WO1995024075A1

WO1995024075A1 - Element de resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface a montage superficiel et leurs procedes de fabrication

Info

Publication number: WO1995024075A1
Application number: PCT/JP1995/000311
Authority: WO
Inventors: Hiroyuki Ogiso; Shuuichi Iguchi; Fumitaka Kitamura
Original assignee: Seiko Epson Corporation
Priority date: 1994-03-02
Filing date: 1995-02-28
Publication date: 1995-09-08

Description

明細書発明の名称弾性表面波共振片，弾性表面波共振子，

表面実装型弾性表面波共振子，および

それらの製造方法技術分野

安定度の高い高周波用の発振回路および装置を構成するのに適した弾性表面波共振子に関するものである。背景技術

I C等の微細加工技術を利用して、圧電体表面上へ微細電極の形成が可能となり、弾性表面波（S AW) を電気的に駆動あるいは検出できるようになつた。これを利用して、およそ 1 0 0 MH zからギガ H z帯の高周波を安定して得られるようになつた。この弾性表面波を用いた S AWデバイスは、高周波用のフィルター（S AWフィルタ）あるいは発振回路を構成するための弾性表面波共振子（ S AW共振子）などとして用いられている。

図 2 7に、従来の S AWデバイスの概要を示してある。このデバィス 9 0では、 S AW共振片 9 2がこれを支持するための金属部 9 1 に接着剤 9 3で固着されており、ケース 9 6内に窒素雰囲気中で抵抗溶接などによって封止されている。 S AW共振片 9 2 と電気的な接続を得るためのリード 9 4が金属部 9 1の中の絶縁部すなわち封止ガラス 9 7を貫通しており、これらのリード 9 4は S AWデバイス上の電極とボンディングワイヤ一 9 5によって電気的に接続されている。図 2 8に示した従来の S AWデバイス 9 0は、セラミックなどのベ — —

ース 1 0 1 を備えており、このベース 1 0 1 に弾性表面波共振片 9 2 が接着剤 9 3によって取りつけられた、いわゆる全面接着型の S A W デバイスである。ベース 1 0 1 には、 S A W共振片 9 2 と電気的な接続を構成するために、電極がメタライズされており、ベース 1 0 1上の電極と S A W共振片 9 2の上の電極は上記と同様にボンディングヮィャ 9 5によって電気的に接続されている。また、ベース 1 0 1の上方には、キャップ 1 0 2が窒素雰囲気中で接着剤などによって取りつけられている。キャップ 1 0 2は、ろう付け、溶接などによって取りつけられているものもある。

図 2 9に、これらの S A Wデバイスに収納される S A W共振片 1 1 0の概略を示してある。 3八 ¥共振片 1 1 0は、水晶片などの圧電体 1 1 1を用いて形成される。この圧電体 1 1 1 は、平坦な圧電体基板を所定の大きさ、および寸法に力ッ卜したものであり、後述するような反射器を設けるエリアを確保でき、量産性が高く、さらに、加工の容易な長方形に力ッ卜されたものが多い。圧電体 1 1 1の一方の面（主面）の略中央には、交差指電極（ I D T ) 1 1 2がアルミニゥム系素材などの薄膜電極を用いて構成されている。さらに、この I D T 1 1 2の長手方向の両側、すなわち、圧電体 1 1 1 の長い方の辺に沿つた両側の各々に、反射器 1 1 3が電極と同じくアルミニウム系素材などの薄膜を用いて構成されている。圧電体 1 1 1の長手方向の縁に沿つて、 I D T 1 1 2 と繋がった導通用の接続ランド 1 1 4力く I D T 1 1 2 と同じ素材を用いて形成されており、この接続ランド 1 1 4にヮィャ一ボンディングすることによつて電気的な接続が得られるようになっている。

S A Wデバイスを用いて高周波領域の高安定発振器を構成するためには、 Q値（共振せん鋭度）が高く、共振周波数の安定した低等価直 -

列抵抗の S AWデバイスが必要となる。上記のような従来の S A Wデバイスでは、 S AW共振片が接着剤によって支持基板に密着されている。このため、 S AW共振片とこれを支持する部分との熱膨張率の違いや、接着剤の収縮や支持する部分の変形などによって、 SAW共振片に歪みが発生し、これらが共振周波数を不安定にしたり等価直列共振抵抗を高める要因となっていた。このような S A Wデバイスの多くは、従来 S AWフィルタとして用いられていたため、それほど高い Q 値は必要とされなかった。しかしながら、発振器を構成する SAW共振片においては、フィルタよりさらに安定した共振周波数を得ることが重要であり、等価直列共振抵抗が低く、 Q値の高い SAW共振子を用いることが高安定の発振器を実現するために重要である。

また、信頼性の高い発振器を得るためには、これを構成するデバイスにも高い信頼性が要求される。 S AWデバイスの場合、 I DTの形成された表面にごみなどの異物が付着すると周波数が変動したり、安定した共振特性が得られなくなるなどのトラブルが発生する。また、 I DTとリードとが接続不良になれば、安定した発振特性が得られないことはもちろん、その接続不良に起因する接続抵抗の増加は周波数の変動や、 Q値の低下などの影響をもたらす。従って、 SAW共振片の表面への歪みの影響を避けながら、異物などの影響を排除したり、接続状態の悪化を防止し信頼性の高いデバイスを提供することも重要である。発明の開示

本発明においては、 SAW共振片に対する支持部材あるいは接着剤による影響を抑止するため、 S AW共振片の端部のみを支持するようにしている。すなわち、ほぼ矩形にカツ卜され表面の略中央に交差指 _ _

電極が形成された S AW共振片の長手方向の一方の端部のみを支持体に接続し、支持体に影響される部分を少なくし、さらに、ケースなどのハウジングから S AW共振片を浮かすようにしている。これによつて、 S AW共振片には外部から応力がかからず、歪みによる影響を受けないで非常に安定した共振周波数を有した、エージング特性の良い S AW共振子が得られる。すなわち、反射体より端側をマウントする (以下において片持ちマウントと言う）ことによって、 S AW共振片への歪の影響を少なくできることが見いだされた。

そして、 S AW共振片を片持ちマウントし、 S AW共振子とするためのハウジングの構造としては、金属性の筒型、丸缶型、箱型のケースを支持体によって封止したものがある。なお、筒型とはその断面形状が円形または楕円形を含むものである。そして、筒型ケースを用いる場合には、 S A W共振片はケースをかぶせる方向に概ね平行にマゥン卜され、丸缶型または箱型の場合には、ケースをかぶせる方向に概ね直角にマウントされる。このようなハウジング内に封止された S

AW共振片との電気的な導通は、支持体の複数のリ一ドによって確保できる。箱型のセラミックケースを用いて封止してもよく、この場合は、導出パターンを用いて電気的な接続を確保しても良い。

また、 S AW共振子は、圧電体の S AWを用いたデバイスであるが、ハウジング内の雰囲気によって Q値が変化することが本願によって見いだされ、ハウジング内の雰囲気をほぼ真空状態とすることによつて Q値の高い S AW共振子が得られることが判った。

また、ハウジング内に S AW共振片を封止する際に、ハウジングの中心軸と S AW共振片の表面が交差するような状態で傾斜してマウン卜すればハウジング内のスペースを有効活用でき、ハウジングと S A W共振片との接触などのトラブルを防止できる。このために、リード - が S A W共振片と接する部分をハウジングの中心軸に対して傾斜させておくこともできる。

S A W共振片を片持ちマウン卜するには、非導電性の接着剤を介して圧電体を支持しても良く、あるいは、リードを用いて S A W共振片に設けられた接続ランドと接続し導通を取りながら支持しても良い。あるいは、これら両者の方法を同時に用いても良く、いずれの方法を主、他の方法を従として強度を確保しても良い。

リ一ドを接続ランドに接続する際に、リ一ドに平板状の接続端を設けて導通面積を確保したり、その接続端の先端を少なくとも 2本に分岐させることも有効である。接続ランドにはアルミニゥム系の電極が使用されることが多いので通常の方法での半田接続は難しい。電極の表面には極薄い酸化膜が自然に形成されるので、一般的な導電性接着剤を用いるだけでは安定的な電気的導通を確保することは難しい。このため、酸化防止材を混入した導電性接着剤が有効である。さらに、電極の酸化膜の影響を防止するには、接続ランド上に導電性接着剤の塗布後に少なくとも 1本の傷を形成したり、接続ランドにバンプを形成することが有効である。

また、 S A Wデバイスでは、ハウジング内でのごみなどの異物によるトラブルが発生しやすい。交差指電極を構成する一対の電極のうち、少なくともいずれかを陽極酸化処理して少なくとも 2 8 0 Aの酸化膜を形成することにより、このようなトラブルを防止できる。また、交差指電極を構成する一対の電極のうち、一方のみを陽極酸化処理すれば、ウェハの状態で共振周波数の測定が可能であり、陽極酸化処理による S A W共振片の共振周波数の調整も図れる。

さらに、 S A W共振子と、これらのリードと電気的に接続されたリードフレームとを樹脂により一体成形することによつても表面実装に -5- 適した表面実装型のデバイスを提供できる。また、ハウジングが金属性の場合、このハウジングと電気的に接続されたリードフレームもモ —ルドしておけば、ハウジングを接地することによってノィズに強い表面実装型の S A Wデバイスを実現できる。図面の簡単な説明

図 1 は、本発明に係る S AW共振片の構成を示す斜視図である。図 2は、片持ちマウントした場合と、全面接着マウントした場合の S A W共振子の特性を比較したグラフである。

,« 図 3は、片持ちマウントした場合のエージング特性を示すグラフである。

図 4は、全面接着マウン卜した場合のエージング特性を示すグラフである。

図 5は、 S AW共振片を筒型のケース内に片持ちマウン卜した S A

15 W共振子の構成を示す断面図である。

図 6は、図 5と直角な方向から S AW共振子の構造を示す断面図である。

図 7は、図 5と異なるマウント方法を採用した S A W共振子のマウントした部分を示す断面図である。

s o 図 8は、箱型のケースに S AW共振片を片持ちマウン卜した S AW 共振子を示す展開斜視図である。

図 9 (a) は、図 8に示した SAW共振子の断面であり、図 9 (b ) は、リードとの接続部分を拡大して示す図である。

図 1 0 ( a ) は、セラミックケースに S A W共振片を片持ち収納す ₂₅ る様子を示し、図 1 0 (b) はセラミツクケースを用いた SAW共振子の構造を示す断面図である。図 1 1は、異なった片持ちマウント方法を採用した S A W共振子の構造を示す断面図である。

図 1 2は、ハウジング内の雰囲気と、それによる等価直列抵抗の値を比較したグラフである。

図 1 3は、ハウジング内が大気状態と真空状態のときの Q値と共振周波数との関係を表したグラフである。

図 1 4は、接続ランドとリードとの接続部分を拡大して示す断面図である。

図 1 5は、接続ランドにバンプを形成してリードを接続した状態を示す断面図である。

図 1 6は、先端が二股に分かれたリ一ドを接続ランドに接続した状態を示す平面図である。

図 1 7は、接続ランドにスタッドバンプを形成してリ一ドを接続した状態を示す断面図である。

図 1 8は、接続ランドに傷をつけてリ一ドを接続した状態を示す平面図である。

図 1 9 は、図 1 8の接続ランドにリ一ドを接続した状態を示す断面図である。

図 2 0は、陽極酸化用にウェハ上に形成された、片側の電極のみを酸化するパターンを示す図である。

図 2 1は、陽極酸化用の器具の構成を示す図である。

図 2 2は、両側の電極を酸化するパターンを示す図である。

図 2 3は、陽極酸化電圧に対する酸化膜厚の変化を示すグラフである。

図 2 4は、陽極酸化電圧によって共振周波数が変化する様子を示すグラフである。図 2 5は、図 5に示した S A W共振子をモールドして表面実装型としたデバイスを示す透視図である。

図 2 6は、 S A W共振子を接地できるタィプの表面実装型デバイスを示す図である。

図 2 7は、従来の S A W共振子の構造を示す断面図である。

図 2 8は、図 2 7 と異なる従来の S A W共振子の構造を示す図である。

図 2 9は、従来用いられている S A W共振片の構造を示す平面図である。発明を実施するための最良の形態

図 1 に、本発明の S A W共振片の一例を示してある。この S A W共振片 1 は、水晶、リチウムタン夕レート、リチウムニオブペートなどの圧電体を矩形に力ットしたものを基体（チップ） 2 として構成されている。本例の圧電体チップ 2は、平らな長方形にカツ卜されており、その表面（主面） 3の中央に 1組の電極 4 aおよび 4 bによって I D T 5が構成されている。また、この I D T 5の長手方向の両側に格子状の反射器 6 aおよび 6 bが形成されている。 I D T 5を形成する 1組の電極 4 aおよび 4 bは、一方の反射器 6 aの外側、すなわち、チップ 2の縁側を通って、チップ 2の端部 2 aに導かれ、若干面積の広くなつた接続ランド 7 aおよび 7 bが形成されている。電極 4 , 反射器 6および接続ランド 7は、導電性の素材、例えば、金、アルミ二ゥム、アルミニウム銅合金などが通常用いられ、加工およびコストの点からアルミニゥム系の素材が最も多く用いられている。

S A W共振片のマウン卜方法について図 2に、水晶の ST力ットを用いたレーリ一波の 1 4 5MH zの S AW共振片 1 (長さ 6. 5 mm、幅 1. 6mmおよび厚さ 0. 4 mm ) を、チップ 2の端部 2 a側を支持した際の共振周波数（F r ) の変化と、チップ 2の変形量を示してある。また、合わせて、先に説明した従来の接着剤を用いてチップ 2の主面 3と反対側の裏面 9全体を支持した際の共振周波数（F r) の変化と、チップ 2の変形量を示してある。チップ 2の変形量は、図 2 (b) に示すように、チップ 2の歪みや反りを反映できるように、主面 3の最大の変化量を示してある。図 2にて判るように、チップ 2の端部 2 a側のみを支持した、いわゆる片持ちマウントの場合は、周波数の変化は殆どなく、また、チップの変形量も非常に小さい。これに対し、チップの裏面 9を接着した、いわゆる全面接着マウン卜の場合は、周波数の変化は 1 0 0 p p m 以上であり、また、チップの変形量も 5 0 0 nm以上と、ともに大きい。 S AWデバイスは、主面の弾性表面波によって共振周波数を得ているため、裏面を強固に接続し、主面には影響がでないであろう方法で支持していた。しかし、これらのデータより、マウントの方法によつてチップの状態および共振周波数が大きく影響されることが判った。そして、従来のチップを安定して固定し、安定した周波数を得られるものと期待されていた全面接着マウントでは、チップの変形量が大きく、共振周波数の変化も大きいことが判明した。これに対し、チップを片持ちマウントした場合の周波数の変化およびチップの変形量は非常に小さい。従って、安定した高い性能を得るためには S AW共振片を片持ちマウントした方が良いことが判る。

図 3および図 4に、上記と同じ SAW共振片を片持ちマウン卜した場合と、全面接着マウントした場合とのエージング特性を示してある。これらの図には、 S A W共振片をそれぞれの方法でマウントした後、 8 5 ° Cで放置し、所定の時間経過したのちの共振周波数の変化△ F rと等価直列抵抗の変化 rを測定した結果を示してある。片持ちマウン卜された S A W共振片では、 1 0 0 0時間経過した後の共振周波数の変化 Δ F rがほぼ 1 O p p m以下に収まる。これに対し、全面接着マウン卜された S A W共振片では、 3 0 p p m程度変化する傾向が見られる。さらに、等価直列抵抗の変化 r も、片持ちマウン卜されたものではほぼ 0 Ωの近傍に測定値が集まるのに対し、全面接着マウントされたものでは等価直列抵抗 R rの値が 1〜3 Ω程度増加する傾向が見られる。このようなエージングの傾向は全面接着マウン卜した際の接着剤の硬化や、マウン卜された部材との熱膨張率の違いなどに起因するもので、片持ちマウン卜することによってこれらの影響を排除できることが判る。

このように、片持ちマウン卜された S A W共振片はェ一ジング特性も良好であり、従来の全面接着マウントされたものより優れている。すなわち、 S A W共振片を片持ちマウン卜することによって、長時間にわたつて安定した特性を保つ共振子が得られ、等価直列抵抗 R rの増加も小さいことから高安定発振器に適した Q値の大きな S A W共振子が得られる。

S A W共振片 1を片持ちマウントする方法には以下に述べるような幾つかのものがある。図 5に、リードを用いて S A W共振片 1を片持ちマウントした S A W共振子の概略構造を示してある。この S A W共振子 2 0では、筒形で一方が開口となった金属製のケース 2 1の中に S A W共振片 1が収納されており、金属製のケース 2 1の開口には、いわゆるハーメチック端子 2 2が嵌め込まれて、これによつてケース 2 1 に密封されている。このハーメチック端子 2 2 は、ガラス部 2 3 — —

の外周に金属環 2 4が設けられたものであり、ガラス部 2 3を 2本のリード 2 5が貫通している。そして、これらのリード 2 5のケース 2 1内の端 2 5 c, 2 5 dが S AW共振片 1の接続ランド 7 a 7 bにそれぞれ接続されており、これらのリード 2 5を介してメチック端子 2 2 (以降リードも含めてプラグ体と呼ぶ）により S AW共振片 1 はケース 2 1内に片持ちマウントされている。

リード 2 5 c 2 5 dは、接続ランド 7 a 7 bに固着剤 2 6によつて固着されており、この固着剤 2 6は電気的な導通を得るために半田や導電性接着剤が用いられる。リード 2 5 c 2 5 dと接続ランド 7 a , 7 bとを低抵抗の状態で接続することが重要であり、これについてはさらに詳しく後述する。また、ケース 2 1 およびブラグ体の金属環 2 4には、ケース内の気密性を保持できるようにブラグメッキ 2 7およびケースメツキ 2 8が施されており、これらのメツキがシール材として機能を果たす。これについてもさらに詳しく後述する。図 6に、上記の S AW共振子 2 0を S AW共振片 1の側方から見た状態を示してある。 S AW共振片 1 はケース 2 1の中心軸 2 9に対し主面 3が傾くようにリード 2 5 と接続されて、中心軸 2 9 と S AW共振片 1 とが交差するようになっている。 S AW共振片 1をこのようにマウントすると、リード 2 5をプラグ体の中心に設けても S AW共振片 1 はケース 2 1の略中央にマウントできるので、 S AW共振片 1 とケース 2 1の内面 2 1 aとの間に十分な隙間を確保できる。このような隙間を設けることによって、ケース 2 1内に S AW共振片 1を組み入れる際にケース 2 1 と S AW共振片 1が接触することはなく、発振を不安定にする要因を排除できる。また、ケース 2 1内に共振片が触れてゴミが発生するといつたトラブルも防止できる。

S AW共振片 1を傾ける角度は、 S AW共振片 1が中心軸 2 9 と平行な位置から、接続ランドを設けてないチップ 2の他方の端面 8 dが中心轴 2 9と交差する程度の範囲までとすることが望ましい。リ一ド 2 5の端 2 5 cは接着剤 2 6によって繋がつており、接続ランド 7 とは直接接触しなくとも良いので、マウント角度を設けることは容易である。もちろん、リード 2 5の端 2 5 cを所定の角度で傾けても良く、あるいは、リード 2 5の端 2 5 cを所定の角度で切断または潰し、この切断面または潰し面を用いて接続ランド 7 と連結しても良い。図 7に、非導電性の接着剤 3 0を用いて S A W共振片 1 をプラグ体に片持ちマウントした例を部分的に示してある。図示した例では、リ — ド 2 5 c , 2 5 dを導電性接着剤 2 6を用いて接続ランド 7 a . 7 bと接続してあるので、非導電性の接着剤 3 0は片持ちマウン卜を捕強するために用いられている。 S A Wの振動はチップ 2の表面に発生するが、 S A W共振片 1の特性を確保できるだけのチップの厚みが必要となる。この厚みは S A W波長の 1 0倍程度で十分であるが、共振周波数が低い場合はチップが厚くなるので S A W共振片の重量が増す。このような場合は、導電性接着剤 2 6および非導電性の接着剤 3 0 の両方を用いて衝撃や振動に十分に耐えられる強度で S A W共振片 1 を片持ちマウン卜することが望ましい。非導電性の接着剤 3 0が S A W共振! ¾ 1を覆う面積は少ないほうが望ましく、 S A W共振片の特性を考慮すると接続ランド 7を覆う程度、すなわち、チップの片持ち側の端 2 a側の反射器 6 aに到達しない程度に収めておくことが望ましい。

図 8および図 9に、ほぼ楕円形の平箱状のケース 2 1 に S A W共振片 1を片持ちマウントした状態を示してある。図 9に示すように、ほぼ楕円形をした平らなベース 3 1の一方の端側に 2本のリード 2 5が絶縁体 3 1 aの中を貫通しており、リード 2 5の先端にベース 3 1 に沿って延びた平らな接続端 2 5 cが形成されている。この接続端 2 5 cの上に S A W共振片 1の接続ランド 7を載せ、リード 2 5 と接続ランド 7 とを導電性の接着剤 2 6により固定する。さらに、 S A W共振片 1の端部 2 aを非導電性の接着剤 3 0により固定する。このような固定方法により、 S A W共振片 1 を薄いケース 2 1内に片持ちマウントできる。ケース 2 1 は丸缶型や、角型の箱状ケースであってももちろん良い。

また、 S A W共振片 1 は、 I D Tの形成された主面 3が本図と反対にベース 3 1の側を向いて取り付けてあっても良い。この場合には、主面 3 とベース 3 1 との間が狭いので、異物が入りにくく信頼性の点で好ましい。片持ちマウントを採用することにより必要に応じて主面をどちらに向けてもよい。接続ランド 7の位置は、 I D Tの構成された主面 3でなくても良く、図 1 に示した裏面 9や側面 8 aおよび 8 c 、あるいは端面 8 bに形成されていても良い。接続ランド 7を裏面 9 あるいは側面 8 aおよび 8 cに設ける場合も、 S A W共振片の特性が悪化しないように接続ランド 7の位置をチップの固定端 2 a側とすることが望ましい。接続ランド 7は、固定端 2 a側の反射器 6 a近傍、あるいは反射器 6 aよりチップ 2の固定端 2 a側に配置し、特に、主面 3に設けた場合と同様に反射器 6 aより固定端 2 a側に接続ランド 7を設けておくことが望ましい。主面以外に接続ランドを設ける場合は、斜め蒸着等の技術を駆使して導通パターンを作成する必要があるので、導通不良が発生しないように十分注意する必要がある。導通不良を防止するためには、導通パターンの固着面積を十分に確保することが重要であり、この点では、接続ランドを主面に設けておくことが望ましい。

図 1 0にセラミックケース 3 2内に S A W共振片 1を片持ちマウン一一

トした S A W共振子 2 0の例を示してある。セラミツクケース 3 2は四方が壁面となった箱型をしており、これらの壁面のうち少なくとも 1つに段差 3 2 aが設けられている。この段差 3 2 aの表面にセラミックケース 3 2の外部と導通したパターン 3 3が予め形成されており、この導通パターン 3 3 と S A W共振片 1の接続ランド 7 との位置を合わせることにより S A W共振片 1 を片持ちマウン卜できるようになつている。 S A W共振片 1をマウントする際は、接続ランド 7 と導通パターン 3 3を導電性の接着剤 2 6で接続し、チップの固定端 2 aを段差 3 2 aに非導電性の接着剤 3 0により固定する。 S A W共振片 1 をマウントした後、蓋 3 4をセラミックケース 3 2に被せ、シ一ム溶接によりケースを密閉する。

図 1 1 に、セラミックケース 3 2に S A W共振片 1 を片持ちマウン卜した異なった例を示してある。本例では、 S A W共振片 1の固定端 2 aをセラミックケース 3 2の底面 3 2 bから、非導電性の接着剤あるいはセラミックなどのスぺ一サー 3 5を介して浮かして固定してある。そして、ボンディングワイヤー 3 6によって S A W共振片 1 と導通パターン 3 3を電気的に接続してある。

S A W共振片 1 をマウン卜する際に用いられる固定用の非導電性の接着剤としては、 S A W共振子の動作温度範囲では十分に強度を保持できる程度の耐熱性を有し、さらに、 S A W共振片を収納したケース内の雰囲気に影響を与えるようなガスを発生しない加熱硬化性の樹脂が適当である。さらに、硬化中に S A W共振片に広がったり、プラグ体の外周面に広がらないように、たれないものが望ましい。さらに、硬化中に S A W共振片のチップにストレスが蓄積されないように低応力のもので、低い温度で硬化するものが望ましい。このような条件にあった非導電性の接着剤として、本例においては紫外線照射と加熱により硬化するエポキシ系の接着剤を用いている。

S A W共振片は片持ちマウントされることによって、固定端以外は空間に浮いた状態となり、従来の全面接着マウン卜された場合と比較し他の部材、例えば、ベースなどから圧力や歪みなどの力学的影響や熱的影響を受けない。固定端はリ一ドゃ接着剤などによって歪みなどの影響を受けるが、歪みを受ける部分を振動エネルギーを閉じ込める I D Tを挟んだ 2つの反射器の外側とすることによって、実際に振動する部分への影響を排除することができる。従って、上記のような片持ちのマウント方法によって加工歪みの影響のない S A W共振子がえられ、環境の変化等の影響を受けない高品質の S A Wデバイスを提供できる。共振片を収納したハウジング内の雰囲気

環境の影響を受けずに S A Wデバイスを実装するために、 S A W共振片は筒型のケースや、箱状などの平らなケース、あるいはセラミックケースなどの中空のハウジング内に収納される。そこで、図 1 2および図 1 3に、ハウジング内の雰囲気による共振子への影響を示してある。

図 1 2は、図 7で説明した筒型で一方が開口となった金属性ケースに S Tカツ卜のレーリー波 1 4 5 M H zの S A W共振片を 1 x 1 0— ⁵ to rr以下の真空状態で封止した S A W共振子と、大気圧で封止した共振子の等価直列抵抗 R rの値を示してある。本図にて判るように大気中で封止した S A W共振子と比較し、真空中で封止することにより等価直列抵抗 R rは 3 ~ 5 Ω程度減少する。これによつて、 S A Wデバイスは圧電体の弾性表面波を用いたデバイスであるが、デバイスを取り囲む雰囲気の影響を受けることが判り、 S A W共振片を囲む雰囲気を真空雰囲気とすることによって低損失の共振子を実現できることが判る。また、等価直列抵抗 R rの値を減少できれば、大きな Q値を備えた S A W共振子を提供できる。

図 1 3は、 1 0 0〜 3 0 O M H zの共振周波数を持った S Tカツトのレーリ一波 S A W共振片を大気中と真空中で封止した S A W共振子の Q値を示してある。 Q値は、周波数が高くなるに連れて'减少してしまう。従って、高周波帯で Q値の大きな S A W共振子を得ることが高安定の高周波の発振器を実現するために必要であることは上述した通りである。本図にて判るように、真空中で封入することにより、大気中で封入したものと比較し、概ね 2 0 0 M H zにおいて 6 0 %程度高い Q値を持った共振子を提供できる。

ハウジング内を真空で封止するには、図 5に示したような筒型のケ —スが好適である。図 5に示した形状は、気密封止するための圧入型の筒型形状と呼ばれるものであり、ケース 2 1 は洋白等の素材で形成されており、ブラグ体を圧入するとケース 2 1 に発生する締めつけ力で気密保持できるようになっている。さらに、ケース 2 1 とブラグ体との間には、展延性のある軟金属として半田や金等、本例では安価で量産性に優れた半田を用いたケースメツキおよびプラグメツキが施されているので、これらがシール材として作用し、ケースとプラグ体との間の隙間が埋まる。これらは一般にバレル法やディッビング法などのメツキ加工技術を用いてメツキされており、ケースにおいてはケースの少なくともプラグ体が接触する内面の部分に、また、プラグ体においては金属環およびリ一ドにメツキされている。シール性の高い展延性のあるメツキはブラグ体あるいはケースのいずれかに施されていれば良く、他方のメツキは二ッケル等のメッキであっても良い。このような圧入型のケースを採用すると、このケースを S A W共振片の固着されたブラグ体を被せて密封するだけで、ケース内を封止作業の雰囲気と同じ環境にできる。従って、真空雰囲気で加工すればケ一ス内を真空にでき、また、窒素雰囲気で加工すればケース内を窒素雰囲気にできる。従って、ケース内を真空とした Q値の高い S A W共振子を真空中で治具によって位置合わせてして圧入するだけで製造でき、大量に、また安価に提供できる。

さらに、 S A W共振片を封止したハウジング内を真空にすることにより電極の酸化を防止でき、また、ミクロンオーダーで形成された I D Tが結露によってショー卜するのも防止でき、エージング性を向上できる。電極の酸化を防止したり、結露によるショートを防止する効果は、ハウジング内を不活性気体、例えば窒素などで封止しても得られる。ハウジング内に不活性気体を封止して、内部圧力を高めておくと、接着剤などから有害なガスが発生するのを抑止する効果も得られる。接続ランドとリードなどとの導通

上述した本例の S A W共振片は、アルミニウムあるいはアルミニゥム系素材を用いて電極が構成されている。このようなアルミニウム系の電極を用いた場合、表面が自然酸化して酸化膜が形成されてしまい半田付けができない。アルミ用フラックスを用いて半田付けを行ってもよいが、その後に品質保持のため洗浄などの工程が必要となり、量産性が落ち、製造コストも上昇してしまう。そこで、図 1 4に示すように接続ランド 7は、リ一ド 2 5あるいは導出パターンなどと導電性接着剤 2 6を用いて接続してある。この導電性接着剤 2 6には、電極の酸化を防止するために酸化防止材を混入しておくことが望ましい。また、良好な電気的導通を得るために、フィラー（導電性接着剤の中で導電性を得るための材料）として銀または銅を用いることが望ましい。

このような導電性の接着剤を用いることにより、低コス卜で抵抗の小さな S A W共振子が得られる。し力、し、アルミニウム電極の表面には酸化膜 3 7が未処理のまま残っているので、直流導通はとれない。従って、等価直列抵抗 R rを削減し、 Q値のさらに大きな S A W共振子を得るためには酸化膜 3 7を処理する必要がある。

図 1 5に、接続ランド 7にバンプ 4 0を設けた例を示してある。ァルミニゥムあるいはアルミ二ゥム銅合金製の接続ランド 7に、酸化しにくく導電性の高い金属、例えば、金、銀、半田等を蒸着、スパッタ、あるいはイオンプレーティング等の加工技術を用いて積層し、バンプ 4 0を形成する。このようなバンプ 4 0は酸化膜などの影響を受けない。従って、このバンプ 4 0を含んで接続ランド 7の上に、リード 2 5などを導電性の接着剤 2 6で取り付ければ、直流導通も取れ、等価直列抵抗 R rが低く、 Q値の高い S A W共振子が得られる。導電性の接着剤で固着する替わりに、リード 2 5を覆った半田メツキを溶融させれば、フラックスを用いなくともバンプ 4 0 と接続できる。この場合は、 S A W共振片 1を片持ちマウン卜するために必要な強度を得るために非導電性の接着剤によって補強しておくことが望ましい。図 1 6に、接続ランド 7にリード 2 5を接続した様子を主面 3の上方から見た様子を示してある。本例のリード 2 5の接続端 2 5 cは平坦に潰され、二股に分かれており、この二股に分かれた部分がバンプ 4 0の両側に延びるように導電性の接着剤 2 6によって取り付けられている。リードの接続端 2 5 cを潰すことによって導電性の接着剤 2 6 と接触する面積が増加するので、接触抵抗を小さくでき、それと同時に大きな付着力が得られる。さらに、接続端 2 5 cを二股、あるいはそれ以上に分岐させることによって、接続ランド 7に形成されたバンプ 4 0 と組み合わせて配置することが簡単にできる。従って、接続ランド 7の面積を有効に活用でき、バンプ 4 0 ともより良好な導通が得られる。また、このような分岐を設けることにより接着剤 2 6によつてリード 2 5が強固に固定されるので、リード 2 5を用いて S A W 共振片 1を片持ちマウン卜するのに好適である。

図 1 7に、ワイヤーボンディングによって接続ランド 7にスタツドバンプ 4 1を設けた例を示してある。スタツトバンプ 4 1 は、超音波振動により酸化膜 3 7を削除して、金、銅などの金属をワイヤ一ボンディングすることによって形成でき、酸化膜 3 7が比較的厚い場合であっても安価に簡単な加工で設けることができる。蒸着などによってバンプを付ける場合は、酸化膜が厚くなると高いエネルギーが必要となり、コストがかかるので、本例のようなスタツドバンプの方が量産性に優れ廉価に製造できる。スタツドバンプは、接続ランド 7の上にワイヤ一を張った状態であっても同様の効果が得られることはもちろんである。このように接続ランド 7にバンプを設けることにより、リ一ドとの接触抵抗を大幅に低減できる。発明者が実験を繰り返した結果によると、バンプを接続ランドに設けていない S A W共振子（筒型で共振周波数が 1 4 5 M H zの S A W共振子）の等価直列抵抗 R rが 2 0 ~ 4 0 Ω程度と広く分布しているのに対し、バンプを設けることによって等価直列抵抗 R rが 1 0〜 2 0 Ω程度まで減少することが確認できている。また、バンプを設けることによって等価直列抵抗 R r のばらつきは狭い範囲に収まり、性能の安定した S A W共振子を得ることができる。

図 1 8に、接続ランド 7 との導通を取るための異なった手段を示してある。本例では、接続ランド 7にリード 2 5を載せ、導電性の接着剤 2 6を塗布した後、この接着剤 2 6が硬化するまえに接着剤 2 6で覆われた接続ランド 7の表面を先端の尖った治具などを用いて傷つけてある。傷 4 2は 1筋、あるいは 2筋以上でも良く、リード 2 5 と平行に設けても、垂直に設けても良い。このような傷 4 2を設けることによって酸化膜 3 7を削除した部分を形成でき、接続ランド 7のアルミニゥム金属が露出するので、導電性の接着剤 2 6を介して接続ランド 7 とリード 2 5 との間に直流導通が得られる。ただし、接着剤 2 6 の範囲の外に達する傷を設けると、外に出た部分から酸化し、酸化膜が再合成されてしまうので注意が必要である。また、傷 4 2によって接続ランドを分離してしまうと電極の導通が取りづらくなり、また接着剤からはみ出した傷が酸化膜を再形成する原因となるのでこの点でも注意が必要である。

このような傷 4 2 は、リード 2 5を接続ランド 7に押しつけて超音波振動などの機械的な振動を与えても設けることができ、あるいは、接着剤 2 6をディスペンザなどで塗布するのであればその塗布時にデイスペンザのノズル先端で傷を付けても良い。あるいは、リード以外の金属を振動させたり、あるいは擦って傷を設けても良い。また、傷を付けると汚れなどによる接続ランドの導通損失を軽減できる。ただし、接着剤 2 6の硬化前にこれらの処理を行うことが必要である。接続ランドに上記のような傷を設けることによっても、バンプを設けた場合と同様に等価直列抵抗 R rの値が改善されることが発明者の実験により確認されている。特に、傷は点で設けるよりも筋で設けることが望ましく、さらに、傷を 3筋以上あるいはランダムに設けることによってバンプと同様、あるいはそれ以上の効果が得られることが確認されている。等価直列抵抗 R rの他に、発明者によって直流抵抗値の変動も測定されている。この測定結果によると、酸化膜の処理を行っていないものについては、直流抵抗が 5 Ω〜無限大といつた広い範囲を示すのに対し、傷を設けたり、バンプを設けた場合は 1〜 2 Ω 程度の値に精度良く収束する。このように、傷、あるいはバンプを設けることによって酸化膜の影響を排除でき、低接続抵抗（直流抵抗）で Q値の高い S A W共振子を実現できる。

このような効果を得るためには、酸化膜の除去された状態の傷が接続ランドに必要となる。このため、導電性の接着剤を塗布した後に接続ランドに傷を設けるようにしており、逆に、傷の付けられた接続ランドとリ一ドが低接続抵抗の状態で接続されている場合は、それらの傷は導電性の接着剤の塗布された後に形成されたものであるといえる

。傷が形成された後、この傷の内面が再酸化してしまうと良好な導通状態は得られない。そこで、導電性の接着剤として酸化防止材を配合したものが適当である。酸化防止材としては、ハイドロキノン、カテコール、フヱノールなどの還元性のものが用いられる。さらに、銀粒子の他に、二ッケルなどの異種金属を混入し接触抵抗の安定化を図り、同時に酸化膜の形成防止効果を得ることも可能である。

酸化防止材の効果についても、発明者の実験によって確認されており、酸化防止材が未混入の接着剤を用いた S A W共振子では、接着剤が硬化したのち 2 3 0 °Cで 1 0時間ァニールすると共振周波数が 1 0 0 p p m以上変化し、等価直列抵抗 R rの値もァニール以前が 2 0 Ω 以下なのに対し 3 0 ~ 4 0 Ωまで上昇してしまうといった結果が得られている。これに対し、酸化防止材を混入した接着剤を用いると、共振周波数の変化は 2 0 p p m程度に収まり、等価直列抵抗 R rの値も 2 0 Ω以下と良好な値を保持できる。電極の保護本発明においては S A W共振片を片持ちマウントして、筒型のケースゃセラミックケースなどのハウジングから浮かして支持している。そして、 S A W共振片の周囲に空間を設け、 S A W共振片が周囲の環境から影響を受けづらいようにしてある。このような S A W共振子では、 S A W共振片の周囲に形成された空間が S A W共振片を封入する際に混入する可能性のある S U Sあるいは半田くずといつた異物の移動可能なスペースとなってしまう。そして、このような異物が S A W 共振片の電極、例えば、 I D Tや I D Tと接続ランドを結ぶ電極に食い込むことがあり得る。特に、 I D Tはミクロンオーダ一で配置されているため、電極間に上記のような導電性の異物が存在するとショ一卜の原因となり、 S A W共振子の安定した動作の妨害となる。また、ミク口ンオーダ一の小さなこのような異物の混入を完全に防ぐのは困難である。さらに、 S A W共振子は様々な用途に用いられ、実装中や運搬中の衝撃、あるいは実装された角度などによってこのような異物が移動してしまうので、 S A W共振子を組み立てたり、実装する段階で上記のようなトラブルを完全に防止することは難しい。

異物によるトラブルを防止するために、例えば、 I D Tなどを酸化けい素などによってコーティングすることも可能である。しかし、チップ上に異なった物質の層ができるので共振周波数の変動や Q値の低下に ¾がり、片持ちマウントした効果が削減されてしまう。そこで、発明者は、アルミニゥム系の電極の表面に形成される酸化膜の効果に着目した。アルミニゥム系の電極の表面に酸化膜が自然に形成されてしまうことは上述した通りであり、これらによってショー卜を防止することができる。しかし、自然に形成される酸化膜は厚みが 1 0〜 3 0 Aと薄いため強度が不足し、落下等の衝撃によって移動する異物から電極を完全に保護することは困難である。そこで、本発明においては、 S A W共振片のアルミニウム系電極を陽極酸化することによって、膜厚が 2 8 O A前後、あるいはこれより厚い酸化膜を電極の表面に形成し、異物によるトラブルを防止するようにしている。

図 2 0に示すような圧電体のゥヱハ 5 0に複数の S A Wパターン 5 1が形成された状態のものを用いて陽極酸化を行う。本例では、 I D T 5を構成する一対の電極 4 aおよび 4 bのうち、一方の電極のみに陽極酸化を施すようにしている。このため、ウェハ 5 0には、 S A W パターンに加え、これらの S A Wパターン 5 1の一方の電極 4 aを繫ぐ接続線 5 2 と、陽極酸化用の電源と接続するターミナル 5 3を設けてある。

図 2 1 に、陽極酸化を行う装置の概要を示してある。槽 5 5の中には、陽極酸化液 5 9が入っており、クリップ 5 6でゥヱハ 5 0のターミナル 5 3を保持してウェハ 5 0を酸化液 5 9に浸す。そして、電源 5 7からウェハ 5 0側を陽極として電流を流す。電源 5 7には酸化液 5 9に浸った陰極 5 8 も接続されている。本例では、陽極酸化によつて無孔性の酸化膜を形成するようにしており、そのため、酸化液 5 9 としては燐酸塩の水溶液又はほう酸塩の水溶液の混合液を用いている。この他に、クェン酸塩やアジピン酸塩などの中性近傍の塩の水溶液を用いることができる。また、液温は、多孔性の被膜となるのを避けるため室温程度が望ましく、例えば、ほう酸塩の水溶液を用いた場合は 2 0〜 3 0 °C程度が望ましい。

このような条件下で陽極酸化を行うと、印加電圧に略比例した膜厚の酸化膜を電極の表面に形成できる。酸化膜の膜厚を制御し、さらに電流投入時に流れる電流を一定以下と制御するために、プロセス用の電源として定電圧 ·定電流電源を用いることが望ましい。また、電極のうち、接続ランドに相当する部分では、上述したように酸化膜を取り除く処理を行うことが望ましいので、接続ランドに相当する部分にはレジストなどを塗布し、酸化膜の厚みの増加を防止することが望ましい。

発明者によって、筒型のケース内に S U Sの異物（ 5〜 1 0 〃 m径の S U S製の粉）を強制的に混入した場合のトラブルの発生頻度が測定されている。その結果、陽極酸化を行わなかった共振子においては繰り返しの落下試験（ 7 5〜 1 5 0 c mの高さから 5回の落下試験を繰り返した結果）を行うとほぼ 1 0 0 %のものがショートする。これに対し、上記のように I D Tの片側の電極のみに陽極酸化を行った S A W共振子ではショ一卜する頻度は減少し、陽極酸化電圧を 3 0 V程度でショー卜の発生頻度は略半減する。さらに、陽極酸化電圧を上げ、 5 0 V以上にするとショー卜の発生頻度がほぼ 0になることが確認できた。同様の方法で、図 2 2に示したようなパターンを用いて I D Tの両側の電極に陽極酸化することも可能であり、このような共振子では、陽極酸化電圧が 2 0 V以上でショートの発生頻度はほぼ 0 となる。図 2 3に示すように、陽極酸化電圧が 2 0 Vで酸化膜の厚みはほぼ 2 8 O Aであり、 5 0 Vではほぼ 7 0 0 Aである。

I D Tの片側の電極のみに酸化被膜を強制的に作製した場合は、両側の電極に酸化被膜を形成した場合より厚い被膜、上記の実験結果からほぼ 2倍程度の被膜を形成する必要がある。し力、し、 I D Tの一方の電極を各パターン毎に独立して形成できるので、チップにカツ卜する前のウェハの状態でそれぞれの各パターン毎に共振周波数を予め測定することができる。この測定された共振周波数に基づいて酸化被膜を形成するプロセスを繰り返せば、ウェハ状態での粗調や、 S A W共振片個々における微調などの製造過程における共振周波数の調整作業を行える。

図 2 4に、陽極酸化電圧が 5 0 V近傍の、陽極酸化電圧に対する複数のゥュハの共振周波数の変化を示してある。本図にて判るように、酸化電圧を調整することによって p p m単位で共振周波数の調整が可能である。従って、 I D Tの一方の電極のみに陽極酸化を施せば、ゥハの段階で共振周波数の測定が可能であり、その結果に基づきさらに陽極酸化を行って、予め共振周波数の整った S A W共振片を容易に得ることができる。このように、電極に陽極酸化を施すことによって上述したような優れた特性を維持したまま、ごみなどのトラブルに対する耐性の強いデバイスを実現できる。表面実装型のデバィス

図 2 5に、図 5に基づき説明した S A W共振片を筒型のケース内に片持ち収納した S A W共振子 2 0を表面実装デバィス 6 0 とした例を透視図で示してある。このデバイス 6 0では、 S A W共振片が気密封止されたケース 2 1から外側に突き出たリード 2 5 aおよび 2 5 bがそれぞれリードフレーム 6 1 aおよび 6 1 bと溶接、半田付け、あるいは導電性接着剤などの方法により取り付けられている。さらに、筒型のケース 2 1のリードの突き出た反対側にもリードフレーム 6 2が配置されており、これらのリードフレーム 6 1 および 6 2 とケース 2 1が直方体状に成形された樹脂 6 5によって一体化されている。リードフレーム 6 1 aおよび 6 1 bは、この表面実装型の S A W共振子 6 0の電気的な接続を得るために使用される。また、リードフレーム 6 2 はこの S A W共振子 6 0を基板へ実装する際に強度を確保するためのダミーリードとして用いられる。さらに、これらが樹脂 6 5によつて直方体に一体成形されているので自動実装技術を用いて基板に実装 __2& -

できる。

図 2 6に、上記ではダミーリードとして用いられているリ一ドフレーム 6 2を筒型のケース 2 1 に電気的に接続したタイプの表面実装型の S A W共振子 6 0を示してある。リードフレーム 6 2は、ケース 2 1 と接触する個所 6 9で、接触、圧入、半田付けあるいは導電性接着剤などの方法によってケース 2 1 と電気的に接続できる。このようにリードフレーム 6 2をケース 2 1 と接続しておくと、リードフレーム 6 2を介して金属製のケース 2 1 をグラウンドに接続、すなわち接地できる。 S A W共振子は、数百 M H z以上の高周波において用いられ

„ ることが多い。そこで、ケース 2 1 を接地することによって電波として空間に存在するノイズをシールドすることができ、逆に S A W共振子がノィズの発生源となることも防止できる。筒型のケースに限らず、箱状のケースなど金属性のケースをリ一ドフレームを介して接地することによって、ノィズに強い表面実装型の S A Wデバイスを提供できる。

これらの S A Wデバイスは、ケースの内部に上記のような S A W共振片が片持ちマウン卜されており、共振周波数の非常に安定した S A W共振子が得られる。さらに、この S A W共振子は、低い等価直列抵抗、そして高い Q値といった優れた特性を兼ね備えている。また、樹 _{! U} 脂によってリードフレームと一体に形成されることによって、実装性に優れた表面実装型のデバイスとすることも簡単である。また、 S A W共振片はリ一ドと導電性接着剤あるいは非導電性の接着剤を用いて片持ちマウントされているので耐衝撃性も優れており、さらに、電極に陽極酸化膜を形成することによって衝撃になどによってショートなどのトラブルが発生するともない。このように、本発明によって、導電性に優れた高品質の弾性表面波共振子を安価に提供することができる, 産業上の利用可能性

高周波領域で使用可能な高性能の弾性表面波共振片、および S A W 共振子を提供でき、 S A Wフィルターなどの各種のデバイスに適用可能である。特に、本発明の S A Wデバイスは、等価直列抵抗が低く、高い Q値を必要とする高安定発振器に好適なデバイスである。さらに、表面実装が可能な形状として提供することも容易である。

Claims

請求の範囲

1 . ほぼ矩形の圧電体の表面の略中央に交差指電極が形成され、この交差指電極を挟んで前記圧電体の長手方向に 1対の反射器が形成された弾性表面波共振片と、この弾性表面波共振片を支持する支持体とを有し、前記弾性表面波共振片の長手方向の一方の端部のみが前記支持体に接続されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

2 . 請求項 1 において、前記弾性表面波共振片の前記反射器より端の側が前記支持体に接続されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

3 . 請求項 1 において、前記弾性表面波共振片は、この弾性表面波共振片に沿って延びた中空のハウジング内に収納されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

4 . 請求項 3において、前記ハウジングは金属製の筒型、丸缶型、箱型のいずれかであって、前記支持体によって前記弾性表面波共振片が前記ハウジング内に封止されており、さらに、前記支持体を貫通し前記弾性表面波共振片の前記交差指電極と電気的に接続された複数のリ一ドを有すること特徴とする弾性表面波共振子。

5 . 請求項 3において、前記ハウジングは前記弾性表面波共振片を封止可能なほぼ箱型のセラミックケースであり、このセラミックケ一スの一部によつて前記支持体が構成されており、この支持体に前記弾性表面波共振片の前記交差指電極と電気的に接続された導出パターンが形成されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

6 . 請求項 3において、前記ハウジング内に前記弾性表面波共振片が封止されており、前記ハウジング内の雰囲気がほぼ真空伏態であるこを特徴とする弾性表面波共振子。

7 . 請求項 3において、前記ハウジング内に前記弾性表面波共振片が封止されており、前記ハウジング内に不活性気体が封入されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

8 . 請求項 3において、前記ハウジングの中心軸に対し、前記弾性表面波共振片の表面が傾斜していることを特徴とする弾性表面波共振子。

9 . 請求項 8において、前記弾性表面波共振片は、リードを介して前記支持部と接続されており、このリードの前記弾性表面波共振片と接する端部が前記ハゥジングの中心軸に対して傾斜していることを特徴とする弾性表面波共振子。

！ 1 0 . 請求項 1 において、前記弾性表面波共振片と前記支持体は、非導電性の接着剤を介して接続されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

1 1 . 請求項 1 において、前記支持体を貫通する少なくとも 2本のリードと、これらのリードのそれぞれと接続するように前記弾性表面波共振片上に設けられた少なくとも 2つの接続ランドとを有し、前記弾性表面波共振片は前記リ一ドを介して前記支持体に取り付けられ、前記接続ランドは、前記弾性表面波共振片の長手方向の一方の端部の、前記表面、裏面、両側面、端面の少なくともいずれかに形成されていることを特徵とする弾性表面波共振子。

1 2 . 請求項 1 1 において、前記リ一ドは、前記接続ランドに接するほぼ平板状の接続端を備えていることを特徴とする弾性表面波共振子。

1 3 . 請求項 1 2において、前記接続端の先端は少なくとも 2本に分岐していることを特徴とする弾性表面波共振子。

1 4 . 請求項 1 1 において、前記リードは、前記接続ランドと酸化防止材の混入した導電性接着剤によって接続されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

1 5 . 請求項 1 1 において、前記リードは、前記接続ランドと導電性接着剤によって接続されており、前記接続ランド上に前記導電性接着剤の塗布後に形成された少なくとも 1本の傷を備えていることを特徴とする弾性表面波共振子。

1 6 . 請求項 1 1 において、前記接続ランドにバンプが形成されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

1 7 . 請求項 1 において、前記交差指電極を構成する 1組の電極のうち、少なくともいずれかの表面に陽極酸化による酸化膜が形成されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

1 8 . 請求項 1 において、前記交差指電極を構成する 1組の電極のうち、一方のみに陽極酸化による酸化膜が形成されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

1 9 . 請求項 3に記載の弾性表面波共振子を有し、前記ハウジングから外部に前記交差指電極と電気的に接続した複数のリ一ドが延びており、さらに、これらのリードと電気的に接続されたリードフレームを有し、前記弾性表面波共振子およびリ一ドフレームが樹脂により一体成形されていることを特徴とする表面実装型弾性表面波共振子。

2 0 . 請求項 4に記載の弾性表面波共振子と、前記リードと電気的に接続されたリ一ドフレームと、さらに、前記ハウジングと電気的に接続されたリードフレームとを有し、これらの弾性表面波共振子およびリ一ドフレームが樹脂により一体成形されていることを特徴とする表面実装型弾性表面波共振子。

2 1 . ほぼ矩形の圧電体の表面の略中央に交差指電極を形成する 1 組の電極を有し、これらの電極の一方のみに陽極酸化による酸化膜が形成されていることを特徵とする弾性表面波共振片。

2 2 . 請求項 2 1 に記載の弾性表面波共振片を有し、この弾性表面波共振片の表面には、前記交差指電極を挟んで前記圧電体の長手方向に一対の反射体が形成されており、さらに、

この弾性表面波共振片を支持する支持体を有し、この支持体に対し、前記弾性表面波共振片の長手方向の一方の端部のみが接続されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

2 3 . 請求項 2 2において、前記弾性表面波共振片の前記反射体より端の側が前記支持体に接続されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

2 4 . 請求項 2 2において、前記弾性表面波共振片は、この弾性表面波共振片に沿って延びた中空のハウジング内に収納されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

2 5 . 請求項 2 4において、前記ハウジングは金属製の筒型、丸缶型、箱型のいずれかであって、前記支持体によって前記弾性表面波共振片が前記ハウジング内に封止されており、さらに、前記支持体を貫通し前記弾性表面波共振片の前記交差指電極と電気的に接続された複数のリ一ドを有すること特徴とする弾性表面波共振子。

2 6 . 請求項 2 4において、前記ハウジングは前記弾性表面波共振片を封止可能なほぼ箱型のセラミックケースであり、このセラミックケースの一部によって前記支持体が構成されており、この支持体に前記弾性表面波共振片の前記交差指電極と電気的に接続された導出パ夕一ンが形成されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

2 7 . 請求項 2 4において、前記ハウジング内に前記弾性表面波共振片が封止されており、前記ハウジング内の雰囲気がほぼ真空状態であるこを特徴とする弾性表面波共振子。

2 8 . 請求項 2 4において、前記ハウジング内に前記弾性表面波共振片が封止されており、前記ハゥジング内に不活性気体が封入されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

2 9 . 請求項 2 4において、前記ハウジングの中心軸に対し、前記弾性表面波共振片の表面が傾斜していることを特徴とする弾性表面波共振子。

. 0 3 0 . 請求項 2 9において、前記弾性表面波共振片は、リードを介して前記支持部と接続されており、このリードの前記弾性表面波共振片と接する端部が前記ハウジングの中心軸に対して傾斜していることを特徴とする弾性表面波共振子。 i s 3 1 . 請求項 2 2において、前記弾性表面波共振片と前記支持体は、非導電性の接着剤を介して接続されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

3 2 . 請求項 2 2において、前記支持体を貫通する少なくとも 2本

2 0 のリードと、これらのリードのそれぞれと接続するように前記弾性表面波共振片上に設けられた少なくとも 2つの接続ランドとを有し、前記弾性表面波共振片は前記リ一ドを介して前記支持体に取り付けられ、前記接続ランドは、前記弾性表面波共振片の長手方向の一方の端部の、前記表面、裏面、両側面、端面の少なくともいずれかに形成され

2 5 ていることを特徴とする弾性表面波共振子。

3 3 . 請求項 3 2において、前記リ― ドは、前記接続ランドに接するほぼ平板状の接続端を備えていることを特徴とする弾性表面波共振子。

3 4 . 請求項 3 3において、前記接続端の先端は少なくとも 2本に分岐していることを特徴とする弾性表面波共振子。

3 5 . 請求項 3 2において、前記リ一ドは、前記接続ランドと酸化防止材の混入した導電性接着剤によって接続されていることを特徴とする弾性表面波共振子。

3 6 . 請求項 3 2において、前記リードは、前記接続ランドと導電性接着剤によって接続されており、前記接続ランド上に前記導電性接着剤の塗布後に形成された少なくとも 1本の傷を備えていることを特徵とする弾性表面波共振子。

3 7 . 請求項 3 2において、前記接続ランドにバンプが形成されていることを特徵とする弾性表面波共振子。

3 8 . 請求項 2 4に記載の弾性表面波共振子を有し、前記ハウジングから外部に前記交差指電極と電気的に接続した複数のリードが延びており、さらに、これらのリードと電気的に接続されたリードフレームを有し、前記弾性表面波共振子およびリ一ドフレームが樹脂により一体成形されていることを特徵とする表面実装型弾性表面波共振子。

3 9 . 請求項 2 5に記載の弾性表面波共振子と、前記リ一ドと電気的に接続されたリ一ドフレームと、さらに、前記ハウジングと電気的に接続されたリードフレームとを有し、これらの弾性表面波共振子およびリ一ドフレームが樹脂により一体成形されていることを特徴とする表面実装型弾性表面波共振子。

4 0 . 圧電体の表面に形成された交差指電極の一方の電極に通電して陽極酸化を行う第 1の工程と、前記交差指電極によって励振される弾性表面波の共振周波数を測定する第 2の工程とを有し、

前記第 1および第 2の工程を交互に行って前記共振周波数を所望の値に合わせ込むことを特徴とする弾性表面波共振片の製造方法。

4 1 . 請求項 4 0に記載の前記第 1 および第 2の工程に先立って、前記圧電体ウェハの表面上に少なくとも 1組の交差指電極を形成し、前記第 1 および第 2の工程とを交互に繰り返すことにより、前記共振周波数を所望の値に合わせ込んだ後、前記圧電体ウェハを切断して前記交差指電極を備えた弾性表面波共振片を作製することを特徴とする弾性表面波共振片の製造方法。

4 2 . 請求項 4 0に記載の前記第 1および第 2の工程に先立って、前記圧電体ウェハの表面上に少なくとも 1組の交差指電極を形成し、前記第 1および第 2の工程とを交互に繰り返すことにより、前記共振周波数が所望の値に合わせ込み、その後、前記圧電体ウェハを切断さして弾性表面波共振片を作製し、この弾性表面波共振片をその長手方向の一方の端部を支持体に接続することにより弾性表面波共振子を製造することを特徴とする弾性表面波共振子の製造方法。