3 Cには、 中央部にレンズ 2 1 Aを保持するための段部 4 2 aを有する 開口部 4 2が形成され、 その外周側には連通孔 4 3が形成されている。 上蓋 2 3 Cは保持部材 2 2と等価な部材である。
調整部 4 0には、 シール部 3 5と同様のシール部 4 5が備えられている。 シ一 ル部 4 5は、 上部鏡筒 2 3 Bの最上部に収められた保持部材 2 2の上面に設けら れた下部リング 3 6と、 上蓋 2 3 Cの下面に取り付けられた断面略 L字状の上部 リング、 すなわち凸部 4 7と、 これら下部リング 3 6および上部リング 4 7間に 介装されたシール材 3 8とから構成されている。 下部リング 3 6の溝 3 9内に充 填されたシール材 3 8に上部リング 4 7の下端部が挿入されることにより、 溝 3 9の内側面と上部リング 4 7の外側面との間にシール材 3 8が介在することとな り、 レンズ室 (空間) 内外の連通が遮断されて調整部 4 0でシール性が発揮され o
このような投影光学系 3 0 0では、 鏡筒 2 3内に収められた複数の保持部材 2 2にそれぞれ連通孔 2 5が形成されているので、 互いに上下に位置する例えば 2 枚のレンズ 2 1 Aと 2 1 B間の空間 S 1とレンズ 2 1 Cと 2 1 D間の空間 S 3と は互いに連通している。 投影光学系 3 0 0の上端部において、 鏡筒 2 3の上蓋 2 3 Cに形成された連通孔 4 3の一つには、 例えば窒素ガスやヘリウムガス等の光 化学反応に対して不活性なガスを供給する供給管 5 0を介して図示しない気体供 給装置が接続され、 他の連通孔 4 3にはこれを塞ぐ密封プラグ 5 1が装着されて いる。 一方、 投影光学系 3 0 0の下端部において開口部 2 7に臨むレンズ 2 1の 保持部材 2 2には、 一つの連通孔 2 5に排出管 5 2を介して図示しない気体排出 装置が接続され、 他の連通孔 2 5には密封プラグ 5 1が装着されている。 鏡筒 2 3内には供給管 5 0から不活性ガスが送り込まれ、 この不活性ガスは各保持部材 2 2の連通孔 2 5を通って各空間 Sに供給され、 排出管 5 2から排出される。 こ れにより、 投影光学系 3 0 0においては、 鏡筒 2 3における露光光の光路雰囲気 が不活性ガスに置換され、 不活性ガスが循環される。
このような投影光学系 3 0 0において、 露光光の焦点や倍率を調整するときに は、 調整部 3 0の調整ねじ 3 3を回すことにより、 調整部 3 0の上下にそれぞれ 位置する 2枚のレンズ 2 1 Aと 2 1 Bの位置関係を調整し、 調整部 4 0の調整ね じ 3 3を回すことにより、 調整部 4 0の上下にそれぞれ位置する 2枚のレンズ 2 1 C, 2 1 Dの位置関係を調整する。 調整ねじ 3 3を回すと、 シール部 3 5 , 4 5においては、 下部リング 3 6と、 上部リング 3 7あるいは 4 7とが上下方向に 相対変位する。 これらの間に介装されたシール材 3 8は不活性グリスであるので、 パヅキンやガスケヅ トのように弾性変形するわけではなく、 下部リング 3 6の溝 3 9の側面と上部リング 3 7 , 4 7の側面との間に介在した状態を保ったまま留 まる。 したがって、 下部リング 3 6と、 上部リング 3 7あるいは 4 7との間、 す なわち調整部 3 0, 4 0におけるシール性が保持される。
このような投影光学系 3 0 0を有する投影露光装置では、 図 1に示すように、 光源 1 0 0から射出された露光光は送光系, 照明光学系 2 0 0を介してレチクル Rを照射し、 レチクル Rに形成された回路パターンの像が投影光学系 3 0 0を介 して、 ウェハ Wの所定の露光領域に投影露光される。 そして、 当該露光領域への パターンの像の投影露光が完了した後、 ステージ装置 W Sによりウェハ Wが所定 の位置まで移動されて位置決めされ、 次の露光領域へのパターンの像の投影露光 が行われる。 このようにして、 ウェハ Wの移動 '位置決めと、 パターンの像の投 影露光とを順次繰り返す、 いわゆるステップ ·アンド · リピ一ト方式によりゥェ ハ W全体へのパターンの像の投影露光が行われる。
上述したように、 投影露光装置では、 照明光学系 2 0 0の笙体 C A内、 および 投影光学系 3 0 0の鏡筒 2 3内は不活性ガスで置換されている。 これにより、 光 源 1 0 0からウェハ Wに至るまで露光光は不活性ガス雰囲気中を通過する。 した がって、 露光光が空気と光化学反応を起こすことによって発生するオゾンの発生 を防止することができる。 その結果、 環境を損なったり、 露光光の光利用効率 ( 透過率) を低下させることもなく、 さらにレンズ 2 1やミラ一等の光学素子表面 に白濁を生じさせることも防ぐことができるので、 投影露光装置の性能を安定し て発揮させることができる。
この投影光学系 3 0 0では、 露光光の光路の雰囲気を不活性ガスに置換するだ けでなく、 不活性ガスを鏡筒 2 3内から回収して循環させることができ、 不活性 ガスを無駄なく効率的に利用することができる。 また、 例えば、 A r Fエキシマ レーザを露光光として使用する場合、 鏡筒 2 3内を不活性ガスに置換しても、 レ ンズ 2 1を保持部材 2 2に固定する接着剤または充填材、 あるいは鏡筒 2 3の内 壁から発生する異物、 例えば水、 ハイ ドロカ一ボン、 これら以外の露光光を拡散 する物質などがレンズ 2 1に付着したり、 光路内に浮遊することで、 投影光学系 3 0 0の透過率が変動するという問題が生じる。 しかしながら、 前述したように 不活性ガスを鏡筒 2 3から回収することで、 投影光学系 3 0 0の透過率の変動を 最小限に抑えることが可能となる。
なお、 投影光学系 3 0 0の最上部の空間 S 1に不活性ガスを供給すれば、 連通 孔 2 5 , 2 5 , …を通して他の複数の空間 S 2 , S 3 , S 4 , …に不活性ガスが 供給され、 投影光学系 3 0 0の全体において、 露光光の光路雰囲気を不活性ガス に置換することができる。 この場合、 光軸が鉛直方向 (重力方向) に沿って配置 される投影光学系では、 その最下部の空間から不活性ガスを供給することが好ま しく、 さらに鏡筒 2 3から不活性ガスを回収するときは、 その最上部の空間 S 1 から不活性ガスを排気することが望ましい。
上述した投影露光装置において、 レンズ 2 1 Aと 2 1 Bおよびレンズ 2 1 Cと 2 1 Dのレンズ間距離を調整部 3 0および 4 0においてそれぞれ調整を行っても、 シール材 3 8は粘性材料であるため、 シール材 3 8が下部リング 3 6の溝 3 9の 側面と上部リング 3 7, 4 7の側面との間に介在した状態を保ったまま留まり、 レンズ室 S l、 S 2…の内部を封止することができる。 しかも、 下部リング 3 6 と上部リング 3 7 , 4 7とが光軸方向に相対変位しても、 これにシールざい 3 8 は追従して容易に変形することができ、 下部リング 3 6と上部リング 3 7 , 4 7 との光軸と直交する方向の位置関係をずらすような反力は発揮しない。 したがつ て、 調整によって調整部 3 0 , 4 0のレンズ 2 1 Aと 2 1 Bの位置関係あるいは 2 1 Cと 2 1 Dの位置関係がズレることはなく、 高い精度で調整を行うことが可 能となる。 この結果、 投影露光装置における結像精度の低下、 すなわち投影光学 系 3 0 0の焦点位置、 倍率、 およびザイデルの五収差などの変動、 テレセントリ シティや像コントラストなどの低下を招くことなく、 ウェハ上における高い精度 でのパターンの重ね合わせを実現することができる。
また、 調整部 3 0, 4 0での調整により空間 S 3, S 1の容積が変動しても、 空間 S 3が空間 S 4に、 空間 S 1が空間 S 2にそれぞれ連通しているので、 空間 S 1〜S 4とはすべて同じ気圧に保たれる。 これによつても、 調整部 3 0 , 4 0 での調整により投影露光装置 1 1の投影精度が低下することを防止し、 高い精度 でパターンの重ね合わせを実現できる。
上述した投影露光装置 1 1の調整部 3 0に代えて、 レンズ 2 1 Cと 2 1 Eとの 間隔を変化させることなく、 レンズ 2 1 Dのみがレンズ 2 1 C , 2 1 Eに対して それぞれ相対移動するように構成することもできる。 同様に、 調整部 4 0に代え て、 レンズ 2 1 Aと 2 1 Cの間隔を変化させることなく、 レンズ 2 1 Bのみがレ ンズ 2 1 A , 2 1 Cに対して相対移動するように構成してもよい。
なお、 上記実施例において、 調整部 3 0 , 4 0にシール部 3 5, 4 5を備える 構成としたが、 シール部 3 5 , 4 5に代えて、 例えば図 7に示すようなシール部 としても良い。
図 7に示すように、 調整部 3 0に備えられたシール部 5 5は、 下部鏡筒 2 3 A の上端部のフランジ 3 1と、 上部鏡筒部 2 3 Bの下端部のフランジ 3 2との外周 面側に設けられた、 例えばゴム製の筒状部材 5 6から構成される。 同様に、 調整 部 4 0に備えられたシール部 5 7も、 上部鏡筒部 2 3 Bの上端部のフランジ 4 1 と、 上蓋 2 3 Cとの外周面側に設けられた、 例えばゴム製の筒状部材 5 8から構 成される。 このようなシール部構造においては、 光学素子の間隔を調整するとき 筒状部材 5 6 , 5 8が光軸方向に伸縮する。
また、 投影光学系全体を不活性ガスが充填されたチャンバ内に収容すれば、 シ ール部 3 5 , 4 5, 5 5, 5 7を省略しても良い。 このような場合、 このチャン バ内が気体室となり、 この気体室と鏡筒 2 3の内部とが上蓋 2 3 Cの連通孔 4 3 を介して連通される。
上記実施例では、 空間 S 3を、 レンズ 2 1 Dを挟んで反対側に位置する空間 S 4に連通孔 2 5を介して連通させ、 空間 S 1を、 レンズ 2 1 Bを挟んで反対側に 位置する空間 S 2に連通孔 2 5を介して連通させた。 しかしながら、 レンズ間隔 を変更する際のレンズ室内の圧力変動を次のように防止してもよい。 すなわち、 連通孔ではなく連通パイプにより空間 S 3を空間 S 4以外の空間 Sに、 および空 間 S 1を空間 S 2以外の空間 Sに接続してもよい。 あるいは、 投影光学系 3 0 0 とは別設された、 不活性ガスが充填された容器に、 空間 S 3や S 1を連通させて もよい。 この場合、 上記容器に空間 S 1と S 2、 あるいは空間 S 3と S 4を連通 させる。
上記実施例においては、 投影光学系 3 0 0の鏡筒 2 3に供給管 5 0を配設し、 この供給管 5 0から不活性ガスを供給する構成としたが、 レチクル Rも不活性ガ スが充填された筐体内に収容する場合には、 その筐体に鏡筒 2 3を一体に接続す る構造とすることができる。 この構造では、 供給管 5 0を廃し、 レチクル筐体と 連通孔 4 3を介して鏡筒 2 3と連結してレチクル筒体から鏡筒 2 3に不活性ガス を供給する構成としても良い。
排出管 5 2を廃して、 鏡筒 2 3の下端部の開口部 2 7から不活性ガスを排出す るようにすることも可能である。
上記実施例では、 本発明を投影光学系 3 0 0に適用する構成としたが、 照明光 学系 2 0 0や送光系等の他の部分にも適用できる。 すなわち、 レンズやミラー等 の二つの光学素子が相対移動する箇所であれば、 本発明を上記と同様に適用する ことが可能である。 例えば、 図 1に示すォプチカルインテグレ一夕としてのフラ ィアイレンズ 2 0 4を照明光学系の光軸方向に移動することにより、 ォプチカル ィンテグレ一夕 2 0 4と、 それを挟んで配置される 2つの光学素子の各々との間 隔を変化させて、 レクチル R上での露光光の照度分布を調整する照明光学系に対 しても、 本発明は有効である。
また、 図 6に示した投影光学系 3 0 0では、 調整部 3 0によってレンズ 2 1 C を移動すると、 それに伴ってレンズ 2 1 Cに積み重ねられるレンズ 2 1 A、 2 1 Bも移動することになる。 しかしながら、 レンズ 2 1を駆動する機構はこの構成 に限定されるものではなく、 例えばレンズ 2 1 Cの保持部材に、 レンズ 2 1 A、 2 1 Bの保持部材を積み重ねないようにし、 調整部 3 0によってレンズ 2 1 Cの 保持部材を駆動しても、 レンズ 2 1 A、 2 1 Bが移動しない構成としてもよい。 調整ねじ 3 3の代わりに、 例えばフランジ周方向に等角度間隔で設けられた 3 つの圧電素子 (ビエゾ素子など) でレンズ (またはその保持部材) を支持して移 動させるように構成してもよい。 また、 前述したように移動可能に構成されるレ ンズ 2 1の数を増やして、 投影光学系 3 0 0の焦点位置、 倍率、 歪曲収差、 非点 収差、 像面湾曲、 コマ収差、 および球面収差の少なく とも 3つを調整可能に構成 してもよい。
投影光学系 3 0 0には、 偏心コマ収差を補正するために、 ウェハ W側に配置さ れる傾斜可能な平行平面板が設けられており、 この平行平面板の駆動機構に対し ても本発明を適用することができる。 (第 7の実施例)
投影光学系内に設けられた空間内の圧力を制御する第 7の実施例について説明 する。 図 8には、 本実施例に係る露光装置 4 1 0の構成が概略的に示されている。 この露光装置 4 1 0は、 マスクとしてのレチクル R上に形成されたパターンを、 ステップ ·アンド ·スキャン方式により露光対象物としてのウェハ W上のショヅ ト領域に投影光学系 P Lを介して転写する走査型の投影露光装置 (いわゆるスキ ャニング ·ステツパ) である。
この露光装置 4 1 0は、 光源を含み照明ビームとしての露光光 E Lをレチクル Rに照射する照明系 4 1 2と、 レチクル Rが載置されるレチクルステージ R S T と、 レチクル Rに形成されたパターン P Aをウェハ W上に投影する投影光学系 P と、 投影光学系 P L内に設けられた所定の気密室、 すなわち密閉された空間 4 4 0内部の圧力を増減するレンズコントローラと呼ばれる圧力調整器 L Cと、 ゥ ェハ Wが載置されるウェハステージ W S Tと、 これらの制御系等とを備えている c 照明系 4 1 2は、 光源、 すなわち A r Fエキシマレーザ、 光の光路の開閉を行 うシャツ夕ゃォプチカルインテグレー夕、 すなわちフライアイレンズを含む照明 光学系、 照明系開口絞り板 (レボルバ) 、 照明光の照明フィールドを制限するブ ラインドを含んでいる。 照明光学系では、 露光光の一様化やスペックルの低減等 が行われる。 このようにして照明系 4 1 2からの露光光、 すなわち照明ビーム E Lは、 次に述べるレチクルステージ R S T上に載置されたレチクル Rに対して、 均一かつ、 所定の照明条件にて照射される。
レチクルステージ R S T上には、 所定のパターン P Aが形成されたレチクル R が載置され、 このレチクル Rは不図示のレチクルホルダにより保持されている。 レチクルステージ R S Tは、 リ二ァモ一夕等から成るレチクルステージ駆動系 4 1 4によって所定の走査方向 (ここでは Y方向) に所定のストロークで駆動され るとともに、 X Y面内で微動可能とされている。 このレチクルステージ R S丁の X Y面内の位置は、 レチクルレーザ干渉計 4 1 6によって所定の分解能、 例えば 0 . 5〜 1 n m程度の分解能で常時検出され、 この計測値は装置全体を統括制御 する主制御部 4 2 2に供給されている。 この投影光学系 P L内の光路部分には、 複数のレンズエレメントを含む密封さ れていない空間部 4 2 6、 4 2 8とレンズエレメント間に設けられた気密室 4 4 0とが設けられている。 気密室 4 4 0は、 その内部の気体圧力を調整して投影倍 率 (あるいは対称ディストーション) 等の結像特性を調整するためのものである。 上記の空間部 4 2 6 , 4 2 8および気密室 4 4 0内には、 後述するようにして窒 素ガス (N 2 ) が充填されており、 これによつて後述する露光時に露光光 (A r Fレーザ光) が照射されても投影光学系 P L内にオゾンが発生しないようになつ ている。
なお、 上記の空間部 4 2 6、 4 2 8および気密室 4 4 0内に対する窒素ガス充 填のための配管系の構成および窒素ガスの充填方法、 および圧力調整器 L Cの構 成については、 後で詳述する。
ウェハステージ W S Tは、 投影光学系 P Lの下方に配置され、 水平面 (X Y面) 内を 2次元移動可能な X Yステージ 4 6 6と、 この X Yステージ 4 6 6上に搭載 され、 光軸方向 (Z軸方向) に微動可能な Zステージ 4 7 6とを備えている。 こ の Zステージ 4 7 6上に不図示のウェハホルダを介して基板、 すなわちウェハ W が吸着保持されており、 Zステージ 4 7 6は、 駆動系によって光軸方向に微小駆 動される。 また、 X Yステージ 4 6 6は、 平面モ一夕等によって X Y 2次元方向 に駆動される。 すなわち、 ウェハ Wは、 Zステージ 4 7 6の駆動系、 および X Y ステージを駆動する平面モー夕等によって 3次元方向に駆動されるが、 図 8では これらの駆動系が代表的にウェハ駆動装置 4 7 4として示されている。
X Yステージ 4 6 6の位置は、 当該 X Yステージ 4 6 6上、 または Zステージ 4 7 6上に固定された移動鏡 4 7 1を介して外部のウェハレーザ干渉計 4 7 2に より所定の分解能、 例えば 0 . 5〜 1 n m程度の分解能で常時検出されるように なっている。 このウェハレーザ干渉計 4 7 2の計測値が主制御部 4 2 2に供給さ れる。
Zステージ 4 7 6上には、 いわゆるべ一スライン計測用の基準マークその他の 基準マークが形成された基準マーク板 F Mが固定され、 この基準マーク板 F Mは その表面がウェハ W面とほぼ同一高さとされている。
本実施例では、 投影光学系 P Lの下部の側方に、 ウェハ W上のァライメントマ —ク、 すなわち位置合わせマークあるいは基準マーク板 F M上の基準マ一クを検 出するオファクシス 'ァライメント顕微鏡 A L Gが設けられている。 このァライ メント顕微鏡 A L Gとしては、 画像処理方式の結像式ァライメントセンサが用い られる。 このァライメント顕微鏡 A L Gの計測値も主制御部 4 2 2に供給される。 この他、 この露光装置 4 1 0では、 投影光学系 P Lの焦点位置にウェハ Wの被 露光面を位置合わせするため、 ウェハ W表面の光軸方向 (Z軸方向) の位置を検 出する、 いわゆる斜入射光式の焦点検出機構 (図示省略) が設けられている。 次に、 本実施例の特徴的な構成部分である投影光学系 P Lの空間部 4 2 6、 4 2 8および気密室 4 4 0内に対する窒素ガス充填のための配管系、 並びに圧力調 整器 L Cの構成等について、 図 8および図 9に基づいて詳述する。
図 9には、 窒素ガス (N 2 ) を投影光学系 P L内に供給するためのガス供給シ ステムの構成が概略的に示されている。 このガス供給システムは、 窒素ガスの供 給源である不図示の窒素ガスタンクに配管系を介して順次接続された電磁弁 4 1 8、 手動バルブ 4 2 0、 第 1レギユレ一夕 4 2 4、 流量計 4 3 0、 フィルタュニ ヅ ト 4 3 2、 ノ ヅファタンク 4 3 4、 分配器 4 3 6から成るガス供給装置 4 3 8 を備えている。
この内、 電磁弁 4 1 8および手動バルブ 4 2 0は、 不図示の窒素ガスタンクか らガス供給装置 4 3 8内へのガスの流入を許可 ·遮断するためのバルブである。 第 1レギユレ一夕 4 2 4は、 当該ガス供給装置 4 3 8から後述する第 1〜第 3供 給管に供給する窒素ガスの供給圧を設定するためのものである。 この第 1 レギュ レー夕 4 2 4の近傍には、 図示は省略したが、 該第 1 レギユレ一夕 4 2 4近傍の 配管系内の内圧 (ガス圧力) を検出する圧力センサおよびこの圧力センサの検出 値を表示する圧カメ一夕が設けられている。
フィル夕ユニッ ト 4 3 2は、 U L P Aフィル夕 (ultra low penetration air- filter) あるいは H E P Aフィル夕 (high efficiency particulate air-filter) 等のエア一フィルタや、 ケミカルフィル夕等を含む。 ここで、 ケミカルフィル夕 を用いるのは、 主として投影光学系 P Lを構成するレンズ素子等を曇らせる曇り 物質のもととなる不純物を除去するためである。
バッファタンク 4 3 4は、 投影光学系 P L内部に送り込まれる窒素ガスの温度 を、 ガス置換前の投影光学系 P Lの内部の空気の温度とほぼ同一温度に温度調整 するため、 一時的に窒素ガスを貯蔵するためのものである。 従って、 このバヅフ ァタンク 4 3 4には温度調整装置 4 3 5が付設されている。 この温度調整の目標 温度は、 露光装置 4 1 0が収納されるチャンバ内の温度、 すなわち該チャンバが 設置されるクリーンルーム内の温度とほぼ同一温度に設定される。
分配器 4 3 6は、 温度調整された窒素ガスを、 投影光学系 P L内の 3つの空間、 すなわち中央の気密室 4 4 0、 上下の密閉されていない空間部 4 2 6、 4 2 8に 分配するためのもので、 この分配器 4 3 6の吐出側には、 3つの流量調整弁 4 3 7 A , 4 3 7 B , 4 3 7 Cが設けられている。
流量調整弁 4 3 7 A , 4 3 7 B , 4 3 7 Cには、 それぞれ供給路としての第 1 供給管 4 5 8、 第 2供給管 4 6 0、 第 3供給管 4 6 2の一端が接続されている。 この内、 第 1供給管 4 5 8の他端は、 投影光学系 P L上部の空間部 4 2 6に接続 されている。 この空間部 4 2 6の第 1供給管 4 5 8と反対側には、 排気管 4 6 4 が接続されている。 これを更に詳述すると、 空間部 4 2 6には、 図 8に示される ように、 開口部 4 2 6 a, 4 2 6 bが異なる高さ位置に形成されている。 これは、 空間部 4 2 6内部に供給されるガスに対する比重に応じて空気が空間部の上方に 滞留しないように効率良く外部に排出するためである。 本実施例では供給される ガスは、 窒素ガスであるから空気と比重は殆ど同じであるため必ずしもこのよう にする必要はないが、 例えば空間部 4 2 6の内部にヘリウムガス (H e ) 等を供 給する場合等には、 特に有効となる。 そして、 空間部 4 2 6の一方の開口部 4 2 6 aに第 1供給管 4 5 8が接続され、 他方の開口部 4 2 6 bには、 排気路の一部 を成し排気本管 7 0に連通する排気管 4 6 4が接続されている。 また、 図 8およ び図 9に示されるように、 第 1供給管 4 5 8の開口部 4 2 6 a近傍には、 圧力検 出系、 すなわち差圧センサ 4 6 8が設けられている。 この差圧センサ 4 6 8は、 大気圧、 すなわちチャンバ内の圧力と第 1供給管 4 5 8内の圧力 (空間部 4 2 6 内の圧力とほぼ同じ) との差圧を検出することにより、 空間部 4 2 6の圧力を大 気圧基準で検出するものである。
第 1供給管 4 5 8の差圧センサ 4 6 8が設けられた部分の少し上流側の位置に は、 排気本管 4 7 0に連通する分岐路、 すなわち第 1分岐管 4 7 8が設けられて おり、 この第 1分岐管 4 7 8には、 開閉器としての電磁弁 4 8 0が設けられてい る o
一方、 排気管 4 6 4の開口部 4 2 6 b近傍には、 図 9に示されるように、 第 1 の酸素センサ 4 8 2が設けられている。
上記と同様に、 投影光学系 P L下部の空間部 4 2 8には、 図 8に示されるよう に、 開口部 4 2 8 a、 4 2 8 bが異なる高さ位置に形成されており、 一方の開口 部 4 2 8 aに前述した第 3供給管 4 6 2の他端が接続されている。 また、 図 9に 示されるように、 第 3供給管 4 6 2の開口部 4 2 8 a近傍には、 大気圧すなわち チャンバ内の圧力と第 3供給管 4 6 2内の圧力 (空間部 4 2 8内の圧力とほぼ同 じ) との差圧を検出することにより、 空間部 4 2 8内の圧力を大気圧基準で検出 する圧力検出系すなわち差圧センサ 4 8 4が設けられている。 また、 第 3供給管 4 6 2の差圧センサ 4 8 4が設けられた部分の少し上流側の位置には、 排気本管 4 7 0に連通する分岐路、 すなわち第 3分岐管 4 8 6が設けられており、 この第 3分岐管 4 8 6に、 開閉器としての電磁弁 4 8 8が設けられている。
空間部 4 2 8の他方の開口部 4 2 8 bには、 排気路の一部を成し排気本管 4 7 0に連通する排気管 4 9 0が接続されており、 この排気管 4 9 0の開口部 4 2 8 b近傍に第 3の酸素センサ 4 9 2が設けられている。
第 2供給管 4 6 0の他端側は、 圧力調整機構 4 9 4を介して投影光学系 P Lの 気密室 4 4 0に接続されている。 第 2供給管 4 6 0の圧力調整機構 4 9 4より上 流側の部分には、 圧力設定器、 すなわち第 2レギユレ一夕 4 9 6が設けられてい o
圧力調整機構 4 9 4は、 第 2レギユレ一夕 4 9 6の下流側に設けられた電磁弁 4 9 8と、 この電磁弁 4 9 8の下流側に設けられた圧力調整器 L Cと、 電磁弁 4 9 8と圧力調整器 L Cとの間の位置で分岐された分岐路、 すなわち第 2分岐管 4 9 9上に設けられた開閉器、 すなわち電磁弁 4 9 7とを備えている。
圧力調整器 L Cは、 図 8に示されるように、 気密室 4 4 0に一端が接続された 配管 4 4 2 (この配管 4 4 2は供給路の一部を構成する) の他端側に接続された ベローズポンプ 4 4 6と、 配管 4 4 2の途中に設けられた電磁弁 4 4 8およびこ の電磁弁 4 4 8の下流側に設けられた圧力検出系、 すなわち差圧センサ 4 5 6と、 配管 4 4 2の電磁弁 4 4 8の上流側で分岐された分岐管 4 4 3上に設けられた電 磁弁 4 5 2とを備えている。 この電磁弁 4 5 2を介して第 2供給管 6 0の窒素ガ スが供給される。
気密室 4 4 0の排気側には、 図 8および図 9に示されるように、 排気本管 4 7 0に連通し排気路の一部を成す排気管 4 4 4が接続されている。 この排気管 4 4 4上に排気路開閉器、 すなわち電磁弁 4 5 0が設けられ、 この電磁弁 4 5 0の気 密室 4 4 0側に第 2の酸素センサ 4 5 4が設けられている。
排気本管 4 7 0の第 1、 第 2、 第 3分岐管 4 7 8、 4 9 9 、 4 8 6が接続され た位置の下流側の位置には、 逆止弁付き電磁弁 4 9 5が設けられている。
上述のようにして構成されたガス供給システムの構成要素である各種センサ類 の計測値は、 ワークステーション (あるいはマイクロコンピュータ) から成る図 8の主制御部 4 2 2に供給される。 主制御部 4 2 2は、 これらの計測値に基づい てガス供給システムを構成する各電磁弁、 ベローズポンプ等を後述するようにし て制御する。
上述のようにして構成された露光装置 4 1 0の投影光学系 P L内の空気を窒素 ガスに置換する際の手順について簡単に説明する。
手動バルブ 4 2 0は手動で予め開かれている。 主制御部 4 2 2により電磁弁 4 1 8を開成する。 第 1レギユレ一夕 4 2 4の設定圧力はあらかじめ、 例えば 3 k g / c m2に設定され、 不図示の窒素ガスタンクから 3 k g / c m2の窒素ガスを ノ 'ヅ フ ァタンク 4 3 4内に供給する。 このとき、 流量調整弁 4 3 7 A〜 4 3 7 C は閉成状態であり、 所定時間経過後、 分配器 4 3 6内に所定温度に温度調整され た窒素ガスが充填される。
主制御部 4 2 2は、 供給側の電磁弁 4 9 8、 圧力調整器 L C内の電磁弁 4 4 8、 4 5 2および排気側の電磁弁 4 5 0を開成する。 これと同時に、 主制御部 4 2 2 は、 流量調整弁 4 3 7 A〜 4 3 7 Cを開成する。 第 2レギユレ一夕 4 9 6はあら かじめ、 例えば 2 . 5 k g / c m2に設定されており、 供給管 4 6 0におけるガ ス供給圧力は第 1の値である 2 . 5 k g / c m2に調整される。
このようにして、 ガス供給装置 4 3 8、 具体的には分配器 4 3 6から第 1〜第 3供給管 4 5 8、 4 6 0、 4 6 2を介して窒素ガスの供給が投影光学系 P Lの空 間部 4 2 6、 気密室 4 4 0、 空間部 4 2 8に対し開始される。
窒素ガスの供給中、 主制御部 4 2 2は、 第 1〜第 3の酸素センサ 4 8 2 , 4 5 4、 4 9 2の計測値、 すなわち排気管 4 6 4、 4 4 4、 4 9 0内の酸素ガス濃度 をモニタする。 このとき、 主制御部 4 2 2は、 差圧センサ 4 6 8、 4 5 6、 4 8 4の計測値もモニタする。 空間部 4 2 6、 気密室 4 4 0、 空間部 4 2 8内部の空 気が窒素ガスに置換されている間、 主制御部 4 2 2は、 第 1〜第 3の酸素センサ 4 8 2、 4 5 4、 4 9 2が検出する酸素濃度が、 それぞれ所定のしきい値、 例え ば 1 %以下になるのを待つ。 主制御部 4 2 2は、 例えば酸素センサ 4 8 2が検出 する酸素濃度が 1 %以下になると、 空間部 4 2 6内の窒素ガスの置換が終了し、 空間部 4 2 6内に窒素ガスが充填されたものと判断してその旨を不図示の表示装 置上に表示する。 但し、 窒素ガスの置換中に、 差圧センサ 4 6 8の検出値が所定 値以上になったとき (第 1供給管 4 5 8内のガス圧力と大気圧との差が所定値以 上になったとき) は、 主制御部 4 2 2は、 差圧センサ 4 6 8の検出値が所定値未 満になるまで第 1分岐管 4 7 8を開閉する電磁弁 4 8 0を開成する。 これにより、 余分な窒素ガスが第 1分岐管 4 7 8を介して逃がされ、 空間部 4 2 6への窒素ガ スの供給中に異常に高い圧力が空間部 4 2 6部分にあるレンズエレメントに作用 するという事態を回避することができる。
同様に、 主制御部 4 2 2は、 酸素センサ 4 9 2が検出する酸素濃度が 1 %以下 になると、 空間部 4 2 8内の窒素ガスの置換が終了し、 空間部 4 2 8内に窒素ガ スが充填されたものと判断してその旨を不図示の表示装置上に表示する。 上述と 同様に、 窒素ガスの置換中に、 差圧センサ 4 8 4の検出値が所定値以上になった とき (第 3供給管 4 6 2内のガス圧力と大気圧との差が所定値以上になったとき〕 、 主制御部 4 2 2は、 差圧センサ 4 8 4の検出値が所定値未満になるまで第 3分 岐管 4 8 6を開閉する電磁弁 4 8 8を開成して、 空間部 4 2 8への窒素ガスの供 給中に異常に高い圧力が空間部 4 2 8部分にあるレンズエレメントに作用すると いう事態を回避する。
上記の窒素ガス置換が終了とする、 流量調整弁 4 3 7 A、 4 3 7 Cはともに開 成状態のままとなり、 常時、 空間部 4 2 6、 4 2 8内には窒素ガスが供給される c 従って、 主制御部 4 2 2は、 差圧センサ 4 6 8、 4 8 4の検出値を常時モニタし て、 適宜電磁弁 4 8 0、 4 8 8を開閉制御することによって、 異常に高い圧力が 空間部 4 2 6 , 4 2 8部分にあるレンズエレメン卜に作用しないようにすること が望ましい。
一方、 主制御部 4 2 2は、 酸素センサ 4 5 4が検出する酸素濃度が 1 %以下に なると、 気密室 4 4 0内の窒素ガスの置換が終了し、 気密室 4 4 0内に窒素ガス が充填されたものと判断して、 その旨を不図示の表示装置上に表示する。 これと 同時に、 主制御部 4 2 2は、 排気側の電磁弁 4 5 0と供給側の電磁弁 4 9 8を閉 成する。 上述したように第 2レギユレ一夕 4 9 6の設定値は 2 . 5 k g/ c m 2 であるが、 圧力調整器 L Cは第 2の値、 例えば 1 . 0 k g/ c m2以下で動作可 能とされている。 そこでまず、 第 2の分岐管 4 9 9を開閉する電磁弁 4 9 7を開 成して、 気密室 4 4 0と圧力調整器 L Cの圧力を調整する。 すなわち、 主制御部 4 2 2は、 差圧センサ 4 5 6の計測値をモニタして配管 4 4 2内のガス圧が第 2 の値となるまで、 電磁弁 4 9 7を閧成して余分な圧力を逃がし、 配管 4 4 2内の ガス圧が第 2の値となったとき、 電磁弁 4 9 7を閉成すると同時に圧力調整器 L C内の電磁弁 4 5 2を閉成する。 これにより、 気密室 4 2 2と圧力調整器 L Cに は 1 . 0 k g / c m2以下の窒素ガスが充填される。
これにより、 その後供給圧力 1 k g/ c m 2以下の条件下で圧力調整器 L Cに よる気密室内の圧力調整が可能になる。 ここで、 上記の窒素ガスの置換中に、 差 圧センサ 4 5 6の検出値が所定値以上になったときは、 主制御部 4 2 2は、 第 2 分岐管 4 9 9を開閉する電磁弁 4 9 7を開成して、 気密室 4 4 0内が異常な高圧 にならないようにする。
上記のようにして投影光学系 P Lの空間部 4 2 6、 4 2 8、 気密室 4 4 0内の 窒素置換終了後に行われる露光処理動作について簡単に説明する。
不図示のレチクル搬送系によりレチクル Rが搬送され、 口一ディングポジショ ンにあるレチクルステージ R S Tに吸着保持される。 次いで、 主制御部 4 2 2に より、 ウェハステージ W S Tおよびレチクルステージ R S Tの位置が制御され、 レチクル R上に描画された不図示のレチクルァライメントマークと基準マーク板 F M上のレチクルァライメント用基準マークとの位置ずれが、 不図示のレチクル 顕微鏡を用いて計測される。 すなわち、 レチクルァライメントが行われる。 次に、 主制御部 4 2 2により、 基準マーク板 F M上のベースライン計測用の基 準マークがァライメント顕微鏡 A L Gの直下へ位置するように、 ウェハステージ W S Tが移動され、 ァライメント顕微鏡 A L Gの検出信号およびそのときのゥェ ハレ一ザ干渉計 4 7 2の計測値に基づいて、 間接的にレチクル Rのパターン像の ウェハ W面上への結像位置とァライメント顕微鏡 A L Gの相対距離、 すなわちべ ースライン距離 B Lが求められる。
ベースライン計測が終了すると、 主制御部 4 2 2により、 いわゆる E G A (ェ ンハンスト · グロ一バル · ァライメント) が行われ、 ウェハ Wのショヅ ト配列に 関する誤差パラメ一夕 (ローテーション、 X Yスケーリング、 X Yオフセッ ト、 直交度等) が求められるとともに、 ウェハ Wの全てのショッ ト領域の位置が求め られる。
そして、 次のようにしてステップ 'アンド 'スキヤン方式の露光が行われる。 主制御部 4 2 2は、 上で求めたウェハ W上の各ショッ ト領域の位置情報に従って、 レーザ干渉計 4 7 2からの位置情報をモニタしつつ、 ウェハステージ W S Tを第 1ショヅ トの走査開始位置に位置決めするとともに、 レチクルステージ R S Tを 走査開始位置に位置決めして、 その第 1ショッ トの走査露光を行う。 この走査露 光に際し、 主制御部 4 2 2は、 レチクルステージ R S Tとウェハステージ W S T とを相互に逆向きに駆動するとともに両者の速度比が投影光学系 P Lの投影倍率 に正確に一致するように両ステージの速度を制御し、 両ステージの速度比を維持 しつつ等速同期状態にて露光 (レチクルパターンの転写) を行う。
上記のようにして第 1ショッ トの走査露光が終了すると、 主制御部 4 2 2は、 ウェハステージ W S Tを第 2ショヅ トの走査開始位置へ移動させるショッ ト間の ステッピング動作を行う。 そして、 その第 2ショッ トの走査露光を上述と同様に して行う。 以後、 第 3ショッ ト以降も同様の動作を行う。
このようにして、 ショッ ト間のステツピング動作とショッ トの走査露光動作と が繰り返され、 ステヅプ ' アンド 'スキヤン方式でウェハ W上の全てのショヅ ト 領域にレチクル Rのパターンが転写される。
上述した露光処理動作が、 ウェハ Wを順次交換しながら繰り返し行われるが、 このような露光処理動作の繰り返しの間、 チャンバ内の大気圧の変動や投影光学 系 P Lに対する露光光 E Lの照射によって投影光学系 P Lの倍率が変動する。 そ こで、 本実施例では、 主制御部 422がこれらの変動を定期的に、 例えば所定口 ヅ ト毎に計測し、 あるいは演算で求めて、 これをキャンセルするように、 すなわ ち投影倍率を常に一定値 (例えば 1/4または 1/5) に制御するように、 圧力 調整機構 494、 主として圧力調整器 L Cを介して気密室 440内の圧力制御を 行う。 この気密室 440内の圧力制御は、 次のようにして行われる。 すなわち、 主制御部 422では電磁弁 452を閉じ、 電磁弁 448を開いた状態でベロ一ズ ポンプ 446を伸縮駆動することにより、 このべローズポンプ 446のスト口一 ク範囲内の圧力調整が行われる。
ベローズポンプ 446のストローク範囲を超える圧力調整が必要な場合には、 主制御部 422により、 電磁弁 448を閉じ電磁弁 452を開いて電磁弁 498 側から第 2の値 (1. OkgZcm2以下) もしくはそれ以上 (ベローズポンプ 446のストロ一ク制御により気密室 440内の制御圧力が 1. 0 k g/cm2 を越えた値に制御されているときは 1. 0 kg/ cm2を越える場合もあり得る) の窒素ガスをべローズポンプ 446内に供給した後、 電磁弁 452を閉じるとと もに電磁弁 448を開いてベロ一ズポンプ 446を圧縮駆動する。 このような動 作を繰り返す。 上述した圧力調整器 LCに対するガス供給の調整は、 適宜電磁弁 498、 電磁弁 497を開閉制御することによって行われる。
詳述すると、 たとえば所望の結像特性を補償するために、 ベローズポンプ 44 6のストロ一ク制御により気密室 440内の制御圧力が 1. 0 k g/cm2を越 えた値に制御されているときには、 圧力調整器 L Cのべローズポンプ 446内に 1. Okg/cm2を越えた窒素ガスを供給する必要がある。 この場合、 第 2の レギユレ一夕 496と電磁弁 448との間の管路圧力を検出する図示しない圧力 センサを設け、 電磁弁 448を閉じ電磁弁 498を開いた上で次のように圧力調 節を行なう。 図示しない圧力センサで管路 443の圧力をモニタしながら電磁弁 497を開閉制御し、 管路 443の圧力が、 差圧センサ 456で検出されている 所定値となったときに電磁弁 497と 498を閉じる。 これにより、 圧力調整器 LCには 1. Okg/cm2を越える所定値のガス圧が充填される。 したがって、 その後に電磁弁 448を開いてベローズポンプ 446を駆動すれば、 気密室 44 0を所望の圧力に制御できる。
なお、 以上では、 第 1レギユレ一夕 4 2 4で調整した 3 . O k g/ c m2のガ ス圧を第 2レギユレ一夕 4 9 6で 2 . 5 k g / c m2に下げて気密室 4 4 0を窒 素ガスで置換し、 さらに、 電磁弁 4 9 7で 1 . 0 k g / c m2以下に調整した窒 素ガスを圧力調整器 L Cへ供給するようにした。 しかしながら、 本発明は、 調整 ガス圧を供給されるのは圧力調整器 L Cに限らず、 その他の流体機器に供給して もよい。
これまでの説明から明らかなように、 差圧センサ 4 6 8と電磁弁 4 8 0と主制 御部 4 2 2とによって、 窒素ガス (特定ガス) の圧力が所定値を超えたときに第 1分岐管 4 7 8を閧成する管路開閉装置が構成され、 差圧センサ 4 5 6と電磁弁 4 9 7と主制御部 4 2 2とによって窒素ガスの圧力が所定値を超えたときに第 2 分岐管 4 9 9を開成する管路開閉装置が構成され、 差圧センサ 4 8 4と電磁弁 4 8 8と主制御部 4 2 2とによって窒素ガスの圧力が所定値を超えたときに第 3分 岐管 4 8 6を開成する管路開閉装置が構成されている。 また、 本実施例では、 酸 素センサ 4 5 4と主制御部 4 2 2とによって気密室 4 4 0内のガスの充填度を検 出するガス充填度検出系が構成されている。
さらに、 本実施例では、 主制御部 4 2 2の機能によって圧力検出系としての差 圧センサ 4 6 8、 4 5 6、 4 8 4で検出される圧力のいずれかが所定値を超えた 場合に対応する電磁弁 4 8 0、 4 9 7、 4 8 8を開成する制御装置が実現されて いる。 また、 本実施例では、 主制御部 4 2 2の機能によって排気路開閉器として の電磁弁 4 5 0を開成し、 かつ第 1の値に設定された第 2のレギユレ一夕 4 9 6 と閉成された電磁弁 4 9 7とで構成される圧力設定器を介して第 2供給管 4 6 0 におけるガス供給圧力 (給気側圧力) でガス供給装置 4 3 8からガス供給を開始 し、 上記のガス充填度検出系により気密室 4 4 0内に窒素ガスが充填されたこと が検出されたとき、 電磁弁 4 5 0を閉成するとともに圧力設定器としての電磁弁 4 9 7により圧力調整器 L Cのガス供給圧力を第 1の値より低い第 2の値に設定 する第 1の制御装置と、 ガス供給圧力が第 2の値に設定された後、 圧力調整機構 4 9 4を介して気密室 4 0内の圧力制御を開始する第 2の制御装置とが実現され ている。 しかしながら、 本発明がこれに限定されるものではなく、 別々のハード ウェア (コンビュ一夕等) によって制御装置、 第 1の制御装置、 第 2の制御装置 を構成しても良いことは勿論である。
上の説明では投影倍率を常に一定値に調整するものとしたが、 これに限らず、 主制御部 4 2 2は、 レチクル Rのパターン像をウェハ Wのショッ ト領域により高 精度に重ね合わせるため、 例えば前述した E G Aの X Yスケ一リングパラメ一夕 に基づいて圧力調整器 L Cを介して気密室 4 4 0内の圧力を制御して、 非走査方 向の投影倍率を微調整しても良い。 この場合は、 走査方向の倍率をレチクルステ —ジ R S Tとウェハステージ W S Tの走査速度を調整することにより微調整する ことが望ましい。
また、 上の説明から明らかなように、 本実施例では露光処理中、 空間部 4 2 6、 4 2 8には窒素ガスが常時供給され、 該空間部 4 2 6内の窒素ガスは常にリフレ ヅシュされているが、 気密室 4 4 0内には窒素ガスが滞留しているため、 気密室 4 4 0内の窒素ガス中に含まれる不純物 (ケミカルフィル夕等によって取り除く ことができないレベルの不純物) が曇り物質となってレンズ素子に付着し、 投影 光学系 P Lの透過率が絰時的に低下することが考えられる。
かかる事態に対処するため、 投影光学系 P Lの露光光 E Lの照射による倍率変 動分を求めるためにも、 定期的 (所定ロッ ト毎) に投影光学系の透過率測定を行 い、 この透過率測定の結果、 透過率があるしきい値以下に低下する度毎に、 前述 した気密室内の窒素ガス置換を行うようにしても良い。 なお、 曇り物質の発生を 抑制する観点からは、 図 9の A、 B、 C点、 特に B点にケミカルフィル夕等を設 けることが望ましい。
これまでの説明では、 逆止弁付き電磁弁 4 9 5より下流側の排気配管系の構成 等については、 特に説明をしなかったが、 例えば排気配管系の末端にケミカルフ ィル夕等を設けて、 このケミカルフィル夕を通過した排気ガスをそのまま大気中 に放出しても良い。 しかしながら、 窒素ガスは循環使用する方がコスト面で考え ても望ましいことは明らかである。
そこで、 例えば、 逆止弁付き電磁弁 4 9 5の下流側にポンプを設け、 このボン プの下流側の管路を第 1レギユレ一夕 4 2 4の上流側に接続して窒素ガスを循環 使用するようにしても良い。 この場合、 最初の窒素ガス置換のときの排気ガスを 外部に排気する必要があることから、 逆止弁付き電磁弁 4 9 5とポンプとの間に 分岐路を設け、 この分岐路に酸素センサと電磁弁を配置し、 酸素センサの濃度が 所定値以下になるまでは、 電磁弁を開成して分岐路から外部に排気ガスを排気し、 その後は電磁弁を閉じてポンプにより排気ガス (窒素ガス) を第 1レギユレ一夕 4 2 4の上流側に送って循環使用するようにしても良い。
上記実施例では、 光源として A r Fエキシマレーザを用いる露光装置について 説明したが、 本発明がこれに限定されることはなく、 投影光学系内の空気を窒素 ガス等で置換するメリッ トのある照明ビームを出射するビーム源を露光光源とす る装置であれば好適に適用できるものである。
また、 上記実施例では、 窒素ガスが供給される光学系が投影光学系である場合 について説明したが、 その光学系がマスクに照明ビームを照射する照明光学系の 一部あるいは全部としても良い。 照明光学系であっても同様に窒素ガス置換等の メリッ トがあるからである。
上記実施例においては、 空間部 4 2 6 , 4 2 8および気密室 4 4 0に対する窒 素ガスの充填度合いを、 排気管 4 6 4, 4 4 4および 4 9 0内の所定ガスすなわ ち酸素の濃度に基づいて検出した。 これにより、 供給中のガス圧の変動等があつ ても確実に充填完了のタイミングを検出できる。 酸素に限らず、 排気管 4 6 4 , 4 4 4および 4 9 0内の窒素ガスの濃度を直接的に検出しても良い。 また、 窒素 以外の特定ガスを供給する場合には、 酸素、 窒素等の空気の成分ガス、 あるいは 当該供給される特定ガスの濃度を検出しても良い。
しかしながら、 これに限らず、 投影光学系 P L内部または気密室 4 4 0への特 定ガスの充填度合いを検出するガス充填度検出系は、 例えば特定ガスの供給開始 から予め実験的に求めたガス置換に要する所定の時間の経過を夕イマ一等により 検出するものであっても良い。
上記実施例では圧力検出系として差圧センサを用い、 これを投影光学系 P Lの 近傍に配置する場合について説明したが、 本発明がこれに限定されることはない 例えば、 差圧センサあるいは圧力センサ等を用いる場合には、 投影光学系 P L内 部あるいはその近傍の管路内部との圧力の比が既知である配管系のどの部分にこ れらのセンサを配置しても良い。 あるいは、 気密室 4 4 0のように密閉度が高い 場合には、 ボイルーシャルルの法則がほぼ成り立ち、 この場合、 体積 Vは一定と みなせ、 結果的に気密室内の圧力がその温度に比例すると考えられるので、 温度 センサの出力に基づいて間接的に気密室内の圧力を検出しても良い。
前述の各実施例では複数の屈折光学素子 (レンズ) のみからなる投影光学系を 前提に説明を行ったが、 複数の反射光学素子のみからなる投影光学系、 あるいは 反射光学素子と屈折光学素子とを組み合わせた反射屈折光学系に対しても本発明 を適用することができる。
波長が 1 9 O n m程度以上の紫外線 ( A r Fエキシマレーザなど) を露光光と して用いる露光装置では、 コストなどを考えると、 前述の不活性ガスとして窒素 を用いることが好ましいが、 投影光学系が反射屈折光学系であるときは、 照明光 学系に対して窒素を供給し、 かつ投影光学系に対してヘリウムを供給することが 好ましい。
なお、 波長が 2 0 0 n m程度以上の紫外線 ( F r Fエキシマレ一ザなど) を露 光光として用いる露光装置では、 窒素や不活性ガスの代わりに、 化学的にクリ一 ンなドライエアを照明光学系などに供給するようにしてもよい。 ドライエアは、 活性炭などからなるケミカルフィル夕一によってクリーンルーム内の空気からァ ンモニゥムイオンなどを除去し、 かつその湿度を、 例えば 5 %程度以下に調整し たものである。 また、 波長が 1 9 O n m程度以下の紫外線 (F 2レーザなど) を 用いる露光装置では、 前述の不活性ガスとしてヘリウムを用いることが現実的で める。
投影露光装置としては、 ステップ ·アンド · リピート式であっても、 ステヅプ 'アンド 'スキャン式であっても本発明の技術を同様に適用することができる。 また投影露光装置の種類としては半導体製造用のものに限定されることなく、 例 えば、 角形のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の投影露 光装置や、 薄膜磁気へッ ドを製造するための露光装置等にも本発明の技術を広く 適用することが可能である。 さらに、 投影光学系の倍率は、 縮小系のみならず等 倍および拡大系のいずれであっても良い。
また、 投影露光装置で露光光として用いる光源は、 A r Fエキシマレ一ザ一 ( 1 9 3 n m) に限らず、 K r Fエキシマレ一ザ一 ( 2 4 8 n m) 、 F 2レ一ザ一 ( 1 5 7 n m) 、 あるいは Y A Gレーザーや金属蒸気レーザーの高調波や、 例え ば 5〜 1 5 n m (軟 X線領域) に発振スぺク トルを有する E U V (Extreme Ultr a Violet) 光を用いることもできる。 このような場合、 投影光学系としては、 ェ キシマレ一ザ一を用いる場合は硝材として石英や蛍石を用いる。 。 また、 E U V 光を用いる露光装置では、 反射型マスク上での照明領域を円弧スリツ ト状に規定 するとともに、 複数 (4枚程度) の反射光学素子 (ミラ一) のみからなる縮小投 影光学系を有し、 縮小投影光学系の倍率に応じた速度比で反射型マスクとウェハ とを同期移動して反射型マスクのパターンをウェハ上に転写する。 このとき E U V光はその主光線が反射マスクと直交する軸に対して傾いて反射マスクに照射さ れる。
図 8の上記投影光学系の最終レンズとウェハとの間にも、 適当な方法により、 所望の不活性ガス雰囲気を形成してもよい。 具体的には、 投影光学系の下端から ウェハが載置されたステージ装置全体を図示しない容器で包囲し、 その容器に不 活性ガスを充填する方法や、 投影光学系の下端とウェハとの間の開放空間に不活 性ガスを連続的に供給して不活性ガス雰囲気を形成する方法等がある。
これ以外にも、 本発明の主旨を逸脱しない範囲内であれば、 いかなる構成を採 用しても良く、 また上記したような構成を適宜選択的に組み合わせたものとして も良いのは言うまでもない。
各実施例における露光装置は、 複数のレンズから構成される照明光学系、 投影 光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をするとともに、 多数の機械部品から なるレチクルステージやウェハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管 を接続し、 更に総合調整 (電気調整、 動作確認等) をすることにより製造するこ とができる。 なお、 露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリ —ンルームで行うことが望ましい。
さらに、 半導体デバイスは、 デバイスの機能 ·性能設計を行うステップ、 この 設計ステヅプに基づいたレチクルを製作するステツプ、 シリコン材料からウェハ を製作するステップ、 前述した実施例の露光装置によりレチクルのパ夕一ンをゥ ェハに露光するステップ、 デバイス組み立てステップ (ダイシング工程、 ボンデ イング工程、 パッケージ工程を含む) 、 検査ステップ等を経て製造される。

Claims

請求の範囲
( 1 ) 露光用光源からの露光光で照明された原版のパターンの像を露光対象物 上に投影する光学系を備える露光装置は、
前記光学系を収容する収容部材内の光学素子間に形成された空間に特定ガスを 充填するガス供給装置と、
前記空間内の圧力を検出する圧力検出器と、
前記圧力検出器で検出された圧力に応じて前記光学系の光学性能を調節する光 学性能調節装置とを具備する。
( 2 ) 請求項 1に記載の露光装置において、
前記光学系は、 前記原版のパターンの像を前記露光対象物上に投影する投影光 学系を有し、
前記収容部材は、 前記投影光学系を収容する鏡筒を有し、
前記ガス供給装置は、 前記鏡筒内の光学素子間に形成された空間に特定ガスを 充填する鏡筒ガス供給装置を有し、
前記圧力検出器は、 前記鏡筒空間内の圧力を検出する鏡筒内圧力検出器を有し、 前記光学性能調節装置は、 前記投影光学系の光学性能を調節する投影光学性能 調節装置を有する。
( 3 ) 請求項 2に記載の露光装置において、
前記光学系は、 前記露光用光源から射出される露光光で前記原版を照明する照 明光学系を有し、
前記収容部材は、 前記照明光学系を収容する筐体を有し、
前記ガス供給装置は、 前記筐体内の光学素子間に形成された空間に特定ガスを 充填する筐体ガス供給装置を有し、
前記圧力検出器は、 前記筐体空間内の圧力を検出する筐体内圧力検出器を有し、 前記光学性能調節装置は、 前記照明光学系の光学性能を調節する照明光学性能 調節装置を有する。
( 4 ) 請求項 2に記載の露光装置において、
大気圧力を検出する大気圧検出器をさらに有し、
前記投影光学性能調節装置は、 前記鏡筒空間内圧力と前記大気圧力とに基づい て前記投影光学系の光学性能を調節する。
( 5 ) 請求項 3に記載の露光装置において、
大気圧力を検出する大気圧検出器をさらに有し、
前記照明光学性能調節装置は、 前記筐体空間内圧力と前記大気圧力とに基づい て前記照明光学系の光学性能を調節する。
( 6 ) 請求項 1に記載の露光装置において、
前記光学系は、 前記露光用光源から射出される露光光で前記原版を照明する照 明光学系を有し、
前記収容部材は、 前記照明光学系を収容する筐体を有し、
前記ガス供給装置は、 前記筐体内の光学素子間に形成された空間に特定ガスを 充填する筐体ガス供給装置を有し、
前記圧力検出器は、 前記筐体空間内の圧力を検出する筐体内圧力検出器を有し、 前記光学性能調節装置は、 前記照明光学系の光学性能を調節する照明光学性能 調節装置を有する。
( 7 ) 請求項 6に記載の露光装置において、
大気圧力を検出する大気圧検出器をさらに有し、
前記照明光学性能調節装置は、 前記筐体空間内圧力と前記大気圧力とに基づい て前記照明光学系の光学性能を調節する。
( 8 ) 請求項 1に記載の露光装置において、
前記光学性能調節装置は、 前記光学素子間に形成された空間の圧力を調整する 圧力調整機構を備える。 ( 9 ) 請求項 1に記載の露光装置において、
前記収容部材内の空間を形成する光学素子は複数設けられ、 前記光学性能調節 装置は、 複数の光学素子のうち少なくとも第 1の光学素子を第 2の光学素子に対 して所定方向に相対移動させる移動機構を有する。
( 1 0 ) 露光用光源からの露光光で照明された原版のパターンの像を露光対象 物上に投影する光学系を備える露光装置は、
前記光学系を収容する収容部材内の光学素子間に形成された空間に特定ガスを 充填するガス供給装置と、
前記空間内の圧力を検出する圧力検出器と、
前記圧力検出器で検出された圧力に応じて前記空間内の圧力が予め定めた目標 値となるように前記空間内の圧力を調節する圧力調節装置とを具備する。
( 1 1 ) 請求項 1 0に記載の露光装置において、
前記光学系は、 前記原版のパターンの像を前記露光対象物上に投影する投影 光学系を有し、
前記収容部材は、 前記投影光学系を収容する鏡筒を有し、
前記ガス供給装置は、 前記鏡筒内の光学素子間に形成された空間に特定ガスを 充填する鏡筒ガス供給装置を有し、
前記圧力検出器は、 前記鏡筒空間内の圧力を検出する鏡筒内圧力検出器を有し、 前記圧力調節装置は、 前記鏡筒空間内の圧力が予め定めた目標値となるように、 前記鏡筒ガス供給装置を調節する鏡筒内圧力調節装置を有する。
( 1 2 ) 請求項 1 1に記載の露光装置において、
前記光学系は、 前記露光用光源から射出される露光光で前記原版を照明する照 明光学系を有し、
前記収容部材は、 前記照明光学系を収容する筐体を有し、
前記ガス供給装置は、 前記筐体内の光学素子間に形成された空間に特定ガスを 充填する筐体ガス供給装置を有し、
前記圧力検出器は、 前記筐体空間内の圧力を検出する筐体内圧力検出器を有し、 前記圧力調節装置は、 前記筐体空間内の圧力が予め定めた目標値となるように、 前記筐体ガス供給装置を調節する筐体内圧力調節装置を有する。
( 1 3 ) 請求項 1 1に記載の露光装置において、
大気圧力を検出する大気圧検出器と、
この大気圧検出器で検出された圧力に応じて前記投影光学系の光学性能を調節 する投影光学性能調節装置とをさらに有する。
( 1 4 ) 請求項 1 2に記載の露光装置において、
大気圧力を検出する大気圧検出器と、
前記大気圧検出器で検出された圧力に応じて前記照明光学系の光学性能を調節 する照明光学性能調節装置とをさらに有する。
( 1 5 ) 請求項 1 0に記載の露光装置において、
前記光学系は、 前記露光用光源から射出される露光光で前記原版を照明する照 明光学系を有し、
前記収容部材は、 前記照明光学系を収容する筐体を有し、
前記ガス供給装置は、 前記筐体内の光学素子間に形成された空間に特定ガスを 充填する筐体ガス供給装置を有し、
前記圧力検出器は、 前記筐体空間内の圧力を検出する筐体内圧力検出器を有し、 前記圧力調節装置は、 前記筐体空間内の圧力が予め定めた目標値となるように、 前記筐体ガス供給装置を調節する筐体内圧力調節装置を有する。
( 1 6 ) 請求項 1 5に記載の露光装置において、
大気圧力を検出する大気圧検出器と、
この大気圧検出器で検出された圧力に応じて前記照明光学系の光学性能を調節 する照明光学性能調節装置とをさらに有する。 ( 1 7 ) 請求項 9に記載の露光装置において、
前記光学性能調節装置は、 前記一部の光学素子を保持する第 1の保持部材と、 前記他の光学素子を保持する第 2の保持部材とを有し、
前記第 1の保持部材と前記第 2の保持部材との間に、 前記光学素子間に形成さ れた空間から前記特定ガスの流出を防く、シール部を設け、
前記シール部は、 前記第 1の保持部材側に形成された凹部と、 前記第 2の保持 部材側に形成されて前記凹部内に挿入される凸部と、 前記凹部と凸部の間に充填 されてシール性を有する充填材とを備える。
( 1 8 ) 請求項 1 7に記載の露光装置において、
前記充填材として光化学的に不活性な不活性グリスが用いられる。
( 1 9 ) 請求項 1 8に記載の露光装置において、
前記光学性能調節装置は、 前記投影光学系または前記照明光学系の少なくとも 一方に設けられる。
( 2 0 ) 請求項 9に記載の露光装置において、
前記ガス供給装置は、 前記光学系を構成する複数の光学素子によってそれぞれ 挟まれる複数の空間のうち、 前記第 2の光学素子と第 3の光学素子との間に形成 され、 前記第 1の光学素子に接しない第 1の空間に特定ガスを供給し、
前記第 1の光学素子と前記第 2の光学素子とに挟まれた第 2の空間を連通手段 により前記第 1の空間に連通させる。
( 2 1 ) 請求項 2 0に記載の露光装置において
前記連通手段は、 前記第 2の光学素子を保持する保持部材に設けられた連通孔 である。
( 2 2 ) 請求項 2 0に記載の露光装置において、 前記第 1の空間は、 前記第 1の光学素子を保持する可動部材と前記投影光学系 の本体との結合部に設けられた充填材でシールされる。
( 2 3 ) 請求項 8に記載の露光装置において、
前記光学系に接続される排気路とは別に設けられ、 前記ガス供給装置と前記光 学系とを接続するとともにその途中に分岐路が設けられた供給路と、
前記特定ガスの圧力が所定値を超えたときに前記分岐路を開成する管路開閉装 置とを備える。
( 2 4 ) 請求項 2 3に記載の露光装置において、
前記管路開閉装置は、 前記光学系の内部圧力を直接的または間接的に検出する 圧力検出系と、
前記分岐路を閧閉する開閉器と、
前記圧力検出系で検出される圧力が所定値を超えた場合に前記開閉器を開成す る制御装置とを備える。
( 2 5 ) 請求項 8に記載の露光装置において、
前記圧力調整機構は、 前記空間内の圧力を増減し、 前記空間と前記ガス供給装 置とを接続する供給路の途中に設けられ、
前記露光装置はさらに、 前記空間に接続された排気路を開閉する排気路開閉器 と、
前記空間内に前記特定ガスが充填されたか否かを検出するガス充填度検出系と、 前記供給路におけるガス供給圧力を設定する圧力設定器と、
前記ガス供給装置による前記特定ガスの供給開始に先立って前記排気路開閉器 を開成しかつ前記圧力設定器を介して前記ガス供給圧力を第 1の値に設定し、 前 記ガス充填度検出系により前記空間内に前記特定ガスが充填されたことが検出さ れたとき、 前記排気路開閉器を閉成するとともに前記圧力設定器を介して前記ガ ス供給圧力を前記第 1の値より低い第 2の値に設定する第 1の制御装置と、 前記ガス供給圧力が前記第 2の値に設定された後、 前記圧力調整機構を介して 前記空間内の圧力制御を開始する第 2の制御装置とを備える。 ( 2 6 ) 請求項 2 5に記載の露光装置において、
前記ガス充填度検出系は、 前記光学系または前記排気路内の所定ガスの濃度に 基づいて前記光学系内の前記特定ガスの充填度合いを検出する。
( 2 7 ) 露光用光源からの露光光で照明された原版のパターンの像を露光対象 物上に投影する露光方法において、
前記光学系を収容する収容部材内の光学素子間に形成された空間に特定ガスを 充填し、
前記空間内の圧力を検出し、
前記圧力検出器で検出された圧力に応じて前記光学系の光学性能を調節する。
( 2 8 ) マスクを介して照明ビームで基板を露光する露光装置は、
前記照明ビームの光路中に配置される光学系に特定ガスを供給するガス供給装 置と、
前記光学系に接続される排気路とは別に設けられ、 前記ガス供給装置と前記光 学系とを接続するとともにその途中に分岐路が設けられた供給路と、
前記特定ガスの圧力が所定値を超えたときに前記分岐路を開成する管路開閉装 置とを備える。
( 2 9 ) マスクを介して照明ビームで基板を露光する露光方法は、
前記照明ビームの光路中に配置される光学系に特定ガスを供給し、
前記特定ガスの圧力が所定値を超えたとき、 前記光学系に接続される排気路と は別に設けられ、 前記ガス供給装置と前記光学系とを接続するとともにその途中 に設けられた分岐路を閧成する。
( 3 0 ) マスクのパターンを投影光学系を介して基板に転写する露光装置は、 少なくとも一部に気密室を有する投影光学系と、 前記気密室に向けて特定ガスを供給するガス供給装置と、
前記気密室に接続された排気路を開閉する排気路開閉器と、
前記気密室内に前記特定ガスが充填されたか否かを検出するガス充填度検出系 と、
前記気密室と前記ガス供給装置とを接続する供給路の途中に設けられ、 前記気 密室内の圧力を増減する圧力調整機構と、
前記供給路におけるガス供給圧力を設定する圧力設定器と、
前記ガス供給装置による前記特定ガスの供給開始に先立って前記排気路開閉器 を開成しかつ前記圧力設定器を介して前記ガス供給圧力を第 1の値に設定し、 前 記ガス充填度検出系により前記気密室内に前記特定ガスが充填されたことが検出 されたとき、 前記排気路開閉器を閉成するとともに前記圧力設定器を介して前記 ガス供給圧力を前記第 1の値より低い第 2の値に設定する第 1の制御装置と、 前記ガス供給圧力が前記第 2の値に設定された後、 前記圧力調整機構を介して 前記気密室内の圧力制御を開始する第 2の制御装置とを備える。
( 3 1 ) 投影光学系の結像特性を調整するために、 前記投影光学系内部の気密 室の内圧を圧力調整機構を用いて調整する圧力調整方法は、
前記気密室内の圧力制御を開始するのに先立って、 前記気密室に接続された排 気路を閧成しガス供給圧力を第 1の値に設定した状態で前記気密室に対する特定 ガスの供給を開始し、
前記気密室内に前記特定ガスが充填されたとき、 前記排気路を閉成するととも に前記ガス供給圧力を前記第 1の値より低く前記圧力調整機構が動作可能な範囲 の第 2の値に設定する。
( 3 2 ) 露光用光源からの露光光で照明された原版のパターンの像を露光対象物 上に投影する光学系を備える露光装置を組み立てる方法は、
前記光学系を収容する収容部材内の光学素子間に形成された空間に特定ガスを 充填するガス供給装置を、 前記空間に接続し、
前記空間内の圧力を検出する圧力検出器を前記空間内に配置し、 前記圧力検出器で検出された圧力に応じて前記光学系の光学性能を調節する光 学性能調節装置を前記光学系に設ける。
( 3 3 ) マスクを介して照明ビームで基板を露光する露光装置を組み立てる方法 は、
前記照明ビームの光路中に配置される光学系に特定ガスを供給するガス供給装 置を接続し、
前記光学系に接続される排気路とは別に設けられて供給路に、 前記ガス供給装 置と前記光学系とを接続するとともにその途中に分岐路を設け、
前記特定ガスの圧力が所定値を超えたときに前記分岐路を開成する管路開閉装 置とを接続する。
PCT/JP1998/003785 1997-08-26 1998-08-26 Dispositif d'alignement, procede d'exposition, procede de regulation de la pression d'un systeme optique de projection, et procede de montage du dispositif d'alignement WO1999010917A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AU88851/98A AU8885198A (en) 1997-08-26 1998-08-26 Aligner, exposure method, method of pressure adjustment of projection optical system, and method of assembling aligner
KR1020007001949A KR20010023314A (ko) 1997-08-26 1998-08-26 노광 장치, 노광 방법, 투영 광학계의 압력 조정 방법 및노광 장치의 조립 방법
EP98940553A EP1020897A4 (en) 1997-08-26 1998-08-26 ALIGNMENT DEVICE, LIGHTING METHOD, METHOD FOR PRINTING AN OPTICAL PROJECTION SYSTEM, AND METHOD FOR COMPOSING THIS ALIGNMENT DEVICE
US10/246,728 US20030020888A1 (en) 1997-08-26 2002-09-19 Exposure apparatus, exposure method, method of adjusting pressure of projection optical system and method of assembling exposure apparatus

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22951997 1997-08-26
JP9/229519 1997-08-26
JP10/31868 1998-02-13
JP10031868A JPH11233412A (ja) 1998-02-13 1998-02-13 投影露光装置
JP10/202482 1998-07-17
JP10202482A JP2000036447A (ja) 1998-07-17 1998-07-17 露光装置及び投影光学系の圧力調整方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US51276700A Continuation 1997-08-26 2000-02-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1999010917A1 true WO1999010917A1 (fr) 1999-03-04

Family

ID=27287508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1998/003785 WO1999010917A1 (fr) 1997-08-26 1998-08-26 Dispositif d'alignement, procede d'exposition, procede de regulation de la pression d'un systeme optique de projection, et procede de montage du dispositif d'alignement

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20030020888A1 (ja)
EP (1) EP1020897A4 (ja)
KR (1) KR20010023314A (ja)
AU (1) AU8885198A (ja)
WO (1) WO1999010917A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6606144B1 (en) 1999-09-29 2003-08-12 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US6674513B2 (en) 1999-09-29 2004-01-06 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3832984B2 (ja) * 1998-10-27 2006-10-11 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JP2001274054A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Canon Inc 露光装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造工場
US7203007B2 (en) * 2000-05-04 2007-04-10 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure machine comprising a projection lens
DE10119861A1 (de) * 2000-05-04 2001-11-08 Zeiss Carl Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie
US7508487B2 (en) * 2000-06-01 2009-03-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2002057089A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Canon Inc 露光装置
TW548524B (en) * 2000-09-04 2003-08-21 Asm Lithography Bv Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
JP2002134389A (ja) * 2000-10-23 2002-05-10 Canon Inc 露光装置
WO2002037545A1 (fr) * 2000-10-31 2002-05-10 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition
US6954255B2 (en) 2001-06-15 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US6934003B2 (en) 2002-01-07 2005-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2004281697A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Canon Inc 露光装置及び収差補正方法
US8094288B2 (en) 2004-05-11 2012-01-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7310130B2 (en) * 2004-10-05 2007-12-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and position measuring method
JP4720747B2 (ja) * 2004-12-02 2011-07-13 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4701030B2 (ja) * 2005-07-22 2011-06-15 キヤノン株式会社 露光装置、露光パラメータを設定する設定方法、露光方法、デバイス製造方法及びプログラム
JP5023064B2 (ja) * 2005-09-13 2012-09-12 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 露光工程のための光学要素ユニット
JP4827491B2 (ja) * 2005-10-26 2011-11-30 Hoya株式会社 内視鏡用光源装置
JP4378357B2 (ja) * 2006-03-14 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びその圧力制御方法並びにデバイス製造方法
TWM304619U (en) * 2006-04-28 2007-01-11 Fortrend Taiwan Scient Corp Nitrogen cabinet with distinguishing and inflating apparatuses
DE102006023876A1 (de) * 2006-05-19 2007-11-22 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung
US8027023B2 (en) 2006-05-19 2011-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device and method for reducing dynamic fluctuations in pressure difference
JP5305568B2 (ja) * 2006-05-22 2013-10-02 株式会社東芝 露光装置及びケミカルフィルタ寿命検知方法
NL2008186A (en) * 2011-03-14 2012-09-17 Asml Netherlands Bv Projection system, lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP6133852B2 (ja) 2011-06-23 2017-05-24 ディーエムエス ダイナミック マイクロシステムズ セミコンダクター イクイップメント ゲーエムベーハーDMS Dynamic Micro Systems Semiconductor Equipment GmbH 半導体クリーニングシステム及び半導体清浄方法
DE102012219806A1 (de) * 2012-10-30 2014-04-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem Mittel zur Reduktion des Einflusses von Druckschwankungen
DE102015202844A1 (de) 2015-02-17 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Druckanpassungseinrichtung für eine Projektionsbelichtungsanlage
NL2017595A (en) * 2015-11-10 2017-05-26 Asml Netherlands Bv Proximity sensor, lithographic apparatus and device manufacturing method
US10551746B2 (en) 2015-11-20 2020-02-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
DE102021212018B3 (de) 2021-10-25 2022-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betreiben der Projektionsbelichtungsanlage
WO2024022796A1 (en) * 2022-07-26 2024-02-01 Asml Netherlands B.V. Apparatus for and method of supplying gas to a lithography system

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6269617A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影露光装置
JPS62181426A (ja) * 1986-02-05 1987-08-08 Canon Inc 投影光学装置
JPS63284813A (ja) * 1987-05-18 1988-11-22 Nikon Corp 投影露光装置
JPH03166710A (ja) * 1989-11-27 1991-07-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH05210049A (ja) * 1992-01-31 1993-08-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影レンズ倍率補正方法およびその装置
JPH05291111A (ja) * 1992-04-09 1993-11-05 Nikon Corp アライメント装置
JPH07192990A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
JPH07283114A (ja) * 1994-04-08 1995-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
JPH08305034A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2516194B2 (ja) * 1984-06-11 1996-07-10 株式会社日立製作所 投影露光方法
FR2708757B1 (fr) * 1993-08-05 1997-05-09 Fujitsu Ltd Procédé et appareil d'exposition par de la lumière ultraviolette.
JP2641692B2 (ja) * 1993-11-01 1997-08-20 株式会社ニコン Lsi素子製造方法、及び装置
JPH0963943A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Nikon Corp 照明光学装置および該装置を備えた露光装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6269617A (ja) * 1985-09-24 1987-03-30 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 投影露光装置
JPS62181426A (ja) * 1986-02-05 1987-08-08 Canon Inc 投影光学装置
JPS63284813A (ja) * 1987-05-18 1988-11-22 Nikon Corp 投影露光装置
JPH03166710A (ja) * 1989-11-27 1991-07-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH05210049A (ja) * 1992-01-31 1993-08-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投影レンズ倍率補正方法およびその装置
JPH05291111A (ja) * 1992-04-09 1993-11-05 Nikon Corp アライメント装置
JPH07192990A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
JPH07283114A (ja) * 1994-04-08 1995-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置
JPH08305034A (ja) * 1995-05-09 1996-11-22 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1020897A4 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6606144B1 (en) 1999-09-29 2003-08-12 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US6674513B2 (en) 1999-09-29 2004-01-06 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US6864961B2 (en) 1999-09-29 2005-03-08 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
EP1936420A2 (en) 1999-09-29 2008-06-25 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical system
EP1936419A2 (en) 1999-09-29 2008-06-25 Nikon Corporation Projection exposure methods and apparatus, and projection optical systems
US7301605B2 (en) 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
US7319508B2 (en) 2000-03-03 2008-01-15 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices

Also Published As

Publication number Publication date
EP1020897A4 (en) 2004-10-27
AU8885198A (en) 1999-03-16
US20030020888A1 (en) 2003-01-30
KR20010023314A (ko) 2001-03-26
EP1020897A1 (en) 2000-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1999010917A1 (fr) Dispositif d&#39;alignement, procede d&#39;exposition, procede de regulation de la pression d&#39;un systeme optique de projection, et procede de montage du dispositif d&#39;alignement
JP4978641B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
TWI230843B (en) Exposure method and device
JP4596191B2 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP4872916B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JPWO2007000984A1 (ja) 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2009105414A (ja) 露光方法、及びデバイス製造方法
JP4515209B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR20090034736A (ko) 노광장치, 노광 방법 및 디바이스 제조방법
JPH11154644A (ja) 投影露光装置
JP2007005571A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JPH11154636A (ja) 投影露光装置
JP2000036447A (ja) 露光装置及び投影光学系の圧力調整方法
JPH11233412A (ja) 投影露光装置
JP2005079294A (ja) 露光装置、露光システム、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY CA CH CN CU CZ DE DK EE ES FI GB GE GH GM HR HU ID IL IS KE KG KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MD MG MK MN MW MX NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TR TT UA UG US UZ VN YU ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW SD SZ UG ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE BF BJ CF CG CI CM GA GN GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020007001949

Country of ref document: KR

Ref document number: 09512767

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1998940553

Country of ref document: EP

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1998940553

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: CA

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020007001949

Country of ref document: KR

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 1998940553

Country of ref document: EP

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1020007001949

Country of ref document: KR