JP3309826B2 - 弾性表面波共振片、弾性表面波共振子の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】安定度の高い高周波用の発振
回路および装置を構成するのに適した弾性表面波共振子
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ等の微細加工技術を利用して、圧電
体表面上へ微細電極の形成が可能となり、弾性表面波
（ＳＡＷ）を電気的に駆動あるいは検出できるようにな
った。これを利用して、およそ１００ＭＨｚからギガＨ
ｚ帯の高周波を安定して得られるようになった。この弾
性表面波を用いたＳＡＷデバイスは、高周波用のフィル
ター（ＳＡＷフィルタ）あるいは発振回路を構成するた
めの弾性表面波共振子（ＳＡＷ共振子）などとして用い
られている。

【０００３】図２６に、従来のＳＡＷデバイスの概要を
示してある。このデバイス９０では、ＳＡＷ共振片９２
がこれを支持するための金属部９１に接着剤９３で固着
されており、ケース９６内に窒素雰囲気中で抵抗溶接な
どによって封止されている。ＳＡＷ共振片９２と電気的
な接続を得るためのリード９４が金属部９１の中の絶縁
部すなわち封止ガラス９７を貫通しており、これらのリ
ード９４はＳＡＷデバイス上の電極とボンディングワイ
ヤー９５によって電気的に接続されている。

【０００４】図２７に示した従来のＳＡＷデバイス９０
は、セラミックなどのベース１０１を備えており、この
ベース１０１に弾性表面波共振片９２が接着剤９３によ
って取りつけられた、いわゆる全面接着型のＳＡＷデバ
イスである。ベース１０１には、ＳＡＷ共振片９２と電
気的な接続を構成するために、電極がメタライズされて
おり、ベース１０１上の電極とＳＡＷ共振片９２の上の
電極は上記と同様にボンディングワイヤ９５によって電
気的に接続されている。また、ベース１０１の上方に
は、キャップ１０２が窒素雰囲気中で接着剤などによっ
て取りつけられている。キャップ１０２は、ろう付け、
溶接などによって取りつけられているものもある。

【０００５】図２８に、これらのＳＡＷデバイスに収納
されるＳＡＷ共振片１１０の概略を示してある。ＳＡＷ
共振片１１０は、水晶片などの圧電体１１１を用いて形
成される。この圧電体１１１は、平坦な圧電体基板を所
定の大きさ、および寸法にカットしたものであり、後述
するような反射器を設けるエリアを確保でき、量産性が
高く、さらに、加工の容易な長方形にカットされたもの
が多い。圧電体１１１の一方の面（主面）の略中央に
は、交差指電極（ＩＤＴ）１１２がアルミニウム系素材
などの薄膜電極を用いて構成されている。さらに、この
ＩＤＴｌ１２の長手方向の両側、すなわち、圧電体１１
１の長い方の辺に沿った両側の各々に、反射器１１３が
電極と同じくアルミニウム系素材などの薄膜を用いて構
成されている。圧電体１１１の長手方向の縁に沿って、
ＩＤＴｌ１２と繋がった導通用の接続ランド１１４がＩ
ＤＴｌ１２と同じ素材を用いて形成されており、この接
続ランド１１４にワイヤーボンディングすることによっ
て電気的な接続が得られるようになっている。

【０００６】ＳＡＷデバイスを用いて高周波領域の高安
定発振器を構成するためには、Ｑ値（共振せん鋭度）が
高く、共振周波数の安定した低等価直列抵抗のＳＡＷデ
バイスが必要となる。上記のような従来のＳＡＷデバイ
スでは、ＳＡＷ共振片が接着剤によって支持基板に密着
されている。このため、ＳＡＷ共振片とこれを支持する
部分との熱膨張率の違いや、接着剤の収縮や支持する部
分の変形などによって、ＳＡＷ共振片に歪みが発生し、
これらが共振周波数を不安定にしたり等価直列共振抵抗
を高める要因となっていた。このようなＳＡＷデバイス
の多くは、従来ＳＡＷフィルタとして用いられていたた
め、それほど高いＱ値は必要とされなかった。しかしな
がら、発振器を構成するＳＡＷ共振片においては、フィ
ルタよりさらに安定した共振周波数を得ることが重要で
あり、等価直列共振抵抗が低く、Ｑ値の高いＳＡＷ共振
子を用いることが高安定の発振器を実現するために重要
である。

【０００７】また、信頼性の高い発振器を得るために
は、これを構成するデバイスにも高い信頼性が要求され
る。ＳＡＷデバイスの場合、ＩＤＴの形成された表面に
ごみなどの異物が付着すると周波数が変動したり、安定
した共振特性が得られなくなるなどのトラブルが発生す
る。また、ＩＤＴとリードとが接続不良になれば、安定
した発振特性が得られないことはもちろん、その接続不
良に起因する接続抵抗の増加は周波数の変動や、Ｑ値の
低下などの影響をもたらす。従って、ＳＡＷ共振片の表
面への歪みの影響を避けながら、異物などの影響を排除
したり、接続状態の悪化を防止し信頼性の高いデバイス
を提供することも重要である。

【０００８】[発明の開示］本発明においては、ＳＡＷ
共振片に対する支持部材あるいは接着剤による影響を抑
止するため、ＳＡＷ共振片の端部のみを支持するように
している。すなわち、ほぼ矩形にカットされ表面の略中
央に交差指電極が形成されたＳＡＷ共振片の長手方向の
一方の端部のみを支持体に接続し、支持体に影響される
部分を少なくし、さらに、ケースなどのハウジングから
ＳＡＷ共振片を浮かすようにしている。これによって、
ＳＡＷ共振片には外部から応力がかからず、歪みによる
影響を受けないで非常に安定した共振周波数を有した、
エージング特性の良いＳＡＷ共振子が得られる。すなわ
ち、反射体より端側をマウントする（以下において片持
ちマウントと言う）ことによって、ＳＡＷ共振片への歪
の影響を少なくできることが見いだされた。

【０００９】そして、ＳＡＷ共振片を片持ちマウント
し、ＳＡＷ共振子とするためのハウジングの構造として
は、金属製の筒型、丸缶型、箱型のケースを支持体によ
って封止したものがある。なお、筒型とはその断面形状
が円形または楕円形を含むものである。そして、筒型ケ
ースを用いる場合には、ＳＡＷ共振片はケースをかぶせ
る方向に概ね平行にマウントされ、丸缶型または箱型の
場合には、ケースをかぶせる方向に概ね直角にマウント
される。このようなハウジング内に封止されたＳＡＷ共
振片との電気的な導通は、支持体の複数のリードによっ
て確保できる。箱型のセラミックケースを用いて封止し
てもよく、この場合は、導出パターンを用いて電気的な
接続を確保しても良い。

【００１０】また、ＳＡＷ共振子は、圧電体のＳＡＷを
用いたデバイスであるが、ハウジング内の雰囲気によっ
てＱ値が変化することが本願によって見いだされ、ハウ
ジング内の雰囲気をほぼ真空状態とすることによってＱ
値の高いＳＡＷ共振子が得られることが判った。

【００１１】また、ハウジング内にＳＡＷ共振片を封止
する際に、ハウジングの中心軸とＳＡＷ共振片の表面が
交差するような状態で傾斜してマウントすればハウジン
グ内のスペースを有効活用でき、ハウジングとＳＡＷ共
振片との接触などのトラブルを防止できる。このため
に、リードがＳＡＷ共振片と接する部分をハウジングの
中心軸に対して傾斜させておくこともできる。

【００１２】ＳＡＷ共振片を片持ちマウントするには、
非導電性の接着剤を介して圧電体を支持しても良く、あ
るいは、リードを用いてＳＡＷ共振片に設けられた接続
ランドと接続し導通を取りながら支持しても良い。ある
いは、これら両者の方法を同時に用いても良く、いずれ
の方法を主、他の方法を従として強度を確保しても良
い。

【００１３】リードを接続ランドに接続する際に、リー
ドに平板状の接続端を設けて導通面積を確保したり、そ
の接続端の先端を少なくとも２本に分岐させることも有
効である。接続ランドにはアルミニウム系の電極が使用
されることが多いので通常の方法での半田接続は難し
い。電極の表面には極薄い酸化膜が自然に形成されるの
で、一般的な導電性接着剤を用いるだけでは安定的な電
気的導通を確保することは難しい。このため、酸化防止
材を混入した導電性接着剤が有効である。さらに、電極
の酸化膜の影響を防止するには、接続ランド上に導電性
接着剤の塗布後に少なくとも１本の傷を形成したり、接
続ランドにバンプを形成することが有効である。

【００１４】また、ＳＡＷデバイスでは、ハウジング内
でのごみなどの異物によるトラブルが発生しやすい。交
差指電極を構成する一対の電極のうち、一方のみを陽極
酸化処理して少なくとも２８０オングストロームの酸化
膜を形成することにより、このようなトラブルを防止で
きる。さらに、ウェハの状態で共振周波数の測定も可能
になり、陽極酸化処理によるＳＡＷ共振片の共振周波数
の調整も図れる。

【００１５】さらに、ＳＡＷ共振子と、これらのリード
と電気的に接続されたリードフレームとを樹脂により一
体成形することによっても表面実装に適した表面実装型
のデバイスを提供できる。また、ハウジングが金属製の
場合、このハウジングと電気的に接続されたリードフレ
ームもモールドしておけば、ハウジングを接地すること
によってノイズに強い表面実装型のＳＡＷデバイスを実
現できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１に、本発明のＳＡＷ共振片の
一例を示してある。このＳＡＷ共振片１は、水晶、リチ
ウムタンクレート、リチウムニオブベートなどの圧電体
を矩形にカットしたものを基体（チップ）２として構成
されている。本例の圧電体チップ２は、平らな長方形に
カットされており、その表面（主面）３の中央に１組の
電極４ａおよび４ｂによってＩＤＴ５が構成されてい
る。また、このＩＤＴ５の長手方向の両側に格子状の反
射器６ａおよび６ｂが形成されている。ＩＤＴ５を形成
する１組の電極４ａおよび４ｂは、一方の反射器６ａの
外側、すなわち、チップ２の縁側を通って、チップ２の
端部２ａに導かれ、若干面積の広くなった接続ランド７
ａおよび７ｂが形成されている。電極４，反射器６およ
び接続ランド７は、導電性の素材として、加工およびコ
ストの点からアルミニウムあるいはアルミニウム系の素
材が用いられている。

【００１７】［ＳＡＷ共振片のマウント方法について]
図２に、水晶のＳＴカットを用いたレーリー波の１４５
ＭＨｚのＳＡＷ共振片１（長さ６．５ｍｍ、幅１．６ｍ
ｍおよび厚さ０．４ｍｍ）を、チップ２の端部２ａ側を
支持した際の共振周波数（Ｆｒ）の変化と、チップ２の
変形量を示してある。また、合わせて、先に説明した従
来の接着剤を用いてチップ２の主面３と反対側の裏面９
全体を支持した際の共振周波数（Ｆｒ）の変化と、チッ
プ２の変形量を示してある。チップ２の変形量は、図２
（ｂ）に示すように、チップ２の歪みや反りを反映でき
るように、主面３の最大の変化量を示してある。

【００１８】図２にて判るように、チップ２の端部２ａ
側のみを支持した、いわゆる片持ちマウントの場合は、
周波数の変化は殆どなく、また、チップの変形量も非常
に小さい。これに対し、チップの裏面９を接着した、い
わゆる全面接着マウントの場合は、周波数の変化は１０
０ｐｐｍ以上であり、また、チップの変形量も５００ｎ
ｍ以上と、ともに大きい。ＳＡＷデバイスは、主面の弾
性表面波によって共振周波数を得ているため、裏面を強
固に接続し、主面には影響がでないであろう方法で支持
していた。しかし、これらのデータより、マウントの方
法によってチップの状態および共振周波数が大きく影響
されることが判った。そして、従来のチップを安定して
固定し、安定した周波数を得られるものと期待されてい
た全面接着マウントでは、チップの変形量が大きく、共
振周波数の変化も大きいことが判明した。これに対し、
チップを片持ちマウントした場合の周波数の変化および
チップの変形量は非常に小さい。従って、安定した高い
性能を得るためにはＳＡＷ共振片を片持ちマウントした
方が良いことが判る。

【００１９】図３および図４に、上記と同じＳＡＷ共振
片を片持ちマウントした場合と、全面接着マウントした
場合とのエージング特性を示してある。これらの図に
は、ＳＡＷ共振片をそれぞれの方法でマウントした後、
８５°Ｃで放置し、所定の時間経過したのちの共振周波
数の変化△Ｆｒと等価直列抵抗の変化△Ｒｒを測定した
結果を示してある。片持ちマウントされたＳＡＷ共振片
では、１０００時間経過した後の共振周波数の変化△Ｆ
ｒがほぼ１０ｐｐｍ以下に収まる。これに対し、全面接
着マウントされたＳＡＷ共振片では、３０ｐｐｍ程度変
化する傾向が見られる。さらに、等価直列抵抗の変化△
Ｒｒも、片持ちマウントされたものではほぼ０Ωの近傍
に測定値が集まるのに対し、全面接着マウントされたも
のでは等価直列抵抗Ｒｒの値が１〜３Ω程度増加する傾
向が見られる。このようなエージングの傾向は全面接着
マウントした際の接着剤の硬化や、マウントされた部材
との熱膨張率の違いなどに起因するもので、片持ちマウ
ントすることによってこれらの影響を排除できることが
判る。

【００２０】このように、片持ちマウントされたＳＡＷ
共振片はエージング特性も良好であり、従来の全面接着
マウントされたものより優れている。すなわち、ＳＡＷ
共振片を片持ちマウントすることによって、長時間にわ
たって安定した特性を保つ共振子が得られ、等価直列抵
抗Ｒｒの増加も小さいことから高安定発振器に適したＱ
値の大きなＳＡＷ共振子が得られる。

【００２１】ＳＡＷ共振片１を片持ちマウントする方法
には以下に述べるような幾つかのものがある。図５に、
リードを用いてＳＡＷ共振片１を片持ちマウントしたＳ
ＡＷ共振子の概略構造を示してある。このＳＡＷ共振子
２０では、筒形で一方が開口となった金属製のケース２
１の中にＳＡＷ共振片１が収納されており、金属製のケ
ース２１の開口には、いわゆるハーメチック端子２２が
嵌め込まれて、これによってケース２１に密封されてい
る。このハーメチック端子２２は、ガラス部２３の外周
に金属環２４が設けられたものであり、ガラス部２３を
２本のリード２５が貫通している。そして、これらのリ
ード２５のケース２１内の端２５ｃ，２５ｄがＳＡＷ共
振片１の接続ランド７ａ，７ｂにそれぞれ接続されてお
り、これらのリード２５を介してハーメチック端子２２
（以降リードも含めてプラグ体と呼ぶ）によりＳＡＷ共
振片１はケース２１内に片持ちマウントされている。

【００２２】リード２５ｃ，２５ｄは、接続ランド７
ａ，７ｂに固着剤２６によって固着されており、この固
着剤２６は電気的な導通を得るために半田や導電性接着
剤が用いられる。リード２５ｃ，２５ｄと接続ランド７
ａ，７ｂとを低抵抗の状態で接続することが重要であ
り、これについてはさらに詳しく後述する。また、ケー
ス２１およびプラグ体の金属環２４には、ケース内の気
密性を保持できるようにプラグメッキ２７およびケース
メッキ２８が施されており、これらのメッキがシール材
として機能を果たす。これについてもさらに詳しく後述
する。

【００２３】図６に、上記のＳＡＷ共振子２０をＳＡＷ
共振片１の側方から見た状態を示してある。ＳＡＷ共振
片１はケース２１の中心軸２９に対し主面３が傾くよう
にリード２５と接続されて、中心軸２９とＳＡＷ共振片
１とが交差するようになっている。ＳＡＷ共振片１をこ
のようにマウントすると、リード２５をプラグ体の中心
に設けてもＳＡＷ共振片１はケース２１の略中央にマウ
ントできるので、ＳＡＷ共振片１とケース２１の内面２
１ａとの間に十分な隙間を確保できる。このような隙間
を設けることによって、ケース２１内にＳＡＷ共振片１
を組み入れる際にケース２１とＳＡＷ共振片１が接触す
ることはなく、発振を不安定にする要因を排除できる。
また、ケース２１内に共振片が触れてゴミが発生すると
いったトラブルも防止できる。

【００２４】ＳＡＷ共振片１を傾ける角度は、ＳＡＷ共
振片１が中心軸２９と平行な位置から、接続ランドを設
けてないチップ２の他方の端面８ｄか中心軸２９と交差
する程度の範囲までとすることが望ましい。リード２５
の端２５ｃは接着剤２６によって繋がっており、接続ラ
ンド７とは直接接触しなくとも良いので、マウント角度
を設けることは容易である。もちろん、リード２５の端
２５ｃを所定の角度で傾けても良く、あるいは、リード
２５の端２５ｃを所定の角度で切断または潰し、この切
断面または潰し面を用いて接続ランド７と連結しても良
い。

【００２５】図７に、非導電性の接着剤３０を用いてＳ
ＡＷ共振片１をプラグ体に片持ちマウントした例を部分
的に示してある。図示した例では、リード２５ｃ，２５
ｄを導電性接着剤２６を用いて接続ランド７ａ，７ｂと
接続してあるので、非導電性の接着剤３０は片持ちマウ
ントの補強するために用いられている。ＳＡＷの振動は
チップ２の表面に発生するが、ＳＡＷ共振片１の特性を
確保できるだけのチップの厚みが必要となる。この厚み
はＳＡＷ波長の１０倍程度で十分であるが、共振周波数
が低い場合はチップが厚くなるのでＳＡＷ共振片の重量
が増す。このような場合は、導電性接着剤２６および非
導電性の接着剤３０の両方を用いて衝撃や振動に十分に
耐えられる強度でＳＡＷ共振片１を片持ちマウントする
ことが望ましい。非導電性の接着剤３０がＳＡＷ共振片
１を覆う面積は少ないほうが望ましく、ＳＡＷ共振片の
特性を考慮すると接続ランド７を覆う程度、すなわち、
チップの片持ち側の端２ａ側の反射器６ａに到達しない
程度に収めておくことが望ましい。

【００２６】図８および図９に、ほぼ楕円形の平箱状の
ケース２１にＳＡＷ共振片１を片持ちマウントした状態
を示してある。図９に示すように、ほぼ楕円形をした平
らなベース３１の一方の端側に２本のリード２５が絶縁
体３１ａの中を貫通しており、リード２５の先端にベー
ス３１に沿って延びた平らな接続端２５ｃが形成されて
いる。この接続端２５ｃの上にＳＡＷ共振片１の接続ラ
ンド７を載せ、リード２５と接続ランド７とを導電性の
接着剤２６により固定する。さらに、ＳＡＷ共振片１の
端部２ａを非導電性の接着剤３０により固定する。この
ような固定方法により、ＳＡＷ共振片１を薄いケース２
１内に片持ちマウントできる。ケース２１は丸缶型や、
角型の箱状ケースであってももちろん良い。

【００２７】また、ＳＡＷ共振片１は、ＩＤＴの形成さ
れた主面３が本図と反対にベース３１の側を向いて取り
付けてあっても良い。この場合には、主面３とベース３
１との間が狭いので、異物が入りにくく信頼性の点で好
ましい。片持ちマウントを採用することにより必要に応
じて主面をどちらに向けてもよい。接続ランド７の位置
は、ＩＤＴの構成された主面３でなくても良く、図１に
示した裏面９や側面８ａおよび８ｃ、あるいは端面８ｂ
に形成されていても良い。接続ランド７を裏面９あるい
は側面８ａおよび８ｃに設ける場合も、ＳＡＷ共振片の
特性が悪化しないように接続ランド７の位置をチップの
固定端２ａ側とすることが望ましい。接続ランド７は、
固定端２ａ側の反射器６ａ近傍、あるいは反射器６ａよ
りチップ２の固定端２ａ側に配置し、特に、主面３に設
けた場合と同様に反射器６ａより固定端２ａ側に接続ラ
ンド７を設けておくことが望ましい。主面以外に接続ラ
ンドを設ける場合は、斜め蒸着等の技術を駆使して導通
パターンを作成する必要があるので、導通不良が発生し
ないように十分注意する必要がある。導通不良を防止す
るためには、導通パターンの固着面積を十分に確保する
ことが重要であり、この点では、接続ランドを主面に設
けておくことが望ましい。

【００２８】図１０にセラミックケース３２内にＳＡＷ
共振片１を片持ちマウントしたＳＡＷ共振子２０の例を
示してある。セラミックケース３２は四方が壁面となっ
た箱型をしており、これらの壁面のうち少なくとも１つ
に段差３２ａが設けられている。この段差３２ａの表面
にセラミックケース３２の外部と導通したパターン３３
が予め形成されており、この導通パターン３３とＳＡＷ
共振片１の接続ランド７との位置を合わせることにより
ＳＡＷ共振片１を片持ちマウントできるようになってい
る。ＳＡＷ共振片１をマウントする際は、接続ランド７
と導通パターン３３を導電性の接着剤２６で接続し、チ
ップの固定端２ａを段差３２ａに非導電性の接着剤３０
により固定する。ＳＡＷ共振片１をマウントした後、蓋
３４をセラミックケース３２に被せ、シーム溶接により
ケースを密閉する。

【００２９】図１１に、セラミックケース３２にＳＡＷ
共振片１を片持ちマウントした異なった例を示してあ
る。本例では、ＳＡＷ共振片１の固定端２ａをセラミッ
クケース３２の底面３２ｂから、非導電性の接着剤ある
いはセラミックなどのスペーサー３５を介して浮かして
固定してある。そして、ボンディングワイヤー３６によ
ってＳＡＷ共振片１と導通パターン３３を電気的に接続
してある。

【００３０】ＳＡＷ共振片１をマウントする際に用いら
れる固定用の非導電性の接着剤としては、ＳＡＷ共振子
の動作温度範囲では十分に強度を保持できる程度の耐熱
性を有し、さらに、ＳＡＷ共振片を収納したケース内の
雰囲気に影響を与えるようなガスを発生しない加熱硬化
性の樹脂が適当である。さらに、硬化中にＳＡＷ共振片
に広がったり、プラグ体の外周面に広がらないように、
たれないものが望ましい。さらに、硬化中にＳＡＷ共振
片のチップにストレスが蓄積されないように低応力のも
ので、低い温度で硬化するものが望ましい。このような
条件にあった非導電性の接着剤として、本例においては
紫外線照射と加熱により硬化するエポキシ系の接着剤を
用いている。

【００３１】ＳＡＷ共振片は片持ちマウントされること
によって、固定端以外は空間に浮いた状態となり、従来
の全面接着マウントされた場合と比較し他の部材、例え
ば、ベースなどから圧力や歪みなどの力学的影響や熱的
影響を受けない。固定端はリードや接着剤などによって
歪みなどの影響を受けるが、歪みを受ける部分を振動エ
ネルギーを閉じ込めるＩＤＴを挟んだ２つの反射器の外
側とすることによって、実際に振動する部分への影響を
排除することができる。従って、上記のような片持ちの
マウント方法によって加工歪みの影響のないＳＡＷ共振
子がえられ、環境の変化等の影響を受けない高品質のＳ
ＡＷデバイスを提供できる。

【００３２】[共振片を収納したハウジング内の雰囲気]
環境の影響を受けずにＳＡＷデバイスを実装するため
に、ＳＡＷ共振片は筒型のケースや、箱状などの平らな
ケース、あるいはセラミックケースなどの中空のハウジ
ング内に収納される。そこで、図１２および図１３に、
ハウジング内の雰囲気による共振子への影響を示してあ
る。

【００３３】図１２は、図７で説明した筒型で一方が開
口となった金属製ケースにＳＴカットのレーリー波１４
５ＭＨｚのＳＡＷ共振片を１×１０^-5ｔｏｒｒ以下の真
空状態で封止したＳＡＷ共振子と、大気圧で封止した共
振子の等価直列抵抗Ｒｒの値を示してある。本図にて判
るように大気中で封止したＳＡＷ共振子と比較し、真空
中で封止することにより等価直列抵抗Ｒｒは３〜５Ω程
度減少する。これによって、ＳＡＷデバイスは圧電体の
弾性表面波を用いたデバイスであるが、デバイスを取り
囲む雰囲気の影響を受けることが判り、ＳＡＷ共振片を
囲む雰囲気を真空雰囲気とすることによって低損失の共
振子を実現できることが判る。また、等価直列抵抗Ｒｒ
の値を減少でされば、大きなＱ値を備えたＳＡＷ共振子
を提供できる。

【００３４】図１３は、１００〜３００ＭＨｚの共振周
波数を持ったＳＴカットのレーリー波ＳＡＷ共振片を大
気中と真空中で封止したＳＡＷ共振子のＱ値を示してあ
る。Ｑ値は、周波数が高くなるに連れて減少してしま
う。従って、高周波帯でＱ値の大きなＳＡＷ共振子を得
ることが高安定の高周波の発振器を実現するために必要
であることは上述した通りである。本図にて判るよう
に、真空中で封入することにより、大気中で封入したも
のと比較し、概ね２００ＭＨｚにおいて６０％程度高い
Ｑ値を持った共振子を提供できる。

【００３５】ハウジング内を真空で封止するには、図５
に示したような筒型のケースが好適である。図５に示し
た形状は、気密封止するための圧入型の筒型形状と呼ば
れるものであり、ケース２１は洋白等の素材で形成され
ており、プラグ体を圧入するとケース２１に発生する締
めつけ力で気密保持できるようになっている。さらに、
ケース２１とプラグ体との間には、展延性のある軟金属
として半田や金等、本例では安価で量産性に優れた半田
を用いたケースメッキおよびプラグメッキが施されてい
るので、これらがシール材として作用し、ケースとプラ
グ体との間の隙間が埋まる。これらは一般にバレル法や
ディッピング法などのメッキ加工技術を用いてメッキさ
れており、ケースにおいてはケースの少なくともプラグ
体が接触する内面の部分に、また、プラグ体においては
金属環およびリードにメッキされている。シール性の高
い展延性のあるメッキはプラグ体あるいはケースのいず
れかに施されていれば良く、他方のメッキはニッケル等
のメッキであっても良い。

【００３６】このような圧入型のケースを採用すると、
このケースをＳＡＷ共振片の固着されたプラグ体を被せ
て密封するだけで、ケース内を封止作業の雰囲気と同じ
環境にできる。従って、真空雰囲気で加工すればケース
内を真空にでき、また、窒素雰囲気で加工すればケース
内を窒素雰囲気にできる。従って、ケース内を真空とし
たＱ値の高いＳＡＷ共振子を真空中で治具によって位置
合わせして圧入するだけで製造でき、大量に、また安価
に提供できる。

【００３７】さらに、ＳＡＷ共振片を封止したハウジン
グ内を真空にすることにより電極の酸化を防止でき、ま
た、ミクロンオーダーで形成されたＩＤＴが結露によっ
てショートするのも防止でき、エージング性を向上でき
る。電極の酸化を防止したり、結露によるショートを防
止する効果は、ハウジング内を不活性気体、例えば窒素
などで封止しても得られる。ハウジング内に不活性気体
を封止して、内部圧力を高めておくと、接着剤などから
有害なガスが発生するのを抑止する効果も得られる。

【００３８】[接続ランドとリードなどとの導通]上述し
た本例のＳＡＷ共振片は、アルミニウムあるいはアルミ
ニウム系素材を用いて電極が構成されている。このよう
なアルミニウム系の電極を用いた場合、表面が自然酸化
して酸化膜か形成されてしまい半田付けができない。ア
ルミ用フラックスを用いて半田付けを行ってもよいが、
その後に品質保持のため洗浄などの工程が必要となり、
量産性が落ち、製造コストも上昇してしまう。そこで、
図１４に示すように接続ランド７は、リード２５あるい
は導出パターンなどと導電性接着剤２６を用いて接続し
てある。この導電性接着剤２６には、電極の酸化を防止
するために酸化防止材を混入しておくことが望ましい。
また、良好な電気的導通を得るために、フィラー（導電
性接着剤の中で導電性を得るための材料）として銀また
は銅を用いることが望ましい。

【００３９】このような導電性の接着剤を用いることに
より、低コストで抵抗の小さなＳＡＷ共振子が得られ
る。しかし、アルミニウム電極の表面には酸化膜３７が
未処理のまま残っているので、直流導通はとれない。従
って、等価直列抵抗Ｒｒを削減し、Ｑ値のさらに大きな
ＳＡＷ共振子を得るためには酸化膜３７を処理する必要
がある。

【００４０】図１５に、接続ランド７にバンプ４０を設
けた例を示してある。アルミニウムあるいはアルミニウ
ム銅合金製の接続ランド７に、酸化しにくく導電性の高
い金属、例えば、金、銀、半田等を蒸着、スパッタ、あ
るいはイオンプレーティング等の加工技術を用いて積層
し、バンプ４０を形成する。このようなバンプ４０は酸
化膜などの影響を受けない。従って、このバンプ４０を
含んで接続ランド７の上に、リード２５などを導電性の
接着剤２６で取り付ければ、直流導通も取れ、等価直列
抵抗Ｒｒが低く、Ｑ値の高いＳＡＷ共振子が得られる。
導電性の接着剤で固着する替わりに、リード２５を覆っ
た半田メッキを溶融させれば、フラックスを用いなくと
もバンプ４０と接続できる。この場合は、ＳＡＷ共振片
１を片持ちマウントするために必要な強度を得るために
非導電性の接着剤によって補強しておくことが望まし
い。

【００４１】図１６に、接続ランド７にリード２５を接
続した様子を主面３の上方から見た様子を示してある。
本例のリード２５の接続端２５ｃは平坦に潰され、二股
に分かれており、この二股に分かれた部分がバンプ４０
の両側に延びるように導電性の接着剤２６によって取り
付けられている。リードの接続端２５ｃを潰すことによ
って導電性の接着剤２６と接触する面積が増加するの
で、接触抵抗を小さくでき、それと同時に大きな付着力
が得られる。さらに、接続端２５ｃを二股、あるいはそ
れ以上に分岐させることによって、接続ランド７に形成
されたバンプ４０と組み合わせて配置することが簡単に
できる。従って、接続ランド７の面積を有効に活用で
き、バンプ４０ともより良好な導通が得られる。また、
このような分岐を設けることにより接着剤２６によって
リード２５が強固に固定されるので、リード２５を用い
てＳＡＷ共振片１を片持ちマウントするのに好適であ
る。

【００４２】図１７に、ワイヤーボンディングによって
接続ランド７にスタッドバンプ４１を設けた例を示して
ある。スタッドバンプ４１は、超音波振動により酸化膜
３７を削除して、金、銅などの金属をワイヤーボンディ
ングすることによって形成でき、酸化膜３７が比較的厚
い場合であっても安価に簡単な加工で設けることができ
る。蒸着などによってバンプを付ける場合は、酸化膜が
厚くなると高いエネルギーが必要となり、コストがかか
るので、本例のようなスタッドバンプの方が量産性に優
れ廉価に製造できる。スタッドバンプは、接続ランド７
の上にワイヤーを張った状態であっても同様の効果が得
られることはもちろんである。このように接続ランド７
にバンプを設けることにより、リードとの接触抵抗を大
幅に低減できる。発明者が実験を繰り返した結果による
と、バンプを接続ランドに設けていない、ＳＡＷ共振子
（筒型で共振周波数が１４５ＭＨｚのＳＡＷ共振子）の
等価直列抵抗Ｒｒが２０〜４０Ω程度と広く分布してい
るのに対し、バンプを設けることによって等価直列抵抗
Ｒｒが１０〜２０Ω程度まで減少することが確認できて
いる。また、バンプを設けることによって等価直列抵抗
Ｒｒのばらつきは狭い範囲に収まり、性能の安定したＳ
ＡＷ共振子を得ることができる。

【００４３】図１８に、接続ランド７との導通を取るた
めの異なった手段を示してある。本例では、接続ランド
７にリード２５を載せ、導電性の接着剤２６を塗布した
後、この接着剤２６が硬化するまえに接着剤２６で覆わ
れた接続ランド７の表面を先端の尖った治具などを用い
て傷つけてある。傷４２は１筋、あるいは２筋以上でも
良く、リード２５と平行に設けても、垂直に設けても良
い。このような傷４２を設けることによって酸化膜３７
を削除した部分を形成でき、接続ランド７のアルミニウ
ム金属が露出するので、導電性の接着剤２６を介して接
続ランド７とリード２５との間に直流導通が得られる。
ただし、接着剤２６の範囲の外に達する傷を設けると、
外に出た部分から酸化し、酸化膜が再合成されてしまう
ので注意が必要である。また、傷４２によって接続ラン
ドを分離してしまうと電極の導通が取りづらくなり、ま
た接着剤からはみ出した傷が酸化膜を再形成する原因と
なるのでこの点でも注意が必要である。

【００４４】このような傷４２は、リード２５を接続ラ
ンド７に押しつけて超音波振動などの機械的な振動を与
えても設けることができ、あるいは、接着剤２６をディ
スペンサなどで塗布するのであればその塗布時にディス
ペンサのノズル先端で傷を付けても良い。あるいは、リ
ード以外の金属を振動させたり、あるいは擦って傷を設
けても良い。また、傷を付けると汚れなどによる接続ラ
ンドの導通損失を軽減できる。ただし、接着剤２６の硬
化前にこれらの処理を行うことが必要である。

【００４５】接続ランドに上記のような傷を設けること
によっても、バンプを設けた場合と同様に等価直列抵抗
Ｒｒの値が改善されることが発明者の実験により確認さ
れている。特に、傷は点で設けるよりも筋で設けること
が望ましく、さらに、傷を３筋以上あるいはランダムに
設けることによってバンプと同様、あるいはそれ以上の
効果が得られることが確認されている。等価直列抵抗Ｒ
ｒの他に、発明者によって直流抵抗値の変動も測定され
ている。この測定結果によると、酸化膜の処理を行って
いないものについては、直流抵抗が５Ω〜無限大といっ
た広い範囲を示すのに対し、傷を設けたり、バンプを設
けた場合は１〜２Ω程度の値に精度良く収束する。この
ように、傷、あるいはバンプを設けることによって酸化
膜の影響を排除でき、低接続抵抗（直流抵抗）でＱ値の
高いＳＡＷ共振子を実現できる。

【００４６】このような効果を得るためには、酸化膜の
除去された状態の傷が接続ランドに必要となる。このた
め、導電性の接着剤を塗布した後に接続ランドに傷を設
けるようにしており、逆に、傷の付けられた接続ランド
とリードが低接続抵抗の状態で接続されている場合は、
それらの傷は導電性の接着剤の塗布された後に形成され
たものであるといえる。傷が形成された後、この傷の内
面が再酸化してしまうと良好な導通状態は得られない。
そこで、導電性の接着剤として酸化防止材を配合したも
のが適当である。酸化防止材としては、ハイドロキノ
ン、カテコール、フェノールなどの還元性のものが用い
られる。さらに、銀粒子の他に、ニッケルなどの異種金
属を混入し接触抵抗の安定化を図り、同時に酸化膜の形
成防止効果を得ることも可能である。

【００４７】酸化防止材の効果についても、発明者の実
験によって確認されており、酸化防止材が未混入の接着
剤を用いたＳＡＷ共振子では、接着剤が硬化したのち２
３０°Ｃで１０時間アニールすると共振周波数が１００
ｐｐｍ以上変化し、等価直列抵抗Ｒｒの値もアニール以
前が２０Ω以下なのに対し３０〜４０Ωまで上昇してし
まうといった結果が得られている。これに対し、酸化防
止材を混入した接着剤を用いると、共振周波数の変化は
２０ｐｐｍ程度に収まり、等価直列抵抗Ｒｒの値も２０
Ω以下と良好な値を保持できる。

【００４８】[電極の保護]本発明においてはＳＡＷ共振
片を片持ちマウントして、筒型のケースやセラミックケ
ースなどのハウジングから浮かして支持している。そし
て、ＳＡＷ共振片の周囲に空間を設け、ＳＡＷ共振片か
周囲の環境から影響を受けづらいようにしてある。この
ようなＳＡＷ共振子では、ＳＡＷ共振片の周囲に形成さ
れた空間がＳＡＷ共振片を封入する際に混入する可能性
のあるＳＵＳあるいは半田くずといった異物の移動可能
なスペースとなってしまう。そして、このような異物が
ＳＡＷ共振片の電極、例えば、ＩＤＴやＩＤＴと接続ラ
ンドを結ぶ電極に食い込むことがあり得る。特に、ＩＤ
Ｔはミクロンオーダーで配置されているため、電極間に
上記のような導電性の異物が存在するとショートの原因
となり、ＳＡＷ共振子の安定した動作の妨害となる。ま
た、ミクロンオーダーの小さなこのような異物の混入を
完全に防ぐのは困難である。さらに、ＳＡＷ共振子は様
々な用途に用いられ、実装中や運搬中の衝撃、あるいは
実装された角度などによってこのような異物が移動して
しまうので、ＳＡＷ共振子を組み立てたり、実装する段
階で上記のようなトラブルを完全に防止することは難し
い。

【００４９】異物によるトラブルを防止するために、例
えば、ＩＤＴなどを酸化けい素などによってコーディン
グすることも可能である。しかし、チップ上に異なった
物質の層ができるので共振周波数の変動やＱ値の低下に
繋がり、片持ちマウントした効果が削減されてしまう。
そこで、発明者は、アルミニウム系の電極の表面に形成
される酸化膜の効果に着目した。アルミニウム系の電極
の表面に酸化膜が自然に形成されてしまうことは上述し
た通りであり、これらによってショートを防止すること
ができる。しかし、自然に形成される酸化膜は厚みが１
０〜３０オングストロームと薄いため強度が不足し、落
下等の衝撃によって移動する異物から電極を完全に保護
することは困難である。

【００５０】そこで、本発明においては、ＳＡＷ共振片
に形成された一対の交差指電極のいずれか一方のアルミ
ニウム系電極を陽極酸化することによって、膜厚が２８
０オングストローム前後、あるいはこれより厚い酸化膜
を電極の表面に形成し、異物によるトラブルを防止する
ようにしている。

【００５１】図２０に示すような圧電体のウェハ５０に
複数のＳＡＷパターン５１が形成された状態のものを用
いて陽極酸化を行う。本例では、ＩＤＴ５を構成する一
対の電極４ａおよび４ｂのうち、一方の電極のみに陽極
酸化を施すようにしている。このため、ウェハ５０に
は、ＳＡＷパターンに加え、これらのＳＡＷパターン５
１の一方の電極４ａを繋ぐ接続線５２と、陽極酸化用の
電源と接続するターミナル５３を設けてある。

【００５２】図２１に、陽極酸化を行う装置の概要を示
してある。槽５５の中には、陽極酸化液５９が入ってお
り、クリップ５６でウェハ５０のターミナル５３を保持
してウェハ５０を酸化液５９に浸す。そして、電源５７
からウェハ５０側を陽極として電流を流す。電源５７に
は酸化液５９に覆った陰極５８も接続されている。本例
では、陽極酸化によって無孔性の酸化膜を形成するよう
にしており、そのため、酸化液５９としては燐酸塩の水
溶液又はほう酸塩の水溶液の混合液を用いている。この
他に、クエン酸塩やアジピン酸塩などの中性近傍の塩の
水溶液を用いることができる。また、液温は、多孔性の
被膜となるのを避けるため室温程度が望ましく、例え
ば、ほう酸塩の水溶液を用いた場合は２０〜３０°Ｃ程
度が望ましい。

【００５３】このような条件下で陽極酸化を行うと、印
加電圧に略比例した膜厚の酸化膜を電極の表面に形成で
きる。酸化膜の膜厚を制御し、さらに電流投入時に流れ
る電流を一定以下と制御するために、プロセス用の電源
として定電圧・定電流電源を用いることが望ましい。ま
た、電極のうち、接続ランドに相当する部分では、上述
したように酸化膜を取り除く処理を行うことが望ましい
ので、接続ランドに相当する部分にはレジストなどを塗
布し、酸化膜の厚みの増加を防止することが望ましい。

【００５４】発明者によって、筒型のケース内にＳＵＳ
の異物（５〜１０μｍ径のＳＵＳ製の粉）を強制的に混
入した場合のトラブルの発生頻度が測定されている。そ
の結果、陽極酸化を行わなかった共振子においては繰り
返しの落下試験（７５〜１５０ｃｍの高さから５回の落
下試験を繰り返した結果）を行うとほぼ１００％のもの
がショートする。これに対し、上記のようにＩＤＴの片
側の電極のみに陽極酸化を行ったＳＡＷ共振子ではショ
ートする頻度は減少し、陽極酸化電圧を３０Ｖ程度でシ
ョートの発生頻度は略半減する。さらに、陽極酸化電圧
を上げ、５０Ｖ以上にするとショートの発生頻度がほぼ
０になることが確認できた。図２２に示すように、陽極
酸化電圧が２０Ｖで酸化膜の厚みはほぼ２８０オングス
トロームであり、５０Ｖではほぼ７００オングストロー
ムである。

【００５５】ＩＤＴの片側の電極のみに酸化被膜を強制
的に作製することにより、ＩＤＴの一方の電極を各パタ
ーン毎に独立して形成できるので、チップにカットする
前のウェハの状態でそれぞれの各パターン毎に共振周波
数を予め測定することができる。この測定された共振周
波数に基づいて酸化被膜を形成するプロセスを繰り返せ
ば、ウェハ状態での粗調や、ＳＡＷ共振片個々における
微調などの製造過程における共振周波数の調整作業を行
える。

【００５６】図２３に、陽極酸化電圧が５０Ｖ近傍の、
陽極酸化電圧に対する複数のウェハの共振周波数の変化
を示してある。本図にて判るように、酸化電圧を調整す
ることによってｐｐｍ単位で共振周波数の調整が可能で
ある。従って、ＩＤＴの一方の電極のみに陽極酸化を施
せば、ウェハの段階で共振周波数の測定が可能であり、
その結果に基づきさらに陽極酸化を行って、予め共振周
波数の整ったＳＡＷ共振片を容易に得ることができる。
このように、電極に陽極酸化を施すことによって上述し
たような優れた特性を維持したまま、ごみなどのトラブ
ルに対する耐性の強いデバイスを実現できる。

【００５７】[表面実装型のデバイス] 図２４に、図５に基づき説明したＳＡＷ共振片を筒型の
ケース内に片持ち収納したＳＡＷ共振子２０を表面実装
デバイス６０とした例を透視図で示してある。このデバ
イス６０では、ＳＡＷ共振片が気密封止されたケース２
１から外側に突き出たリード２５ａおよび２５ｂがそれ
ぞれリードフレーム６１ａおよび６１ｂと溶接、半田付
け、あるいは導電性接着剤などの方法により取り付けら
れている。さらに、筒型のケース２１のリードの突き出
た反対側にもリードフレーム６２が配置されており、こ
れらのリードフレーム６１および６２とケース２１が直
方体状に成形された樹脂６５によって一体化されてい
る。リードフレーム６１ａおよび６１ｂは、この表面実
装型のＳＡＷ共振子６０の電気的な接続を得るために使
用される。また、リードフレーム６２はこのＳＡＷ共振
子６０を基板へ実装する際に強度を確保するためのダミ
ーリードとして用いられる。さらに、これらが樹脂６５
によって直方体に一体成形されているので自動実装技術
を用いて基板に実装できる。

【００５８】図２５に、上記ではダミーリードとして用
いられているリードフレーム６２を筒型のケース２１に
電気的に接続したタイプの表面実装型のＳＡＷ共振子６
０を示してある。リードフレーム６２は、ケース２１と
接触する個所６９で、接触、圧入、半田付けあるいは導
電性接着剤などの方法によってケース２１と電気的に接
続できる。このようにリードフレーム６２をケース２１
と接続しておくと、リードフレーム６２を介して金属製
のケース２１をグラウンドに接続、すなわち接地でき
る。ＳＡＷ共振子は、数百ＭＨｚ以上の高周波において
用いられることが多い。そこで、ケース２１を接地する
ことによって電波として空間に存在するノイズをシール
ドすることができ、逆にＳＡＷ共振子がノイズの発生源
となることも防止できる。筒型のケースに限らず、箱状
のケースなど金属製のケースをリードフレームを介して
接地することによって、ノイズに強い表面実装型のＳＡ
Ｗデバイスを提供できる。

【００５９】これらのＳＡＷデバイスは、ケースの内部
に上記のようなＳＡＷ共振片が片持ちマウントされてお
り、共振周波数の非常に安定したＳＡＷ共振子が得られ
る。さらに、このＳＡＷ共振子は、低い等価直列抵抗、
そして高いＱ値といった優れた特性を兼ね備えている。
また、樹脂によってリードフレームと一体に形成される
ことによって、実装性に優れた表面実装型のデバイスと
することも簡単である。また、ＳＡＷ共振片はリードと
導電性接着剤あるいは非導電性の接着剤を用いて片持ち
マウントされているので耐衝撃性も優れており、さら
に、電極に陽極酸化膜を形成することによって衝撃にな
どによってショートなどのトラブルが発生するともな
い。このように、本発明によって、高周波領域で使用可
能な高品質の弾性表面波共振子を安価に提供することが
できる。

【００６０】

【発明の効果】高周波領域で使用可能な高性能の弾性表
面波共振片、およびＳＡＷ共振子を提供でき、ＳＡＷフ
ィルターなどの各種のデバイスに適用可能である。特
に、本発明のＳＡＷデバイスは、等価直列抵抗が低く、
高いＱ値を必要とする高安定発振器に好適なデバイスで
ある。さらに、表面実装が可能な形状として提供するこ
とも容易である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るＳＡＷ共振片の構成を示す斜視
図である。

【図２】 片持ちマウントした場合と、全面接着マウン
トした場合のＳＡＷ共振子の特性を比較したグラフであ
る。

【図３】 片持ちマウントした場合のエージング特性を
示すグラフである。

【図４】 全面接着マウントした場合のエージング特性
を示すグラフである。

【図５】 ＳＡＷ共振片を筒型のケース内に片持ちマウ
ントしたＳＡＷ共振子の構成を示す断面図である。

【図６】 図５と直角な方向からＳＡＷ共振子の構造を
示す断面図である。

【図７】 図５と異なるマウント方法を採用したＳＡＷ
共振子のマウントした部分を示す断面図である。

【図８】 箱型のケースにＳＡＷ共振片を片持ちマウン
トしたＳＡＷ共振子を示す展開斜視図である。

【図９】 （ａ）は、図８に示したＳＡＷ共振子の断面
であり、図９（ｂ）は、リードとの接続部分を拡大して
示す図である。

【図１０】 （ａ）は、セラミックケースにＳＡＷ共振
片を片持ち収納する様子を示し、（ｂ）はセラミックケ
ースを用いたＳＡＷ共振子の構造を示す断面図である。

【図１１】 異なった片持ちマウント方法を採用したＳ
ＡＷ共振子の構造を示す断面図である。

【図１２】 ハウジング内の雰囲気と、それによる等価
直列抵抗の値を比較したグラフである。

【図１３】 ハウジング内が大気状態と真空状態のとき
のＱ値と共振周波数との関係を表したグラフである。

【図１４】 接続ランドとリードとの接続部分を拡大し
て示す断面図である。

【図１５】 接続ランドにバンプを形成してリードを接
続した状態を示す断面図である。

【図１６】 先端が二股に分かれたリードを接続ランド
に接続した状態を示す平面図である。

【図１７】 接続ランドにスタッドバンプを形成してリ
ードを接続した状態を示す断面図である。

【図１８】 接続ランドに傷をつけてリードを接続した
状態を示す平面図である。

【図１９】 図１８の接続ランドにリードを接続した状
態を示す断面図である。

【図２０】 陽極酸化用にウェハ上に形成された、片側
の電極のみを酸化するパターンを示す図である。

【図２１】 陽極酸化用の器具の構成を示す図である。

【図２２】 陽極酸化電圧に対する酸化膜厚の変化を示
すグラフである。

【図２３】 陽極酸化電圧によって共振周波数が変化す
る様子を示すグラフである。

【図２４】 図５に示したＳＡＷ共振子をモールドして
表面実装型としたデバイスを示す透視図である。

【図２５】 ＳＡＷ共振子を接地できるタイプの表面実
装型デバイスを示す図である。

【図２６】 従来のＳＡＷ共振子の構造を示す断面図で
ある。

【図２７】 図２７と異なる従来のＳＡＷ共振子の構造
を示す図である。

【図２８】 従来用いられているＳＡＷ共振片の構造を
示す平面図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−143813（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−99742（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 3/10 H03H 3/08

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】１個の陽極ターミナル電極と、１組以上の
   交差指電極と、前記交差指電極のいずれか一方のみと前
   記陽極ターミナル電極とを接続する接続線と、を圧電体
   ウェハに形成する第１の工程と、前記陽極ターミナル電
   極に通電し前記一方の交差指電極に陽極酸化を行う第２
   の工程と、前記陽極ターミナル電極に接続されない他方
   の交差指電極のランド部と前記陽極ターミナル電極によ
   り、弾性表面波の共振周波数を測定する第３の工程とか
   らなり、前記第２の工程と前記第３の工程を交互に行
   い、共振周波数を所望の値に合わせ込むことを特徴とす
   る弾性表面波共振片の製造方法。
2. 【請求項２】請求項１において、前記第１の工程により
   形成された前記陽極ターミナル電極につながる前記交差
   指電極の接続ランド部にマスク材を印刷もしくは塗布
   し、前記第２の工程と前記第３の工程を交互に行い、共
   振周波数が所望の値に合わせ込まれた前記圧電体ウェハ
   を切断して弾性表面波共振片を作製し、前記弾性表面波
   共振片をその長手方向の一方の端部を支持体に接続する
   ことにより弾性表面波共振子を製造することを特徴とす
   る弾性表面波共振子の製造方法。