JPH01106513A - Ｓａｗ共振子等の固定方法 - Google Patents
Ｓａｗ共振子等の固定方法Info
- Publication number
- JPH01106513A JPH01106513A JP26336787A JP26336787A JPH01106513A JP H01106513 A JPH01106513 A JP H01106513A JP 26336787 A JP26336787 A JP 26336787A JP 26336787 A JP26336787 A JP 26336787A JP H01106513 A JPH01106513 A JP H01106513A
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- piezoelectric substrate
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- adhesives
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＳＡＷ共揖子等の固定方法、即ち。
圧電基板上に配したＩＤＴによって励振されるＳＡＷ共
振子等のケース基台への固定方法に関する。
振子等のケース基台への固定方法に関する。
（従来技術）
従来ＳＡＷ共振子等をケース基台に固定する方法として
はＳＡＷ共振子等を構成する圧電基板裏面全体を基台表
面に接着する方法、或は圧電基板裏面中央部のみを基台
に接着する方法が広く一般に用いられていた。
はＳＡＷ共振子等を構成する圧電基板裏面全体を基台表
面に接着する方法、或は圧電基板裏面中央部のみを基台
に接着する方法が広く一般に用いられていた。
しかしながら前者の方法は接着剤の硬化に伴ない圧電基
板に歪が生じ周波数が変動すると云う欠陥があるのみな
らず、接着剤の種類によってはケース基台と圧電基板と
の熱膨張係数の差によろ周波数−温度特性の変動および
カスの発生によるエージング効果によシやは９周波数が
変動すると云う問題があった。又後者の方法は上述した
様な欠陥は大幅に緩和されろもののリーキーＳＡＷ共振
子の様に周波数−温度特性が極めて良好で安定性に優れ
たデバイスにおいては未だエージング特性が不充分なも
のであった。
板に歪が生じ周波数が変動すると云う欠陥があるのみな
らず、接着剤の種類によってはケース基台と圧電基板と
の熱膨張係数の差によろ周波数−温度特性の変動および
カスの発生によるエージング効果によシやは９周波数が
変動すると云う問題があった。又後者の方法は上述した
様な欠陥は大幅に緩和されろもののリーキーＳＡＷ共振
子の様に周波数−温度特性が極めて良好で安定性に優れ
たデバイスにおいては未だエージング特性が不充分なも
のであった。
この問題を解決する為圧電基板長手方向の片方の端部の
みを固定することも行なわれているが耐落下衝撃性に欠
けると云う問題があった。
みを固定することも行なわれているが耐落下衝撃性に欠
けると云う問題があった。
（発明の目的）
本発明は上述した様な従来のＳＡＷ共掘子等の固定方法
の欠陥を除去する為になされたものでありて温度特性お
よびエージング特性に優れ且つ落下衝撃にも強いＳＡＷ
共振子等の固定方法を提供することを目的とする。
の欠陥を除去する為になされたものでありて温度特性お
よびエージング特性に優れ且つ落下衝撃にも強いＳＡＷ
共振子等の固定方法を提供することを目的とする。
（発明の概要）
上述の目的を達成する為本発明においては圧電基板裏面
中央近傍であってＩＤＴによって励起されろ波の伝搬方
向と直交する方向に分布する振動エネルギーの撮幅の極
力小さい部分のみをケース基台に固定する様にしたもの
である。
中央近傍であってＩＤＴによって励起されろ波の伝搬方
向と直交する方向に分布する振動エネルギーの撮幅の極
力小さい部分のみをケース基台に固定する様にしたもの
である。
（実施例）
以下本発明を図面に示した実施例に従って詳細に説明す
る。
る。
実施例の説明に先立って本発明の理解を助ける為従来の
ＳＡＷ共掻子等の固定方法について少しく説明する。
ＳＡＷ共掻子等の固定方法について少しく説明する。
第２図乃至第４図は従来のＳＡＷ共振子等の固定方法を
示す側面図であって、ケース基台ｌに接着剤２を用いて
圧電基板３裏面を接着固定するものでるる。第２図に示
す様に圧電基板３の孤面全体を接着剤２にで接着すれば
接着剤の硬化による歪およびケースを気密封止する時ケ
ース基台ｌに加わる歪に伴ない圧電基板３は歪を生じ共
撮周波数が変動することおよびケース基台１と’ＥＥ［
基板３の熱膨張係数の差によシ周波数−温度特性が変化
することは明らかである。
示す側面図であって、ケース基台ｌに接着剤２を用いて
圧電基板３裏面を接着固定するものでるる。第２図に示
す様に圧電基板３の孤面全体を接着剤２にで接着すれば
接着剤の硬化による歪およびケースを気密封止する時ケ
ース基台ｌに加わる歪に伴ない圧電基板３は歪を生じ共
撮周波数が変動することおよびケース基台１と’ＥＥ［
基板３の熱膨張係数の差によシ周波数−温度特性が変化
することは明らかである。
又ケースを気密封止する時基台に加わった残留歪の緩和
によるエージング特性の劣化が生ずる。
によるエージング特性の劣化が生ずる。
これらの問題は硬化歪が少なく可撓性の良好なシリコン
系の接着剤を使用すれば改善されるが大量のカスが発生
しデバイス製造後周波数が変化すると云う問題があった
こと前述のとおシである。この問題を解決する為には、
ガス発生の少ない接着剤を用いる必要があるが、一般に
カス発生の少ない接着剤は可撓性が悪く接着剤の硬化お
よびケースの気密封止に伴う歪が周波数に影響を与えな
い固定法が必要となる。そこで第３図に示す様に圧電基
板３の裏面中央部のみを接着剤２にて固定すれば圧電基
板に加わる歪が小さくなシ、上述の問題は大幅罠緩和さ
れるが、ＳＡＷ共振子等において振動エネルギーの最も
集中する圧電基板中央ｇ？：相当の面積にわたって固定
することは共恨周波数を決定するよりＴ４ の部分に
歪を与えることＫなシ周波数のバラツキのみならず気密
封止時の残留歪の緩和によるエージング特性の劣化を生
ずる。
系の接着剤を使用すれば改善されるが大量のカスが発生
しデバイス製造後周波数が変化すると云う問題があった
こと前述のとおシである。この問題を解決する為には、
ガス発生の少ない接着剤を用いる必要があるが、一般に
カス発生の少ない接着剤は可撓性が悪く接着剤の硬化お
よびケースの気密封止に伴う歪が周波数に影響を与えな
い固定法が必要となる。そこで第３図に示す様に圧電基
板３の裏面中央部のみを接着剤２にて固定すれば圧電基
板に加わる歪が小さくなシ、上述の問題は大幅罠緩和さ
れるが、ＳＡＷ共振子等において振動エネルギーの最も
集中する圧電基板中央ｇ？：相当の面積にわたって固定
することは共恨周波数を決定するよりＴ４ の部分に
歪を与えることＫなシ周波数のバラツキのみならず気密
封止時の残留歪の緩和によるエージング特性の劣化を生
ずる。
この影響はり−キーＳＡＷ共振子の様に周波数−温度特
性の良好なデバイスにおいてはやはＶ）Ｍ太な問題であ
る。そこで第４図に示す様に揚動エネルギー分布の／１
１とんど存在しない圧電基板長手方向一端部においての
み固定を行なうことが排案されているが、この様な手法
は圧電基板の重心と接着部間の距離が大きい為に落下等
の衝撃が加わった場合に接着部近傍に加わる応力が大き
く基板１と圧電基板３との固定が破壊され易いと云う欠
陥があったこと前述のとお）である。
性の良好なデバイスにおいてはやはＶ）Ｍ太な問題であ
る。そこで第４図に示す様に揚動エネルギー分布の／１
１とんど存在しない圧電基板長手方向一端部においての
み固定を行なうことが排案されているが、この様な手法
は圧電基板の重心と接着部間の距離が大きい為に落下等
の衝撃が加わった場合に接着部近傍に加わる応力が大き
く基板１と圧電基板３との固定が破壊され易いと云う欠
陥があったこと前述のとお）である。
この問題を解決する為本発明においては第１６ （ａｌ
に示す様Ｋ ＩＤＴ４によって励起された５ＡＷ６の伝
搬方向と直交する方向でのエネルギー分布がｔｌとんど
存在しない部分に接着剤２を付着する様にしたものであ
る。斯くすることによって接着剤硬化時の歪および気密
封止時の歪は振動エネルギーのほとんど存在しない部分
に加わる為に周波数の変動を引き起こすことがなく。
に示す様Ｋ ＩＤＴ４によって励起された５ＡＷ６の伝
搬方向と直交する方向でのエネルギー分布がｔｌとんど
存在しない部分に接着剤２を付着する様にしたものであ
る。斯くすることによって接着剤硬化時の歪および気密
封止時の歪は振動エネルギーのほとんど存在しない部分
に加わる為に周波数の変動を引き起こすことがなく。
周波数−温度特性の劣化もない、又接着剤としてガス発
生の少ないエポキシ樹脂等を用いることが出来る為にエ
ージング特性を劣化させることもない。さらにＳＡＷの
伝搬方向と直交する方向のエネルギー分布は第１図（ｂ
ｌに示す様によりＴの電極指交叉部分に集中している為
に圧電基板の重心に比較的近い所で接着する事が出来、
落下等の衝撃が加わった場合に接着部近傍に加わる応力
も小さくなシ耐落下衝撃性に欠けることもない。又接着
部は電極指交叉部分よシ若干離れた部分で良い為に接着
部分確保による圧電基板の幅の増加はあまシ大きくない
、さらにＳＡＷ共掻子等では圧電基板の縦横比が元々大
きい為に幅方向のこの程度の増加は許容出来ろ範囲であ
る。
生の少ないエポキシ樹脂等を用いることが出来る為にエ
ージング特性を劣化させることもない。さらにＳＡＷの
伝搬方向と直交する方向のエネルギー分布は第１図（ｂ
ｌに示す様によりＴの電極指交叉部分に集中している為
に圧電基板の重心に比較的近い所で接着する事が出来、
落下等の衝撃が加わった場合に接着部近傍に加わる応力
も小さくなシ耐落下衝撃性に欠けることもない。又接着
部は電極指交叉部分よシ若干離れた部分で良い為に接着
部分確保による圧電基板の幅の増加はあまシ大きくない
、さらにＳＡＷ共掻子等では圧電基板の縦横比が元々大
きい為に幅方向のこの程度の増加は許容出来ろ範囲であ
る。
本発明は以上説明した様な手法を用いるものであるから
ＳＡＷ共振子の様にＩＤＴによって励振するデバイスの
製造時の周波数変動、バラツキな極めて小さくしうろの
みならず周波数−温度特性への影響が少なく、又エージ
ングによるそれをも大幅に減少すると共に耐落下衝撃性
を劣化させることがないと云う効果があり、この効果は
り−キーＳＡＷ共掻子の様な安定性に優れたデバイスに
適用する上で特に著しいものがあシ圧電基板のわずかな
面積増大を補なって余シあるものである。
ＳＡＷ共振子の様にＩＤＴによって励振するデバイスの
製造時の周波数変動、バラツキな極めて小さくしうろの
みならず周波数−温度特性への影響が少なく、又エージ
ングによるそれをも大幅に減少すると共に耐落下衝撃性
を劣化させることがないと云う効果があり、この効果は
り−キーＳＡＷ共掻子の様な安定性に優れたデバイスに
適用する上で特に著しいものがあシ圧電基板のわずかな
面積増大を補なって余シあるものである。
第１図（ａ） ｔｄ本発明の詳細な説明する平面図。
同図（ｂｌはＳＡＷデバイスの振動エネルギー分布を示
す図、第２図乃至第４図は夫々従来のＳＡＷ共振子等の
固定手法を説明する側面図である。 ｌ・・・・・・・・・ケース基台、 ２・・・・・
・・・・接着剤。 ３・・・・・・・・・圧電デバイス（基板）。 ４・・・・・・・・・ＩＤＴ 、 ５・・・・
・・・・・反射器。 ６・・・・・・・・・ＳＡＷ。
す図、第２図乃至第４図は夫々従来のＳＡＷ共振子等の
固定手法を説明する側面図である。 ｌ・・・・・・・・・ケース基台、 ２・・・・・
・・・・接着剤。 ３・・・・・・・・・圧電デバイス（基板）。 ４・・・・・・・・・ＩＤＴ 、 ５・・・・
・・・・・反射器。 ６・・・・・・・・・ＳＡＷ。
Claims (1)
- ＩＤＴ励振型圧電振動デバイスに於いて、該デバイス
基板裏面をその中央近傍であってその振動する波の伝搬
方向と直交する方向に分布する振動エネルギーの振幅の
極力小さい部分にてケース基台に接着固定するＳＡＷ共
振子等の固定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26336787A JPH01106513A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | Ｓａｗ共振子等の固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26336787A JPH01106513A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | Ｓａｗ共振子等の固定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01106513A true JPH01106513A (ja) | 1989-04-24 |
Family
ID=17388504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26336787A Pending JPH01106513A (ja) | 1987-10-19 | 1987-10-19 | Ｓａｗ共振子等の固定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01106513A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04105717U (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-11 | 株式会社村田製作所 | 表面波デバイス |
| WO1995024075A1 (fr) * | 1994-03-02 | 1995-09-08 | Seiko Epson Corporation | Element de resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface a montage superficiel et leurs procedes de fabrication |
| US5867074A (en) * | 1994-03-02 | 1999-02-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave resonator unit, surface mounting type surface acoustic wave resonator unit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS532940B2 (ja) * | 1973-04-04 | 1978-02-01 |
-
1987
- 1987-10-19 JP JP26336787A patent/JPH01106513A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS532940B2 (ja) * | 1973-04-04 | 1978-02-01 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04105717U (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-11 | 株式会社村田製作所 | 表面波デバイス |
| WO1995024075A1 (fr) * | 1994-03-02 | 1995-09-08 | Seiko Epson Corporation | Element de resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface, resonateur d'ondes acoustiques de surface a montage superficiel et leurs procedes de fabrication |
| US5867074A (en) * | 1994-03-02 | 1999-02-02 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave resonator unit, surface mounting type surface acoustic wave resonator unit |
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