TWM580686U - 測試裝置及測試系統 - Google Patents

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TWM580686U
TWM580686U TW107215909U TW107215909U TWM580686U TW M580686 U TWM580686 U TW M580686U TW 107215909 U TW107215909 U TW 107215909U TW 107215909 U TW107215909 U TW 107215909U TW M580686 U TWM580686 U TW M580686U
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test
dut
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radiation source
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TW107215909U
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王彥淳
黃泓仁
朱鎮國
劉伊浚
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台灣福雷電子股份有限公司
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Abstract

本新型揭示一種測試裝置，其包括一測試基座、一第一傳輸介質及一第二傳輸介質。該測試基座界定一傳播空間。該第一傳輸介質安置在該測試基座之該傳播空間中。該第一傳輸介質用於支撐一受測裝置。該第二傳輸介質安置在該測試基座之該傳播空間中。

Description

測試裝置及測試系統
本新型係關於一測試裝置，一測試系統及一測試方法，以及係關於使用一非接觸技術(non-contact technique)測試一無線模組(wireless module)之一測試裝置、一測試系統及一測試方法。
無線模組(例如：毫米波RF無線模組(mmWave RF wireless module))可以利用空中傳輸方式(over the air，OTA)來做測試。此種測試可在測試房間(testing room)(或測試室(testing chamber))中執行，其中(例如在其內部表面上)安置了複數個吸收器。此種測試房間(或測試室)的體積相當大。舉例而言，其大小可係為6米(m)×6m×6m，或60厘米(cm)×60cm×60cm。另外，此種測試可能會花費很長時間。因此，此種測試可能不適合用以測試量產的裝置，亦即，此種測試不適合做為大批量生產製程或量產過程(mass production process)中的一部分。
根據一項態樣，在一些實施例中，一種測試裝置包括一測試基座(testing socket)、一第一傳輸介質(transmission medium)及一第二傳輸介質。該測試基座界定一傳播空間(radiation space)。該第一傳輸介 質安置在該測試基座之該傳播空間中。該第一傳輸介質用於支撐一受測裝置(device under test，DUT)。該第二傳輸介質安置在該測試基座之該傳播空間中。
根據另一態樣，在一些實施例中，一種測試裝置包括一測試基座及一裝置托座。該測試基座具有界定傳播空間之內表面。該測試基座之內表面為波吸收表面(wave absorbing surface)。該裝置托座安置在測試基座之傳播空間中。該裝置托座界定用於接納受測裝置(DUT)之容納空間。
根據另一態樣，在一些實施例中，一種測試系統包括一測試裝置、一電路板(circuit board)、一測試器(tester)及一子系統(sub-system)。該測試裝置包括一測試基座、一第一傳輸介質及一第二傳輸介質。該測試基座界定一傳播空間。該第一傳輸介質安置在該測試基座之該傳播空間中。該第一傳輸介質用於支撐一受測裝置(DUT)。該第二傳輸介質安置在該測試基座之該傳播空間中。該電路板安置在該測試基座上方且經組態以電連接至該DUT。該測試器安置在該測試基座下方且電連接至該電路板。該子系統包括一中間設備(intermediate apparatus)及一升頻/降頻轉換器(up/down converter)。該中間設備與該受測裝置通信。該升頻/降頻轉換器電連接至該中間設備及該測試器。該升頻/降頻轉換器用於降低或提高一信號之頻率。
根據另一態樣，在一些實施例中，一種測試方法包括：(a)提供一測試板及一受測裝置(DUT)，該受測裝置(DUT)包括一第一表面及與該第一表面相對之第二表面以及與該第一表面毗鄰安置之複數個電性接點；(b)在該受測裝置(DUT)之第一表面上施加吸力，以使得DUT之電 性接點與該測試板電連接；及(c)提供一子系統，其中該子系統包括一中間設備及一升頻/降頻轉換器，該中間設備與該受測裝置(DUT)通信，該升頻/降頻轉換器電連接至該中間設備及一測試器，且該升頻/降頻轉換器用於降低或提高一信號之頻率。
1‧‧‧測試裝置
1a‧‧‧測試裝置
1b‧‧‧測試裝置
1c‧‧‧測試裝置
1d‧‧‧測試裝置
1e‧‧‧測試裝置
1g‧‧‧測試裝置
2‧‧‧裝置托座
2a‧‧‧裝置托座
2b‧‧‧裝置托座
2c‧‧‧裝置托座
2e‧‧‧裝置托座
2g‧‧‧裝置托座
3‧‧‧測試系統
3'‧‧‧測試系統
3a‧‧‧測試系統
3b‧‧‧測試系統
3c‧‧‧測試系統
3e‧‧‧測試系統
3f‧‧‧測試系統
3g‧‧‧測試系統
4‧‧‧受測裝置(DUT)
4a‧‧‧受測裝置(DUT)
4b‧‧‧受測裝置(DUT)
4c‧‧‧受測裝置(DUT)
7‧‧‧子系統
7a‧‧‧子系統
10‧‧‧空氣
12‧‧‧測試基座
12a‧‧‧測試基座
12d‧‧‧測試基座
14‧‧‧吸收體
14a‧‧‧吸收體
21‧‧‧承接部分
21b‧‧‧承接部分
22‧‧‧延伸部分
22b‧‧‧延伸部分
23‧‧‧容納空間
23b‧‧‧容納空間
23e‧‧‧容納空間
24‧‧‧上開口
25‧‧‧支撐柱
30‧‧‧搬運臂
30'‧‧‧搬運臂
32‧‧‧夾頭
34‧‧‧頂部電路板
35‧‧‧連接基座
36‧‧‧頂部吸收體
38‧‧‧測試器
41‧‧‧第一表面
42‧‧‧第二表面
43‧‧‧基板
44‧‧‧電氣元件
45‧‧‧封裝體
46‧‧‧天線
47‧‧‧側表面
50‧‧‧底部電路板
50'‧‧‧底部電路板
52‧‧‧板加強件
61‧‧‧第一量測模組
61a‧‧‧第一量測模組
62‧‧‧第二量測模組
62a‧‧‧第二量測模組
63‧‧‧第三量測模組
63a‧‧‧第三量測模組
64‧‧‧第四量測模組
64a‧‧‧第四量測模組
65‧‧‧第五量測模組
65a‧‧‧第五量測模組
71‧‧‧中間設備
71a‧‧‧中間設備
72‧‧‧升頻/降頻轉換器
80‧‧‧氣流
82‧‧‧連接器
84‧‧‧電連接元件
86‧‧‧轉接板
88‧‧‧電連接元件
121‧‧‧側壁
121a‧‧‧側壁
122‧‧‧底壁
122a‧‧‧底壁
123‧‧‧傳播空間
123a‧‧‧傳播空間
124‧‧‧內表面
124a‧‧‧內表面
125‧‧‧頂部開口
127‧‧‧狹槽
127a‧‧‧狹槽
128‧‧‧通氣口
129‧‧‧測試基座
130‧‧‧容納空間
141‧‧‧第一開口
141a‧‧‧第一開口
142‧‧‧第二開口
142a‧‧‧第二開口
143‧‧‧第三開口
143a‧‧‧第三開口
144‧‧‧第四開口
144a‧‧‧第四開口
145‧‧‧第五開口
146‧‧‧通氣口
211‧‧‧第一信號傳輸部分
211b‧‧‧第一信號傳輸部分
212‧‧‧第二信號傳輸部分
212b‧‧‧第二信號傳輸部分
221b‧‧‧第一部分
222b‧‧‧第二部分
321‧‧‧吸力
341‧‧‧第一端子
351‧‧‧測試探針
381‧‧‧第三端子
382‧‧‧數位信號處理器(DSP)電路
383‧‧‧電源供應器
384‧‧‧測試電腦
431‧‧‧電性接點
432‧‧‧自由區域
461‧‧‧第一輻射源/接收器
462‧‧‧第二輻射源/接收器
463‧‧‧第三輻射源/接收器
464‧‧‧第四輻射源/接收器
465‧‧‧第五輻射源/接收器
501‧‧‧第二端子
502‧‧‧孔
502a‧‧‧孔
611‧‧‧內表面
611a‧‧‧第一表面
612‧‧‧第一天線
621‧‧‧內表面
621a‧‧‧第二表面
622‧‧‧第二天線
631‧‧‧內表面
631a‧‧‧第三表面
632‧‧‧第三天線
641‧‧‧第四表面
641a‧‧‧第四表面
642‧‧‧第四天線
651a‧‧‧第五表面
652‧‧‧第五天線
661‧‧‧第一連接器
661a‧‧‧第一連接器
662‧‧‧第二連接器
662a‧‧‧第二連接器
663‧‧‧第三連接器
663a‧‧‧第三連接器
664‧‧‧第四連接器
665‧‧‧第五連接器
671‧‧‧第一固定蓋
672‧‧‧第二固定蓋
673‧‧‧第三固定蓋
674‧‧‧第四固定蓋
675‧‧‧第五固定蓋
710‧‧‧開關控制電路
710a‧‧‧功率組合器電路
711‧‧‧第一輸入埠
712‧‧‧第二輸入埠
713‧‧‧第三輸入埠
714‧‧‧第四輸入埠
715‧‧‧第五輸入埠
716‧‧‧輸出埠
1211‧‧‧上部表面
1211a‧‧‧上部表面
1261‧‧‧第一容納開口
1261a‧‧‧第一容納開口
1262‧‧‧第二容納開口
1262a‧‧‧第二容納開口
1263‧‧‧第三容納開口
1263a‧‧‧第三容納開口
1264‧‧‧第四容納開口
1264a‧‧‧第四容納開口
1265‧‧‧第五容納開口
1265a‧‧‧第五容納開口
1291‧‧‧側壁
1292‧‧‧底壁
2111‧‧‧側向開口
2112‧‧‧第一條帶部分
2121‧‧‧下部開口
2121b‧‧‧下部開口
2122‧‧‧第二條帶部分
當與附圖一起閱讀時，可自以下詳述描述容易理解本新型之一些實施例之態樣。應注意，各種結構可能並未按比例繪製，且為論述的清晰性可任意增加或減小各種結構之尺寸。
圖1說明根據本新型之一些實施例之測試裝置的剖面圖。
圖2說明圖1中所展示之測試裝置的俯視圖。
圖3說明圖1之測試裝置之裝置托座的剖面圖。
圖4說明圖3中所展示之裝置托座的立體圖。
圖5說明根據本新型之一些實施例之裝置托座的剖面圖。
圖6說明圖5中所展示之裝置托座的立體圖。
圖7說明圖1之測試裝置之測試基座的立體圖，其中省略第一連接器、第二連接器及第三連接器。
圖8說明圖7之測試基座的分解視圖。
圖9說明根據本新型之一些實施例之測試系統的剖面圖。
圖10說明根據本新型之一些實施例之DUT的立體圖。
圖11根據本新型的一些實施例說明測試方法之實例之一或複數個階段。
圖12根據本新型的一些實施例說明測試方法之實例之一或複數個階段。
圖13說明執行根據本新型之一些實施例之測試系統之第一操作方法及第二操作方法的示意性電路圖。
圖14說明執行根據本新型之一些實施例之測試系統之第三操作方法的示意性電路圖。
圖15說明執行根據本新型之一些實施例之測試系統之第四操作方法的示意性電路圖。
圖16說明根據本新型之一些實施例之測試系統的示意圖。
圖17說明根據本新型之一些實施例之測試系統的剖面圖。
圖18為圖17之測試系統的分解剖面圖。
圖19為說明圖17及圖18之測試裝置的分解立體圖。
圖20說明根據本新型之一些實施例之測試系統的剖面圖。
圖21說明圖20之裝置托座的立體圖。
圖22說明根據本新型之一些實施例之測試系統的剖面圖。
圖23說明圖22之裝置托座的立體圖。
圖24說明根據本新型之一些實施例之測試系統的剖面圖。
圖25說明根據本新型之一些實施例之測試系統的剖面圖。
圖26說明根據本新型之一些實施例之DUT的立體圖。
圖27說明根據本新型之一些實施例之DUT的底部立體圖。
圖28說明根據本新型之一些實施例之DUT的底部立體圖。
圖29說明根據本新型之一些實施例之測試系統的剖面圖。
圖30說明根據本新型之一些實施例之測試系統的剖面圖。
相關申請案交叉參考
本申請案主張於2017年11月28日提出申請之美國臨時專利申請案第62/591,674號及2018年11月08日提出申請之美國正式專利申請案第16/184,879號之優先權，該美國臨時專利申請案及正式專利申請案特此以全文引用的方式明確併入本文中。
貫穿圖式及詳細描述使用共用參考編號來指示相同或類似組件。本新型之實施例自結合附圖進行之以下詳細描述將更容易理解。
以下揭露內容提供用於實施所提供標的物之不同特徵的諸多不同實施例或實例。下文描述組件及配置之特定實例以揭示本新型之某些態樣。當然，此等僅為實例且並不意欲為限制性。舉例而言，在隨後描述中將第一特徵形成於第二特徵上方或其上可包含括其中第一特徵與第二特徵以直接接觸方式形成或安置的實施例，且亦可包括其中可在第一特徵與第二特徵之間形成或安置額外特徵使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸的實施例。另外，本新型可在本文中所提供之各種實例中重複參考編號及/或字母。此重複係出於簡約及清楚之目的且自身並不指示所論述之各種實施例及/或組態之間的關係。
在比較性測試程序中，受測裝置(device under test，DUT)可具有第一表面及與第一表面相對之第二表面。DUT可包括複數個焊料凸塊及天線。焊料凸塊可安置於第一表面上，且天線可安置於第二表面上。在測試程序期間，測試夾具(testing fixture)自DUT之第二表面拾取(picks up)DUT。因此，測試夾具之硬材料(例如金屬材料)可能會接觸第二表面上之天線。因此，會不利地影響天線之效率(例如經由天線之變形)。
若DUT包括複數個天線，則DUT之天線可自不同方向發射信號。然而，用於自DUT之天線接收信號之測試天線可位於固定位置處。 因此，在測試過程中，測試夾具與DUT可旋轉360度，以使得來自DUT之所有信號可由測試天線接收。設計此測試夾具可能為困難的。另外，若DUT為具有25GHz至80GHz之頻率之射頻(RF)AiP以降低自天線至可由測試器測試之頻率之高頻信號的頻率。升頻/降頻轉換器之數量等於天線之數量。因此，若DUT包括複數個天線，則需要相同數量之升頻/降頻轉換器。因此，增加測試成本。
本新型提供在批量生產期間用於生產線之測試裝置。在一些實施例中，測試裝置包括第一傳輸介質及安置在測試基座之傳播空間中之第二傳輸介質。本新型之至少一些實施例提供測試方法，該測試方法在DUT之第一表面上提供吸力，以使得DUT之第一表面上之電性接點電連接至測試板。
圖1說明根據本新型之一些實施例之測試裝置1的剖視圖。圖2說明圖1中所展示之測試裝置1的俯視圖。應注意的是，圖1為沿著圖2中線I-I的剖視圖。測試裝置1包括測試基座(testing socket)12、第一傳輸介質(first transmission medium)(包括例如裝置托座(device holder)2)、第二傳輸介質(包括例如空氣10)、吸收體(absorber)14、複數個量測模組(measurement modules)(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62及第三量測模組63)。
測試基座12界定傳播空間(radiation space)123、頂部開口125及複數個容納開口(accommodating openings)(包括例如第一容納開口1261、第二容納開口1262及第三容納開口1263)。傳播空間123位在頂部開口125與容納開口(包括例如第一容納開口1261、第二容納開口1262及第三容納開口1263)之間。傳播空間123、頂部開口125及容納開口(包括例 如第一容納開口1261、第二容納開口1262及第三容納開口1263)彼此連通。在一些實施例中，測試基座12包括一或多個側壁121(例如，四個側壁121)及底壁122。側壁121之相應頂部部分可界定頂部開口125。側壁121可連接至底壁122以界定傳播空間123。側壁121中之每一者可界定容納開口(包括例如第一容納開口1261及第二容納開口1262)。底壁122可界定容納開口(包括例如第三容納開口1263)。側壁121(例如，四個側壁121)中之每一者及底壁122具有內表面124。因此，側壁121(例如四個側壁121)及底壁122之內表面124界定傳播空間123。
如圖1中所展示，第一容納開口1261及第二容納開口1262可位於側壁121之頂部，且可貫穿側壁121。第三容納開口1263可位於底壁122之中心且可貫穿底壁122。頂部開口125之寬度大於第三容納開口1263之寬度(例如，大約2倍或更大，大約4倍或更大，或大約6倍或更大)。在一些實施例中，側壁121及底壁122為各自獨立的壁，其藉由例如螺絲組裝在一起。在一些實施例中，側壁121及底壁122可一體成形為單體式結構。另外，測試基座12可進一步在側壁121之頂部(例如，上部表面1211)中界定複數個狹槽127，用於接納裝置托座2之延伸部分22。
吸收體14安置在測試基座12之側壁121(例如四個側壁121)及底壁122之內表面124以界定傳播空間123。如圖1中所展示，吸收體14界定對應於測試基座12之容納開口之複數個開口。例如，吸收體14界定第一開口141、第二開口142及第三開口143。第一開口141之位置對應於第一容納開口1261，且第一開口141之大小(或寬度)基本上等於第一容納開口1261之大小(或寬度)。第二開口142之位置對應於第二容納開口1262，且第二開口142之大小(或寬度)基本上等於第二容納開口1262之尺 寸(或寬度)。第三開口143之位置對應於第三容納開口1263，且第三開口143之大小(或寬度)基本上等於第三容納開口1263之大小(或寬度)。
吸收體14可為電磁波吸收材料(諸如其中分散有金屬顆粒之聚合物)，且可形成為板狀。吸收體14藉由例如黏附附接在測試基座12之內表面124上。因此，測試基座12之內表面124(具有吸收體14)為波吸收表面(wave absorbing surface)。在一實施例中，吸收體14可藉由例如塗覆(coating)形成在測試基座12之內表面124上。吸收體14可吸收具有頻率為25GHz至80GHz之電磁波。
第一傳輸介質(包括例如裝置托座2)及第二傳輸介質(包括例如空氣10)安置在測試基座12的傳播空間123中。第一傳輸介質(包括，例如，裝置托座2)用於支撐受測裝置(DUT)4(圖9)。在一實施例中，第一傳輸介質可為裝置托座2，第二傳輸介質可以是空氣10。因此，第一傳輸介質(例如，裝置托座2)的介電常數(dielectric constant,Dk)不同於第二傳輸介質(例如，空氣10)的介電常數(Dk)。例如，第一傳輸介質(例如，裝置托座2)的介電常數(Dk)可為約1.0法拉/米(F/m)至約6.0F/m，且裝置托座2之材料可為例如塑膠、木材、丙烯酸或氣凝膠。第二傳輸介質(例如，空氣10)之介電常數(Dk)可為約1.0。在一些實施例中，第一傳輸介質(例如，裝置托座2)之介電常數(Dk)可為非常接近於第二傳輸介質(例如，空氣10)之介電常數(Dk)。或者，第一傳輸介質(例如，裝置托座2)之介電常數(Dk)可為基本上等於第二傳輸介質(例如，空氣10)之介電常數(Dk)。
裝置托座2安置在傳播空間123，且由測試基座12所支撐。如圖1中所展示，裝置托座2包括承接部分21及延伸部分22。承接部分21界定用於容納DUT 4之容納空間23(見圖9)。延伸部22自承接部分21延伸 至測試基座12之上部表面1211。在一些實施例中，延伸部分22可定位在測試基座12之側壁121之狹槽127中。如圖1及圖2所展示，裝置托座2安置在傳播空間123中，使得容納空間23由吸收體14環繞，且量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62及第三量測模組63)面向裝置托座2之容納空間23。
另外，裝置托座2之承接部分21界定上開口24。裝置托座2之上開口24對應於測試基座12之第一開口125。另外，裝置托座2之承接部分21包括至少一或多個第一信號傳輸部分(first signal transnission portions)211及第二信號傳輸部分212。第一信號傳輸部分211連接至第二信號傳輸部分212，且第一信號傳輸部分211及第二信號傳輸部分212連接在一起而界定容納空間23。第二信號傳輸部分212與上開口24相對。如圖1及圖2中所展示，裝置托座2之承接部分21包括分別對應於承接部分21之四個側向(lateral sides)之四個第一信號傳輸部分211。第二信號傳輸部分212對應於承接部分21之底側。另外，延伸部分22自第一信號傳輸部分211延伸至測試基座12之上部表面1211。在一實施例中，裝置托座2可藉由射出成型而形成。
量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62及第三量測模組63)安置在側壁121及底壁122之容納開口之各別一者中。例如，第一量測模組61安置在第一容納開口1261中，第二量測模組62安置在第二容納開口1262中，且第三量測模組63安置在第三容納開口1263中。亦即，量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62及第三量測模組63)附接至測試基座12上。另外，量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62及第三量測模組63)中之每一者可包括發射器/接收 器(emitter/receiver)，其自吸收體14之開口(例如，第一開口141、第二開口142或第三開口143)暴露且面向裝置托座2之承接部分21。在一實施例中，量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62及第三量測模組63)為無線電單元(radio units)或天線類型(antenna types)。量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62及第三量測模組63)之發射器/接收器為天線。如圖1中所展示，第一量測模組61具有內表面611且包括經安置毗鄰內表面611之第一天線612。第一量測模組61之內表面611可與側壁121之內表面124基本上共面。第一量測模組61之第一天線612可自吸收體14之第一開口141暴露。類似地，第二量測模組62具有內表面621且包括經安置毗鄰於內表面621之第二天線622。第二量測模組62之內表面621可與側壁121之內表面124基本上共面。第二量測模組62之第二天線622可自吸收體14之第二開口142暴露。類似地，第三量測模組63具有內表面631且包括經安置毗鄰於內表面631之第三天線632。第三量測模組63之內表面631可與底壁122之內表面124基本上共面。第三量測模組63之第三天線632可自吸收體14之第三開口143暴露。
如圖1中所展示，測試裝置1可進一步包括第一連接器(first connector)661、第二連接器662、第三連接器663、第一固定蓋(first fixing cover)671、第二固定蓋672及第三固定蓋673。第一連接器661電連接至第一量測模組61。第二連接器662電連接至第二量測模組62。第三連接器663電連接至第三量測模組63。例如，第一連接器661、第二連接器662及第三連接器663可為側壁121及底壁122中之同軸電纜(coaxial cable)、軟性印刷電路(flexible printed circuit,FPC)或導電通孔(conductive via)。另外，第一固定蓋671之大小大於第一容納開口1261之 大小，使得第一固定蓋671附接至側壁121之外表面，以覆蓋並固定第一量測模組61。第二固定蓋672之大小大於第二容納開口1262之大小，使得第二固定蓋672附接至側壁121之外表面以覆蓋並固定第二量測模組62。第三固定蓋673之大小大於第三容納開口1263之大小，使得第三固定蓋673附接至底壁122之外表面以覆蓋並固定第三量測模組63。
圖3說明圖1之測試裝置1之裝置托座2的剖視圖。圖4說明圖3中所展示之裝置托座2的立體圖。裝置托座2可包括複數個條帶或棒，且可為一體成型而形成單體式結構。在一些實施例中，裝置托座2之材料可為例如塑膠、木材、丙烯酸或氣凝膠。承接部分21之第一信號傳輸部分211界定側向開口2111，且包括側向開口2111及第一條帶部分2112。承接部分21之第二信號傳輸部分212界定下部開口2121，且包括下部開口2121及第二條帶部分2122。第二條帶部分2122可托住DUT 4之底部邊緣(參見圖9)。因此，裝置托座2之容納空間23經由下部開口2121及側向開口2111而與測試基座12(參見圖1)之傳播空間123連通。圖3及圖4之裝置托座2可被稱作為「網袋類型」。
圖5說明根據本新型之一些實施例之裝置托座2a的剖視圖。圖6說明圖5中所展示之裝置托座2a的立體圖。裝置托座2a類似於圖3及圖4中所展示之裝置托座2，但不同處如下。如圖5及圖6中所展示，第一信號傳輸部分211可包括第一信號傳輸部211a，且第一信號傳輸部分211a之第一條帶部分2112a朝向側向開口2111a延伸。因此，圖5及圖6之第一信號傳輸部分211a之側向開口2111a之大小小於圖3及圖4之第一信號傳輸部分211之側向開口2111之大小。延長之第一條帶部分2112a可托住DUT4之側表面47。
圖7說明圖1之測試裝置1之測試基座12的立體圖，其中省略第一連接器661、第二連接器662及第三連接器663。圖8說明圖7之測試基座12的分解視圖。測試基座12可包括四個側壁121及底壁122。側壁121之頂部部分可界定頂部開口125。側壁121可連接至底壁122以界定傳播空間123。側壁121及底壁122中之每一者具有內表面124，且界定容納開口(包括例如第一容納開口1261、第二容納開口1262、第三容納開口1263、第四容納開口1264及第五容納開口1265)。傳播空間123、頂部開口125及容納開口(包括第一容納開口1261、第二容納開口1262、第三容納開口1263、容納開口1264及第五容納開口1265)彼此連通。因此，側壁121及底壁122之內表面124界定傳播空間123。在一些實施例中，側壁121及底壁122為各自獨立的壁，該等壁藉由例如螺絲組裝在一起。在一些實施例中，側壁121及底壁122可一體成形為單體式結構。另外，測試基座12可進一步在側壁121之頂部(例如，上部表面1211)界定複數個狹槽127，用於接納裝置托座2之延伸部分22。
吸收體14藉由例如黏附而安置在測試基座12之側壁121及底壁122之內表面124以界定傳播空間123。吸收體14界定對應於測試基座12之容納開口的複數個開口。例如，吸收體14界定第一開口141、第二開口142、第三開口143、第四開口144及第五開口145。第一開口141、第二開口142、第三開口143、第四開口144及第五開口145之位置分別對應於第一容納開口1261、第二容納開口開口1262、第三容納開口1263、第四容納開口1264及第五容納開口1265。第一開口141、第二開口142、第三開口143、第四開口144及第五開口145之大小(或寬度)基本上等於第一容納開口1261、第二開口容納開口1262、第三容納開口1263、第四容納開 口1264及第五容納開口1265之大小(或寬度)。
量測模組(包括，例如，第一量測模組61，第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)安置在側壁121及底壁122之容納開口(包含例如第一容納開口1261、第二容納開口1262、第三容納開口1263、容納開口1264及第五容納開口1265)之各別者。另外，量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)中之每一者可包括發射器/接收器(亦即，天線)，其自吸收體14之開口(例如，第一開口141、第二開口142、第三開口143、第四開口144及第五開口145)暴露，且面向裝置托座2之承接部分21。
如圖1及圖8中所展示，測試裝置1可進一步包括第一固定蓋671、第二固定蓋672、第三固定蓋673、第四固定蓋674及第五固定蓋675。第一固定蓋671、第二固定蓋672、第三固定蓋673、第四固定蓋674及第五固定蓋675附接至側壁121及底壁122之外表面，以分別覆蓋及固定第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65。
圖9說明根據本新型之一些實施例之測試系統3的剖視圖。圖10說明根據本新型之一些實施例之DUT 4的立體圖。測試系統3包括測試裝置1、DUT 4、頂部電路板34(例如，測試板(test board))、搬運臂(handler arm)30、夾頭(chuck)32、連接基座(connecting socket)35、頂部吸收體36、測試器(tester)38、底部電路板50(例如，負載板(load board))、板加強件(board stiffener)52、數位信號處理器(digital signal processor,DSP)電路382及子系統(sub-system)7。圖9之測試裝置1與圖1 及圖2之測試裝置1相同，且包括測試基座12及裝置托座2。
DUT 4安置在裝置托座2之容納空間23中，且DUT 4包括至少一個輻射源(radiation source)(亦即，信號發射源(signal emission source))，其對應於第一信號傳輸部分211及第二信號傳輸部分212至少一者。輻射源(亦即，信號發射源)可具有發射/接收信號之功能。在一些實施例中，DUT 4可為封裝結構，且可具有第一表面41、與第一表面41相對之第二表面42，以及複數個側表面47。DUT 4可包括基板43、至少一個電氣元件44、封裝體45及天線46。因此，DUT 4為具有天線之封裝結構(antenna in package,AiP)。例如，DUT 4可為無線模組，諸如毫米波無線模組(mmWave wireless module)。在一實施例中，DUT 4可為具有25GHz至80GHz或30GHz至80GHz之射頻(radio frequency,RF)AiP。
基板43經安置毗鄰於第一表面41，且包括經安置毗鄰於其上部表面(亦即亦即，第一表面41)之複數個電性接點431(例如，焊料球或焊料凸塊)。電氣元件44，諸如半導體晶粒及/或被動元件，電連接至基板43之下部表面。封裝體45，諸如模塑料(molding compound)，覆蓋基板43之下部表面及電氣元件44。天線46嵌入或安置在封裝體45上。亦即，天線46安置在DUT 4之第二表面42附近。天線46為輻射源(亦即，信號發射源)。天線46之底部可自DUT 4之第二表面42暴露，且天線46之側部之部分可自DUT 4之側表面47暴露。因此，DUT 4之側表面47可為對應於裝置托座2之第一信號傳輸部211及第一量測模組61及第二量測模組62之輻射源(亦即，信號發射源)。DUT 4之第二表面42可為對應於裝置托座2之第二信號傳輸部分212及第三量測模組63之輻射源(亦即，信號發射源)。如圖9中所展示，天線46可面向下。天線46之側部分之部分自裝置托座2 之第一信號傳輸部分211之側向開口2111暴露，且天線46之底部之部分自裝置托座2之第二信號傳輸部分212之下部開口2121暴露。
參考圖10，DUT 4之天線46之圖案可包括第一輻射源/接收器461(亦被稱作為「埠1」)、第二輻射源/接收器462(亦被稱作為「埠2」)、第三輻射源/接收器463(亦被稱作為「埠3」)、第四輻射源/接收器464(亦被稱作為「埠4」)及第五輻射源/接收器465(亦被稱作為「埠5」)。第一輻射源/接收器461(亦被稱作為「埠1」)、第二輻射源/接收器462(亦被稱作為「埠2」)、第四輻射源/接收器464(亦被稱作為「埠4」)及第五輻射源/接收器465(亦被稱作為「埠5」)經安置毗鄰於DUT 4之側表面47。第三輻射源/接收器463(亦被稱作為「埠3」)經安置毗鄰於DUT 4之第二表面42。參考圖9，第一量測模組61之第一天線612可接收來自DUT 4之天線46之第一輻射源/接收器461之射頻信號，或可將射頻信號發射至DUT 4之天線46的之第一輻射源/接收器461。第二量測模組62之第二天線622可接收來自DUT 4之天線46之第二輻射源/接收器462之射頻信號，或可將射頻信號發射至DUT 4之天線46之第二輻射源/接收器462。第三量測模組63之第三天線632可接收來自DUT 4之天線46之第三輻射源/接收器463之射頻信號，或可將射頻信號發射至DUT 4之天線46之第三輻射源/接收器463。另外，第四量測模組64(圖7及圖8)之第四天線642可接收來自DUT 4之天線46之第四輻射源/接收器464(圖10)之射頻信號，或可將射頻信號發射至DUT 4之天線46之第四輻射源/接收器464。第五量測模組65之第五天線652(圖8)可接收來自DUT 4之天線46之第五輻射源/接收器465之射頻信號，或可將射頻信號發射至DUT 4之天線46之第五輻射源/接收器465。亦即，量測模組(包括，例如，第一量測模組61、第二量測模組 62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)分別對應於輻射源/接收器中之各別者(包含，例如，第一輻射源/接收器461、第二輻射源/接收器462、第三輻射源/接收器463、第四輻射源/接收器464及第五輻射源/接收器465)且與其進行通信。
參見圖9，頂部吸收體36安置在測試夾具11之測試基座12之頂部(例如，上部表面1211)上，且安置在裝置托座2之延伸部分22上。或者，頂部吸收體36可附接至頂部電路板34之底部表面。頂部吸收體36之材料可與吸收體14之材料相同或不同。頂部電路板34(例如，印刷電路板(PCB))安置在測試基座12之第一開口125上方，且電連接至DUT 4。在一實施例中，頂部電路板34經由夾頭32附接至搬運臂30。夾頭32可用於施加吸力至DUT 4。在一實施例中，頂部電路板34包括第一端子(first terminal)341。裝置托座2之延伸部分22之一部分安置在測試基座12與頂部電路板34之間。
連接基座35附接至頂電路板34之下表面，且包括複數個測試探針(testing probes)351。測試探針351之一端用於接觸DUT 4之電性接點431，且測試探針351之另一端用於接觸頂部電路板34。當夾頭32吸住DUT 4之第一表面41時，DUT 4可經由電性接點431及測試探針351電連接至頂部電路板34。
測試器38、DSP電路382、子系統7、底部電路板50及板加強件52安置在測試裝置1下面。板加強件52安置在測試器38上且用於支撐底部電路板50。亦即，底部電路板50經由板加強件52由測試器38支撐。測試裝置1安置在底部電路板50上。因此，底部電路板50安置在測試裝置1與測試器38之間。底部電路板50界定孔502用於接納第三固定蓋673。然 而，在一實施例中，第三固定蓋673及孔502可省略。另外，底部電路板50可包括第二端子501。在一些實施例中，底部電路板50可經由第一端子341及第二端子501電連接至頂部電路板34。在一些實施例中，底部電路板50可電連接至測試器38。
測試器38包括第三端子381、電源供應器383及測試電腦384。測試器38可經由第三端子381及第一端子341電連接至頂部電路板34。此外，測試器38可經由第三端子381及第二端子501電連接至底部電路板50。電源供應器383及測試電腦384電連接至頂部電路板34以控制DUT 4。測試電腦384可包括處理器，且可執行寫入在機器可讀媒體(machine-readable medium)上之指令，該等指令在由處理器執行時，致使處理器執行本文中所描述之程序，例如分析電磁信號。子系統7可經由DSP電路382電連接至測試器38。子系統7包括中間設備(intermediate apparatus)71及升頻/降頻轉換器(up/down converter)72。升頻/降頻轉換器72電連接至中間設備71，且經由DSP電路382電連接至測試器38。升頻/降頻轉換器72用於降低或升高信號之頻率。中間設備71與DUT 4通信。在一實施例中，中間設備71經由第一連接器661電連接至第一量測模組61，經由第二連接器662電連接至第二量測模組62，且經由第三連接器663電連接至第三量測模組63。另外，中間設備71經由第四連接器664(圖13)電連接至第四量測模組64，且經由第五連接器665(圖13)電連接至第五量測模組65。
在圖9所說明之實施例中，測試系統3可測試DUT 4之發射功能及/或接收功能。例如，在第一測試模式下，測試DUT 4之發射功能。測試器38控制DUT 4以發射高頻波(例如，具有毫米量級之波長毫米 波)。自DUT 4發射之高頻波可通過裝置托座2之第一信號傳輸部分211及/或第二信號傳輸部分212，且然後由量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)接收。然後，來自量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)之信號可藉由升頻/降頻轉換器72降低至中間頻率。最後，測試器38可根據來自DSP電路382及升頻/降頻轉換器72之信號之分析來判定DUT 4是否達成所要的發射功能。另外，在第二測試模式下，測試DUT 4之接收功能。測試器38藉由升頻/降頻轉換器72將中頻信號處理成高頻信號。然後，測試器38控制量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)發射高頻波(例如，毫米波)。自量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)發射之高頻波可通過裝置托座2之第一信號傳輸部分211及/或第二信號傳輸部分212，然後由DUT 4接收。最後，測試器38可根據來自DUT 4之信號之分析來判定DUT 4是否達成所要的接收功能。
因此，波可在空中傳輸(例如，僅在空中傳播)。因此，裝置托座2之材料可基本上不影響測試結果，以使得裝置托座2之材料可以不是測試過程之重要環境變數。另外，在傳播空間123中傳輸之所有波可由量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組6)或DUT 4接收，此歸因於吸收體14及頂部吸收體36之設計。因此，測試裝置1之大小可減小到X＊X＊X尺寸，其中X為，例如，約30cm或更少，約10cm或更少，或約5cm或更小。測 試裝置1的尺寸不需要彼此相等。另外，與比較性測試方法相比，此測試方法可在更少時間中執行。因此，此測試裝置1可在批量生產期間用於生產線。此外，在測試過程中，DUT 4不需要旋轉360度，因此，測試裝置1可更容易地設計及製造。另外，DUT 4之天線46之複數個輻射源/接收器之測試過程可僅藉由一個升頻/降頻轉換器72執行，因此降低測試成本。
圖11至圖15說明根據本新型之一些實施例的測試方法。參考圖11，提供DUT 4、頂部電路板34(例如，測試板)、搬運臂30、夾頭32、連接基座35及頂部吸收體36。在一些實施例中，DUT 4可為封裝結構，且可具有第一表面41、與第一表面41相對之第二表面42，以及複數個側表面47。DUT 4可包括基板43，至少一個電氣元件44、封裝體45及天線46。基板43經安置毗鄰於第一表面41，且包括經安置毗鄰於DUT 4之上部表面(例如，第一表面41)之自由區域432及複數個電性接點431(例如，焊料球或焊料凸塊)。自由區域432位在基板43之上部表面上(例如，DUT 4之第一表面41)，且無任何電性接點。因此，自由區域432為用於供夾頭32接觸之區域。電子元件44，諸如半導體晶粒或被動元件，電連接至基板43之下表面。封裝體45，例如模塑料，覆蓋基板43及電氣元件44之下部表面。天線46嵌入在封裝體45中或安置在其上。亦即，天線46安置在DUT 4之第二表面42附近。天線46之底部可自DUT 4之第二表面42暴露，且天線46之側部分之部分可自DUT 4之側表面47暴露。如圖11中所展示，天線46可面向下。在一項實施例中，如圖10中所展示，天線46之圖案可包括第一輻射源/接收器461(亦被稱作為「埠1」)，第二輻射源/接收器462(亦被稱作為「埠2」)，第三輻射源/接收器463(亦被稱作為「埠3」)，第四輻射源/接收器464(亦被稱作為「埠4」)及第五輻射源/接收器 465(亦被稱作為「埠5」)。
頂部電路板34通過夾頭32附接至搬運臂30。夾頭32用於對DUT 4施加吸力。連接基座35附接至頂電路板34之下表面，且包括複數個測試探針351。然後，夾頭32在DUT 4之第一表面41之自由區域432上提供吸力321。因此，夾頭32吸住DUT 4之第一表面41，且DUT 4之電性接點431可經由測試探針351電連接至頂部電路板34。
參考圖12，提供測試基座12及量測模組(包括，例如，第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測提供模組65)(參見圖1、圖7及圖8)。然後，裝置托座2(參考圖1至圖4)經提供以安置在測試基座12之第一開口125中，以使得裝置托座2安置在傳播空間123中，且由測試基座12支撐。在一些實施例中，延伸部分22可定位在測試基座12之側壁121之狹槽127中或與之耦合。同時，獲得測試裝置1(參考圖1)。
測試器38、DSP電路382、子系統7、底部電路板50及板加強件52經提供以安置在測試裝置1下面。板加強件52安置在測試器38上，且用於支撐底部電路板50。在一些實施例中，底部電路板50可經由第一端子341及第二端子501電連接至頂部電路板34。在一些實施例中，底部電路板50可經由第三端子381及第二端子501電連接至測試器38。測試器38包括電源供應器383及測試電腦384。測試器38可經由第三端子381及第一端子341電連接至頂電路板34。子系統7可經由DSP電路382電連接至測試器38。子系統7包括中間設備71及升頻/降頻轉換器72。升頻/降頻轉換器72電連接至中間裝置71且經由DSP電路382電連接至測試器38。在一實施例中，中間設備71經由第一連接器661電連接至第一量測模組61，且經 由第二連接器662電連接至第二量測模組62，且經由第三連接器663電連接至第三量測模組63。另外，中間設備71經由第四連接器664與第四量測模組64電連接(圖13)，且經由第五連接器665(圖13)電連接至第五量測模組65。
然後，DUT 4、頂部電路板34、搬運臂30、夾頭32、連接基座35及頂部吸收體36之組合件向下方移動。因此，如圖9中所展示，DUT 4可安置在測試基座12上之裝置托座2之承接部分21中。裝置托座2容納DUT 4之下部表面(例如，第二表面42)及DUT 4之側表面47。同時，中間設備71與DUT 4通信，此係因為量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)分別面向天線46之圖案(包括例如第一輻射源/接收器461、第二輻射源/接收器462、第三輻射源/接收器463、第四輻射源/接收器464及第五輻射源/接收器465)。
圖13說明執行根據本新型之一些實施例之測試系統3之第一操作方法及第二操作方法的示意性電路圖。在圖13中所說明之實施例中，子系統7包括中間設備71及升頻/降頻轉換器72。中間設備71包括開關控制電路(switch control circuit)710，複數個輸入埠(input ports)(包括例如第一輸入埠711、第二輸入埠712、第三輸入埠713、第四輸入埠714及第五輸入埠715)以及輸出埠(output port)716。開關控制電路710可包括一或多個開關以控制輸入埠(包括例如，第一輸入埠711、第二輸入埠712、第三輸入埠713、第四輸入埠714及第五輸入埠715)與輸出埠716之間的電連接。輸入埠(包括例如，第一輸入埠711、第二輸入埠712、第三輸入埠713、第四輸入埠714及第五輸入埠715)與DUT 4通信。升頻/降頻轉換器 72經由輸出埠716電連接至中間設備71。在圖13中所說明之實施例中，輸入埠(包括例如第一輸入埠711，第二輸入埠712，第三輸入埠713，第四輸入埠714及第五輸入埠715)中僅一者經由開關控制電路710之控制而電連接至輸出埠716。
第一操作方法描述如下。例如，在第一操作方法之第一測試模式下，測試DUT 4之發射功能。底部電路板50及/或測試器38可同時控制開關控制電路710及DUT 4。當DUT 4之天線46經控制以自一個輻射源/接收器(例如，DUT 4之第一輻射源/接收器461)發射具有高頻波(例如，具有毫米量級之波長之毫米波)的信號時，底部電路板50及/或測試器38控制開關控制電路710以電連接第一輸入埠711及輸出埠716。亦即，在中間設備71中僅存在一個電連接路徑(即第一輸入埠711與輸出埠716之間)。其他輸入埠(包括例如第二輸入埠712、第三輸入埠713、第四輸入埠714及第五輸入埠715)未電連接至輸出埠716。同時，對應量測模組(亦即，第一量測模組61)將接收信號。然後，來自量測模組(亦即，第一量測模組61)之信號可藉由升頻/降頻轉換器72降低到中頻。然後，DSP電路382將來自子系統7之信號處理為數位信號，且將數位信號傳輸至測試器38。最後，測試器38可根據對來自DSP電路382及升頻/降頻轉換器72之信號之分析來判定DUT 4之第一輻射源/接收器461是否達成所要的發射功能。亦即，測試器38判定接收信號為「通過」或「失敗」。若結果為「通過」，則意味著DUT 4之第一輻射源/接收器461之發射功能為正常的(或合格的)。若結果為「失敗」，則意味著DUT 4之第一輻射源/接收器461之發射功能為異常的(或不合格的)。以相同方式，可在另一路徑(亦即，第二輸入埠712與輸出埠716之間的電連接路徑)下測試DUT 4之第二輻射源/接 收器462之發射功能。因此，可以相同方式測試DUT 4之另一輻射源/接收器(亦即，第三輻射源/接收器463，第四輻射源/接收器464及第五輻射源/接收器465)。
類似地，可藉由相反方式測試DUT 4之接收功能。亦即，在第一操作方法之第二測試模式下，測試DUT 4之接收功能，如下所示。測試器38藉由DSP電路382及升頻/降頻轉換器72將中頻信號處理成高頻信號(例如，毫米波)。然後，底部電路板50及/或測試器38控制第一量測模組61發射高頻信號。自第一量測模組61發射之頻率信號可由DUT 4之第一輻射源/接收器461接收。最後，測試器38可根據來自DUT 4之信號之分析來判定DUT 4之第一輻射源/接收器461是否達成所要的接收功能。
在圖13中所說明之實施例中，由於中間設備71之設計，僅需要一個升頻/降頻轉換器72。因此，降低測試成本。
另外，圖13中所說明之實施例可完成如下所描述之第二操作方法。例如，在第二操作方法之第一測試模式下，測試DUT 4之發射功能。底部電路板50及/或測試器38可同時控制開關控制電路710及DUT 4。當DUT 4之天線46經控制以自未知輻射源/接收器發射具有高頻波(例如，具有毫米量級之波長之毫米波)的信號時，底部電路板50及/或測試器38控制開關控制電路710用於處理輪詢操作(polling operation)。亦即，在一段時間期間，開關控制電路710依序切換所有輸入埠(包括例如第一輸入埠711、第二輸入埠712、第三輸入埠713、第四輸入埠714及第五輸入埠715)。若來自輸入埠(例如，第三輸入埠713)及其對應的量測模組(亦即，第三量測模組63)的信號為較佳的，則此輸入埠(例如，第三輸入埠713)與輸出埠716之間的電連接路徑將被固定。同時，DUT 4之未知輻射源/接收 器可經判定為DUT 4之第三輻射源/接收器463。然後，來自量測模組(亦即，第三量測模組63)之信號可藉由升頻/降頻轉換器72降低到中頻。然後，DSP電路382將來自子系統7之信號處理為數位信號，且將數位信號傳輸至測試器38。最後，測試器38可根據對來自DSP電路382及升頻/降頻轉換器72之信號之分析來判定DUT 4之第三輻射源/接收器463是否達成所要的發射功能。
類似地，可藉由相反方式測試DUT 4之第三輻射源/接收器463之接收功能。亦即，在第二操作方法之第二測試模式下，測試DUT 4之第三輻射源/接收器463之接收功能，如下所述。測試器38藉由DSP電路382及升頻/降頻轉換器72將中頻信號處理成高頻信號(例如，毫米波)。然後，底部電路板50及/或測試器38控制第三量測模組63發射高頻信號。自第三量測模組63發射之頻率信號可由DUT 4之第三輻射源/接收器463接收。最後，測試器38可根據來自DUT 4之信號之分析來判定DUT 4之第三輻射源/接收器463是否達成所要的接收功能。
另外，可以相同方式測試DUT 4之另一輻射源/接收器(亦即，第一輻射源/接收器461，第二輻射源/接收器462及第四輻射源/接收器464及第五輻射源/接收器465)之發射功能及接收功能。
圖14說明執行根據本新型之一些實施例之測試系統3之第三操作方法的示意性電路圖。圖14所展示之示意性電路圖類似於圖13中所展示之示意電路圖，且其之間的差異描述如下。在圖14中所說明之實施例中，子系統7a包括中間設備71a及升頻/降頻轉換器72。中間設備71a包括功率組合器電路(power combiner circuit)710a、輸入埠(包括例如第一輸入埠711、第二輸入埠712、第三輸入埠713、第四輸入埠714及第五輸 入埠715)及輸出埠716。所有輸入埠(包括例如第一輸入埠711、第二輸入埠712、第三輸入埠713、第四輸入埠714及第五輸入埠715經由功率組合器電路710a電連接至輸出埠716。亦即，所有輸入埠(包括例如第一輸入埠711、第二輸入埠712、第三輸入埠713、第四輸入埠714及第五輸入埠715)與輸出埠716之間的電連接路徑同時存在。
第三操作方法描述如下。例如，在第三操作方法之第一測試模式下，測試DUT 4之發射功能。底部電路板50及/或測試器38可同時控制功率組合器電路710a及DUT 4。當DUT 4之天線46經控制以自一個輻射源/接收器(例如，DUT 4之第一輻射源/接收器461)發射具有高頻波(例如，具有毫米量級之波長之毫米波)之信號時，對應量測模組(亦即，第一量測模組61)將接收信號。然後，來自量測模組(亦即，第一量測模組61)之信號可藉由升頻/降頻轉換器72降低到中頻。然後，DSP電路382將來自子系統7a之信號處理為數位信號，且將數位信號傳輸至測試器38。最後，測試器38可根據對來自DSP電路382及升頻/降頻轉換器72之信號之分析來判定DUT 4之第一輻射源/接收器461是否達成所要的發射功能。另外，可以相同方式測試DUT 4之另一輻射源/接收器(亦即，第二輻射源/接收器462，第三輻射源/接收器463及第四輻射源/接收器464及第五輻射源/接收器465)之發射功能。類似地，可藉由相反方式測試DUT 4之接收功能。
圖15說明執行根據本新型之一些實施例之測試系統3之第四操作方法的示意性電路圖。圖15所展示之示意性電路圖類似於圖14中所展示之示意電路圖，且其之間的差異描述如下。第四操作方法描述如下。例如，在第四操作方法之第一測試模式下，測試DUT 4之發射功能。底部電路板50及/或測試器38可同時控制功率組合器電路710a及DUT 4。 DUT 4之天線46經控制以同時自所有輻射源/接收器(例如，DUT 4之第一輻射源/接收器461、第二輻射源/接收器462、第三輻射源/接收器463，第四輻射源/接收器464及第五輻射源/接收器465)發射具有高頻波(例如，具有大約毫米波長之毫米波)的信號。然後，所有對應量測模組(亦即，第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)將接收信號。然後，可藉由升頻/降頻轉換器72將來自所有對應量測模組(亦即，第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)之信號降低至中間頻率。然後，DSP電路382將來自子系統7a之信號處理為數位信號並將其數位信號傳輸至測試器38。亦即，來自所有對應量測模組(亦即，第一量測模組61、第二量測模組62、第三量測模組63、第四量測模組64及第五量測模組65)之信號之功率將一起累積。最後，測試器38可根據自DSP電路382及升頻/降頻轉換器72之總信號(亦即，功率之總和)分析來判定DUT 4是否達成所要的發射功能。
與上文所提及第一操作方法、第二操作方法及第三操作方法相比，第四操作方法可減少測試時間及複雜性。然而，第四操作方法可能無法判定DUT 4之輻射源/接收器中的哪一個「通過」或「失敗」。另外，不能藉由相反方式測試DUT 4之接收功能。
圖16說明根據本新型之一些實施例之測試系統3'的示意圖。測試系統3'可包括四個DUT4、四個頂部電路板34、搬運臂30'、四個測試裝置1及底部電路板50'。DUT 4中之每一者對應於頂部電路板34中之各別一者，且四個DUT 4及四個頂部電路板34可由一個搬運臂30'處置。四個測試裝置1可安置在一個底部電路板50'上。具有四個DUT4及四個頂 部電路板34之搬運臂30'可移動以覆蓋四個測試裝置1，且DUT 4中之每一者安置在測試裝置1中之每一者中。因此，測試系統3'可提供多站點測試(multi-site testing)，且一個測試裝置1中之信號可能不會顯著影響毗鄰測試裝置1。在一些實施例中，可使用合適設備在多站點測試中測試多於四個DUT 4或少於四個DUT 4。
圖17說明根據本新型之一些實施例之測試系統3a的剖視圖。圖18說明圖17之測試系統3a的分解剖面圖。圖19說明圖17及圖18之測試裝置1a的分解立體圖。圖17及圖18之測試系統3a類似於圖9及圖12之測試系統3，除了測試裝置1a之結構之外。
參考圖19，測試裝置1a包括測試基座12a、裝置托座2、吸收體14a、複數個量測模組(包括例如第一量測模組61a、第二量測模組62a、第三量測模組63a、第四量測模組64a及第五量測模組65a)。測試基座12a界定傳播空間123a及複數個容納開口(包括例如第一容納開口1261a、第二容納開口1262a、第三容納開口1263a、第四容納開口1264a及第五容納開口1265a)。傳播空間123a及容納開口(包括例如第一容納開口1261a、第二容納開口1262a、第三容納開口1263a、第四容納開口1264a及第五容納開口1265a)彼此連通。
在一些實施例中，測試基座12a包括一或多個側壁121a(例如，四個側壁121a)及一底壁122a。側壁121a可連接至底壁122a以界定傳播空間123a。側壁121a中之每一者可界定一容納開口(包括例如第一容納開口1261a、第二容納開口1262a、第四容納開口1264a及第五容納開口1265a)。底壁122可界定一容納開口(包括例如第三容納開口1263a)。側壁121a(例如，四個側壁121a)及底壁122a中之每一者具有內表面124a。因 此，側壁121a(例如，四個側壁121a)及底壁122a之內表面124a界定傳播空間123a。
如圖19中所展示，第一容納開口1261a、第二容納開口1262a、第四容納開口1264a及第五容納開口1265a可位於側壁121a之頂部部分且可貫穿側壁121a。第三容納開口1263a可位於底壁122a之中心，且可貫穿底壁122a。在一些實施例中，側壁121a及底壁122a為各自獨立的壁，其藉由例如螺絲組裝在一起。在一些實施例中，側壁121a及底壁122a可一體成形為單體式結構。另外，測試基座12a可進一步在側壁121a之頂部(例如，上部表面1211a)中界定複數個狹槽127a，用於接納裝置托座2之延伸部分22。
吸收體14a安置在測試基座12a之側壁121a(例如，四個側壁121a)及底壁122a之內表面124a上以界定傳播空間123a。如圖19所展示，吸收體14a界定複數個開口(包括，例如，第一開口141a、第二開口142a、第三開口143a、第四開口144a及第五開口145a)，其分別對應於測試基座12a之容納開口(包括，例如，第一容納開口1261a、第二容納開口1262a、第三容納開口1263a、第四容納開口1264a及第五容納開口1265a)。吸收體14a可為電磁波吸收材料(諸如其中分散有金屬顆粒之聚合物)，且可形成為板狀。吸收體14a藉由例如黏附附接在測試基座12a之內表面124a上。因此，測試基座12a之內表面124a(具有吸收體14a)為波吸收表面。在一實施例中，吸收體14a可藉由例如塗覆形成在測試基座12a之內表面124a上。吸收體14a可吸收具有頻率為25GHz至80GHz之電磁波。
圖17至圖19之裝置托座2與圖3及圖4之裝置托座2相同。裝 置托座2安置在傳播空間123a中，且由測試基座12a支撐。在一些實施例中，裝置托座2之延伸部分22可定位在測試基座12a之側壁121a之狹槽槽127a中或與之耦合。因此，裝置托座2可安置在傳播空間123中，使得容納空間23由吸收體14a環繞，且量測模組(包括，例如，第一量測模組61a、第二量測模組62a、第三量測模組63a、第四量測模組64a及第五量測模組65a)面向裝置托座2之容納空間23。
量測模組(包括，例如，第一量測模組61a、第二量測模組62a、第三量測模組63a、第四量測模組64a及第五量測模組65a)分別安置在側壁121a及底壁122a之容納開口(例如，包括第一容納開口1261a、第二容納開口1262a、第三容納開口1263a、第四容納開口1264a及第五容納開口1265a)之各別者中。另外，量測模組(包括例如第一量測模組61a，第二量測模組62a，第三量測模組63a，第四量測模組64a及第五量測模組65a)可包括發射器/接收器表面(包括例如第一表面611a，第二表面621a，第三表面631a，第四表面641a及第五表面651a)，其從吸收體14a之開口暴露並面向裝置托座2之承接部分21。在一個實施例中，量測模組(包括例如第一量測模組61a、第二量測模組62a、第三量測模組63a、第四量測模組64a及第五量測模組65a)為波導(waveguides)或探測天線類型(probe antenna types)。
如圖17及圖18中所展示，測試裝置1a亦可進一步包括第一連接器661a、第二連接器662a、第三連接器663a、第四連接器(未展示)及第五連接器(未展示)。子系統7之中間設備71經由第一連接器661a電連接至第一量測模組61a，經由第二連接器662a電連接至第二量測模組62a，經由第三連接器663a電連接至第三量測模組63a，經由第四連接器電連接 至第四量測模組64a，且經由第五連接器電連接至第五量測模組65a。
圖17及圖18之測試系統3a之DUT 4、頂部電路板34(例如，測試板)、搬運臂30、夾頭32、連接基座35、頂部吸收體36、測試器38、底部電路板50(例如，負載板)、板加強件52、數位信號處理器(DSP)電路382及子系統7可與圖9及圖12之測試系統3之DUT 4、頂部電路板34(例如，測試板)、搬運臂30、夾頭32、連接基座35、頂部吸收體36、測試器38、底部電路板50(例如，負載板)、板加強件52、數位信號處理器(DSP)電路382及子系統7相同。
圖20說明根據本新型之一些實施例之測試系統3b的剖視圖。圖21說明圖20之裝置托座2b之立體圖。圖20之測試系統3b類似於圖9及圖12之測試系統3，除了測試裝置1b之裝置托座2b之結構之外。
裝置托座2b安置在傳播空間123中，且由測試基座12支撐。裝置托座2b包括承接部分21b及延伸部分部分22b。承接部分21界定用於接納DUT 4之容納空間23b。延伸部分22b自承接部分21b延伸至測試基座12之上部表面1211。在一些實施例中，延伸部分22b可包括第一部分221b及第二部分222b。第一部221b呈水平環形狀，且經安置在測試基座12之上部部分1211上。第二部分222b呈垂直環形狀，且經安置在吸收體14之內表面上。第二部分222b連接至第一部221b。裝置托座2b安置在傳播空間123中，以使得容納空間23b由吸收體14環繞，且量測模組(包括例如第一量測模組61、第二量測模組62及第三量測模組63)面向裝置托座2b之容納空間23b。
另外，裝置托座2b之承接部分21b包括至少一或多個周邊部分211b及至少一或多個支撐部分212b。周邊部分211b連接至延伸部分 22b之第二部分222b。在一個實施例中，周邊部分211b可為界定容納空間23b及下部開口2121b之四個傾斜側壁。支撐部分212b可為連接至周邊部分211b之底部部分之四個水平墊。因此，支撐部分212b可安置在下部開口2121b之四個角處用於支撐DUT 4之四個底部角落。在一實施例中，裝置托座2b可一體成形為單體式結構。
圖22說明根據本新型之一些實施例之測試系統3c的剖視圖。圖23說明圖22之裝置托座2c之立體圖。圖22之測試系統3c類似於圖20之測試系統3b，除了測試裝置1c之裝置托座2c之結構之外。圖22及圖23之裝置托座2c類似於圖20及圖21之裝置托座2b，且差異經如下描述。圖22及圖23之裝置托座2c進一步包括四個支撐柱25。支撐柱25中之每一者之頂端連接至支撐部分212b中之每一者。支撐柱25之底端接觸測試基座12之底壁122上之吸收體14。亦即，裝置托座2c之部分(亦即，支撐柱25之底端)延伸至測試基座12之底部。當DUT 4安置在支撐部分212b上時，支撐柱25可增加支撐部分212b之支撐力。在一實施例中，裝置托座2c可一體成形為單體式結構。
圖24說明根據本新型之一些實施例之測試系統3d的剖面圖。圖24之測試系統3d類似於圖20之測試系統3b，除了測試裝置1d之測試基座12d之結構之外。圖24之測試基座12d類似於圖20之測試基座12d，且差異經如下描述。圖24之測試基座12d進一步界定至少一個通氣口128，位在其底部部分(亦即，底壁122)，且底壁122上之吸收體14進一步界定對應於測試基座12d之通氣口128之至少一個通氣口146。至少一個氣流80自測試基座12d之底部經由通氣口128、146流至(或吹向)裝置托座2b。當DUT 4安置在支撐部分212b上時，氣流80可增加支撐部分212b之 支撐力。
圖25說明根據本新型之一些實施例之測試系統3e的剖面圖。圖25之測試系統3e類似於圖9及圖12之測試系統3，除了測試裝置1e之裝置托座2e之結構之外。裝置托座2e延伸毗鄰於測試基座12之內表面124。在一實施例中，裝置托座2e填充(或填滿)由測試基座12之吸收體14所界定之傳播空間123，因此，裝置托座2e接觸吸收體14。裝置托座2e界定自其上部表面凹下之容納空間23e用於接納DUT 4。容納空間23e之大小可基本上等於DUT 4之大小。替代地，容納空間23e之尺寸可大於DUT 4之大小。裝置托座2e可為實心塊狀結構。在一些實施例中，裝置托座2e之材料可包括塑膠、木材、丙烯酸或氣凝膠。
圖26說明根據本新型之一些實施例之DUT 4a的立體圖。圖26之DUT 4a類似於圖10之DUT 4。除了DUT 4a進一步包括連接器82且不包括圖10之電性接點431(例如，焊料球或焊料凸塊)。亦即，圖10之電性接點431(例如，焊料球或焊料凸塊)被連接器82所取代。連接器82經安置毗鄰於其上部表面(亦即，第一表面41)，且天線46經安置毗鄰於DUT 4a之第二表面42。因此，連接器82及天線46安置在DUT 4a之不同側上。連接器82電連接至基板43，且用於外部連接。在一些實施例中，連接器82可為IPEX連接器或FPC連接器。
圖27說明根據本新型之一些實施例之DUT 4b的底部立體圖。圖27之DUT 4b類似於圖26之DUT 4a。除了連接器82及天線46安置在DUT 4b之同一側上。在一項實施例中，連接器82及天線46皆經安置毗鄰於DUT 4b之第二表面42。連接器82電連接至基板43，且用於外部連接。
圖28說明根據本新型之一些實施例之DUT 4c的底部立體圖。圖28之DUT 4c類似於圖27之DUT 4b，除了天線46之第二輻射源/接收器462被省略之外，且第三輻射源/接收器463、第四輻射源/接收器464及第五輻射源/接收器465安置在DUT 4c之右側部分上。應注意的是，連接器82安置在DUT 4c之左側部分上。因此，連接器82及天線46(包括，例如，第一輻射源/接收器461、第三輻射源/接收器463、第四輻射源/接收器464及第五輻射源/接收器465)安置在DUT 4c之不同部分上。
圖29說明根據本新型之一些實施例之測試系統3f的剖面圖。圖29之測試系統3f類似於圖9及圖12之測試系統3，且差異經如下描述。在測試系統3f中，DUT 4a(圖26)取代圖9及圖12之DUT 4。另外，連接基座35及測試探針351被省略。如圖29中所展示，測試系統3f進一步包括電連接元件84。電連接元件84電連接至頂部電路板34(例如，測試板)。在測試過程中，電連接元件84插入至DUT 4a之連接器82中或與DUT 4a之連接器82接合。因此，頂部電路板34(例如，測試板)經由電連接元件84及連接器82電連接至DUT 4a。
圖30說明根據本新型之一些實施例之測試系統3g的剖面圖。圖30之測試系統3g類似於圖25之測試系統3e，且差異經如下描述。在測試系統3g中，DUT 4c(圖28)取代圖25之DUT 4。另外，連接基座35及測試探針351被省略。如圖30中所展示，測試系統3g進一步包括額外測試基座129、轉接板(conversion board)86及電連接元件88。額外測試基座129包括一或多個側壁1291(例如三個側壁1291)及一底壁1292。額外測試基座129附接至測試基座12之側壁121，以便界定容納空間130。亦即，額外測試基座129之三個側壁1291及底壁1292以及測試基座12之一個側壁 121一起界定容納空間130。轉接板86安置在額外測試基座129之容納空間130之頂部部分上。亦即，轉接板86安置在測試基座12之外部。在一實施例中，容納空間130可為空的，且轉接板86固定至測試基座12之側壁121及額外測試基座129之側壁1291。在一實施例中，容納空間130可被填充材料所填充，且轉接板86安置在填充材料上。此外，電連接元件88電連接至轉接板86。在測試方法期間，電連接元件88插入至DUT 4c之連接器82中或與其接合。因此，轉接板86經由電連接元件88及連接器82電連接至DUT 4c。此外，轉接板86電連接至底部電路板50(例如，負載板)及/或測試器38。因此，可省略頂部電路板34(例如，測試板)。
如圖30中所展示，測試裝置1g之裝置托座2g填充(或填滿)由測試基座12之吸收體14所界定之傳播空間123。裝置托座2g具有上部表面26，該上部表面26與測試基座12之側壁121之上部表面1211基本上共面。在測試方法期間，DUT 4c之第二表面42可接觸裝置托座2g之上部表面26及測試基座12之側壁121之上部表面1211。
除非另有規定，否則諸如「在...上面」、「在...下面」、「上」、「左」、「右」、「下」、「頂部」、「底部」、「垂直」、「水平」、「側面」、「較高」、「下部」、「上部」、「在...上方」、「在...下方」等等之空間描述為相對於圖中所展示之定向指示。應理解，本文中所使用之空間描述僅出於說明之目的，且本文中所描述之結構之實際實施方案可以任一定向或方式進行空間配置，只要此配置不背離本新型之實施例的優點。
如本文中所使用，術語「大約」，「基本上」，「基本」和「約」用於描述及考慮小變化。在結合事件或情形使用時，該等術語可係指其中事件或情形明確發生的情況以及其中事件或情形接近於發生的情 況。舉例而言，當結合數值使用時，該等術語可係指小於或等於彼數值之±10%的變化範圍，諸如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%，或小於或等於±0.05%。舉例而言，若兩個數值之間的差小於或等於該等值之平均值的±10%(例如小於或等於±5%、小於或等於±4%、小於或等於±3%、小於或等於±2%、小於或等於±1%、小於或等於±0.5%、小於或等於±0.1%，或小於或等於±0.05%)，則該等值可被認為基本上相同或相等。
若兩個表面之間的位移不大於5μm，不大於2μm，不大於1μm，或不大於0.5μm，則兩個表面可被認為共面或基本上共面。
本文中所使用，除非上下文另有明確指示，否則單數術語「一(a)」、「一(an)」和「該」可包括複數對象。在一些實施例之描述中，提供在另一組件之「上」或「上方」之組件可囊括其中後一組件直接在前一組件上(例如，實體接觸)的狀況，以及其中一或多個介入組件可位於前一組件與後一組件之間的狀況。
如本文中所使用，術語「導電」、「導電」及「導電率」係指傳輸電流的能力。導電材料通常指示展現對電流流動之極少或零對抗的彼等材料。導電率之一個度量為西門子/米(S/m)。通常，導電材料為具有大於大約104S/m之導電率的材料，例如至少105S/m或至少106S/m。材料之導電率可有時隨溫度變化。除非另有規定，否則材料之導電率係在室溫下進行量測。
另外，數量、比率及其他數值有時在本文中以範圍格式呈現。應理解，此範圍格式是出於便利及簡潔起見而使用且應靈活地理解為 包含明確規定為範圍之限制的數值，而且亦包含彼範圍內囊括之所有個別數值或子範圍，猶如每一數值及子範圍為明確規定的。
雖然已參考本新型之特定實例描述並說明本新型，但此等描述及說明並非限制性。熟習此項技術者應理解，在不背離如隨附申請專利範圍所界定之本新型之真實精神及範疇的情況下，可做出各種改變且可替代等效物。說明可不必按比例繪製。由於製造過程及容差，因此本新型中之精巧呈現與實際設備之間可存在差異。可存在本新型之未具體說明之其他實施例。說明書及圖式應視為說明性而非限制性。可進行修改以使特定情況、材料、物質組合物、方法或程序適應本新型之目的、精神及範疇。所有此等修改意欲屬於隨附申請專利範圍之範疇內。雖然已參考以特定次序執行之特定操作來描述本文中所揭示之方法，但應理解，可在不背離本新型之教示的情況下將此等操作組合、細分或重新排序以形成等效方法。因此，除非本文中特別指明，否則操作之次序及分組並非本新型的限制。

Claims (25)

  1. 一種測試裝置，其包含： 一測試基座(testing socket)，其界定一傳播空間； 一第一傳輸介質(first transmission medium)，其安置在該測試基座之該傳播空間中，其中該第一傳輸介質用於支撐一受測裝置(device under test, DUT)；及 一第二傳輸介質，其安置在該測試基座之該傳播空間中。
  2. 如請求項1之測試裝置，其中該第二傳輸介質為空氣。
  3. 如請求項1之測試裝置，其中該第一傳輸介質包括一裝置托座(device holder)，且該裝置托座界定用於接納該受測裝置(DUT)之一容納空間。
  4. 如請求項3之測試裝置，其中該裝置托座進一步界定至少一個開口以暴露該受測裝置(DUT)之一天線之至少一部分。
  5. 如請求項4之測試裝置，其進一步包含一氣流，其自該測試基座之一底部流動至該裝置托座。
  6. 如請求項5之測試裝置，其中該測試基座在其一底部部分界定至少一個通氣口，且該氣流流動穿過該通氣口。
  7. 如請求項3之測試裝置，其中該裝置托座之一部分延伸至該測試基座之一底部部分。
  8. 如請求項3之測試裝置，其中該裝置托座延伸毗鄰於該測試基座之一內表面。
  9. 如請求項3之測試裝置，其進一步包含一吸收體，其安置在該測試基座之一內表面上。
  10. 如請求項9之測試裝置，其中該裝置托座接觸該吸收體。
  11. 如請求項1之測試裝置，其中該第一傳輸介質之一介電常數(dielectric constant, Dk)不同於該第二傳輸介質之一介電常數(Dk)。
  12. 如請求項1之測試裝置，其進一步包括安置在該測試基座外部之一轉接板(conversion board)，其中該受測裝置(DUT)電連接至該轉接板。
  13. 一種測試裝置，其包含： 一測試基座，其具有一內表面，該內表面界定一傳播空間，其中該測試基座之該內表面為一波吸收表面；及 一裝置托座，其安置在該測試基座之該傳播空間中，其中該裝置托座界定一容納空間，用於接納一受測裝置(DUT)。
  14. 如請求項13之測試裝置，其中該受測裝置(DUT)包括至少一個輻射源(radiation source)，且該測試裝置進一步包括附接至該測試基座之至少一個量測模組，其中該量測模組對應於該輻射源中之一各別者。
  15. 如請求項14之測試裝置，其中該受測裝置(DUT)包括一第一輻射源、一第二輻射源及一第三輻射源，該測試裝置包括用於接收來自該第一輻射源之一射頻信號之一第一量測模組、用於接收來自第二輻射源之一射頻信號之一第二量測模組及用於接收來自該第三輻射源之一射頻信號之一第三量測模組。
  16. 如請求項14之測試裝置，其中該量測模組包括一波導(waveguide)、一探測天線類型(probe antenna type)、一無線電單元(radio unit)及一天線類型(antenna type)。
  17. 如請求項14之測試裝置，其中該裝置托座進一步界定至少一個開口以暴露該受測裝置(DUT)之該輻射源。
  18. 如請求項13之測試裝置，其中該裝置托座之一部分延伸至該測試基座之一底部部分。
  19. 如請求項13之測試裝置，其中該裝置托座填充該測試基座之該傳播空間。
  20. 如請求項19之測試裝置，其進一步包括安置在該測試基座之該內表面上之一吸收體，且該裝置托座接觸該吸收體。
  21. 如請求項13之測試裝置，其中該裝置托座藉由射出成型而形成。
  22. 一種測試系統，其包含： 一測試裝置，其包含： 一測試基座，其界定一傳播空間； 一第一傳輸介質，其安置在該測試基座之該傳播空間中，其中該第一傳輸介質用於支撐一受測裝置(DUT)；及 一第二傳輸介質，其安置在該測試基座之該傳播空間中； 一電路板(circuit board)，其安置在該測試基座上方，且經組態以電連接至該DUT； 一測試器(tester)，其安置在該測試基座下方且與該電路板電連接；及 一子系統(sub-system)，其包含： 一中間設備(intermediate apparatus)，其與該受測裝置(DUT)通信；及 一升頻/降頻轉換器(up/down converter)，其電連接至該中間設備及該測試器，其中該升頻/降頻轉換器用於降低或升高一信號之頻率。
  23. 如請求項22之測試系統，其中該受測裝置(DUT)包括至少一個輻射源，且該測試裝置進一步包括附接至該測試基座之至少一個量測模組，其中該量測模組對應於該輻射源中之一各別者，且該中間設備經由該量測模組與該受測裝置(DUT)之該輻射源通信。
  24. 如請求項22之測試系統，其中該中間設備包括複數個輸入埠(input ports)，一開關控制電路(switch control circuit)及一輸出埠(output port)，該等輸入埠與該受測裝置(DUT)通信，該輸出埠電連接至該升頻/降頻轉換器，且該等輸入埠中之僅一者經由該開關控制電路之控制而電連接至該輸出埠。
  25. 如請求項22之測試系統，其中該中間設備包括複數個輸入埠，一功率組合器電路(power combiner circuit)及一輸出埠，該輸入埠與該受測裝置(DUT)通信，該輸出埠電連接至該升頻/降頻轉換器，且全部該等輸入埠經由該功率組合器電路電連接至該輸出埠。
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