TWI832953B - 表面處理銅箔、以及使用其之覆銅積層板、附樹脂之銅箔及電路基板 - Google Patents

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Abstract

本發明一個態樣是有關於一種表面處理銅箔，該表面處理銅箔係於銅箔之至少一面具有銅的微細粗化粒子處理層者，其特徵在於：前述微細粗化粒子處理層由粒徑40~200nm之微細銅粒子構成，於前述微細粗化粒子處理層上具有含鎳的耐熱處理層，於前述耐熱處理層上具有至少含鉻的防鏽處理層，於前述防鏽處理層上具有矽烷耦合劑處理層，且前述耐熱處理層中的鎳附著量為30~60mg/m2 。

Description

表面處理銅箔、以及使用其之覆銅積層板、附樹脂之銅箔及電路基板
發明領域
本發明是有關於表面處理銅箔、以及使用其之覆銅積層板、附樹脂之銅箔及電路基板。
背景技術 因應高頻的高速信號傳輸基板使用了各種金屬箔、尤其是銅箔作為導體，但將來必須因應使用比現在更高頻率之信號的5G或WiGig(無線十億位元，Wireless Gigabit)等。故，必須進一步地減低基板之傳輸損耗。
關於此種問題，為了減低傳輸損耗，必須改良構成基板的樹脂基材與銅箔。即，必須減少因樹脂基材之介電體造成的介電損耗，進一步要減少銅箔的導體損耗。
其中，針對銅箔側之改良，以往藉由減小表面粗度等而減少導體損耗，謀求傳輸損耗之減低。然而，若欲減少傳輸損耗，則作為運用在基板用的銅箔之基本特性所必須之與樹脂之密著性或耐熱性會下降，反之，若欲提升密著性或耐熱性，則會有傳輸損耗增大的問題，欲兼顧傳輸特性與基本特性是困難的。吾人認為這是因為若為了降低傳輸特性而減小表面粗度，則對於樹脂的錨固效果會減弱，結果導致剝離強度降低。
此外，作為高頻信號傳輸電路形成用表面處理銅箔，目前有報告揭示，針對影響傳輸特性的粗化處理層，藉由以非導體的銅複合化合物而非習知金屬銅來構成以使其不通電，從而減低粗化處理所致之導體損耗(專利文獻1)。
又已知，於印刷配線板用表面處理銅箔中，調節影響傳輸特性的矽烷耦合劑層之粗化粒子之平均高度抑或調節含鎳的金屬處理層之鎳元素量(專利文獻2)。
然而，上述專利文獻1記載的技術中，由於未進行阻障(barrier)處理或鉻酸鹽處理等，因此會有尤其是耐熱性差的問題。
另一方面，上述專利文獻2記載的技術中，由於作為阻障處理層發揮機能的金屬處理層之處理量少，因此會有在高溫區(例如150℃以上)難以確保耐熱性的問題。
本發明是有鑑於前述情形而成，目的在提供下述表面處理銅箔、以及使用其之覆銅積層板、附樹脂之銅箔及電路基板，該處理銅箔能減低高速信號傳輸基板的傳輸損耗，且可於實用上不成問題的水準下確保與樹脂基材之密著性，以及尤其是耐熱性。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利第6110581號公報 專利文獻2：日本專利第6182584號公報
發明概要 本發明一個態樣的表面處理銅箔，係於銅箔之至少一面具有銅的微細粗化粒子處理層者，其特徵在於：前述微細粗化粒子處理層由粒徑40~200nm之微細銅粒子構成，於前述微細粗化粒子處理層上具有含鎳的耐熱處理層，於前述耐熱處理層上具有至少含鉻的防鏽處理層，於前述防鏽處理層上具有矽烷耦合劑處理層，且前述耐熱處理層中的鎳附著量為30~60mg/m2 。
用以實施發明之形態 >表面處理銅箔> 本實施形態之表面處理銅箔如圖1所示，其於銅箔1之至少一面具有銅的微細粗化粒子處理層2，且特徵在於：前述微細粗化粒子處理層2由粒徑40~200nm之微細銅粒子構成，於前述微細粗化粒子處理層2上具有含鎳的耐熱處理層3，於前述耐熱處理層3上具有至少含鉻的防鏽處理層4，於前述防鏽處理層上具有矽烷耦合劑處理層5，且前述耐熱處理層中的鎳附著量為30~60mg/m2 。
依據此種構造，藉由於未處理銅箔之表面設置由微細粗化粒子構成的微細粗化粒子處理層，提高與樹脂基材之密著性，再者，藉由調節前述微細粗化粒子之尺寸與尤其是耐熱處理層中的鎳附著量，可兼顧傳輸特性與基本特性(與樹脂基材之密著性及耐熱性)。
即，依據本發明，可提供下述表面處理銅箔、以及使用其之覆銅積層板、附樹脂之銅箔及電路基板，該表面處理銅箔能減低高速信號傳輸基板的傳輸損耗，且可於實用上不成問題的水準下確保與樹脂基材之密著性，以及尤其是耐熱性。
以下，首先具體說明本實施形態之表面處理銅箔的各構造。
(銅箔) 以往使用在剛性基板等的銅箔一般為電解銅箔，使用在撓性基板等的銅箔一般則為壓延銅箔，但近年來，尤其是隨著撓性基板市場的昌盛，開發出具有與壓延銅箔同等特性的電解銅箔，現在不用依基板的種類來使用壓延銅箔或電解銅箔。故，本實施形態中使用的未處理銅箔並不限於壓延銅箔或電解銅箔，可使用任何銅箔。
(微細粗化粒子處理層) 微細粗化粒子處理層為形成於上述未處理銅箔上的第一層表面處理層，是為了增加表面積以提升與樹脂基材之剝離強度而設置的層體，並由粒徑40~200nm之微細銅粒子構成。
本實施形態中，所謂上述粒徑是在以下含意下使用。即，使用場發射型掃描電子顯微鏡FE-SEM(日本電子製造JSM-7800F)，使試料台傾斜40°並以倍率80,000倍進行觀察，以所觀察到的銅粒子之高度為粒徑值。又，本實施形態之微細粗化粒子處理層中微細銅粒子之粒徑利用上述方法所觀察、測得範圍之最大值為200nm，最小值為40nm。
另，本實施形態中的微細銅粒子處理層並不排除含有粒徑大於200nm的銅粒子或小於40nm的銅粒子。然而，若大於200nm的粒子多，就會有傳輸損耗增大之虞，又，若小於40nm的粒子多，則會有無法確保充分之密著性之虞，任一情形皆不理想。
前述微細粗化粒子處理層可利用電鍍法來形成。
本實施形態之微細銅粒子之粒徑除了受到鍍敷處理之浴組成影響外，還會強烈受到電解電流密度的影響。舉例言之，當電解電流密度高時，粗化粒子之粒徑有減小之傾向，反之，當電解電流密度低時，粗化粒子之粒徑有增大之傾向。故，為了獲得目標粒徑之粗化粒子，必須適切地設定電解電流密度。
以下，舉出用以形成銅的微細粗化粒子處理層的浴組成及電解條件之例子，惟並未特別限定於此。
(浴組成) 硫酸銅五水合物：10~70g/L(尤宜為30~50g/L) 二伸乙三胺五乙酸五鈉(以下為DTPA．5Na)：50~150g/L(尤宜為80~120g/L) pH：3.0~6.0(尤宜為3.5~5.5) pH之調製是使用硫酸及氫氧化鈉
(電解條件) 電流密度：0.5~10.0A/dm2 (尤宜為1.0~6.0A/dm2 ) 電量：10~130A．sec/dm2 (尤宜為30~110A．sec/dm2 ) 液溫：25~50℃(尤宜為30~45℃) 陽極：銅板。
DTPA．5Na濃度適合為50~150g/L，若在該範圍外，當小於50g/L時，難以獲得充分之微細化效果，粗化粒子會粗大化。若大於150g/L，則會招致電流效率之降低，粗化處理之析出量極度減少，再者，電壓亦會上升而不經濟。
又，電量宜為10~130A．sec/dm2 ，若在該範圍，則可獲得粒徑40~200nm的銅粒子，具有能輕易地確保對樹脂之密著性之優點。反之，當電量小於10A．sec/dm2 時，粒徑小於40nm的銅粒子增多，會有密著性降低之虞。又，當大於130A．sec/dm2 時，粒子形狀容易變成樹枝狀，且粒徑容易粗大化，其結果會產生與未處理銅箔之固著性降低，掉粉變多，層合面之表面粗度變大等問題。
(耐熱處理層) 耐熱處理層是為了保護包含微細粗化粒子處理層的銅箔免受藥液或熱等應力影響而設置的耐熱、防鏽用層體，有時亦稱作阻障處理層。本實施形態之耐熱處理層含有鎳或鎳與磷，且耐熱處理層中的鎳附著量為30~60mg/m2 。
藉由使前述鎳附著量為30~60mg/m2 ，可兼顧傳輸特性與前述基本特性。若該鎳附著量小於30mg/m2 ，則耐熱性降低，舉例言之，於樹脂與銅箔之界面會產生膨脹，結果有密著性降低之虞，若大於60mg/m2 ，則有傳輸損耗增大的可能性。較為理想的鎳附著量之範圍為40~50mg/m2 。
另，本實施形態中，所謂「附著量」，意指利用鍍敷(例如電鍍法)於銅箔之微細粗化粒子處理層側析出的鎳之平均單位面積之質量。又，附著量可利用以下方法進行測定：藉由硝酸等將被處理銅箔溶解、稀釋，並使用ICP發光分光分析裝置分析鎳之濃度。
本實施形態之耐熱處理層宜由鎳或鎳與磷構成。
本實施形態之耐熱處理層為形成上述微細粗化粒子處理層後形成的第二層表面處理層，可利用電鍍法來形成。前述鎳附著量可藉由進行該電鍍時的電流條件來調製。
以下，舉出用以形成由鎳與磷構成的本實施形態之耐熱處理層的浴組成及電解條件之例子，惟並未特別限定於此。
(浴組成) 硫酸鎳六水合物 10~100g/L(尤宜為20~60g/L) 乙酸鈉三水合物 2~40g/L(尤宜為5~30g/L) 次磷酸鈉一水合物 0.1~10g/L(尤宜為1.0~6.0g/L) pH 3.0~5.5(尤宜為3.5~5.0)。
(電解條件) 電流密度：0.5~3.5A/dm2 (尤宜為1.0~2.0A/dm2 ) 電量：1.8~2.7A．sec/dm2 (尤宜為2.0~2.5A．sec/dm2 ) 液溫：25~50℃(尤宜為30~40℃) 陽極：被覆鉑族氧化物之鈦等不溶性電極。
鎳離子的供給源可使用硫酸鎳六水合物、氯化鎳六水合物、乙酸鎳四水合物等。磷離子的供給源可使用亞磷酸鈉、次磷酸鈉、亞磷酸鎳等。又，亦可添加硫酸鈉作為導電性之賦予。
(防鏽處理層) 防鏽處理層是為了防止加熱時或保管時的氧化而設置的層體。本實施形態之防鏽處理層至少含有鉻，有時亦稱作鉻酸鹽處理層。再者，亦可含有鋅。
本實施形態之防鏽處理層為形成上述耐熱處理層後形成的第三層表面處理層，可利用電鍍法來形成。
形成本實施形態之防鏽處理層的浴組成可為公知，例如可舉鉻酸、重鉻酸鈉、重鉻酸鉀等具有6價鉻的浴組成。另，形成防鏽處理層後的鉻之析出形態為混雜有Cr(OH)3 與Cr2 O3 的狀態，並無對人體造成不良影響的6價鉻，而是以3價鉻之形態析出。鉻酸液可為鹼性、酸性中任何一者。
又，鹼性鉻酸液可使用日本特公昭58-15950號中含有鋅離子、6價鉻離子的鹼性鉻酸鋅液，藉由使用本鉻酸液，相較於由單獨鉻酸液構成的防鏽處理層，可更提升防鏽性。
施作本實施形態之防鏽處理層的電解浴及電解條件例如可舉出以下所示浴組成、條件，惟並未特別限定於此。
(浴組成) 重鉻酸鈉：2.5~60g/L(尤宜為5~30g/L) 鋅離子：0.25~16g/L(尤宜為0.5~8g/L) 氫氧化鈉：10~180g/L(尤宜為20~90g/L)
(電解條件) 電流密度：1.5~8.0A/dm2 (尤宜為3.0~4.0A/dm2 ) 電量：4.5~6.5A．sec/dm2 (尤宜為5.0~6.0A．sec/dm2 ) 液溫：25~50℃(尤宜為30~40℃) 陽極：被覆鉑族氧化物之鈦等不溶性電極。
(矽烷耦合劑處理層) 本實施形態之矽烷耦合劑處理層為形成上述防鏽處理層後形成的第四層表面處理層，是為了進一步地提升與樹脂基材之密著性而設置的層體。再者，藉由設置矽烷耦合劑處理層，不僅提升剝離強度，亦可抑制嚴格試驗後剝離強度的劣化，且又更加提升防鏽性，而構成具備優異通用性的電路基板用銅箔。
本實施形態之矽烷耦合劑處理層可依下述形成：將矽烷耦合劑適量添加於水等中，以水溶液形態利用浸漬處理或噴霧處理等進行塗佈後，進行水洗並加以乾燥。矽烷耦合劑可自環氧基、胺基、巰基、乙烯基、甲基丙烯醯氧基、苯乙烯基等多種之中選擇使用。然而，由於分別具有不同特性，且亦具有與基材之相容性，因此必須適切地選擇使用。
形成矽烷耦合劑處理層的浴例如可舉出以下所示組成、條件，惟並未特別限定於此。
(浴組成、條件) γ-胺丙基三乙氧基矽烷：1~5mL/L(尤宜為2~4mL/L) 液溫：25~35℃(尤宜為28~32℃) 浸漬時間：15秒。
>覆銅積層板> 本實施形態之覆銅積層板特徵在於具備：由樹脂組成物之硬化物構成的絕緣層；及於前述絕緣層之單面或兩面上的上述銅箔。依據此種構造，能提供一種具備耐熱性且可減低傳輸損耗之可靠性高的覆銅積層板。
本實施形態中，所謂樹脂組成物之硬化物，意指藉由進行硬化反應使樹脂交聯而構成即便加熱亦不會熔融之狀態的物質。又，所謂樹脂組成物之半硬化物，則為將樹脂組成物硬化至中途成為可進一步硬化程度之狀態的物質。即，半硬化物為已將樹脂組成物進行半硬化之狀態(已B階段化)的物質。舉例言之，若樹脂組成物進行加熱，最初黏度會逐漸降低，然後開始硬化，且黏度逐漸上升。在此情形下，作為半硬化，可舉如黏度開始上升後在完全硬化前的期間之狀態等。
(絕緣層) 本實施形態之覆銅積層板所具備的絕緣層由下述中說明的樹脂組成物之硬化物構成。再者，絕緣層亦可含有後述玻璃基材。絕緣層之厚度並無特殊限制，但為20~800μm左右。
構成本實施形態之絕緣層的樹脂組成物只要是含有熱硬化性樹脂及/或熱塑性樹脂等的樹脂組成物，則無特殊限制。舉例言之，熱硬化性樹脂之情形時，可將環氧樹脂、低分子聚苯醚樹脂、氰酸酯樹脂、酚樹脂、苯并 、保有酸酐或不飽和基的樹脂(丙烯酸、甲基丙烯酸、烯丙基、苯乙烯基、丁二烯、馬來醯亞胺等)等以單體或作成共聚物來使用。又，熱塑性樹脂例如可列舉：聚苯醚樹脂、聚苯硫樹脂、液晶聚合物、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚四氟乙烯樹脂、環烯烴聚合物、環烯烴共聚物等。上述樹脂可單獨使用，亦可併用2種以上。
其中，更宜使用其硬化物或半硬化物中可獲得低介電常數/低介電損耗正切、高耐熱性的樹脂。
上述樹脂組成物在製造覆銅積層板時，通常調製成清漆狀，大多作成樹脂清漆來使用。此種樹脂清漆例如可依下述來調製。
首先，將熱硬化性樹脂、熱硬化性硬化劑及視需要而定的各種添加劑等能夠溶解於有機溶劑中的各成分投入有機溶劑中使其溶解。此時，亦可視需要進行加熱。然後，視需要添加不會溶解於有機溶劑中的成分、無機填充材等，並使用球磨機、珠磨機、行星式混合機、輥磨機等，使其分散直到成為預定分散狀態為止，藉此，調製出清漆狀樹脂組成物。在此所使用的有機溶劑只要是能讓熱硬化性樹脂或熱硬化性硬化劑等溶解且不會阻礙硬化反應者，則無特殊限制。具體而言，例如可列舉：甲苯、甲基乙基酮、環己酮及丙二醇單甲基醚乙酸酯等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
本實施形態之絕緣層中，除了上述樹脂組成物之硬化物外，宜進一步含有玻璃基材。藉此，具有能抑制加工上的缺陷(破裂等)、減小尺寸變化、減小線膨脹或抑制翹曲之優點。
當本實施形態之絕緣層含有玻璃基材時，亦可作成使上述樹脂組成物浸潤至玻璃基材而製得的預浸體來使用。製造此種預浸體的方法例如可舉以下方法：使上述樹脂清漆(已調製成清漆狀的樹脂組成物)浸潤至玻璃基材後進行乾燥。
樹脂清漆對玻璃基材的浸潤可利用浸漬及塗佈等來進行。該浸潤亦可視需要反覆複數次。又，此時，亦可使用組成或濃度不同的數種樹脂清漆反覆浸潤，並調製成最終所希望的組成及樹脂量。
將已浸潤樹脂清漆的玻璃基材依所期望加熱條件、例如於80~170℃下加熱1~10分鐘，藉此，製得半硬化狀態(B階段)之預浸體。
(覆銅積層板之製造方法) 本實施形態之覆銅積層板，例如可取一片上述含有熱硬化性樹脂組成物的預浸體或將複數片疊合，再於其上下兩面或單面上將上述銅箔以前述矽烷耦合劑處理層與預浸體相接之方式進行疊合，並將其加熱加壓成形而積層一體化，藉此，製作出兩面覆銅箔或單面覆銅箔的積層板。
加熱加壓條件可依據製造的積層板之厚度或樹脂組成物之種類等適當地設定，例如可將溫度設為170~220℃，將壓力設為1.5~5.0MPa，將時間設為60~150分鐘。
>附樹脂之銅箔> 本實施形態之附樹脂之銅箔具有以下構造：積層有含有樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物的樹脂層、及設置於該樹脂層之單面上的銅箔。即，本實施形態之附樹脂之銅箔，可為具備含有硬化前樹脂組成物(A階段之樹脂組成物)之樹脂層及銅箔的附樹脂之銅箔，亦可為具備含有樹脂組成物半硬化物(B階段之樹脂組成物)之樹脂層及銅箔的附樹脂之銅箔。
樹脂層中使用的樹脂組成物及銅箔可使用與上述覆銅積層板中所說明者相同之物 。另，本實施形態之附樹脂之銅箔中，樹脂組成物或其半硬化物亦可為已將前述樹脂組成物乾燥或加熱乾燥者。
製造附樹脂之銅箔的方法例如可舉以下方法等：將上述中製得的樹脂清漆塗佈於銅箔之形成有矽烷耦合劑處理層之表面後，藉由進行乾燥，使樹脂組成物半硬化。
附樹脂之銅箔所具有的樹脂層通常不含玻璃基材，因此，樹脂清漆於銅箔上的應用可利用塗佈等來進行，其亦可視需要反覆複數次。又，此時，亦可使用組成或濃度不同的數種樹脂清漆反覆塗佈，並調製成最終所希望的組成(含有比)及樹脂量。
塗佈樹脂清漆後，當作成半硬化狀態時，依所期望加熱條件、例如於80~170℃下加熱1~10分鐘，製得含有硬化前樹脂組成物的樹脂層(A階段)或半硬化狀態的樹脂層(B階段)。塗佈樹脂清漆(預浸體之情形時為浸潤樹脂清漆)後，藉由加熱使有機溶劑從清漆中揮發，可減少或除去有機溶劑。
本實施形態之附樹脂之銅箔亦具有與上述覆銅積層板相同的效果及優點。
>電路基板> 本實施形態之覆銅積層板及附樹脂之銅箔，可藉由將表面的銅箔蝕刻加工等而形成電路，作成在表面設置有導體圖案作為電路的電路基板來使用。電路形成方法除了上述記載的方法外，可舉例如利用半加成法(SAP：Semi Additive Process)或改良型半加成法(MSAP：Modified Semi Additive Process)形成電路等。使用本實施形態之覆銅積層板及附樹脂之銅箔所製得的電路基板，是具備耐熱性且可減低傳輸損耗之可靠性高的電路基板。
如上述，本說明書揭示有各種態樣之技術，以下歸納其中主要的技術。
本發明一個態樣的表面處理銅箔，係於銅箔之至少一面具有銅的微細粗化粒子處理層者，其特徵在於：前述微細粗化粒子處理層由粒徑40~200nm之微細銅粒子構成，於前述微細粗化粒子處理層上具有含鎳的耐熱處理層，於前述耐熱處理層上具有至少含鉻的防鏽處理層，於前述防鏽處理層上具有矽烷耦合劑層，且前述耐熱處理層中的鎳附著量為30~60mg/m2 。
依據此種構造，可提供一種表面處理銅箔，其能減低高速信號傳輸基板的傳輸損耗，且可於實用上不成問題的水準下確保與樹脂基材之密著性，以及尤其是耐熱性。
又，前述表面處理銅箔中，前述耐熱處理層宜由鎳或鎳與磷構成。藉此，可更確實地獲得上述效果。
本發明其他態樣的覆銅積層板特徵在於具備：由樹脂組成物之硬化物構成的絕緣層；及於前述絕緣層之單面或兩面上的上述表面處理銅箔。
又，本發明另一態樣的附樹脂之銅箔特徵在於具備：含有樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物的樹脂層；及於前述樹脂層之單面上的上述表面處理銅箔。
再者，本發明亦包含電路基板，其具備上述覆銅積層板或上述附樹脂之銅箔，且於其表面具有作為電路的導體圖案。
以下，利用實施例更具體地說明本發明，惟本發明之範圍並不受限於該等。 實施例
>未處理銅箔> 實施例及比較例之未處理銅箔使用厚度18μm的電解銅箔或壓延銅箔。另，當使用未處理壓延銅箔時，於烴系有機溶劑中浸漬、水洗60秒鐘而進行壓延油之除去後，進行表面處理。
>表面處理銅箔之作成> (實施例1) 作為前處理，於100g/L硫酸水溶液中，陰極使用銅板、陽極使用上述未處理銅箔，於電流密度5A/dm2 下進行電解6秒鐘，進行未處理銅箔表面的氧化層除去及活性化。
其次，在以下所示浴組成、電解條件下進行處理，藉此於該未處理銅箔之層合面側形成銅的微細粗化粒子處理層。
(浴組成) 硫酸銅五水合物 35g/L 二伸乙三胺五乙酸五鈉 100g/L pH 4.8
(電解條件) 電流密度：6A/dm2 電量：50A．sec/dm2 液溫：30℃ 電極：銅板。
使用場發射型掃描電子顯微鏡FE-SEM(日本電子製造JSM-7800F)，使試料台傾斜40°並以倍率80,000倍觀察所製得微細粗化粒子處理層。結果以所觀察到的銅粒子之高度為粒徑值來看，前述微細粗化粒子處理層中粗化粒子之粒徑為最小值40nm、最大值200nm。
接著，水洗後，在以下所示浴組成、電解條件下進行處理，藉此形成屬於第二層表面處理層的耐熱處理層。
(浴組成) 硫酸鎳六水合物 30g/L 乙酸鈉三水合物 10g/L 次磷酸鈉一水合物 2.0g/L pH 4.5
(電解條件) 電流密度：1.0A/dm2 電量：1.8A．sec/dm2 液溫：32℃ 電極：被覆鉑族氧化物之鈦板。
所製得耐熱處理層中的鎳附著量可依下述來測定：藉由硝酸將被處理銅箔溶解、稀釋，並利用ICP發光分光分析裝置分析鎳之濃度。其結果，鎳附著量為32mg/m2 。
接著，水洗後，在以下所示電解浴組成、pH、電解條件下施以成為第三層表面處理層的防鏽處理層之處理。
(浴組成) 重鉻酸鈉：10g/L 鋅離子：1.0g/L 氫氧化鈉：40g/L 液溫：30℃
(電解條件) 電流密度：4A/dm2 電量：5.5A．sec/dm2 陽極：被覆鉑族氧化物之鈦板。
接著，水洗後，在以下所示浴組成、液溫、浸漬時間下施以處理，藉此形成成為第四層表面處理層的矽烷耦合劑處理層，製得實施例1之表面處理銅箔。
(浴組成) γ-胺丙基三乙氧基矽烷 2mL/L 液溫：30℃ 浸漬時間：15秒。
(實施例2) 除了在以下所示浴組成、電解條件下進行處理藉此形成第二層的耐熱處理層外，以與實施例1相同方式製得實施例2之表面處理銅箔。所製得耐熱處理層中的鎳附著量為56mg/m2 。
(浴組成) 硫酸鎳六水合物 30g/L 乙酸鈉三水合物 10g/L 次磷酸鈉一水合物 2.0g/L
(電解條件) 電流密度：1.6A/dm2 電量：2.7A．sec/dm2 pH 4.5 液溫：32℃ 陽極：被覆鉑族氧化物之鈦板。
(比較例1) 除了未設置第二層的耐熱處理層外，以與實施例1相同方式製得比較例1之表面處理銅箔。所製得表面處理銅箔中的鎳附著量為0mg/m2 。
(比較例2) 除了在以下所示浴組成、電解條件下進行處理藉此形成第二層的耐熱處理層外，以與實施例1相同方式製得比較例2之表面處理銅箔。所製得耐熱處理層中的鎳附著量為82mg/m2 。
(浴組成) 硫酸鎳六水合物 30g/L 乙酸鈉三水合物 10g/L 次磷酸鈉一水合物 2.0g/L
(電解條件) 電流密度：2.1A/dm2 電量：3.6A．sec/dm2 pH 4.5 液溫：32℃ 陽極：被覆鉑族氧化物之鈦板。
(比較例3) 除了在以下所示浴組成、電解條件下進行處理藉此形成第二層的耐熱處理層外，以與實施例1相同方式製得比較例3之表面處理銅箔。所製得耐熱處理層中的鎳附著量為106mg/m2 。
(浴組成) 硫酸鎳六水合物 30g/L 乙酸鈉三水合物 10g/L 次磷酸鈉一水合物 2.0g/L
(電解條件) 電流密度：2.8A/dm2 電量：4.9A．sec/dm2 pH 4.5 液溫：32℃ 陽極：被覆鉑族氧化物之鈦板。
(比較例4) 除了在以下所示浴組成、電解條件下進行處理藉此形成第一層的微細粗化粒子處理層外，以與實施例1相同方式製得比較例4之表面處理銅箔。所製得微細粗化粒子處理層中粗化粒子之粒徑為最小值700nm、最大值1400nm。又，所製得耐熱處理層中的鎳附著量為32mg/m2 。
(浴組成) 浴(1)  硫酸銅五水合物 47g/L 硫酸100g/L 浴(2)  硫酸銅五水合物 200g/L 硫酸100g/L
(電解條件) 於浴(1)中在電流密度50A/dm2 、電量130A．sec/dm2 、液溫30℃之電解條件下進行電解而使微細銅粒子附著後，再於浴(2)中在電流密度5A/dm2 、電量400A．sec/dm2 、液溫40℃之電解條件下進行電解，藉此形成微細粗化粒子處理層。
(比較例5) 除了在以下所示浴組成、電解條件下進行處理藉此形成第二層的耐熱處理層，再者，並未形成防鏽處理層外，以與實施例1相同方式製得比較例5之表面處理銅箔。所製得耐熱處理層中的鎳附著量為42mg/m2 。
(浴組成) 硫酸鎳六水合物 30g/L 乙酸鈉三水合物 10g/L 次磷酸鈉一水合物 2.0g/L
(電解條件) 電流密度：1.3A/dm2 電量：2.3A．sec/dm2 pH 4.5 液溫：32℃ 陽極：被覆鉑族氧化物之鈦板。
>評價用積層板之作成> (製作傳輸特性試驗用基板) 將2片預浸體(松下電器(PANASONIC)製造，MEGTRON6「R-5670N」，#1078型)疊合積層，並分別於兩面上疊合實施例及比較例所示之銅箔，於溫度200℃、2小時、壓力3MPa之條件下加熱加壓，藉此製得厚度150μm之評價用覆銅積層板。其次，以線寬100~200μm將所製得兩面板之單面進行加工後，以夾持加工面之方式再用2片預浸體進行二次積層，製作出三層板。線寬是調製成在精加工後電路之特性阻抗成為50Ω。
(製作耐熱試驗用基板) 將6片預浸體(松下電器製造，MEGTRON6「R-5670N」，#2116型)疊合積層，並分別於兩面上疊合上述中所製得各實施例及各比較例之表面處理銅箔，於溫度200℃、2小時、壓力3MPa之條件下加熱加壓，藉此製得厚度0.8mm之評價用覆銅積層板。
>評價試驗> 利用以下所示方法，將已依上述調製的各個評價積層板進行評價。
[傳輸特性(20GHz)] 關於傳輸特性，是針對使用各實施例及比較例之表面處理銅箔所製得的評價用積層板，利用網路分析器(是德科技(Keysight Technologies)公司製造 N5230A)來評價通過損耗。另，評價頻率為20GHz。
[烘箱耐熱試驗] 使用所製得之覆銅箔積層板，將根據JIS C 6481製作的試驗片在已設定為250℃、260℃、280℃及300℃的附空氣循環裝置之恆溫槽中處理1小時後，將5片試驗片中皆無異常者判定為「○」，將5片試驗片中1片以上的試樣產生「膨脹」或「剝離」者判定為「×」。本試驗中，將280℃下獲得「○」評價的試樣設為合格。
表1中顯示以上試驗結果。
[表1]
從表1的結果顯然可確認，使用本發明之表面處理銅箔的積層板具有優異之耐熱性且傳輸特性亦優異。
相對於此，耐熱處理層中的鎳附著量為0的比較例1無法獲得耐熱性。另一方面，耐熱處理層中的鎳附著量過剩的比較例2及比較例3則是傳輸特性不足。
又，微細粗化粒子處理層中銅粒子尺寸大的比較例4形成傳輸特性差且耐熱性亦難以稱為充足的結果。未形成防鏽處理層的比較例5亦無法獲得充分之耐熱性。
本申請案是以2019年2月4日申請的日本專利申請特願2019-018095為基礎，其內容包含於本案中。
為了表現本發明，在前述中一邊參照具體例或圖式等一邊透過實施形態適切且充分地說明本發明，但應理解若為該發明所屬技術領域中具有通常知識者，則可輕易地變更及/或改良前述實施形態。故，該發明所屬技術領域中具有通常知識者所實施的變更形態或改良形態，只要不是脫離申請專利範圍中記載的請求項之權利範圍的程度，則該變更形態或該改良形態應解釋為包含於該請求項之權利範圍內。 產業上之可利用性
本發明在有關傳輸基板(電路基板)用電子材料或使用其之各種元件的技術領域中，具有廣泛的產業上之可利用性。
1:銅箔 2:微細粗化粒子處理層 3:耐熱處理層 4:防鏽處理層 5:矽烷耦合劑處理層
圖1是顯示本發明一實施形態之表面處理銅箔之構造的示意截面圖。
1:銅箔
2:微細粗化粒子處理層
3:耐熱處理層
4:防鏽處理層
5:矽烷耦合劑處理層

Claims (5)

  1. 一種表面處理銅箔，係於銅箔之至少一面具有銅的微細粗化粒子處理層者，前述微細粗化粒子處理層由粒徑40~200nm之微細銅粒子構成，於前述微細粗化粒子處理層上具有含鎳的耐熱處理層，於前述耐熱處理層上具有至少含鉻的防鏽處理層，於前述防鏽處理層上具有矽烷耦合劑處理層，且前述耐熱處理層由鎳或鎳與磷構成，該耐熱處理層中的鎳附著量為30~60mg/m2。
  2. 一種覆銅積層板，具備：由樹脂組成物之硬化物構成的絕緣層；及於前述絕緣層之單面或兩面上之如請求項1之表面處理銅箔。
  3. 一種附樹脂之銅箔，具備：含有樹脂組成物或前述樹脂組成物之半硬化物的樹脂層；及於前述樹脂層之單面上之如請求項1之表面處理銅箔。
  4. 一種電路基板，具備如請求項2之覆銅積層板，且於其表面具有作為電路的導體圖案。
  5. 一種電路基板，具備如請求項3之附樹脂之銅箔，且於其表面具有作為電路的導體圖案。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230161954A (ko) * 2021-03-29 2023-11-28 미쓰이금속광업주식회사 조화 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201515533A (zh) * 2013-08-20 2015-04-16 Jx Nippon Mining & Metals Corp 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層板、印刷配線板、電子機器、以及印刷配線板之製造方法
TW201827653A (zh) * 2016-12-06 2018-08-01 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5739244A (en) 1980-08-20 1982-03-04 Dainippon Screen Mfg Automatic patterning needle selector in knitting machine
JPH06787Y2 (ja) 1984-06-25 1994-01-05 日本無線株式会社 魚群探知機用送信回路
JPS6182584U (zh) 1984-11-05 1986-05-31
WO2004005588A1 (ja) * 2002-07-04 2004-01-15 Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. キャリア箔付電解銅箔
JP4172704B2 (ja) * 2003-07-31 2008-10-29 日鉱金属株式会社 表面処理銅箔およびそれを使用した基板
JP2006210689A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 高周波プリント配線板用銅箔及びその製造方法
JP2007332418A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 表面処理銅箔
KR101228168B1 (ko) * 2007-09-28 2013-01-30 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 인쇄 회로용 동박 및 동장 적층판
JP5871426B2 (ja) * 2012-01-31 2016-03-01 古河電気工業株式会社 高周波伝送用表面処理銅箔、高周波伝送用積層板及び高周波伝送用プリント配線板
KR101931895B1 (ko) 2014-12-05 2018-12-21 미쓰이금속광업주식회사 고주파 신호 전송 회로 형성용 표면 처리 동박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
JP6182584B2 (ja) 2015-12-09 2017-08-16 古河電気工業株式会社 プリント配線板用表面処理銅箔、プリント配線板用銅張積層板及びプリント配線板
JP2017193778A (ja) 2016-04-15 2017-10-26 Ｊｘ金属株式会社 銅箔、高周波回路用銅箔、キャリア付銅箔、高周波回路用キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
CN109642338B (zh) * 2016-09-12 2021-02-09 古河电气工业株式会社 铜箔以及具有该铜箔的覆铜板
US11130861B2 (en) * 2017-03-30 2021-09-28 Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd. Soluble polyfunctional vinyl aromatic copolymer, method for producing same, curable resin composition and cured product thereof
TWI652163B (zh) * 2017-11-15 2019-03-01 財團法人工業技術研究院 高頻電路用銅箔及其製造方法
CN113543973A (zh) * 2019-02-04 2021-10-22 松下知识产权经营株式会社 覆铜箔层压板、带树脂的铜箔以及使用它们的电路板
WO2020230870A1 (ja) * 2019-05-15 2020-11-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 銅張積層板、樹脂付銅箔、および、それらを用いた回路基板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201515533A (zh) * 2013-08-20 2015-04-16 Jx Nippon Mining & Metals Corp 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層板、印刷配線板、電子機器、以及印刷配線板之製造方法
TW201827653A (zh) * 2016-12-06 2018-08-01 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法

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