TW201827653A - 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種表面處理銅箔，其良好地抑制了設置在銅箔表面的粗化粒子層中的粗化粒子的脫落。
一種表面處理銅箔，在銅箔的一表面及/或兩表面設置有粗化處理層，粗化處理層的粗化粒子的高度距離銅箔表面為5~1000nm，表面處理銅箔的粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E*ab為65以下，表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度為70%以下。

Description

表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法
本發明涉及一種表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法。
近半個世紀以來，印刷配線板實現了長足進步，現已幾乎用於所有電子機器。近年來，隨著電子機器的小型化、高性能化需求的增大，搭載零件的高密度安裝化不斷發展，對印刷配線板要求導體圖案的微細化(微間距化)。
印刷配線板首先是製成將銅箔和以玻璃環氧基板、BT樹脂、聚醯亞胺膜等為主的絕緣基板貼合而成的覆銅積層體。貼合可以採用將絕緣基板和銅箔重疊後進行加熱加壓而形成的方法(層壓法)、或者在銅箔的具有被覆層的面塗布作為絕緣基板材料前體的清漆後進行加熱、硬化的方法(流延法)。
針對所述微間距化的課題，例如專利文獻1中揭示了如下印刷電路用銅箔的處理方法，其特徵在於：藉由在銅箔的表面鍍覆銅-鈷-鎳合金而進行粗化處理後，形成鈷-鎳合金鍍層，進而形成鋅-鎳合金鍍層。而且記載了，憑藉這種構成能夠實現導體圖案的微間距化。
[專利文獻1]日本專利第2849059號公報
在如上所述的印刷配線板之製造方法中，有時需使用特定裝置等去除銅箔表面或印刷配線板的表面上的異物。此時，對銅箔表面賦予的用來提升與絕緣樹脂的密接性的粗化處理層如上所述為了應對配線微細化而變得微細。因此，在去除異物時，構成粗化處理層的粗化粒子會從銅箔的表面脫落(也稱為落粉)而作為導電性異物轉印、附著至銅箔或印刷配線板的搬送裝置。如此附著在銅箔或印刷配線板的搬送裝置的表面的導電性異物有可能再次轉移至銅箔或印刷配線板表面。這種情況會導致在使用該銅箔形成電路時、或該印刷配線板中電路發生短路。
但是，對良好地抑制具有粗化處理層的表面處理銅箔中粗化粒子脫落(落粉)的技術的相關研究尚不充分，仍留有改善餘地。因此，本發明的課題在於提供一種設置在銅箔表面的粗化粒子層中的粗化粒子的脫落得到良好抑制的表面處理銅箔。
為了達成所述目的，本發明者等人經過反覆努力的研究，結果發現，針對粗化處理層的粗化粒子，將其距離銅箔表面的高度設定為指定高度，並且，將表面處理銅箔的粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E*ab及表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度控制為指定值以下，由此解決該課題。
本發明是基於所述見解而完成的，一實施方案是一種表面處理銅箔，該表面處理銅箔在銅箔的一表面及/或兩表面設置有粗化處理層，所述粗化處理層的粗化粒子的高度距離所述銅箔表面為5~1000nm，所述表面處理銅箔的所述粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E*ab為65以下，所述表面 處理銅箔的所述粗化處理層側表面的TD的光澤度為70%以下。
關於本發明的表面處理銅箔，在一實施形態中，所述粗化處理層的粗化粒子的粗度為5~500nm。
關於本發明的表面處理銅箔，在另一實施形態中，所述粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E*ab為45以上且65以下。
關於本發明的表面處理銅箔，在又一實施形態中，所述粗化處理層的表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層。
關於本發明的表面處理銅箔，在又一實施形態中，所述粗化處理層側表面具備樹脂層。
關於本發明的表面處理銅箔，在又一實施形態中，所述樹脂層為接著用樹脂及/或半硬化狀態的樹脂。
關於本發明的表面處理銅箔，在又一實施形態中，乃散熱用。
本發明另一實施方案是一種附載體銅箔，該附載體銅箔在載體的一面或兩面依序具有中間層、極薄銅層，所述極薄銅層為本發明的表面處理銅箔。
本發明又一實施方案是一種積層體，該積層體具有本發明的表面處理銅箔或本發明的附載體銅箔。
本發明又一實施方案是一種積層體，該積層體包含本發明的附載體銅箔和樹脂，且所述附載體銅箔的端面的一部分或全部經所述樹脂被覆。
本發明又一實施方案是一種積層體，該積層體是將一本發明的附載體銅箔從所述載體側或所述極薄銅層側積層在另一本發明的附載體銅箔的所述載體側或所述極薄銅層側而成。
本發明又一實施方案是一種印刷配線板之製造方法，該印刷配 線板之製造方法使用本發明的表面處理銅箔或本發明的附載體銅箔。
本發明又一實施方案是一種印刷配線板之製造方法，該印刷配線板之製造方法包括如下步驟：準備本發明的表面處理銅箔或本發明的附載體銅箔、和絕緣基板；將所述表面處理銅箔和所述絕緣基板加以積層，經此步驟形成覆銅積層板，或者將所述附載體銅箔和所述絕緣基板加以積層後，剝離所述附載體銅箔的載體，經此步驟形成覆銅積層板；然後，藉由半加成(semi-additive)法、減成(subtractive)法、部分加成(partly additive)法或改進半加成(modified semi-additive)法中的任一方法形成電路。
本發明又一實施方案是一種印刷配線板之製造方法，該印刷配線板之製造方法包括如下步驟：在本發明的表面處理銅箔的所述粗化處理層側表面形成電路，或者在本發明的附載體銅箔的所述極薄銅層側表面或所述載體側表面形成電路；以掩埋所述電路的方式，在所述表面處理銅箔的所述粗化處理層側表面、或者在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側表面或所述載體側表面形成樹脂層；在所述樹脂層上形成電路；在所述樹脂層上形成電路後，藉由去除所述表面處理銅箔，或者藉由剝離所述載體或所述極薄銅層後去除所述極薄銅層或所述載體，而使掩埋在所述樹脂層中的電路露出。
本發明又一實施方案是一種印刷配線板之製造方法，該印刷配線板之製造方法包括如下步驟：將本發明的表面處理銅箔從與所述粗化處理層相反的一側的表面側積層在樹脂基板上，或者將本發明的附載體銅箔從所述載體側積層在樹脂基板上；在所述表面處理銅箔的所述粗化處理層側表面、或者在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側表面形成電路；以掩埋所述電路的方式，在所述表面處理銅箔的所述粗化處理層側表面、或者在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側表面形成樹脂層；在所述樹脂層上形成電路；在所述樹脂層上形成電路後，藉由去除所述表面處理銅箔、或者藉由剝離所述載體後去除所述極薄 銅層，而使掩埋在所述樹脂層中的電路露出。
本發明又一實施方案是一種印刷配線板之製造方法，該印刷配線板之製造方法包括如下步驟：將本發明的表面處理銅箔或本發明的附載體銅箔和樹脂基板加以積層；在所述表面處理銅箔或所述附載體銅箔的與積層樹脂基板側相反的一側的表面設置至少1次樹脂層和電路的雙層；形成所述樹脂層和電路的雙層後，去除所述表面處理銅箔，或者從所述附載體銅箔剝離所述載體或所述極薄銅層。
本發明又一實施方案是一種印刷配線板之製造方法，該印刷配線板之製造方法包括如下步驟：在本發明的表面處理銅箔的與所述粗化處理層相反的一側的表面、或者在本發明的附載體銅箔的所述載體側表面積層樹脂基板；在所述表面處理銅箔的所述粗化處理層側表面、或者在所述附載體銅箔的極薄銅層側表面設置至少1次樹脂層和電路的雙層；形成所述樹脂層和電路的雙層後，去除所述表面處理銅箔，或者從所述附載體銅箔剝離所述載體。
本發明又一實施方案是一種印刷配線板之製造方法，該印刷配線板之製造方法包括如下步驟：在本發明的積層體的任一面或兩面設置至少1次樹脂層和電路的雙層；形成所述樹脂層和電路的雙層後，從構成所述積層體的附載體銅箔剝離所述載體或所述極薄銅層。
本發明又一實施方案是一種電子機器之製造方法，該電子機器之製造方法使用藉由本發明的方法所製造的印刷配線板。
根據本發明，可提供一種設置在銅箔表面的粗化粒子層中的粗化粒子的脫落得到良好抑制的表面處理銅箔。
圖1A~C是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例中的到鍍覆電路‧去除阻劑(resist)為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖2D~F是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例中的從樹脂及第2層附載體銅箔積層到雷射打孔為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖3G~I是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例中的從填孔(via fill)形成到第1層載體剝離為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖4J~K是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例中的從快速蝕刻(flash etching)到凸塊‧銅柱形成為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖5是粗化處理層的粗化粒子的距離銅箔表面的高度(積層高度)的測定方法的說明圖。
圖6是實施例9的表面處理銅箔的粗化處理層的剖視圖。
圖7是實施例10的表面處理銅箔的粗化處理層的剖視圖。
圖8是比較例1的表面處理銅箔的粗化處理層的剖視圖。
圖9是比較例6的表面處理銅箔的粗化處理層的剖視圖。
<表面處理銅箔>
本發明的表面處理銅箔在銅箔的一表面及/或兩表面設置有粗化處理層。本發明中，所謂銅箔的一“表面”及/或兩“表面”，在銅箔的表面經過表面處理(在銅箔表面鍍銅等的底鍍處理等)的情況(例如依照銅箔/表面處理/粗化處 理的順序進行處理的表面處理銅箔)下，意指進行該表面處理後的表面(最表面)。在絕緣基板上貼合本發明的表面處理銅箔而製造積層體(覆銅積層板)後，將表面處理銅箔蝕刻成為目標導體圖案，最終能夠製造印刷配線板。本發明的表面處理銅箔也可以用作例如能夠接收來自發熱部件的熱量並良好地釋出的散熱用表面處理銅箔。
<銅箔>
本發明中可以使用的銅箔的形態並無特別限制，典型而言，本發明中使用的銅箔可以為電解銅箔或壓延銅箔的任一種。一般而言，電解銅箔是使從硫酸銅鍍浴中電解析出的銅沉積到鈦或不銹鋼製轉筒上而製造，壓延銅箔是反覆進行利用壓延輥的塑性加工和熱處理而製造。要求彎曲性的用途中大多應用的是壓延銅箔。
作為銅箔材料，除了印刷配線板的導體圖案所通常使用的精銅(JIS H3100，合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100，合金編號C1020；或JIS H3510，合金編號C1011)等高純度銅以外，也可以使用例如含錫(Sn)銅、含銀(Ag)銅，添加有鉻(Cr)、鋯(Zr)或鎂(Mg)等的銅合金，添加有鎳(Ni)及矽(Si)等的卡遜(Corson)系銅合金之類的銅合金。此外，本說明書中，“銅箔”一詞在單獨使用時也包括銅合金箔在內。
此外，銅箔的板厚無須特別限定，例如為1~1000μm，或為1~500μm，或為1~300μm，或為3~100μm，或為5~70μm，或為6~35μm，或為9~18μm。
另外，本發明另一實施方案是一種附載體銅箔，其依序具有載體、中間層、極薄銅層，所述極薄銅層為本發明的表面處理銅箔。本發明中，在使用附載體銅箔的情況下，在極薄銅層表面設置下述粗化處理層等表面處理層。此外，附載體銅箔的另一實施形態也會於下文進行說明。
<粗化處理層>
通常，對於銅箔的將和樹脂基材接著的面、即粗化面，為了提升積層後的銅箔的剝離強度，而在脫脂後的銅箔的表面實施進行「癤瘤」狀電鍍的粗化處理。電解銅箔於製造時就具有凹凸，藉由粗化處理增強電解銅箔的凸部而使凹凸更大。有時在粗化前作為預處理而進行通常的鍍銅等，有時也會在粗化後作為終處理而進行通常的鍍銅等以防止電鍍物脫落。本發明中，將以上的預處理及終處理統稱為「粗化處理」。
本發明的表面處理銅箔的粗化處理層的粗化粒子具有距離銅箔表面為5~1000nm的高度。另外，粗化粒子可以進行堆積。藉由這種構成，不僅能夠確保銅箔表面和絕緣樹脂的密接性，而且也能夠良好地控制落粉。就進一步優化銅箔表面和絕緣樹脂的密接性的觀點而言，該粗化粒子的高度距離銅箔表面優選10nm以上，優選15nm以上，優選20nm以上，優選30nm以上，優選40nm以上，優選45nm以上，優選50nm以上，優選500nm以上。就更良好地減輕銅箔在層壓加工中產生的皺褶或條紋的觀點而言，該粗化粒子的高度優選150nm以上。就更良好地控制落粉的觀點而言，該粗化粒子的高度優選900nm以下，優選800nm以下，優選700nm以下，優選650nm以下，優選600nm以下，優選500nm以下，優選400nm以下，更優選300nm以下，更優選150nm以下。就進一步提升生產性的觀點而言，該粗化粒子的高度優選400nm以下。
關於本發明的粗化處理層的粗化粒子的高度及/或粗化處理層的粗化粒子的粗度，可以藉由電流密度及/或鍍覆時間及/或進行鍍覆時的鍍液溫度來控制。藉由提高電流密度，能夠增高粗化粒子的高度及/或增大粗化粒子的粗度。藉由降低電流密度，能夠減低粗化粒子的高度及/或減小粗化粒子的粗度。藉由延長鍍覆時間，能夠增高粗化粒子的高度及/或增大粗化粒子的粗度。藉由縮短鍍覆時間，能夠減低粗化粒子的高度及/或減小粗化粒子的粗度。藉由 降低鍍液溫度，能夠增高粗化粒子的高度及/或增大粗化粒子的粗度。藉由提高鍍液溫度，能夠減低粗化粒子的高度及/或減小粗化粒子的粗度。
關於本發明的表面處理銅箔，將粗化處理層側表面的以白色板(採用D65光源、10度視野時，該白色板的X10Y10Z10表色系統(JIS Z8701 1999)的三刺激值是X10=80.7、Y10=85.6、Z10=91.5，L*a*b*表色系統下的該白色板的物體色是L*=94.14、a*=-0.90、b*=0.24)的物體色作為基準色的情況下的色差，即基於JIS Z8730的色差△E*ab控制為65以下。藉由這種構成，導致色差△E*ab變大的粗大的粗化粒子在積層體上的存在頻度變低，而能夠良好地控制落粉。本發明的表面處理銅箔的粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E*ab優選62以下，更優選60以下，更優選57以下，更優選50以下。
另外，關於該色差△E*ab的下限值，如果將其控制為42以上，則例如在印刷配線板製造中於銅箔表面形成電路時，銅箔和電路對比鮮明，因此電路的視認性良好，而能夠高精度地進行電路定位。另外，為了提高印刷配線板的積體電路密度，一般採用形成雷射孔而通過該孔連接內層和外層的方法，此時，如果將表面處理銅箔的粗化處理層側表面的該色差△E*ab控制為42以上，則在使用CCD相機進行多層FPC的積層定位時，必須確認透過PI(聚醯亞胺)的白色載臺上的銅箔電路位置，因此定位的精度提升。另外，銅對於二氧化碳氣體雷射等遠紅外線~紅外線的波長區域內的雷射的吸收率極低，因此，藉由使△E*ab為42以上，也可以改善該吸收率。所述色差△E*ab優選45以上，更優選47以上，更優選49以上，更優選50以上，更優選51以上，更優選52以上。另外，因為存在能夠進一步優化銅箔表面和絕緣樹脂的密接性的情況，所以優選使所述色差△E*ab成為49.1以上。
本發明中，所謂“粗化處理層側表面”，在粗化處理層的表面設置有耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層等各種表面處理層的情 況下，意指該表面處理層表面(最表面)。
例如，本發明中，所謂“粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E*ab”，在粗化處理層的表面設置有耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層或矽烷偶合處理層等各種表面處理層的情況下，是指該表面處理層表面(最表面)的基於JIS Z8730的色差△E*ab。本發明的表面處理銅箔的粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E*ab更優選52以上，更優選54以上。
此處，所述色差△E*ab是以下述式表示。下述式中的色差△L、△a、△b分別是使用色差儀進行測定，加上黑/白/紅/綠/黃/藍，基於JIS Z8730(2009)而採用L*a*b*表色系統表示的綜合指標，△L表徵黑白，△a表徵紅綠，△b表徵黃藍。該色差(△L、△a、△b)可以使用HunterLab公司製造的色差儀MiniScan XE Plus進行測定。此外，色差△L、△a、△b分別是以所述白色板的物體色作為基準色的情況下基於JIS Z8730(2009)的色差，△L是JIS Z8729(2004)中規定的L*a*b*表色系統下兩個物體色的CIE亮度L*的差，△a、△b是JIS Z8729(2004)中規定的L*a*b*表色系統下兩個物體色的色座標a*或b*的差。
所述色差可以藉由粗化處理層的形成條件來控制。具體而言，在形成粗化處理層時，使用包含多種元素、例如選自由銅、鎳、鈷、鎢、鉬、磷、鋅、錫、鉻及鐵所組成的群中的一種以上元素的電解液，並控制電流密度、處理時間及處理液溫度，由此能夠控制所述色差。為了可以容易地控制粗化粒子的高度及/或色差，粗化處理層優選為包含銅的合金。藉由提高電流密度，能夠增大色差。藉由降低電流密度，能夠減小色差。藉由延長鍍覆時間，能夠增大色差。藉由縮短鍍覆時間，能夠減小色差。藉由降低鍍液溫度，能夠增大色差。藉由提高鍍液溫度，能夠減小色差。
另外，作為粗化處理液的金屬組成，藉由降低銅濃度並提高銅以外的金屬濃度，也能夠增大色差。
關於本發明的表面處理銅箔，將表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度控制為70%以下。如果表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度超過70%，則有在將表面處理銅箔和樹脂貼合時產生皺褶或條紋的擔憂。表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度優選69%以下，更優選68%以下，更優選67%以下，更優選66%以下，進而更優選65%以下，進而更優選60%以下，進而更優選55%以下，進而更優選50%以下，進而更優選45%以下，進而更優選25%以下，進而更優選20%以下，進而更優選10%以下，進而更優選5%以下。另外，表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度的下限無需特別限定，典型而言，例如0.01%以上、例如0.1以上、例如0.3以上、例如0.5%以上。
表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度可以藉由表面處理前的銅箔或載體的TD的光澤度及/或電流密度及/或鍍覆時間及/或進行鍍覆時的鍍液溫度來控制。藉由降低表面處理前的銅箔或載體的TD的光澤度，能夠降低表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度。藉由提高表面處理前的銅箔或載體的TD的光澤度，能夠提高表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度。藉由提高電流密度，能夠降低表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度。藉由降低電流密度，能夠提高表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度。藉由延長鍍覆時間，能夠降低表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度。藉由縮短鍍覆時間，能夠提高表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度。藉由降低鍍液溫度，能夠降低表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度。藉由提高鍍液的溫度，能夠提高表面處理銅箔的粗化處理層側表面的TD的光澤度。
關於本發明的表面處理銅箔，粗化處理層的粗化粒子的粗度優選5~500nm。如果粗化處理層的粗化粒子的粗度為5nm以上，則能夠進一步優化將表面處理銅箔從粗化處理層側積層在樹脂上之後，從表面處理銅箔剝離樹脂時的剝離強度。如果粗化處理層的粗化粒子的粗度為500nm以下，則具有如下效果：將表面處理銅箔從粗化處理層側積層在樹脂上之後，蝕刻去除該表面處理銅箔的不需要部分而由此形成電路時，在去除表面處理銅箔後的樹脂表面更不易殘留表面處理銅箔的殘渣。就進一步優化所述剝離強度的觀點而言，粗化處理層的粗化粒子的粗度更優選7nm以上，更優選10nm以上，更優選15nm以上，更優選20nm以上，更優選21nm以上，更優選25nm以上，更優選27nm以上，更優選30nm以上。就更不易殘留所述表面處理銅箔的殘渣的觀點而言，粗化處理層的粗化粒子的粗度更優選480nm以下，更優選460nm以下，更優選440nm以下，更優選420nm以下，更優選400nm以下，更優選380nm以下，更優選360nm以下，更優選340nm以下，更優選320nm以下，更優選300nm以下，更優選280nm以下，更優選260nm以下，更優選250nm以下，進而更優選240nm以下，進而更優選220nm以下。另外，就進一步提升下述生產性的觀點而言，優選79nm以下。
本發明的表面處理銅箔中的粗化處理層可以在以下條件下製作。
(粗化處理層鍍覆條件)
如果列舉用以形成粗化處理層的鍍覆條件的一例，則如下所示。
液組成：銅10~20g/L、鈷7~10g/L、鎳7~10g/L
pH值：2.0~3.0
液溫：25~60℃
電流密度：1~60A/dm2
鍍覆時間：0.2~1.1秒
庫侖量：1.5~55As/dm2
在電流密度高的情況下，需要提高鍍液溫度及/或縮短鍍覆時間。在電流密度低的情況下，可以一定程度上降低鍍液溫度及/或一定程度上延長鍍覆時間。
用以形成粗化處理層的液組成還可以採用以下(A)~(E)的任一種。其他條件可以採用所述條件。
(A)銅10~20g/L、鎳3~10g/L、磷0.1~2.0g/L
(B)銅3~10g/L、鈷10~20g/L、鎳10~20g/L
(C)銅3~10g/L、鈷10~20g/L、鎳10~20g/L、鎢0.001~5g/L
(D)銅5~15g/L、鎳5~15g/L、鉬0.1~10g/L
(E)銅5~15g/L、鎳5~15g/L、鉬0.1~10g/L、磷0.1~2.0g/L
所述用以形成粗化處理層的處理液可以包含選自鎳、鈷、鎢、鉬、磷、鋅、錫、鉻及鐵中的一種以上的元素。
此外，如上所述，所述粗化處理層可以形成在本發明的表面處理銅箔的一表面，也可以形成在兩表面。
<附載體銅箔>
作為本發明另一實施形態的附載體銅箔在載體的一面或兩面依序具有中間層、極薄銅層。並且，所述極薄銅層是作為所述本發明一實施形態的表面處理銅箔。
<載體>
本發明中可以使用的載體典型而言為金屬箔或樹脂膜，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟樹脂膜、PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜、PP(聚丙烯)膜、聚醯胺膜、聚醯胺醯亞胺膜的形態提供。
本發明中可以使用的載體典型而言是以壓延銅箔或電解銅箔的形態提供。一般而言，電解銅箔是使從硫酸銅鍍浴中電解析出的銅沉積到鈦或不銹鋼製轉筒上而製造，壓延銅箔是反覆進行利用壓延輥的塑性加工和熱處理而製造。作為銅箔的材料，除了精銅(JIS H3100，合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100，合金編號C1020；或JIS H3510，合金編號C1011)等高純度銅以外，也可以使用例如含錫(Sn)銅、含銀(Ag)銅，添加有鉻(Cr)、鋯(Zr)或鎂(Mg)等的銅合金，添加有鎳(Ni)及矽(Si)等的卡遜系銅合金之類的銅合金。此外，本說明書中，“銅箔”一詞在單獨使用時也包括銅合金箔在內。
本發明中可以使用的載體的厚度也無特別限制，只要在發揮作為載體的作用的基礎上適當調節為合適的厚度即可，例如可以設為5μm以上。但是，如果過厚則生產成本變高，所以一般優選設為35μm以下。因此，載體的厚度典型而言為8~70μm，更典型而言為12~70μm，更典型而言為18~35μm。另外，就降低原料成本的觀點而言，載體的厚度宜為較小。因此，載體的厚度典型而言為5μm以上且35μm以下，優選5μm以上且18μm以下，優選5μm以上且12μm以下，優選5μm以上且11μm以下，優選5μm以上且10μm以下。此外，如果載體的厚度小，則在載體通箔時容易產生折疊、皺褶。為了防止產生折疊、皺褶，例如有效的是保持附載體銅箔製造裝置的搬送輥的平滑、或縮短一搬送輥和下一搬送輥的距離。此外，在將附載體銅箔用於作為印刷配線板製造方法之一的埋入法(嵌入法(Enbedded Process))的情況下，需要載體為高剛性。因此，在用於埋入法的情況下，載體的厚度優選18μm以上且300μm以下，優選25μm以上且150μm以下，優選35μm以上且100μm以下，進而更優選35μm以上且70μm以下。
此外，也可以對載體的與設置極薄銅層側的表面相反的一側的表面設置粗化處理層。該粗化處理層可以採用公知方法進行設置，也可以藉由下述粗化處 理進行設置。對載體的與設置極薄銅層側的表面相反的一側的表面設置粗化處理層具有如下優點：將載體從具有該粗化處理層的表面側積層在樹脂基板等支撐體上時，載體和樹脂基板不易剝離。
以下，例示使用電解銅箔作為載體的情況下的製造條件的一例。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
均化劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
均化劑2(胺化合物)：10~30ppm
所述胺化合物可以使用以下化學式的胺化合物。
此外，本發明所採用的電解、表面處理或鍍覆等中使用的處理液的剩餘部分只要未作特別說明均為水。
(所述化學式中，R1及R2選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的群。)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速度：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
<中間層>
在載體上設置中間層。也可以在載體和中間層之間設置其他層。本發明中使用的中間層只要為在附載體銅箔向絕緣基板的積層步驟前使極薄銅層不易從載體剝離，另一方面在向絕緣基板的積層步驟後使極薄銅層能夠從載體剝離的構成，則並無特別限定。例如，本發明的附載體銅箔的中間層可以包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、這些金屬的合金、這些金屬的水合物、這些金屬的氧化物、有機物所組成的群中的一種或兩種以上。另外，中間層可以是多層。
另外，中間層可以藉由如下方式構成，例如從載體側起形成由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種元素所組成的單一金屬層，或形成由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種或兩種以上元素所組成的合金層，在其上形成由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種或兩種以上元素的水合物或氧化物、或有機物所組成的層，或形成由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種元素所組成的單一金屬層，或形成由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種或兩種以上元素所組成的合金層。
僅對單面設置中間層時，優選對載體的相反面設置鍍鎳(Ni)層等防銹層。此外，認為在藉由鉻酸鹽處理或鉻酸鋅處理或鍍覆處理設置中間層時，存在鉻或鋅等所附著的金屬的一部分成為水合物或氧化物的情況。
另外，中間層例如可以藉由在載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金和鉻而構成。鎳和銅的接著力高於鉻和銅的接著力，所以剝離極薄銅層時，在極薄銅層和鉻的介面發生剝離。另外，可期待中間層的鎳具有防止銅成分自載體向極薄銅層擴散的阻障效果。中間層中的鎳的附著量優選100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且未達1000μg/dm2，中間層中的鉻的附著量優選5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。
<極薄銅層>
在中間層上設置極薄銅層。也可以在中間層和極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可以藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺磺酸銅、氰化銅等的電解浴進行電鍍而形成，優選能夠以高電流密度形成銅箔而為一般的電解銅箔所使用的硫酸銅浴。極薄銅層的厚度並無特別限制，一般而言薄於載體，例如為12μm以下。典型而言為0.5~12μm，更典型而言為1~5μm，進而典型而言為1.5~5μm，進而典型而言為2~5μm。此外，也可以在載體的兩面設置極薄銅層。
如此製造具備載體、積層在載體上的中間層、及積層在中間層上的極薄銅層的附載體銅箔。
附載體銅箔本身的使用方法為業者周知，例如可以將極薄銅層的表面貼合在紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板上並進行熱壓接後，剝離載體而形成覆銅積層板，將接著在絕緣基板上的極薄銅層蝕刻成為目標導體圖案，最終製成印刷配線板。
<其他表面處理>
粗化處理後，還可以由Ni、Co、Cu、Zn的單質金屬或合金等形成耐熱層 或防銹層，也可以進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，可以在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層。此外，所述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層分別可以由多層形成(例如2層以上、3層以上等)。
本說明書中，所謂鉻酸鹽處理層是指利用包含鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的溶液進行處理的層。鉻酸鹽處理層還可以包含Co、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Sn、As及Ti等元素(金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等形態均可)。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可以列舉：利用鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液進行處理的鉻酸鹽處理層、或者利用包含鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅的處理液進行處理的鉻酸鹽處理層等。
作為耐熱層、防銹層，可以使用公知的耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可以為包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上的元素的層，也可以為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的1種以上的元素所構成的金屬層或合金層。另外，耐熱層及/或防銹層也可以含有包含所述元素的氧化物、氮化物、矽化物。另外，耐熱層及/或防銹層也可以為包含鎳-鋅合金的層。另外，耐熱層及/或防銹層也可以為鎳-鋅合金層。所述鎳-鋅合金層中除了不可避免的雜質以外，可以含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%。所述鎳-鋅合金層中的鋅及鎳的合計附著量可以為5~1000mg/m2，優選10~500mg/m2，優選20~100mg/m2。另外，所述包含鎳-鋅合金的層或所述鎳-鋅合金層中，鎳附著量與鋅附著量的比(=鎳附著量/鋅附著量)優選1.5~10。另外，所述包含鎳-鋅合金的層或所述鎳-鋅合金層中的鎳附著量優選0.5mg/m2~500mg/m2，更優選1mg/m2~50mg/m2。在耐熱層及/或防銹層為包含鎳-鋅合金的層的情況下，當通孔 (through hole)或導孔(via hole)等的內壁部和除膠渣(desmear)液接觸時，銅箔與樹脂基板的介面不易被除膠渣液腐蝕，銅箔和樹脂基板的密接性提升。
矽烷偶合處理層可以使用公知的矽烷偶合劑而形成，也可以使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷、乙烯基系矽烷、咪唑系矽烷、三系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。此外，可以將這些矽烷偶合劑中的2種以上混合使用。其中，優選使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑而形成的矽烷偶合處理層。
另外，可以對銅箔、極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層或鉻酸鹽處理層的表面進行公知的表面處理。
<樹脂層>
表面處理銅箔可以在粗化處理層側表面具備樹脂層。所述樹脂層可以為接著劑，也可以為接著用的半硬化狀態(B階段)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段)包括用手指觸碰其表面也無粘著感而能夠將該絕緣樹脂層重疊保管，進而當受到加熱處理則會發生硬化反應的狀態。
另外，所述樹脂層可以包含熱硬化性樹脂，也可以為熱塑性樹脂。另外，所述樹脂層也可以包含熱塑性樹脂。樹脂種類並無特別限定，例如，可以優選列舉包含選自環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二醯亞胺化合物、聚順丁烯二醯亞胺化合物、順丁烯二醯亞胺系樹脂、芳香族順丁烯二醯亞胺樹脂、聚乙烯縮醛樹脂、胺酯(urethane)樹脂、聚醚碸、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、多胺、芳香族多胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠變性環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙順丁烯二醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有能夠交聯的官能 基的線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷、含磷的酚系化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-環氧丙基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改性聚醯胺醯亞胺樹脂、膦氮烯(phosphazene)系樹脂、橡膠變性聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧基、高分子環氧樹脂、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂的群中的一種以上的樹脂。
另外，所述環氧樹脂只要分子內具有2個以上的環氧基，且能夠用於電氣、電子材料用途，就可以無特別問題地使用。另外，所述環氧樹脂優選使用分子內具有2個以上的環氧丙基的化合物進行環氧化所得的環氧樹脂。另外，也可以混合使用選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛型環氧樹脂、橡膠改性雙酚A型環氧樹脂、環氧丙基胺型環氧樹脂、三聚異氰酸三環氧丙酯、N,N-二環氧丙基苯胺等環氧丙基胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙酯等環氧丙酯化合物、含磷的環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂的群中的1種或2種以上，或可以使用所述環氧樹脂的氫化物或鹵化物。
作為所述含磷的環氧樹脂，可以使用公知的含有磷的環氧樹脂。另外，所述含磷的環氧樹脂優選例如作為源自分子內具備2個以上的環氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物的衍生物而獲得的環氧樹脂。
所述樹脂層可以包含公知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體(可以使用包含無機化合物及/或有機化合物的介電體、包含金屬氧化物的介電體等任意的介電體)、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸 體、骨架材等。另外，所述樹脂層可以使用公知的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成。
使所述這些樹脂溶解於例如MEK(甲基乙基酮)、甲苯等溶劑中製成樹脂液，藉由例如輥式塗布法等將所製成的樹脂液塗布於所述極薄銅層上、或所述耐熱層、防銹層、或所述鉻酸鹽皮膜層、或所述矽烷偶合劑層上，隨後視需要進行加熱乾燥，去除溶劑而使之成為B階段狀態。乾燥例如使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度為100~250℃、優選130~200℃即可。
具備所述樹脂層的附載體銅箔(附有帶樹脂的載體的銅箔)是以如下形態使用：將該樹脂層重疊於基材後，對整體進行熱壓接使該樹脂層熱硬化，隨後剝離載體而使極薄銅層露出(當然，露出的是該極薄銅層的中間層側的表面)，在露出面上形成指定的配線圖案。
如果使用該附有帶樹脂的載體的銅箔，則能夠減少製造多層印刷配線基板時的預浸體材的使用片數。而且，能夠使樹脂層的厚度成為足以確保層間絕緣的厚度等，即便完全不使用預浸體材也能夠製造覆銅積層板。另外，這時也可以在基材的表面底塗絕緣樹脂而進一步改善表面的平滑性。
此外，在不使用預浸體材的情況下，有如下優點：節約了預浸體材的材料成本，另外也簡化了積層步驟，因此經濟上有利，並且，所製造的多層印刷配線基板的厚度不含預浸體材的厚度而相應地變薄，從而能夠製造單層厚度為100μm以下的極薄的多層印刷配線基板。
該樹脂層的厚度優選0.1~80μm。如果樹脂層的厚度小於0.1μm，則接著力會降低，在不介置預浸體材而將該附有帶樹脂的載體的銅箔積層於具備內層材的基材時，存在難以確保與內層材的電路之間的層間絕緣的情況。
另一方面，如果樹脂層的厚度大於80μm，則難以藉由1次塗布步驟形成目標厚度的樹脂層，會耗費多餘的材料費和工時，因此經濟上不利。進而，所形成的樹脂層柔性差，因此在處理時容易產生裂痕等，另外，存在當與內層材進行熱壓接時過剩的樹脂發生流動而難以順利地積層的情況。
進而，作為該附有帶樹脂的載體的銅箔的另一個製品形態，也可以在所述極薄銅層上、或所述耐熱層、防銹層、或所述鉻酸鹽處理層、或所述矽烷偶合處理層上以樹脂層進行被覆，並使之成為半硬化狀態，隨後剝離載體，而以不存在載體的附有樹脂的銅箔的形態製造。
藉由對印刷配線板搭載電子零件類而完成印刷電路板。本發明中，“印刷配線板”包括如此搭載著電子零件類的印刷配線板、印刷電路板及印刷基板。
另外，可以使用該印刷配線板而製作電子機器，也可以使用該搭載著電子零件類的印刷電路板而製作電子機器，還可以使用該搭載有電子零件類的印刷基板而製作電子機器。以下，例示若干個使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的製造步驟的例子。此外，將本發明的表面處理銅箔用作附載體銅箔的極薄銅層時也同樣能夠製造印刷配線板。
在本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明的附載體銅箔和絕緣基板；將所述附載體銅箔和絕緣基板加以積層；將所述附載體銅箔和絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板對向的方式積層後，剝離所述附載體銅箔的載體，經此步驟形成覆銅積層板，然後藉由半加成法、改進半加成法、部分加成法及減成法中的任一方法形成電路。絕緣基板可以設置有內層電路。
本發明中，半加成法是指如下方法：在絕緣基板或銅箔籽晶(seed)層上進行較薄的無電鍍，形成圖案後，利用電鍍及蝕刻而形成導體圖 案。
因此，在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明的附載體銅箔和絕緣基板；將所述附載體銅箔和絕緣基板加以積層；將所述附載體銅箔和絕緣基板積層後，剝離所述附載體銅箔的載體；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離所述載體而露出的極薄銅層全部去除；在藉由利用蝕刻去除所述極薄銅層而露出的所述樹脂設置通孔或/及盲孔；對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；在所述樹脂及包含所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層；在所述無電解鍍層上設置防鍍劑；對所述防鍍劑進行曝光，然後去除待形成電路區域的防鍍劑；在已去除所述防鍍劑的所述待形成電路區域設置電解鍍層；去除所述防鍍劑；藉由快速蝕刻等去除所述待形成電路區域以外的區域中存在的無電解鍍層。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明的附載體銅箔和絕緣基板；將所述附載體銅箔和絕緣基板加以積層；將所述附載體銅箔和絕緣基板積層後，剝離所述附載體銅箔的載體；在剝離所述載體而露出的極薄銅層和所述絕緣樹脂基板設置通孔或/及盲孔； 對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離所述載體而露出的極薄銅層全部去除；在藉由利用蝕刻等去除所述極薄銅層而露出的所述樹脂及包含所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層；在所述無電解鍍層上設置防鍍劑；對所述防鍍劑進行曝光，然後去除待形成電路區域的防鍍劑；在已去除所述防鍍劑的所述待形成電路區域設置電解鍍層；去除所述防鍍劑；藉由快速蝕刻等去除所述待形成電路區域以外的區域中存在的無電解鍍層。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明的附載體銅箔和絕緣基板；將所述附載體銅箔和絕緣基板加以積層；將所述附載體銅箔和絕緣基板積層後，剝離所述附載體銅箔的載體；在剝離所述載體而露出的極薄銅層和所述絕緣樹脂基板設置通孔或/及盲孔；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離所述載體而露出的極薄銅層全部去除；對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；在藉由利用蝕刻等去除所述極薄銅層而露出的所述樹脂及包含所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層；在所述無電解鍍層上設置防鍍劑； 對所述防鍍劑進行曝光，然後去除待形成電路區域的防鍍劑；在已去除所述防鍍劑的所述待形成電路區域設置電解鍍層；去除所述防鍍劑；藉由快速蝕刻等去除所述待形成電路區域以外的區域中存在的無電解鍍層。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明的附載體銅箔和絕緣基板；將所述附載體銅箔和絕緣基板加以積層；將所述附載體銅箔和絕緣基板積層後，剝離所述附載體銅箔的載體；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法將剝離所述載體而露出的極薄銅層全部去除；在藉由利用蝕刻去除所述極薄銅層而露出的所述樹脂的表面設置無電解鍍層；在所述無電解鍍層上設置防鍍劑；對所述防鍍劑進行曝光，然後去除待形成電路區域的防鍍劑；在已去除所述防鍍劑的所述待形成電路區域設置電解鍍層；去除所述防鍍劑；藉由快速蝕刻等去除所述待形成電路區域以外的區域中存在的無電解鍍層及極薄銅層。
本發明中，改進半加成法是指如下方法：在絕緣層上積層金屬箔，利用防鍍劑保護非電路形成部，藉由電鍍將電路形成部的銅加厚後，去除阻劑，藉由(快速)蝕刻去除所述電路形成部以外的金屬箔，由此在絕緣層上形成電路。
因此，在使用改進半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明的附載體銅箔和絕緣基板；將所述附載體銅箔和絕緣基板加以積層；將所述附載體銅箔和絕緣基板積層後，剝離所述附載體銅箔的載體；在剝離所述載體而露出的極薄銅層和絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；在包含所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層；在剝離所述載體而露出的極薄銅層表面設置防鍍劑；設置所述防鍍劑後，藉由電鍍而形成電路，去除所述防鍍劑；藉由快速蝕刻去除經過去除所述防鍍劑而露出的極薄銅層。
在使用改進半加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明的附載體銅箔和絕緣基板；將所述附載體銅箔和絕緣基板加以積層；將所述附載體銅箔和絕緣基板積層後，剝離所述附載體銅箔的載體；在剝離所述載體而露出的極薄銅層上設置防鍍劑；對所述防鍍劑進行曝光，然後去除待形成電路區域的防鍍劑；在已去除所述防鍍劑的所述待形成電路區域設置電解鍍層；去除所述防鍍劑；藉由快速蝕刻等去除所述待形成電路區域以外的區域中存在的無電解鍍層及極薄銅層。
本發明中，部分加成法是指如下方法：對設置導體層而成的基 板、視需要開設通孔或導孔用孔而成的基板上賦予催化核，蝕刻形成導體電路，視需要設置阻焊劑或防鍍劑後，藉由無電鍍處理將所述導體電路上、通孔或導孔等加厚，由此製造印刷配線板。
因此，在使用部分加成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明的附載體銅箔和絕緣基板；將所述附載體銅箔和絕緣基板加以積層；將所述附載體銅箔和絕緣基板積層後，剝離所述附載體銅箔的載體；在剝離所述載體而露出的極薄銅層和絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；對包含所述通孔或/及盲孔的區域賦予催化核；在剝離所述載體而露出的極薄銅層表面設置抗蝕劑；對所述抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除所述極薄銅層及所述催化核，形成電路；去除所述抗蝕劑；在藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除所述極薄銅層及所述催化核而露出的所述絕緣基板表面，設置阻焊劑或防鍍劑；在未設置所述阻焊劑或防鍍劑的區域設置無電解鍍層。
本發明中，減成法是指如下方法：藉由蝕刻等選擇性地去除覆銅積層板上的銅箔的不需要部分，而形成導體圖案。
因此，在使用減成法的本發明的印刷配線板之製造方法的一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明的附載體銅箔和絕緣基板； 將所述附載體銅箔和絕緣基板加以積層；將所述附載體銅箔和絕緣基板積層後，剝離所述附載體銅箔的載體；在剝離所述載體而露出的極薄銅層和絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；在包含所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層；在所述無電解鍍層的表面設置電解鍍層；在所述電解鍍層或/及所述極薄銅層的表面設置抗蝕劑；對所述抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除所述極薄銅層及所述無電解鍍層及所述電解鍍層，形成電路；去除所述抗蝕劑。
在使用減成法的本發明的印刷配線板之製造方法的另一實施方式中，包括如下步驟：準備本發明的附載體銅箔和絕緣基板；將所述附載體銅箔和絕緣基板加以積層；將所述附載體銅箔和絕緣基板積層後，剝離所述附載體銅箔的載體；在剝離所述載體而露出的極薄銅層和絕緣基板設置通孔或/及盲孔；對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理；在包含所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍層；在所述無電解鍍層的表面形成掩模；在未形成掩模的所述無電解鍍層的表面設置電解鍍層；在所述電解鍍層或/及所述極薄銅層的表面設置抗蝕劑；對所述抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子體等方法去除所述極薄銅層及所述 無電解鍍層，形成電路；去除所述抗蝕劑。
也可以不進行設置通孔或/及盲孔的步驟及之後的除膠渣步驟。
此處，參照圖式，對使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板之製造方法的具體例進行詳細說明。
首先，如圖1-A所示，準備具有極薄銅層的附載體銅箔(第一層)，該極薄銅層在表面形成有粗化處理層。
然後，如圖1-B所示，在極薄銅層的粗化處理層上塗布阻劑，進行曝光、顯影，將阻劑蝕刻成為指定形狀。
然後，如圖1-C所示，形成電路用鍍層後，去除阻劑，由此形成指定形狀的電路鍍層。
然後，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍層的方式(以掩埋電路鍍層的方式)在極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，隨後使另一附載體銅箔(第二層)從極薄銅層側接著在所述樹脂層上。
然後，如圖2-E所示，從第二層的附載體銅箔剝離載體。
然後，如圖2-F所示，在樹脂層的指定位置進行雷射開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
然後，如圖3-G所示，向盲孔內埋入銅而形成填孔。
然後，如圖3-H所示，在填孔上如所述圖1-B及圖1-C所示的那樣形成電路鍍層。
然後，如圖3-I所示，從第一層的附載體銅箔剝離載體。
然後，如圖4-J所示，藉由快速蝕刻去除兩表面的極薄銅層，而使樹脂層內的電路鍍層的表面露出。
然後，如圖4-K所示，在樹脂層內的電路鍍層上形成凸塊，在該焊料上形 成銅柱。經過以上步驟而製作使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板。
此外，所述印刷配線板之製造方法中，也可以將“極薄銅層”換成載體，將“載體”換成極薄銅層，在附載體銅箔的載體側表面形成電路，利用樹脂掩埋電路，而製造印刷配線板。
所述另一附載體銅箔(第二層)可以使用本發明的附載體銅箔，也可以使用以往的附載體銅箔，還可以使用普通銅箔。另外，也可以在圖3-H所示的第二層的電路上進一步形成1層或多層電路，這些電路可以藉由半加成法、減成法、部分加成法或改進半加成法中的任一方法形成。
藉由如上所述的印刷配線板之製造方法，成為將電路鍍層埋入到樹脂層中的構成，因此在例如圖4-J所示的藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層被樹脂層所保護而保持其形狀，從而變得容易形成微細電路。另外，電路鍍層因為受到樹脂層保護，所以耐遷移性提升，良好地抑制電路配線的導通。因此，容易形成微細電路。另外，如圖4-J及圖4-K所示，在藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層的露出面成為從樹脂層凹陷的形狀，因此容易在該電路鍍層上形成凸塊，此外容易在其上形成銅柱，製造效率提升。
此外，埋入樹脂可以使用公知的樹脂、預浸體。例如可以使用BT(雙順丁烯二醯亞胺三)樹脂或作為含浸有BT樹脂的玻璃布的預浸體、味之素精細化工(Ajinomoto Fine-Techno)股份有限公司製造的ABF膜或ABF。另外，所述埋入樹脂可以使用本說明書所記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
另外，所述第一層所使用的附載體銅箔也可以在該附載體銅箔的表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層而使第一層所使用的附載體銅箔得到支撐，不易產生皺褶，因此具有生產性提升的優點。此外，各種基板或樹脂層只要發揮支撐所述第一層所使用的附載體銅箔的效果，則均可用作 所述基板或樹脂層。例如，作為所述基板或樹脂層，可以使用本申請說明書中所記載的載體、預浸體、樹脂層，或者公知的載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物的板、無機化合物的箔、有機化合物的板、有機化合物的箔。
另外，本發明的印刷配線板之製造方法也可以為包括如下步驟的印刷配線板之製造方法(無芯法)：將本發明的附載體銅箔的所述極薄銅層側表面或所述載體側表面和樹脂基板加以積層；在和所述樹脂基板積層的極薄銅層側表面或所述載體側表面的相反側的附載體銅箔的表面，設置至少一次樹脂層和電路的雙層；及形成所述樹脂層與電路的雙層後，從所述附載體銅箔剝離所述載體或所述極薄銅層。關於該無芯法，作為具體例，首先將本發明的附載體銅箔的極薄銅層側表面或載體側表面和樹脂基板加以積層而製造積層體(也稱為覆銅積層板、覆銅積層體)。然後，在和樹脂基板進行積層的極薄銅層側表面或所述載體側表面的相反側的附載體銅箔的表面形成樹脂層。也可以對形成在載體側表面或極薄銅層側表面的樹脂層進而積層另一附載體銅箔，該另一附載體銅箔是從載體側或極薄銅層側進行積層。另外，也可以將具有以樹脂基板或樹脂或預浸體為中心，在該樹脂基板或樹脂或預浸體的兩表面側，按照載體/中間層/極薄銅層的順序或極薄銅層/中間層/載體的順序積層附載體銅箔的構成的積層體、或具有按照“載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板或樹脂或預浸體/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層的構成的積層體、或具有按照“載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層的構成的積層體、或具有按照“極薄銅層/中間層/載體/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層的構成的積層體用於所述印刷配線板之製造方法(無芯法)。然後，可以在該積層體的兩端的極薄銅層或載體所露出的表面設置另一樹脂層，進而設置銅層或金屬層後，對該銅層或金屬層進行加工，由此形成電路。進而，也可以在該電 路上以將該電路埋入其中的方式設置另一樹脂層。另外，可以進行一次以上的這種電路及樹脂層的形成(增層法)。然後，對如此而形成的積層體(以下也稱為積層體B)，將各片附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離，而能夠製作無芯基板。此外，所述無芯基板的製作也可以使用2片附載體銅箔，製作下述具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體的構成的積層體、或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體，將該積層體用於中心。可以在這些積層體(以下也稱為積層體A)的兩側的極薄銅層或載體的表面設置一次以上的樹脂層和電路的雙層，設置一次以上的樹脂層和電路的雙層後，將各片附載體銅箔的極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離，而能夠製作無芯基板。所述積層體也可以在極薄銅層的表面、載體的表面、載體和載體之間、極薄銅層和極薄銅層之間、極薄銅層和載體之間具有其他層。其他層可為樹脂基板或樹脂層。此外，在本說明書中，“極薄銅層的表面”、“極薄銅層側表面”、“極薄銅層表面”、“載體的表面”、“載體側表面”、“載體表面”、“積層體的表面”、“積層體表面”在極薄銅層、載體、積層體於極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層的情況下，設為包含該其他層的表面(最表面)在內的概念。另外，積層體優選具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成。其原因在於，當使用該積層體而製作無芯基板時，極薄銅層配置在無芯基板側，所以使用改進半加成法而容易在無芯基板上形成電路。另外，原因還在於極薄銅層的厚度薄，所以該極薄銅層容易去除，去除極薄銅層後使用半加成法而容易在無芯基板上形成電路。
此外，在本說明書中，未特別記載為“積層體A”或“積層體B”的“積層體”表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。
此外，在所述無芯基板之製造方法中，藉由利用樹脂覆蓋附載 體銅箔或所述積層體(包含積層體A)的端面的一部分或全部，而以增層法製造印刷配線板時，能夠防止化學藥液向中間層或構成積層體的一片附載體銅箔和另一片附載體銅箔之間滲入，從而能夠防止因滲入化學藥液而導致極薄銅層和載體發生分離或附載體銅箔受到腐蝕，能夠提升產率。作為這裡使用的“覆蓋附載體銅箔的端面的一部分或全部的樹脂”或“覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹脂”，可以使用可用於樹脂層的樹脂或公知的樹脂。另外，在所述無芯基板之製造方法中，在俯視觀察附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體的積層部分(載體和極薄銅層的積層部分、或一片附載體銅箔和另一片附載體銅箔的積層部分)的外周的至少一部分可以被樹脂或預浸體覆蓋。另外，藉由所述無芯基板之製造方法形成的積層體(積層體A)也可以是使一對附載體銅箔可相互分離地接觸而構成。另外，在俯視觀察該附載體銅箔時，附載體銅箔或積層體的積層部分(載體和極薄銅層的積層部分、或一片附載體銅箔和另一片附載體銅箔的積層部分)的外周整體或積層部分整面可以被樹脂或預浸體覆蓋。另外，優選在俯視時樹脂或預浸體大於附載體銅箔或積層體或積層體的積層部分，優選製成具有如下構成的積層體：在附載體銅箔或積層體的兩面積層該樹脂或預浸體，而利用樹脂或預浸體將附載體銅箔或積層體進行封袋(包裹)。藉由製成這種構成，在俯視觀察附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體的積層部分被樹脂或預浸體覆蓋，能夠防止和其他部件在該部分的側方向、也就是相對於積層方向的橫向方向上有碰撞，結果能夠減輕在處理時載體和極薄銅層或附載體銅箔彼此發生剝離的情況。另外，藉由利用樹脂或預浸體覆蓋附載體銅箔或積層體的積層部分的外周而使之不會露出，如上所述能夠防止在化學溶液處理步驟中化學溶液滲入到該積層部分的介面，能夠防止附載體銅箔受到腐蝕或侵蝕。此外，從積層體的一對附載體銅箔中分離一片附載體銅箔時、或分離附載體銅箔的載體和銅箔(極薄銅層)時，如果被樹脂或預浸體 覆蓋的附載體銅箔或積層體的積層部分(載體和極薄銅層的積層部分、或一片附載體銅箔和另一片附載體銅箔的積層部分)被樹脂或預浸體等牢固地密接，則有時需要藉由切斷等將該積層部分等去除。
本發明的積層體可以具有2片本發明的附載體銅箔。具體而言，可以將本發明的附載體銅箔從載體側或極薄銅層側積層在另一本發明的附載體銅箔的載體側或極薄銅層側而構成積層體。另外，也可以是將所述一片附載體銅箔的所述載體側表面或所述極薄銅層側表面和所述另一片附載體銅箔的所述載體側表面或所述極薄銅層側表面視需要經由接著劑直接積層而獲得的積層體。另外，也可以將所述一片附載體銅箔的載體或極薄銅層和所述另一片附載體銅箔的載體或極薄銅層進行接合。此處，該“接合”也包括在載體或極薄銅層具有表面處理層的情況下隔著該表面處理層而相互接合的形態。另外，也可以利用樹脂覆蓋該積層體的端面的一部分或全部。
載體彼此、極薄銅層彼此、載體和極薄銅層、附載體的銅箔彼此的積層除了簡單的重疊以外，例如還可以藉由以下方法進行。
(a)冶金接合方法：熔焊(弧焊、TIG(鎢-惰性氣體)焊接、MIG(金屬-惰性氣體)焊接、電阻焊、縫焊、點焊)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、針焊；(b)機械接合方法：斂縫、鉚釘接合(自衝鉚釘(self-piercing rivet)接合、鉚釘接合)、訂合(stitcher)；(c)物理接合方法：接著劑、(雙面)膠帶
藉由使用所述接合方法將一載體的一部分或全部、和另一載體的一部分或全部或者極薄銅層的一部分或全部加以接合，而使一載體和另一載體或極薄銅層積層，從而能夠製造使載體彼此或載體和極薄銅層可分離地接觸而構成的積層體。在將一載體和另一載體或極薄銅層較弱地接合而使一載體和 另一載體或極薄銅層積層的情況下，即便不去除一載體和另一載體或極薄銅層的接合部，也能夠將一載體和另一載體或極薄銅層分離。另外，在一載體和另一載體或極薄銅層較牢固地接合的情況下，藉由切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等去除一載體和另一載體或極薄銅層的接合部位，由此能夠將一載體和另一載體或極薄銅層分離。
另外，對如此構成的積層體上設置至少一次樹脂層和電路的雙層，並在形成至少一次所述樹脂層和電路的雙層後，從所述積層體的附載體銅箔剝離所述極薄銅層或載體，藉由實施以上步驟而能夠製作無芯的印刷配線板。此外，可以在該積層體的一表面或兩表面設置樹脂層和電路的雙層。
所述積層體所使用的樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸體可以是本說明書中記載的樹脂層，也可以包含本說明書中記載的樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。此外，所述附載體銅箔或積層體在俯視時可以小於樹脂或預浸體或樹脂基板或樹脂層。此外，可以將所述或下述樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸體和本發明的表面處理銅箔進行積層而製造覆銅積層板。進而，將該覆銅積層板的表面處理銅箔藉由蝕刻等加工成銅配線，由此能夠製造印刷配線板。
另外，樹脂基板只要具有能夠應用於印刷配線板等的特性則並無特別限制，例如，剛性PWB用時，可以使用紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布‧紙複合基材環氧樹脂、玻璃布‧玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，FPC用時，可以使用聚酯膜或聚醯亞胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟樹脂等。此外，和使用聚醯亞胺膜相比，使用LCP(液晶聚合物)膜或氟樹脂膜時有該膜和表面處理銅箔的剝離強度變小的傾向。因此，在使用LCP(液晶聚合物)膜或氟樹脂膜的情況下，形成銅電路後，利用覆蓋層覆蓋銅電路，由此能夠使該膜和銅電路不易剝 離，防止因剝離強度的降低導致該膜和銅電路發生剝離。
[實施例]
以下，基於實施例及比較例進行說明。此外，本實施例僅為一例，本發明並不僅限定於該例。即，本發明還包含其他形態或變形。
‧實施例1~27、比較例1~13、15、參考例14
準備在表1記載的條件下製作的各種銅箔，對一表面在表2記載的條件下進行作為粗化處理的鍍覆處理。此外，關於參考例14，如表2的記載，依序進行處理1及處理2。處理1是在進行處理1-1的電流密度及鍍覆時間的處理後，再進行處理1-2的電流密度及鍍覆時間的處理。
另外，關於實施例19~23，準備表2記載的金屬箔作為各種載體，在下述條件下，在載體的表面形成中間層，在中間層的表面形成極薄銅層。並且，在表2記載的條件下對極薄銅層的表面進行作為粗化處理的鍍覆。
‧實施例19
<中間層>
(1)Ni層(鍍Ni)
對於載體，藉由在以下條件下在輥對輥型的連續鍍覆生產線上進行電鍍而形成1000μg/dm2的附著量的Ni層。鍍覆條件具體如下。
硫酸鎳：270~280g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
硼酸：30~40g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
pH值：4~6
浴溫：55~65℃
電流密度：10A/dm2
(2)Cr層(電解鉻酸鹽處理)
然後，對(1)中形成的Ni層表面進行水洗及酸洗後，繼續在輥對輥型的連續鍍覆生產線上，藉由在以下條件下進行電解鉻酸鹽處理而在Ni層上附著11μg/dm2的附著量的Cr層。
重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0g/L
pH值：7~10
液溫：40~60℃
電流密度：2A/dm2
<極薄銅層>
然後，對(2)中形成的Cr層表面進行水洗及酸洗後，繼續在輥對輥型的連續鍍覆生產線上，藉由在以下條件下進行電鍍而在Cr層上形成厚度3μm的極薄銅層，製作附有載體的極薄銅箔。
銅濃度：90~110g/L
硫酸濃度：90~110g/L
氯化物離子濃度：50~90ppm
均化劑1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
均化劑2(胺化合物)：10~30ppm
此外，使用下述胺化合物作為均化劑2。
[化2]
(所述化學式中，R1及R2選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的群。)
電解液溫度：50~80℃
電流密度：100A/dm2
電解液線速度：1.5~5m/sec
‧實施例20
<中間層>
(1)Ni-Mo層(鍍鎳鉬合金)
對於載體，藉由在以下條件下在輥對輥型的連續鍍覆生產線上進行電鍍而形成3000μg/dm2的附著量的Ni-Mo層。鍍覆條件具體如下。
(液組成)硫酸鎳六水合物：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
<極薄銅層>
在(1)中形成的Ni-Mo層上形成極薄銅層。極薄銅層的厚度設為1.5μm，除此以外，在與實施例19相同的條件下形成極薄銅層。
‧實施例21
<中間層>
(1)Ni層(鍍Ni)
在與實施例19相同的條件下形成Ni層。
(2)有機物層(有機物層形成處理)
然後，對(1)中形成的Ni層表面進行水洗及酸洗後，接著，在下述條件下對Ni層表面噴淋包含濃度1~30g/L的CBTA(羧基苯並三唑)的水溶液(液溫40℃、pH值5)的噴霧20~120秒，由此形成有機物層。
<極薄銅層>
在(2)中形成的有機物層上形成極薄銅層。極薄銅層的厚度設為5μm，除此以外，在與實施例19相同的條件下形成極薄銅層。
‧實施例22、23
<中間層>
(1)Co-Mo層(鍍鈷鉬合金)
對於載體，藉由在以下條件下在輥對輥型的連續鍍覆生產線上進行電鍍而形成4000μg/dm2的附著量的Co-Mo層。鍍覆條件具體如下。
(液組成)硫酸鈷：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
<極薄銅層>
在(1)中形成的Co-Mo層上形成極薄銅層。實施例22的極薄銅層的厚度設為3μm，實施例23的極薄銅層的厚度設為1μm，除此以外，在與實施例19相同 的條件下形成極薄銅層。
進行所述作為粗化處理的鍍覆處理(記於表2)後，如表4的記載，針對實施例1~18、24~27、比較例9~12、15，進行用以形成下述耐熱層及/或防銹層的鍍覆處理及/或矽烷偶合處理。此外，表4中記載的「Ni-Co」、「Ni-Co(2)」、「Ni-Co(3)」、「Ni-P」、「Ni-Zn」、「Ni-Zn(2)」、「Ni-Zn(3)」、「Ni-W」、「鉻酸鹽」、「矽烷偶合處理」是指下述表面處理。
耐熱層1的形成條件如下。
‧耐熱層1
[Ni-Co]：鍍鎳-鈷合金
液組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫侖量：10~20As/dm2
[Ni-Co(2)]：鍍鎳-鈷合金
液組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫侖量：35~50As/dm2
[Ni-Co(3)]：鍍鎳-鈷合金
液組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫侖量：25~35As/dm2
[Ni-P]：鍍鎳-磷合金
液組成：鎳5~20g/L、磷2~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫侖量：10~20As/dm2
‧耐熱層2
[Ni-Zn]：鍍鎳-鋅合金
對於表4的耐熱層2一欄中有記載的實施例、比較例，在已設置所述耐熱層1的銅箔上形成耐熱層2。此外，對於比較例9~12，不設置耐熱層1而形成耐熱層2。耐熱層2的形成條件如下。
液組成：鎳2~30g/L、鋅2~30g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫侖量：1~2As/dm2
[Ni-Zn(2)]：鍍鎳-鋅合金
液組成：鎳2~30g/L、鋅2~30g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫侖量：3~4As/dm2
[Ni-Zn(3)]：鍍鎳-鋅合金
液組成：鎳2~30g/L、鋅2~30g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫侖量：2~3As/dm2
[Ni-W]：鍍鎳-鎢合金
液組成：鎳2~30g/L、鎢0.5~20g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫侖量：1~2As/dm2
‧防銹層
[鉻酸鹽]：鉻酸鹽處理
在已設置所述耐熱層1及/或2的銅箔上或未設置所述耐熱層的銅箔上，對實施例23以外的銅箔進一步形成防銹層。防銹層的形成條件如下。
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0~2A/dm2(用於進行浸漬鉻酸鹽處理)
庫侖量：0~2As/dm2(用於進行浸漬鉻酸鹽處理)
‧耐候性層
在已設置所述耐熱層1、2及防銹層的銅箔上進一步形成耐候性層。形成條 件如下。
塗布作為具有胺基的矽烷偶合劑的N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實施例1~5、12~17、19~21、23~26、比較例1~13、參考例14)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷(實施例6~10)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷(實施例11)、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺(實施例18)，加以乾燥，而形成耐候性層。也可以將這些矽烷偶合劑中的2種以上組合使用。同樣地，關於比較例1~12，塗布N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷，加以乾燥，而形成耐候性層。
此外，壓延銅箔是藉由如下方式製造。製造表1所示的組成的銅錠，經過熱軋後，反覆進行300~800℃的連續退火生產線的退火和冷軋而獲得厚1~2mm的壓延板。將該壓延板在300~800℃的連續退火生產線上進行退火而使之再結晶，在表1記載的條件下進行最終冷軋直到成為表1的厚度，而獲得銅箔。表1的「種類」一欄中，「精銅」表示JIS H3100 C1100所規定的精銅，「無氧銅」表示JIS H3100 C1020所規定的無氧銅。另外，「精銅+Ag：100ppm」是指對精銅添加100品質ppm的Ag。
電解銅箔使用JX金屬公司製造的電解銅箔HLP箔。此外，針對實施例19~23，在析出面(電解銅箔製造時與接觸電解轉筒的一側的面相反的一側的面)形成指定的表面處理或中間層、極薄銅層。另外，表1中還記載了電解銅箔的析出面側的表面粗糙度Rz及光澤度。
此外，表1中還記載了表面處理前的銅箔製作步驟的關鍵點。「高光澤壓延」意指根據所記載的油膜當量的值進行最終的冷軋(最終的再結晶退火後的冷軋)。「通常壓延」意指根據所記載的油膜當量的值進行最終的冷軋(最終的再結晶退火後的冷軋)。
針對藉由以上方式製作的實施例及比較例的各樣品，進行如下 各種評價。
‧表面粗糙度(Rz)的測定：
使用小阪研究所股份有限公司製造的接觸式粗糙度計Surfcorder SE-3C，依據JIS B0601-1982，對包含粗化處理在內的表面處理前的銅箔表面測定十點平均粗糙度。在測定基準長度0.8mm、評價長度4mm、臨界值0.25mm、移送速度0.1mm/秒的條件下，沿與壓延方向垂直的方向(TD方向，在電解銅箔的情況下為與通箔方向垂直的方向即寬度方向)改變測定位置，進行10次測定，取10次測定值的平均值作為表面粗糙度(Rz)的值。
‧光澤度：
依據JIS Z8741，使用日本電色工業股份有限公司製造的掌上型光澤度計(Handy Gloss Meter)PG-1，對包含粗化處理在內的表面處理前的銅箔表面，以入射角60度分別測定壓延方向(MD，電解銅箔的情況下為通箔方向)及與壓延方向呈直角的方向(TD，電解銅箔的情況下為與通箔方向呈直角的方向)的光澤度。改變測定位置，進行10次所述光澤度的測定，取10次的平均值作為光澤度的值。
‧視認性：
將表面處理銅箔的經表面處理側的表面貼合在聚醯亞胺膜(KANEKA製造，厚度25μm(PIXEO(聚醯亞胺型：FRS)，覆銅積層板用的附有接著層的聚醯亞胺膜，PMDA(焦蜜石酸酐)系聚醯亞胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二胺基二苯基醚)系聚醯亞胺膜))的兩面，藉由蝕刻(三氯化鐵水溶液)去除表面處理銅箔而製成樣品膜。此外，對於進行了粗化處理的銅箔，將銅箔的經粗化處理的面貼合在所述聚醯亞胺膜上而製作所述樣品膜。在所獲得的樹脂層的一面貼附印刷物(直徑6cm的黑色的圓)，從相反面透過樹脂層而判定印刷物的視認性。在占圓周長的60%以上的長度範圍內印刷物的黑色圓形的輪廓清晰， 則評價為「◎」；在占圓周長的50%以上且未達60%的長度範圍內黑色圓形的輪廓清晰，則評價為「○」(以上合格)；在占圓周長的0~未達50%的長度範圍內黑色圓形的輪廓清晰及輪廓變形，則評價為「△」(不合格)。此外，對銅箔表面進行粗化處理後或未進行粗化處理時，為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理，在此情況下，對經過該耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後的表面處理銅箔的表面進行所述測定。在表面處理銅箔為附載體銅箔的極薄銅層的情況下，對極薄銅層的粗化處理表面進行所述測定。
‧色差：
使用HunterLab公司製造的色差儀MiniScan XE Plus，依據JIS Z8730，測定銅散熱材表面在以白色板(採用D65光源、10度視野時，該白色板的X10Y10Z10表色系統(JIS Z8701 1999)的三刺激值是X10=80.7、Y10=85.6、Z10=91.5，L*a*b*表色系統下的該白色板的物體色是L*=94.14、a*=-0.90、b*=0.24)的物體色作為基準色的情況下的色差。此外，對於所述色差儀，將白色板的色差的測定值設為△E*ab=0，將使用黑色袋(光阱(light trap))覆蓋測定孔進行測定時的色差的測定值設為△E*ab=94.14，而校正色差。此處，色差△E*ab是將所述白色板設為0且將黑色設為94.14而定義。此外，銅電路表面等微小區域的基於JIS Z8730的色差△E*ab可以使用例如日本電色工業股份有限公司製造的微小面分光色差儀(型式：VSS400等)或須賀試驗機(Suga Test Instruments)股份有限公司製造的微小面分光測色計(型式：SC-50μ等)等公知測定裝置進行測定。
‧落粉：
關於落粉，在表面處理銅箔的經表面處理側的表面上貼附透明隱形膠帶，根據剝離該膠帶時因膠帶黏著面上附著的脫落粒子引起的膠帶變色狀況，而評價落粉。將膠帶未變色的情況記為◎，變色為灰色的情況記為○，變色為黑色 的情況記為×。
‧剝離強度(接著強度)：
將表面處理銅箔的經表面處理側的表面積層在聚醯亞胺膜(厚度25μm，宇部興產製造的UPILEX){UPILEX(註冊商標)-VT，BPDA(聯苯四羧酸二酐)系(BPDA-PDA(對苯二胺)系)聚醯亞胺樹脂基板}上後，依據IPC-TM-650，使用拉伸試驗機Autograph 100測定常態剝離強度。進而，將所述常態剝離強度為0.5N/mm以上的表面處理銅箔設為能夠用於積層基板用途的表面處理銅箔。
此外，表面處理銅箔和聚醯亞胺膜的積層條件採用所述聚醯亞胺膜生產商所推薦的條件。此外，關於實施例19~23，將表面處理銅箔的經表面處理側的表面積層在聚醯亞胺膜(厚度25μm，宇部興產製造的UPILEX){UPILEX(註冊商標)-VT，BPDA(聯苯四羧酸二酐)系(BPDA-PDA(對苯二胺)系)聚醯亞胺樹脂基板}上後，剝離載體，以和所述聚醯亞胺膜積層的極薄銅層的厚度成為12μm的方式進行鍍銅後，測定剝離強度。此外，對銅箔表面進行粗化處理後或未進行粗化處理時，為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理，在此情況下，對經過該耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後的表面處理銅箔的表面進行所述測定。在表面處理銅箔為附載體銅箔的極薄銅層的情況下，對極薄銅層的粗化處理表面進行所述測定。
‧粗化粒子的高度：
在由穿透式電子顯微鏡拍攝的照片上，測定粗化處理層的粗化粒子距離銅箔表面的高度(積層高度)。具體而言，如圖5a的示例，使用穿透式電子顯微鏡，對包括銅箔表面及粗化處理層在內的銅箔的和板厚方向平行的剖面進行拍攝，而獲得剖面觀察照片。接著，如圖5a的粗化粒子的放大照片圖5b所示，對於剖面觀察照片中的粗化粒子，以自粗化粒子頂端部至銅箔表面的長度成為最 大的方式劃出直線1，該直線貫穿該粗化粒子，且與該粗化粒子和銅箔的邊界部分的銅箔表面交叉。此外，對於發生堆積的粗化粒子，將發生堆積的粗化粒子整體視作一個粗化粒子，對發生堆積的(發生積層的)粗化粒子劃出直線1。接著，將自粗化粒子頂端部至銅箔表面的直線1的長度作為粗化粒子的高度。在剖面觀察照片上可觀察到銅箔和粗化粒子的邊界的情況下，將該銅箔和粗化粒子的邊界當作該粗化粒子和銅箔的邊界部分的銅箔表面。
另外，在剖面觀察照片上未觀察到銅箔和粗化粒子的邊界的情況下，如圖5c所示，將粗化粒子的一個凸部的起始點和粗化粒子的另一個凸部的起始點連結而形成直線，記為直線2，將該直線2當作粗化粒子和銅箔的邊界部分的銅箔表面。粗化粒子的粒子高度(積層高度)即為圖5b、圖5c所示的部分的長度。
對任意的10個粗化粒子進行測定，取平均值作為粗化粒子的高度(10個粒子的平均值)。
‧粗化粒子粗度：
在由穿透式電子顯微鏡拍攝的照片上，測定形成粗化粒子層的粗化粒子的粗度。具體而言，如圖5a的示例，使用穿透式電子顯微鏡，對包括銅箔表面及粗化處理層在內的銅箔的和板厚方向平行的剖面進行拍攝，而獲得剖面觀察照片。接著，如圖5c所示，將粗化粒子的一個凸部的起始點和粗化粒子的另一個凸部的起始點連結而形成直線，記為直線2，將該直線2的長度作為粗化粒子的粗化粒子粗度。
對任意的10個粗化粒子進行測定，取平均值作為粗化粒子的粗度(10個粒子的平均值)。
‧生產性：
表面處理的粗化鍍層中的粗化粒子其粗度越細、且高度越高，則在受到壓力時越容易折斷，在將銅箔寬度方向兩端切斷的長條生產線(slit line)上進行 搬送時的輥搬送過程中，粗化粒子容易發生脫落。脫落後附著在輥等上的粗化粒子隨著銅箔的搬送而固定，導致所搬送的銅箔產生壓痕或凹痕等缺陷。
因此，在將銅箔的邊緣切斷的長條生產線中，銅箔的搬送用輥大多每將銅箔搬送數千米後就清掃一次。所以根據該長條生產線的搬送輥的污染狀態來評價生產性。即，若污染程度輕，則能夠降低搬送輥的清掃頻度，因此生產性提升。將搬送輥清掃乾淨後，觀察從開始搬送銅箔起到將銅箔搬送5000m後的輥的表面狀態。並按照以下基準進行判定。
◎：搬送輥表面幾乎未見有粗化粒子附著，搬送輥基本未受污染的狀態
○：搬送輥表面可見有少量粗化粒子附著的狀態
×：搬送輥表面的幾乎整個面均可見有粗化粒子附著的狀態
‧層壓加工引起的銅箔皺褶等的評價：
將各實施例或各比較例的表面處理銅箔分別從具有粗化處理層的面側積層在厚度25μm的聚醯亞胺樹脂(KANEKA製造(PIXEO(聚醯亞胺型：FRS)，覆銅積層板用的附有接著層的聚醯亞胺膜，PMDA(焦蜜石酸酐)系聚醯亞胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二胺基二苯基醚)系聚醯亞胺膜))的兩表面，進而，在各表面處理銅箔的和所述聚醯亞胺樹脂積層的一側的相反側的面上積層厚度125μm的保護膜(聚醯亞胺製)，在此狀態下，即保護膜/表面處理銅箔/聚醯亞胺樹脂/表面處理銅箔/保護膜的5層狀態下，使用層壓輥一邊從兩片保護膜的外側施加熱與壓力一邊進行貼合加工(層壓加工)，而在聚醯亞胺樹脂的兩面貼合表面處理銅箔。接著，剝離兩表面的保護膜後，目視觀察表面處理銅箔的和所述聚醯亞胺樹脂積層的一側的相反側的表面，確認有無皺褶或條紋，完全未產生皺褶或條紋時評價為◎，銅箔上每隔5m長只觀察到1處皺褶或條紋時評價為○，銅箔上每隔5m長可觀察到2處以上的皺褶或條紋時評價為×。
‧蝕刻性的評價：
將表面處理銅箔從經表面處理的表面側貼合在層壓用的附有熱硬化性接著層的聚醯亞胺膜(厚度25μm，宇部興產製造的UPILEX){UPILEX(註冊商標)-VT，BPDA(聯苯四羧酸二酐)系(BPDA-PDA(對苯二胺)系)聚醯亞胺樹脂基板}的兩面。為了形成精細電路圖案，銅箔厚度需為一致，此處將12μm設為基準銅箔厚度。即，在厚度大於12μm的情況下，藉由電解研磨將厚度縮減到12μm。另一方面，在厚度小於12μm的情況下，藉由鍍銅處理將厚度增厚到12μm。在表面處理銅箔為附載體銅箔的極薄銅層的情況下，將附載體銅箔從極薄銅層側貼合在所述層壓用的附有熱硬化性接著層的聚醯亞胺膜的兩面後，剝離載體，然後，藉由鍍銅處理進行增厚直至極薄銅層與銅鍍層的合計厚度達到12μm。對於所獲得的兩面積層板的單面側，藉由貼合乾膜阻劑及曝光步驟，而在積層板的銅箔光澤面側印刷精細電路圖案，對銅箔的不需要部分進行下述條件的蝕刻處理，形成如L/S=30/30μm的精細電路圖案。此處，電路寬度是使電路剖面的底部寬度成為30μm的寬度。
(蝕刻條件)
裝置：噴霧式小型蝕刻裝置
噴霧壓力：0.2MPa
蝕刻液：三氯化鐵水溶液(比重40波美)
液溫度：50℃
形成精細電路圖案後，在45℃的NaOH水溶液中浸漬1分鐘而剝離感光性阻劑膜。
對於以上獲得的精細圖案電路樣品，使用日立高新技術公司(Hitachi High-Technologies Corporation)製造的掃描式電子顯微鏡S4700，在5000倍的倍率下觀察電路底部，10處觀察部位中各處在電路底部均無蝕刻殘渣時記為◎， 10處觀察部位中有1處可見蝕刻殘渣時記為○，10處觀察部位中有2處以上可見蝕刻殘渣時記為△。
此外，對銅箔表面或附載體銅箔的極薄銅層表面進行粗化處理後或未進行粗化處理時，為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理，在此情況下，對經過該耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後的表面處理銅箔的表面進行所述測定。
表1~4中顯示實施例、比較例的製造條件及評價結果等。
(評價結果)
實施例1~27的各例均是粗化處理層的粗化粒子的高度距離銅箔表面為5~1000nm，且表面處理銅箔的粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E*ab為65以下，且光澤度為70%以下，因此能夠良好地抑制設置在銅箔表面的粗化粒子層中的粗化粒子的脫落。
比較例1~13、15就落粉、視認性、或剝離強度的觀點而言欠佳。
圖6表示實施例9的表面處理銅箔的粗化處理層的剖視圖。圖6a為明場像500k(50萬倍)、圖6b為暗場像500k(50萬倍)。
圖7表示實施例10的表面處理銅箔的粗化處理層的剖視圖。圖7a為明場像500k(50萬倍)、圖7b為暗場像500k(50萬倍)。
圖8表示比較例1的表面處理銅箔的粗化處理層的剖視圖。圖8a為明場像30k(3萬倍)、圖8b為暗場像150k(15萬倍)。
圖9表示比較例6的表面處理銅箔的粗化處理層的剖視圖。圖9a為明場像50k(5萬倍)、圖9b為暗場像50k(5萬倍)、圖9c為明場像500k(50萬倍)、圖9d為暗場像500k(50萬倍)。

Claims (33)

  1. 一種表面處理銅箔，其在至少一表面具有粗化處理層，該粗化處理層的粗化粒子的高度距離該表面為5~1000nm，粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab為65以下，該粗化處理層側表面的TD的光澤度為70%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層的粗化粒子的高度距離該表面為20nm以上。
  3. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層的粗化粒子的高度距離該表面為150nm以上。
  4. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層的粗化粒子的高度距離該表面為650nm以下。
  5. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層的粗化粒子的高度距離該表面為150nm以下。
  6. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層的粗化粒子的粗度為5~500nm。
  7. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層的粗化粒子的粗度為10nm以上。
  8. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層的粗化粒子的粗度為250nm以下。
  9. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層側表面的TD的光澤度為65%以下。
  10. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層側表面的TD的光澤度為10%以下。
  11. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層 側表面的TD的光澤度為5%以下。
  12. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab為42以上。
  13. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab為45以上。
  14. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab為49.1以上。
  15. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab為50以下。
  16. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其滿足以下(A)~(D)中的任意2項或3項或4項，(A)該粗化處理層的粗化粒子的高度滿足以下(A-1)、(A-2)中的一項或兩項，(A-1)該粗化處理層的粗化粒子的高度滿足以下的任一項，‧距離該表面為20nm以上‧距離該表面為40nm以上‧距離該表面為45nm以上‧距離該表面為150nm以上‧距離該表面為500nm以上(A-2)該粗化處理層的粗化粒子的高度滿足以下的任一項，‧距離該表面為900nm以下‧距離該表面為800nm以下‧距離該表面為700nm以下‧距離該表面為650nm以下 (B)該粗化處理層的粗化粒子的粗度滿足以下(B-1)、(B-2)中的一項或兩項，(B-1)該粗化處理層的粗化粒子的粗度滿足以下的任一項，‧5nm以上‧10nm以上‧13nm以上(B-2)該粗化處理層的粗化粒子的粗度滿足以下的任一項，‧500nm以下‧250nm以下‧79nm以下(C)該粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab滿足以下(C-1)、(C-2)中的一項或兩項，(C-1)該粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab滿足以下的任一項，‧42以上‧45以上‧49.1以上(C-2)該粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab為50以下(D)該粗化處理層側表面的TD的光澤度滿足以下(D-1)、(D-2)中的一項或兩項，(D-1)該粗化處理層側表面的TD的光澤度滿足以下的任一項，‧65以下‧60以下‧55以下 ‧50以下‧25以下‧20以下‧10以下‧5以下(D-2)該粗化處理層側表面的TD的光澤度滿足以下的任一項，‧0.01以上‧0.1以上‧0.3以上‧0.5以上。
  17. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其滿足以下(E)~(H)中的任意2項或3項或4項，(E)該粗化處理層的粗化粒子的高度滿足以下(E-1)、(E-2)中的一項或兩項，(E-1)該粗化處理層的粗化粒子的高度滿足以下的任一項，‧距離該表面為20nm以上‧距離該表面為40nm以上‧距離該表面為45nm以上(E-2)該粗化處理層的粗化粒子的高度滿足以下的任一項，‧距離該表面為900nm以下‧距離該表面為800nm以下‧距離該表面為700nm以下‧距離該表面為650nm以下‧距離該表面為400nm以下 ‧距離該表面為150nm以下(F)該粗化處理層的粗化粒子的粗度滿足以下(F-1)、(F-2)中的一項或兩項，(F-1)該粗化處理層的粗化粒子的粗度滿足以下的任一項，‧5nm以上‧10nm以上‧13nm以上(F-2)該粗化處理層的粗化粒子的粗度滿足以下的任一項，‧500nm以下‧250nm以下‧79nm以下(G)該粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab滿足以下(G-1)、(G-2)中的一項或兩項，(G-1)該粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab滿足以下的任一項，‧42以上‧45以上‧49.1以上(G-2)該粗化處理層側表面的基於JIS Z8730的色差△E *ab為50以下(H)該粗化處理層側表面的TD的光澤度滿足以下(H-1)、(H-2)中的一項或兩項，(H-1)該粗化處理層側表面的TD的光澤度滿足以下的任一項，‧65以下‧60以下 ‧55以下‧50以下‧25以下‧20以下‧10以下‧5以下(H-2)該粗化處理層側表面的TD的光澤度滿足以下的任一項，‧0.01以上‧0.1以上‧0.3以上‧0.5以上。
  18. 如申請專利範圍第1至17項中任一項的表面處理銅箔，其在兩表面具有該粗化處理層。
  19. 如申請專利範圍第1至17項中任一項的表面處理銅箔，其在該粗化處理層的表面具有選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層。
  20. 如申請專利範圍第1至17項中任一項的表面處理銅箔，其是散熱用。
  21. 一種附有樹脂層的表面處理銅箔，其在申請專利範圍第1至20項中任一項的表面處理銅箔的該粗化處理層側表面具備樹脂層。
  22. 如申請專利範圍第21項的附有樹脂層的表面處理銅箔，其中，該樹脂層為接著用樹脂及/或半硬化狀態的樹脂。
  23. 一種附載體銅箔，其具有載體、中間層、極薄銅層，該極薄銅層為申請專利範圍第1至20項中任一項的表面處理銅箔或者申請專利範圍第21 或22項的附有樹脂層的表面處理銅箔。
  24. 一種積層體，其具有申請專利範圍第1至20項中任一項的表面處理銅箔或者申請專利範圍第21或22項的附有樹脂層的表面處理銅箔。
  25. 一種積層體，其具有申請專利範圍第23項的附載體銅箔。
  26. 一種積層體，其包含申請專利範圍第23項的附載體銅箔和樹脂，該附載體銅箔的端面的一部分或全部被該樹脂覆蓋。
  27. 一種積層體，其具有兩片申請專利範圍第23項的附載體銅箔。
  28. 一種印刷配線板之製造方法，其使用申請專利範圍第1至20項中任一項的表面處理銅箔、申請專利範圍第21或22項的附有樹脂層的表面處理銅箔或者申請專利範圍第23項的附載體銅箔。
  29. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：準備申請專利範圍第1至20項中任一項的表面處理銅箔、申請專利範圍第21或22項的附有樹脂層的表面處理銅箔或者申請專利範圍第23項的附載體銅箔、和絕緣基板；形成覆銅積層板，該步驟包括以下(1)~(3)中的任一個：(1)將該表面處理銅箔和該絕緣基板加以積層(2)將該附有樹脂層的表面處理銅箔和該絕緣基板加以積層(3)將該附載體銅箔和該絕緣基板加以積層後剝離該附載體銅箔的載體；及藉由半加成(semi-additive)法、減成(subtractive)法、部分加成(partly additive)法或改進半加成(modified semi-additive)法中的任一方法，使用該覆銅積層板而形成電路。
  30. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：在申請專利範圍第1至20項中任一項的表面處理銅箔的該粗化處理層側表 面形成電路，或者在申請專利範圍第23項的附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面形成電路；以掩埋該電路的方式，在該表面處理銅箔的該粗化處理層側表面、或者在該附載體銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面形成樹脂層；在該樹脂層上形成電路；及在該樹脂層上形成電路後，藉由去除該表面處理銅箔，或者藉由剝離該載體或該極薄銅層後去除該極薄銅層或該載體，而使掩埋在該樹脂層中的電路露出。
  31. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：將申請專利範圍第1至20項中任一項的表面處理銅箔、申請專利範圍第21或22項的附有樹脂層的表面處理銅箔或者申請專利範圍第23項的附載體銅箔、和樹脂基板加以積層；在該表面處理銅箔或該附載體銅箔的與積層樹脂基板側相反的一側的表面設置樹脂層和電路；及形成該樹脂層及電路後，去除該樹脂基板和該表面處理銅箔或者從該附載體銅箔剝離該載體或該極薄銅層。
  32. 一種印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：在申請專利範圍第25至27項中任一項的積層體上設置樹脂層和電路；及形成該樹脂層及電路後，從構成該積層體的附載體銅箔剝離該載體或該極薄銅層。
  33. 一種電子機器之製造方法，其使用藉由申請專利範圍第28至32項中任一項的方法而製造的印刷配線板。
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