WO1985004757A1 - Secondary electron detector - Google Patents

Secondary electron detector Download PDF

Info

Publication number
WO1985004757A1
WO1985004757A1 PCT/JP1985/000170 JP8500170W WO8504757A1 WO 1985004757 A1 WO1985004757 A1 WO 1985004757A1 JP 8500170 W JP8500170 W JP 8500170W WO 8504757 A1 WO8504757 A1 WO 8504757A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electron beam
secondary electrons
electron
sample
magnetic field
Prior art date
Application number
PCT/JP1985/000170
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tadasi Otaka
Yasushi Nakaizumi
Katuhiro Kuroda
Original Assignee
Hitachi, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi, Ltd. filed Critical Hitachi, Ltd.
Priority to GB08529033A priority Critical patent/GB2168839B/en
Publication of WO1985004757A1 publication Critical patent/WO1985004757A1/ja

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448Secondary particle detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2449Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/245Detection characterised by the variable being measured
    • H01J2237/24507Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation

Definitions

  • the present invention relates to a secondary electron detector, particularly to a secondary electron detector suitable for use in a scanning electron microscope.
  • secondary electrons emitted from a sample pass through an objective lens magnetic field for irradiating or focusing an electron beam that does not irradiate or impact the sample. Detected by the detector.
  • a photomultiplier detector is used as the secondary electron detector. That is because the detection sensitivity is high.
  • this high voltage causes an obstruction to the electron beam and the axis of the electron beam shifts. There is a lack.
  • An object of the present invention is to provide a secondary electron detection device capable of efficiently detecting secondary electrons from a sample without giving a direction obstacle to the electron beam.
  • FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view of a secondary electron detecting device showing an embodiment according to the present invention
  • FIG. 2 is a plan view of an electron beam axis-shift correcting means of FIG. 1
  • FIG. FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. 2
  • FIG. 4 is a perspective view of ⁇ ⁇ shown in FIGS. 2 and 3
  • FIG. 5 is a perspective view of the coil shown in FIGS. .
  • the electron beam generator 1 The generated low-acceleration electron beam 2 is focused on the sample 4 by the magnetic field type electron lens 3.
  • the sample 4 When the sample 4 is irradiated or bombarded by the electron beam 2, the sample 4 generates information signals characterizing the sample 4, such as secondary electrons, reflected electrons, and X-rays.
  • information signals characterizing the sample 4 such as secondary electrons, reflected electrons, and X-rays.
  • secondary electrons generated on the irradiation side of the sample 4 by the electron beam with respect to the sample 4 rotate circularly along the axis of the element beam 2 by the lens magnetic field of the objective lens 3. While passing through the lens magnetic field.
  • the secondary electrons that have passed are detected by a photoelectron ⁇ -fold secondary electron detector 5.
  • the output signal of the secondary electron detector 5 is introduced as a cathode ray tube eight luminance modulation signal (not shown).
  • the deflecting device 6 deflects the electron beam 2 two-dimensionally, whereby the sample 4 is scanned two-dimensionally by the electron beam 2.
  • the cathode ray of a cathode ray tube (not shown) is directed two-dimensionally in synchronization with the electron beam 2. Therefore, an image of the scanning area of the sample 4 by the secondary electrons is displayed on the cathode ray tube.
  • electron beam axis deviation correcting means 7 for preventing the axis deviation of the electron beam 2 and for efficiently directing the secondary electrons to the secondary electron detector 5. ing.
  • This correction means will be described with reference to FIGS. 2 and 3 in which four electrodes 7 2 are arranged at equal intervals around the axis of the electron beam so that an electric field is generated in the direction of arrow 71. ⁇ 7 5 are placed Have been.
  • the electrodes 72 and 74 facing each other are supplied with positive and negative voltages from the power source 76, respectively, and the contacts 73 and 75 facing each other are also grounded.
  • An electromagnetic coil 77 is installed on the back of 72 and 74, and this coil is supplied with current from a power supply 79 so that a magnetic field is generated in the direction of arrow 78 perpendicular to arrow 71.
  • the electron beam misalignment correction means When the electron beam passes through the electron beam misalignment correction means, it receives a force in the direction of arrow 80 opposite to the electric field in the direction of arrow 71 and the force in the direction of arrow 71 by the magnetic field in the direction of arrow 78. Receive. However, the forces in the directions of arrows 71 and 80 are set equal to each other. Therefore, the electron beam is not deflected.
  • the secondary electrons from the sample 4 travel in the opposite direction to the electron beam, when passing through the electron beam axis deviation correcting means, they receive a force in the direction of arrow 81 due to the rain of the electric and magnetic fields. Therefore, since the secondary electrons are directed in the direction of arrow 80, the secondary electrons are effectively detected by secondary electron detector 5.
  • the secondary electron detector 5 can be moved far away from the axis of the electron beam, so that the front end face of the secondary electron detector 5 can be used. The effect of the high voltage applied to the electron beam on the electron beam, that is, the damage of the electron beam, is prevented.
  • the electrodes 72 to 75 may have shapes as shown in FIG.
  • the deflection coil 77 may be formed on a flexible print plate 80 as shown in FIG.
  • the flexible print plate 80 on which the coil 77 is formed is wound around the outer surface of the electrode shown in FIG. 4, the electron beam as described with reference to FIGS. 2 and 3 is obtained.
  • Electron beam axis deviation correcting means for efficiently directing secondary electrons to the secondary electron detector 5 while preventing the axis deviation of the system 2 is provided.
  • the deflection angle of the secondary electrons is 30 ° (0 in Fig. 3)
  • the inner diameter of the deflection electrode is 16 mm (d in Fig. 3)
  • the The length was 14 ⁇ (L in Fig. 3)
  • the diameter of the deflection coil was 20 thighs (D in Fig. 3)
  • the length of the deflection coil was 10 ⁇ ( ⁇ in Fig. 3)
  • the angle from the center of the deflecting coil is 120 ° (assuming that in Fig. 2), the electric field, magnetic field, the voltage difference between the deflecting plate, and the strength of the magnetic field can be calculated for the energy of each secondary electron. It looks like this.
  • the voltage for bending 5 eV secondary electrons by 30 ° in the direction of the secondary electron detector should be 9.92 V, and the deflection coil should be 0.59 ampere turns.
  • the track can be bent and directed to the vessel side.
  • the energy of secondary electrons peaks at ⁇ 2 eV and is at most about 5 eV, and is 90% or more of secondary electrons, and is set to the specific value as described above as shown in Table 1. By doing so, most of the secondary electrons can be guided to the secondary electron detector.
  • the secondary electron detector can be arranged at a position sufficiently far from the axis of the electron beam, so that it is not deflected even when the electron beam is accelerated with a low acceleration voltage.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

明 細 書
2次電子検出装置
技術分野
本発明は 2次電子検出装置、 特に走査電子顕微鏡にお いて用いられるのに適した 2次電子検出装置に関する。 背景技術
近年、 走査電子顕微鏡は高分解能化が図られ、 特に半 導体の観察では電子線ダメイージを少なくするために低 加速電圧で使用されるこ とが多く なつてきている。
走査電子顕微鏡において用い られている通常の 2次鼋 子検出装置においては、 試料から放出される 2次電子は 試料を照射ない しは衝撃する電子ビームを集束するため の対物レンズ磁界を通して 2次電子検出器によって検出 される。 2次電子検出器と しては一般に光電子増倍形の 検出器が用いられる。 それは検出感度が髙いためである。 しかし、 2次電子検出器の前端には 2次電子を吸引する ための高電圧が印加される こ とから、 この高電圧が電子 ビームに儒向障害を与え、 電子ビームの軸がずれるとい う欠, がある。
この間題は 2次電子検出器を電子ビームから遠ざける ことによって解決される。 しかしこの場合は 2次電子を 効率よ く検出し得なく なる という問題が提供される。
発明の開示 本発明の目的は電子ビー厶に镉向障害を与えることな しに試料からの 2次電子を効率よく検出し得る 2次電子 検出装置を提供するこ と にある。
本発明によれば、 電子ビームを発生し、 かつ該鼋子ビ ームで試料を照射する手段一前記試料から、 該試料を基 準にして該試料の前記電子ビー厶による照射側に 2次鼋 子を発生させるよう に一と ; 前記電子ビームおよび前記 2次電子を第 1 の方向に偏向させる電界を発生する手段 と ; 前記 2次電子を第 1の方向に偏向すると ともに、 前 記第 1 の方向への前記電子ビームの偏向を実質的に打ち 消すよう に前記電子ビームを前記第 1 の方向に対して反 対の第 2の方向に偏向させる磁界を発生する手段と ; 前 記第 1 の方向に偏向された 2次電子を検出する手段とを 備えている 2次電子検出装置が提供される。
図面の簡単な説明
第 1 図は本発明にも とづく一実施例を示す 2次電子検 出装置の概略縱断面図、 第 2図は第 1 図の電子ビーム軸 - ずれ補正手段の平面図、 第 3図は第 2図の A— A断面図、 第 4図は第 2および 3図に示されている鼋搔の斜視図、 第 5図は第 2および 3図に示されているコイルの斜視図 である。
発明を実施するための最良の形態
第 1図を参照するに、 電子ビーム発生装置 1 によって 発生される低加速電子ビーム 2 は磁界形電子レ ンズ 3 に よって試料 4 に集束される。 試料 4 が電子ビーム 2 によ つて照射ないしは衝撃される と、 試料 4 からは 2次電子、 反射電子、 X—線などの、 試料 4 を特徴づける情報信号 が発生される。 これらのうちの、 試料 4 を基準にして試 料 4の電子ビームによる照射側に発生される 2次電子は 対物レンズ 3のレンズ磁界によ リ鼋子ビーム 2の軸に沿 つて蠓旋運動を しながら レンズ磁界を通過する。 通過し た 2次電子は光電子增倍形の 2次電子検出器 5 によって 検出される。 2次電子検出器 5 の出力信号は図示されて いない陰極線管八輝度変調信号と して導入される。
偏向装置 6 は電子ビ ム 2 を 2次元的に偏向し、 それ によって試料 4は電子ビーム 2でもって 2次元的に走査 される。 図示されていない陰極線管の陰極線は電子ビー ム 2 と同期して 2次元的に儒向される。 したがって、 陰 搔線管には試料 4 の走査領域の、 2次電子による像が表 示される。
'電子ビーム 2の軸の周り には、 電子ビーム 2 の軸ずれ を防止し、 かつ 2次電子を効率的に 2次電子検出器 5 に 指向するための電子ビーム軸ずれ補正手段 7 が配置され ている。 この補正丰段を第 2および 3図を参照して説明 するに、 電子ビームの軸の.周 り には矢印 7 1 の方向に電 界が生じるよう に等間隔に 4個の電搔 7 2〜 7 5 が配置 されている。 すなわち、 互いに対向する電極 7 2および 7 4 にはそれぞれ正および負の電圧が電源 7 6 から与え られ、 また同様に互いに対向する鼋接 7 3および 7 5は アースされている。 鼋搔 7 2および 7 4の背面には電磁 コイル 7 7が設置され、 このコイルには矢印 7 1 と直角 な矢印 7 8 の方向に磁界が生じるよう に電源 7 9 から鼋 流が供耠される。
電子ビームは電子ビーム軸ずれ補正手段を通過すると き矢印 7 1 の方向の電界によってこれと反対の矢印 8 0 方向の力を受け、 また矢印 7 8の方向の磁界によって矢 印 7 1方向の力を受ける。 しかし、 矢印 7 1 および 8 0 の方向の力は互いに等し く設定されてある。 したがって、 電子ビームは偏向されない。
一方、 試料 4 からの 2次電子は電子ビームと反対方向 に進行するので、 電子ビーム軸ずれ補正手段を通過する とき電界および磁界の雨方によって矢印 8 1方向の力を 受ける。 したがって、 2次電子は矢印 8 0の方向に指向 されるため、 2次鼋子検出器 5 によって効果的に検出さ れるよう になる。 このよう に、 2次電子を効果的に検出 できるよう になると、 2次電子検出器 5 を電子ビームの 軸から遠く に離すことができるよう になるため、 2次鼋 子検出器 5 の前端面に印加されている高電圧の電子ビー ムへの影響、 すなおち電子ビームの傷向が防止される。 電搔 7 2〜 7 5は第 4図に示されるよ うな形状のもの であってもよい。 また、 偏向コイル 7 7は、 第 5図に示 されるよう に、 フ レキシブルなプリ ン ト板 8 0上に形成 されてもよい。 このコイル 7 7が形成されたフ レキシブ ルなプリ ン ト板 8 0 を第 4図の電極の外面に巻きつけれ ば、 第 2および 3図を参照して説明したよ う な、 鼋子ビ ーム 2の軸ずれを防止しつつ 2次電子を 2次電子検出器 5に効率的に指向させる電子ビーム軸ずれ補正手段が提 供されることになる。
いま電子ビームの加速電圧を l k Vと し、 2次電子の 偏向角を 3 0 ° (第 3図における 0 ) 、 偏向電極の内径 を 1 6 mm (第 3図における d ) 、 懾向電極の長さ を 1 4 軀 (第 3図における L) 、 さ らに偏向コイルの径を 2 0 腿 (第 3図における D) 、 偏向コイルの長さ を 1 0鲫 (第 3図における β ) 、 偏向コイルの中心からの角度を 1 2 0 ° (第 2図における とする と、 各 2次電子の エネルギーに対して電界, 磁界および偏向板の電圧差、 磁界の強さが計算でき第 1表の如く なる。
す'なおち 5 e Vの 2次電子を 3 0 ° だけ 2次電子検出 器の方向に曲げる電圧は 9.9 2 V 、 偏向コイルは 0.5 9アンペアターンであればよいという結果となる。 前述したよ う に、 このよう な関係を選べば電子ビームに 対しては偏向作用がなく 、 2次電子のみを 2次電子検出 器側に軌道を曲げて指向させることができる。 2次電子 のエネルギーは〜 2 e Vをピーク と してせいぜい 5 e V 程度までで 2次電子の 9 0 %以上であ り、 第 1表に示す よう に前述したような具体的数値に設定するこ と によ り 2次鼋子のほとんどを 2次電子検 器に導く ことができ る。
したがって、 2次電子検出器は電子ビームの軸よ り十 分に離れた位置に配置すること が出来るので電子ビーム が低加速電圧で加速される場合でも偏向されることが い α
Figure imgf000008_0001
本発明の一実施例を集束レンズの上部よ リ 2次電子を 検出する場合について逑べたが、 集束レンズ下部におい て 2次電子を検出する場合においても同様の効果を期待 することができる。

Claims

請求の ¾ Si
1 . 電子ビームを発生し、 かつ該電子ビームで試料を照 射する手段一前記試料から、 該試料を基準にして該試料 の前記電子ビームによる照射側に 2次電子を発生させる よ う に一と ; 前記電子ビームおよび前記 2次電子を第 1 の方向に偏向させる電界を発生する手段と ; 前記 2次電 子を第 1 の方向に偏向すると ともに、 前記第 1 の方向へ の前記電子ビームの偏向を実質的に打ち消すよ う に前記 電子ビームを前記第 1 の方向に対して反対の第 2の方向 に偏向させる磁界を発生する手段と ; 前記第 1 の方向に 偏向された 2次電子を検出する手段と を備えている 2次 電子検出装置。
2 . 前記電界と磁界は実賓的に直交している請求の範囲 第 1項に記載された 2次電子検出装置。
3 . 前記電子ビームを前記試料に集束する磁界形電子レ ンズを備え, 前記 2次電子は前記磁界形電子レンズの レ ンズ磁場を通り、 更に前記電界および磁界によって前記 第 1 の方向に偏向される請求の範囲第 1項に記載された 2次電子検出装置。
PCT/JP1985/000170 1984-04-06 1985-04-05 Secondary electron detector WO1985004757A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB08529033A GB2168839B (en) 1984-04-06 1985-04-05 Secondary electron detector

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59067743A JPS60212953A (ja) 1984-04-06 1984-04-06 電子線装置
JP59/67743 1984-04-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1985004757A1 true WO1985004757A1 (en) 1985-10-24

Family

ID=13353728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1985/000170 WO1985004757A1 (en) 1984-04-06 1985-04-05 Secondary electron detector

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4658136A (ja)
JP (1) JPS60212953A (ja)
DE (2) DE3590146T (ja)
GB (1) GB2168839B (ja)
WO (1) WO1985004757A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3532781A1 (de) * 1985-09-13 1987-03-19 Siemens Ag Anordnung zur detektion von sekundaer- und/oder rueckstreuelektronen in einem elektronenstrahlgeraet
EP0236807A2 (de) * 1986-03-07 1987-09-16 Siemens Aktiengesellschaft Spektrometerobjektiv für die Korpuskularstrahl-Messtechnik

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8602177A (nl) * 1986-08-27 1988-03-16 Philips Nv Electronen detectie met energie discriminatie.
DE3750659T2 (de) * 1986-11-28 1995-02-16 Nippon Telegraph & Telephone Beobachtungsvorrichtung, die geladene teilchenstrahlen verwendet und eine solhe vorrichtung verwendendes oberflächenbeobachtungsverfahren.
JPS6452370A (en) * 1987-08-24 1989-02-28 Hitachi Ltd Potential measuring apparatus
JPH01220352A (ja) * 1988-02-26 1989-09-04 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡及びその類似装置
US4983833A (en) * 1988-11-21 1991-01-08 Siemens Aktiengesellschaft Device for the detecting of charged secondary particles
CA1317035C (en) * 1989-01-25 1993-04-27 Matthias Brunner Method for examining a specimen in a particle beam instrument
DE3938660A1 (de) * 1989-11-21 1991-05-23 Integrated Circuit Testing Korpuskularstrahlgeraet
DE4216730C2 (de) * 1992-05-20 2003-07-24 Advantest Corp Rasterelektronenstrahlgerät
JP3730263B2 (ja) * 1992-05-27 2005-12-21 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
JP3081393B2 (ja) * 1992-10-15 2000-08-28 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
JP3291880B2 (ja) * 1993-12-28 2002-06-17 株式会社日立製作所 走査形電子顕微鏡
US5475228A (en) * 1994-11-28 1995-12-12 University Of Puerto Rico Unipolar blocking method and apparatus for monitoring electrically charged particles
JP3341226B2 (ja) * 1995-03-17 2002-11-05 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
US5894124A (en) * 1995-03-17 1999-04-13 Hitachi, Ltd. Scanning electron microscope and its analogous device
DE69638126D1 (de) * 1995-10-19 2010-04-01 Hitachi Ltd Rasterelektronenmikroskop
JP3514070B2 (ja) * 1997-04-25 2004-03-31 株式会社日立製作所 走査電子顕微鏡
US6642520B2 (en) 1999-04-13 2003-11-04 Kabushiki Kaisha Topcon Scanning electron microscope
EP2587515A1 (en) * 2000-06-27 2013-05-01 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
US6593578B1 (en) * 2001-11-08 2003-07-15 Schlumberger Technologies, Inc. Wien filter for use in a scanning electron microscope or the like
DE102007045874A1 (de) * 2007-09-25 2009-04-02 Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh Multipolspulen
DE102009018210C5 (de) * 2009-04-21 2022-08-18 Khs Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung der Intensität eines Elektronenstrahles
US8436317B1 (en) 2011-11-09 2013-05-07 Hermes-Microvision, Inc. Wien filter
US11532760B2 (en) 2017-05-22 2022-12-20 Howmedica Osteonics Corp. Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process
AU2019206103A1 (en) 2018-07-19 2020-02-06 Howmedica Osteonics Corp. System and process for in-process electron beam profile and location analyses

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730253A (en) * 1979-06-28 1982-02-18 Jeol Ltd Secondary electron detector for scan type electron microscope
JPS58179375A (ja) * 1982-04-15 1983-10-20 Jeol Ltd 荷電粒子線装置用二次電子検出装置
JPS6047385A (ja) * 1983-08-25 1985-03-14 ケル株式会社 中間接続コネクタ

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1128107A (en) * 1965-06-23 1968-09-25 Hitachi Ltd Scanning electron microscope
JPS4936496B1 (ja) * 1970-04-18 1974-10-01
KR850001390B1 (ko) * 1980-07-31 1985-09-24 니혼 덴시 가부시끼 가이샤 2차 전자 검출장치
JPS6047358A (ja) * 1983-08-24 1985-03-14 Hitachi Ltd 電子線装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730253A (en) * 1979-06-28 1982-02-18 Jeol Ltd Secondary electron detector for scan type electron microscope
JPS58179375A (ja) * 1982-04-15 1983-10-20 Jeol Ltd 荷電粒子線装置用二次電子検出装置
JPS6047385A (ja) * 1983-08-25 1985-03-14 ケル株式会社 中間接続コネクタ

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3532781A1 (de) * 1985-09-13 1987-03-19 Siemens Ag Anordnung zur detektion von sekundaer- und/oder rueckstreuelektronen in einem elektronenstrahlgeraet
US4714833A (en) * 1985-09-13 1987-12-22 Siemens Aktiengesellschaft Arrangement for detecting secondary and/or backscatter electrons in an electron beam apparatus
EP0236807A2 (de) * 1986-03-07 1987-09-16 Siemens Aktiengesellschaft Spektrometerobjektiv für die Korpuskularstrahl-Messtechnik
EP0236807A3 (de) * 1986-03-07 1990-05-16 Siemens Aktiengesellschaft Spektrometerobjektiv für die Korpuskularstrahl-Messtechnik

Also Published As

Publication number Publication date
GB2168839A (en) 1986-06-25
US4658136A (en) 1987-04-14
DE3590146T (de) 1986-04-03
GB8529033D0 (en) 1986-01-02
DE3590146C2 (ja) 1990-06-07
JPS60212953A (ja) 1985-10-25
JPH057821B2 (ja) 1993-01-29
GB2168839B (en) 1988-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1985004757A1 (en) Secondary electron detector
JP3081393B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JP4482179B2 (ja) 粒子ビーム装置
US5490193A (en) X-ray computed tomography system
JP2810797B2 (ja) 反射電子顕微鏡
US5045705A (en) Charged particle beam apparatus with charge-up compensation
US3717761A (en) Scanning electron microscope
JP3170680B2 (ja) 電界磁気レンズ装置及び荷電粒子線装置
JP3514070B2 (ja) 走査電子顕微鏡
US6653632B2 (en) Scanning-type instrument utilizing charged-particle beam and method of controlling same
EP0790634B1 (en) Electrostatic-magnetic lens arrangement
JPH08138611A (ja) 荷電粒子線装置
JP2002324510A (ja) 走査電子顕微鏡
JP3101141B2 (ja) 電子ビーム装置
JP4073149B2 (ja) 電子線装置
JPS5854783Y2 (ja) 走査電子顕微鏡
JPH057820B2 (ja)
JPS63216260A (ja) 荷電粒子ビ−ム描画装置
JPH057819B2 (ja)
JPS5973840A (ja) 走査電子顕微鏡用対物レンズ
JP3280187B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JPH0236207Y2 (ja)
JPH10199465A (ja) 電子ビーム装置の調整方法
JPH02121252A (ja) 荷電粒子ビーム複合装置
JP2993873B6 (ja) 荷電粒子線応用装置及び電子線応用装置

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Designated state(s): DE GB US

RET De translation (de og part 6b)

Ref document number: 3590146

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19860403

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 3590146

Country of ref document: DE