WO1998023624A1

WO1998023624A1 - Nouveaux composes de phosphinopyrrolidine et procede de fabrication

Info

Publication number: WO1998023624A1
Application number: PCT/JP1997/004334
Authority: WO
Inventors: Kazuo Achiwa; Shin-Ichi Nakamoto
Original assignee: Fuji Yakuhin Kogyo Kabushiki Kaisha
Priority date: 1996-11-29
Filing date: 1997-11-27
Publication date: 1998-06-04
Also published as: US6229019B1; DE69719567T2; EP0989135A4; EP0989135B1; AU5191898A; CA2273031A1; EP0989135A1; JP4118961B2; DE69719567D1

Description

明細書新規なホスフイノピロリジン化合物及びその製造方法技術分野

本発明は、不斉合 Jt ^の配位子であるホスフィノピロリジン化合物の新規な製造法及びその製造法で得られる新規な中間体に関する。該製造法により、複雑な多段階の製紅程を簡略化でき、さらにその方法に使用する製織置も簡単なものにすることができる。背景技術

トラクトンは、医薬品などの合料として広く利用されているが、特に D—パントラクトン（R— (-) —パントラクトン）は医学上または生理学上重要なビ夕ミンとして有用な D—パン卜テン酸やパンテチンの製造における中間体として知られている。パントラクトンの構造の中には不斉中心力く存在しているため、ィ匕学的に合成した^には、 ^^物の光学分割をしなければならない。すなわち、 D—パントラクトンは化学的に合成された D， L—パントラクトンを光学分割することにより製造されている。こうした光学分割を利用した合成法は煩雑であるばかりでなくコストもかかるという問題がある。特に光学分割には特殊ななどを必要としたり、その操作に熟練を要するなどの問題がある。すなわち、光学分割を利用する方法は、キニーネ、ブルシン等の高価な分割剤を必要とするものであり、 D—パントラクトンの回収も容易でない等の欠点を有している。こうした問題点を觸夬する手法として、不斉合成反応を利用した製造法により、光学活性なパントラクトンを合成しょうとする試みカ是案されている（米国特許第 4， 8 7 9， 3 8 9号明細書）。米国特許第 4， 8 7 9， 3 8 9号明細書に記載の方法では、ホスフイノピロリジン化合物を用いる不斉還元により、光学活性なパントラクトンを工業的に極めて優れた不斉収率等により得ることができることが報告されているが、その重要な! ¾であるホスフイノピロリジン化合物を得るには全部で 1 4工程という長い工程が必要であり、それが全体的なコストを上昇させるという問題があった。またそのホスフィノピロリジン化合物を合成する従来の工程のうちには、 4位のジフエニルホスフィノ基のベンゼン核を還元してジシクロへキシルホスフィノ基に変換する工程が必須であった力 \ その変換反応では高温高圧反応（例えば 1 5 0 °C、 1 5 0 W±) をしなければならず、そのための特別な設備を設けなければならないという問題がある。特に工業的に製造をするには、それに適した設備とすることは容易なことではなく、さらにコストもかかることとなるし、製造時における危険性も大きい。ホスフイノピロリジン化合物は、このようにパントラクトンにおけるのみでなく広く光学活性化合物を不斉合成するのに用いられて、優れた 1¾であるが、そのホスフイノピロリジン化合物を簡単に且つ効率良く、そして安価に合成することができれば、その試薬を用いて更に各種の不斉合成に応用することができることから、こうした目的に合った製造方法の開発が強く求められていた。発明の開示

本発明者等は、ホスフイノピロリジン化合物を簡単に且つ効率良く合成することを目指して鋭意研究の結果、ホウ素化合物の存在下に反応を行い、リン原子を保護しながら反応を進めると、ホウ素化合物で保護されたジシクロへキシルホスフイノ基をピロリジン核の 4位に効率良く導入すること力くでき、非常に短し、工程で、なおかつフヱ二ル核を高温高圧で還元するなどという工程を用いることなく目的の不斉合)^蝶の配位子として有用なホスフイノピロリジン化合物を得ること力くできることを見出し、本発明を完成した。すなわち、本発明は、

一般式 ( I ) の化合物

〔式中、 R' はィミノ基の保護基であり、そして R² 及び R³ は、同一又は相異なり、それそ虫立に水酸基の保護基である〕

をホスフィン金属化合物及びホウ素化合物で処理し、次いで得られた一般式 (I I) の化合物

またはホウ素化合物

R⁵

〔式中、 R¹ 及び R² は、それぞれ上記と同様の置換基を意味し、そして R⁴ 及び R⁵ は、同一又は相異なり、それぞ； TL¾fciに置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である〕

ィン金属化合物及びホウ素化合物で処理し、次いで得られた一般式（I I I) の化合物

BH₃またはホウ素化合物

はホウ素化合物

[III]

〔式中、 R¹ 、 R⁴ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を処理して錯化しているホウ素ィ匕合物を脱離せしめ、一般式 (I V) の化合物

〔式中、 R" 及び R 5 は、上記と同様の置換基を意味し、 R" は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕

を得ることを特徴とする製造方法；

〔2〕一般式 (I I I) の化合物〔式中、 R' はィミノ基の保護基であり、そして R⁴ 及び R⁵ は、同一又は相異なり、それぞ虫立に置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である〕またはその溶媒和物；

〔3〕一般式 (I I) の化合物〔式中、 R' はィミノ基の保護基であり、 R² は、水酸基の保護基であり、そして R" 及び R⁵ は、同一又は相異なり、それぞ ¾虫立に置換基を有していてもよ、芳香族炭化水素基である〕をジシクロへキシルホスフィン金属化合物及びホウ素化合物で処理して一般式（I I I) の化合物〔式中、 R' 、 R⁴ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする製造方法；

〔4〕一般式 (I I) の化合物〔式中、 R¹ はィミノ基の保護基であり、 R² は、水酸基の保護基であり、そして R'¹ 及び R⁵ は、同一又は相異なり、それぞ虫立に置換基を有していてもよ L、芳香族炭化水素基である〕またはその溶媒禾ロ物；

〔 5〕一般式（ I ) の化合物〔式中、 R ¹ はィミノ基の保護基であり、そして及び R³ は、同一又は相異なり、それぞ虫立に水酸基の保護基である〕をホスフィン金属化合物及びホウ素化合物で処理し、次いで得られた一般式 (I I) の化合物〔式中、 R' 及び R² は、それぞれ上記と同様の置換基を意味し、そして R⁴ 及び R⁵ は、同一又は相異なり、それぞ l¾Otに置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である〕を得ることを特徴とする製造方法；及び

〔6〕一般式 (I I I) の化合物〔式中、 R' はィミノ基の保護基であり、そして R⁴ 及び R⁵ は、同一又は相異なり、それぞ ^に置換基を有していてもよ、芳香族炭化水素基である〕を処理して錯化しているホウ素化合物を脱離せしめ、一般式（I V) の化合物〔式中、 R 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする製造方法を提供する。さらに別の態様では、本発明は、

〔7〕一般式（I) の化合物〔式中、 R' は、カルボ二ル基を介する基またはィォゥ原子を介する基を示し、そして R² 及び R³ は、同一又は相異なり、それぞれ独立にィォゥ原子を介する基を示す〕を一般式 R⁴ R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R' 及び R⁵ は、同一又は相異なり、それぞれ独立に置換基 (例えば、アルキル基、アルコキシ基、モノー，ジ一又はトリーアルキノレ置換ァミン基、ハロゲンなど）を有していてもよい芳香族炭化水素基（以下、該芳香族炭化水素基を単に R'^ia基という）で、 Mは金属原子である〕及びボラン又はそのアルキル誘本で処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R² 、 R⁴ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕をジシクロへキシルホスフィン金属ィヒ合物及びボラン又はそのアルキノレ誘導体で処理し、次いで得られた一般式（I I I) の化合物〔式中、 R' 、 R 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を、 CH₃ S0₃ H、 CF_;i S0₃ H、 HB F, - 0 (CH₃ ) 2 などの酸及びルイス酸からなる群から選ばれた処理剤で処理してリン—ホウ素結合を開裂せしめ、一般式（I V) の化合物〔式中、 R⁴ 及びは、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R' と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔1〕記載の製造方法；

〔8〕一般式 (I) の化合物〔式中、 R¹ は、一 CO— R^{l a} (式中、 R'^aは、置換基を有していてもよい炭化水素基）、 — COOR'^b (式中、 R'^bは、置換基を有していてもよい炭化水素基）、 -CONR^,cR^ld (式中、 R 及び R^ldは、同一又は相異なり、それぞ虫立に水素原子または置換基を有していてもよい炭化水素基）または一 S (0) „ R'^e (式中、 R^leは、置換基を有していてもよい炭化水素基で、 nは 0、 1または 2を示す）を示し、そして R² 及び R³ は、同一又は相異なり、それぞ l¾立に— S0₂ R^2a (式中、 R^2aは、置換基を有していてもよい炭化水素基を示す）を示す〕を一般式 R⁴ R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R¹ 及びは、同一又は相異なり、それぞ虫立に置換基 ( 例えば、アルキル基、アルコキシ基、モノ—，ジ一又はトリーアルキノレ置換アミン基、ハロゲンなど）を有していてもよいァリ一ノレ基（以下、該ァリーノレ基を単に R^4b基という）を示し、 Mは、金属原子である〕及びボラン又はそのアルキル誘導体で処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R' 、 R² 、 R⁴ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕をジンクロへキシルホスフィン金属化合物及びボラン又はそのアルキル誘導体で処理し、次いで得られた一般式（I I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R'¹ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を、 CH₃ S〇₃ H、 CF₃ S0_;t H、 HBF„ ·◦ (CH₃ ) 2 などの酸及びルイス酸からなる群から選ばれた処理剤で処理してリン—ホウ素結合を開裂せしめ、一般式（I V) の化合物〔式中、 R¹ 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔1〕記載の製造方法；及び

〔9〕一般式（I) の化合物〔式中、 R¹ は、炭素数 2〜7のアルコキシ力ルボニル基、ァリ一ルォキシカルボ二ノレ基、ァラルキルォキシカルボ二ノレ基及び炭素数 2〜 6のアルキルカルボ二ノレ基からなる群から選ばれたもので、該基中のアルキノレ残基、了リ一ル残基及びァラルキノレ残基は、炭素数 1〜 5のアルキル基、炭素数 1〜5のアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン、水酸基及びアミノ基からなる群から選ばれた置換基を有していてもよい（以下、該 R' の基を単に R¹'基という）、そして R² 及び R³ は、同一又は相異なり、それぞ l¾foiに炭素数 1 〜 6のアルキルスルホニル基及びァリ一ルスルホニル基からなる群から選ばれたもので、該基中のアルキノレ残基及びァリ一ル残基は、炭素数 1〜 5のアルキル基、炭素数 1〜5のアルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン、水酸基及びアミノ基からなる群から選ばれた置換基を有していてもよい（以下、該 R² 及び R³ の基を単に R²²基という）〕を一般式 R⁴ R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R⁴ 及び R⁵ は、同一又は相異なり、それぞ妓に置換基（例えば、炭素数 1〜5 の低級アルキル基、炭素数 1〜 5のアルコキシ基、モノ - ，ジー又は卜リ—炭素数 1〜5のアルキル置換アミン基、ハロゲンなど）を有していてもよいフヱニル基（以下、該フ二ル基を単に R"基という）を示し、 Mは、金属原子である〕及びボラン、 BH₃ - THF、 BH:, · S (CH₃ ) , 、ボランのァミン類との錯体（ァミン類としては、 NH₃ 、 t プチルァミン、ジメチルァミン、トリァルキルァミン、モルホリン、ピ口リジン、ピぺリジン、ピリジンなどからなる群から選ばれたもの）、ボラン誘本（例えば、 ThxBH, , I p cBH₂ 、 I p c, BH、 9— BBN、 S i a, BH、 Cy₂ BH、カテコールボランなど）、該ボラン誘導体の THF、 S (CH₃ ) 、ァミン類との錯体からなる群から選ばれたもので処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R' 、 R² 、 R¹ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕をジンクロへキシルホスフィン金属ィ匕合物並びにボラン、 BH₃ ' THF、 BH₃ - S (CH 、ボランのァミン類との錯体（ァミン類としては、 NH₃ 、 t プチルァミン、ジメチルァミン、トリアルキルァミン、モルホリン、ピロリジン、ピペリピリジンなどからなる群から選ばれたもの）、ボラン誘導体（例えば、 T hxBH₂ 、 I p cBH₂ 、 I p c₂ BH、 9 BBN、 S i a） BH、 Cy₂ BH、カテコールボランなど）及び該ボラン誘本の THF、 S (CH₃ ) ₂ 、ァミン類との錯体からなる群から選ばれたもので処理し、次いで得られた一般式 (I I I) の化合物〔式中、 R¹ 、及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を、 CH₃ S0₃ H、 CF₃ S0₃ H、 HBF, · 0 (CH₃ ) ₂ などの酸からなる群から選ばれた処理剤で処理してリンホウ素結合を開裂せしめ、一般式 (IV) の化合物〔式中、 R" 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔 1〕記載の製造方法；及び

〔10〕一般式（I) の化合物〔式中、 R¹ は、 t—ブトキシカルボニル基、ベンジルォキシカルボニル基、ァセチル基及び p メトキシベンジルォキシカルポニル基からなる群から選ばれ（以下、該 R' の基を単に R ¹²基という）、そして R² 及び R³ は、同一又は相異なり、それぞ ¾立に p—メチルフヱニルスルホニル基（トシル基）及びメチルスルホニル基（メシル基）力、らなる群から選ばれる（以下、該 R² 及び R³ の基を単に R ²³基という）〕を一般式 R ⁴ R⁵ P Mのホスフィン金属化合物〔式中、 R' 及び R⁵ は、同一又は相異なり、それぞ l¾立に置換基（例えば、 0—、 m—又は p—メトキシ基、 3, 5—ジメチル一 4ーメトキシ基、 4—ジメチルァミノ基、 4—クロ口基など）を有していてもよいフエニル基（以下、該フヱ二ル基を単に R^4d基という）で、 Mは、 L i、 Na 、 Kなどのアルカリ金属原子である〕並びに、ボラン、 BH₃ ' THF、 BH_a • S (CH₃ ) 及びボランのァミン類との錯体（ァミン類としては、 NH₃ 、 tーブチルァミン、ジメチルァミン、トリアルキルァミン、モルホリン、ピロリジン、ピぺリジン、ピリジンなどからなる群から選ばれたもの）力、らなる群から選ばれたもので処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R² 、 R 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕をジシクロへキシルホスフィンリチウム、ジシクロへキシルホスフィンナトリウムなどのジンク口へキシルホスフィンァルカリ金属化合物及びボランで処理し、次いで得られた一般式（I I I) の化合物〔式中、 R' 、 R' 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を HBF,, · 0 (CH₃ ) , で処理してリン一ホウ素結合を開裂せしめ、一般式（I V) の化合物〔式中、 R' 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R' と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔1〕記載の製造方法を提供する。さらに別の態様では、本発明は、

〔1 1〕一般式（I I I) の化合物〔式中、 R¹ は、カルボ二ル基を介する基またはィォゥ原子を介する基を示し、そして及び R⁵ は、 R "基と同様の置換基を意味する〕またはその溶媒和物であることを特徴とする上記〔2〕記載の化合物；

〔1 2〕一般式（I I I) の化合物〔式中、 R¹ は、 — CO— R'^a、 —CO 0R"\ — CONR^lcR'^dまたは一S (0) _n R'^e (式中、 R^la、 R"\ R'^c、！^^及び尺は、上記と同様の置換基を意味し、 nは 0、 1または 2を示す）を示し、そして R⁴ 及び R⁵ は、 R'^b基と同様の置換基を意味する〕またはその溶媒和物であることを特徴とする上記〔2〕記載の化合物；

〔1 3〕一般式 (I I I) の化合物〔式中、 R¹ は、 R^u基と同様の置換基を意味し、そして及び R⁵ は、 R"基と同様の置換基を意味する〕またはその溶媒和物であることを特徴とする上記〔2〕記載の化合物；及び

〔1 4〕一般式 (I I I) の化合物〔式中、 R' は、 R ¹²基と同様の置換基を意味し、そして R⁴ 及び R⁵ は、 R'^ld基と同様の置換基を意味する〕またはその溶媒和物であることを特徴とする上記〔2〕記載の化合物を提供する。さらに別の態様では、本発明は、

〔1 5〕一般式 (I I) の化合物〔式中、 R¹ は、カルボ二ル基を介する基またはィォゥ原子を介する基を示し、 R² は、ィォゥ原子を介する基を示し、そして R' 及び R⁵ は、 R"基と同様の置換基を意味する〕をジシクロへキシルホスフィン金属化合物及びボラン又はそのアルキル誘導体で処理して一般式 ( I I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R ' 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔3〕記載の製造方法；〔1 6〕一般式 (I I) の化合物〔式中、 R' は、 — CO— R^la、 -COO R^lb、一 CONR^lcR'^dまたは一S (0) „ R^lc (式中、 R^la、 R^{l b}、 R^lc、 R¹ 及び R ^{1 e}は、上記と同様の置換基を意味し、 nは 0、 1または 2を示す）を示し、 R² は、 — S0₂ R^2a (式中、 R^2aは、上記と同様の置換基を意味する）を示し、そして R⁴ 及び R⁵ は、 R'^M '基と同様の置換基を意味する〕をジシクロへキシルホスフィン金属化合物及びボラン又はそのアルキル誘導体で処理して一般式

(I I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R' 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔3〕記載の製造方法；

〔17〕一般式（I I) の化合物〔式中、 R¹ は、 R¹¹基と同様の置換基を意味し、 R² は、 R "基と同様の置換基を意味し、そして R'¹ 及び R⁵ は、 R^,c 基と同様の置換基を意味する〕をジシクロへキシルホスフィン金属化合物並びにボラン、 BH₃ ' THF、 BH₃ · S (CH₃ ) ₂ 、ボランのァミン類との錯体

(ァミン類としては、 NH₃ 、 t—プチルァミン、ジメチルァミン、トリアルキルァミン、モルホリン、ピ口リジン、ピぺリジン、ピリジンなどからなる群から選ばれたもの）、ボラン誘導体（例えば、 ThxBH₂ 、 I p cBH₂ 、 I p c , BH、 9_BBN、 S i a, BH、 Cy₂ BH、カテコールボランなど）、該ボラン誘導体の THF、 S (CH₃ ) 、ァミン類との錯体からなる群から選ばれたもので処理して一般式（I I I) の化合物〔式中、 R' 、 R" 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔3〕記載の製造方法；及び

〔18〕一般式 (I I) の化合物〔式中、 R¹ は、 R ¹²基と同様の置換基を意味し、 R² は、基と同様の置換基を意味し、そして R⁴ 及び R⁵ は、 R" 基と同様の置換基を意味する〕をジシクロへキシルホスフィン金属化合物並びにボラン、 BH₃ ' THF、 BH_;1 · S (CH₃ ) ₂ 及びボランのァミン類との錯体（ァミン類としては、 NH₃ 、 t—プチルァミン、ジメチルァミン、トリァノレキルァミン、モルホリン、ピロリジン、ピペリジン、ピリジンなど力、らなる群力、ら選ばれたもの）からなる群から選ばれたもので処理して一般式（I I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R ' 及び IV は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔3〕記載の製造方法を提供する。さらに別の態様では、本発明は、

〔1 9〕一般式（I I) の化合物〔式中、 R' は、カルボ二ル基を介する基またはィォゥ原子を介する基を示し、 R² は、ィォゥ原子を介する基を示し、そして R⁴ 及び R⁵ は、 R ^{4 a}基と同様の置換基を意味する〕またはその溶媒和物であることを特徴とする上記〔4〕記載の化合物；

〔20〕一般式（I I) の化合物〔式中、 R' は、一 CO— R^{l a}、 —COO R' 、一 CONR'^cR^ldまたは一 S (0) _n R^le (式中、 R^{l a}、 R^{l h}、 R' R¹ 及び R ^{1 e}は、上記と同様の置換基を意味し、 nは 0、 1または 2を示す）を示し、 R² は、一 S0₂ R^£a (式中、 R^2aは、上記と同様の置換基を意味する）を示し、そして R' 及び R⁵ は、 R^4b基と同様の置換基を意味する〕またはその溶媒和物であることを特徴とする上記〔4〕記載の化合物；

[2 1〕一般式（I I) の化合物〔式中、 R¹ は、 R¹¹基と同様の置換基を意味し、 R² は、 R"基と同様の置換基を意味し、そして R'¹ 及び R⁵ は、基と同様の置換基を意味する〕またはその溶媒和物であることを特徴とする上記〔4〕記載の化合物；及び

〔22〕一般式 (I I) の化合物〔式中、 R' は、 R ¹²基と同様の置換基を意味し、 R² は、 R²³基と同様の置換基を意味し、そして R⁴ 及び R⁵ は、 R'^1d 基と同様の置換基を意味する〕またはその溶媒和物であることを特徴とする上記〔4〕記載の化合物を提供する。さらに別の態様では、本発明は、

〔23〕一般式 (I) の化合物〔式中、 R' は、カルボ二ル基を介する基またはィォゥ原子を介する基を示し、そして R² 及び R³ は、同一又は相異なり、それぞ ^1¾立にィォゥ原子を介する基を示す〕を一般式 R" R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R⁴ 及び R⁵ は、 R"基と同様の置換基を意味し、 Mは金属原子である〕及びボラン又はそのアルキル誘本で処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R² 、 R' 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を示す〕を得ることを特徴とする上記〔5〕記載の製造方法；

〔24〕一般式 (I) の化合物〔式中、 R¹ は、一 CO R'"、 -C00R "\ — CONR'^cR'^dまたは一 S (0) „ R^le (式中、 R'^a、 R^{l b}、 R"\ R^ld 及び R'^uは、上記と同様の置換基を意味し、 nは 0、 1または 2を示す）を示し、そして R² 及び R³ は、同一又は相異なり、それぞ ¾立に一 S0₂ R^2a (式中、 R^2aは、上記と同様の置換基を意味する）を示す〕を一般式 R' R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R" 及び R⁵ は、 R"基と同様の置換基を意味し、 Mは、金属原子である〕及びボラン又はそのアルキル誘導体で処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R² 、 IT 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を示す〕を得ることを特徴とする上記〔5〕記載の製造方法；

〔25〕一般式（I) の化合物〔式中、 R¹ は、 R ¹¹基と同様の置換基を意味し、そして R² 及び R³ は、 R"基と同様の置換基を意味する〕を一般式 R'¹ R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R" 及び R⁵ は、 R 基と同様の置換基を意味し、 Mは、 L i、 Na、 Kなどのアルカリ金属原子である〕並びにボラン、 BH₃ ' THF、 BH₃ · S (CH_:1 ) ₂ 、ボランのァミン類との錯体（ァミン類としては、 NH₃ 、 tーブチルァミン、ジメチルァミン、トリアルキルァミン、モルホリン、ピロリジン、ピペリジン、ピリジンなどからなる群から選ばれたもの）、ボラン誘本（例えば、 ThxBH₂ 、 I p cBH₂ 、 I p c₂ B H、 9— BBN、 S i a₂ BH、 Cy₂ BH、カテコールボランなど）、該ボラン誘導体の THF、 S (CH₃ ) ₂ 、ァミン類との錯体からなる群から選ばれたもので処理し、次いで得られた一般式 (I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R² 、 R" 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を示す〕を得ることを特徴とする上記〔5〕記載の製造方法；及び

〔26〕一般式（I) の化合物〔式中、 R¹ は、 R ¹²基と同様の置換基を意味し、そして R² 及び R³ は、 R²³基と同様の置換基を意味する〕を一般式 R⁴ R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R" 及び R⁵ は、 R"基と同様の置換基を意味し、 Mは、 L i、 Na、 Kなどのアルカリ金属原子である〕並びにボラン、 ΒΗ₃ · THF、 BH:, · S (CH₃ ) ₂ 及びボランのアミン類との錯体 ( アミン類としては、 NH₃ 、 t—プチルァミン、ジメチルァミン、トリアルキルァミン、モルホリン、ピ口リジン、ピぺリジン、ピリジンなどからなる群から選ばれたもの）からなる群から選ばれたもので処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R² 、 R' 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を示す〕を得ることを特徴とする上記〔5〕記載の製造方法を提供する。さらに別の態様では、本発明は、

〔27〕一般式（I I I) の化合物〔式中、 R' は、カルボ二ル基を介する基またはィォゥ原子を介する基を示し、そして、 R⁴ 及び R⁵ は、 R"基と同様の置換基を意味する〕を、 CH₃ S0_;i H、 CF₃ SO:, H、 HBF, · 0 (C H ₃ ) ₂ などの酸及びルイス酸からなる群から選ばれた処理剤で処理してリン一ホウ素結合を開裂せしめ、一般式（I V) の化合物〔式中、 R' 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔6〕記載の製造方法；

〔28] 一般式（I I I) の化合物〔式中、 R¹ は、 CO R^la、 —CO 0R'^b、一CONR^lcR^ldまたは一 S (0) „ R'^c (式中、 R^la、 R'^b、 R'^c、 R^ld及び R^l(;は、上記と同様の置換基を意味し、 nは 0、 1または 2を示す）を示し、そして R'¹ 及び R⁵ は、 R"基と同様の置換基を意味する〕を、 CH₃ S 0₃ H、 CF₃ S0₃ H、 HBF, · 0 (CH₃ ) ■> などの酸及びルイス酸からなる群から選ばれた処理剤で処理してリン—ホウ素結合を開裂せしめ、一般式（ IV) の化合物〔式中、 R" 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔6〕記載の製造方法；

〔29〕一般式 (I I I) の化合物〔式中、 R' は、 R ¹¹基と同様の置換基を意味し、そして R 及び R⁵ は、 R'^l(:基と同様の置換基を意味する〕を CH₃ SOs H、 CF₃ S0₃ H、 HBF,, - 0 (CH₃ ) ₂ などの酸からなる群から選ばれた処理剤で処理してリンホウ素結合を開裂せしめ、一般式（I V) の化合物〔式中、 R¹ 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記^ と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔6〕記載の製造方法；及び〔30〕一般式 (I I I) の化合物〔式中、 R' は、 R' ²基と同様の置換基を意味し、そして R⁴ 及び R⁵ は、 R ^{4 d}基と同様の置換基を意味する〕を HBF ₄ · 0 (CH₃ ) 2 で処理してリンーホウ素結合を開裂せしめ、 ^^式 (I V) の化合物〔式中、 R⁴ 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕を得ることを特徴とする上記〔6 〕記載の製造方法を樹共する。さらに別の態様では、本発明は、

〔31〕一般式 (I) の化合物〔式中、 R' はィミノ基の保護基であり、そして及び R³ は、同一又は相異なり、それぞ l¾立に水酸基の保護基である〕をホスフィン金属化合物及びホウ素化合物で処理し、次いで得られた一般式 ( I I) の化合物〔式中、 R' 及び R² は、それぞれ上記と同様の置換基を意味し、そして R'¹ 及び R⁵ は、同一又は相異なり、それぞ虫立には置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である〕をジシクロへキシルホスフィン金属化合物及びホウ素化合物で処理し、次いで得られた一般式 (I I I) の化合物〔式中、 R' 、 R⁴ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を処理して錯化しているホウ素化合物を脱離せしめ、得られた一般式 (IV) の化合物〔式中、 R⁴ 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕において R⁶ 力水素原子の場合、必要に応じて置換基 R 〔式中、 Rは、ィミノ基の保護基を示す〕を導入して、一般式 (V) の化合物

[V] 〔式中、 R¹ 、 R⁵ 及び Rは、上記と同様の置換基を表す〕を得ることを特徴とする製造方法；

〔32〕一般式 (I) の化合物〔式中、 R' は、カルボ二ル基を介する基またはィォゥ原子を介する基を示し、そして R² 及び R³ は、同一又は相異なり、それぞ^¾¾5：にィォゥ原子を介する基を示す〕を一般式 R⁴ R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R⁴ 及び R⁵ は、 R"基と同様の置換基を意味し、 Mは金属原子である〕及びボラン又はそのアルキル誘本で処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R² 、 R'¹ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕をジシクロへキシルホスフィン金属化合物及びボラン又はそのアルキル誘導体で処理し、次いで得られた一般式（I I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R⁴ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を、 CH S0₃ H、 CF₃ S0₃ H、 HBF, - 0 (CH₃ ) などの酸及びルイス酸からなる群から選ばれた処理剤で処理してリン—ホウ素結合を開裂せしめ、一般式（I V) の化合物〔式中、 R¹ 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕を得、該化合物において R⁶ 力水素原子の場合、必要に応じて置換基 R 〔式中、 Rは、カルボ二ル基を介する基またはィォゥ原子を介する基を示す〕を導人して、一般式 (V) の化合物〔式中、 IT 、 R⁵ 及び Rは、上記と同様の置換基を表す〕を得ることを特徴とする上記〔3 1〕記載の製造方法；

(33〕一般式 (I) の化合物〔式中、 R' は、 — CO— R^la、 — COOR ^lb、ー〇0 !^ 1^"またはー8 (0) n R^le (式中、 R^la、 R'"、 R'^c、 R^,d 及び R'。は、上記と同様の置換基を意味し、 nは 0、 1または 2を示す）を示し、そして R² 及び R³ は、同一又は相異なり、それぞれ独立に— S0₂ R^2a (式中、 R^2aは、上記と同様の置換基を意味する）を示す〕を一般式 R⁴ R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R⁴ 及び R⁵ は、 R "基と同様の置換基を意味し、 Mは、金属原子である〕及びボラン又はそのアルキル誘本で処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R² 、 R" 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕をジシクロへキシルホスフィン金属化合物及びボラン又はそのアルキル誘本で処理し、次いで得られた一般式（I I I) のィ匕合物〔式中、 R' 、 R" 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を、 CH₃ S0₃ H、 CF₃ SO_;i H、 HBF., · 0 (CH₃ ) ₂ などの酸及びルイス酸からなる群から週ま'れた処理剤で処理してリン一ホウ素結合を開裂せしめ、一般式 (I V) の化合物〔式中、 R⁴ 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕を得、該ィ匕合物において R ⁶ 力く水素原子の場合、必要に応じて置換基 R 〔式中、 Rは、 —C 〇一 R³" (式中、 R^3aは、置換基を有していてもよい炭化水素基）、 — COOR³ (式中、 R^3bは、置換基を有していてもよい炭化水素基）、 -CONR^3cR^3d ( 式中、 R^3[及び R^3dは、同一又は相異なり、それぞ虫立に水素原子または置換基を有していてもよい炭化水素基）または—S (0) „ R³ⁿ (式中、 R^3eは、置換基を有していてもよい炭化水素基で、 nは 0、 1または 2を示す）を示す〕を導入して、一般式 (V) の化合物〔式中、 R'¹ 、 R⁵ 及び Rは、上記と同様の置換基を表す〕を得ることを特徴とする上記〔3 1〕記載の製造方法；

〔3 4〕一般式（I) の化合物〔式中、 R' は、 R ¹¹基と同様の置換基を意味し、そして R² 及び R³ は、 R"基と同様の置換基を意味する〕を一般式

R^F PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R⁴ 及び R⁵ は、 R'^lc基と同様の置換基を意味し、 Mは、 L i、 Na、 Kなどのアルカリ金属原子である〕並びにボラン、 BH_:1 ' THF、 BH₃ · S (CH₃ ) , 、ボランのァミン類との錯体（ァミン類としては、 NH₃ 、 t—ブチルァミン、ジメチルァミン、卜リアルキルァミン、モルホリン、ピロリジン、ピペリジン、ピリジンなどからなる群から選ばれたもの）、ボラン誘導体（例えば、 ThxBH₂ 、 I p c BH₂ 、 I p c₂ B H、 9一 BBN、 S i a₂ BH、 Cy₂ BH、カテコールボランなど）、該ボラン誘導体の THF、 S (CH₃ ) 2 、ァミン類との錯体からなる群から選ばれたもので処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R² 、 R ¹ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕をジシクロへキシルホシルホスフィンアルカリ金属化合物並びにボラン、 BH₃ ' THF、 BH₃ - S (CH₃ ) 2 、ボランのァミン類との錯体（ァミン類としては、 NH₃ 、 t—ブチルァミン、ジメチルァミン、トリアルキルァミン、モルホリン、ピロリピぺリジン、ピリジンなどからなる群から選ばれたもの）、ボラン誘導体（例えば、 ThxBH₂ 、 I p c BH₂ 、 I p c₂ BH、 9一 BBN、 S i a₂ BH、 Cy₂ BH、カテコ一ルポランなど）及び該ボラン誘割本の THF、 S (CH₃ ) 2 、ァミン類との錯体からなる群から; Sばれたもので処理し、次いで得られた一般式 (I I I) の化合物〔式中、 R¹ 、 R¹ 及び R⁵ は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を CH₃ S0₃ H、 CF_a SO, ト I、 HBF, · 0 (CH 3 ) 2 などの酸及びルイス酸からなる群から選ばれた処理剤で処理してリン一ホゥ素結合を開裂せしめ、一般式（I V) の化合物〔式中、 R⁴ 及び R⁵ は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕を得、該化合物において R⁶ が水素原子の場合、必要に応じて置換基 R 〔式中、 Rは、炭素数 2〜7のアルコキシカルボニル基、ァリールォキシカルボ二ノレ基、ァラルキルォキシカルボニル基及び炭素数 2〜 6のアルキルカルボニル基からなる群から選ばれたもので、該基中のアルキル残基、ァリ一ル残基及びァラルキル残基は、炭素数 1〜5のアルキル基、炭素数 1〜5のアルコキシ基、ニト口基、ハロゲン、水酸基及びアミノ基からなる群から遷ま'れた置換基を有していてもよい〕を導入して、一般式（V) の化合物〔式中、 R⁴ 、 R⁵ 及び Rは、上記と同様の置換基を表す〕を得ることを特徴とする上記〔3 1〕記載の製造方法；及び

〔35〕一般式 (I) の化合物〔式中、 R' は、 R ¹²基と同様の置換基を意味し、そして R² 及び R³ は、 R²³基と同様の置換基を意味する〕を一般式 R'' R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R⁴ 及び R⁵ は、 R^4d基と同様の置換基を意味し、 Mは、 L i、 Na、 Kなどのアルカリ金属原子である〕並びにボラン、 ΒΗ₃ · THF、 BH₃ · S (CH₃ ) 2 及びボランのァミン類との錯体 ( アミン類としては、 NH₃ 、 t—ブチルァミン、ジメチルァミン、トリアルキルァミン、モルホリン、ピ口リジン、ピぺリジン、ピリジンなどからなる群から選ばれたもの）、ボラン誘本（例えば、 ThxBH₂ 、 I p cBH₂ 、 I p c, BH、 9_BBN、 S i a₂ BH、 Cy₂ BH、カテコールボランなど）及び該ボラン誘導体の THF、 S (CH₃ ) ₂ 、ァミン類との錯体からなる群から選ばれたもので処理し、次いで得られた一般式（I I) の化合物〔式中、 R R² 、 R 及び R⁵ は、それぞれ上言己と同様の置換基を意味する〕をジンクロへキシルホスフィンリチウム、ジシクロへキシルホスフィンナトリウムなどのジシクロへキシルホスフィンアルカリ金属ィヒ合物並びにボラン、 BH₃ * THF、 BH₃

• S (CH₃ ) 及びボランのアミン類との錯体（アミン類としては、 NH₃ 、 tーブチルァミン、ジメチルァミン、卜リアルキルァミン、モルホリン、ピロリジン、ピぺリジン、ピリジンなどからなる群から選ばれたもの）、ボラン誘導体

(例えば、 ThxBH, 、 I p c BH, 、 I p c₂ BH、 9— BBN、 S i a₂ BH、 Cy , BH、カテコールボランなど）及び該ボラン誘導体の TH F、 S ( CH₃ ) ₂ 、ァミン類との錯体からなる群から選ばれたもので処理し、次いで得られた一般式（I I I) の化合物〔式中、 R' 、 R 及び IV は、それぞれ上記と同様の置換基を意味する〕を HBF₄ · 0 (CH₃ ) , で処理してリン一ホウ素結合を開裂せしめ、一般式（IV) の化合物〔式中、 R' 及び R。は、上記と同様の置換基を意味し、 R⁶ は水素原子または上記 R¹ と同様の置換基を意味する〕を得、該化合物において R^s 力水素原子の場合、必要に応じて置換基 R 〔式中、 Rは、 t一ブトキンカルボニル基、ベンジルォキシカルボニル基、ァセチル基及び P—メトキシベンジルォキシカルボニル基からなる群から週ま'れる〕を導入して、一般式 (V) の化合物〔式中、 R¹ 、 R^r' 及び Rは、上記と同様の置換基を表す〕を得ることを特徴とする上記〔3 1〕記載の製造方法を提供する。本発明にお、て、ピロリジン環の 2位及び 4位には光学活性中心の炭素原子が存在し、それぞれの立体配置に従い、光学異性体（あるいはェナンチォマー）及びジァステレオマ一が存在する。ピロリジン環の 2位及び 4位の炭素原子の配位の組合わせとしては、（2 S， 4R)体、 (2 S, 4 S) 体、（2R， 4 S)体及び（ 2 R, 4 R) 体が挙げられる。例えば、 (2 S, 4 R) 体であるピロリジン環の 2位及び 4位炭素原子をもつ一般式（I) の化合物を原料として用いた場合、（2 S, 4R)体であるピロリジン環の 2 i¾び 4位炭素原子をもつ一般式

(I I) の化合物が得られ、そして（ 2 S, 4 S)体であるピロリジン環の 2位及び 4位炭素原子をもつ一般式（I I I) の化合物及び一般式 (I V) の化合物力く得られる。同様に、一般式（I) の化合物において、（2R， 4 S)体を用いた場合、一般式 (I I) の化合物においては（2R， 4 S)体力 \ そして一般式 ( I I I ) の化合物及び一般式 ( I V) のィヒ合物においては（2 R， 4 R) 体が得られる。発明を実施するための最良の形態

本発明は、一般式（ I V) の不斉合劍虫媒ホスフイノピロリジン化合物の新規な製造法及びその製造法で得られる新規な一般式（I I ) 及び z又は一般式（I

I I ) の中間体化合物を ¾ί共する。

上記置換基 R ' 及び Rは、ィミノ基の保護基である。このイミノ基の保護基としては、一般の有機合成の分野で使用されるィミノ基の保護基であり、反応を阻害しないものであれば制限なく使用することができる。該ィミノ基の保護基としては、通常の反応条件では安定であるが、特殊な条件または試薬により容易に離脱されるような保護基、あるいは必要とするィミノ基のみを選択的に保護しうること力く知られているものであり、例えばペプチド、核酸、糖類に関係した保護基も使用することが可能である。ィミノ基の保護としては、 t—プチルメチルシリ —ル誘導体による保護、例えばトリベンジルシリ一ル誘本などのトリァラルキルシリ一ノレ誘導体による保護、了シル基による保護などが挙げられる。

R ¹ 及び Rは、カルボ二ル基を介する基またはィォゥ原子を介する基であることができる。該ィミノ基の保護基としては、例えばホルミル基、例えばァセチル基、クロロアセチル基、ジクロロアセチル基、トリフルォロアセチノレ基、メトキシァセチル基、フヱノキシァセチノレ基などの置換されていてもよいアルキルカルボニル基、例えばべンゾィノレ基、 p—ニトロべンゾィノレ基などの置換されてし、てもよいァリ一ルカルボ二ノレ基、例えばエトキンカルボニル基、 β， β, 3—トリクロ口エトキシカルボニル基、 β, β, /3—トリブロモエトキンカルボニル基、 t—ブトキシカルボニル基、トリチルォキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基、例えばフヱノキシカルボ二ノレ基、 p—ニトロフヱノキシカルボニル基などの置換されていてもよいァリールォキシ力ルポ二ル基、例えばべンジロキシ力ルポニル基などの置換されて、てもよぃァラルキルォキシ力ルポ二ル基、例えばベンゼンスルホニル基、 p—トルエンスルホニル基などの置換されていてもよぃァリ一ルスルホニル基、例えばメチルスルホニル基などの置換されてし、てもよいアルキルスルホ二ノレ基、例えばメチルカルバモイノレ基、 t—ブチルカルバモイノレ基、フヱニルカルノくモィノレ基などの置換されていてもよい力ルバモイノレ基など力く挙げられる。上記 R及び R ' におけるカルボ二ル基を介する基としては、例えば、式： C

0— R ^a (式中、 R ^a は、置換基を有していてもよい炭化水素基）、式：—C O O R (式中、 R ^b は、置換基を有していてもよい炭化水素基）、式：— C O N R ^c R^d (式中、 R 及び R '¹ は、同一又は相異なり、それぞ虫立に水素原子または置換基を有していてもよい炭化水素基）で表される基等が挙げられる。 R

¹ 、 R ^b 、 R ' 及び R^d で示される炭化水素基としては、例えばメチル基、ェチノレ基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、 s —ブチル基、 t—ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、ノニル基、デシル基、ゥンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基などの炭素数 1〜1 5のアルキル基、例えばビニル基、ァリノレ基、 2— メチルァリル基、 2—ブテニル基、 3—ブテニル基、 3—ォクテ二ノレ基などの炭素数 2〜 1 2のアルケニル基、例えばェチニル基、 2—プロピニル基、 3—へキシニル基などの炭素数 2〜1 2のアルキニル基、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチノレ基、シクロへキシル基、シクロへプチル基などの炭素数 3〜1 2のシクロアルキル基、炭素数 3〜1 2のシクロアルケニル基、例えばフヱニノレ基、ナフチル基などの炭素数 6〜1 2のァリール基、例えばべンジル基、フヱニルェチル基、トリフヱニルメチル基（トリチル基）などの炭素数 7〜 1 4のァラルキノレ基等力く挙げられる。また「置換基を有していてもよい炭化水素基」のその置換基としては、同一又は相異なるものであってよく、 1個から複数個存在していてよく、上記したような炭素数 1〜1 5のアルキル基、炭素数 2〜1 2のアルケニル基、炭素数 2〜1 2のアルキニル基、炭素数 3〜1 2のシクロアルキル基、炭素数 6〜1 2のァリ —ル基、炭素数？〜 1 4のァラルキル基、ニトロ基、水酸基、メルカプト基、ォキソ基、チォキソ基、シァノ基、力ルバモイル基、カルボキシ基（例えばメトキシカルボニル基、ェトキシカルボニル基などの炭素数 1〜 4のアルキルカルボニル基など）、スルホ基、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン、例えばメトキシ基、ェトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、 t—ブトキシ基などの炭素数 1〜4のアルコキシ基、例えばフヱノキシ基などの炭素数 6〜 1 2のァリ一ルォキシ基、例えばメチルチオ基、ェチルチオ基、 n プロピルチオ基、 n プチルチオ基、 t—プチルチオ基などの炭素数 1〜4のアルキルチオ基、例えばフヱニルチオ基などの炭素数 6〜1 2 のァリ一ルチオ基、例えばメチルスルフィニル基、ェチルスルフィニル基などの炭素数 1〜4のアルキルスルフィニル基、例えば、フヱニルスルフィニル基などの炭素数 6〜1 2のァリ一ルスルフィニル基、例えば、メチルスルホニル基、ェチルスルホニル基などの炭素数 1〜 4のアルキルスルホニル基、例えば、フェニルスルホニル基などの炭素数 6〜 1 2のァリ一ルスルホニル基、アミノ基、例えばァセチルァミノ基、プロピオニルァミノ基などの炭素数 2〜8のァシルァミノ基、例えばメチルァミノ基、ェチルァミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルァミノ基、プチルァミノ基、ジメチルァミノ基、ジェチルァミノ基、ジプロピルァミノ基などのモノーまたはジー炭素数 1〜 5アルキル置換ァミノ基、例えばシクロへキシルァミノ基などの炭素数 3〜7のシクロアルキルアミノ基、例えばァニリノ基などの炭素数 6〜 1 2のァリ一ルァミノ基、例えばァセチル基などの炭素数 2〜 8のァシル基、例えばべンゾィノレ基などの炭素数 6〜 1 2のァリール —カルボニル基など;^挙げられる。上記 R及び R ¹ におけるィォゥ原子を介する基としては、例えば、式：— S (0) - R ^E (式中、 R。は、置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、 nは 0、 1または 2を表す）で表される基等力く挙げられる。 IT で示される炭化水素基としては、上記 R ^A 、 R " 、 R ^C 及び R ^D で示された炭化水素基力挙げられる。上記置換基 R ² 及び R ³ は、同一又は相異なり、それぞ ¾立に水酸基の保護基である。この水酸基の保護基としては、一般の有機合成の分野で使用される水酸基の保護基であり、反応を阻害しないものであれば制限なく使用することができる。該水酸基の保護基としては、通常の反応条件では安定であるが、特殊な条件またはにより容易に离湖兑されるような保護基、あるいは必要とする水酸基のみを選択的に保護しうること力く知られて、るものであり、例えばべプチド、核酸、糖類に関係した保護基も使用することが可能である。

該水酸基の保護基としては、例えばベンゼンスルホ二ノレ基、 P—トルエンスルホニル基などの置換されていてもよいァリ一ルスルホニル基、例えばメチルスルホニノレ基などの置換されていてもよいアルキルスルホ二ノレ基など力く特に好ましく、水酸基の脱離、さらにホスフィノ化が効率よく行われる。

R ² 及び R ³ は、同一又は相異なり、それぞれ独立にィォゥ原子を介する基であることができる。 R ² 及び R ³ におけるィォゥ原子を介する基としては、例えば、式：— S 0₂ R ^{2 a} (式中、 R ² "は、置換基を有していてもよい炭化水素基 ) で表される基等が挙げられる。 R ^{2 a}で示される炭化水素基としては、上記 R ^a 、 R ^b 、 R。及び R ^d で示された炭化水素基が挙げられる。上記 R " 及び R ⁵ は、同一又は相異なり、それぞ虫立に置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。該 R " 及び R ⁵ の「芳香族炭化水素基」としては、 ±15 R ^a 、 R ^b 、 R ^c 及び R '¹ で示される炭化水素基において示された、例えばフヱニル基、ナフチノレ基などの炭素数 6〜1 2のァリ一ノレ基、例えばべンジノレ基、フヱ二ルェチノレ基、トリフヱニルメチノレ基 (トリチル基）などの炭素数 7 〜1 4のァラルキル基等力く挙げられる。「置換基を有していてもよい芳香族炭ィ匕水素基」における置換基としては、同じく上記「置換基を有していてもよい炭ィヒ水素基」のその置換基として挙げられたものを用いること力できる。好ましい R " 及び R ⁵ としては、非置換芳香族炭化水素基または置換基（例えば、アルキル基、アルコキシ基、モノー，ジ一又はトリーアルキル置換アミノ基、ハロゲンなど）を有していてもよい芳香族炭化水素基など力挙げられ、より好ましいものとしては、フエニル基または置換基（例えば、アルキル基、アルコキシ基、モノ一，ジ一又はトリ一アルキル置換アミノ基、ハロゲンなど）を有していてもよいフヱニル基などが挙げられる。特に好適には、 R ⁴ 及び R ⁵ としては、同一であつて、例えば、 0—、 m—又は p—メトキシフエ二ノレ基、 3 , 5—ジメチルー 4— メトキシフエ二ル基、 4—ジメチルァミノフエ二ノレ基、 4—クロ口フエニル基などの置換基を有してし、てもよぃフヱニル基力く挙げられる。一般式 (I) の化合物から一般式（I I) の化合物を製造する工程で用いられるホスフィン金属化合物としては、当該有機合成の分野で置換基一 OR³ と置換反応させて、基一 PR⁴ R⁵ を導入することができること力く知られているものを使用することができ、例えば、一般式 R'¹ R⁵ PMのホスフィン金属化合物〔式中、 R¹ 及び IV は上記と同義で、 Mは金属原子である〕などが挙げられる。特に好ましくは、一般式（R'¹ ) 2 PMのホスフィン金属化合物〔式中、は、上記と同義で、 Mは金属原子である〕力挙げられる。該一般式 R' R⁵ PMのホスフイン金属化合物は、相当するホスフィンハロゲン化物を、金属（例えばナ卜リウム、リチウム、カリウムなどのアルカリ金属など）と反応させて得ることもできる力 <、通常は当該分野で！^として市販されているものを利用することができる。該ホスフィン金属化合物としては、例えばジフヱニルホスフィンリチウム (Ph₂ P-L i) 、ジフエ二ルホスフィンナトリウム（Ph₂ P— Na) など力く挙げられる。一般式（I) の化合物から一般式（I I) の化合物を製造する工程及び一般式 (I I) の化合物から一般式（I I I) の化合物を製造する工程においてそれぞれ用いられるホウ素化合物は、同一又は相異なっていてよく、ボラン（ΒΗ, ) 、ボランのテトラヒドロフラン（THF) 配位体 (BHs ' THF) , ボランのジメチルスルフィド（S (CH^ ) ₂ ) 配位体（BH₃ · S (CH₃ ) ₂ ) 、ボランのァミン類（NH₃ 、 tーブチルァミン、ジメチルァミン、トリアルキルァミン、モルホリン、ピロリジン、ピぺリジン、ピリジンなど）との錯体、ボラン誘導体（例えば、セキシルボラン（テキシルボラン；（CH₃ ) , CHC (CH ₃ ) 2 BH₂ ) (ThxBH₂ ) 、モノイソピノカンフヱニルボラン（I p c B H₂ ) 、ジイソピノカンフエニルボラン（I p c.: BH) 、 9一ボラビシクロ（； 3. 3. 1] ノナン（9— BBN) 、ジシァミルボラン（〔（CH₃ ) ₂ CHC H (CH₃ )〕 2 BH) (S i a₂ BH) 、ジシクロへキシルボラン（Cy₂ B H) 、カテコールボランなど）、ボラン誘導体の THF、 S (CH₃ ) ₂ 、アミン類との錯体などを挙げることができる。例えば、 BH₃ 、 BH₃ ' THF、 B Η_;ι . S (CH₃ ) ₂ 、ボラン ·モルホリン錯塩、ボラン · ピロリジン錯塩、ボラン · ピぺリジン錯塩、ボラン · トリアルキルァミン錯塩などカ子ましい。より好ましくは、 BH₃ ' THF、 BH₃ · S (CH₃ ) ₂ などが挙げられる。該ホゥ素化合物は、通常例えばテトラヒドロフラン、ジェチルェ一テルなどの非プロトン溶媒の溶液として反応に用いることができる。またアミン類との錯体の場合には、さらに通常の溶媒、アルコール、水などをその溶媒として用いることができる。好適には、 BH₃ · THFのテトラヒドロフラン溶液、 BH₃ - S (CH ₃ ) ₂ のテトラヒドロフラン溶液を用いることができる。通常は当該分野で試薬「市販されているものを利用することができる。一般式（I) の化合物は、例えば、米国特許第 4， 879, 389号明細書に記載の方法あるいはそれと類、似の方法などにより得ることができる。

一般式 (I) の化合物から一般式（I I) の化合物を製造するェ禾 ¾び一般式

(I I) の化合物から一般式 (I I I) の化合物を製造する工程においては、反応は溶媒中で行うのが好ましく、溶媒としては非プロトン溶媒、例えばテトラヒドロフラン、ジェチルエーテル、イソプロピルエーテル、メチル · tーブチルェ一テルなどのエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、 N, N—ジメチルホルムアミド（DMF) 等が挙げられる。これらは 1種または 2種以上を適当な割合で混合して適宜使用できる。

一般式 (I I) の化合物を製造する工程においては、ホスフィン金属化合物とホウ素化合物は、段階的に作用させてもよいし、あるいは一度に作用させることもでき、選択的に一級水酸基をホスフイノ基に置換する。この工程においては、反応は極めて低温下に行うのカ子ましいが、反応温度としては、約一 70°C〜+ 10 °C、好ましくは約— 60 °C〜一 20 °C、より好ましくは約 50 °C〜― 30 °C、さらに好ましくは約一 40 °Cである。代表的な方法では、次の工程式で表されるようにして反応が行われる

上記において、ジトシレート化合物 [Γ ] をテトラヒドロフラン中、約一 4 0 °Cでジフヱニルホスフィンリチウムを作用させると、その一級水酸基を選択的にジフエニルホスフイノ基に置換することができ、次いでボランを作用させることにより、ィ匕合物 [II⁷ ] を得る。上記反応において、代表的な反応条件は

1 ) 溶媒；テトラヒドロフラン、イソプロピルエーテル、ジェチルエーテル、メチルー tert ブチルエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン DMF

2)試薬； Ph₂ P— L i、 Ph₂ P— Na、 Ph₂ P— K、他

3 ) ¾S ; - 40 °C. 70〜十 10°C

4) 時間； 16 h r s、 2〜24 h r s

である。上記においてジフエ二ルホスフィン化工程で生成する化合物 [ΙΓ ] のリン原子はボランのホウ素原子と錯結合し、保護されている。したがって空気中の酸素に接触し酸化されて、酸化ィヒ合物力く副生することはない。ジフエニルホスフィンリチウム及びボランを段階的に作用させる力、、あるいは一度に作用させることにより、選択的に一級水酸基をホスフィノ基に置換できる。上記反応式では、 (2 S, 4 R)体であるピロリジン環の 2位及び 4位炭素原子をもつ一般式 ( I) の化合物を原料として用いた場合を示してある力その他の立体配置を有するものを使用することができることはいうまでもない。一般式（I I) の化合物から一般式 (I I I) の化合物を製造する工程において用いられるジシクロへキシルホスフィン金属化合物としては、例えばナトリゥム、リチウム、カリウムなどのアル力リ金属などのジシクロへキシルホスフインを女子適に用いることができる。ジンクロへキシルホスフィン金属ィヒ合物は、相当するホスフィンハロゲン化物を、金属（例えばナトリウム、リチウム、カリウムなどのアルカリ金属など）と反応させて得ることもできるが、通常は当該分野でとして市販されているものを利用することができる。該ホスフィン金属化合物としては、例えばジシクロへキシルホスフィンリチウム（Cy₂ P-L i) 、ジシクロへキシルホスフィンナトリウム（Cy₂ P-Na) など力く挙げられる。一般式（I I) の化合物から一般式 (I I I) のィ匕合物を製造する工程においては、ジンクロへキシルホスフィン金属ィヒ合物とホウ素ィ匕合物は、一般式 (I I ) の化合物を製造する工程よりはより高い温度で反応させることカ子ましく、二級水酸基をホスフイノ基に置換できる。この工程においては、反応は通常低温下力、ら常温で行うこと力でき、例えば反応温度としては、約 0 °C〜 40 °C、好ましくは約 5 °C〜 30 °C、より好ましくは約 1 0 °C：〜 25 °C、さらに好ましくは約 2 0°Cである。

代表的な方法では、次の工程式で表されるようにして反応が行われる。

上記において、ジフエニルホスフィン 'ボラン錯体化合物 [II' ] に、テトラヒドロフラン中、ジシクロへキシルホスフィンリチウム及びボランを作用させることにより、二級水酸基をジシクロへキシルホスフイノ基に置換した化合物

[ III' ] 力得られる。上記反応において、代表的な反応条件は

1 ) 溶媒；テトラヒドロフラン、ィソプロピルエーテル、ジェチルェ一テル、メチルー tert—ブチルェ一テル、ベンゼン、トルエン、キンレン DMF

2) 試薬； Cy₂ P L i、 Cy₂ P - Na、 Cy₂ P K、他

3 ) 温度； 20 °C、 0〜 40 °C

4 ) 時間； 1 6 h r s、 2〜 24 h r s

である。上記においてジンクロへキシルホスフイノ化工程で生成する化合物

[ III' ] のリン原子はボランのホウ素原子と錯結合し、保護されている。したがって空気中の酸素に接触し酸化され、酸化化合物が副生することはない。上記反応式では、（ 2 S， 4 R)体であるピロリジン環の 2 β¾び 4位炭素原子をもつ一般式 (I I) の化合物を用いた場合を示してあり、（2 S, 4 S) 体であるピロリジン環の 2位及び 4位炭素原子をもつ一般式（I I I) の化合物が得られることが示してある力く、その他の立体配置を有するものを使用することができ、それに対応した配置を持つィ匕合物が得られることはいうまでもない。

一般式（I I I) の化合物から一般式 (I V) の化合物を製造する工程においては、リン原子の上に錯ィ匕しているホウ素化合物を脱離せしめることのできる方法を制限なく使用できる。こうした処理に用いることのできるものとしては、 C H:, S0₃ H、 CF:, S0₃ H、 H B F , - 0 (CH₃ ) , などの酸、ルイス酸などを挙げることができる。ルイス酸は、電子対と結合するものである。本発明にお、ては、リン原子とホウ素原子の結合を開裂すること力口られたものであれば、これを使用すること力くできる。一般式 (I V) の化合物のピロリジン環の窒素原子上のィミノ保護基は脱離せしめられて水素原子となる^もあるし、またそのまま残る場合もある。代表的な方法では、次の工程式で表されるようにして反応が行われる _c

PPh 2

上記において、化合物 [ III' ] をジクロロメタン中、 HBF₄ OMeを作用し、脱ボラン化を行い、ィ匕合物 [IV ] を高収率で得る。なお代表的には上記反応式中、 R⁶ は、水素原子または t—ブトキシカルボ二ル基を表す。上記反応において、代表的な反応条件は

1)溶媒；ジクロロメタン、ジクロロェタン、ベンゼン、トルエン

2)試薬； HBF., OMe₂ 、 CH₃ S0₃ H、 CF₃ S〇₃ H

3 ) 温度； 20 °C、一 5 °C〜 40 °C

4 ) 時間； 1 2 h r s、 1〜 24 h r s

である。ジフヱニルホスフイノ基のリン原子に錯糸吉合しているボランは、例えばモルホリン、ジェチルァミン等の 2級ァミンで脱離するが、ジシクロへキシルホスフイノ基のリン原子に錯結合しているボランは外れない。し力、しな力くら、本発明にした力、、上記の如き酸及びルイス酸では容易に外すこと力《できる。上記反応式では、（ 2 S， 4 S) 体であるピロリジン環の 2徹ぴ 4位炭素原子をもつ一般式（I I I) の化合物から、（ 2 S， 4 S)体であるピロリジン環の 2 {i¾ び 4位炭素原子をもつ一般式（I V) の化合物が得られる（ピロリジン環の 2位及び 4位炭素原子の立体配置は保持されている）こと力示してある力その他の立体配置を有するものを使用すること力でき、それに対応した配置を持つ化合物力得られることはいうまでもない。

こうして得られた一般式（IV) の化合物は、 R" カ冰素原子などの場合、必要に応じてイミノ基を保護することができる。イミノ基を保護するためには、上記したィミノ保護基のエステル反応性化合物、例えば炭酸エステル、ハロゲン誘導体、酸無水物などを用いることができる力当該分野で知られた方法、例えば

、米国特許第 4， 8 7 9， 3 8 9号明細書に記載の方法あるいはそれの改変方法を用いて行うこと力くできる。こうして一般式（V) のィ匕合物を得ること力くできる。本発明に従った合成工程を、その代表的な試薬とともに次の式にフローシ一ト

製造フローシート

[I ] [Π ]

[IV ] [V ] 上記フ口一シートに記載の化合物の代表的な置換基は、例えば、

R ¹ ：ィミノ基の保護基（ t —ブトキシカルポ二ル基、メトキシカルポ二ル基、ベンジルォキシカルボ二ノレ基、ベンゾィル基、 p—メトキシベンジルォキシカルボニル基、ァセチル基、 t—ブチルカルボニル基、メチルカルバモイル基、 t— プチルカルノヾモィル基など）；

R ² 、 R ³ ：水酸基の保護基（トシル基、メシル基など）

ここで、 R ² と R ³ は同じであってもよいし、相異なっていてもよい；

R " ：置換基を有していてもよいフエニル基、置換基としては、アルコキシ基、アルキル基、ハロゲン、置換アミノ基などである（置換基の具体例としては、 0

、 m又は p—メトキシ、 3， 5—ジメチル一 4ーメトキシ、 4ージメチルァミノ

、 4 一クロ口など）；

R ⁶ ：水素原子またはイミノ基の保護基（ t 一ブトキシカルポ二ル基、メトキシカルボニル基、ベンジルォキシカルボニル基、ベンゾィル基、 p—メトキシベンジルォキシカルボ二ノレ基、ァセチル基、 t —ブチルカルボ二ノレ基、メチルカルバモイル基、 t—プチルカルバモイル基など）；

R：イミノ基の保護基（t —ブトキシカルボニル基、メトキシカルボニル基、ベンジルォキシカルボ二ノレ基、ベンゾィル基、 p—メトキシベンジルォキシカルボニル基、ァセチル基、 t —ブチルカルボ二ノレ基、メチルカルバモイノレ基、 tーブチルカルバモイル基など）；

力挙げられる。

一般式（I I ) の化合物、一般式（I I I ) の化合物、一般式 ( I V) の化合物の溶媒和物としては、例えば非プロトン溶媒、例えばテトラヒドロフラン、ジェチルエーテル、イソプロピルエーテル、メチル' t —ブチルエーテルなどのェ —テル類との溶媒和物などが挙げられる。本発明においては、一般式（I I ) の化合物、一般式 ( I I I ) の化合物、一般式（I V) の化合物は単離することなく次の工程に用いること力くでき、例えば、米国特許第 4， 8 7 9 , 3 8 9号明細書に開示の方法あるいはそれに類似の方法で、ピロリジン環の N原子に基 Rを導入することができる。本発明の前述した種々の態様を利用することにより、不斉合成触媒の配位子として有用なホスフィノピロリジン化合物を得ることができ、更には新規で有用なホスフイノピロリジン化合物（一般式（I I ) の化合物及び一般式（ I I I ) の化合物）を得ることができる。特に本発明で得られるホスフイノピロリジン化合物は、それを配位子としたロジウム錯体触媒などの金属錯体触媒形成に用いられ、その金属錯体触媒は不斉還元反応に用いられて有用である。こうしたホスフィノピロリジン化合物は、例えば、ピロリジン環の 2位及び 4位炭素原子として（ 2 S, 4 S ) 配置であるものなどの光学活性体が好適に使用できるので、本発明では出発原料として特定の立体配置の光学活性体などを用い、対応する目的化合物を光学活性体として得ることは好ましい。例えば、米国特許第 4 , 8 7 9， 3 8 9号明細書に開示の方法あるいはそれに類似の方法で、ケトパントラクトンからの D—パントラクトン合成などの不斉合成に使用できる。本発明ではさらに効率的な不斉合成システムなどの種々の技術手段を提供することができる。以下に実施例を掲げ、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されず、本明細書の思想に基づく様々な実施形態が可能であることは理解されるべきである。なお、明細書及び図面において、用語は、当該分野において慣用的に使用される用語の意味に基づくものである。

C y ：シクロへキシル基

T s ：トシル基

M e ：メチル基

B O C ： t—ブトキシカルボニル基

P h：フヱニル基

t一 B u ： t 一ブチル基実施例

以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されること無く様々な態様が含まれることは理解されるべきである。

実施例 1

(2 S, 4 R) —N— tert—ブトキシカルボ二ルー 4—トシルォキシ一 2—ジフェニルホスフイノメチルピロリジンボラン錯塩 [Π' ] の製造

ジフエニルホスフィン 0. 3 5ml (2. 0ミリモル）をテトラヒドロフラン 3mlに溶解し、アルゴン雰囲気下、 — 40°Cで n—ブチルリチウムのへキサン

( 1. 57 M) 溶液 1 · 27m l (2. 0ミリモル）を滴下する。同温度で 1 5 分間撹拌した後、得られた赤色溶液を（2 S, 4 R) — N— tert—ブトキシカルボニル _ 4—ヒドロキンプロリノールジトシレ一卜 [ ] 1. 05 g (2. 0 ミリモル）をテトラヒドロフラン 5 mlに溶解した激夜にゆっくり滴下する。滴下後、同温度で 1 6時間撹拌する。次いで溶媒を減圧留去しボランのテトラヒド口フラン（1. 0M) 夜 2. 0ml (2. 0 ミリモル）をアルゴン雰囲気下、氷冷しながら滴下する。同温度で 1 5分間撹拌した後、さらに室温で 3時間撹拌する。溶媒を減圧留去し、氷冷下残留物に水を加え、トルエンで抽出する。トルェン層を飽和重曹水 ·飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。後、溶媒を留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒、トルエン

：酢酸ェチル二 1 0 : 1) で精製し化合物 [ΙΓ ] の白色結晶を得る。 0. 7 g

(67%) , mp 1 35〜1 38。C

1 H-NMR (CDC 1₃ ) p pm ; 1. 42 ( 9 H, s, t— Bu -）， 2. 4 5 (3 H, s， P-CH_;i ) , 3. 1 9〜4. 2 1 ( 7 H, m， — CH₂ NCH (CH ) CH2 -) , 4. 89 (1 H, b r s, TsO~CH) , 7. 1 5〜7. 92 (1 4H， m, Ar— H)

実施例 2

(2 S， 4 S) — N— tert—ブトキシカルボ二ルー 4

イノ一 2—ジフエニルホスフイノメチルピロリジンジボラン錯塩 [ III' ] の製イン 59mg (0。 3ミリモル）をテトラヒドロフラン 2mlに溶解し、氷冷下、アルゴン雰囲気にてボランのテトラヒドロフラン（ 1. 0M) 溶液 0. 3ml (0. 3ミリモル）を滴下した。 4時間撹 1菱 n—ブチルリチウムのへキサン（1. 63 M) 0. 25ml (0. 4ミリモル）を氷冷下で滴下した。同温度で 1 5分間撹拌した後、（2 S， 4R) —N— tert— ブトキシカルボ二ルー 4―トシルォキシ一 2—ジフエニルホスフィノメチルピロリジンボラン錯塩 [Π' ] 1 1 lmg (0. 2ミリモル）をテトラヒドロフラン 2mlに溶解した溶液をゆつくり滴下する。氷冷下で 30分撹拌した後、さらに室温にて一晩撹拌する。溶媒を «留去し残留物に水を加え、トルエンで抽出する。トルエン層を飽和重曹水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、残留物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒、トルエン：酢酸ェチル =1 0 : 1) で精製し化合物 [ III' ] の結晶を得る。 34mg (50%) , mp 10卜 104。C

1 H-NMR (CDC 13 ) p pm： 1. 02〜1· 95 ( 22 H, m, — Cy— H)， 1. 47 (9H， s， t— Bu— ) ， 2. 95〜4. 3 1 (8 H, m, — CHCH₂ NCH (CH₂ ) CH₂ 一）， 7. 1 2〜7. 91 (1 OH, m, Ph-H)

実施例 3

(2 S, 4 S) - 4一 2—ジフヱニルホスフィノメチルピロリジン [IV' ] の製造

(2 S, 4 S) 一 N— tert—ブトキシカルボ二ルー 4ージシクロへキシルホスフイノ一 2—ジフエニルホスフイノメチルピロリジンジボラン錯塩 [ III' ] 6 Omg (0. 1 ミリモル）をメチレンクロライド 2m 1に溶解し、 HBF,, OM e ₂ 0. 1 2ml (1. 0ミリモル）を氷冷下加え、その後室温で 1 2時間撹拌する。次し、で 2 Nの苛性ソ一ダ水溶液を加えトルェンで抽出する。分液した後、濃縮乾固し化合物 [IV ] を得る。 42mg' (90%)

[IV] 実施例 4

(2 S, 4 S) — N_tert—ブトキシカルボ二ルー 4

イノー 2—ジフエニルホスフイノメチルピロリジン（BCPM) の製造

(2 S, 4 S) — 4—ジシクロへキシルホスフイノ一 2—ジフエニルホスフィノメチルピロリジン [IV' ] 46 m g ( 0. 1 ミリモル）をメチレンクロリド: I m 1に溶かす。これにトリェチルァミン l lmg (0. 1 1 ミリモル）とメチレンクロライド 2 m 1に溶かしたジタ一シャリ一ブチルジカーボネー卜 24 m g ( 0. 1 1 ミリモル）を加え、窒素雰囲気で室温で 2〜3時間撹拌する。反応液を減圧濃縮し白色結晶 B CP Mを得る。 5 Omg (86%) , mp 1 7 1〜1 74 。C

^[IV1 BCPM 産 m±の利用可能性

不斉合 β¾虫媒の配位子であるホスフィノピロリジン化合物を極めて簡単なェ程で且つべンゼン核を還元してシクロへキシル基に変換するなどという高温高圧反応（例えば 1 50°C、 1 50気圧）を避けることが可能であり、特別な製造設備を必要としないことから、工業的に簡単に且つ効率良く、そして安価に製造することができる。従来に比べて非常に短、工程で目的とする不斉合 /^虫媒の配位子であるホスフイノピロリジン化合物を得ることを可能にする。ホスフイノピロリジン化合物を使用した、不斉合成の適用を拡大することを可能にする。従来得ること力困難であった光学活性化合物をホスフイノピロリジン化合物試薬を用いて各種の不斉合成により得ることを可能にする。