JP4073149B2

JP4073149B2 - 電子線装置

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Publication number: JP4073149B2
Application number: JP2000157206A
Authority: JP
Inventors: 哲哉澤畠; 佐藤　　貢
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2000-05-26
Filing date: 2000-05-26
Publication date: 2008-04-09
Anticipated expiration: 2020-05-26
Also published as: JP2001338600A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子線装置に係り、特に、多様な試料信号を選択的に検出して、低加速電圧から高加速電圧に至るまで高コントラストな試料像を得るのに好適な電子線装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一次電子線を試料上で走査して、試料の走査像を得る走査電子顕微鏡などの電子線装置は、半導体デバイスの微細なパターンの検査や計測など、パターン評価の目的に用いられる他、材料の評価から細胞の形態観察に至るまで、さまざまな用途に用いられている。このような目的の装置においては、試料や観察目的が多用であり、注目したいコントラストも目的により異なっている。
【０００３】
一般に、試料像のコントラストは、試料から発生する二次電子と反射電子で形成されるが、これらの試料信号を、そのエネルギーや、試料からの放出角度の違いに応じて選択的に検出することで像信号のコントラストを改善できることが知られている。例えば、米国特許第５，４９３，１１６号では、異なるコーンアングルに含まれる反射電子をＭＣＰ（マルチチャネルプレート）で検出して試料の形態に合わせたコントラストの改善を図っている。また、ＰＣＴ／ＪＰ９８／０４２９７には、試料から発生したハイアングルの反射電子及びローアングルの反射電子をそれぞれ、電極で二次電子に変換して検出する方法が記載されている。また、同文献には、対物レンズの上部に配置した電極に印加する電圧を制御することにより、検出器に検出される二次電子のエネルギーを制御する方法も開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記文献に開示されているように、像信号のコントラスト改善には、二次電子のみならず反射電子情報が有効である。一般に、反射電子の検出には、ＭＣＰやシンチレータ、あるいは、半導体素子が用いられる。これらの素子は一般には、反射電子のエネルギーが低くなるにつれて検出感度が低下する特性を有している。ただし、ＭＣＰは、反射電子検出面に１ｋＶ程度の高電圧を印加するため低エネルギーの反射電子でも加速されて高効率に検出できる利点があるが、反面、他の検出素子と比較して寿命が短いことや、動作させるための回路をアース電位から絶縁する必要性から回路が複雑になる欠点がある。これに対して、シンチレータや半導体素子を用いた反射電子検出素子では、寿命が長く回路も比較的単純で済むなどの利点があるものの、実用的に使用できる加速電圧が３ｋＶ程度に制限される。一方、反射電子を二次電子に変換して、この二次電子を検出する方法は、一般に、二次電子の発生率が反射電子のエネルギー１ｋｅＶ付近にピークを有することから、低エネルギーの反射電子情報の検出に非常に有効である。しかし、反射電子のエネルギーが５ｋｅＶ以上に高くなると、反射電子の衝突で発生する二次電子の量が大幅に低下していくため、反射電子を二次電子に変換して検出する方法は、高エネルギーの反射電子に対しては高効率検出ができない問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した問題点を解決して、低エネルギーから高エネルギーまでの高範囲な反射電子信号の検出において、高検出効率と長寿命の両立を図ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
低エネルギーから高エネルギーまでの高範囲な反射電子信号の検出における上記課題を解決して、高検出効率と長寿命の両立を図るために、高エネルギーの反射電子の検出感度が高く、長寿命なシンチレータ素子あるいは半導体素子を用いた反射電子検出素子と、低エネルギーの反射電子の高効率検出に有利な二次電子発生電極とを隣接して配置した、２検出方式一体型の反射電子検出手段を設ける。この反射電子検出手段の位置を電子線装置の光軸に対して移動する移動手段を設けることにより、反射電子のエネルギーに応じて反射電子検出素子と二次電子発生電極の位置を試料から発生した反射電子が検出できる位置に設定することができる。反射電子の主要成分は、一次電子の加速電圧とほぼ同等のエネルギーを有するため、一次電子の加速電圧が５ｋＶよりも低い場合には、二次電子発生電極により反射電子情報を高効率に検出し、５ｋＶよりも高い場合には、シンチレータもしくは半導体素子で反射電子を直接検出する。
【０００７】
すなわち、本発明による電子線装置は、電子源から放出された一次電子線を試料上に細く絞る電子線収束手段と、一次電子線を試料上で走査する走査手段と、一次電子線の照射によって試料から発生した二次電子を検出する二次電子検出手段と、一次電子線の照射によって試料から発生した反射電子を検出する反射電子検出手段とを含み、二次電子検出手段及び／又は反射電子検出手段の検出信号を用いて試料の走査像を形成する電子線装置において、反射電子検出手段は、シンチレータ又は半導体素子により構成される反射電子検出素子と当該反射電子検出素子に隣接して配置され反射電子の衝突で二次電子を発生する二次電子発生電極とを備え、一次電子線の光軸に対する反射電子検出手段の有する反射電子検出素子及び二次電子発生電極の位置を可変にし、二次電子検出手段が二次電子発生電極から発生する二次電子を検出するものであり、一次電子線の加速電圧が５ｋＶ以下を含む低加速領域においては、二次電子発生電極が反射電子検出素子に対して光軸に近い位置に配置され、一次電子線の加速電圧が５ｋＶ以上を含む高加速領域においては、反射電子検出素子が二次電子発生電極に対して光軸に近い位置に配置されるように、シンチレータ又は半導体素子と二次電子発生電極との光軸に対する位置を切り替えるように動作する移動手段を有することを特徴とする。
【０００８】
移動手段は、反射電子検出手段を、試料からの反射電子が反射電子検出素子に入射する位置、二次電子発生電極に入射する位置、そのいずれにも入射しない退避位置の３位置に選択的に移動する。試料からの高エネルギーの反射電子を検出するときは、反射電子が反射電子検出素子に入射するように反射電子検出手段を位置づけ、試料からの低エネルギーの反射電子を検出するときは、反射電子が二次電子発生電極に入射するように反射電子検出手段を位置づける。
【０００９】
反射電子の衝突で二次電子発生電極から発生した二次電子（反射電子情報）を高効率に検出するために、二次電子発生電極と試料との間に、エネルギーの低い二次電子を二次電子検出器側に偏向させることのできる電界と磁界を配置する。この電界と磁界とは互いに直交する向きに発生され、一次電子線に対しては、電界と磁界による偏向作用がそれぞれ打ち消される様に設定される。この結果、一次電子線に対しては不要な偏向作用を与えずに、二次電子発生電極から発生した二次電子（反射電子情報）を高効率に二次電子検出器で検出できる。また、上記直交電磁界発生手段と試料との間に、軸対称な電極を配置し、負の電圧を印加する電圧印加手段を設ける。この軸対称電極に負の電圧を印加すると、試料から発生した二次電子は、軸対称電極を通過できなくなり二次電子検出器で検出されない。したがって、低加速電圧で発生した反射電子情報のみを二次電子と分離して高効率に検出することが可能になる。
【００１０】
使用する加速電圧を５ｋＶ以上に高くした場合には、反射電子検出手段の位置を移動し、試料から発生した反射電子が反射電子検出素子（シンチレータ素子、あるいは半導体素子）に衝突するようにする。このとき、半導体検出素子では、高効率に反射電子を検出して、電気信号に変換することができる。反射電子検出素子で検出されて電気信号に変換された信号は、二次電子検出器の信号と合成することができる。この際、試料と直交電磁界発生手段との間に設けられた軸対称電極に、数Ｖから数十Ｖの負の電圧を印加することにより、エネルギー弁別された二次電子情報と反射電子情報とを合成することができる。一方、低加速電圧においては、軸対称電極を同様の動作条件にして、反射電子検出位置に二次電子発生電極を配置することにより、高加速時と同様の信号検出を高効率に行うことができる。
【００１１】
二次電子発生電極は、さらに、複数の電極で構成することができる。これらの電極に対して、正の電圧を印加すると、反射電子が衝突したときに二次電子の発生が抑えられる。また、負の電圧を印加すると、反射電子の衝突で発生した二次電子を二次電子検出器側（直交電磁界発生手段側）に押し出す（加速する）ことができる。したがって、各々の電極に正・負の電圧を印加すると、試料からの放出角度の異なる反射電子を選択的に検出することができ、反射電子による陰影コントラストが得られる。これにより立体的な画像が得られる。さらに、二次電子発生電極は、メッシュ状の電極でシールドされるため、二次電子発生電極に正負の軸非対称な電圧が印加されても、一次電子線が影響を受けることはない。
【００１２】
本発明では、試料を対物レンズ磁極間に配置し、前記直交電磁界発生手段と前記反射電子検出手段を対物レンズの上部に配置することができる。この構造により、非常に高いプローブ分解能の実現と高コントラストな信号検出の両効果が同時に得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明による電子線装置の一例を示す概略図である。図１は本発明をインレンズタイプの走査電子顕微鏡に適用した場合の例である。電子源１内の陰極２と第一陽極３との間には、高圧制御電源１１により引き出し電圧が印加され、陰極２から一次電子線５が放出される。この一次電子線５は、高圧制御電源１１により、陰極２と第２陽極４との間に印加された電圧で加速されて、後段のレンズ系に進行する。一次電子線５は、その後、第一の収束レンズ６（Ｃ１レンズ）にて収束され、対物レンズ絞り７を通過することにより、電子線の不要な領域が除去される。対物レンズ絞り７を通過した一次電子線５は、第二の収束レンズ８（Ｃ２レンズ）にて収束された後、対物レンズ１０によって試料２６上に収束される。Ｃ２レンズ８と対物レンズ１０との間には、二段の偏向コイル９（９ａ，９ｂ）が配置されており、この偏向コイル９により、一次電子線５は試料２６上を２次元的に走査される。
【００１４】
試料２６から発生する二次電子２４は対物レンズ１０を通過して、対物レンズ上部に配置した直交電磁界発生器２７で二次電子検出器側に偏向されて、二次電子検出器２５で検出される。直交電磁界発生器２７では、光軸と電界、磁界とが互いに直交する場が作られており、一次電子線５に対しては偏向作用を与えずに、また、一次電子の逆向きに進行する二次電子、あるいは、一次電子と同じ向きに進行して一次電子よりもエネルギーの小さい二次電子に対しては、二次電子検出器２５の方向に偏向作用を与えるように電界と磁界の強さが設定されている。二次電子検出器２５の検出信号は画像メモリ３６に取り込まれ、同時にＣＲＴ等の画像表示装置（以下、ＣＲＴとして説明する）２１に試料像として表示される。
【００１５】
一方、試料２６から発生する反射電子２８は対物レンズ１０を通過後、直交電磁界発生器２７を通過するが、二次電子に比較してエネルギーが高いため、直交電磁界発生器２７ではほとんど偏向されずに、反射電子検出手段５０に入射する。反射電子検出手段５０には、反射電子検出素子を備えて反射電子を検出できる反射電子検出器３１と、反射電子の衝突によって二次電子を発生させる二次電子発生電極３３とが隣接して設けられており、後述するように、このいずれかを用いて反射電子の検出を行う。反射電子検出手段５０は二箇所に一次電子通過用貫通穴５１，５２を有し、反射電子検出の際には、いずれか一方の貫通孔が光軸上にくるように位置決めされる。一次電子は、反射電子検出手段の一次電子通過用貫通穴５１（又は５２）を通って試料２６に照射される。
【００１６】
反射電子検出器３１は、反射電子検出素子として電子の衝突で光を発生するＹＡＧシンチレータを用い、発生した光をホトマルチプライアで電気信号に変換する構成、あるいは反射電子検出素子として電子の衝突を直接電気信号に変換する半導体素子を用いる構成とすることができる。反射電子検出器３１からの信号は二次電子検出器２５の検出信号と同様、画像メモリ３６に取り込まれ、同時にＣＲＴ２１に試料像として表示することができる。また、反射電子検出手段５０は、鏡体の外部から光軸に対して位置を移動することができ、反射電子検出器３１に反射電子が衝突する位置、及び二次電子発生電極３３に反射電子２８が衝突する位置に各々設定することができる。
【００１７】
次に、図２を用いて反射電子を選択検出する方法について説明する。高加速電圧での観察においては、図２の如く、反射電子検出器３１を光軸上に配置する。また、軸対称電極２９には軸対称電極電圧制御電源３０から正の電圧を印加する。この時、一次電子線５の照射により試料２６より発生する二次電子２４は軸対称電極２９の電界で試料から引き上げられて、対物レンズ１０を通過し、直交電磁界発生器２７によって二次電子検出器２５側に偏向され、二次電子検出器２５で検出される。同じく試料２６より発生する反射電子２８は、対物レンズ１０、軸対称電極２９、及び直交電磁界発生器２７を通過し、反射電子検出器３１によって検出される。
【００１８】
一方、低加速電圧での観察においては反射電子検出器３１（シンチレータ、半導体素子等）の感度が低下するため、図３の如く、二次電子発生電極３３を光軸上に配置する。この時、試料２６より発生する反射電子２８は、対物レンズ１０、軸対称電極２９、及び直交電磁界発生器２７を通過し二次電子発生電極３３に衝突して二次電子３７を発生する。この二次電子３７は試料から発生した反射電子２８の情報を有しており、直交電磁界発生器２７の電界の作用で二次電子検出器２５側に偏向されて、試料から発生する二次電子２４とともに、二次電子検出器２５によって検出される。
【００１９】
反射電子２８の情報のみを検出する場合には、図４の如く軸対称電極電圧制御電源３０によって軸対称電極２９に負の電圧（−５０Ｖ程度）を印加する。このとき、試料２６から発生する二次電子２４は、軸対称電極２９の作る電位のために軸対称電極２９を通過できず、二次電子検出器２５には、二次電子発生電極３３から発生した二次電子３７（反射電子２８の情報を有する）のみが検出される。
【００２０】
ここで、図５及び図６を用いて、反射電子検出手段５０の位置を可変する方法について説明する。
図５は、反射電子検出手段５０の位置を手動で切り替えるための移動手段の構成例を示す図である。反射電子検出手段５０の後端は、ピン６３のついた操作部材６４に結合している。操作部材６４は電子線装置の鏡体壁を貫通し、真空ベローズ６１によって真空封止された状態で鏡体に対して進退自在になっている。操作部材６４のピン６３は、軸まわりに矢印で示すように回転可能な円筒状のカム６２に係合している。カム６２は、図示するように３段の切り替え位置を有する。操作部材６４は、カム６２の回転に伴う位置の切り替えに必要なストロークをもち、観察者がカム６２を回転してピン６３の位置を手動で選ぶことによって、３つの位置▲１▼，▲２▼，▲３▼に切り替えることができる。この３つの位置▲１▼，▲２▼，▲３▼は、▲１▼反射電子を検出しない退避位置（試料からの二次電子の検出位置）、▲２▼二次電子発生電極３３を用いた反射電子の検出位置、▲３▼反射電子検出器３１を用いた反射電子の検出位置に対応する。
【００２１】
図６は、反射電子検出手段５０の位置を自動で切り替えるための移動手段の構成例を示す図である。図示した例では、移動手段をモータドライブ化し、反射電子検出手段の位置の切り替えを自動化している。反射電子検出手段５０の後端には操作部材６５が結合されている。操作部材６５は電子線装置の鏡体壁を貫通し、真空ベローズ６１によって真空封止された状態で、モータ６７で駆動されるネジ６８によって鏡体に対して進退自在になっている。モータ６７の制御電源６６はＣＰＵ１９に接続しており、観察対象が二次電子か反射電子であるか、反射電子の場合は使用加速電圧が高加速か低加速かによって自動で反射電子検出手段５０の位置を切り替えるようモータを制御する。これにより、操作者は切り替えを意識せずに観察が行える。
【００２２】
次に、図７を用いて、検出信号の切り替えの例を説明する。二次電子検出器２５の信号と反射電子検出器３１のプリアンプ３４の信号は信号選択器３９に送られる。信号選択器３９には図に示すようなリレー回路が含まれ、スイッチ４０によって検出信号を選択する。スイッチ４０によって選択された検出信号はＣＰＵ１９に送られ、ＣＲＴ２１に試料像として表示される。ここで、アンプ３４のゲイン及びスイッチ４０はＣＰＵ１９によって制御される。
【００２３】
いま、信号選択器３９のスイッチ４０によって接点１を選択すると、二次電子検出器２５の検出信号が選択される。図７の配置の場合、二次電子検出器２５は試料２６から放出された二次電子を検出するため、ＣＲＴ２１には試料の二次電子像が表示される。一方、反射電子検出手段５０を図３のように位置づけ、２次電子発生電極３３で試料からの反射電子を受けるようにすると、二次電子検出器２５には、試料から放出された二次電子２４と反射電子２８の入射によって二次電子発生電極３３から発生した二次電子３７とを検出できる状態になる。ここで、軸対称電極２９に正の電圧を印加すると、二次電子検出器２５には試料から放出された二次電子２４と反射電子２８の入射によって二次電子発生電極３３から発生した二次電子３７が入射し、ＣＲＴ２１には２種類の検出信号を合成した試料像が表示される。また、反射電子検出手段５０を図３のように位置づけるとともに軸対称電極２９に負の電圧を印加すると、図４にて説明したように、二次電子検出器２５には、二次電子発生電極３３から発生した二次電子３７（反射電子２８の情報を有する）のみが入射するため、ＣＲＴ２１には反射電子像が表示される。
【００２４】
信号選択器３９のスイッチ４０によって接点２を選択すると、ＣＰＵ１９には反射電子検出器３１の検出信号が取り込まれ、ＣＲＴ２１には試料２６の反射電子像が表示される。このとき、反射電子検出手段５０は、図７のように、反射電子検出器３１が試料からの反射電子２８を受けることができる位置にて使用する。
また、信号選択器３９のスイッチ４０によって接点３を選択すると、ＣＰＵ１９には、二次電子検出器２５の検出信号と反射電子検出器３１の検出信号を加算した信号が取り込まれ、ＣＲＴ２１には、試料２６の二次電子像と反射電子像を合成した試料像が表示される。このとき、反射電子検出手段５０は、図７のように、反射電子検出器３１が試料からの反射電子２８を受けることができる位置にて使用する。
なお、試料像の表示方式は図７に示した信号選択器を用いる方式に限定されるものではなく、例えば、二次電子検出器２５の検出信号による試料の二次電子像と、反射電子検出器３１による試料の反射電子像とを並べて表示し、２つの像を比較して試料に関する情報を得るようにすることも勿論可能である。
【００２５】
図８は、二次電子発生電極３３を複数の電極（３３ａ，３３ｂ）で構成すると共に、電極の電位をシールドするために、その試料側にメッシュ電極４１を備えた例を示す。例えば、印加電圧制御電源４３（４３ａ，４３ｂ）によって、電極３３ｂに正の電圧、電極３３ａに負の電圧を印加すると、電極３３ｂに反射電子２８ｂが衝突しても、そこから発生する二次電子３７ｂは電極３３ｂに引き寄せられ、二次電子検出器２５に到達できなくなる。一方、電極３３ａに衝突した反射電子２８ａで発生した二次電子３７ａは、電極３３ａの負の電圧でメッシュ電極４１の外部（直交電磁界発生器側）に押し出され、二次電子検出器２５で検出される。また、メッシュ電極４１はアース電位としているため、電極３３ａ，３３ｂに異なる電圧を印加しても、その非対称な電位が一次電子に影響を与えることがない。このようにして特定の電極の反射電子情報で像信号を形成することにより、凹凸のある立体的なコントラストの試料像を得ることができる。
また、反射電子検出器３１として、複数個の半導体検出素子を一次電子通過用貫通穴の周囲に配置した構成をとり、そのうちの特定の検出素子の検出信号で試料像を形成することによっても、凹凸のある立体的なコントラストの試料像を得ることができる。
【００２６】
図９は、エネルギー弁別された二次電子と反射電子信号の合成の例である。軸対称電極電圧制御電源３０によって軸対称電極２９に数Ｖから数十Ｖの負の電圧を印加することにより、試料２６から発生する二次電子のうち、エネルギーの低い二次電子２４ａは、軸対称電極２９の通過を妨げられ、二次電子検出器２５で検出されない。そのため、軸対称電極２９通過することができたエネルギーの高い二次電子２４ｂと反射電子２８だけを検出することができる。二次電子検出器２５の検出信号と反射電子検出器３１の検出信号は、加算して合成像表示に使用してもよいし、別々の試料像を表示するために使用してもよい。
【００２７】
【発明の効果】
本発明によると、低加速電圧から高加速電圧まで高コントラストな試料観察と素子の長寿命の両立が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電子線装置の一例を示す概略図。
【図２】高加速観察時の反射電子検出手段の検出位置と電子の軌道を説明した概略図。
【図３】低加速観察時の反射電子検出手段の検出位置と電子の軌道を説明した概略図。
【図４】軸対称電極に負の電圧を印加し、反射電子のみの情報を得る場合の概略図。
【図５】反射電子検出手段の位置を手動で切り替えるための移動手段の構成例を示す図。
【図６】反射電子検出手段の位置を自動で切り替えるための移動手段の構成例を示す図。
【図７】検出信号選択のための構成例を示す概略図。
【図８】第二電極を分割し、各々に正負の電圧を印加した際の電子の軌道を説明した概略図。
【図９】エネルギー弁別された二次電子と反射電子信号の合成を説明した概略図。
【符号の説明】
１…電子源、２…陰極、３…第一陽極、４…第二陽極、５…一次電子線、６…Ｃ１レンズ、７…対物レンズ絞り、８…Ｃ２レンズ、９（９ａ，９ｂ）…偏向コイル、１０…対物レンズ、１１…高圧制御電源、１３…Ｃ１レンズ制御電源、１５…Ｃ２レンズ制御電源、１６…走査電源、１７…捕捉電圧制御電源、１８…対物レンズ制御電源、１９…ＣＰＵ、２１…ＣＲＴ（画像表示装置）、２４…二次電子、２５…二次電子検出器、２６…試料、２７…直交電磁界発生器、２８…反射電子、２９…軸対称電極、３０…軸対称電極印加電圧制御電源、３１…反射電子検出器、３２…反射電子検出器制御電源、３３…二次電子発生電極、３４…プリアンプ、３６…画像メモリ、３７…二次電子発生電極から発生した二次電子、３９…信号選択器、４０…スイッチ、４１…メッシュ電極、４３…二次電子発生電極印加電圧制御電源、５０…反射電子検出手段、５１，５２…一次電子通過用貫通穴、６１…真空ベローズ、６２…カム、６３…ピン、６４…操作部材、６５…操作部材、６６…モータ制御電源、６７…モータ、６８…ネジ

Claims

電子源から放出された一次電子線を試料上に細く絞る電子線収束手段と、
前記一次電子線を試料上で走査する走査手段と、
前記一次電子線の照射によって試料から発生した二次電子を検出する二次電子検出手段と、
前記一次電子線の照射によって試料から発生した反射電子を検出する反射電子検出手段と
を含み、
前記二次電子検出手段及び／又は反射電子検出手段の検出信号を用いて試料の走査像を形成する電子線装置において、
前記反射電子検出手段は、
シンチレータ又は半導体素子により構成される反射電子検出素子と
当該反射電子検出素子に隣接して配置され反射電子の衝突で二次電子を発生する二次電子発生電極と
を備え、
前記一次電子線の光軸に対する前記反射電子検出手段の有する反射電子検出素子及び二次電子発生電極の位置を可変にし、前記二次電子検出手段が前記二次電子発生電極から発生する二次電子を検出するものであり、前記一次電子線の加速電圧が５ｋＶ以下を含む低加速領域においては、前記二次電子発生電極が反射電子検出素子に対して光軸に近い位置に配置され、前記一次電子線の加速電圧が５ｋＶ以上を含む高加速領域においては、前記反射電子検出素子が二次電子発生電極に対して光軸に近い位置に配置されるように、前記シンチレータ又は前記半導体素子と前記二次電子発生電極との光軸に対する位置を切り替えるように動作する移動手段を有することを特徴とする電子線装置。
請求項１記載の電子線装置において、前記反射電子検出素子は反射電子の衝突を光に変換するシンチレータであることを特徴とする電子線装置。
請求項１記載の電子線装置において、前記反射電子検出素子は反射電子の衝突を直接電気信号に変換する半導体素子であることを特徴とする電子線装置。
請求項１〜３のいずれか１項記載の電子線装置において、前記二次電子発生電極は複数の電極で構成されていることを特徴とする電子線装置。
請求項１〜３のいずれか１項記載の電子線装置において、前記二次電子発生電極は電圧が印加可能な単一あるいは複数の電極で構成され、前記電極の試料側に電子を透過し該電極と絶縁されて該電極を被うメッシュ状のシールド電極を備えることを特徴とする電子線装置。
請求項１〜５のいずれか１項記載の電子線装置において、
試料よりも電子源側に配置された軸対称の形状を有する電極と、
該電極に正又は負の電圧を印加する電圧印加手段と、
該電極よりも電子源側に配置されて互いに直交する電界と磁界を発生する直交電磁界発生手段と
を具備し、
前記二次電子検出手段を該直交電磁界発生手段で試料側から進行する電子が偏向される方向に配置し、前記反射電子検出手段を該直交電磁界発生手段よりも電子源側に配置したことを特徴とする電子線装置。
請求項６項記載の電子線装置において、
試料が対物レンズの磁極間に配置され、前記直交電磁界発生手段と前記反射電子検出手段が対物レンズの磁極よりも電子源側に配置されていることを特徴とする電子線装置。