TW201804610A - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置可包含：一基板，具有一第一畫素區域；一第一電極，位於該基板上；一鈍化層，位於該基板與該第一電極之間；一第二電極，位於該第一電極上；以及一有機發射層，位於該第一電極與該第二電極之間。該第一畫素區域可包含一發射區域及被該發射區域環繞之一非發射區域。

Description

顯示裝置 【優先權聲明】

於2016年7月26日在韓國智慧財產局提出申請且名稱為「顯示裝置(Display Device)」之韓國專利申請案第10-2016-0094799號以及於2017年3月14日在韓國智慧財產局提出申請且名稱為「顯示裝置(Display Device)」之韓國專利申請案第10-2017-0031945號皆以引用方式全文併入本文中。

本發明係關於一種顯示裝置，且更具體而言係關於一種可防止一有機發射層之一發射特性發生劣化之顯示裝置。

一有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)顯示器包含二個電極及夾置於該二個電極間之一有機發射層。自一個電極注入之電子與自另一電極注入之電洞在有機發射層中組合而產生激子(exciton)。所產生激子自一激發態改變成一接地態，進而釋放能量來發射光。

有機發光二極體顯示器包含複數個畫素，該等畫素包含一有機發光二極體以作為一自發射元件，且各該畫素中形成有複數個電晶體及至少一個電容器，該等電晶體用於驅動該有機發光二極體。該等電晶體通 常包含一切換電晶體及一驅動電晶體。

以上在此先前技術章節中所揭露之資訊僅用於增強對所述技術之背景之理解，且因此，其可能含有並不形成在本國為此項技術中具有通常知識者所已知的先前技術之資訊。

一實例性實施例提供：一種顯示裝置，包含：一基板，包含一第一畫素區域；一第一電極，定位於該基板上；一鈍化層，定位於該基板與該第一電極之間；一第二電極，定位於該第一電極上；以及一有機發射層，定位於該第一電極與該第二電極之間，其中該第一畫素區域可包含一發射區域及被該發射區域環繞之一非發射區域。

自該第一畫素區域之一邊緣至該第一畫素區域之該非發射區域之一距離可等於或小於約50微米(μm)。

該第一電極及該有機發射層可定位於該第一畫素區域之該發射區域中。

該基板可包含一第二畫素區域及一第三畫素區域，該第二畫素區域及該第三畫素區域其中之每一者可包含一發射區域及被該發射區域環繞之一非發射區域，自該第二畫素區域之一邊緣至該第二畫素區域之該非發射區域之一距離可等於或小於約50微米，自該第三畫素區域之一邊緣至該第三畫素區域之該非發射區域之一距離可等於或小於約50微米，且該第一電極及該有機發射層可定位於該第二畫素區域之該發射區域及該第三畫素區域之該發射區域中。

該基板可更包含一透射區域，該透射區域與該第一畫素區 域、該第二畫素區域、及該第三畫素區域相鄰。

該第一電極及該有機發射層可不定位於該透射區域中。

該第二電極可定位於該第一畫素區域、該第二畫素區域、該第三畫素區域、及該透射區域中。

該顯示裝置可更包含：一緩衝層，用以定位於該基板上；以及一薄膜電晶體，定位於該緩衝層上且連接至該第一電極，其中在該透射區域中，該第二電極可接觸該緩衝層。

該顯示裝置可更包含一掩埋圖案(buried pattern)，該掩埋圖案定位於該第一畫素區域之該非發射區域中。

該顯示裝置可更包含一畫素界定層(pixel defining layer)，該畫素界定層用以環繞該第一畫素區域之一邊緣，其中該掩埋圖案可由與該畫素界定層相同之材料製成，且可與該畫素界定層定位於同一層處。

該第一電極可被形成為多個層，該多個層包含由一透明導電材料製成之一層及由一反射金屬材料製成之一層。

該第一畫素區域之該非發射區域對該第一畫素區域之一比率可等於或大於約5%且等於或小於約20%。

該第一畫素區域之該非發射區域可被形成為在一平面圖中具有一四邊形形狀、一圓形形狀、及一十字形狀(cross shape)至少其中之一。

該第一畫素區域可包含複數個非發射區域，且彼此相鄰之該等非發射區域間之一距離可等於或小於約50微米。

該顯示裝置可更包含連接至該第一電極之一薄膜電晶體，其中該薄膜電晶體可定位於該第一畫素區域中。

該薄膜電晶體可與該第一畫素區域之該非發射區域之至少某些部分交疊。

該鈍化層可包含具有一第一高度之一第一部分及具有一第二高度之一第二部分，該第二高度高於該第一高度。

該鈍化層之該第二部分可定位於該第一畫素區域之一邊緣處。

該第一電極可包含形成於該鈍化層之該第一部分與該第二部分間之一台階(step)。

該顯示裝置可更包含用以形成於該鈍化層中之一凹槽(groove)，其中該凹槽可定位於該第一畫素區域之該非發射區域中。

該凹槽之一寬度可窄於該非發射區域之一寬度。

該顯示裝置可更包含定位於該第一畫素區域之該非發射區域中之一掩埋圖案，其中該掩埋圖案可定位於該凹槽中。

該顯示裝置可更包含一畫素界定層，該畫素界定層用以環繞該第一畫素區域之一邊緣，其中該掩埋圖案可由與該畫素界定層相同之材料製成且可與該畫素界定層定位於同一層處。

該顯示裝置可更包含用以形成於該鈍化層中之一凹槽，其中該凹槽可被定位成與該第一畫素區域之一邊緣相鄰。

該顯示裝置可更包含定位於該凹槽中之一掩埋圖案。

該顯示裝置可更包含一畫素界定層，該畫素界定層與該掩埋圖案整合於一起以環繞該第一畫素區域之一邊緣，其中該掩埋圖案可由與該畫素界定層相同之材料製成。

該基板可包含該第二畫素區域、該第三畫素區域、及一透射區域，該透射區域與該第一畫素區域、該第二畫素區域、及該第三畫素區域相鄰，且該第二畫素區域及該第三畫素區域其中之每一者可包含一發射區域及被該發射區域環繞之一非發射區域。

該第一電極及該有機發射層可不定位於該透射區域中，且該第二電極可定位於該第一畫素區域、該第二畫素區域、該第三畫素區域、及該透射區域中。

該第二畫素區域可定位於該第一畫素區域與該第三畫素區域之間，且一第一凹槽可與該第二畫素區域相鄰地設置於該透射區域之一第一邊緣處。

該第二畫素區域之一寬度可寬於該第一畫素區域之一寬度及該第三畫素區域之一寬度。

一第二凹槽可設置於該透射區域的面對該第一邊緣之一第二邊緣處。

該第一畫素區域可係為一藍色畫素區域，該第二畫素區域可係為一綠色畫素區域，且該第三畫素區域可係為一紅色畫素區域。

該第一畫素區域之某些部分之一寬度及該第二畫素區域之一寬度可寬於該第三畫素區域之一寬度。

該第一凹槽可與該第一畫素區域之某些部分及該第二畫素 區域相鄰地設置於該透射區域之該第一邊緣處。

一第二凹槽可設置於該透射區域的面對該第一邊緣之該第二邊緣處。

該第一畫素區域可係為一藍色畫素區域，該第二畫素區域可係為一綠色畫素區域，且該第三畫素區域可係為一紅色畫素區域。

該第一畫素區域、該第二畫素區域、及該第三畫素區域可沿一行方向設置，且該透射區域可在一列方向上與該第一畫素區域、該第二畫素區域、及該第三畫素區域相鄰。

自該透射區域之一上邊緣至該透射區域之一下邊緣之一長度可短於自該第一畫素區域之一上邊緣至該第三畫素區域之一下邊緣之一長度。

110‧‧‧基板

120‧‧‧緩衝層

125‧‧‧閘電極

131‧‧‧通道區

132‧‧‧接觸摻雜區/源極區

133‧‧‧接觸摻雜區/汲極區

135‧‧‧半導體

140‧‧‧閘極絕緣層

160‧‧‧層間絕緣層

162‧‧‧接觸孔

164‧‧‧接觸孔

173‧‧‧源電極

175‧‧‧汲電極

180‧‧‧鈍化層

180’‧‧‧鈍化層

180a‧‧‧第一部分

180b‧‧‧第二部分

182‧‧‧接觸孔

184‧‧‧凹槽

186‧‧‧凹槽

191‧‧‧第一電極

191’‧‧‧第一電極

191a‧‧‧台階

270‧‧‧第二電極

270’‧‧‧第二電極

350‧‧‧畫素界定層

352‧‧‧掩埋圖案

352’‧‧‧掩埋圖案

354‧‧‧掩埋圖案

370‧‧‧有機發射層

370’‧‧‧有機發射層

a1、a2、a4、a6、a7‧‧‧點

a3、a5‧‧‧頂點

b1、b3、b5、b7‧‧‧頂點

b2、b4、b6、b8‧‧‧點

C1~C5‧‧‧點

d1~d5‧‧‧點

d1‧‧‧第一高度

d2‧‧‧第二高度

e1~e8‧‧‧點

f1~f5‧‧‧點

g1~g12‧‧‧點

h1~h10‧‧‧點

i1~i5‧‧‧點

EA1‧‧‧第一發射區域/發射區域

EA1a‧‧‧第一發射區域

EA1b‧‧‧第一發射區域

EA1c‧‧‧第一發射區域

EA1d‧‧‧第一發射區域

EA1e‧‧‧第一發射區域

EA2‧‧‧第二發射區域/發射區域

EA2a‧‧‧第二發射區域

EA2b‧‧‧第二發射區域

EA2c‧‧‧第二發射區域

EA2e‧‧‧第二發射區域

EA3‧‧‧第三發射區域/發射區域

EA3a‧‧‧第三發射區域

EA3b‧‧‧第三發射區域

EA3c‧‧‧第三發射區域

EA3e‧‧‧第三發射區域

GV‧‧‧凹槽

GV1‧‧‧第一凹槽

GV2‧‧‧第二凹槽

ht1‧‧‧長度

ht2‧‧‧長度

NA1‧‧‧第一非發射區域/非發射區域

NA1a‧‧‧第一非發射區域

NA1b‧‧‧第一非發射區域

NA1c‧‧‧第一非發射區域

NA1d‧‧‧第一非發射區域

NA1e‧‧‧第一非發射區域

NA2‧‧‧第二非發射區域/非發射區域

NA2a‧‧‧第二非發射區域

NA2b‧‧‧第二非發射區域

NA2c‧‧‧第二非發射區域

NA2e‧‧‧第二非發射區域

NA3‧‧‧第三非發射區域/非發射區域

NA3a‧‧‧第三非發射區域

NA3b‧‧‧第三非發射區域

NA3c‧‧‧第三非發射區域

NA3e‧‧‧第三非發射區域

PA‧‧‧畫素區域

PAa‧‧‧畫素區域

PAb‧‧‧畫素區域

PAc‧‧‧畫素區域

PAd‧‧‧畫素區域

PAe‧‧‧畫素區域

PX1‧‧‧第一畫素區域

PX1a‧‧‧第一畫素區域

PX1b‧‧‧第一畫素區域

PX1c‧‧‧第一畫素區域

PX1d‧‧‧第一畫素區域

PX1e‧‧‧第一畫素區域

PX2‧‧‧第二畫素區域

PX2a‧‧‧第二畫素區域

PX2b‧‧‧第二畫素區域

PX2c‧‧‧第二畫素區域

PX2e‧‧‧第二畫素區域

PX3‧‧‧第三畫素區域

PX3a‧‧‧第三畫素區域

PX3b‧‧‧第三畫素區域

PX3c‧‧‧第三畫素區域

PX3e‧‧‧第三畫素區域

TA‧‧‧透射區域

Wg‧‧‧寬度

Wn‧‧‧寬度

藉由參照附圖詳細闡述實例性實施例，對於此項技術中具有通常知識者而言，各特徵將變得顯而易見，附圖中：第1圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖；第2圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第一畫素區域之佈局圖；第3圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第一畫素區域之剖視圖；第4圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第二畫素區域之佈局圖； 第5圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第三畫素區域之佈局圖；第6圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖；第7圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第一畫素區域之佈局圖；第8圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第二畫素區域之佈局圖；第9圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第三畫素區域之佈局圖；第10圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖；第11圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第一畫素區域之佈局圖；第12圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第二畫素區域之佈局圖；第13圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第三畫素區域之佈局圖；第14圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖；第15圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖；第16圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖；第17圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之剖視圖； 第18圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之剖視圖；第19圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之剖視圖；第20圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之剖視圖；第21圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖；第22圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖；第23圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖；以及第24圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖。

現在將在下文中參照附圖更全面地闡述實例性實施例；然而，該等實例性實施例可被實施為不同形式而不應被理解為僅限於本文中所述之實施例。而是，提供此等實施例僅係為了使本發明透徹及完整且將向熟習此項技術者全面地傳達實例性實施方案。

為清楚地闡述各實施例，會省略與本說明無關之部分，且在本說明書通篇中，相同之參考編號標示相同之元件。

此外，為更好地進行理解且為易於說明，會任意地顯示圖式所示每一組件之尺寸及厚度，但本發明並非僅限於此。在圖式中，為清晰起見，擴大各層、膜、面板、區等之厚度。為更好地進行理解且為易於說明，擴大某些層及區域之厚度。

應理解，當將一元件(例如一層、膜、區、或基板)稱作「位於」另一元件「上」時，該元件可係直接位於該另一元件上，或者亦可存 在中間元件。相較而言，當將一元件稱作「直接位於」另一元件「上」時，不存在中間元件。此外，在本說明書中，詞語「位於...上(on)」或「位於...上方(above)」可意指定位於目標部分上或目標部分下面，且未必意指基於一重力方向而定位於目標部分之上側上。

另外，除非明確地闡述為相反意義，否則詞語「包含(comprise)」及例如「包含(comprises或comprising)」等變化形式應被理解為暗示包含所陳述元件但並不排除任何其他元件。

片語「在一平面上(on a plane)」意指自頂部觀看目標部分，且片語「在一橫截面上(on a cross-section)」意指自側面觀看垂直切割目標部分而得到之一橫截面。

現在將參照第1圖至第5圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。第1圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖，第2圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第一畫素區域之佈局圖，且第3圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第一畫素區域之剖視圖。第4圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第二畫素區域之佈局圖，且第5圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第三畫素區域之佈局圖。

如第1圖中所示，根據一實例性實施例之一顯示裝置包含用於顯示一影像之一畫素區域PA及使光透射過之一透射區域TA。畫素區域PA可包含一第一畫素區域PX1、一第二畫素區域PX2、及一第三畫素區域PX3。第一畫素區域PX1、第二畫素區域PX2、及第三畫素區域PX3可顯示不同顏色。舉例而言，第一畫素區域PX1可顯示一藍色顏色，第二畫素區域PX2可顯示一綠色顏色，且第三畫素區域PX3可顯示一紅色顏色。然而，實施例並非僅限於此，且第一畫素區域PX1、第二畫素區域PX2、及第三畫素區域PX3 可分別顯示各種顏色。此外，可更包含能夠顯示與由第一畫素區域PX1、第二畫素區域PX2、及第三畫素區域PX3所顯示之顏色不同之一顏色之一(複數)畫素區域。

第一畫素區域PX1、第二畫素區域PX2、及第三畫素區域PX3可被形成為具有不同尺寸。在第1圖中，將第一畫素區域PX1例示為最大者，且將第三畫素區域PX3例示為最小者，但實施例並非僅限於此。第一畫素區域PX1之尺寸、第二畫素區域PX2之尺寸、及第三畫素區域PX3之尺寸可以各種方式變化。另一選擇為，第一畫素區域PX1之尺寸、第二畫素區域PX2之尺寸、及第三畫素區域PX3之尺寸可實質上相同。

可使用根據該實例性實施例之顯示裝置作為用於一運載工具(vehicle)之一顯示裝置。倘若為用於運載工具之顯示裝置，該顯示裝置之每一畫素區域通常可被形成為大於用於一電視機(TV)、一監視器、或一可攜式電話之一顯示裝置之畫素區域。

第一畫素區域PX1包含一第一發射區域EA1及一第一非發射區域NA1。第一畫素區域PX1及第一非發射區域NA1可係為實質上四邊形的。第一非發射區域NA1被第一發射區域EA1環繞。第一發射區域EA1環繞第一非發射區域NA1之四個邊緣其中之三。舉例而言，在一平面圖中，第一發射區域EA1可被形成為環繞第一非發射區域NA1之一左邊緣、一頂邊緣、及一右邊緣，而第一非發射區域NA1之一底邊緣被暴露出。

第二畫素區域PX2包含一第二發射區域EA2及一第二非發射區域NA2。第二畫素區域PX2及第二非發射區域NA2可係為實質上四邊形的。第二非發射區域NA2被第二發射區域EA2環繞。第二發射區域EA2完全環繞第二非發射區域NA2之四個邊緣。

第三畫素區域PX3包含一第三發射區域EA3及一第三非發射區域NA3。第三畫素區域PX3及第三非發射區域NA3可係為實質上四邊形的。第三非發射區域NA3被第三發射區域EA3環繞。第三發射區域EA3環繞第三非發射區域NA3之四個邊緣其中之三。舉例而言，在一平面圖中，第三發射區域EA3可被形成為環繞第三非發射區域NA3之一頂邊緣、一左邊緣、及一底邊緣，而第三非發射區域NA3之一右邊緣被暴露出。

然而，第一畫素區域PX1之形狀、第二畫素區域PX2之形狀、及第三畫素區域PX3之形狀、第一發射區域EA1之形狀、第二發射區域EA2之形狀、及第三發射區域EA3之形狀、以及第一非發射區域NA1之形狀、第二非發射區域NA2之形狀、及第三非發射區域NA3之形狀可以各種方式變化。在第1圖中，將各該區域之一平面形狀例示為多邊形，但實施例並非僅限於此，且各該區域可被形成為具有包含一彎曲線之一形狀，例如一圓形、一橢圓形等。此外，在第一畫素區域PX1、第二畫素區域PX2、及第三畫素區域PX3中，相應之發射區域EA1、EA2及EA3、以及相應之非發射區域NA1、NA2及NA3可以各種方式進行設置。

透射區域TA係為使外部光透射過之一區域。由於透射區域TA，根據該實例性實施例之顯示裝置可係為一透明顯示裝置。在第1圖中，將一個透射區域TA定位成與第一畫素區域PX1、第二畫素區域PX2、及第三畫素區域PX3相鄰。然而，實施例並非僅限於此，且可將三個單獨之透射區域定位成分別與第一畫素區域PX1、第二畫素區域PX2、及第三畫素區域PX3相鄰。另一選擇為，可將一個透射區域定位成與三或更多個畫素區域相鄰。

透射區域TA對全部畫素區域PA(即，第一畫素區域至第三畫素區域之一總和)之一比率等於或大於20%且等於或小於約70%。第一非 發射區域NA1對第一畫素區域PX1之一比率等於或大於約5%且等於或小於約20%。第二非發射區域NA2對第二畫素區域PX2之一比率等於或大於約5%且等於或小於約20%。第三非發射區域NA3對第三畫素區域PX3之一比率等於或大於5%且等於或小於20%。

如第2圖中所示，在第一畫素區域PX1中，第一發射區域EA1環繞第一非發射區域NA1。在此種情形中，自第一畫素區域PX1之左邊緣之一下部部分處之一點a1至第一非發射區域NA1之一距離可等於或小於約50微米。在本文中，該距離係指最短距離，且該相同含義適用於下文。自第一畫素區域PX1之左邊緣之一中間部分處之一點a2至第一非發射區域NA1之一距離可等於或小於約50微米。自第一畫素區域PX1之左邊緣與頂邊緣相交處之一頂點a3至第一非發射區域NA1之一距離可等於或小於約50微米。自第一畫素區域PX1之頂邊緣之一中間部分處之一點a4至第一非發射區域NA1之一距離可等於或小於約50微米。自第一畫素區域PX1之頂邊緣與右邊緣相交處之一頂點a5至第一非發射區域NA1之一距離可等於或小於約50微米。自第一畫素區域PX1之右邊緣之一中間部分處之一點a6至第一非發射區域NA1之一距離可等於或小於約50微米。自第一畫素區域PX1之右邊緣之一下部部分處之一點a7至第一非發射區域NA1之一距離可等於或小於約50微米。亦即，自第一畫素區域PX1之所有邊緣至第一非發射區域NA1之距離皆可等於或小於約50微米。

如第3圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含：一基板110；一第一電極191，定位於基板110上；一鈍化層180，定位於基板110與第一電極191之間；一第二電極270，定位於第一電極191上；以及一有機發射層370，定位於第一電極191與第二電極270之間。

基板110可係為由玻璃、石英、陶瓷、塑膠等製成之一絕緣基板，或者可係為由不銹鋼等製成之一金屬基板。基板110可係為可撓曲、可拉伸、可折疊、可彎曲、及/或可捲動的。由於基板110可係為可撓曲、可拉伸、可折疊、可彎曲、及/或可捲動的，因而該顯示裝置亦可係為可撓曲、可拉伸、可折疊、可彎曲、及/或可捲動的。

基板110包含第一畫素區域PX1及透射區域TA。第一畫素區域PX1包含第一發射區域EA1及第一非發射區域NA1。

一緩衝層120可定位於基板110上。緩衝層120可由氮化矽(SiNx)形成為一單層，或者可由氮化矽(SiNx)與氧化矽(SiOx)形成為一雙層。緩衝層120用於使基板110之一表面變平，同時防止有害材料(例如，雜質或水分)滲入。在必要時，可省略緩衝層120。整個緩衝層120可位於第一畫素區域PX1及透射區域TA中。緩衝層120可完全覆蓋基板110之一頂表面。

一半導體135位於緩衝層120上。半導體135可由多晶半導體材料或氧化物半導體材料製成。另外，半導體135可包含其中未摻雜有雜質之一通道區131、以及位於通道區131之相對二側處的其中摻雜有雜質之一接觸摻雜區132及一接觸摻雜區133。接觸摻雜區132及133包含一源極區132及一汲極區133。在此種情形中，所摻雜雜質可依據薄膜電晶體之一種類而變化。

一閘極絕緣層140可位於半導體135上。閘極絕緣層140可由一無機絕緣材料製成，該無機絕緣材料包括氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)。

一閘電極125可位於閘極絕緣層140上。閘電極125可在一光 發射方向(例如，一第一方向)上與半導體135之至少某些部分(例如半導體135之通道區131)交疊。

一層間絕緣層160可位於閘電極125及閘極絕緣層140上。層間絕緣層160可由一無機絕緣材料或一有機絕緣材料製成。

在閘極絕緣層140中及在層間絕緣層160中可形成有在第一方向上與半導體135之至少某些部分交疊之接觸孔162及164。具體而言，接觸孔162及164可分別暴露出半導體135之接觸摻雜區132及133。

一源電極173及一汲電極175可位於層間絕緣層160上。源電極173及汲電極175分別經由接觸孔162及164連接至半導體135之源極區132及汲極區133。

因此，半導體135、閘電極125、源電極173、及汲電極175形成一個薄膜電晶體。該薄膜電晶體之一結構並非僅限於前述實例，而是可被修改成可由熟習此項技術者輕易實施之各種所揭露結構。有機發光二極體顯示器可包含一切換電晶體及一驅動電晶體，且前述薄膜電晶體可係為驅動電晶體。雖然圖中未例示，但可提供一切換薄膜電晶體。

鈍化層180可位於該薄膜電晶體及層間絕緣層160上。鈍化層180用於除去台階並使其變平，藉此改良欲形成於鈍化層180上之有機發光二極體之發光效率。鈍化層180中可形成有在第一方向上與汲電極175之至少某些部分交疊之一接觸孔182，即，暴露出汲電極175。鈍化層180可由以下形成：聚丙烯酸脂樹脂(polyacrylate resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚系樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resin)、聚醯亞胺樹脂(polyimide resin)、不飽和聚酯樹脂(unsaturated polyester resin)、聚伸苯 基樹脂(polyphenylene resin)、聚苯硫醚樹脂(polyphenylene sulfide resin)、及苯並環丁烯(benzocyclobutene；BCB)。

第一電極191定位於鈍化層180上。第一電極191定位於第一畫素區域PX1之第一發射區域EA1中。第一電極191之大部分不定位於第一畫素區域PX1之第一非發射區域NA1中。

第一電極191可由例如氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅(zinc oxide；ZnO)、氧化銦(indium oxide；In₂O₃)等之一透明導電材料製成，或者可由例如鋰(lithium；Li)、鈣(calcium；Ca)、氟化鋰/鈣(lithium fluoride/calcium；LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(lithium fluoride/aluminum；LiF/Al)、鋁(aluminum；Al)、銀(silver；Ag)、鎂(magnesium；Mg)、金(gold；Au)等之一反射金屬製成。第一電極191經由形成於鈍化層180中之接觸孔182而電性連接至薄膜電晶體之汲電極175，且可充當有機發光二極體之陽極。

雖然圖中未例示，但第一電極191可包含一第一透明電極及一第二透明電極以及定位於該第一透明電極與該第二透明電極間之一半透射層，以與第二電極270一起形成一微腔(microcavity)，該第一透明電極及該第二透明電極包含一透明導電材料。亦即，第一電極191可被形成為一多層，該多層包含由透明導電材料製成之一層及由一反射金屬材料製成之一層。

一畫素界定層350可位於鈍化層180上以及第一電極191之一第一邊緣部分上。畫素界定層350可環繞第一畫素區域PX1之邊緣。畫素界定層350可包含樹脂(例如，聚丙烯酸酯樹脂及聚醯亞胺樹脂)或二氧化矽系無機材料(silica-based inorganic material)。

一掩埋圖案352可位於鈍化層180上及第一電極191的與第一邊緣部分相對之一第二邊緣部分上。掩埋圖案352可位於第一畫素區域PX1之第一非發射區域NA1中。掩埋圖案352可由與畫素界定層350相同之材料製成，且可與畫素界定層350位於同一層處。由於掩埋圖案352覆蓋第一電極191之邊緣之一側向表面，因而掩埋圖案352可防止第一電極191被暴露於外部並被腐蝕，因此會防止出現一暗點(dark spot)。即使第一電極191及有機發射層370定位於第一非發射區域NA1之邊緣處，光亦可被掩埋圖案352阻擋。因此，可在光發射方向(例如，第一方向)上使用一最小交疊量，只要第一電極191之第二邊緣部分之側向邊緣被覆蓋即可。舉例而言，掩埋圖案352與第一電極191之一交疊寬度可等於或大於約0微米且可等於或小於約5微米。舉例而言，掩埋圖案352與第一電極191可彼此交疊約3微米。

有機發射層370可位於第一電極191上。有機發射層370可包含以下至少其中之一：一發射層、一電洞注入層(hole-injection layer；HIL)、一電洞傳輸層(hole-transporting layer；HTL)、一電子傳輸層(electron-transporting layer；ETL)、及一電子注入層(electron-injection layer；EIL)。有機發射層370可位於第一畫素區域PX1之第一發射區域EA1中。有機發射層370亦可定位於第一畫素區域PX1之第一非發射區域NA1中。

有機發射層370可包含以下其中之一：用於發射紅色光之一紅色有機發射層、用於發射綠色光之一綠色有機發射層、及用於發射藍色光之一藍色有機發射層。舉例而言，藍色有機發射層可位於第一畫素區域PX1之第一發射區域EA1中，綠色有機發射層可位於第二畫素區域PX2之第二發射區域EA2中，且紅色有機發射層可位於第三畫素區域PX3之第三發射區域EA3中。紅色有機發射層、綠色有機發射層、及藍色有機發射層分別定 位於不同畫素處，以藉由該等層之一組合來實施一彩色影像。

另一選擇為，有機發射層370可具有其中使紅色有機發射層、綠色有機發射層、及藍色有機發射層分別堆疊於對應畫素上之一結構。在此種情形中，可藉由為各該畫素形成一紅色濾光器、一綠色濾光器、或一藍色濾光器來實施一彩色影像。在另一實施例中，藉由在各該畫素處形成用於發射白色光之一白色有機發射層並藉由為各該畫素形成一紅色濾光器、一綠色濾光器、及一藍色濾光器，可實施一彩色影像。當藉由使用白色有機發射層及彩色濾光器來實施彩色影像時，不需要使用一沈積遮罩在每一對應畫素上(亦即，在紅色畫素上、在綠色畫素上、及在藍色畫素上)分別沈積紅色有機發射層、綠色有機發射層、及藍色有機發射層。

在另一實例中所述之白色有機發射層可被形成為一單個有機發射層，且可被形成為被進行堆疊進而能夠發射白色光之複數個有機發射層。舉例而言，可包含一用於藉由組合至少一個黃色有機發射層與至少一個藍色有機發射層而發射白色光之結構、一用於藉由組合至少一個靛青色有機發射層與至少一個紅色有機發射層而發射白色光之結構、以及一用於藉由組合至少一個品紅色有機發射層與至少一個綠色有機發射層而發射白色光之結構。

第二電極270可位於有機發射層370、畫素界定層350、及掩埋圖案352上。第二電極270可位於第一畫素區域PX1及透射區域TA上，且可位於第一畫素區域PX1與透射區域TA之間。

第二電極270可由例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)等之一透明導電材料製成，或者可由例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、 銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)等之一反射金屬製成。第二電極270可充當有機發光二極體之一陰極。第一電極191、有機發射層370、及第二電極270形成有機發光二極體。

以上所述的薄膜電晶體、閘極絕緣層140、層間絕緣層160、鈍化層180、第一電極191、及有機發射層370位於第一畫素區域PX1中，而不位於透射區域TA中。緩衝層120可直接位於基板110之透射區域TA上，且第二電極270可直接位於緩衝層120上。因此，在透射區域TA中，第二電極270可接觸(例如，直接接觸)緩衝層120。因此，由於除緩衝層120及第二電極270以外之其他層皆不位於基板110之透射區域TA中，因而透射區域TA之透射率可得以改良。然而，實施例並非僅限於此，且除緩衝層120及第二電極270以外之某些層可位於透射區域TA中。

鈍化層180位於基板110與第一電極191之間，且有機發射層370位於第一電極191上。鈍化層180由一有機材料製成，且在其中形成鈍化層180之一製程期間會執行一烘焙製程(baking process)。於該烘焙製程中，在使有機材料固化時可能會產生氣體。在氣體被完全排出之前，便可能在鈍化層180上形成第一電極191，以致鈍化層180被第一電極191遮擋，進而阻止氣體被排出。留存於鈍化層180中之氣體可能會移動至第一電極191之邊緣而被排出，且定位於第一電極191上之有機發射層370可能會受氣體影響。由於有機發射層370易於發生水分滲入，因而有機發射層370之一發射特性可劣化，因此有機發射層370之一發射面積可減小。

在本實例性實施例中，第一畫素區域PX1包含第一發射區域EA1及第一非發射區域NA1，且第一電極191可不定位於第一非發射區域NA1中。然而，實施例並非僅限於此，且有機發射層370可位於第一發射區 域EA1中及局部地位於第一非發射區域NA1中。如上所述，雖然第一電極191及有機發射層370位於第一非發射區域NA1中，然而，由於第一電極191被圖案化成使得鈍化層180之一部分暴露出且光被掩埋圖案352阻擋，因而第一非發射區域NA1不會發射光。此外，掩埋圖案352可直接接觸鈍化層180之暴露出之部分。

藉由將自第一畫素區域PX1之所有邊緣至第一非發射區域NA1之距離設定成等於或小於約50微米，第一發射區域EA1中之第一電極191可不連續地遮擋鈍化層180。在本實例性實施例中，藉由在第一畫素區域PX1中形成其中未定位有第一電極191之大部分的第一非發射區域NA1，留存於鈍化層180中之氣體可經由第一非發射區域NA1充分排出。因此，可減輕或防止有機發射層370之發射特性之劣化的發生。

如第4圖中所示，在第二畫素區域PX2中，第二發射區域EA2環繞第二非發射區域NA2。自第二畫素區域PX2之左邊緣與頂邊緣相交處之一頂點b1至第二非發射區域NA2之一距離可等於或小於約50微米。自第二畫素區域PX2之頂邊緣之一中間部分處之一點b2至第二非發射區域NA2之一距離可等於或小於約50微米。自第二畫素區域PX2之頂邊緣與右邊緣相交處之一頂點b3至第二非發射區域NA2之一距離可等於或小於約50微米。自第二畫素區域PX2之右邊緣之一中間部分處之一點b4至第二非發射區域NA2之一距離可等於或小於約50微米。自第二畫素區域PX2之右邊緣與底邊緣相交處之一頂點b5至第二非發射區域NA2之一距離可等於或小於約50微米。自第二畫素區域PX2之底邊緣之一中間部分處之一點b6至第二非發射區域NA2之一距離可等於或小於約50微米。自第二畫素區域PX2之底邊緣與左邊緣相交處之一頂點b7至第二非發射區域NA2之一距離可等於或小於約50 微米。自第二畫素區域PX2之左邊緣之一中間部分處之一點b8至第二非發射區域NA2之一距離可等於或小於約50微米。亦即，自第二畫素區域PX2之所有邊緣至第二非發射區域NA2之距離皆可等於或小於約50微米。

雖然圖中未例示，但類似於第一畫素區域PX1，第一電極及有機發射層可定位於第二畫素區域PX2之第二發射區域EA2中。第一電極之大部分不位於第二非發射區域NA2中，而是可位於第二非發射區域NA2之邊緣處。有機發射層可定位於第二非發射區域NA2中。藉由將第二畫素區域PX2之所有邊緣至第二非發射區域NA2之距離設定成等於或小於約50微米，可防止定位於第二發射區域EA2中之第一電極連續地遮擋鈍化層之一寬廣區域。在本實例性實施例中，藉由在第二畫素區域PX2中形成其中未定位有第一電極之大部分的第二非發射區域NA2，留存於鈍化層中之氣體可經由第二非發射區域NA2充分排出。因此，可減輕或防止有機發射層之發射特性之劣化的發生。

如第5圖中所示，在第三畫素區域PX3中，第三發射區域EA3環繞第三非發射區域NA3。自第三畫素區域PX3之頂邊緣處之一點c1至第三非發射區域NA3之一距離可等於或小於約50微米。自第三畫素區域PX3之頂邊緣與左邊緣相交處之一點c2至第三非發射區域NA3之一距離可等於或小於約50微米。自第三畫素區域PX3之左邊緣之一中間部分處之一點c3至第三非發射區域NA3之一距離可等於或小於約50微米。自第三畫素區域PX3之左邊緣與底邊緣相交處之一點c4至第三非發射區域NA3之一距離可等於或小於約50微米。自第三畫素區域PX3之底邊緣處之一點c5至第三非發射區域NA3之一距離可等於或小於約50微米。亦即，自第三畫素區域PX3之所有邊緣至第三非發射區域NA3之距離皆可等於或小於約50微米。

雖然圖中未例示，但類似於第一畫素區域PX1，第一電極及有機發射層定位於第三畫素區域PX3之第三發射區域EA3中。第一電極之大部分不位於第三非發射區域NA3中，而是可位於第三非發射區域NA3之邊緣處。有機發射層可位於第三非發射區域NA3中。藉由將自第三畫素區域PX3之所有邊緣至第三非發射區域NA3之距離設定成等於或小於約50微米，第三發射區域EA3中之第一電極可不連續地遮擋鈍化層180之一寬廣區域。具體而言，鈍化層180之一部分可由第一電極191暴露出，以使在鈍化層180中產生之氣體能夠被排出。在本實例性實施例中，藉由在第三畫素區域PX3中形成其中未存在第一電極之大部分的第三非發射區域NA3，留存於鈍化層中之氣體可經由第三非發射區域NA3充分排出。因此，可減輕或防止有機發射層之發射特性之劣化的發生。

在下文中，將參照第6圖至第9圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。

根據第6圖至第9圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第1圖至第5圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，將不再對該等部分予以贅述。在本實例性實施例中，第一畫素區域至第三畫素區域中之發射區域及非發射區域不同於前述實例性實施例中之彼等，且現在將詳細地進行闡述。

第6圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖。第7圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第一畫素區域之佈局圖，第8圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第二畫素區域之佈局圖，且第9圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第三畫素區域之佈局圖。

如第6圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含一畫 素區域PAa及透射區域TA。畫素區域PAa可包含一第一畫素區域PX1a、一第二畫素區域PX2a、及一第三畫素區域PX3a。第一畫素區域PX1a、第二畫素區域PX2a、及第三畫素區域PX3a可顯示不同顏色，且可被形成為具有不同尺寸。

如第7圖中所示，第一畫素區域PX1a包含一第一發射區域EA1a及被第一發射區域EA1a環繞之一第一非發射區域NA1a。自定位於第一畫素區域PX1a之各邊緣處之複數個點(d1、d2、d3、d4、及d5)至第一非發射區域NA1a之距離皆可等於或小於約50微米。在此種情形中，該距離意指最短距離，且該相同含義適用於下文。自第一畫素區域PX1a之所有邊緣至第一非發射區域NA1a之距離皆可等於或小於約50微米。

如第8圖中所示，第二畫素區域PX2a包含一第二發射區域EA2a及被第二發射區域EA2a環繞之一第二非發射區域NA2a。自第二畫素區域PX2a之各邊緣處之複數個點(e1、e2、e3、e4、e5、e6、e7、及e8)至第二非發射區域NA2a之距離皆可等於或小於約50微米。在此種情形中，自第二畫素區域PX2a之所有邊緣至第二非發射區域NA2a之距離皆可等於或小於約50微米。

如第9圖中所示，第三畫素區域PX3a包含一第三發射區域EA3a及被第三發射區域EA3a環繞之一第三非發射區域NA3a。自第三畫素區域PX3a之各邊緣處之複數個點(f1、f2、f3、f4、及f5)至第三非發射區域NA3a之距離皆可等於或小於約50微米。在此種情形中，自第三畫素區域PX3a之所有邊緣至第三非發射區域NA3a之距離皆可等於或小於約50微米。

現在將參照第10圖至第13圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。

根據第10圖至第13圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第1圖至第5圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，因此將不再對該等部分予以贅述。在本實例性實施例中，複數個非發射區域定位於一單個畫素區域中，此不同於前述實例性實施例且現在將詳細地進行闡述。

第10圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖。第11圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第一畫素區域之佈局圖，第12圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第二畫素區域之佈局圖，且第13圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之一第三畫素區域之佈局圖。

如第10圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含一畫素區域PAb及透射區域TA。畫素區域PAb可包含一第一畫素區域PX1b、一第二畫素區域PX2b、及一第三畫素區域PX3b。第一畫素區域PX1b、第二畫素區域PX2b、及第三畫素區域PX3b可顯示不同顏色，且可被形成為具有不同尺寸。

如第11圖中所示，第一畫素區域PX1b包含一第一發射區域EA1b及被第一發射區域EA1b環繞之複數個第一非發射區域NA1b。雖然圖中例示該等第一非發射區域NA1b分別具有一圓形形狀，但實施例並非僅限於此，並且第一非發射區域NA1b可以各種方式進行修改且可彼此不同。

自第一畫素區域PX1b之各邊緣處之複數個點(g1、g2、g3、g4、g5、g6、g7、g8、g9、g10、g11、g12)至第一非發射區域NA1b之距離皆可等於或小於約50微米。自第一畫素區域PX1b之所有邊緣至第一非發射區域NA1b之距離皆可等於或小於約50微米。

另外，相鄰第一非發射區域NA1b間之一距離可等於或小於約50微米。舉例而言，該等第一非發射區域NA1b可設置成一矩陣形式，且處於一第一列且一第一行中之第一非發射區域NA1b與處於一第一列且一第二行中之第一非發射區域NA1b間之一距離可等於或小於約50微米。另外，處於第一列且第一行中之第一非發射區域NA1b與處於一第二列且第一行中之第一非發射區域NA1b間之一距離可等於或小於約50微米。此外，處於第一列且第一行中之第一非發射區域NA1b與處於第二列且第二行中之第一非發射區域NA1b間之一距離可等於或小於約50微米。

如第12圖中所示，第二畫素區域PX2b包含一第二發射區域EA2b及被第二發射區域EA2b環繞之複數個第二非發射區域NA2b。自定位於該等第二畫素區域PX2b之各邊緣處之複數個點(h1、h2、h3、h4、h5、h6、h7、h8、h9、及h10)至第二非發射區域NA2b之距離皆可等於或小於約50微米。自第二畫素區域PX2b之所有邊緣至第二非發射區域NA2b之距離皆可等於或小於約50微米。另外，相鄰第二非發射區域NA2b間之一距離可等於或小於約50微米。

如第13圖中所示，第三畫素區域PX3b包含一第三發射區域EA3b及被第三發射區域EA3b環繞之複數個第三非發射區域NA3b。自該等第三畫素區域PX3b之各邊緣處之複數個點(i1、i2、i3、i4、及i5)至第三非發射區域NA3b之距離皆可等於或小於約50微米。自第三畫素區域PX3b之所有邊緣至第三非發射區域NA3b之距離皆可等於或小於約50微米。另外，彼此相鄰之相鄰第三非發射區域NA3b間之一距離可等於或小於約50微米。

在下文中，將參照第14圖來闡述根據一實例性實施例之一顯 示裝置。根據第14圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第1圖至第5圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，因而將不再對該等部分予以贅述。在本實例性實施例中，第一畫素區域至第三畫素區域中發射區域之形狀及非發射區域之形狀不同於前述實例性實施例中之形狀，且現在將詳細地進行闡述。

第14圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖。如第14圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含一畫素區域PAc及透射區域TA。畫素區域PAc可包含一第一畫素區域PX1c、一第二畫素區域PX2c、及一第三畫素區域PX3c。第一畫素區域PX1c、第二畫素區域PX2c、及第三畫素區域PX3c可顯示不同顏色，且可被形成為具有不同尺寸。

第一畫素區域PX1c包含一第一發射區域EA1c及被第一發射區域EA1c環繞之一第一非發射區域NA1c。第一非發射區域NA1c被形成為在一平面圖中具有一十字形狀。自第一畫素區域PX1c之所有邊緣至第一非發射區域NA1c之距離皆可等於或小於約50微米。

第二畫素區域PX2c包含一第二發射區域EA2c及被第二發射區域EA2c環繞之一第二非發射區域NA2c。圖中例示第二非發射區域NA2c被形成為在一平面圖中具有一四邊形形狀，但本實例性實施例並非僅限於此，且第二非發射區域NA2c可被形成為在一平面圖中具有一十字形狀。自第二畫素區域PX2c之所有邊緣至第二非發射區域NA2c之距離皆可等於或小於約50微米。

第三畫素區域PX3c包含一第三發射區域EA3c及被第三發射區域EA3c環繞之一第三非發射區域NA3c。圖中例示第三非發射區域NA3c在一平面圖中具有一四邊形形狀，但本實例性實施例並非僅限於此，且第 三非發射區域NA3c可被形成為在一平面圖中具有例如一十字形狀。自第三畫素區域PX3c之所有邊緣至第三非發射區域NA3c之距離皆可等於或小於約50微米。

在下文中，將參照第15圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。根據第15圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第14圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，因而將不再對該等部分予以贅述。在本實例性實施例中，第一畫素區域中發射區域之形狀及非發射區域之形狀不同於前述實例性實施例中之形狀，且現在將詳細地進行闡述。

第15圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖。如第15圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含一畫素區域PAd及透射區域TA。畫素區域PAd包含具有一第一發射區域EA1d及一第一非發射區域NA1d之一第一畫素區域PX1d，且第一非發射區域NA1d被形成為在一平面圖中具有一十字形狀。畫素區域PAd亦包含第14圖所示之第二畫素區域PX2c及第三畫素區域PX3c。

在前述實例性實施例之第一發射區域EA1c中，第一發射區域EA1c之底邊緣之中間部分在一平面圖中未被切分開，而在本實例性實施例之第一發射區域EA1d中，第一發射區域EA1d之底邊緣之中間部分在一平面圖中被切分開。亦即，在第一畫素區域PX1d之底邊緣之中間部分處，第一發射區域EA1d被第一非發射區域NA1d分隔開。在第一畫素區域PX1d之左邊緣、頂邊緣、及右邊緣處，第一發射區域EA1d未分隔開。

因此，在第一畫素區域PX1d中，第一電極191可在第一畫素區域PX1d之左邊緣、頂邊緣、及右邊緣處未分隔開，且可在第一畫素區域PX1d之底邊緣之中間部分處分隔開。

現在將參照第16圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。根據第16圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第15圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，因而將不再對該等部分予以贅述。在本實例性實施例中，第一畫素區域中發射區域之形狀及非發射區域之形狀不同於前述實例性實施例中之形狀，且現在將詳細地進行闡述。

第16圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖。如第16圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含一畫素區域PAe及透射區域TA。畫素區域PAe可包含一第一畫素區域PX1e、一第二畫素區域PX2e、及一第三畫素區域PX3e。

第一畫素區域PX1e包含一第一發射區域EA1e及一第一非發射區域NA1e，且第一非發射區域NA1e被形成為在一平面圖中具有一十字形狀。在前述實例性實施例之第一畫素區域PX1d之左邊緣、頂邊緣、及右邊緣處，第一發射區域EA1d未分隔開，而在本實例性實施例之第一畫素區域PX1e之左邊緣、頂邊緣、及右邊緣處，第一發射區域EA1e被分隔開。亦即，在第一畫素區域PX1e之左邊緣之中間部分、頂邊緣之中間部分、右邊緣之中間部分、及底邊緣之中間部分處，第一發射區域EA1e被第一非發射區域NA1e分隔開。

因此，在第一畫素區域PX1e中，第一電極191可在第一畫素區域PX1e之左邊緣之中間部分、頂邊緣之中間部分、右邊緣之中間部分、及底邊緣之中間部分處分隔開。在此種情形中，第一電極被分隔成四個部分，且該四個部分可經由不同接觸孔連接至汲電極。

同樣地，一第二發射區域EA2e可在第二畫素區域PX2e之頂邊緣及底邊緣處分隔開。亦即，在第二畫素區域PX2e之頂邊緣之中間部分 及底邊緣之中間部分處，第二發射區域EA2e被一第二非發射區域NA2e分隔開。

另外，一第三發射區域EA3e在第三畫素區域PX3e之頂邊緣及底邊緣處分隔開。亦即，在第三畫素區域PX3e之頂邊緣之中間部分及底邊緣之中間部分處，第三發射區域EA3e被一第三非發射區域NA3e分隔開。

在下文中，將參照第17圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。根據第17圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第1圖至第5圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，將不再對該等部分進行闡述。在本實例性實施例中，一薄膜電晶體定位於畫素區域中，此不同於前述實例性實施例且現在將詳細地進行闡述。

第17圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之剖視圖。如第17圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含基板110、位於基板110上之第一電極191、位於基板110與第一電極191間之鈍化層180、位於第一電極191上之第二電極270、以及位於第一電極191與第二電極270間之有機發射層370。

基板110包含第一畫素區域PX1及透射區域TA。第一畫素區域PX1包含第一發射區域EA1及第一非發射區域NA1。

在前述實例性實施例中，薄膜電晶體局部地定位於第一畫素區域PX1內且大部分定位於第一畫素區域PX1之外。在本實例性實施例中，薄膜電晶體完全地定位於第一畫素區域PX1內。亦即，全部的半導體135、閘電極125、源電極173、及汲電極175皆定位於第一畫素區域PX1內。具體而言，薄膜電晶體之某些部分可與第一畫素區域PX1之第一非發射區域NA1 交疊。掩埋圖案352可位於第一畫素區域PX1之第一非發射區域NA1中，且可沿第一方向與薄膜電晶體交疊。

鈍化層180位於薄膜電晶體上。鈍化層180的定位於薄膜電晶體上之一部分被形成為與鈍化層180之其他部分相較係相對薄的。當鈍化層180係薄的時，在烘焙製程中可快速地排出氣體。在本實例性實施例中，由於薄膜電晶體係定位於第一畫素區域PX1內，因而可將鈍化層180的被第一電極191遮擋之一部分形成為薄的。因此，留存於鈍化層180中之氣體可得以減少，因此氣體對有機發射層370之影響可得以減輕。

雖然已闡述了第一畫素區域PX1，但本實例性實施例可類似地應用於第二畫素區域PX2及第三畫素區域PX3。亦即，薄膜電晶體可定位於第二畫素區域PX2及第三畫素區域PX3內。

現在將參照第18圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。根據第18圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第17圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，將不再對該等部分進行闡述。在本實例性實施例中，自基板至鈍化層之頂表面之一高度並非係恆定的，此不同於前述實例性實施例且現在將詳細地進行闡述。

第18圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之剖視圖。如第18圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含基板110、位於基板110上之一第一電極191’、位於基板110與第一電極191’間之鈍化層180、位於第一電極191’上之一第二電極270’、以及位於第一電極191’與第二電極270’間之一有機發射層370’。

基板110包含第一畫素區域PX1及透射區域TA。第一畫素區 域PX1包含第一發射區域EA1及第一非發射區域NA1。

在前述實例性實施例中，鈍化層180之頂表面係為平的，且自基板110至鈍化層180之頂表面之距離係為恆定的。然而，在本實例性實施例中，鈍化層180’之頂表面並非係平的。

鈍化層180’包含具有一第一高度d1之一第一部分180a及具有一第二高度d2之一第二部分180b。在此種情形中，第一高度d1及第二高度d2其中之每一者皆意指自基板110至鈍化層180’之頂表面之一距離。第二高度d2高於第一高度d1，即，鈍化層180’之一頂表面距基板110更遠。第一部分180a位於第一畫素區域PX1之中央部分處，且第二部分180b位於第一畫素區域PX1之邊緣處。

第一電極191’位於鈍化層180’上，且第一電極191’在鈍化層180’之第一部分180a與第二部分180b之間包含一台階191a。具體而言，台階191’可沿第二部分180b的相對於第一部分180a在第一方向上突出之一側壁延伸，且可沿第二方向沿第二部分180b之頂表面之一部分延伸。

藉由在第一畫素區域PX1之中央部分處將鈍化層180’形成為薄的，在鈍化層180’之烘焙製程期間用於排出氣體之時間可得以減少。因此，有機發射層370’受氣體之影響更小，藉由改良發射特性。

藉由在第一畫素區域PX1之邊緣處將鈍化層180’形成為厚的以在第一電極191’處設置有台階191a，在鈍化層180’中產生之氣體要到達有機發射層370’所必須穿經之距離可增加。亦即，藉由使第一電極191’之台階191a能夠充當一障壁，可阻止氣體到達有機發射層370’。因此，有機發射層370’受氣體之影響更小，藉此改良發射特性。

現在將參照第19圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。

根據第19圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第1圖至第5圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，將不再對該等部分進行闡述。在本實例性實施例中，於鈍化層中形成有一凹槽，此不同於前述實例性實施例且現在將詳細地進行闡述。

第19圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之剖視圖。如第19圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含基板110、位於基板110上之第一電極191、位於基板110與第一電極191間之鈍化層180、位於第一電極191上之第二電極270、以及定位於第一電極191與第二電極270間之有機發射層370。

基板110包含第一畫素區域PX1及透射區域TA。第一畫素區域PX1包含第一發射區域EA1及第一非發射區域NA1。

在本實例性實施例中，於鈍化層180中形成有一凹槽184。在鈍化層180之烘焙製程期間產生之氣體可經由其中形成有凹槽184之一部分更好地排出，乃因凹槽185會增大可用以排出氣體之一表面積。

凹槽184可位於第一畫素區域PX1之第一非發射區域NA1中。一掩埋圖案352’可位於第一非發射區域NA1中，且亦可定位於凹槽184中，例如，可填充凹槽184。

凹槽184之一寬度Wg可窄於第一非發射區域NA1之一寬度。第一電極191之大部分並不位於第一非發射區域NA1中，即，僅局部地在第一非發射區域NA1中沿第二方向延伸，且主要位於第一發射區域EA1中。具體而言，凹槽184之寬度Wg可窄於第一非發射區域NA1中不存在第一 電極191之部分之寬度。在第一非發射區域NA1中，當凹槽184之寬度Wg寬於第一電極191未在其中延伸之部分之寬度Wn時，第一電極191可能會形成於凹槽184中。由於鈍化層180下面設置有包括薄膜電晶體在內之各種電極層，因而當第一電極191形成於凹槽184中時，第一電極191可與該各種電極層發生短路。在本實例性實施例中，藉由將凹槽184之寬度Wg形成為窄於第一非發射區域NA1中第一電極191未在其中延伸之部分之寬度Wn，此種問題可得以解決。

現在將參照第20圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。根據第20圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第19圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，將不再對該等部分進行闡述。在本實例性實施例中，於畫素區域之一邊緣中形成有一凹槽，此不同於前述實例性實施例且現在將詳細地進行闡述。

第20圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之剖視圖。如第20圖中所示，在鈍化層180中設置有另一凹槽186。凹槽186被定位成與第一畫素區域PX1之邊緣相鄰，例如與半導體135相鄰。凹槽186可定位於畫素界定層350下面。一掩埋圖案354可設置於凹槽186中且可與畫素界定層350整合於一起。掩埋圖案354及畫素界定層350可係在同一製程下且以相同材料形成。

類似於前述實例性實施例，第一畫素區域PX1之第一非發射區域NA1中可更設置有凹槽184，且掩埋圖案352’可位於凹槽184中。

在下文中，將參照第21圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。根據第21圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第1圖至第5圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，將不再對該等部分進行闡 述。在本實例性實施例中，透射區域之一形狀不同於前述實例性實施例中之形狀，且現在將詳細地進行闡述。

第21圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖。如第21圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含畫素區域PA及透射區域TA。畫素區域PA可包含第一畫素區域PX1、第二畫素區域PX2、及第三畫素區域PX3。第一畫素區域PX1、第二畫素區域PX2、及第三畫素區域PX3可顯示不同顏色，且可被形成為具有不同尺寸。舉例而言，第一畫素區域PX1可顯示一藍色顏色，第二畫素區域PX2可顯示一綠色顏色，且第三畫素區域PX3可顯示一紅色顏色。

在前述實例性實施例中，透射區域TA被形成為在一平面圖中具有一矩形形狀。在本實例性實施例中，透射區域TA被變形為在一平面圖中具有一實質上矩形形狀。在本實例性實施例中，藉由減小透射區域TA與畫素區域PA間之一距離，可增大透射區域TA，例如，可增大透射區域TA之一寬度。可在透射區域TA之一個邊緣處例如與畫素區域相鄰地設置一凹槽GV。如本文中所示，凹槽GV可與第二畫素區域PX2相鄰地設置於透射區域TA之一右邊緣處。

可增大第二畫素區域PX2來補償因形成第二非發射區域NA2而引起的發射面積減小。在此種情形中，由於難以使第二畫素區域PX2的與第一畫素區域PX1相鄰之一上邊緣或第二畫素區域PX2的與第三畫素區域PX3相鄰之一下邊緣變形，因而可藉由使第二畫素區域PX2之一左邊緣例如較第一畫素區域PX1及第三畫素區域PX3朝透射區域TA進一步延伸來增大第二畫素區域PX2。因此，第二畫素區域PX2之一寬度可寬於第一畫素區域PX1之一寬度，且可寬於第三畫素區域PX3之一寬度。另外，透射區域 TA可包含設置於與第二畫素區域PX2之左邊緣相鄰之一部分處之凹槽GV，俾使透射區域TA在與第二畫素區域PX2相鄰處之一寬度可窄於透射區域TA在與第一畫素區域PX1及第三畫素區域PX3相鄰處之一寬度。

可增大第一畫素區域PX1來補償因形成第一非發射區域NA1而引起的發射面積減小。在此種情形中，由於難以使第一畫素區域PX1的與第二畫素區域PX2相鄰之一下邊緣或第一畫素區域PX1的與透射區域TA相鄰之一左邊緣變形，因而可藉由使第一畫素區域PX1之一上邊緣進一步向上延伸至例如透射區域TA之一上邊緣以上來擴展第一畫素區域PX1。同樣地，可增大第三畫素區域PX3來補償因形成第三非發射區域NA3而引起的發射面積減小。在此種情形中，由於難以使第三畫素區域PX3的與第二畫素區域PX2相鄰之一上邊緣或第三畫素區域PX3的與透射區域TA相鄰之一左邊緣變形，因而可藉由使第三畫素區域PX3之一下邊緣進一步向下延伸至例如透射區域TA之一下邊緣以下來增大第三畫素區域PX3。

畫素區域PA之邊緣以及第一畫素區域PX1之邊緣及第三畫素區域PX3之邊緣可與各種導線交疊，而不會影響光發射。因此，可如上所述來增大畫素區域PA。然而，當透射區域TA與導線交疊時，由於此會影響透射率，因而不能輕易擴展透射區域TA。因此，自透射區域TA之上邊緣至透射區域TA之下邊緣之一長度ht1可短於自畫素區域PX之上邊緣至畫素區域PA之下邊緣之一長度ht2。

第21圖所示的第一非發射區域NA1之形狀、第二非發射區域NA2之形狀、及第三非發射區域NA3之形狀被例示為類似於第1圖所示的第一非發射區域NA1之形狀、第二非發射區域NA2之形狀、及第三非發射區域NA3之形狀，但本實例性實施例並非僅限於此。第21圖所示的第一非發射 區域NA1之形狀、第二非發射區域NA2之形狀、及第三非發射區域NA3之形狀可類似於第10圖、第14圖、第15圖、及第16圖至少其中之一所示的第一非發射區域NA1之形狀、第二非發射區域NA2之形狀及第三非發射區域NA3之形狀且另外可如上所述來增大。

另外，透射區域TA之形狀、第一畫素區域PX1之形狀、第二畫素區域PX2之形狀、及第三畫素區域PX3之形狀可以各種方式進行修改。

在下文中，將參照第22圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。根據第22圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第21圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，將不再對該等部分進行闡述。在本實例性實施例中，透射區域之一形狀不同於前述實例性實施例中之形狀，且現在將詳細地進行闡述。

第22圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖。如第22圖中所示，根據該實例性實施例之顯示裝置包含畫素區域PA及透射區域TA。

類似於前述實例性實施例，透射區域TA被變形為在一平面圖中具有一實質上矩形形狀，且透射區域TA在與第二畫素區域PX2相鄰處之一寬度可窄於透射區域TA在與第一畫素區域PX1及第三畫素區域PX3相鄰處之一寬度。

在前述實例性實施例中，於透射區域TA之僅一個邊緣處設置有凹槽GV(第21圖)，而在本實例性實施例中，在透射區域TA之相對的二個邊緣上分別設置有一第一凹槽GV1及一第二凹槽GV2。第一凹槽GV1與第二畫素區域PX2相鄰地設置於透射區域TA之一右邊緣處，且定位於第 一凹槽GV1之一相對側處之第二凹槽GV2設置於透射區域TA之一左邊緣處。第一凹槽GV1與第二凹槽GV2可係為對稱的。

在前述實例性實施例中，藉由使第二畫素區域PX2之一左邊緣延伸來增大第二畫素區域PX2，而在本實例性實施例中，藉由使第二畫素區域PX2之該左邊緣及一右邊緣延伸來增大第二畫素區域PX2。

雖然圖中未例示，但根據該實例性實施例之顯示裝置可包含複數個透射區域及複數個畫素區域。在第22圖所示透射區域TA之一左側處可定位有另一畫素區域，且第二凹槽GV2可與第二畫素區域處相鄰地設置於透射區域TA之一左側。

在下文中，將參照第23圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。根據第23圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第21圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，將不再對該等部分進行闡述。在本實例性實施例中，透射區域之形狀及第一畫素區域之形狀不同於前述實例性實施例中之形狀，且現在將詳細地進行闡述。

第23圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖。類似於前述實例性實施例，透射區域TA被變形為在一平面圖中具有一實質上矩形形狀，且透射區域TA在與第二畫素區域PX2相鄰處之一寬度可窄於透射區域TA在與第三畫素區域PX3相鄰處之一寬度。

在本實例性實施例中，透射區域TA在與第一畫素區域PX1相鄰處之某些部分之一寬度可窄於透射區域TA在與第三畫素區域PX3相鄰處之一寬度，例如，一凹槽GV可相鄰於第二畫素區域PX2之整體以及第一畫素區域PX1之一部分而延伸。

在本實例性實施例中，藉由使第一畫素區域PX1之一左邊緣之一下部部分中之某些部分延伸來增大第一畫素區域PX1。因此，透射區域TA在與第一畫素區域PX1之下部部分中之某些部分相鄰處及在與第二畫素區域PX2相鄰處之寬度可窄於其他部分之寬度。

在下文中，將參照第24圖闡述根據一實例性實施例之一顯示裝置。根據第24圖所示實例性實施例之顯示裝置包含諸多與根據第23圖所示實例性實施例之顯示裝置中相同之部分，將不再對該等部分進行闡述。在本實例性實施例中，透射區域之一形狀不同於前述實例性實施例中之形狀，且現在將詳細地進行闡述。

第24圖說明根據一實例性實施例之一顯示裝置之佈局圖。類似於前述實例性實施例，透射區域TA被變形為在一平面圖中具有一實質上矩形形狀，且透射區域TA在與第一畫素區域PX1之某些部分相鄰處及在與第二畫素區域PX2相鄰處之一寬度可窄於透射區域TA在與第三畫素區域PX3相鄰處之一寬度。

在前述實例性實施例中，於透射區域TA之僅一個邊緣處設置有凹槽GV(第23圖)，而在本實例性實施例中，於透射區域TA之二個相對的邊緣處分別設置有第一凹槽GV1及第二凹槽GV2。第一凹槽GV1與第一畫素區域PX1及第二畫素區域PX2相鄰地設置於透射區域TA之一右邊緣處，且第二凹槽GV2與第一畫素區域PX1及第二畫素區域PX2相鄰地設置於透射區域TA之一左邊緣處。第一凹槽GV1與第二凹槽GV2可係為對稱的。

在本實例性實施例中，藉由使第一畫素區域PX1之左邊緣之一部分及右邊緣之一部分延伸來增大第一畫素區域PX1。

作為總結及回顧，當電晶體與電極之間具有由有機材料製成之一鈍化層時，在正對該有機材料進行烘焙時，可能會在該鈍化層中產生氣體。雖然所產生氣體移動至鈍化層之一頂表面，但該氣體會被位於鈍化層上之一電極阻擋，以致氣體可能無法排出。有機發射層易於發生水分滲入，且可受自鈍化層產生之氣體影響，藉此使有機發射層之發射特性劣化。

相較而言，根據一或多個實施例，藉由在第一畫素區域中形成其中未定位有電極之大部分的非發射區域，即，鈍化層被電極暴露出，留存於鈍化層中之氣體可經由非發射區域充分排出。此外，藉由將自畫素區域之所有邊緣至非發射區域之距離皆設定成等於或小於約50微米，發射區域中之電極可不連續地遮擋鈍化層，進而使氣體能夠自鈍化層逸出。因此，可減輕或防止有機發射層之發射特性之劣化的發生。

本文中已揭露實例性實施例，且雖然採用了特定術語，但該等術語應僅以一般且說明性意義而非出於限制目的來加以使用及解釋。在某些例項中，如此項技術中具有通常知識者自本申請案提交時起即明瞭，除非另外指明，否則結合一特定實施例所述之特徵、特性、及/或元件可單獨使用，或者可與結合其他實施例所述之特徵、特性、及/或元件組合使用。因此，熟習此項技術者應理解，可在形式及細節上作出各種改變，此並不背離以下申請專利範圍中所陳述之本發明精神及範圍。

EA1‧‧‧第一發射區域/發射區域

EA2‧‧‧第二發射區域/發射區域

EA3‧‧‧第三發射區域/發射區域

NA1‧‧‧第一非發射區域/非發射區域

NA2‧‧‧第二非發射區域/非發射區域

NA3‧‧‧第三非發射區域/非發射區域

PA‧‧‧畫素區域

PX1‧‧‧第一畫素區域

PX2‧‧‧第二畫素區域

PX3‧‧‧第三畫素區域

TA‧‧‧透射區域

Claims (14)

1. 一種顯示裝置，包含：一基板，具有一第一畫素區域；一第一電極，位於該基板上；一鈍化層，位於該基板與該第一電極之間；一第二電極，位於該第一電極上；以及一有機發射層，位於該第一電極與該第二電極之間，其中該第一畫素區域包含一發射區域及被該發射區域環繞之一非發射區域。
2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中自該第一畫素區域之一邊緣至該第一畫素區域之該非發射區域之一距離等於或小於約50微米(μm)。
3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該第一電極及該有機發射層位於該第一畫素區域之該發射區域中。
4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中該基板包含一第二畫素區域及一第三畫素區域，該第二畫素區域及該第三畫素區域其中之每一者包含一發射區域及被該發射區域環繞之一非發射區域，自該第二畫素區域之一邊緣至該第二畫素區域之該非發射區域之一距離等於或小於約50微米，自該第三畫素區域之一邊緣至該第三畫素區域之該非發射區域之一距離等於或小於約50微米，以及該第一電極及該有機發射層位於該第二畫素區域之該發射區域及 該第三畫素區域之該發射區域中。
5. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含位於該第一畫素區域之該非發射區域中之一掩埋圖案(buried pattern)。
6. 如請求項5所述之顯示裝置，更包含：一畫素界定層(pixel defining layer)，環繞該第一畫素區域之一邊緣，其中該掩埋圖案係由與該畫素界定層相同之材料製成，且與該畫素界定層定位於同一層處。
7. 如請求項5所述之顯示裝置，其中該第一電極被形成為多個層，該多個層包含一透明導電材料層及一反射金屬材料層。
8. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一畫素區域之該非發射區域對該第一畫素區域之一比率等於或大於約5%且等於或小於約20%。
9. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一畫素區域之該非發射區域被形成為在一平面圖中具有一四邊形形狀、一圓形形狀、及一十字形狀(cross shape)至少其中之一。
10. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該第一畫素區域包含複數個非發射區域，以及彼此相鄰之該等非發射區域間之一距離等於或小於約50微米。
11. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一薄膜電晶體，連接至該第一電極， 其中該薄膜電晶體定位於該第一畫素區域中，以及其中該薄膜電晶體與該第一畫素區域之至少某些部分交疊。
12. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該鈍化層包含具有一第一高度之一第一部分及具有一第二高度之一第二部分，該第二高度大於該第一高度，該鈍化層之該第二部分位於該第一畫素區域之一邊緣處，以及該第一電極包含位於該鈍化層之該第一部分與該第二部分間之一台階(step)。
13. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一凹槽(groove)，在該第一畫素區域之該非發射區域中位於該鈍化層中，一掩埋圖案，位於該凹槽中，以及一畫素界定層，環繞該第一畫素區域之一邊緣，其中該凹槽之一寬度窄於該非發射區域之一寬度，以及其中該掩埋圖案係由與該畫素界定層相同之材料製成，且與該畫素界定層定位於同一層處。
14. 如請求項1所述之顯示裝置，更包含：一凹槽，與該第一畫素區域之一邊緣相鄰地位於該鈍化層中，一掩埋圖案，位於該凹槽中，以及一畫素界定層，與該掩埋圖案一體成形，以環繞該第一畫素區域之一邊緣，其中該掩埋圖案係由與該畫素界定層相同之材料製成。