JP2015105421A - 表面処理銅箔、積層板、プリント配線板、プリント回路板及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明に用いることのできる銅箔基材の形態に特に制限はないが、典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で用いることができる。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。屈曲性が要求される用途には圧延銅箔を適用することが多い。
銅箔基材の材料としてはプリント配線板の導体パターンとして通常使用されるタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。高周波回路基板用の銅箔として銅合金箔を用いる場合は、銅に比して電気抵抗率が顕著に上昇しないものがよい。
なお、銅箔基材の板厚は特に限定する必要は無いが、例えば1〜300μm、あるいは3〜100μm、あるいは5μm〜70μm、あるいは6μm〜35μm、あるいは9μm〜18μmである。
銅箔基材の表面には、粗化処理層、防錆層、耐熱層、シランカップリング処理層から選択される一種以上の層による表面処理層が形成されていることが好ましい。本発明の表面処理層は、このように樹脂との接着面(M面)に形成されていてもよく、接着面(M面)と反対側の面(S面)に形成されていてもよく、両面に形成されていてもよい。
粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであってもよい。また、粗化処理の後、かぶせめっき処理を行ってもよい。これらの粗化処理、防錆処理、耐熱処理、シラン処理、処理液への浸漬処理やめっき処理で形成される表面処理層は、Cu,Ni,Fe,Co,Zn,Cr,Mo,W,P,As,Ag,Sn,Geからなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上の合金、または有機物を含んでもよい。
本発明の表面処理銅箔は、表面処理層において、Co、Ni、Feの合計付着量が1000μg/dm2以下に制御されている。本発明の表面処理銅箔は、このように、伝送損失の原因となる、透磁率が比較的高く導電率が比較的低いCo、Ni、Feの付着量が制御されているため、高周波伝送損失を低減することができる。表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量は、好ましくは500μg/dm2以下であり、より好ましくは300μg/dm2以下であり、更により好ましくは0μg/dm2(分析の定量下限値以下を示す)である。
銅箔表面の粗さは導体損失の主たる要因であり、粗さが小さいほど伝送損失が減少する。このような観点から、本発明の表面処理銅箔は、少なくとも一方の表面の表面粗さRz JISが2.2μm以下に制御されており、伝送損失を良好に減少させることができる。また、両表面の表面粗さRz JISが2.2μm以下であるのが好ましい。このような構成によれば、高周波伝送損失をより低減できる。
表面粗さRz JISは、より好ましくは1.5μm以下であり、更に好ましくは1.2μm以下であり、典型的には0.5〜2.2μmである。
従来の高周波用銅箔で管理されていた表面粗さRzに加えて、高周波伝送損失に影響を与える樹脂(誘電体)との接触面積をより正確に表す三次元表面積の二次元表面積に対する比を適切な範囲に制御する必要がある。このような観点から、本発明の表面処理銅箔は、表面処理層表面におけるレーザー顕微鏡で測定された二次元表面積に対する三次元表面積の比が1.0〜1.9に制御されており、高周波回路基板に用いても伝送損失がさらに良好に抑制される。当該表面積比が1.0未満の値には定義上なり得ず、1.9を超えると高周波伝送損失が大きくなるという問題が生じるおそれがある。当該表面積比は、好ましくは1.0〜1.9であり、より好ましくは1.0〜1.6であり、更により好ましくは1.3〜1.6である。
本発明において、銅箔基材(圧延銅箔又は電解銅箔)の一方の表面或いは両表面には、酸洗後の銅箔の表面にふしこぶ状の電着を行う粗化処理が施されることが好ましい。粗化処理により樹脂(誘電体)との密着性(引き剥がし強度)を得る。本発明においては、この粗化処理は例えばCu,Ni,Fe,Co,Zn,Cr,Mo,W,P,As,Ag,Sn,Geからなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上の合金のめっき、または有機物による表面処理等により行うことができる。粗化前の前処理として通常の銅めっき等が行われることがあり、粗化後には表面処理として、耐熱性、耐薬品性を付与するために上記金属でかぶせめっきを行うこともある。なお、粗化処理を行わずにCu,Ni,Fe,Co,Zn,Cr,Mo,W,P,As,Ag,Sn,Geからなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上の合金のめっきを行ってもよい。その後、表面処理として、耐熱性、耐薬品性を付与するために上記金属でかぶせめっきを行うこともある。粗化処理を行う場合には、樹脂との密着強度が高くなるという利点がある。また、粗化処理を行わない場合には、表面処理銅箔の製造工程が簡略化されるため生産性が向上すると共に、コストを低減することができ、また粗さを小さくすることができるという利点がある。圧延銅箔と電解銅箔とでは処理の内容を幾分異にすることもある。このような銅箔表面のめっき処理の液組成、めっき時間、電流密度を調整することで、本発明に係る表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量を制御し、表面処理層においてZn金属層又はZnを含む合金処理層を形成し、表面処理層表面におけるレーザー顕微鏡で測定された二次元表面積に対する三次元表面積の比を制御し、さらに表面粗さRz JISを制御することができる。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
次に、表面処理として、表1〜2に示す条件でめっきを行った。実施例1〜4は前記方法で製作した電解銅箔の析出面(Rz0.6μm)に表面処理を行い、実施例5〜7および比較例1、4〜6は前記電解銅箔のドラム面(Rz1.5μm)に表面処理を行った。比較例2、3はレベリング剤を含まない電解液で製作した電解銅箔の析出面(Rz2.0μm)に表面処理を行った。また、実施例8〜10は所定の表面粗さに制御された圧延銅箔に表面処理を行った。表1は、各めっき液1〜10の液組成、pH、温度、電流密度を示している。表2は、表記の浴組成及び時間で、めっき処理1〜3を順に行ったことを示している。なお、このめっきの後にZn、Niまたはそれらの合金めっき、およびクロメート処理によって耐熱性を確保し、さらにシランカップリング剤を塗布することでピール強度を向上させた。
シランカップリング剤の塗布条件は以下の通りである。
・3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
・シラン濃度:0.6vol%(残部:水)
・処理温度:30〜40℃
・処理時間:5秒
・シラン処理後の乾燥:100℃×3秒
なお、実施例1、9の表面処理は平滑めっき処理(粗化処理でない表面処理)に相当し、それ以外の実施例および比較例における表面処理は粗化処理に相当する。
表面処理層のCu以外の各種金属の付着量の測定については、50mm×50mmの銅箔表面の皮膜をHNO3(2重量%)とHCl(5重量%)を混合した溶液に溶解し、その溶液中の金属濃度をICP発光分光分析装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、SFC−3100)にて定量し、単位面積当たりの金属量(μg/dm2)を算出して導いた。このとき、測定したい面と反対面の金属付着量が混入しないよう、必要に応じてマスキングを行い、分析を行った。なお、測定は前述のZn、Co、Ni、Feまたはそれらの合金めっき、およびクロメート処理、さらにシランカップリング処理を行った後のサンプルについて行った。表面処理層のCuの付着量の測定については、100mm×100mmサイズの表面処理銅箔の重量から、前記方法で測定した当該面積あたりのCu以外の各種金属の付着量ならびに表面処理前銅箔の当該面積あたりの重量を差し引いて求めた。
株式会社小阪研究所製接触粗さ計SP−11を使用してJIS B0601−1994に準拠して十点平均粗さを表面処理面について測定した。測定基準長さ0.8mm、評価長さ4mm、カットオフ値0.25mm、送り速さ0.1mm/秒の条件で測定位置を変えて10回行い、10回の測定での値を求めた。また、実施例及び比較例で用いた各電解銅箔及び圧延銅箔について、表面処理前の粗さRzについてもあらかじめ測定しておいた。
3次元表面積は、オリンパス株式会社製レーザー顕微鏡LEXT OLS4000(レーザー波長405nm、微分干渉方式)を用いて、表面処理銅箔の析出面における、2次元表面積が66455μm2の領域について測定した。測定された3次元表面積を2次元表面積で除した値を表面積比とした。
18μm厚の各サンプルについて、市販の液晶ポリマー樹脂((株)クラレ製Vecstar CTZ−50μm)と貼り合わせた後、エッチングで特性インピーダンスが50Ωのとなるようマイクロストリップ線路を形成し、HP社製のネットワークアナライザーHP8720Cを用いて透過係数を測定し、周波数20GHzでの伝送損失を求めた。周波数20GHzにおける伝送損失の評価として、5.0dB/10cm未満を◎、5.0dB/10cm以上且つ6.0dB/10cm未満を○、6.0dB/10cm以上を×とした。伝送損失の大きさは使用する樹脂の比誘電率、誘電正接、厚みに左右されるため、一般用プリント配線版に使用される銅箔(比較例2で用いた銅箔)に対して顕著な伝送損失低減効果があるものとして上記の判定基準とした。
試験結果を表3に示す。
実施例1〜10は、いずれも、表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量が1000μg/dm2以下であり、表面処理層がZn金属層又はZnを含む合金処理層を有し、表面積比が1.0〜1.9であり、表面粗さRz JISが2.2μm以下であった。このため、実施例1〜10は、いずれも伝送損失が良好に抑制されていた。
比較例1は、表面積比が1.9を超えたため、伝送損失が大きかった。
比較例2は、表面粗さRz JISが2.2μmを超え、表面積比が1.9を超えたため、伝送損失が大きかった。
比較例3は、表面粗さRz JISが2.2μmを超えたため、伝送損失が大きかった。
比較例4〜6は、実施例7のめっき処理3をCo、Ni、Feを含むものに変更したものであり、表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量が1000μg/dm2を超えたため、実施例7よりも伝送損失が大きかった。
図1に、実施例及び比較例に係るCo、Ni、Feの合計付着量と、表面粗さRzとの関係を示すグラフを示す。図2に、実施例及び比較例に係るCo、Ni、Feの合計付着量と、二次元表面積に対する三次元表面積の比との関係を示すグラフを示す。図3に、実施例及び比較例に係るCo、Ni、Fe、Cu、Znの合計付着量と、伝送損失との関係を示すグラフを示す。
本発明に用いることのできる銅箔基材の形態に特に制限はないが、典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で用いることができる。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。屈曲性が要求される用途には圧延銅箔を適用することが多い。
銅箔基材の材料としてはプリント配線板の導体パターンとして通常使用されるタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。高周波回路基板用の銅箔として銅合金箔を用いる場合は、銅に比して電気抵抗率が顕著に上昇しないものがよい。
なお、銅箔基材の板厚は特に限定する必要は無いが、例えば1〜300μm、あるいは3〜100μm、あるいは5μm〜70μm、あるいは6μm〜35μm、あるいは9μm〜18μmである。
銅箔基材の表面には、粗化処理層、防錆層、耐熱層、シランカップリング処理層から選択される一種以上の層による表面処理層が形成されていることが好ましい。本発明の表面処理層は、このように樹脂との接着面(M面)に形成されていてもよく、接着面(M面)と反対側の面(S面)に形成されていてもよく、両面に形成されていてもよい。
粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであってもよい。また、粗化処理の後、かぶせめっき処理を行ってもよい。これらの粗化処理、防錆処理、耐熱処理、シラン処理、処理液への浸漬処理やめっき処理で形成される表面処理層は、Cu,Ni,Fe,Co,Zn,Cr,Mo,W,P,As,Ag,Sn,Geからなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上の合金、または有機物を含んでもよい。
本発明の表面処理銅箔は、表面処理層において、Co、Ni、Feの合計付着量が1000μg/dm2以下に制御されている。本発明の表面処理銅箔は、このように、伝送損失の原因となる、透磁率が比較的高く導電率が比較的低いCo、Ni、Feの付着量が制御されているため、高周波伝送損失を低減することができる。表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量は、好ましくは500μg/dm2以下であり、より好ましくは300μg/dm2以下であり、更により好ましくは0μg/dm2(分析の定量下限値以下を示す)である。
銅箔表面の粗さは導体損失の主たる要因であり、粗さが小さいほど伝送損失が減少する。このような観点から、本発明の表面処理銅箔は、少なくとも一方の表面の表面粗さRz JISが2.2μm以下に制御されており、伝送損失を良好に減少させることができる。また、両表面の表面粗さRz JISが2.2μm以下であるのが好ましい。このような構成によれば、高周波伝送損失をより低減できる。
表面粗さRz JISは、より好ましくは1.5μm以下であり、更に好ましくは1.2μm以下であり、典型的には0.5〜2.2μmである。
従来の高周波用銅箔で管理されていた表面粗さRzに加えて、高周波伝送損失に影響を与える樹脂(誘電体)との接触面積をより正確に表す三次元表面積の二次元表面積に対する比を適切な範囲に制御する必要がある。このような観点から、本発明の表面処理銅箔は、表面処理層表面におけるレーザー顕微鏡で測定された二次元表面積に対する三次元表面積の比が1.0〜1.9に制御されており、高周波回路基板に用いても伝送損失がさらに良好に抑制される。当該表面積比が1.0未満の値には定義上なり得ず、1.9を超えると高周波伝送損失が大きくなるという問題が生じるおそれがある。当該表面積比は、好ましくは1.0〜1.9であり、より好ましくは1.0〜1.6であり、更により好ましくは1.3〜1.6である。
本発明において、銅箔基材(圧延銅箔又は電解銅箔)の一方の表面或いは両表面には、酸洗後の銅箔の表面にふしこぶ状の電着を行う粗化処理が施されることが好ましい。粗化処理により樹脂(誘電体)との密着性(引き剥がし強度)を得る。本発明においては、この粗化処理は例えばCu,Ni,Fe,Co,Zn,Cr,Mo,W,P,As,Ag,Sn,Geからなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上の合金のめっき、または有機物による表面処理等により行うことができる。粗化前の前処理として通常の銅めっき等が行われることがあり、粗化後には表面処理として、耐熱性、耐薬品性を付与するために上記金属でかぶせめっきを行うこともある。なお、粗化処理を行わずにCu,Ni,Fe,Co,Zn,Cr,Mo,W,P,As,Ag,Sn,Geからなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上の合金のめっきを行ってもよい。その後、表面処理として、耐熱性、耐薬品性を付与するために上記金属でかぶせめっきを行うこともある。粗化処理を行う場合には、樹脂との密着強度が高くなるという利点がある。また、粗化処理を行わない場合には、表面処理銅箔の製造工程が簡略化されるため生産性が向上すると共に、コストを低減することができ、また粗さを小さくすることができるという利点がある。圧延銅箔と電解銅箔とでは処理の内容を幾分異にすることもある。このような銅箔表面のめっき処理の液組成、めっき時間、電流密度を調整することで、本発明に係る表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量を制御し、表面処理層においてZn金属層又はZnを含む合金処理層を形成し、表面処理層表面におけるレーザー顕微鏡で測定された二次元表面積に対する三次元表面積の比を制御し、さらに表面粗さRz JISを制御することができる。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
次に、表面処理として、表1〜2に示す条件でめっきを行った。実施例1〜4は前記方法で製作した電解銅箔の析出面(Rz0.6μm)に表面処理を行い、実施例5〜7および比較例1、4〜6は前記電解銅箔のドラム面(Rz1.5μm)に表面処理を行った。比較例2、3はレベリング剤を含まない電解液で製作した電解銅箔の析出面(Rz2.0μm)に表面処理を行った。また、実施例8〜10は所定の表面粗さに制御された圧延銅箔に表面処理を行った。表1は、各めっき液1〜10の液組成、pH、温度、電流密度を示している。表2は、表記の浴組成及び時間で、めっき処理1〜3を順に行ったことを示している。なお、このめっきの後にZn、Niまたはそれらの合金めっき、およびクロメート処理によって耐熱性を確保し、さらにシランカップリング剤を塗布することでピール強度を向上させた。
シランカップリング剤の塗布条件は以下の通りである。
・3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
・シラン濃度:0.6vol%(残部:水)
・処理温度:30〜40℃
・処理時間:5秒
・シラン処理後の乾燥:100℃×3秒
なお、実施例1、9の表面処理は平滑めっき処理(粗化処理でない表面処理)に相当し、それ以外の実施例および比較例における表面処理は粗化処理に相当する。
表面処理層のCu以外の各種金属の付着量の測定については、50mm×50mmの銅箔表面の皮膜をHNO3(2重量%)とHCl(5重量%)を混合した溶液に溶解し、その溶液中の金属濃度をICP発光分光分析装置(エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、SFC−3100)にて定量し、単位面積当たりの金属量(μg/dm2)を算出して導いた。このとき、測定したい面と反対面の金属付着量が混入しないよう、必要に応じてマスキングを行い、分析を行った。なお、測定は前述のZn、Co、Ni、Feまたはそれらの合金めっき、およびクロメート処理、さらにシランカップリング処理を行った後のサンプルについて行った。表面処理層のCuの付着量の測定については、100mm×100mmサイズの表面処理銅箔の重量から、前記方法で測定した当該面積あたりのCu以外の各種金属の付着量ならびに表面処理前銅箔の当該面積あたりの重量を差し引いて求めた。
株式会社小阪研究所製接触粗さ計SP−11を使用してJIS B0601−1994に準拠して十点平均粗さを表面処理面について測定した。測定基準長さ0.8mm、評価長さ4mm、カットオフ値0.25mm、送り速さ0.1mm/秒の条件で測定位置を変えて10回行い、10回の測定での値を求めた。また、実施例及び比較例で用いた各電解銅箔及び圧延銅箔について、表面処理前の粗さRzについてもあらかじめ測定しておいた。
3次元表面積は、オリンパス株式会社製レーザー顕微鏡LEXT OLS4000(レーザー波長405nm、微分干渉方式)を用いて、表面処理銅箔の析出面における、2次元表面積が66455μm2の領域について測定した。測定された3次元表面積を2次元表面積で除した値を表面積比とした。
18μm厚の各サンプルについて、市販の液晶ポリマー樹脂((株)クラレ製Vecstar CTZ−50μm)と貼り合わせた後、エッチングで特性インピーダンスが50Ωとなるようマイクロストリップ線路を形成し、HP社製のネットワークアナライザーHP8720Cを用いて透過係数を測定し、周波数20GHzでの伝送損失を求めた。周波数20GHzにおける伝送損失の評価として、5.0dB/10cm未満を◎、5.0dB/10cm以上且つ6.0dB/10cm未満を○、6.0dB/10cm以上を×とした。伝送損失の大きさは使用する樹脂の比誘電率、誘電正接、厚みに左右されるため、一般用プリント配線版に使用される銅箔(比較例2で用いた銅箔)に対して顕著な伝送損失低減効果があるものとして上記の判定基準とした。
試験結果を表3に示す。
実施例1〜10は、いずれも、表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量が1000μg/dm2以下であり、表面処理層がZn金属層又はZnを含む合金処理層を有し、表面積比が1.0〜1.9であり、表面粗さRz JISが2.2μm以下であった。このため、実施例1〜10は、いずれも伝送損失が良好に抑制されていた。
比較例1は、表面積比が1.9を超えたため、伝送損失が大きかった。
比較例2は、表面粗さRz JISが2.2μmを超え、表面積比が1.9を超えたため、伝送損失が大きかった。
比較例3は、表面粗さRz JISが2.2μmを超えたため、伝送損失が大きかった。
比較例4〜6は、実施例7のめっき処理3をCo、Ni、Feを含むものに変更したものであり、表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量が1000μg/dm2を超えたため、実施例7よりも伝送損失が大きかった。
図1に、実施例及び比較例に係るCo、Ni、Feの合計付着量と、表面粗さRzとの関係を示すグラフを示す。図2に、実施例及び比較例に係るCo、Ni、Feの合計付着量と、二次元表面積に対する三次元表面積の比との関係を示すグラフを示す。図3に、実施例及び比較例に係るCo、Ni、Fe、Cu、Znの合計付着量と、伝送損失との関係を示すグラフを示す。
Claims (18)
- 少なくとも一方の表面に表面処理層が形成された表面処理銅箔であって、
前記表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量が1000μg/dm2以下であり、前記表面処理層がZn金属層又はZnを含む合金処理層を有し、前記表面処理層表面におけるレーザー顕微鏡で測定された二次元表面積に対する三次元表面積の比が1.0〜1.9であり、
少なくとも一方の表面の表面粗さRz JISが2.2μm以下である表面処理銅箔。 - 前記表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量が500μg/dm2以下である請求項1に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量が300μg/dm2以下である請求項2に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層におけるCo、Ni、Feの合計付着量が0μg/dm2である請求項3に記載の表面処理銅箔。
- 両表面の表面粗さRz JISが2.2μm以下である請求項1〜4のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層が粗化処理層を含む請求項1〜5のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記粗化処理層におけるCuの付着量が0.10g/dm2以下である請求項6に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層において、前記粗化処理層上に前記Zn金属層又はZnを含む合金処理層が設けられている請求項6又は7に記載の表面処理銅箔。
- 前記Znを含む合金処理層がCu−Zn合金層である請求項1〜8のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層におけるZnの付着量が5mg/dm2以下である請求項1〜9のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層において、前記Zn金属層又はZnを含む合金処理層上にクロメート処理層が設けられている請求項1〜10のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層が設けられている請求項11に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層におけるCu、Zn、Co、Ni、Feの合計付着量が0.10g/dm2以下である請求項1〜12のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- フレキシブルプリント配線板用である請求項1〜13のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 5GHz以上の高周波回路基板用である請求項1〜13のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と樹脂基板とを積層して構成した積層板。
- 請求項16に記載の積層板を材料としたプリント配線板。
- 請求項16に記載の積層板を材料としたプリント回路板。
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