JP7002200B2 - 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 - Google Patents
表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7002200B2 JP7002200B2 JP2017020507A JP2017020507A JP7002200B2 JP 7002200 B2 JP7002200 B2 JP 7002200B2 JP 2017020507 A JP2017020507 A JP 2017020507A JP 2017020507 A JP2017020507 A JP 2017020507A JP 7002200 B2 JP7002200 B2 JP 7002200B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- carrier
- copper foil
- copper
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
本発明の表面処理銅箔は銅箔と、銅箔の一方または両方の面に表面処理層とを有する。本発明の表面処理銅箔を絶縁基板に貼り合わせた後、表面処理銅箔を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。本発明の表面処理銅箔は、高周波回路基板用の表面処理銅箔として用いてもよい。ここで、高周波回路基板とは、当該回路基板の回路を用いて伝送される信号の周波数が1GHz以上である回路基板のことを言う。また、好ましくは前記信号の周波数が3GHz以上、より好ましくは5GHz以上、より好ましくは8GHz以上、より好ましくは10GHz以上、より好ましくは15GHz以上、より好ましくは18GHz以上、より好ましくは20GHz以上、より好ましくは30GHz以上、より好ましくは38GHz以上、より好ましくは40GHz以上、より好ましくは45GHz以上、より好ましくは48GHz以上、より好ましくは50GHz以上、より好ましくは55GHz以上、より好ましくは58GHz以上である。
本発明に用いることのできる銅箔の形態に特に制限はなく、典型的には本発明において使用する銅箔は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれでも良い。一般的には、電解銅箔は硫酸銅メッキ浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。屈曲性が要求される用途には圧延銅箔を適用することが多い。
銅箔材料としてはプリント配線板の導体パターンとして通常使用されるタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)やりん脱酸銅(JIS H3100 合金番号C1201、C1220またはC1221)や電気銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Fe、P、Ti、Sn、Zn、Mn、Mo、Co、Ni、Si、Zr、及び/又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。また、公知の組成を有する銅箔および銅合金箔も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
なお、銅箔の板厚は特に限定する必要は無いが、例えば1~1000μm、あるいは1~500μm、あるいは1~300μm、あるいは3~100μm、あるいは5~70μm、あるいは6~35μm、あるいは9~18μmである。
また、本発明は別の側面において、キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、極薄銅層が本発明の表面処理銅箔である。本発明においてキャリア付銅箔を使用する場合、極薄銅層表面に以下の粗化処理層等の表面処理層を設ける。なお、キャリア付銅箔の別の実施の形態については後述する。
本発明の表面処理銅箔の表面処理層はCoを含み、且つ、表面処理層におけるCoの含有比率が15質量%以下(0質量%は除く)である。当該Coの含有比率が15質量%以下とすることで、高周波伝送特性を向上させることができる。当該Coの含有比率は、14質量%以下であるのが好ましく、13質量%以下であるのがより好ましく、12質量%以下であるのがより好ましく、11質量%以下であるのがより好ましく、10質量%以下であるのがより好ましく、9質量%以下であるのがより好ましく、8質量%以下であるのがより好ましく、7.5質量%以下であるのがより好ましく、7質量%以下であるのがより好ましく、6.5質量%以下であるのが更により好ましい。また、表面処理銅箔の表面処理層がCoを含むことで、微細回路形成性が向上する場合がある。表面処理層におけるCoの含有比率は0質量%以上であることが好ましく、0質量%より大きいことが好ましく、0.05質量%以上であることが好ましく、0.09質量%以上であることが好ましく、0.1質量%以上であることが好ましく、0.15質量%以上であることが好ましく、0.18質量%以上であることが好ましく、0.2質量%以上であることが好ましく、0.5質量%以上であることが好ましく、0.8質量%以上であることが好ましく、0.9質量%以上であることが好ましく、1.0質量%以上であることが好ましく、1.5質量%以上であることが好ましく、2.0質量%以上であることが好ましく、2.5質量%以上であることが好ましく、3.0質量%以上であることが好ましく、3.5質量%以上であることが好ましく、4.0質量%以上であることが好ましい。
一次粒子のメッキ条件の一例を挙げると、下記の通りである。
液組成 :銅10~20g/L、硫酸50~100g/L
液温 :25~50℃
電流密度 :1~58A/dm2
クーロン量:1.5~70As/dm2
二次粒子のメッキ条件の一例を挙げると、下記の通りである。
液組成 :銅10~20g/L、ニッケル5~15g/L、コバルト5~15g/L
pH :2~3
液温 :30~50℃
電流密度 :20~50A/dm2
クーロン量:12~50As/dm2
伝送損失が小さい場合、高周波で信号伝送を行う際の、信号の減衰が抑制されるため、高周波で信号の伝送を行う回路において、安定した信号の伝送を行うことができる。そのため、伝送損失の値が小さい方が、高周波で信号の伝送を行う回路用途に用いることに適するため好ましい。表面処理銅箔を、市販の液晶ポリマー樹脂(株式会社クラレ製Vecstar CTZ-厚み50μm、ヒドロキシ安息香酸(エステル)とヒドロキシナフトエ酸(エステル)との共重合体である樹脂)と貼り合わせた後、エッチングで特性インピーダンスが50Ωのとなるようマイクロストリップ線路を形成し、HP社製のネットワークアナライザーHP8720Cを用いて透過係数を測定し、周波数40GHzでの伝送損失を求めた場合に、周波数40GHzにおける伝送損失が、7.5dB/10cm未満が好ましく、7.3dB/10cm未満がより好ましく、7.1dB/10cm未満がより好ましく、7.0dB/10cm未満がより好ましく、6.9dB/10cm未満がより好ましく、6.8dB/10cm未満がより好ましく、6.7dB/10cm未満がより好ましく、6.6dB/10cm未満がより好ましく、6.5dB/10cm未満が更により好ましい。
本発明の別の実施の形態であるキャリア付銅箔は、キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄銅層をこの順に有する。そして、前記極薄銅層が前述の本発明の一つの実施の形態である表面処理銅箔である。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCP(液晶ポリマー)フィルム、フッ素樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタラート(PET)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)やりん脱酸銅や電気銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。また、公知の銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
なお、キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に一次粒子層及び二次粒子層を設けてもよい。キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に一次粒子層及び二次粒子層を設けることは、キャリアを当該一次粒子層及び二次粒子層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離し難くなるという利点を有する。
<電解液組成>
銅:90~110g/L
硫酸:90~110g/L
塩素:50~100ppm
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10~30ppm
レべリング剤2(アミン化合物):10~30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
電流密度:70~100A/dm2
電解液温度:50~60℃
電解液線速:3~5m/sec
電解時間:0.5~10分間
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物、あるいは有機物からなる層、あるいはCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成することで構成することができる。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル-リン合金又はニッケル-コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることが好ましい。
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気メッキにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5~12μmであり、より典型的には1~5μm、更に典型的には1.5~4μm、更に典型的には2~3.5μmである。なお、キャリアの両面に極薄銅層を設けてもよい。
本発明の表面処理銅箔は、表面処理層の表面に樹脂層を備えてもよい。また、Niと、Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、AsおよびTiからなる群から選択された一種以上の元素とからなる合金層、または、クロメート層、または、シランカップリング層、または、Ni-Zn合金層の表面に樹脂層を備えてもよい。樹脂層は、表面処理銅箔の最表面に形成されているのがより好ましい。
本発明のキャリア付銅箔は一次粒子層または二次粒子層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、または、シランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10-ジヒドロ-9-オキサ-10-ホスファフェナントレン-10-オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。なお、キャリア付銅箔の極薄銅層として本発明の表面処理銅箔を用いても同様にプリント配線板を製造することができる。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
まず、図1-Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図1-Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図1-Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図2-Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図2-Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図2-Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図3-Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図3-Hに示すように、ビアフィル上に、上記図1-B及び図1-Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図3-Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図4-Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図4-Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
なお、上述のプリント配線板の製造方法で、「極薄銅層」をキャリアに、「キャリア」を極薄銅層に読み替えて、キャリア付銅箔のキャリア側の表面に回路を形成して、樹脂で回路を埋め込み、プリント配線板を製造することも可能である。
なお、本明細書において、「積層体A」または「積層体B」と特に記載していない「積層体」は、少なくとも積層体A及び積層体Bを含む積層体を示す。
(a)冶金的接合方法:融接(アーク溶接、TIG(タングステン・イナート・ガス)溶接、MIG(メタル・イナート・ガス)溶接、抵抗溶接、シーム溶接、スポット溶接)、圧接(超音波溶接、摩擦撹拌溶接)、ろう接;
(b)機械的接合方法:かしめ、リベットによる接合(セルフピアッシングリベットによる接合、リベットによる接合)、ステッチャー;
(c)物理的接合方法:接着剤、(両面)粘着テープ
前述した積層体に用いる樹脂基板、樹脂層、樹脂、プリプレグは、本明細書に記載した樹脂層であってもよく、本明細書に記載した樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。なお、前述のキャリア付銅箔または積層体は平面視したときに樹脂又はプリプレグ又は樹脂基板又は樹脂層よりも小さくてもよい。
また、実施例1~4、8~14、参考例5、15及び比較例1~4の原箔には以下の方法により製造したキャリア付銅箔を用いた。
実施例1~4、8、10~14、参考例5、15、比較例1~4は、厚さ18μmの電解銅箔(JX金属製 JTC箔)をキャリアとして準備し、実施例9については上述の厚さ18μmの標準圧延銅箔TPCをキャリアとして準備した。そして下記条件で、キャリアの表面に中間層を形成し、中間層の表面に表1に記載の厚さ(1μmまたは3μm)の極薄銅層を形成した。なお、キャリアが電解銅箔の場合には光沢面(S面)に中間層を形成した。
<中間層>
(1)Ni層(Niメッキ)
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより3000μg/dm2の付着量のNi層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
硫酸ニッケル:270~280g/L
塩化ニッケル:35~45g/L
酢酸ニッケル:10~20g/L
ホウ酸:30~40g/L
光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム:55~75ppm
pH:4~6
液温:55~65℃
電流密度:10A/dm2
(2)Cr層(電解クロメート処理)
次に、(1)にて形成したNi層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上でNi層の上に11μg/dm2の付着量のCr層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
重クロム酸カリウム1~10g/L、亜鉛0g/L
pH:7~10
液温:40~60℃
電流密度:2A/dm2
<極薄銅層>
次に、(2)にて形成したCr層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上で、Cr層の上に表1に記載の厚み(1μmまたは3μm)の極薄銅層を以下の条件で電気メッキすることにより形成し、キャリア付銅箔を作製した。
銅濃度:90~110g/L
硫酸濃度:90~110g/L
塩化物イオン濃度:50~90ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10~30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10~30ppm
なお、レベリング剤2として下記のアミン化合物を用いた。
電解液温度:50~80℃
電流密度:100A/dm2
電解液線速:1.5~5m/sec
続いて、表3に記載のめっき浴を用いて、表1に記載の通り、粗化処理1を行った。実施例3、12~14、比較例1、5、6については、粗化処理1に続いて、表3に記載のめっき浴を用いて、表1に記載の通り、粗化処理2を行った。
続いて、実施例2、3、10~14については、表4に記載のめっき浴を用いて、表1に記載の通り、耐熱処理を行った。さらに、実施例10、11については、表4に記載のめっき浴を用いて、表1に記載の通り、防錆処理を行った。
続いて、実施例1~4、8~14、参考例5、15、比較例1~6について、以下の電解クロメート処理を行った。
・電解クロメート処理
液組成:重クロム酸カリウム1~1g/L
液温:40~60℃
pH:0.5~10
電流密度:0.01~2.6A/dm2
通電時間:0.05~30秒
その後、実施例1~4、7~14、参考例5、15、比較例1~6について、以下のジアミノシランを用いたシランカップリング処理を行った。
・シランカップリング処理
シランカップリング剤:N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン
シランカップリング剤濃度:0.5~1.5vol%
処理温度:20~70℃
処理時間:0.5~5秒
・エッチング前の粗化粒子個数の特定
走査型電子顕微鏡(SEM)で10000倍で実施例、比較例の表面処理層を有する面側を写真撮影した。得られた写真の大きさ5μm×5μmの任意の3視野において粗化粒子の個数を数えた。そして、3視野における粗化粒子の算術平均値を1視野当たりの粗化粒子の個数とした。なお、視野に粗化粒子の一部が含まれる粗化粒子についても粗化粒子としてカウントした。
以下の条件でエッチングを0.5秒間行った。
(エッチング条件)
・エッチング形式:スプレーエッチング
・スプレーノズル:フルコーン型
・スプレー圧:0.10MPa
・エッチング液温:30℃
・エッチング液組成:
H2O2 18g/L
H2SO4 92g/L
Cu 8g/L
添加剤 株式会社JCU製 FE-830IIW3C 適量
残部 水
なお、エッチングをしない側の面は、エッチング液による浸食を防ぐため、耐酸テープまたはプリプレグ等でマスキングをした。
前述と同様にエッチング後のサンプル表面の粗化粒子個数を測定した。
そして、粗化粒子個数が、エッチング前の粗化粒子個数の5%以上20%以下の個数となった場合にはエッチング終了とした。
なお、前述の粗化粒子個数が、エッチング前の粗化粒子個数の5%以上20%以下の個数であるか否かの判定は、以下の式の値Aが5%以上20%以下であるか否かにより行った。
A(%)=エッチング後の粗化粒子個数(個/25μm2)/エッチング前の粗化粒子個数(個/25μm2)×100%
前述のエッチング終了の基準を設定した理由は、サンプル表面の粗化粒子が存在しない箇所では表面処理層の下の銅箔または極薄銅層がエッチングされる場合があるためである。粗化粒子個数が、エッチング前の粗化粒子個数の20%超となった場合には、再度0.5秒間のエッチングを行った。そして、粗化粒子個数が、エッチング前の粗化粒子個数の20%以下の個数となるまで、前述の粗化粒子個数の測定と、前述の0.5秒間のエッチングを繰り返した。なお、最初の0.5秒間のエッチングを行った際に、粗化粒子個数が、エッチング前の粗化粒子個数の5%未満となった場合には、エッチングの時間を0.05秒間以上0.4秒間以下の範囲のいずれかの時間(例えば0.05秒間、0.1秒間、0.15秒間、0.2秒間、0.25秒間、0.3秒間、0.35秒間または0.4秒間)として、前述のエッチング後のサンプル表面の粗化粒子個数の測定を行う。そして、粗化粒子個数が、エッチング前の粗化粒子個数の5%以上20%以下の個数となった合計のエッチング時間をエッチング終了時間とした。
試料の大きさ:10cm角シート(プレス機で打ち抜いた10cm角シート)
試料の採取:任意の3箇所
なお、試料の重量測定には、小数点以下4桁まで測定可能な精密天秤を使用した。そして、得られた重量の測定値をそのまま上記計算に使用した。
精密天秤にはアズワン株式会社 IBA-200を用いた。プレス機は、野口プレス株式会社製HAP-12を用いた。
なお、下記のエッチングの実施の際に用いる耐酸テープまたはプリプレグ等のマスキング部材を含めて上述の重量の測定を行っても良い。その場合には、後述のエッチング後のサンプル重量の測定においても、マスキング部材を含めて重量の測定を行うこととする。 また、サンプルがキャリア付銅箔の場合、キャリアを含めて上述の重量の測定を行っても良い。その場合には、後述のエッチング後のサンプル重量の測定においても、キャリアを含めて重量の測定を行うこととする。
サンプルの表面処理層を有する側とは反対側の面をマスキングした後に、サンプルの表面処理面側をエッチング終了時間の間エッチングをした。その後サンプルの重量を測定した。なお、走査型電子顕微鏡で観察したサンプルは、走査型電子顕微鏡での観察の際に、白金等の貴金属を蒸着させるため、サンプル重量が実際のサンプルの重量よりも大きくなる。そのため、エッチング後のサンプルの重量の測定は走査型電子顕微鏡で観察していないサンプルを用いた。粗化処理層は銅箔または極薄銅層に概ね均一に形成される。そのため、走査型電子顕微鏡で観察していないサンプルを用いて良いと判断した。
表面処理層の合計付着量(g/m2)={(エッチング前の10cm角シートのサンプルの重量(g/100cm2))-(エッチング後の10cm角シートのサンプルの重量(g/100cm2))}×100(m2/100cm2)
3箇所の表面処理層の合計付着量の算術平均値を、表面処理層の合計付着量の値とした。
Co、Niの付着量は、実施例、比較例の大きさ10cm×10cmのサンプルを濃度20質量%の硝酸水溶液で表面から1μm厚みを溶解してSII社製のICP発光分光分析装置(型式:SPS3100)を用いてICP発光分析によって測定を行った。3箇所のサンプルのCo、Niの付着量の算術平均値をCo、Niの付着量の値とした。
なお、銅箔の両面に表面処理層を設けた実施例、比較例では、片面に耐酸テープを貼り付けることやFR4等のプリプレグを熱圧着すること等によりマスキングをして、片面の表面処理層を溶解してCo、Ni及びその他の元素の付着量を測定した。その後、前述のマスキングを除去してもう片方の面についてCo、Ni及びその他の元素の付着量を測定するか、若しくは、別のサンプルを用いてもう片方の面のCo、Ni及びその他の元素の付着量を測定した。なお、表2に記載の値は片面の値とした。両面に表面処理層を設けた銅箔については、両面ともCo、Ni及びその他の元素の付着量は同じ値となった。なお、Co、Niおよびその他の元素が濃度20質量%の硝酸水溶液に溶解しない場合には、Co、Niおよびその他の元素を溶解させることが可能な液(例えば、硝酸濃度:20質量%、塩酸濃度:12質量%である硝酸と塩酸の混合水溶液等)を用いて溶解した後に上述のICP発行分析によって測定を行っても良い。なお、Co、Niを溶解させることが可能な液には公知の液や、公知の酸性液や、公知のアルカリ性液を用いても良い。
なお、銅箔または極薄銅層の凹凸が大きいときであって、銅箔または極薄銅層の厚みが1.5μm以下である場合等では、表面処理層側の表面から1μm厚みだけ溶解したとき、前記表面処理層とは反対側の面の表面処理成分や、キャリア付銅箔の中間層の成分も溶解してしまうことがある。そのため、このような場合は、銅箔または極薄銅層の表面処理層側の表面から、銅箔または極薄銅層の厚み30%を溶解する。
なお、元素の「付着量」とは、サンプル単位面積(1dm2または1m2)当たりの当該元素の付着量(質量)のことを言う。
また、表面処理層におけるCo含有率、Ni含有率は以下の式により算出した。
表面処理層におけるCo含有率(%)=Co付着量(μg/dm2)/表面処理層の合計付着量(g/m2)×10-4(g/m2)/(μg/dm2)×100
表面処理層におけるNi含有率(%)=Ni付着量(μg/dm2)/表面処理層の合計付着量(g/m2)×10-4(g/m2)/(μg/dm2)×100
粗化処理層側表面の表面粗さRz(十点平均粗さ)をJIS B0601-1982に準拠して株式会社小阪研究所製接触粗さ計Surfcorder SE-3C触針式粗度計を用いて測定した。Rzを任意に10箇所測定し、そのRzの10箇所の平均値をRzの値とした。
各サンプルについて、液晶ポリマー樹脂基板(株式会社クラレ製Vecstar CTZ-厚み50μm、ヒドロキシ安息香酸(エステル)とヒドロキシナフトエ酸(エステル)との共重合体である樹脂)と貼り合わせた後、エッチングで特性インピーダンスが50Ωのとなるようマイクロストリップ線路を形成し、HP社製のネットワークアナライザーN5247Aを用いて透過係数を測定し、周波数40GHzでの伝送損失を求めた。なお、前述のサンプルを液晶ポリマー樹脂基板と積層した後、銅箔の厚みが3μmよりも薄いサンプルについては銅めっきをすることで銅箔と銅めっきとの合計厚みを3μmとした。また、前述のサンプルを液晶ポリマー樹脂基板と積層した後、銅箔の厚みが3μmよりも厚い場合には、銅箔をエッチングして厚みを3μmとした。
各サンプルについて、表面処理層側から液晶ポリマー樹脂基板(株式会社クラレ製Vecstar CTZ-厚み50μm、ヒドロキシ安息香酸(エステル)とヒドロキシナフトエ酸(エステル)との共重合体である樹脂)と貼り合わせた。その後、サンプルがキャリア付銅箔である場合にはキャリアを剥がした。そして、サンプルの銅箔または極薄銅層の厚みが18μmよりも薄い場合には銅箔または極薄銅層表面に銅メッキを行い、銅箔または極薄銅層と銅メッキの合計厚みを18μmとした。また、サンプルの銅箔または極薄銅層の厚みが18μmよりも厚い場合には、エッチングをして銅箔または極薄銅層の厚みを18μmとした。そして、ピール強度は、ロードセルにて液晶ポリマー樹脂基板側を引っ張り、90°剥離法(JIS C 6471 8.1)に準拠して測定した。なお、ピール強度は各実施例、各比較例について3サンプル測定した。そして、各実施例、各比較例の3サンプルのピール強度の算術平均値を、各実施例、各比較例のピール強度の値とした。なお、ピール強度は0.5kN/m以上が望ましい。
実施例および比較例の各サンプルを液晶ポリマー樹脂基板(株式会社クラレ製Vecstar CTZ-厚み50μm、ヒドロキシ安息香酸(エステル)とヒドロキシナフトエ酸(エステル)との共重合体である樹脂)と貼り合わせた。その後、サンプルがキャリア付銅箔の場合には極薄銅層をキャリアから剥がした。その後、サンプルの銅箔または極薄銅層の厚みが3μmよりも薄いサンプルについては銅めっきをすることで銅箔または極薄銅層と銅めっきとの合計厚みを3μmとした。また、銅箔または極薄銅層の厚みが3μmよりも厚い場合には、銅箔をエッチングして厚みを3μmとした。続いて、液晶ポリマー樹脂基板上の銅箔または極薄銅層または銅めっき表面に、感光性レジストを塗布した後、露光工程により50本のL/S=5μm/5μm幅の回路を印刷し、銅箔または極薄銅層または銅めっき表面の不要部分を除去するエッチング処理を以下のスプレーエッチング条件にて行った。
(スプレーエッチング条件)
エッチング液:塩化第二鉄水溶液(ボーメ度:40度)
液温:60℃
スプレー圧:2.0MPa
エッチングを続け、回路トップ幅が4μmになった際の回路ボトム幅(底辺Xの長さ)及びエッチングファクターを評価した。エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合(ダレが発生した場合)、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をaとした場合において、このaと銅箔の厚さbとの比:b/aを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図5に、回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このXは回路上方からのSEM観察により測定し、エッチングファクター(EF=b/a)を算出した。なお、a=(X(μm)-4(μm))/2で計算した。このエッチングファクターを用いることにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。本発明では、エッチングファクターが6以上をエッチング性:◎◎、5以上6未満をエッチング性:◎、4以上5未満をエッチング性:○○、3以上4未満をエッチング性:○、3未満或いは算出不可をエッチング性:×と評価した。なお、表中「底辺Xの長さ」における「連結」は、少なくとも底辺部分において隣接する回路と連結してしまい、回路が形成できなかったことを示している。
実施例および比較例の各サンプル上にポリアミック酸(宇部興産製U-ワニス-A、BPDA(ビフェニルテトラカルボン酸二無水物)系)を塗布し、100℃で乾燥、315℃で硬化させてポリイミド樹脂基板(BPDA(ビフェニルテトラカルボン酸二無水物)系ポリイミド)と銅箔とを有する銅張積層板を形成した。その後、サンプルがキャリア付銅箔の場合には極薄銅層をキャリアから剥がした。その後、サンプルの銅箔または極薄銅層の厚みが3μmよりも薄いサンプルについては銅めっきをすることで銅箔または極薄銅層と銅めっきとの合計厚みを3μmとした。また、銅箔または極薄銅層の厚みが3μmよりも厚い場合には、銅箔をエッチングして厚みを3μmとした。続いて、ポリイミド樹脂基板上の銅箔または極薄銅層または銅めっき表面に、感光性レジストを塗布した後、露光工程により50本のL/S=5μm/5μm幅の回路(配線)を印刷し、銅箔または極薄銅層または銅めっき表面の不要部分を除去するエッチング処理を以下のスプレーエッチング条件にて行った。
(スプレーエッチング条件)
エッチング液:塩化第二鉄水溶液(ボーメ度:40度)
液温:60℃
スプレー圧:2.0MPa
回路トップ幅が4μmになるまでエッチングを続けた。その後、銅回路を有するポリイミド樹脂基板を硫酸10wt%、過酸化水素2wt%からなる水溶液に1分間浸漬させた後、ポリイミド樹脂基板と銅回路の界面を光学顕微鏡にて観察した。(図6、図7参照)そして、硫酸と過酸化水素の水溶液に浸食された回路の幅の観察を行い、耐酸性を以下のように評価した。なお、硫酸と過酸化水素の水溶液に浸食された回路の幅は、回路の侵食された部分の回路の幅方向の長さとした。そして、観察したサンプルの回路内、硫酸と過酸化水素の水溶液に浸食された回路の幅の最大値を、当該サンプルの硫酸と過酸化水素の水溶液に浸食された回路の幅とした。
耐酸性の評価は以下の通りとした。「◎◎」:硫酸と過酸化水素の水溶液に浸食された回路の幅が0.6μm未満、「◎」:硫酸と過酸化水素の水溶液に浸食された回路の幅が0.6μm以上0.8μm未満、「○○」:硫酸と過酸化水素の水溶液に浸食された回路の幅が0.8μm以上1.0μm未満、「○」:硫酸と過酸化水素の水溶液に浸食された回路の幅が1.0μm以上1.2μm未満、「×」:硫酸と過酸化水素の水溶液に浸食された回路の幅が1.2μm以上
上記製造条件及び評価結果を表1~4に示す。
実施例1~4、6~14、参考例5、15は、いずれも伝送損失が良好に抑制され、且つ、微細回路形成性が良好であった。
比較例1、5、6は、表面処理層におけるCoの含有比率が0質量%であり、また、表面処理層の最表面の十点平均粗さRzが1.4μmを超えており、電送損失が大きく、且つ、微細回路形成性が不良であった。
比較例2、4は、表面処理層におけるCoの含有比率が15質量%を超えており、電送損失が大きかった。
比較例3は、表面処理層におけるCoの含有比率が0質量%であり、微細回路形成性が不良であった。
Claims (16)
- 銅箔と、前記銅箔の一方または両方の面に粗化処理層を含む表面処理層とを有する表面処理銅箔であって、
前記表面処理層はCoと銅とを含み、且つ、前記表面処理層におけるCoの含有比率が15質量%以下(0質量%は除く)であり、
前記表面処理層の合計付着量が1.05g/m2以上5.0g/m 2 以下であり、
前記表面処理層の最表面の十点平均粗さRzが1.4μm以下であり、
下記(1)及び(2)のいずれかを満たす表面処理銅箔。
(1)前記表面処理層における銅の付着量はCoの付着量よりも大きい。
(2)前記表面処理層はニッケル、亜鉛、錫、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の添加元素を更に含み、前記表面処理層における銅の付着量はCoの付着量よりも大きく、且つ、前記表面処理層における銅の付着量は前記添加元素の付着量よりも大きい。 - 前記表面処理層はNiを含み、且つ、前記表面処理層におけるNiの含有比率が8質量%以下(0質量%は除く)である請求項1に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層におけるCoの付着量が30~2000μg/dm2である請求項1又は2に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層はNiを含み、且つ、前記表面処理層におけるNiの付着量が10~1000μg/dm2である請求項1~3のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層が、前記粗化処理層と、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層とを有する請求項1~4のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 1GHzを超える高周波数下で使用される銅張積層板またはプリント配線板に用いられる請求項1~5のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層が請求項1~6のいずれか一項に記載の表面処理銅箔であるキャリア付銅箔。
- 請求項1~6のいずれか一項に記載の表面処理銅箔または請求項7に記載のキャリア付銅箔を有する積層体。
- 請求項7に記載のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われた積層体。
- 一つの請求項7に記載のキャリア付銅箔が、前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの請求項7に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層された積層体。
- 請求項1~6のいずれか一項に記載の表面処理銅箔または請求項7に記載のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法。
- 請求項1~6のいずれか一項に記載の表面処理銅箔または請求項7に記載のキャリア付銅箔と、絶縁基板とを準備する工程、
前記表面処理銅箔と前記絶縁基板とを積層する工程を経て銅張積層板を形成する工程、または、前記キャリア付銅箔と前記絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成する工程、及び、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1~6のいずれか一項に記載の表面処理銅箔の前記表面処理層側表面に回路を形成する工程、または、請求項7に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面或いは前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記表面処理銅箔の前記表面処理層側表面、または、前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面或いは前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
及び、
前記樹脂層を形成した後に、前記表面処理銅箔を除去することで、または、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項7に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側表面または前記極薄銅層側表面と、樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側表面に、樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項7に記載のキャリア付銅箔を有する積層体及び請求項9または10に記載の積層体からなる群から選択されるいずれか一つの積層体のいずれか一方または両方の面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、並びに、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記積層体を構成しているキャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項11~15のいずれか一項に記載の方法で製造されたプリント配線板を用いた電子機器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017020507A JP7002200B2 (ja) | 2017-02-07 | 2017-02-07 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017020507A JP7002200B2 (ja) | 2017-02-07 | 2017-02-07 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018127660A JP2018127660A (ja) | 2018-08-16 |
JP7002200B2 true JP7002200B2 (ja) | 2022-01-20 |
Family
ID=63172142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017020507A Active JP7002200B2 (ja) | 2017-02-07 | 2017-02-07 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7002200B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015061938A (ja) | 2013-08-20 | 2015-04-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法 |
JP2015105421A (ja) | 2013-11-29 | 2015-06-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔、積層板、プリント配線板、プリント回路板及び電子機器 |
JP2016148114A (ja) | 2015-02-06 | 2016-08-18 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
-
2017
- 2017-02-07 JP JP2017020507A patent/JP7002200B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015061938A (ja) | 2013-08-20 | 2015-04-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法 |
JP2015105421A (ja) | 2013-11-29 | 2015-06-08 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔、積層板、プリント配線板、プリント回路板及び電子機器 |
JP2016148114A (ja) | 2015-02-06 | 2016-08-18 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018127660A (ja) | 2018-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7356209B2 (ja) | 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
KR101975086B1 (ko) | 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판의 제조 방법 및 전자기기의 제조 방법 | |
JP7055049B2 (ja) | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、キャリア付銅箔、プリント配線板、電子機器、並びに、プリント配線板の製造方法 | |
KR101956428B1 (ko) | 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판의 제조 방법 및 전자기기의 제조 방법 | |
KR101907260B1 (ko) | 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판의 제조 방법 및 전자 기기의 제조 방법 | |
KR101907261B1 (ko) | 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판의 제조 방법 및 전자 기기의 제조 방법 | |
US10299385B2 (en) | Carrier-attached copper foil, laminate, method for producing printed wiring board, and method for producing electronic device | |
KR101852671B1 (ko) | 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판, 및, 프린트 배선판의 제조 방법 | |
JP2018145519A (ja) | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
JP2017193778A (ja) | 銅箔、高周波回路用銅箔、キャリア付銅箔、高周波回路用キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
JP7409760B2 (ja) | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
US10820414B2 (en) | Surface treated copper foil, copper foil with carrier, laminate, method for manufacturing printed wiring board, and method for manufacturing electronic device | |
JP7033905B2 (ja) | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
KR101705975B1 (ko) | 캐리어가 형성된 동박, 프린트 배선판, 적층체, 전자 기기 및 프린트 배선판의 제조 방법 | |
KR20180064992A (ko) | 표면 처리 동박, 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판의 제조 방법 및 전자기기의 제조 방법 | |
KR20180114533A (ko) | 표면 처리 동박, 캐리어가 부착된 동박, 기재, 수지 기재, 적층체, 프린트 배선판, 전자 기기 및 프린트 배선판의 제조 방법 | |
JP2018172782A (ja) | 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
WO2014109396A1 (ja) | 表面処理銅箔、積層板、キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、電子機器、及びプリント配線板の製造方法 | |
JP6522974B2 (ja) | キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法 | |
JP7002200B2 (ja) | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
CN108449868B (zh) | 表面处理铜箔、带载体的铜箔、层压体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法 | |
JP2016190323A (ja) | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191218 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200901 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200831 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20201022 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210413 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210806 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211207 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211227 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7002200 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |