WO1991002377A1 - Film for wafer processing - Google Patents

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WO1991002377A1
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wafer
adhesive layer
separator
synthetic resin
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Yasuo Takemura
Osamu Narimatsu
Kazuyoshi Komatsu
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Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated
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    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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    • Y10T428/31855Of addition polymer from unsaturated monomers
    • Y10T428/31935Ester, halide or nitrile of addition polymer

Definitions

  • the present invention relates to a film for machining a wafer used to prevent damage when polishing a wafer such as a silicon wafer.
  • ICs Semiconductor integrated circuits
  • ICs Semiconductor integrated circuits
  • the integrated circuit is assembled by etching or the like, and then diced into chips. It is manufactured by the method of making
  • a film for processing is obtained by coating an adhesive on one side of a film-like base material, drying the film, and forming an adhesive layer on the film-like base material.
  • a synthetic resin film called Separete is pasted on the adhesive layer, and the adhesive layer is applied.
  • the structure is sandwiched between the base material and the separator.
  • a film for wafer processing is attached to the wafer by using a separator, and after processing is completed, the film is displayed from a wafer.
  • Wafer Addition When the film for I is attached to the wafer surface, if air is interposed between the adhesive layer of the processing film and the wafer, the film is removed from the wafer.
  • the adhesive tends to remain on the surface of the wafer when it is removed, and the residue may corrode the IC chip, thereby deteriorating the function of the IC.
  • a resin film having a surface roughness of less than about 0.1 ⁇ by applying a silicone release agent is used as a separation layer (release layer).
  • the surface of the pressure-sensitive adhesive layer which is the pressure-sensitive adhesive layer, is prevented from being roughened by the separation layer, and when the film for wafer processing is attached to the wafer, the adhesiveness of the film is reduced. Air can be prevented from being trapped between the agent layer and the wafer.
  • the use of a silicone-based release agent has the disadvantage that the release agent is transferred to the pressure-sensitive adhesive layer and the semiconductor wafer surface is contaminated. No o
  • An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and to provide an excellent film for grinding used for polishing a wobbler. Specifically, it is an object of the present invention to provide a film for processing which does not contaminate and corrode a wafer surface.
  • the present invention relates to a film-like base material, an adhesive layer provided on one side of the base material, and an adhesive layer provided on the adhesive layer. And a processing film, wherein the surface of the synthetic resin film which is in contact with the adhesive layer has a surface roughness of 2 ⁇ or less. It is.
  • this synthetic resin film is referred to as separation resin.
  • Wafer corrosion can occur when the film for wafer processing is separated from the wafer surface after the wafer is polished, when adhesive remains on the wafer surface or when the surface is contaminated with transfer material, etc. Occurs.
  • the phenomenon that the adhesive remains on the wafer surface is particularly likely to occur when the air is sandwiched between the adhesive layer and the ueno, in the ueno in contact with the air, or near the surface.
  • the surface of the adhesive layer adhered to the wafer surface is often flattened. It is effective to reduce the surface roughness.
  • Separation contains large amounts of lubricants, etc.
  • the lubricant and the like cause bleeding and transfer to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. Therefore, it is effective to avoid using a large amount of the lubricant and the like.
  • the separator since the separator having a small surface roughness is used, the separator does not roughen the surface of the adhesive layer. As a result, no air is trapped between the pressure-sensitive adhesive layer and the wafer when the working film is applied to the wafer, and the working film is removed from the wafer. No adhesive remains on the wafer surface. Therefore, when the film for processing a wafer of the present invention is used, the excellent effect that the wafer can be processed without contaminating or corroding the enemy is obtained. Is exhibited.
  • the subject of the film for wafer processing of the present invention is not only silicon, but also germanium, gallium-arsenic, gallium-lin, and gallium-um. Any semiconductor layer, such as arsenic or aluminum, may be used.
  • the separation method used in the present invention is not particularly limited in its production method, and may be a synthetic resin filem produced by a known method such as an extrusion method, an inflation method, a calendar method, and the like. It becomes.
  • materials for separation include synthetic resins such as polyolefin, polyester, polyamide, polyacryl, and polypropylene. Polypropylene is preferred. If a synthetic resin having a large surface tension and poor releasability is used for separation, it is not preferable because the separator roughens the surface of the adhesive layer.
  • Biaxially stretched polypropylene film is more preferably used as a separator. If an unstretched film or uniaxially stretched film is used for separation, the unaxially stretched film may grow when the separator is separated from the film for processing. In addition, uniaxially stretched films may be torn in the stretching direction, which is not preferable because the workability is deteriorated. Further, in general, when the film is biaxially stretched, the transparency of the film is improved. Therefore, the presence of foreign matter is easy to find, and the biaxially stretched film is preferable in terms of prevention and control of wafer contamination.
  • the thickness of the separation is preferably from 10 to 2,000 m, and more preferably from 20 to 200 m. If the thickness is less than 10 ⁇ m, the workability is deteriorated, and if the thickness is more than 2,000 ⁇ , the flexibility is reduced and the workability is deteriorated.
  • the surface roughness of the surface in contact with the adhesive layer of the separator is 2 ⁇ m or less as the maximum height at the standard length of 0.8 mm specified in JIS No. 0601.
  • This reference length is the reference measurement length of the sample when measuring the roughness of the surface of the test object.
  • a synthetic resin film having a Sho D-type hardness of 30 or more measured according to ASTM D-2440 is preferable. If the hardness is less than 30, the rigidity of the film is insufficient, and the workability is deteriorated.
  • the separator used in the present invention preferably has a lubricant content of 5 parts by weight or less based on 100 parts by weight of the synthetic resin. More preferred is 0 to 0.1 parts by weight. If the content of the lubricant is more than 0.5 parts by weight, the lubricant bleeds on the surface of the separator and contaminates the adhesive layer, which is not preferable. When the content of the lubricant is 0.1 parts by weight or less, there is almost no bleeding of the lubricant and no contamination of the adhesive layer. Most preferred is that it contains no lubricant.
  • lubricant used in the present invention examples include glycerin monoesters such as glycerin monostearate, bisamides such as methylene bisstearylamide, and erucic acid amides. Although usually called lubricants such as aliphatic amides One Q
  • ⁇ -Others may be added as a hydrochloric acid scavenger such as calcium stearate.
  • the total amount of additives other than lubricants that is, 2.6 stabilizers (anti-acids) such as di-tert-butyl 4-methylphenol, or inorganic fillers such as silica and talc, From the viewpoint of preventing contamination of the layer, the amount is preferably 1 part by weight or less based on 100 parts by weight of the resin.
  • the synthetic resin film for the separator can be appropriately selected from commercially available products.However, from the viewpoint of preventing contamination of Ueno, it is produced in an environment with a cleanness of class 100.000 or less. Are preferred. Class 100 or less than 100.000 means that no more than 100.000 or less dust particles of 0.5 / x m or more per cubic foot of air in the work environment.
  • the film-shaped substrate used in the present invention is not particularly limited in its production method and type, and is produced by a known method such as an extrusion molding method, an inflation method, a calendar method and the like. It can be selected as appropriate from the synthetic resin film.
  • the material of the base material include ethylene-vinyl acetate copolymer, polybutadiene, soft vinyl chloride resin, polyolefins, polyesters, polyamides, etc.
  • Examples thereof include synthetic rubbers such as a tri-based, silicone-based, and acrylic-based rubber.
  • new paper measured in accordance with ASTM D-2440 from the viewpoint of absorbing the impact of polishing and protecting the wafer Films with a shear hardness of 40 or less are preferred.
  • the thickness of the film-shaped substrate is appropriately determined depending on conditions such as the shape of the wafer to be protected, the surface condition, and the polishing method, but is usually preferably 10 to 2,000 x m.
  • the pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer in the present invention is not particularly limited as long as it has adhesiveness, and a known material such as an acrylic or rubber-based material may be used. it can.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer provided on the surface of the base material is appropriately determined according to conditions such as the surface condition, shape, and polishing method of the wafer, but is usually preferably 2 to 1002 m. More preferably, it is 5 to 50 ⁇ .
  • a conventionally known coating method for example, a roll coater method, a gravure roll method, a bar coating method, or the like can be adopted, and the entire surface of the base material is coated on one side. I do.
  • a new silicon die is silicon oxide with a slightly oxidized surface.
  • the peaks of oxygen and silicon The average value of the area values is 1.30.
  • the wafer surface is corroded, the amount of silicon oxide on the surface increases, and the ratio of the oxygen and silicon peak area values becomes greater than 1.30. The oxidation degree was determined based on the value of this ratio of 1.30.
  • Measurement vacuum degree 1 10_ 3 mbar or less
  • the voltage was gradually applied from the terminal of the IC wafer, and the voltage at which the IC was destroyed was defined as the breakdown voltage.
  • the measurement method is as follows: a wafer processing film is attached to the surface of an IC wafer, the back surface of the wafer is polished, the film is exposed, and the wafer is left under an environment of 70 ° C and 80% RH for 2000 hours. After that, the breakdown voltage was measured. The IC breakdown voltage was 22 V when there was no wafer corrosion. This is the standard value. The breakdown voltage decreases when the wafer is corroded.
  • Example 1 A commercially available 200 ⁇ thick ethylene-vinyl acetate copolymer resin film was used for the film-like base material, and one side of this base material was subjected to corona discharge treatment.
  • An adhesive (manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals Co., Ltd., trade name "Aromatex”) is applied by a roll coater and dried, and a film for wafer processing provided with an adhesive layer of about 30 ⁇ m in thickness is dried. It was created.
  • This separator was disposed on the pressure-sensitive adhesive layer of the above-mentioned pressure-sensitive adhesive film, to obtain a film for processing the layer A.
  • a separator is applied from this film to the mirror film, it is stuck on the surface of a mirror wafer (4 inches in diameter), left for 24 hours, and the film is removed from the wafer.
  • the oxidation degree and contamination degree of Jehachi were evaluated. Table 1 shows the results.
  • a separator is applied from the above wafer processing film, the aluminum is patterned and then attached to the surface of the patterned IC silicon wafer (4 inches in diameter), left for 24 hours, and then the film is removed. Then, the breakdown voltage of the IC silicon was evaluated. Table 1 shows the results. Workability to separate and remove the separator from the stencil and the processing film There was no problem.
  • Example 1 The same test as in Example 1 was performed except that the addition amount of L-acid acid amide was 0.5 part by weight and the maximum value of the surface roughness was 2 ⁇ . The results are shown in Table 1. There was no problem in the workability of separating and removing the separator from the processing film.
  • Example 1 The same test as in Example 1 was performed except that a uniaxially stretched polypropylene film was prepared in which the amount of L-acid acid added was Q.5 parts by weight, and the separator was used as a separator. The results are shown in Table 1. When the separator was separated from the film for wafer processing, tears in the stretching direction were extremely rarely observed.
  • Example 1 A commercially available butadiene rubber sheet having a thickness of 300 jum was used as the film-like base material, and the addition amount of erucic acid amide was 1.0 part by weight as the separator.
  • the same test as in Example 1 was conducted except that a biaxially stretched polypropylene film having a maximum roughness of 2 jm was used. The results are shown in Table 1. There was no problem in the workability of separating and removing the separator from the wafer processing film.
  • Example 1 A test similar to that of Example 1 was performed except that a biaxially stretched polypropylene film having a maximum surface roughness of 0.5 ⁇ m obtained without adding L-acid acid amide was used. went. The results are shown in Table 1. There was no problem with the workability of separating and removing the separator and the film for processing.
  • a biaxially oriented polypropylene film having a maximum surface roughness of 3 ⁇ m with an addition amount of erlic acid amide of 2.5 parts by weight was used as a separator.
  • the same test as in Example 1 was performed. The results are shown in Table 1. There was no problem in the workability of separating and removing the separator from the wafer processing film.
  • a commercially available butadiene rubber sheet having a thickness of 300 ⁇ was used as the film-like substrate, and the amount of erucic acid amide added was 0.5 parts by weight as the separator.
  • Example 1 The same test as in Example 1 was performed except that the film was used. The results are shown in Table 1. Separability was poor at evening.
  • Comparative Example 3 a commercially available butadiene rubber sheet having a thickness of 300 am was used as the film-like base material, and the addition of L-acid acid amide was set to 1.0 parts by weight as a separator.
  • the same test as in Example 1 was performed except that an unstretched low-density polyethylene film having a maximum surface roughness of 3 ⁇ m was used. Table 1 shows the results. The separator was poor in detachability, and when detached, the separator lengthened and workability was poor.
  • PP Polypropylene
  • PET Polyethylene terephthalate
  • PE Polyethylene

Description

明 細 書
ウェハ加工用フ ィ ルム
技 術 分 野
本発明は、 シ リ コ ン ゥェ八等のゥェ Λを研磨加工す る際に破損防止のために用いる ゥェ八加工用フ ィ ルム に関する。
背 景 技 術
半導体集積回路 ( I C ) は通常、 高純度シ リ コ ン単 結晶等の半導体材料をス ラ イ ス して ウエノ、 と した後、 エッ チング等によ り 集積回路を組み込み、 ダイ シング してチッ プ化する方法で製造されている。
I C ウェハの裏面を研磨する工程において、 ウェハ の破損を防止した り 、 研磨作業を容易にする ため、 ゥ エノ、表面に粘着剤層を有する ウェハ加工用フ ィ ルムを 貼付する こ と が一般に行われている。
ゥェ八加工用フ ィ ルムは一般に粘着剤をフ ィ ルム状 基材の片面に塗工し、 乾燥して、 フ ィ ルム状基材の上 に粘着剤層を形成し たものであるが、 ゥェ八加工用フ イ ルムの保管ある いは輸送時に、 粘着剤層を保護する ため、 セパ レ一夕 と呼ばれる合成樹脂フ ィ ルムを粘着 剤層の上に貼付し、 粘着剤層を基材と セパ レー夕で挟 み込んだ構造になっている。 ウェハ加工の際にはセパ レ一タを剝して ウェハ加工用フ ィ ルムをウェハに貼付 し、 加工終了後これをゥェ Λから剝す。 ウ ェハ加: I 用 フ ィ ルム を ウ ェハ表面に貼付す る と き、 該加工用フ ィ ルムの粘着剤層と ウエノ \の間に空気 を挟み込む と、 該フ ィ ルムをウェハから剝す際に粘着 剤がウェハ表面に残 り易 く な り 、 その残存物が i c ゥ ェノ\を腐食させ、 ひいては I Cの機能を低下させる原 因と なる。
ま た、 該フ イ ルムから異物がウエノ、表面に転着した 場合も I C ウェハを腐食させ、 ひいては I Cの機能を 低下させる原因と なる。
空気の挟み込みの問題を解決する ために例えば次の よ う な方法が実閧昭 58— 1 3 1 63 1号公報に提案されてい る。 その方法によれば、 シ リ コーン系剝離剤を塗布し て表面粗度を .土 Ο . ΐ μ ιη以下と した樹脂フ ィ ルムをセ パレー夕 (剝離層) と して用いる こ と によ り 、 粘着剤 層である感圧性接着剤層の表面がセパ レー夕 によ り荒 されるのを防止し、 ウェハ加工用フ ィ ルムをゥェ Αに 貼付する際、 該フ ィ ルムの粘着剤層と ウェハの間に空 気が挟み込まれる こ と を防止する こ とができ る。 しか し、 シ リ コーン系剝離剤を用いている ため、 粘着剤層 に剝離剤が転写し、 半導体ウェハ表面が汚染される と い う 欠点があ り 、 こ の方法は満足で き る方法ではな い o
ま た、 特開昭 63— 1 77423号公報に提案されている方 法、 すなわち、 低密度ポ リ エチ レンないしポ リ メ チル ペンテンからなる剝離層を有する半導体ウェハの固定 部材を用いる方法によれば、 セパ レー夕からの剝離剤 等の転写による半導体ウェハの汚染は防げるが、 低密 度ポ リ エチ レ ンの表面張力が高いため粘着剤層である 感圧性接着剤層と剝離層の剝離性が悪く 、 該剝離層を 半導体固定部材から剥離する際に粘着剤層表面が荒ら される。 そのため、 ウェハ表面に ウェハ加工用フ ィ ル ムを貼付する際、 粘着剤層と ウェハ と の界面に空気を 含んだ微細な間隙が多数発生する。 ウェハ裏面研磨の 後、 ウエノ、加工用フ ィ ルムを剝す際に、 空気と接触す る ウエノ、表面近傍に粘着剤が残存し易く な り 、 残存粘 着剤がウェハを腐食させる原因と なる。
上記のよ う に、 I C ウエノ \を研磨加工する際に用い る ウエノ \加工用フ ィ ルム と して、 ゥェ Λ表面の汚染及 び腐食を防止でき る有用なフ イ ルムが未だないのが現 状である。
発 明 の 開 示
本発明は、 上記問題を解決し、 ウエノ、を研磨加工す る際に用い られる優れたゥェ Λ加工用フ ィ ルムを提供 する こ と を目的とする。 詳し く は、 ウェハ表面を汚染 及び腐食させないゥェ八加工用フ ィ ルムを提供する こ と を 目的 と する。
本発明は、 フ ィ ルム状の基材、 該基材の片面に設け られた粘着剤層、 および該粘着剤層の上に配された合 成、樹脂フ ィ ルムを有する ウエノ、加工用フ ィ ルムであつ て、 該合成樹脂フ ィ ルムの該粘着剤層に接する表面の 表面粗度が 2 μ ιη以下である ウェハ加工用フ ィ ルムで あ る 。 以下こ の合成樹脂フ ィ ルム をセパ レ ー 夕 と 称 す。
ウェハの腐食は、 ウェハを研磨し た後に ウェハ加工 用フ ィ ルムをウェハ表面から剝離する際、 ウェハ表面 に粘着剤が残存した場合ある いはウ エノ、表面が転着物 で汚染された場合等に発生する。
ウェハ表面に粘着剤が残存する現象は、 粘着剤層と ウエノ、の間に空気が挟み込まれた場合、 空気と接触し ていたウエノ、表面近傍において、 特に発生し易い。 粘 着剤層 と ウェハの間に空気を挟み込まないよ う にする には、 ウェハ表面に接着される粘着剤層の表面をフ ラ ヅ 卜 にする こ とがよ く 、 そのためにはセパ レー夕の表 面粗度を小さ く する こ とが効果的である。
ま たウエノ、表面に汚染物を転着させないためには、 セパ レータ表面に剥離剤等、 ウェハを汚染する物質を 塗布しないこ とが有効である。
ま た、 粘着剤層からセパ レータを剝離する と き に、 セパ レー夕の剝離性が悪い と粘着剤層表面を荒す原因 と なるので、 剝離性の良いセパ レータを用いる こ とが 望まれる。
さ らに、 セパ レー夕が滑剤等を多量に含有している と 、 滑剤等がブ リ ー ド を起こ し、 粘着剤層表面に転写 される原因と なるので、 滑剤等を多量に用いないこ と が有効である。
本発明者らはこのよ う な点について検討を重ねた結 果、 本発明を完成した。
本発明のウエノ、加工用フ ィ ルムにおいては、 表面粗 度が小さいセパ レータを用いる ため、 セパレー夕が粘 着剤層の表面を荒らさない。 その結果、 こ の加工用フ ィ ルムをゥェ Λに貼付する際に粘着剤層と ゥェ八の間 に空気が挟まれないので、 こ の加工用フ ィ ルムをゥェ ハか ら剝し た際に粘着剤がウェハ表面に残存しない。 従っ て本発明のウェハ加工用フ ィ ルムを用いれば、 ゥ エノ、を汚染させた り 腐食させた り する こ と な く 、 ゥェ ハを加工する こ と ができ る と い う 優れた効果が発揮さ れる 。
発明を実施する ための最良の形態
本発明のウェハ加工用フ ィ ルムの使用対象と なる ゥ エノ、はシ リ コ ンのみな らず、 ゲルマニウ ム、 ガ リ ウ ム ー ヒ素、 ガ リ ウ ム一 リ ン、 ガ リ ウ ム ー ヒ素ー ァノレ ミ ニ ゥ 厶等、 いかなる半導体ゥェ八でも よい。
本発明で用いるセパレー夕は、 その製造方法に特に 制限はなく 、 押し出 し成形法、 イ ン フ レーシ ョ ン法、 カ レンダ一法等、 公知の方法で製造された合成樹脂フ イ リレム よ り なる 。 セパ レー夕の材料と しては例えばポ リ オ レフ ィ ン、 ポ リ エステル、 ポ リ ア ミ ド 、 ポ リ アク リ ル、 ポ リ プロ ピレン等の合成樹脂を挙げる こ と ができ、 なかでもポ リ プロ ピレンが好ま しい。 表面張力が大き く 、 剝離性 の悪い合成樹脂をセパ レ一夕 に用いた場合、 セパ レー タが粘着剤層の表面を荒らすので好ま し く ない。
二軸延伸し たポ リ プロ ピレンフ ィ ルムはセパ レータ と して更に好ま し く 用い られる。 未延伸フ ィ ルムや一 軸延伸フ ィ ルムをセパレ一夕 に用いる と、 ゥェ八加工 用フ ィ ルムからセパレータを剝離する際に、 未軸延伸 フ ィ ルムでは伸びて しま う こ とがあ り 、 一軸延伸フ ィ ルムでは延伸方向に裂ける こ とがあ り 、 いずれも作業 性を悪く するので好ま し く ない。 さ らに一般的には二 軸延伸する と フ ィ ルムの透明度が向上する ため、 異物 の存在が発見し易く 、 ウェハの汚染防止管理の点でも 二軸延伸フ ィ ルムが好ま しい。
セパレ一夕の厚みは、 好ま し く は 1 0〜 2 , 00 0 μ m、 更に好ま し く は 2 0〜 2 0 0 mである。 1 0 μ mよ り薄い と作業性が悪く な り 、 2 , 0 0 0 μ ιηよ り 厚い と柔軟性が 低下して作業性が悪く なるので好ま し く ない。
セパ レー夕の粘着剤層に接する側の面の表面粗度は J I S Β 06 0 1に定められた基準長さ 0. 8 mmにおける最大 高さで 2 μ m以下である。 この基準長さ と は、 被測体 表面の粗さを測定する際のサンプルの基準測定長であ る。 この表面粗度が 2 μ πιを超える と、 セパ レー夕が 粘着剤層表面を荒し、 その結果、 セパ レ一タ を剝して ウエノヽ加工用フ ィ ルムをウェハに貼付した と き に ゥェ ハ と粘着剤層との間に空気が入 り 、 ウェハ加工用フ ィ ルムをウエノヽから剝した と き に ウェハ表面にスポッ 卜 状に粘着剤が残存し、 これがウェハの腐食の原因とな るので好ま し く ない。
本発明で用いるセパレ一タ と しては、 A S TM D - 2 440 に従っ て測定し たシ ョ ァ D型硬度が 3 0以上の合成樹脂 フ ィ ルムが好ま しい。 この硬度が 3 0よ り小さ い と フ ィ ル厶の剛性が不足し、 作業性が悪く なるので好ま し く ない。
本発明で用い られるセパ レー夕は、 滑剤の含有量が 合成樹脂 1 0 0 重量部に対し 5重量部以下である こ と が好ま しい。 さ らに好ま しいのは 0 〜 0. 1 重量部であ る。 滑剤の含有量が 0. 5重量部よ り 多く なる と 、 セパ レータ表面に滑剤がブ リ ー ド し、 粘着剤層を汚染する ので好ま し く ない。 滑剤の含有量が 0. 1重量部以下で ある と滑剤のブ リ ー ドが殆どな く 、 粘着層の汚染がな い。 最も好ま しいのは滑剤を含有しないこ と である。
本発明で用い られる滑剤と しては、 グ リ セ リ ンモノ ステア レー 卜等のグ リ セ リ ンモノ エステル、 メ チ レン ビスステア リ ルア ミ ド等の ビスア ミ ド 、 エル力酸ア ミ ド等の脂肪族ア ミ ド など通常滑剤と称せられる ものの 一 Q
ϋ ― 他、 ステアリ ン酸カルシウム等の塩酸捕捉剤と して添 加されるものが挙げられる。
滑剤以外の添加剤、 すなわち 2. 6 ジターシャルブチ ルー 4ーメチルフヱノール等の安定剤 (抗酸剤) 、 ま たはシリカ、 タルク等の無機充てん剤の総添加量は、 钴着剤層の汚染を防止する観点よ り、 樹脂 1 0 0重量部 に対し、 1重量部以下が好ましい。
セパレータ用の合成樹脂フ ィ ルムは、 市販品の中か ら適宜選択することができるが、 ウエノ \の汚染防止の 点から、 ク リーン度がクラス 1 00. 0 00以下の環境で生 産されたものが好ましい。 クラス 1 00. 000以下とは、 作業環境中の空気 1立方フィート中に 0. 5 /x m以上の 塵埃が 1 00 . 000 個以下であることを指す。
本発明で用いるフ ィルム状基材と しては、 その製造 方法および種類に特に制限はなく、 押し出し成形法、 イ ンフ レーショ ン法、 カ レンダ一法等、 公知の方法に よ り製造された合成樹脂フ ィ ルムよ り適宜選択でき る。 基材の材料を例示すれば、 エチ レン -酢酸ビニル 共重合体、 ボリブタジエン、 軟質塩化ビニル樹脂、 ポ リオレフ.イ ン、 ポリエステル、 ポリ アミ ド等の熟可塑 性工ラス トマー、 ジェン系、 二 ト リル系、 シ リ コ ン 系、 アク リル系等の合成ゴム等が挙げられる。 これら の中で、 ゥェ八を研磨する際の衝撃を吸収し、 ゥェ八 を保護する観点より、 A STM D - 244 0 に従って測定した 新たな用紙 シ ョ ァ型硬度が 40以下のフ ィ ルムが好ま しい。
フ ィ ルム状基材の厚みは、 保護する ウェハの形状、 表面状態および研磨方法等の条件によ り 適宜決められ るが、 通常 10〜2, 000 x mが好ま しい。
本発明において粘着剤層に用い られる粘着剤は、 粘 着性を有する ものであれば特に種類の限定はな く 、 ァ ク リ ル系、 ゴム系等公知の も のを用 い る こ と がで き る。
基材の表面に設ける粘着剤層の厚みは、 ウェハの表 面状態、 形状、 研磨方法等の条件によ り 適宜決め られ るが、 通常 2〜 100 2 mが好ま しい。 更に好ま し く は 5〜50μ ηιである。
粘着剤をフ ィ ルム状基材に塗布する方法と しては、 従来公知の塗布方法、 例えばロールコーター法、 グラ ビアロール法、 バーコ一 卜法等が採用でき、 基材の片 面全面に塗布する。
以下本発明を実施例によ り 説明するが、 これらは本 発明を限定する ものではない。
実施例および比較例における評価は、 次の方法によ つ た ο
a . 酸化度
通常、 新品のシ リ コ ン ゥェ Λは表面がわずかに酸化 された酸化ケィ素になっ ている。 このウェハ表面を E S C Aで元素分析した場合、 酸素とケィ素の ピークの 面積値の比の値は平均 1.30である。 一方ウェハ表面が 腐食する と、 表面の酸化ケィ素の量が増加し、 酸素と ケィ素のピークの面積値の比の値が 1.30よ り大き く な る。 この比の値 1.30をも と に酸化度を判定した。
E S C Aの測定装置及び測定条件 :
装置 : VG Scientific 社製、 ESCA LAB MK II X線源 : M g k α線
X線出力 : 300 W
測定真空度 : 1 10_3mbar以下
b . 汚染度
日立電子エンジニア リ ング㈱製レーザー表面検査装 置 HLD-300Bによ り粘着剤の残存等によるウエノ、の汚染 度合を調べた。 汚染度は直径 0.2μ ιη以上の汚染箇所 の個数と して示す。
c . 破壊電圧
I Cウェハの端子から電圧を徐々 にかけ、 その I C が破壊する電圧を破壊電圧と した。 測定方法は、 ゥェ ハ加工用フ ィルムを I Cウェハ表面に貼付してウェハ の裏面を研磨し、 該フ ィ ルムを剝し、 ウェハを 70°C、 80 % R. H.の環境下で 2000時間放置した後、 破壊電圧を 測定した。 ウェハの腐食がない場合の I Cの破壊電圧 は 22Vであった。 これを標準値とする。 ゥェ Λが腐食 される と破壊電圧は低下する。
実施例 1 市販の厚さ 200 μ ιηのエチレン一酢酸ビニル共重合 樹脂フ イ ルムをフ ィ ルム状基材に用い、 この基材の片 面に コ ロナ放電処理を施し、 この面にアク リ ル系粘着 剤 (三井東圧化学㈱製、 商品名 " ァロマテ ッ クス " ) をロールコ一夕一によ り塗布し、 乾燥させ、 厚さ約 30 μ mの粘着剤層を設けたウェハ加工用フ ィ ルムを作成 し た。
ポ リ プロ ピレン樹脂 1 00重量部に対し滑剤と してェ ルカ酸ア ミ ド を D . 1重量部加え、 ク ラ ス 1 00 , 00 0 の環 境下で、 表面粗度の最大値が 1 μ mである二軸延伸ポ リ プロ ピレンフ ィ ルムを作成しセパ レ一夕 と した。
このセパ レータ を上記粘着フ イ ルムの粘着剤層上に 配し、 ゥェ A加工用フ ィ ルムを得た。
このウエノ \加工用フ ィ ルムからセパ レ一タを剝して ミ ラーウエノヽ (直径 4 イ ンチ) 表面に貼 り 合わせ、 24 時間放置し た後、 こ のフ ィ ルムをウェハから剝し、 ゥ ェ八の酸化度および汚染度を評価した。 その結果を第 1 表に示す。
一方、 上記ウェハ加工用フ イ ルムからセパ レータを 剝し、 アルミニウ ムをパターニングし た I C シ リ コ ン ウェハ (直径 4 イ ンチ) 表面に貼 り 、 24時間放置した 後、 このフ ィ ルムを剝し、 I C シ リ コ ン ゥェ Λの破壊 電圧を評価し た。 その結果を第 1 表に示す。 セパ レー タをウエノ、加工用フ ィ ルムから剝離、 除去する作業性 に問題はなかっ た。
実施例 2
エル力酸アミ ド の添加量を 0. 5重量部と し、 表面粗 度の最大値を 2 μ πι と した以外は実施例 1 と 同様の試 験を行っ た。 結果を第 1 表に示す。 セパ レー夕をゥェ ノヽ加工用フ ィ ルムから剝離、 除去する作業性に問題は なかつ た。
実施例 3
エル力酸ア ミ ドの添加量を Q . 5重量部と した一軸延 伸ポ リ プロ ピレンフ ィ ルムを作成し、 セパ レータ と し た以外は実施例 1 と 同様の試験を行っ た。 結果を第 1 表に示す。 セパレー夕をウェハ加工用フ ィ ルムから剝 離する際、 延伸方向に裂ける ものが極く 稀に認められ た。
実施例 4
フ ィ ルム状基材と して、 市販の厚さ 30 0 ju mのブタ ジェンゴムシー ト を用い、 セパ レー夕 と してエル力酸 ア ミ ド の添加量を 1 . 0重量部と し た表面粗度の最大値 が 2 j mである二軸延伸ポリ プロ ピレン フ ィ ルムを用 いた以外 実施例 1 と 同様の試験を行っ た。 結果を第 1 表に示す。 セパ レータをウェハ加工用フ ィ ルムから 剝離、 除去する作業性に問題はなかっ た。
実施例 5
フ ィ ル厶状基材と して、 市販の厚さ 3 0 0 μ ιηのブタ ジェン ゴムシー ト を用い、 セパ レー夕 と してエル力酸 ア ミ ドの添加量を 1重量部と し た表面粗度の最大値 が 1 μ ηιである二軸延伸ポ リ エチレンテ レフ タ レー ト フ ィ ルムを用いた以外は実施例 1 と 同様の試験を行つ た。 結果を第 1 表に示す。 セパレータの剝離性があま り 良好ではなかっ た。
実施例 6
エル力酸ア ミ ド を添加せずに得た、 表面粗度の最大 値が 0. 5 μ mの二軸延伸ポ リ プロ ピレン フ ィ ルムを用 いた以外は実施例 1 と 同様の試験を行っ た。 結果を第 1 表に示す。 セパ レー夕をウエノ、加工用フ ィ ルムから 剝離、 除去する作業性に問題はなかっ た。
比較例 1
セパ レ一タ と してエル力酸ア ミ ド の添加量を 2 . 5 重 量部と した表面粗度の最大値が 3 μ mである二軸延伸 ポ リ プロ ピレン フ イ ルムを用いた以外は実施例 1 と同 様の試験を行っ た。 結果を第 1 表に示す。 セパ レー夕 をウェハ加工用フ ィ ルムから剝離、 除去する作業性に 問題はなかっ た。
比較例 2
フ ィ ルム状基材と して、 市販の厚さ 3 00 μ ιηのブタ ジェンゴムシー ト を用い、 セパ レー夕 と してエル力酸 ア ミ ド の添加量を 0. 5 重量部と し た表面粗度の最大値 が 5 ja mである二軸延伸ポ リ エチ レンテ レフ 夕 レー ト 一 - - 丄 4 ―
フ ィ ルムを用いた以外は実施例 1 と同様の試験を行つ た。 結果を第 1 表に示す。 セパレー夕の剝離性が悪か つ た。
比較例 3 、 フ ィ ルム状基材と して、 市販の厚さ 3 0 0 a mのブタ ジェンゴムシー ト を用い、 セパ レータ と してエル力酸 アミ ドの添加釁を 1 . 0重量部と した表面粗度の最大値 が 3 μ mである未延伸低密度ポ リ エチ レンフ イ ルムを 用いた以外は実施例 1 と同様の試験を行った。 結果を 第 1 表に示す。 セパレータの剝離性が悪く 、 剝離する 際セ レー夕が伸び、 作業性が悪かっ た。
比較例 4
セパレータ と してエル力酸ア ミ ドの添加量を 0 . 5 重 量部と した表面粗度の最大値が 3 μ mである二軸延伸 ポ リ プロ ピレンフ ィ ルムを用いた以外は実施例 1 と同 様の試験を行った。 結果を第 1 表に示す。 セパレータ をウェハ加工用フ ィ ルムから剥離、 除去する作業性に 問題はなかつた。
第 1 表
Figure imgf000017_0001
*1:二軸:二軸延伸、 一軸:—軸延伸、
PP :ポリプロピレン、 PET:ポリエチレンテレフタレ一卜 PE:ポリエチレン

Claims

請 求 の 範 囲
1 . フ ィ ルム状の基材、 該基材の片面に設け られた粘 着剤層、 および該粘着剤層の上に配された合成樹脂フ イ ルムを有する ウェハ加工用フ ィ ルムであっ て、 該合 成樹脂フ ィ ルムの該粘着剤層に接する表面の表面粗度 が 2 μ ιη以下である ウェハ加工用フ ィ ルム。
2 . 前記合成樹脂フ ィ ルムがシ ョ ァ D型硬度が 3 0以 上である こ と を特徴とする請求項 1 のゥェノ\加工用フ イ ルム。
3 . 前記合成樹脂フ ィ ルムが二軸延伸フ ィ ルムである こ と を特徵とする請求項 1 の ウエノ、加工用フ ィ ルム。
4 . 前記合成樹脂フ ィ ルムがポ リ プロ ピ レン フ ィ ルム である こ と を特徴とする請求項 1 のウェハ加工用フ ィ ルム。
5 . 前記合成樹脂フ ィ ルムが二軸延伸ポ リ プロ ピ レン フ ィ ルムである こ と を特徵とする請求項 4 のウェハ加 ェ用フ ィ ルム。
6 . 前記合成樹脂フ ィ ルムがポ リ プロ ピ レ ン 1 00重量 部に対して滑剤を 0. 5 重量部以下含有する請求項 4 ま たは 5 のウエノヽ加工用フ ィ ルム。
7 . 前記合成樹脂フ ィ ルムがポ リ プロ ピ レ ン 1 00重量 部に対して滑剤を 0. 1 重量部以下含有する請求項 4 ま たは 5 のウエノ \加工用フ ィ ルム。
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