TWI831830B - 顯示面板及包含其之顯示裝置 - Google Patents

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TWI831830B
TWI831830B TW108132842A TW108132842A TWI831830B TW I831830 B TWI831830 B TW I831830B TW 108132842 A TW108132842 A TW 108132842A TW 108132842 A TW108132842 A TW 108132842A TW I831830 B TWI831830 B TW I831830B
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金湘甲
成宇鏞
李俊傑
崔新逸
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Abstract

本發明係關於一種顯示面板，其包含：具有開口區域以及至少部分地環繞開口區域的顯示區域之玻璃基板；於顯示區域上且包含半導體層和閘極電極的薄膜電晶體；電性連接至薄膜電晶體的顯示元件；以及包含絕緣層和下絕緣層的多層。絕緣層係介於玻璃基板和顯示元件之間，且下絕緣層係介於玻璃基板與絕緣層之間；以及薄膜封裝層覆蓋顯示元件且包含無機封裝層和有機封裝層。多層包含係介於開口區域和顯示區域之間的第一凹槽。在下絕緣層中的第一凹槽的一部分的第一寬度係大於在絕緣層中的第一凹槽的一部分的第二寬度。

Description

顯示面板及包含其之顯示裝置
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2018年09月12日提出之韓國專利申請號第10-2018-0109179號之優先權及效益，其揭露內容於此併入全文作為參考。
一個或多個實施例係關於一種顯示面板以及包含顯示面板的顯示裝置。
顯示裝置的相關技術具有極為廣泛的用途。另外，因其之厚度相對較小且重量相對較輕，其之應用範圍日益漸增。
顯示裝置的顯示區域(area)逐漸增加的同時，連接(connected)或鏈接(linked)至顯示裝置的各種不同功能也已經被加入至顯示裝置。有鑑於增加顯示區域的同時而加入各種功能的方法，便開發出其中連接或鏈接至各種功能的區域便形成於顯示區域中的顯示裝置。
在包含開口(opening)的顯示裝置中，包含有機材料且經由開口的側表面(lateral surface)暴露的層係提供濕氣滲透路徑(moisture-infiltrating path)，因此至少部分地環繞開口的顯示元件會被損壞。
一個或多個實施例包含一種顯示面板，此顯示面板能夠防止濕氣經由顯示面板的開口而滲透，且顯示裝置包含顯示面板。然而，一個或多個實施例僅為實例，且本發明的範圍不限於此。
其它態樣將被闡述於如下敘述，且部分地將從所述敘述中顯而易見，或可藉由所示之實施例的實踐來了解。
根據一個或多個實施例，顯示面板包含：包含開口區域以及至少部分地環繞開口區域的顯示區域之玻璃基板；於顯示區域上且包含半導體層和閘極電極的薄膜電晶體；電性連接至薄膜電晶體的顯示元件；包含至少一絕緣層和下絕緣層的多層(multi-layer)，其中至少一絕緣層係介於玻璃基板與顯示元件之間，且下絕緣層係介於玻璃基板與至少一絕緣層之間；以及覆蓋顯示元件且包含至少一無機封裝層和至少一有機封裝層的薄膜封裝層，其中多層包含位於介於開口區域和顯示區域之間的第一凹槽，且在下絕緣層中的第一凹槽的一部分的第一寬度係大於在至少一絕緣層中的第一凹槽的一部分的第二寬度。
第一凹槽的底表面可於介於下絕緣層的上表面和玻璃基板的上表面之間的虛擬表面(virtual surface)上，或於與玻璃基板的上表面相同的虛擬表面上。
至少一絕緣層可包含對應於第一凹槽的第一通孔；且下絕緣層可包含對應於第一凹槽的第二通孔或切口(recess)。
面向(facing)第一凹槽的中心的至少一絕緣層的側表面，相較於面向第一凹槽的中心的下絕緣層的側表面，較鄰近(closer)於第一凹槽的中心。下絕緣層與玻璃基板的上表面可直接接觸。
至少一無機封裝層可覆蓋第一凹槽的內表面。
至少一無機封裝層的一部分與在第一凹槽內(within)的玻璃基板的一部分可直接接觸。
玻璃基板可包含對應於開口區域的第一開口。
界定第一開口的玻璃基板的端部，相較於面向開口區域的下絕緣層的端部，較鄰近於開口區域的中心。
多層可更包含介於第一凹槽與開口區域之間的第二凹槽。
至少一有機封裝層的端部可介於第一凹槽與第二凹槽之間。
顯示面板可更包含於多層上且位於第一凹槽與第二凹槽之間的分隔壁。
下絕緣層可包含有機絕緣層，且至少一絕緣層可包含無機絕緣層。
下絕緣層可包含氮化矽(silicon nitride)和碳氧化矽(silicon oxycarbide)中的至少一個，且至少一絕緣層可包含無機絕緣層，所述無機絕緣層包含與下絕緣層不同的材料。
根據一個或多個實施例，顯示裝置包含基板，基板包含開口；於基板的顯示區域上的薄膜電晶體，顯示區域至少部分地環繞開口，且薄膜電晶體包含半導體層和閘極電極；電性連接至薄膜電晶體的顯示元件；包含下絕緣層和至少一絕緣層的多層，其中下絕緣層位於基板上，且至少一絕緣層位於下絕緣層上並包含與下絕緣層不同的材料；以及配置以覆蓋該顯示元件的封裝層；其中多層包含第一凹槽，所述第一凹槽在多層的厚度方向上凹入(concave)，且在下絕緣層中的第一凹槽的一部分的寬度係大於在至少一絕緣層中的第一凹槽的一部分的寬度。
基板可包含玻璃材料、聚合物材料或金屬材料。
第一凹槽的底表面可於介於下絕緣層的上表面和基板的上表面之間的虛擬表面上，或於與基板的上表面相同的虛擬表面上。
至少一絕緣層可包含對應於第一凹槽的第一通孔；且下絕緣層可包含對應於第一凹槽的第二通孔或切口。
至少一絕緣層可包含無機絕緣層。
下絕緣層可包含有機絕緣層，或可包含與至少一絕緣層不同的無機絕緣層。
指向(directed toward)第一凹槽的中心的至少一絕緣層的側表面可較指向第一凹槽的中心的下絕緣層的側表面更突出(protrude farther)。
指向開口的基板的端部，相較於指向開口的下絕緣層的端部，可朝向(toward)開口更突出。
多層可更包含介於第一凹槽與開口之間的第二凹槽。
封裝層可包含至少一無機封裝層和至少一有機封裝層；且至少一無機封裝層可覆蓋第一凹槽與第二凹槽中的每一個的內表面。
至少一有機封裝層的一部分可至少部分地填充第一凹槽。
顯示裝置可更包含於多層上且位於第一凹槽與第二凹槽之間的分隔壁。
至少一無機封裝層與第一凹槽或第二凹槽內(within)的基板的上表面可直接接觸。
至少一絕緣層可包含第一絕緣層和第二絕緣層，第二絕緣層可位於第一絕緣層上，第一絕緣層與第二絕緣層可包含不同的材料。第一絕緣層和 第二絕緣層可包含分別對應於第一凹槽的通孔，且第二絕緣層的通孔的寬度可小於第一絕緣層的通孔的寬度。
顯示元件可包含有機發光二極體。
包含在有機發光二極體的有機層和相對電極的中的至少一個可藉由第一凹槽斷接。
1:顯示裝置
10,10',10":顯示面板
100:基板
100E,250E:端部
100H:第一開口
10H:開口
1100:掃描驅動器
1200:資料驅動器
20:部件
200:顯示元件層
200H:第二開口
201:緩衝層
201IE,203IE,205IE,207aIE,207bIE,250'IE,AIL-IE:側表面
203:閘極絕緣層
205:第一層間絕緣層
207:第二層間絕緣層
207a:下第二層間絕緣層
207b:上第二層間絕緣層
209:平坦化絕緣層
211:畫素界定層
221:畫素電極
222:中間層
222a:第一功能層
222b:發射層
222c:第二功能層
223:相對電極
250,250':下絕緣層
250h:第一通孔
250H:開口
250r:第一切口
300:薄膜封裝層
300H:第三開口
310:第一無機封裝層
320:有機封裝層
320E:端部
330:第二無機封裝層
400:分隔壁
410:第一子分隔壁層
420:第二子分隔壁層
ACT:半導體層
AIL:絕緣層
AIL-h:第二通孔
CE1:下電極
CE2:上電極
Cst:儲存電容器
d1:第一距離
d2:第二距離
DA:顯示區域
DE:汲極電極
DL:資料線
ELVDD:第一電源電壓
ELVSS:第二電源電壓
G1:第一凹槽
G2:第二凹槽
G3:第三凹槽
GE:閘極電極
h:深度
HA:區域
ML:多層
NDA:非顯示區域
NDA1:第一非顯示區域
NDA2:第二非顯示區域
OA:開口區域
P:畫素
PC:畫素電路
PL:驅動電壓線
SE:源極電極
SL:掃描線
SNDA1:第一子非顯示區域
SNDA2:第二子非顯示區域
t:厚度
T1:第一薄膜電晶體
T2:第二薄膜電晶體
W1:第一寬度
W2:第二寬度
對於以下實施例的描述並搭配所附圖式，這些及/或其它態樣將變得顯而易見且更容易理解，其中：第1圖係為根據實施例之顯示裝置的示意性透視圖；第2A至2D圖係繪示根據實施例之顯示裝置的示意性剖面圖；第3圖係為根據實施例之顯示面板的示意性平面圖；第4圖係為顯示面板之複數個畫素中的一個的電路圖；第5圖係為根據表示位於第一非顯示區域中的訊號線的實施例之顯示面板的一部分的的平面圖；第6圖係為根據表示位於第一非顯示區域中的凹槽的實施例之顯示面板的一部分的平面圖；第7圖係為第6圖之顯示面板的剖面圖；第8圖係為根據實施例之有機發光二極體的放大剖面圖；第9A圖係為根據實施例之第一凹槽的剖面圖；以及第9B圖係為繪示在第9A圖之第一凹槽上之堆疊結構的剖面圖；第10A圖係為根據另一實施例之第一凹槽的剖面圖；以及第10B圖係為繪示在第10A圖之第一凹槽上之堆疊結構的剖面圖； 第11圖係為根據另一實施例之顯示面板的剖面圖；第12A圖係為根據另一實施例之第一凹槽的剖面圖；以及第12B圖係為繪示在第12A圖之第一凹槽上之堆疊結構的剖面圖；第13圖係為根據另一實施例之顯示面板的剖面圖；第14圖係為根據另一實施例之顯示面板的剖面圖；第15A圖係為根據另一實施例之第一凹槽的剖面圖；以及第15B圖係為繪示在第15A圖之第一凹槽上之堆疊結構的剖面圖；第16圖係為根據另一實施例之顯示面板的剖面圖；第17圖係為根據另一實施例之顯示面板的剖面圖；第18圖係為根據另一實施例之顯示面板的平面圖；第19圖係為根據另一實施例之開口區域之周圍的平面圖；第20圖係為第19圖之顯示面板的剖面圖；第21圖係為根據另一實施例之顯示面板的平面圖；第22圖係為根據另一實施例之開口區域之周圍的平面圖；以及第23圖係為第22圖之顯示面板的剖面圖。
因本揭露允許各種變更和大量實施例，特定之實施例將於圖式中表示並在書面描述中詳細描述。於下文中，本揭露之效果和特徵以及完成這些效果和特徵之方法，將參照所附圖式進行更全面的描述，其中將例示本揭露之實施例。然而，本揭露可以許多不同的形式實施，且不應被解釋為限於本文闡述的實施例。
本揭露之一個或多個實施例將參照所附圖式，於下文更詳細地描述。無論圖號，該些相同或對應的部件係呈現為相同的元件符號，且冗餘之解釋將予以省略。
應當理解，儘管用語「第一(first)」、「第二(second)」等可使用於本文中以描述各種部件，這些部件不應被這些用語所限制。這些部件僅用於區分一個部件與另一個部件。
如用於本文中，除非文中另行明確表示，否則「一(a)」、「一(an)」和「the(該)」等單數型式亦旨在包含複數型式。
將進一步理解，「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」等用於本文中之用語係指明所述特徵或部件的存在，但不排除存在或增添一個或多個其它特徵或部件。
應當理解，當一個層、區域或部件被稱為「在」另一個層、區域或部件上「形成(formed on)」時，其可直接或間接地在另一個層、區域或部件上形成。亦即，例如，可存在中介層、區域或部件。
為便於解釋，圖式中元件之尺寸可能會被誇大。換句話說，由於圖式中各部件的尺寸和厚度係為便於說明而任意表示，因此下列實施例並不限於此。
當可以不同地實施特定實施例時，可以不同於所描述的順序執行特定製程順序。例如，兩個被連續描述的製程可以實質上同時執行，或者以與所描述的順序相反的順序執行。
應當理解，當一個層、區域或部件被稱為與另一個層、區域或部件「連接(connected)」或「耦接(coupled)」時，其可直接連接或耦接至另一個層、 區域、部件或中間的層、區域或部件。例如，當一個層、區域或部件被稱為「電性連接(electrically connected)」或「電性耦接(electrically coupled)」至另一個層、區域或部件時，其可直接電性連接或電性耦接至另一個層、區域、部件，或者可存在中介層、區域或部件。
第1圖係根據本揭露實施例的顯示裝置1的示意性透視圖。
參照第1圖，顯示裝置1包含發光的顯示區域DA和不發光的非顯示區域NDA。顯示裝置1可透過使用從佈置於顯示區域DA中的複數個畫素發射的光來提供影像。
顯示裝置1包含至少部分地由顯示區域DA環繞的開口區域OA。第1圖係表示開口區域OA係由顯示區域DA完全環繞。非顯示區域NDA可包含環繞開口區域OA的第一非顯示區域NDA1和環繞顯示區域DA的第二非顯示區域NDA2。第一非顯示區域NDA1可完全環繞開口區域OA，顯示區域DA可完全環繞第一非顯示區域NDA1，且第二非顯示區域NDA2可完全環繞顯示區域DA。
儘管有機發光顯示裝置被表示並被描述為顯示裝置1，但顯示裝置1不限於此。根據另一實施例，可使用各種類型的顯示裝置，諸如無機發光顯示器(inorganic light-emitting display)和量子點發光顯示器(quantum dot light-emitting display)。
第2A至2D圖係為根據實施例的顯示裝置1的示意性剖面圖，且可對應於沿第1圖的線段II-II'截取的剖面。開口區域OA位於兩個畫素之間。例如，開口區域OA位於兩個OLED之間。
參照第2A圖，顯示裝置1可包含顯示面板10和對應於顯示面板10的開口區域OA的部件20。儘管未表示出，但諸如用於感測觸控輸入的輸入感測 構件、包含偏光板和延遲器的抗反射構件，或濾色器和黑色矩陣，以及透明視窗等元件可佈置於顯示面板10上。
顯示面板10可包含基板100、設置於基板100上的顯示元件層200，以及作為覆蓋顯示元件層200的封裝構件的薄膜封裝層300。
基板100可包含玻璃材料、聚合物(polymer)材料或金屬材料。基板100可為剛性或可撓性。例如，基板100可為包含SiO2作為主要成分的透明玻璃基板，或是包含諸如強化塑膠(reinforced plastic)的聚合物樹脂(polymer resin)的基板。顯示元件層200包含佈置於顯示區域DA上的薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)的畫素電路，以及諸如電性連接至畫素電路的有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)的顯示元件。藉由覆蓋顯示元件層200，薄膜封裝層300可防止外部濕氣或污染物質滲透至顯示元件層200中。薄膜封裝層300可包含至少一無機封裝層和至少一有機封裝層。
在一實施例中，橫向(lateral)方向可為x方向，厚度方向可為z方向。如第2A圖所示，顯示面板10可包含對應於開口區域OA且穿過(例如，完全穿透)顯示面板10的開口10H。基板100、顯示元件層200和薄膜封裝層300可分別包含對應於開口區域OA的第一至第三開口100H、200H和300H，且第一至第三開口100H、200H和300H可與顯示面板10的開口10H一起形成。第一開口100H可從基板100的頂表面穿透至底表面，第二開口200H可從顯示元件層200的最下層穿透至最上層，且第三開口300H可穿透薄膜封裝層300。
開口區域OA係為部件20位於的區域(例如，至少一部分的部件20與顯示面板10中的開口10H橫向對齊(aligned))。儘管部件20在第2A圖中佈置於基板100下方，但實施例不限於此。根據另一實施例，如第2B圖所示，部件20可佈 置於開口10H內，使得至少一部分的部件20在顯示面板10的橫向方向上重疊於面向開口10H的顯示面板10的側表面(例如，在一個或多個實施例中，至少一部分的部件在顯示面板10中可延伸至開口10H中)。
部件20可包含電子元件。例如，部件20可為使用光或聲音的電子元件。例如，電子元件可包含發射及/或接收和使用光的感測器，像是紅外線感測器、接收光且獲取影像的相機、輸出並感測光或聲音以測量距離或辨別指紋或其類似物的感測器、可輸出光的小燈、或輸出聲音的揚聲器。使用光的電子元件可使用在各種波長帶的光，諸如可見光、紅外線光和紫外線光。根據另一實施例，開口區域OA可被理解為能夠傳輸光及/或聲音的傳輸區域，光及/或聲音從部件20輸出至外部或從外部朝向部件20行進。
根據一實施例，當顯示面板10用作智慧型手錶或汽車的儀表板時，部件20可為包含表示預定資訊(例如，車輛的速度等)的鐘針或指針或其類似物的構件。如第2A或2B圖所示，部件20可為佈置於對應於顯示面板10的開口10H的位置處的部件。如上所述，部件20可包含與顯示面板10的功能有關的元件，或諸如增加顯示面板10審美感的元件。
在第2A和2B圖中，基板100、顯示元件層200和薄膜封裝層300分別包含對應於開口區域OA的第一至第三開口100H、200H和300H。然而，如第2C圖所示，基板100可不包含第一開口100H。
參照第2C圖，儘管基板100不包含第一開口100H，顯示元件層200和薄膜封裝層300可分別包含第二開口200H和第三開口300H。根據實施例，第2C圖所示之顯示面板10的開口區域OA中的光透射率(transmittance)可為約50%或更高、70%或更高、75%或更高、80%或更高、85%或更高、或90%或更高。
部件20佈置於開口區域OA中。如第2C圖的實線所示，部件20可佈置於顯示面板10下方，使得部件20不重疊於面向開口10H的顯示面板10的側表面，或如第2C圖的虛線所示，至少一部分的部件20可佈置於第二開口200H和第三開口300H內，使得在顯示元件層200和薄膜封裝層300的橫向方向上，部件20重疊於面向開口10H的顯示面板10的側表面。
參照第2D圖，基板100和薄膜封裝層300可分別不包含第一開口100H和第三開口300H，但顯示元件層200可包含第二開口200H。另外，在第2D圖的實施例中，薄膜封裝層300可包含凹陷部(recessed portion)，凹陷部沿面向開口10H的顯示元件層200的側表面和面向開口10H的基板100的上表面延伸。在第2D圖中，部件20佈置於開口區域OA中，使得部件20不重疊於面向開口10H的顯示面板10的側表面。然而，部件20可佈置於第2C圖的虛線所表示的位置。
第3圖係為根據實施例的顯示面板10的示意性平面圖，且第4圖係為顯示面板10的複數個畫素之一的電路圖。
參照第3圖，顯示面板10包含佈置於顯示區域DA中的複數個畫素P。各畫素P可包含OLED。各畫素P可經由OLED發射，例如紅光、綠光、藍光或白光。
參照第4圖，畫素P包含畫素電路PC和連接至畫素電路PC的OLED。畫素電路PC可包含第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2和儲存電容器Cst。
作為開關薄膜電晶體的第二薄膜電晶體T2連接至掃描線SL和資料線DL，且根據經由掃描線SL接收的開關電壓，經由資料線DL接收的資料電壓傳輸至第一薄膜電晶體T1。儲存電容器Cst連接至第二薄膜電晶體T2和驅動電壓 線PL，且儲存對應於從第二薄膜電晶體T2接收的電壓和提供至驅動電壓線PL的第一電源電壓ELVDD之間的差值的電壓。
根據儲存於儲存電容器Cst中的電壓值，係為驅動薄膜電晶體的第一薄膜電晶體T1連接至驅動電壓線PL和儲存電容器Cst，且可控制從驅動電壓線PL流向OLED的驅動電流。OLED可藉由驅動電流發射具有一定亮度的光。OLED的相對電極(例如，陰極)可接收第二電源電壓ELVSS。
儘管在第4圖中係表示畫素電路PC包含兩個薄膜電晶體和一個儲存電容器的情況，但實施例不限於此。薄膜電晶體的數量和儲存電容器的數量可根據畫素電路PC的設計而變化。
再參照第3圖，第一非顯示區域NDA1可環繞開口區域OA。第一非顯示區域NDA1係為未佈置發光的顯示元件的區域。連接至佈置於開口區域OA周圍的畫素P的導線(wires)，例如訊號線，可跨越(across)第一非顯示區域NDA1延伸，或可在第一非顯示區域NDA1中佈置下述的凹槽。在第二非顯示區域NDA2中，可佈置向各畫素P提供掃描訊號的掃描驅動器1100、向各畫素P提供資料訊號的資料驅動器1200，以及用於提供第一和第二電源電壓的主電源線(未圖示)。
第3圖可理解為顯示面板10的基板100的圖。例如，基板100可理解為包含開口區域OA、顯示區域DA以及第一和第二非顯示區域NDA1和NDA2。
第5圖係根據實施例的顯示面板的一部分的平面圖，且係表示位於第一非顯示區域NDA1中的線。
參照第5圖，畫素P可佈置於開口區域OA周圍的顯示區域DA中，且第一非顯示區域NDA1可位於開口區域OA和顯示區域DA之間。
畫素P可在開口區域OA周圍彼此間隔開。畫素P可在開口區域OA周圍彼此垂直(vertically)間隔開，或可在開口區域OA周圍彼此水平(horizontally)間隔開。
相鄰於開口區域OA的訊號線SL，從向畫素P提供訊號的訊號線SL之中(among)，可於開口區域OA附近繞行(detour around)。橫穿(traverse)顯示區域DA的部分資料線DL可在y方向上延伸，以向環繞開口區域OA垂直佈置的畫素P提供資料訊號，且可沿開口區域OA的邊緣(例如，圓弧)在第一非顯示區域NDA1中繞行。橫穿顯示區域DA的部分掃描線SL可在x方向上延伸，以向環繞開口區域OA水平佈置的畫素P提供掃描訊號，且可沿開口區域OA的邊緣(例如，圓弧)在第一非顯示區域NDA1中繞行。
第6圖係為根據實施例的顯示面板的一部分的平面圖，且係表示位於第一非顯示區域NDA1中的凹槽。
凹槽位於開口區域OA和顯示區域DA之間。第6圖的實施例係表示位於開口區域OA與顯示區域DA之間的第一凹槽G1和第二凹槽G2。然而，根據另一實施例，於開口區域OA和顯示區域DA之間可僅佈置一個凹槽或三個或更多個凹槽。
各第一凹槽G1和第二凹槽G2可具有完全環繞在第一非顯示區域NDA1中的開口區域OA的圓環形狀。在第6圖中，由於開口區域OA具有圓形形狀，第一凹槽G1和第二凹槽G2係為圓環形狀(例如，在一個或多個實施例中，第一凹槽G1和第二凹槽G2的形狀對應於開口區域OA的形狀)。然而，開口區域OA可呈橢圓形或多邊形形狀，因此，各第一凹槽G1和第二凹槽G2也可具有各種類型的圓環形狀中的任何一種。相對於開口區域OA的中心點，各第一凹槽G1和第 二凹槽G2的直徑可大於開口區域OA的直徑，且第一凹槽G1和第二凹槽G2可在第一非顯示區域NDA1中以間隔(interval)(例如，間隙(gap))彼此間隔開。
第7圖係為根據實施例的顯示面板的剖面圖，且對應於沿第6圖的線段VII-VII'截取的剖面。第8圖係為第7圖的OLED的放大剖面圖。第9A圖係為第一凹槽G1的剖面圖，且第9B圖係為表示在第9A圖的第一凹槽G1上的堆疊結構的剖面圖。
參照第7圖的顯示區域DA，基板100可為包含如上所述的玻璃材料、聚合物材料及/或金屬材料的基板。
用於防止雜質滲入薄膜電晶體的半導體層的緩衝層201可佈置在基板100上。緩衝層201可包含諸如氮化矽或氧化矽的無機絕緣材料，且可為包括無機絕緣材料的單層或多層。
包含薄膜電晶體和儲存電容器Cst的畫素電路PC可佈置於緩衝層201上。薄膜電晶體可包含半導體層ACT、閘極電極GE、源極電極SE和汲極電極DE。第7圖的薄膜電晶體可對應於第4圖的驅動薄膜電晶體。根據本實施例，薄膜電晶體係為頂閘型(top gate type)，其中閘極電極GE佈置於半導體層ACT上，且閘極絕緣層203位於其間。然而，根據另一實施例，薄膜電晶體可為底閘型(bottom gate type)，其中閘極電極佈置於閘極絕緣層下方，而半導體層佈置於閘極絕緣層上方。
半導體層ACT可包含多晶矽(polysilicon)。可代替地，半導體層ACT可包含非晶矽(amorphous silicon)、氧化物半導體或有機半導體。閘極電極GE可包含低電阻金屬材料。閘極電極GE可包含包括鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)和鈦(Ti)的導電材料，且可形成為包括上述材料的多層或單層。
閘極絕緣層203可插入(interposed)於半導體層ACT和閘極電極GE之間，且可包含無機絕緣材料，諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭(tantalum oxide)或氧化鉿(hafnium oxide)。
源極電極SE和汲極電極DE可包含高導電材料。各源極電極SE和汲極電極DE可包含包括Mo、Al、Cu和Ti的導電材料，且可為包含上述材料的多層或單層。根據實施例，各源極電極SE和汲極電極DE可形成為Ti/Al/Ti的多層(三層)。
儲存電容器Cst包含下電極CE1和上電極CE2，且上電極CE2及下電極CE1之間具有第一層間絕緣層205。下電極CE1和上電極CE2彼此重疊。儲存電容器Cst可由第二層間絕緣層207覆蓋。
儲存電容器Cst可重疊於薄膜電晶體。第7圖係表示薄膜電晶體的閘極電極GE是儲存電容器Cst的下電極CE1的情況，但本揭露不限於此。根據另一實施例，儲存電容器Cst可不重疊於薄膜電晶體。
第一和第二層間絕緣層205和207可包含無機絕緣材料，諸如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭或氧化鉿，且各可為多層或單層。
包含薄膜電晶體和儲存電容器Cst的畫素電路PC可由平坦化絕緣層209覆蓋。平坦化絕緣層209可以是包含市售之聚合物的有機絕緣層，諸如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)或聚苯乙烯(polystyrene，PS)、具有酚類基團(phenol-based group)的聚合物衍生物(polymer derivative)、丙烯酸類聚合物(acryl-based polymer)、醯亞胺類聚合物(imide-based polymer)、丙烯酸醚類聚合物(acryl ether-based polymer)、醯胺類聚合物(amide-based polymer)、氟類 聚合物(fluorine-based polymer)、對二甲苯類聚合物(p-xylene-based polymer)、乙烯醇類聚合物(vinyl alcohol-based polymer)及其的混合物(blend)、或其類似物。根據實施例，平坦化絕緣層209可包含聚醯亞胺。
OLED可以佈置於平坦化絕緣層209上。OLED的畫素電極221可佈置於平坦化絕緣層209上，且可經由平坦化絕緣層209的接觸孔連接至畫素電路PC。
畫素電極221可包含導電氧化物，諸如氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)、氧化鋅(zinc oxide，ZnO)、氧化銦(indium oxide，In2O3)、氧化銦鎵(indium gallium oxide，IGO)或氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide，AZO)。根據另一實施例，畫素電極221可包含反射層，反射層包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)，或這些材料的化合物(compound)。根據另一實施例，畫素電極221可更包含在反射層上方/下方由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的薄膜。
畫素界定層211包含畫素電極221的上表面經由其被暴露的開口，且開口覆蓋畫素電極221的邊緣。畫素界定層211可包含有機絕緣材料。畫素界定層211可包含在上述平坦化絕緣層209中的如上描述之有機絕緣材料。畫素界定層211可包含有機絕緣材料及/或無機絕緣材料。根據實施例，畫素界定層211可包含聚醯亞胺。
OLED的中間層222包含發射層222b。發射層222b可包含發射特定顏色的光的低分子量或高分子量有機材料。根據實施例，如第8圖所示，中間層222可更包含佈置於發射層222b下方的第一功能層222a，及/或佈置在發射層222b上方的第二功能層222c。
第一功能層222a可為單層或多層。例如，當第一功能層222a由高分子量材料形成時，第一功能層222a係具有單層結構的電洞傳輸層(hole transport layer，HTL)，且可由聚-(3,4)-乙烯-二羥基噻吩(poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene，PEDOT)或聚苯胺(polyaniline，PANI)形成。另一方面，當第一功能層222a由低分子量材料形成時，第一功能層222a可包含電洞注入層(hole injection layer，HIL)和電洞傳輸層。
第二功能層222c可為可選的(optional)。例如，當第一功能層222a和發射層222b由高分子量材料形成時，可形成第二功能層222c以改善OLED的特性。第二功能層222c可為單層或多層。第二功能層222c可包含電子傳輸層(electron transport layer，ETL)及/或電子注入層(electron injection layer，EIL)。
構成中間層222的複數個層中的部分，例如第一和第二功能層222a和222c，不僅可佈置於顯示區域DA中，且可佈置於第一非顯示區域NDA1中，且在第一非顯示區域NDA1中，可藉由下述的第一凹槽G1和第二凹槽G2斷接(disconnected)。
OLED的相對電極223可佈置以面向畫素電極221，且在其之間具有中間層222。相對電極223可由低功函數(work function)的導電材料形成。例如，相對電極223可包含(半)(semi)透明(transparent)層，(半)透明層包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)或這些材料的合金。可代替地，相對電極223可在包含任何上述材料的(半)透明層上，進一步包含諸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的層。
OLED由薄膜封裝層300覆蓋。薄膜封裝層300可包含至少一有機封裝層和至少一無機封裝層。儘管在第7圖中，薄膜封裝層300包含第一無機封 裝層310和第二無機封裝層330、以及在其之間的有機封裝層320，第一和第二無機封裝層310和330和有機封裝層320的堆疊順序、以及無機封裝層和有機封裝層的數量可有所變更。
第一無機封裝層310和第二無機封裝層330可包含氧化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鉿、氧化鋅、氧化矽、氮化矽和氮氧化矽中的至少一種的無機絕緣材料，且可經由化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或其類似物形成。有機封裝層320可包含聚合物類材料。聚合物類材料的實例可包含丙烯酸樹脂(acrylic resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、聚醯亞胺(polyimide)和聚乙烯(polyethylene)。
參照第7圖的第一非顯示區域NDA1，第一非顯示區域NDA1可包含遠離(distal to)開口區域OA的第一子非顯示區域SNDA1，以及鄰近於(proximate to)開口區域OA的第二子非顯示區域SNDA2(例如，第二子非顯示區域SNDA2比第一子非顯示區域SNDA1更接近開口區域OA)。
第一子非顯示區域SNDA1是由導線橫穿的區域，例如，如上參照第5圖所述之訊號線。第7圖係表示位於第一子非顯示區域SNDA1中的資料線DL。第7圖的資料線DL對應於繞行參照第5圖所述之開口區域OA的資料線DL。資料線DL可交替佈置，且其之間具有絕緣層(例如，第二層間絕緣層)。在此情況下，可減少相鄰資料線DL之間的間隙(間距(pitch))，且可減少第一非顯示區域NDA1的寬度。根據另一實施例，資料線DL可全部佈置於同一層上，例如，在第二層間絕緣層207上。
儘管第7圖係表示位於第一子非顯示區域SNDA1中的資料線DL，繞行參照第5圖所述之開口區域OA的掃描線也可位於第一子非顯示區域SNDA1中。
第二子非顯示區域SNDA2可為其中佈置有第一凹槽G1和第二凹槽G2的區域。第一凹槽G1和第二凹槽G2形成於多層ML中，多層係佈置於基板100上。多層ML包含下絕緣層250和佈置於下絕緣層250上的至少一絕緣層AIL。下絕緣層250可插入於基板100與畫素電路PC之間，例如，介於基板100與薄膜電晶體之間。第7圖的實施係表示直接佈置於基板100上的下絕緣層250。至少一絕緣層AIL可包含無機絕緣層。在第7圖所示之實施例中，至少一絕緣層AIL包含緩衝層201、閘極絕緣層203、第一層間絕緣層205和第二層間絕緣層207。至少一絕緣層AIL可指從緩衝層201、閘極絕緣層203、第一層間絕緣層205和第二層間絕緣層207中選擇的一個或多個絕緣層。
第一凹槽G1和第二凹槽G2可於多層ML的厚度方向上具有一定深度，且各第一凹槽G1和第二凹槽G2可具有底切結構(undercut structure)，在其中穿過下絕緣層250的各第一凹槽G1和第二凹槽G2的一部分的寬度係大於穿過至少一絕緣層AIL的各第一凹槽G1和第二凹槽G2的一部分的寬度。如同至少一絕緣層AIL係為無機絕緣層且下絕緣層250係為有機絕緣層，至少一絕緣層AIL和下絕緣層250可包含彼此不同的材料。下絕緣層250可包含，例如，聚醯亞胺。
參照第9A圖，在厚度方向上穿透下絕緣層250的第一凹槽G1的一部分的第一寬度W1係大於穿過至少一絕緣層AIL的第一凹槽G1的一部分的第二寬度W2。至少一絕緣層AIL的側表面可比下絕緣層250的側表面250IE更朝向第一凹槽G1的中心突出，且至少一絕緣層AIL的突出部分可形成尖端(或簷 (eave))(例如，至少一絕緣層AIL的下表面可懸在(overhang)下絕緣層250中的第一凹槽G1的一部分上)。第9A圖係表示一對尖端(或簷)。尖端可於x方向上比下絕緣層250的側表面250IE更遠地突出約0.9μm至約1.2μm。
第一凹槽G1可藉由蝕刻至少一絕緣層AIL和下絕緣層250來形成。在蝕刻製程期間中，用於除去至少一絕緣層AIL的一部分的蝕刻劑或蝕刻氣體，可包含與在蝕刻製程期間中，用於除去下絕緣層250的一部分的蝕刻劑或蝕刻氣體不同的材料。
經由蝕刻，可在下絕緣層250中形成第一通孔250h，且可在至少一絕緣層AIL中形成第二通孔AIL-h。第一通孔250h和第二通孔AIL-h可彼此連接(例如，彼此連通(communication))，以形成第一凹槽G1。第一通孔250h的第一寬度W1係大於第二通孔AIL-h的第二寬度W2，且第一凹槽G1可具有底切結構，在其中下寬度係大於上寬度。第9A圖係表示界定第二通孔AIL-h的至少一絕緣層AIL的側表面AIL-IE，在橫向方向(x方向)上朝向第一凹槽G1的中心突出第一距離d1，比界定第一通孔250h的下絕緣層250的側表面250IE更遠。在所示的實施例中，穿過下絕緣層250的第一凹槽G1的第一通孔250h，可從面向至少一絕緣層AIL的下絕緣層250的上表面處的相對較寬端部，至面向基板100的下絕緣層250的下表面的相對較窄端部變窄(taper)(例如，側表面250IE可從相對較寬的上端至相對較窄的下端變窄)。另外，第一寬度W1可係指下絕緣層250的上表面處的第一通孔250h的相對較寬的上端的寬度。
第一距離d1可小於下絕緣層250的厚度t，可等於下絕緣層250的厚度t，或可大於下絕緣層250的厚度t。第一距離d1可大於第一無機封裝層310的厚度，或可大於第一無機封裝層310和第二無機封裝層330的各個厚度總和。根據 實施例，第一距離d1可等於或大於約1μm。換句話說，尖端可比下絕緣層250的側表面250IE更朝向第一凹槽G1的中心突出第一距離d1。
如第9A圖所示，第一凹槽G1形成於多層ML中之後，中間層222和相對電極223可經由熱沉積或其類似方法形成。構成中間層222的複數個層中的一些，例如第一及/或第二功能層222a及/或222c，以及相對電極223，可經由沉積形成於基板100上。此時，第一及/或第二功能層222a及/或222c、以及相對電極223中的每一個可藉由位於第一非顯示區域NDA1中的第一凹槽G1和第二凹槽G2斷接。第9B圖係表示中間層222的第一及/或第二功能層222a及/或222c、以及相對電極223中的每一個藉由第一凹槽G1斷接。
儘管上述已藉由著重於第一凹槽G1描述了第9A和9B圖，第二凹槽G2具有與第一凹槽G1相同的結構，且如上所述，第一功能層222a及/或第二功能層222c和相對電極223中的每一個可藉由第二凹槽G2斷接。
再次參照第7圖，薄膜封裝層300亦可覆蓋第一非顯示區域NDA1。由於經由CVD或其類似方法形成的第一無機封裝層310與中間層222和相對電極223相比，具有相對較高的段差覆蓋性(step coverage)，第一無機封裝層310可覆蓋第一凹槽G1和第二凹槽G2的整個各個內表面。如第9B圖所示，第一無機封裝層310可覆蓋下絕緣層250的側表面250IE和底表面以及至少一絕緣層AIL的側表面AIL-IE和底表面。這些表面界定第一凹槽G1。下絕緣層250的底表面可對應於基板100的上表面，且至少一絕緣層AIL的底表面可對應於緩衝層201的下表面。
第一無機封裝層310可覆蓋經斷接的第一功能層222a和第二功能層222c以及位於第一凹槽G1和第二凹槽G2內的經斷接的相對電極223，且可直接 接觸經由第一凹槽G1暴露的基板100的上表面的一部分。第一無機封裝層310的厚度，例如，在垂直於基板100的方向(z方向)上的其之厚度，可小於下絕緣層250的厚度t。第一凹槽G1的一部分可至少部分地由第一無機封裝層310上的有機封裝層320填充。
如第7圖所示，有機封裝層320不僅可覆蓋顯示區域DA，且可覆蓋第一非顯示區域NDA1的一部分。例如，有機封裝層320的端部320E可位於第一凹槽G1和第二凹槽G2之間。有機封裝層320可在基板100上藉由塗覆單體或其類似物來形成，然後硬化經塗覆的單體。當有機封裝層320經由開口10H暴露時，濕氣可經由有機封裝層320滲入。為了解決此問題，有機封裝層320的一部分，例如，對應於開口區域OA與第一凹槽G1之間的區域HA的其之一部分，可經由灰化(ashing)製程或其類似製程除去。因此，在垂直於基板100的上表面的方向上觀察時，不包含有機封裝層320的區域HA可為環繞開口區域OA的環形，且有機封裝層320的端部320E可位於第一凹槽G1和第二凹槽G2之間。
由於有機封裝層320的端部320E位於比第一無機封裝層310和第二無機封裝層330的各個端部更靠近顯示區域DA的位置，第一無機封裝層310和第二無機封裝層330可於區域HA中彼此直接接觸。第一無機封裝層310和第二無機封裝層330可於第二凹槽G2中彼此直接接觸且於顯示面板10的開口10H周圍。
指向顯示面板10的開口10H的基板100的端部100E可比指向開口10H的下絕緣層250的端部250E更朝向開口10H突出。儘管第7圖係表示一剖面，然而在第6和7圖之兩圖中沿垂直於基板100的上表面方向觀察時，相似於包含對應於開口區域OA的第一開口100H的基板100，下絕緣層250可包含對應於開口區 域OA的開口250H，且下絕緣層250的開口250H可具有比基板100的第一開口100H更大的直徑。
基板100的第一開口100H可經由雷射切割、鑽孔(drilling)等形成。當對係為無機絕緣層的至少一絕緣層AIL施加衝擊力時，在形成第一開口100H的過程期間中，會產生裂紋，且諸如外部濕氣的異物可經由至少一絕緣層AIL的裂縫滲入。然而，當在形成第一凹槽G1和第二凹槽G2的蝕刻製程期間中，除去對應於開口區域OA的多層ML的一部分，接著進行上述之雷射切割或鑽孔，以在基板100內形成第一開口100H時，可防止在無機絕緣層中形成裂紋。第二距離d2可理解為足以防止無機絕緣層在雷射切割或鑽孔期間中產生裂紋的餘量(margin)。第二距離d2係為基板100的端部100E與下絕緣層250的端部250E之間的距離，且可為約0.1μm或更大。
第10A圖係為根據另一實施例的第一凹槽G1的剖面圖，且第10B圖係為繪示第10A圖的第一凹槽G1上的堆疊結構的剖面圖。參照第9A和9B圖的上述第一凹槽G1，至少一絕緣層AIL的側表面AIL-IE相對平坦。另一方面，參照第10A和10B圖，在至少一絕緣層AIL中局部形成底切結構，且面向第一凹槽G1的至少一絕緣層AIL的側表面係為不平坦。
至少一絕緣層AIL可包含無機絕緣層，例如，包含矽元素的複數個無機絕緣層。在蝕刻製程期間中，根據在蝕刻製程期間中的各種條件(例如時間、蝕刻劑或蝕刻氣體的組成、及其類似物)及/或包含在緩衝層201、閘極絕緣層203、第一層間絕緣層205和第二層間絕緣層207中的各個材料或其類似物，蝕刻緩衝層201、閘極絕緣層203、第一層間絕緣層205和第二層間絕緣層207的量在會彼此有所不同。例如，當第一層間絕緣層205包含氧化矽、且緩衝層201、 閘極絕緣層203和第二層間絕緣層207包含氮化矽，即便使用相同的蝕刻氣體，如第10A圖所示，依據蝕刻條件(例如，時間及其類似條件)，緩衝層201、閘極絕緣層203、第一層間絕緣層205和第二層間絕緣層207的蝕刻量可彼此不同。緩衝層201的側表面201IE、閘極絕緣層203的側表面203IE以及第二層間絕緣層207的側表面207IE，相較於相鄰於其的第一層間絕緣層205的側表面205IE以及相鄰於其的下絕緣層250的側表面250IE，可進一步朝向第一凹槽G1的中心突出。因此，複數個底切結構可於至少一絕緣層AIL中形成，使得至少一絕緣層AIL具有面向第一凹槽G1的不平坦的側表面。第一凹槽G1的上述不平坦的側表面不僅為凹凸表面(concave and convex surface)，且係由包含在至少一絕緣層AIL中的複數個無機絕緣層具有彼此不同的材料而獲得。因此，根據無機絕緣層的厚度方向上的材料變化，上述不平坦的凹凸側表面可被理解為不平坦表面。
如參照第9B圖所述，在形成第10A圖的第一凹槽G1之後，中間層222，例如第一功能層222a和第二功能層222c，以及相對電極223經由沉積形成，且分別由第一凹槽G1斷接。如參照第9B圖所述，第一無機封裝層310和有機封裝層320依序堆疊於相對電極223上。
第11圖係根據另一實施例的顯示面板的剖面圖，且對應於沿第6圖的線段VII-VII'截取的剖面。第12A圖係為包含在第11圖的顯示面板中的第一凹槽G1的剖面圖，且第12B圖係為表示第12A圖的第一凹槽G1上的堆疊結構的剖面圖。第11至12B圖的顯示面板係實質上相同於第7至9B圖的顯示面板，因此現在主要描述其間之差異。
參照第11圖，第一凹槽G1和第二凹槽G2可形成於多層ML中，且第一凹槽G1和第二凹槽G2的底表面可位於虛擬表面上，虛擬表面係與基板100的上表面不同。例如，不同於第7和9A圖的第一和第二凹槽G1和G2的底表面佈置於與基板100的上表面相同的虛擬表面上，第11和12A圖的第一凹槽G1和第二凹槽G2的底表面可位於虛擬表面上，虛擬表面係在基板100的上表面之上(over)例如，上方(above))，且也在下絕緣層250的上表面之下。
參照第12A圖，第一凹槽G1可藉由蝕刻多層ML來形成。可藉由蝕刻至少一絕緣層AIL的一部分來形成穿透至少一絕緣層AIL的第二通孔AIL-h，可藉由蝕刻下絕緣層250的一部分來形成不完全穿透下絕緣層250的第一切口250r(例如，第一切口250r可僅延伸穿透下絕緣層250的一部分)，且第一切口250r和第二通孔AIL-h可一起形成第一凹槽G1。
第一切口250r的深度h可小於下絕緣層250的厚度t。第一切口250r的深度h可等於或大於下絕緣層250的厚度t的50%、60%、70%、80%、90%、95%或97%，但小於下絕緣層250的厚度t。第一切口250r和第二通孔AIL-h可彼此連接以形成第一凹槽G1，且第一凹槽G1的底表面可在虛擬表面上，虛擬表面則位於基板100的上表面和下絕緣層250的上表面之間。
由於下絕緣層250係為有機絕緣層，當下絕緣層250保持在第一凹槽G1下方時，外部濕氣有機會經由剩餘的下絕緣層250進入，且經過無機絕緣層的裂縫流入第11圖的OLED中。然而，當基板100係為如實施例中的剛性基板時，堆疊在基板100上的無機絕緣層中產生裂紋的可能性非常小或甚至不會發生，因此，上述問題可被最小化。
當中間層222，例如第一及/或第二功能層222a及/或222c、以及相對電極223形成於第12A圖的第一凹槽G1上時，如第12B圖所示，第一功能層222a及/或第二功能層222c、及相對電極223分別藉由第一凹槽G1斷接。
在其中第一切口250r而非第一通孔於下絕緣層250中形成之第11至12B圖的結構，同樣適用於參照第10A和10B圖所述之第一凹槽G1的結構，以及從其衍生的結構。
第13圖係為根據另一實施例之顯示面板的剖面圖。
除了在第一凹槽G1和第二凹槽G2之間進一步包含分隔壁400之外，第13圖的顯示面板具有與第7圖的顯示面板實質上相同的結構。
分隔壁400可包含有機絕緣材料，且當在垂直於基板100的上表面的方向上觀察時，可具有環繞開口區域OA的環形形狀，例如開口10H。分隔壁400可包含第一子分隔壁層410，其包含與平坦化絕緣層209中包含的材料相同的材料、以及第二子分隔壁層420，其包含與畫素界定層211中包含的材料相同的材料。在形成有機封裝層320的製程期間中，分隔壁400可控制單體的流動。
第13圖的分隔壁400可被包含於具有參照第10A和10B圖所述的第一凹槽G1和第二凹槽G2的顯示面板內、具有參照第11至12B圖所述的第一凹槽G1和第二凹槽G2的顯示面板內，或從這些顯示面板衍生的各種顯示面板內。
第14圖係根據另一實施例的顯示面板的剖面圖，且對應於沿第6圖的線段VII-VII'截取的剖面。第15A圖係為第14圖的顯示面板的第一凹槽G1的剖面圖，且第15B圖係為繪示第15A圖所示的第一凹槽G1上的堆疊結構的剖面圖。除了下絕緣層250'以及基於下絕緣層250'的第一凹槽G1和第二凹槽G2的結構 之外，第14圖的顯示面板與參照第7圖及其類似圖式所述的顯示面板實質上相同，且因此將主要描述其間之差異。
在第14圖的顯示面板中的下絕緣層250'可包含無機絕緣層。下絕緣層250'可包含無機絕緣層，所無機絕緣層與至少一絕緣層AIL不同。例如，下絕緣層250'可包含氮化矽或碳氧化矽(SiOC)。
第一凹槽G1和第二凹槽G2中的每一個可藉由蝕刻至少一絕緣層AIL和下絕緣層250'來形成。在蝕刻至少一絕緣層AIL的製程期間中使用的蝕刻劑或蝕刻氣體，可與在蝕刻下絕緣層250'的製程期間中使用的蝕刻劑或蝕刻氣體相同或不同。
根據實施例，如第15A圖所示，當下絕緣層250'包含氮化矽或碳氧化矽(SiOC)，緩衝層201、閘極絕緣層203和下(lower)第二層間絕緣層207a包含氧化矽，且第一層間絕緣層205和上(upper)第二層間絕緣層207b包含氮化矽時，這些層的蝕刻量可彼此不同。
直接在下絕緣層250'上的緩衝層201和閘極絕緣層203的側表面201IE和203IE，相較於下絕緣層250'的側表面250'IE，可進一步朝向第一凹槽G1的中心突出，進而形成底切結構。下第二層間絕緣層207a的側表面207aIE，相較於第一層間絕緣層205的側表面205IE，可進一步朝向第一凹槽G1的中心突出，進而具有底切結構。
第15A圖係表示第二層間絕緣層207係為具有不同材料的多層的情況，因此下和上第二層間絕緣層207a和207b的側表面207aIE和207bIE形成段差，但實施例不限於此。根據另一實施例，各緩衝層201、閘極絕緣層203和第 一層間絕緣層205可具有多層結構，所述多層結構具有不同材料。在此情況下，至少一絕緣層AIL可局部具有各種形狀的底切結構。
如參照第9A圖所述，係為無機絕緣層的下絕緣層250'的側表面250'IE，相較於係為有機絕緣層的下絕緣層250的側表面250IE的傾斜角α，可具有較大的傾斜角β。例如，下絕緣層250'的側表面250'IE的傾斜角β可為80°或更大、或85°或更大。
在第15A圖的第一凹槽G1形成之後，中間層222，例如第一和第二功能層222a和222c、以及相對電極223可經由沉積形成，且可分別藉由第一凹槽G1斷接。其後，如參照第7、9B圖及其類似圖式所述，第一無機封裝層310和有機封裝層320依序堆疊於相對電極223上。
第16圖係根據另一實施例的顯示面板的剖面圖，且對應於沿第6圖的線段VII-VII'截取的剖面。第16圖的顯示面板與第14圖的顯示面板實質上相同，因此將描述其間之主要差異。
參照第16圖，第一凹槽G1和第二凹槽G2可形成於多層ML中，且第一凹槽G1和第二凹槽G2的底表面可在虛擬表面上，所述虛擬表面係與基板100的上表面不同。第14圖的第一凹槽G1和第二凹槽G2的底表面佈置於與基板100的上表面相同的虛擬表面上，而第16圖的第一凹槽G1和第二凹槽G2的底表面可位於虛擬表面上，所述虛擬表面係在基板100的上表面之上(例如上方)，且也在下絕緣層250'的上表面之下。
在下絕緣層250'中的第一凹槽G1和第二凹槽G2的部分，藉由部分蝕刻下絕緣層250'而形成，且因此如參照第12A圖所述，可在下絕緣層250'中形成切口。切口的深度h可小於下絕緣層250'的厚度t。例如，下絕緣層250'的切口 的深度h可等於或大於下絕緣層250的厚度t的50%、60%、70%、80%、90%、95%或97%，但小於下絕緣層250的厚度t。
第17圖係根據另一實施例之顯示面板的示意性剖面圖。第17圖的顯示面板與第14圖的顯示面板實質上相同，且因此將主要描述其間之差異。
參照第17圖，分隔壁400可位於第一凹槽G1與第二凹槽G2之間。分隔壁400包含第一和第二子分隔壁層410和420，且其材料已於參照第13圖中描述。由於分隔壁400能在有機封裝層320的形成期間中控制單體(monomer)的流動，單體硬化時所形成之有機封裝層320的端部可佈置成與分隔壁400的一個側表面相鄰。有機封裝層320的端部不會在朝向開口10H的分隔壁400上延伸。第17圖的分隔壁400也可被包含在第16圖的顯示面板中。
第18圖係根據另一實施例的顯示面板10'的平面圖，且第19圖係為第18圖的開口區域OA周圍的平面圖。相同於第3圖至6圖的顯示面板10之第18圖的顯示面板10'的部件和結構的描述將不再重複，且將著重描述兩個顯示面板之間的差異。
參照第18和19圖，顯示面板10'的開口區域OA可由顯示區域DA部分地環繞。畫素P可於開口區域OA的左側和右側上彼此間隔開。將掃描訊號傳送至開口區域OA的左側上的畫素P和開口區域OA的右側上的畫素P的掃描線SL，可繞行在第一非顯示區域NDA1中的開口區域OA。
開口區域OA可至少部分地由第一凹槽G1與第二凹槽G2環繞。根據實施例，第19圖係表示第一凹槽G1環繞開口區域OA的一部分(例如，第一凹槽G1部分地環繞開口區域OA)，且第二凹槽G2完全環繞整個開口區域OA。當第一凹槽G1環繞開口區域OA的一部分時，第一凹槽G1的兩端可連接至位於第二非 顯示區域NDA2中的第三凹槽G3。當第二凹槽G2完全環繞整個開口區域OA時，第二凹槽G2可連接至位於第二非顯示區域NDA2中的第四凹槽G4。第三凹槽G3和第四凹槽G4可沿基板100的邊緣延伸。另外，第三凹槽G3和第四凹槽G4可彼此平行。
第20圖係為沿第19圖的線段XX-XX'截取的剖面圖。
參照第20圖，位於第一子非顯示區域SNDA1中的掃描線SL係對應於繞行參照第19圖所述之開口區域OA的掃描線SL。在第20圖中，掃描線SL可交替佈置，且於其間具有絕緣層(例如，第一層間絕緣層205)。在此情況下，掃描線SL之間的間距可被減少。根據另一實施例，掃描線SL可佈置於相同的絕緣層上。
第二子非顯示區域SNDA2包含第一凹槽G1和第二凹槽G2。儘管第20圖係表示第一凹槽G1和第二凹槽G2的結構以及環繞第一凹槽G1和第二凹槽G2的部件係與參照第7圖所述的相同，第二子非顯示區域SNDA2可具有參照第10A至17圖所述的實施例的結構，以及從其衍生的結構。
儘管未於第20圖中表示，第三凹槽G3和第四凹槽G4可具有與第一凹槽G1和第二凹槽G2實質上地相同的剖面結構。例如，各第三凹槽G3和第四凹槽G4可被形成，以穿透至少一絕緣層AIL和下絕緣層250，進而具有底切結構。
第21圖係根據另一實施例的顯示面板10"的平面圖，且第22圖係為第21圖的開口區域OA周圍的平面圖。相同於第3圖至6圖的顯示面板10之第21圖的顯示面板10'的部件和結構的描述，將不再重複，且將著重討論其間的差異。
參照第21圖和第22圖，顯示面板10'的開口區域OA可由顯示區域DA部分環繞。畫素P可在開口區域OA的上側和下側上彼此間隔開。將資料訊號 傳送至開口區域OA上側上的畫素P和開口區域OA下側上的畫素P的資料線DL，可繞行在第一非顯示區域NDA1中的開口區域OA。
開口區域OA可至少部分地由第一凹槽G1與第二凹槽G2環繞。根據第22圖所示之實施例，第一凹槽G1環繞開口區域OA的一部分(例如，第一凹槽G1部分地環繞開口區域OA)，且第二凹槽G2完全環繞整個開口區域OA。當第一凹槽G1環繞開口區域OA的一部分時，第一凹槽G1的兩端可連接至位於第二非顯示區域NDA2中的第三凹槽G3。當第二凹槽G2環繞整個開口區域OA時，第二凹槽G2可連接至位於第二非顯示區域NDA2中的第四凹槽G4。第三凹槽G3和第四凹槽G4可沿基板100的邊緣延伸。另外，第三凹槽G3和第四凹槽G4可彼此平行。
第23圖係沿第22圖的線段XXIII-XXIII'截取的剖面圖。
參照第23圖，位於第一子非顯示區域SNDA1中的資料線DL係對應於繞行參照第22圖所述之開口區域OA的資料線。第二子非顯示區域SNDA2包含第一凹槽G1和第二凹槽G2。儘管第22圖的第二子非顯示區域SNDA2的結構與參照第7圖所述的結構相同，但實施例不限於此。根據另一實施例，第二子非顯示區域SNDA2可具有參照第圖10A至17圖所述的實施例的結構，以及從其衍生的結構。
儘管未於第23圖中表示，但第三凹槽G3和第四凹槽G4可具有與第一凹槽G1和第二凹槽G2實質上相同的剖面結構。例如，各第三凹槽G3和第四凹槽G4可被形成，以穿透至少一絕緣層AIL和下絕緣層250，進而具有底切結構。
根據實施例，多層係在基板上，且凹槽可在包含至少一絕緣層和下絕緣層的多層中形成。無論基板的材料如何，凹槽可被形成，且可有效地阻 擋和防止水氣在橫向方向滲透。在一個或多個實施例中，在包含基板的顯示面板中，所述基板包含玻璃、聚合物或金屬，由於具有底切結構的凹槽可在不除去基板的情況下形成，用於形成基板的材料可不受限制。然而，上述效果為例示性。
應當理解，本文所述之實施例僅應在描述性意義上考慮，而不應出於限制的目的。各實施例中之特徵或態樣之描述一般應視為可用於在其它實施例中的其它相似特徵或態樣。
在一個或多個實施例已參照所附圖式進行描述的同時，對於本領域通常知識者所能理解的是，在不脫離由下述申請專利範圍界定的精神和範圍的情況下，可在形式和細節上進行各種變更。
100:基板
100E,250E:端部
100H:第一開口
10H:開口
201:緩衝層
203:閘極絕緣層
205:第一層間絕緣層
207:第二層間絕緣層
209:平坦化絕緣層
211:畫素界定層
221:畫素電極
222:中間層
223:相對電極
250:下絕緣層
250H:開口
300:薄膜封裝層
310:第一無機封裝層
320:有機封裝層
320E:端部
330:第二無機封裝層
ACT:半導體層
AIL:絕緣層
CE1:下電極
CE2:上電極
Cst:儲存電容器
d2:第二距離
DA:顯示區域
DE:汲極電極
DL:資料線
G1:第一凹槽
G2:第二凹槽
GE:閘極電極
HA:區域
ML:多層
NDA1:第一非顯示區域
OA:開口區域
PC:畫素電路
SE:源極電極
SNDA1:第一子非顯示區域
SNDA2:第二子非顯示區域
TFT:薄膜電晶體

Claims (30)

  1. 一種顯示面板，其包含：一玻璃基板，包含一開口區域以及至少部分地環繞該開口區域的一顯示區域；一薄膜電晶體，於該顯示區域上且包含一半導體層和一閘極電極；一顯示元件，電性連接至該薄膜電晶體；多層，包含至少一絕緣層和一下絕緣層，其中該至少一絕緣層介於該玻璃基板與該顯示元件之間，且該下絕緣層介於該玻璃基板與該至少一絕緣層之間；以及一薄膜封裝層，其覆蓋該顯示元件且包含至少一無機封裝層和至少一有機封裝層；其中該多層包含一第一凹槽，該第一凹槽介於該開口區域和該顯示區域之間，且其中在該下絕緣層中的該第一凹槽的一部分的一第一寬度係大於在該至少一絕緣層中的該第一凹槽的一部分的一第二寬度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該第一凹槽的底表面於介於該下絕緣層的一上表面和該玻璃基板的一上表面之間的一虛擬表面上，或於與該玻璃基板的該上表面相同的一虛擬表面上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該至少一絕緣層包含對應於該第一凹槽的一第一通孔；且該下絕緣層包含對應於該第一凹槽的一第二通孔或一切口(recess)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示面板，其中面向該第一凹槽的一中心的該至少一絕緣層的側表面，相較於面向該第一凹槽的該中心的該下絕緣層的側表面，較鄰近於該第一凹槽的該中心。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該下絕緣層與該玻璃基板的一上表面直接接觸。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該至少一無機封裝層覆蓋該第一凹槽的內表面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該至少一無機封裝層的一部分與在該第一凹槽內的該玻璃基板的一部分直接接觸。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該玻璃基板包含對應於該開口區域的一第一開口。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示面板，其中界定該第一開口的該玻璃基板的端部，相較於面向該開口區域的該下絕緣層的端部，較鄰近於該開口區域的中心。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該多層更包含介於該第一凹槽與該開口區域之間的一第二凹槽。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其中該至少一有機封裝層的端部介於該第一凹槽與該第二凹槽之間。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板，其更包含一分隔壁，該分隔壁位於該多層上且位於該第一凹槽與該第二凹槽之間。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該下絕緣層包含一有機絕緣層，且該至少一絕緣層包含一無機絕緣層。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，其中該下絕緣層包含氮化矽(silicon nitride)和碳氧化矽(silicon oxycarbide)中的至少一個，且該至少一絕緣層包含一無機絕緣層，該無機絕緣層包含與該下絕緣層不同的材料。
  15. 一種顯示裝置，其包含：一基板，包含一開口；一薄膜電晶體，於該基板的一顯示區域上，該顯示區域至少部分地環繞該開口，且該薄膜電晶體包含一半導體層和一閘極；一顯示元件，電性連接至該薄膜電晶體；多層，包含一下絕緣層和至少一絕緣層，其中該下絕緣層位於該基板上，且該至少一絕緣層位於該下絕緣層上並包含與該下絕緣層不同的材料；以及一封裝層，配置(configured)以覆蓋該顯示元件；其中該多層包含在該多層的厚度方向上凹入(concave)的一第一凹槽，且在該下絕緣層中的該第一凹槽的一部分的寬度係大於在該至少一絕緣層中的該第一凹槽的一部分的寬度。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中該基板包含玻璃材料、聚合物材料或金屬材料。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中該第一凹槽 的底表面於介於該下絕緣層的一上表面和該基板的一上表面之間的一虛擬表面上，或於與該基板的該上表面相同的一虛擬表面上。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中該至少一絕緣層包含對應於該第一凹槽的一第一通孔；且該下絕緣層包含對應於該第一凹槽的一第二通孔或一切口。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中該至少一絕緣層包含一無機絕緣層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之顯示裝置，其中該下絕緣層包含一有機絕緣層，或包含與該至少一絕緣層不同的一無機絕緣層。
  21. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中指向(directed toward)該第一凹槽的中心的該至少一絕緣層的側表面係較指向該第一凹槽的中心的該下絕緣層的側表面更突出(protrudes farther)。
  22. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中指向該開口的該基板的端部，相較於指向該開口的該下絕緣層的端部，係朝向(toward)該開口更突出。
  23. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中該多層更包含介於該第一凹槽與該開口之間的一第二凹槽。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之顯示裝置，其中：該封裝層包含至少一無機封裝層和至少一有機封裝層；以及該至少一無機封裝層覆蓋該第一凹槽與該第二凹槽中的每 一個的內表面。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之顯示裝置，其中該至少一有機封裝層的一部分至少部分地填充該第一凹槽。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之顯示裝置，其更包含一分隔壁，該分隔壁於該多層上且位於該第一凹槽與該第二凹槽之間。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之顯示裝置，其中該至少一無機封裝層與在該第一凹槽或該第二凹槽內的該基板的上表面直接接觸。
  28. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中：該至少一絕緣層包含一第一絕緣層和一第二絕緣層，該第二絕緣層於該第一絕緣層上，該第一絕緣層與該第二絕緣層包含不同的材料；以及該第一絕緣層和該第二絕緣層包含分別對應於該第一凹槽的複數個通孔，且該第二絕緣層的該通孔的寬度係小於該第一絕緣層的該通孔的寬度。
  29. 如申請專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中該顯示元件包含一有機發光二極體。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之顯示裝置，其中包含在該有機發光二極體的一有機層和一相對電極中的至少一個係藉由該第一凹槽斷接(disconnected)。
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