JPH01212014A - Ｓａｗ共振子及びｓａｗフィルタ - Google Patents
Ｓａｗ共振子及びｓａｗフィルタInfo
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- JPH01212014A JPH01212014A JP63036118A JP3611888A JPH01212014A JP H01212014 A JPH01212014 A JP H01212014A JP 63036118 A JP63036118 A JP 63036118A JP 3611888 A JP3611888 A JP 3611888A JP H01212014 A JPH01212014 A JP H01212014A
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、圧電体の表面に伝播する弾性表面波を用いて
なるＳＡＷ共振子及びＳ Ａ Ｗフィルタに関する。
なるＳＡＷ共振子及びＳ Ａ Ｗフィルタに関する。
（従来の技術〕
従来のＳＡＷ＃ｉ＊子及びＳＡＷフィルタは、圧電体か
らなる平板の一方の表面上に励振電極及び反射器を構成
してＳＡＷ共振部となした後、前記ＳＡＷ共振部に対向
する裏面を気密端子のベースに接着固定した後ケースで
密閉する構成をとっていた。
らなる平板の一方の表面上に励振電極及び反射器を構成
してＳＡＷ共振部となした後、前記ＳＡＷ共振部に対向
する裏面を気密端子のベースに接着固定した後ケースで
密閉する構成をとっていた。
しかし、前述の従来技術に於ては前記ＳＡＷ共振部を形
成した圧電板を水平に固定するために、気密端子ベース
の面積が太き（、全体の平面サイズが大きくなるととも
にコスト高となる。又前記ＳＡＷ共振部を形成した圧電
板からなる発振片及びフィルタ片の励振電極と外部リー
ドへの接続をワイヤーボンディングで行うため工数がか
かり一層のコスト高となるという課題があった。そこで
本発明はこのような課題を解決するもので、その目的と
するところは、超小型でかつ低コストなＳＡＷ共振子及
びＳＡＷフィルタを提供するところにある。
成した圧電板を水平に固定するために、気密端子ベース
の面積が太き（、全体の平面サイズが大きくなるととも
にコスト高となる。又前記ＳＡＷ共振部を形成した圧電
板からなる発振片及びフィルタ片の励振電極と外部リー
ドへの接続をワイヤーボンディングで行うため工数がか
かり一層のコスト高となるという課題があった。そこで
本発明はこのような課題を解決するもので、その目的と
するところは、超小型でかつ低コストなＳＡＷ共振子及
びＳＡＷフィルタを提供するところにある。
本発明のＳＡＷ共振子及びＳＡＷフィルタは、（１）、
矩形々状を呈する平行な２′つの主平面からなる圧電体
平板に於て、前記２つの主平面上に、それぞれ同一方向
に向けて１つ以上のＳＡＷ共振子を形成した後、相互に
励振ｍ極を接続したこと、（２） 第１項記載のＳＡＷ
共振子を宵するＳＡＷフィルタ、 （３） 少（とも２つ以上のリード端子を育する１つ
の円筒状気密端子と一端が閉じた円筒容器を圧入してな
る気密容器と、前記気密端子の気密容器内のリード端子
に第１項記載のＳＡＷ共振子又は第２項記載のＳＡＷフ
ィルタを固定部材によりａｔｅ接続したこと、 （４） 第１項記載のＳＡＷ共振子又はＳＡＷフィル
タの圧電板の厚みが５０〜２００μｍの水晶板よりなる
こと、 を特徴とする。
矩形々状を呈する平行な２′つの主平面からなる圧電体
平板に於て、前記２つの主平面上に、それぞれ同一方向
に向けて１つ以上のＳＡＷ共振子を形成した後、相互に
励振ｍ極を接続したこと、（２） 第１項記載のＳＡＷ
共振子を宵するＳＡＷフィルタ、 （３） 少（とも２つ以上のリード端子を育する１つ
の円筒状気密端子と一端が閉じた円筒容器を圧入してな
る気密容器と、前記気密端子の気密容器内のリード端子
に第１項記載のＳＡＷ共振子又は第２項記載のＳＡＷフ
ィルタを固定部材によりａｔｅ接続したこと、 （４） 第１項記載のＳＡＷ共振子又はＳＡＷフィル
タの圧電板の厚みが５０〜２００μｍの水晶板よりなる
こと、 を特徴とする。
（実施例〕
第１図（ａ）、第１図（ｂ）、第１図（ｃ）はそれぞれ
本発明の実施例におけるＳＡＷ共振子の上平面図、正面
図、上平面図である。図中、各部位の名称は、１０３は
気密端子、１０１．１０２はリード端子、１０４は気密
容器、１００は圧電体平板からなるＳＡＷ′！Ａ振片、
１０５，１０８は反射器、１０７は励、振電極、１０．
８，１０９は励振電極の外部引出４体、ｔｉｏ、ｔｔｉ
はｐｂ。
本発明の実施例におけるＳＡＷ共振子の上平面図、正面
図、上平面図である。図中、各部位の名称は、１０３は
気密端子、１０１．１０２はリード端子、１０４は気密
容器、１００は圧電体平板からなるＳＡＷ′！Ａ振片、
１０５，１０８は反射器、１０７は励、振電極、１０．
８，１０９は励振電極の外部引出４体、ｔｉｏ、ｔｔｉ
はｐｂ。
Ａｕ５ｕ等の固定部材である。また第１図（ｂ）に於て
、１１２は前記ＳＡＷ発振片の表裏に形成されたＳＡＷ
共振部をｆｆｌ枕するための接続導体、さらに第１図（
ｃ）に於て１０７１．１０５１゜１０６１は各々、圧電
体平板の裏面に形成されたＳＡＷ共振部の励振電極、反
射電極である。第１図（ａ）の励振電極１０７、反射電
極１０５，１０６で圧電体平板の主平面上の表面にＳＡ
Ｗ共振部を形成している。第１図中の反射器１０５，１
０８．１０５１．１０８１の構成を第３図及び第４図に
示した。第３図中、３００は圧電体平板、３０１．３０
２，３０３は圧電体平板３００上に蒸着又はスパッタ等
の操作により形成されたＡρ、Ａｇ、Ａｕ等の金属膜か
らなる。反射用電極である。又第４図の反射器の構成は
圧電体平板３００の表面を逆スパツタ等のエツチングに
より腐蝕してなる平行なストリップ群４０１〜４０３よ
りなる。本発明になるｍ１図のＳＡＷ共振子は水晶、Ｌ
ｉ ’ｒａｏｓ 、Ｌ １ＮｂＯｓ、＋ セラミック
ス等の圧電体材料よりなる平板の２つの平行な主平面の
一方の面上に形成された第１のＳＡＷ：Ａｔｌ１部と他
の一方に形成された第２のＳＡＷ共振部を導体により接
続してなる。さらに前記２つの共振部の方位を弾性表面
波の波の伝播方向として同一方向としている。この条件
に於て、表裏２つのＳＡＷ共振部は同一の特性を有する
ことを弾性表面波の基本式を用いて証明できることを付
は加える。
、１１２は前記ＳＡＷ発振片の表裏に形成されたＳＡＷ
共振部をｆｆｌ枕するための接続導体、さらに第１図（
ｃ）に於て１０７１．１０５１゜１０６１は各々、圧電
体平板の裏面に形成されたＳＡＷ共振部の励振電極、反
射電極である。第１図（ａ）の励振電極１０７、反射電
極１０５，１０６で圧電体平板の主平面上の表面にＳＡ
Ｗ共振部を形成している。第１図中の反射器１０５，１
０８．１０５１．１０８１の構成を第３図及び第４図に
示した。第３図中、３００は圧電体平板、３０１．３０
２，３０３は圧電体平板３００上に蒸着又はスパッタ等
の操作により形成されたＡρ、Ａｇ、Ａｕ等の金属膜か
らなる。反射用電極である。又第４図の反射器の構成は
圧電体平板３００の表面を逆スパツタ等のエツチングに
より腐蝕してなる平行なストリップ群４０１〜４０３よ
りなる。本発明になるｍ１図のＳＡＷ共振子は水晶、Ｌ
ｉ ’ｒａｏｓ 、Ｌ １ＮｂＯｓ、＋ セラミック
ス等の圧電体材料よりなる平板の２つの平行な主平面の
一方の面上に形成された第１のＳＡＷ：Ａｔｌ１部と他
の一方に形成された第２のＳＡＷ共振部を導体により接
続してなる。さらに前記２つの共振部の方位を弾性表面
波の波の伝播方向として同一方向としている。この条件
に於て、表裏２つのＳＡＷ共振部は同一の特性を有する
ことを弾性表面波の基本式を用いて証明できることを付
は加える。
周知のことであるが、ＳＡＷ発振片１００の板厚が弾性
表面波の波長より充分大きければ前述の構成が可能であ
る。
表面波の波長より充分大きければ前述の構成が可能であ
る。
次にｊＷ２図は圧電体平板の表裏に形成される２つのＳ
ＡＷ共振部の接続方法を示した１図中、２０１．２０２
は各々表裏に形成されたＳＡＷ共振部の１つを示す等価
記号である。第２図（ａ）は２つのＳＡＷ共振部の並列
接続、第２図（ｂ）は直列接続、第２図（ｃ）は直列接
続とした上で中点より外部へリード端子を設けたもので
ある。第２図（ａ）、（ｂ）に於てはｉｏｔ、１０２か
らなる２つの外部リード端子を有し、又第２図（ｃ）は
５０１，５０２，５０３の３つの外部リード端子を有す
る。第５図は第２図（Ｃ）に相当する３ｒａ子ＳＡＷフ
イルタの一実施例を示す平面図である。図中、５０４は
気密端子、５０１゜５０２．５０３は気密端子５０４の
３つのリード端子、５０５は一方が閉じた円筒形状の容
器、５０５を５０４の気密端子に圧入することにより気
密容器を構成する。５００は圧電体平板からなるＳＡＷ
発振片、５０８，５０７は第１のＳＡＷ共振共振動射器
、５１１は励振電極である。５０９．５１０は外部引出
し用の４体、特に５０９は共通電極導体でもある。４体
５０９はＳＡＷ発振片５００の側面を介して表面のｆＪ
２のＳＡＷ共振共振動振電極に接続している。又導体５
０８は発振片５００の側面さらに裏面を介して前記第２
のＳＡＷ共振共振動の一方の励振電極に接続している。
ＡＷ共振部の接続方法を示した１図中、２０１．２０２
は各々表裏に形成されたＳＡＷ共振部の１つを示す等価
記号である。第２図（ａ）は２つのＳＡＷ共振部の並列
接続、第２図（ｂ）は直列接続、第２図（ｃ）は直列接
続とした上で中点より外部へリード端子を設けたもので
ある。第２図（ａ）、（ｂ）に於てはｉｏｔ、１０２か
らなる２つの外部リード端子を有し、又第２図（ｃ）は
５０１，５０２，５０３の３つの外部リード端子を有す
る。第５図は第２図（Ｃ）に相当する３ｒａ子ＳＡＷフ
イルタの一実施例を示す平面図である。図中、５０４は
気密端子、５０１゜５０２．５０３は気密端子５０４の
３つのリード端子、５０５は一方が閉じた円筒形状の容
器、５０５を５０４の気密端子に圧入することにより気
密容器を構成する。５００は圧電体平板からなるＳＡＷ
発振片、５０８，５０７は第１のＳＡＷ共振共振動射器
、５１１は励振電極である。５０９．５１０は外部引出
し用の４体、特に５０９は共通電極導体でもある。４体
５０９はＳＡＷ発振片５００の側面を介して表面のｆＪ
２のＳＡＷ共振共振動振電極に接続している。又導体５
０８は発振片５００の側面さらに裏面を介して前記第２
のＳＡＷ共振共振動の一方の励振電極に接続している。
説明が遅れたが、前述の励振電極はいわゆるＩＤＴ（イ
ンターデジタル）電極からなる。又前述のＳＡＷ共振子
をキャビティ型で図示したがＩＤＴ形さらには２端子対
共振器でよいことはもちろんである。さらには前記圧電
体平板の片面に形成するＳＡＷ共振共振動つ以上であっ
てそれらの相互接続からなってもよいことはもちろんで
ある。さらに又前記ＳＡＷ発振片の材料が水晶結果であ
り板厚が５０〜２００μｍ程度であればフッ酸等の腐食
液により外形加工が可能であることもつけ加える。
ンターデジタル）電極からなる。又前述のＳＡＷ共振子
をキャビティ型で図示したがＩＤＴ形さらには２端子対
共振器でよいことはもちろんである。さらには前記圧電
体平板の片面に形成するＳＡＷ共振共振動つ以上であっ
てそれらの相互接続からなってもよいことはもちろんで
ある。さらに又前記ＳＡＷ発振片の材料が水晶結果であ
り板厚が５０〜２００μｍ程度であればフッ酸等の腐食
液により外形加工が可能であることもつけ加える。
（発明の効采〕
以上述べたように本発明によれば、１つの圧電体平板の
表裏に同一方向を向いたＳＡＷ共振共振動成するために
、前記２つのＳＡＷ共振共振動−形伏かつ同一共振周波
数とすると同一の周波数温度特性が得られるた応に、並
列接続すると２倍の主面面積をもつＳＡＷ共振子と等価
なものが得られる他、前記発振片が振動して、たわんで
も並列接続して得られる共振周波数ｆ、はｆ、＝（ｆ１
十ｒ ＊ ） ／ ２となり変動が生じない。即ち変動
周波数分Ａｆｔ ＝ （Ａｔ、 ＋Δｆｔ ）／２＝０
（何故ならばΔｆ、＝−Δｆ、）となるからである。
表裏に同一方向を向いたＳＡＷ共振共振動成するために
、前記２つのＳＡＷ共振共振動−形伏かつ同一共振周波
数とすると同一の周波数温度特性が得られるた応に、並
列接続すると２倍の主面面積をもつＳＡＷ共振子と等価
なものが得られる他、前記発振片が振動して、たわんで
も並列接続して得られる共振周波数ｆ、はｆ、＝（ｆ１
十ｒ ＊ ） ／ ２となり変動が生じない。即ち変動
周波数分Ａｆｔ ＝ （Ａｔ、 ＋Δｆｔ ）／２＝０
（何故ならばΔｆ、＝−Δｆ、）となるからである。
従って極めて耐振動、耐衝撃に対して安定なＳＡＷ共振
子が実現できる。さらに前述の共振子を用いてフィルタ
を構成した場合に於ては、１つの圧電体平板の表裏を用
いているため従来の半分の５ＡＷ９振片サイズで良く超
小型なフィルタが実現できる他、圧電体平板の表裏にあ
るＳＡＷ共振子の周波数温度特性が同一であるため伝達
特性が変化しないＳＡＷフィルタが得られる。さらに又
前述のＳＡＷ発振片が円筒形状の気密端子の内側リード
端子に直接固定され４通がとられるため工数が低減でき
低コストなＳＡＷ共振子及びＳＡＷフィルタが実現でき
今後多大な利益が期待できる。
子が実現できる。さらに前述の共振子を用いてフィルタ
を構成した場合に於ては、１つの圧電体平板の表裏を用
いているため従来の半分の５ＡＷ９振片サイズで良く超
小型なフィルタが実現できる他、圧電体平板の表裏にあ
るＳＡＷ共振子の周波数温度特性が同一であるため伝達
特性が変化しないＳＡＷフィルタが得られる。さらに又
前述のＳＡＷ発振片が円筒形状の気密端子の内側リード
端子に直接固定され４通がとられるため工数が低減でき
低コストなＳＡＷ共振子及びＳＡＷフィルタが実現でき
今後多大な利益が期待できる。
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ本発明のＳＡ
Ｗ共振子の一実施例を示す上平面図、正面図、上平面図
である。 第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明のＳＡＷ共振子
又はＳＡＷフィルタの接続図。 第３図、ｆｆｆ４図は本発明のＳＡ、Ｗ共振子の反射器
の一実施例を示す概念図。第５図は本発明、のＳＡＷフ
ィルタの一実施例を示す平面図である。 １０３・・・気密端子 １０４・・・気密容器 １００・・・圧電体平板からなるＳＡＷ発振片１０５．
１０６，１０５１．１０８１・・・反射器 １０７．１０７１・・・励振電極 以 上 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第２図（Ｃン
Ｗ共振子の一実施例を示す上平面図、正面図、上平面図
である。 第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明のＳＡＷ共振子
又はＳＡＷフィルタの接続図。 第３図、ｆｆｆ４図は本発明のＳＡ、Ｗ共振子の反射器
の一実施例を示す概念図。第５図は本発明、のＳＡＷフ
ィルタの一実施例を示す平面図である。 １０３・・・気密端子 １０４・・・気密容器 １００・・・圧電体平板からなるＳＡＷ発振片１０５．
１０６，１０５１．１０８１・・・反射器 １０７．１０７１・・・励振電極 以 上 第２図（Ｑ） 第２図（ｂ） 第２図（Ｃン
Claims (4)
- （１） 矩形々状を呈する平行な２つの主平面からなる
圧電体平板に於て、前記２つの主平面上に、それぞれ同
一方向に向けて１つ以上のＳＡＷ共振部を形成した後、
相互に励振電極を接続したことを特徴とするＳＡＷ共振
子。 - （２） 第１項記載のＳＡＷ共振子を有することを特徴
とするＳＡＷフィルタ。 - （３） 少くとも２つ以上のリード端子を有する１つの
円筒状気密端子と一端が閉じた円筒容器を圧入してなる
気密容器と、前記気密端子の気密容器内のリード端子に
第１項記載のＳＡＷ共振子又は第２項記載のＳＡＷフィ
ルタを固定部材により直接接続したことを特徴とするＳ
ＡＷ共振子及びＳＡＷフィルタ。 - （４）第１項記載のＳＡＷ共振子又はＳＡＷフィルタの
圧電板の厚みが５０〜２００μｍの水晶板よりなること
を特徴とするＳＡＷ共振子及びＳＡＷフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036118A JPH01212014A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Ｓａｗ共振子及びｓａｗフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63036118A JPH01212014A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Ｓａｗ共振子及びｓａｗフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01212014A true JPH01212014A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=18472279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63036118A Pending JPH01212014A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | Ｓａｗ共振子及びｓａｗフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01212014A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995024075A1 (fr) * | 1994-03-02 | 1995-09-08 | Seiko Epson Corporation | Element de resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface a montage superficiel et leurs procedes de fabrication |
| US5867074A (en) * | 1994-03-02 | 1999-02-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave resonator unit, surface mounting type surface acoustic wave resonator unit |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP63036118A patent/JPH01212014A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995024075A1 (fr) * | 1994-03-02 | 1995-09-08 | Seiko Epson Corporation | Element de resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface a montage superficiel et leurs procedes de fabrication |
| US5867074A (en) * | 1994-03-02 | 1999-02-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave resonator unit, surface mounting type surface acoustic wave resonator unit |
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