TWI830969B - 光敏組成物及光刻方法 - Google Patents
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Abstract
本揭露涉及一種包含光引發劑和雙馬來醯亞胺組分的光敏組成物，包含該光敏組成物的光聚合物及其用途，尤其是在電子裝置中的用途。該雙馬來醯亞胺組分包括雙馬來醯亞胺化合物或雙馬來醯亞胺低聚物。
Description
本揭露涉及一種包含光引發劑和雙馬來醯亞胺組分的光敏組成物，包含該光敏組成物的光聚合物及其用途，尤其是在電子裝置中的用途。
微電子工業的快速發展已經產生了對用於光刻的介電聚合物材料的巨大需求，該介電聚合物材料具有用於封裝每個後續代的微電子裝置的改進的電特性。隨著速度的提高，電腦和其他電子裝置正在向更高的頻率發展。現在，許多系統在1至10GHz運行，而新的應用將以高達20GHz、或30GHz、或最高達100GHz的頻率運行。
塑膠通常被認為係絕緣體，但是它們可以以較高的頻率傳輸一些電能。材料作為絕緣體的有效性通常藉由像介電常數(Dk)和耗散因子(Df)等量來測量。Dk表示絕緣體存儲電能的程度，從而使電元件彼此之間隔離以及與地面隔離。耗散因子(Df或tan δ)係塑膠和其他電絕緣材料的電特性。它被定義為在指定頻率下絕緣材料的電容電抗與其電阻(等效串聯電阻或ESR)的比率的倒數。
材料的導電性越大，其Dk越大。良好的電介質還傾向於具有低的耗散因子(Df)。也就是說，當電場在高頻率下快速反向時，它們不會讓它們所攜帶的電荷輕易消散，而且它們以熱的形式損失的能量很少。低耗散因子表示高品質、高性能的電氣或電子系統。這對於高頻率應用中的塑膠絕緣體很重要。因此，期望提供用於高頻微電子學的具有低耗散因子的低介電常數的光刻材料。
許多方面和實施方式已在上文中描述並且僅是示例性的且非限制性的。在閱讀本說明書後，技術人員將瞭解的是，在不背離本揭露之範圍的情況下，其他方面和實施方式係可能的。
如本說明書通篇所使用的，除非上下文另有明確指示，否則以下縮寫應具有以下含義：°C = 攝氏度；g = 克；nm = 奈米，µm = 微米；mm = 毫米；sec. = 秒；並且min. = 分鐘。除非另外指出，否則所有量係重量百分比（「wt.%」）並且所有比率係莫耳比。所有數值範圍皆為包含端值的，並且可以按任何順序組合，除了顯然此數值範圍被限制為加起來最高達100%的情況之外。除非另外指出，否則所有聚合物和低聚物的分子量均為重量平均分子量（「Mw」），單位為g/mol或道耳頓，並且是使用凝膠滲透層析法與聚苯乙烯標準品進行比較而測定的。
除非上下文另有明確指示，否則冠詞「一個（a）」、「一種（an）」和「該」係指單數和複數。如本文使用的，術語「和/或」包括相關項中的一個或多個的任何和全部組合。術語「可固化的」係指在使用條件下變得更硬並且在溶劑中溶解性較小的材料。
在本說明書中，術語「膜」和「層」可互換使用。術語「單體」係指可以進行聚合或共聚從而向大分子（聚合物）的基本結構貢獻結構單元的分子。術語「低聚物」係指具有有限和中等數量的重複單體結構單元的聚合物。本揭露之低聚物典型地具有2至約100個重複單體單元、或2至約30個重複單體單元、或2至約10個重複單體單元。術語「聚合物」係指由重複單體單元組成的分子。本文使用的術語「聚合物」係指由一種單體單元組成的均聚物，和/或由兩種或更多種不同單體作為聚合單元組成的共聚物。本揭露中的聚合物可含有有機和/或無機添加劑。
術語「烷氧基」係指基團RO-，其中R係烷基基團。術語「烷基」係指衍生自脂肪族烴的基團並且包括直鏈、支鏈、或環狀基團。「衍生自」化合物的基團表示藉由除去一個或多個氫或氘形成的基團。在一些實施方式中，烷基具有1至20個碳原子。
術語「芳族化合物」係指包含至少一個具有4n+2非定域π電子的不飽和環狀基團的有機化合物。術語「芳基」係指衍生自芳族化合物的具有一個或多個附接點的基團。該術語包括具有單環的基團以及具有可以藉由單鍵連接或稠合在一起的多個環的基團。碳環芳基基團在環結構中僅具有碳。雜芳基基團在環結構中具有至少一個雜原子。術語「烷芳基」係指具有一個或多個烷基取代基的芳基基團。術語「芳氧基」係指基團RO-，其中R係芳基基團。
術語「相鄰」在其涉及取代基時係指鍵合到用單鍵或多鍵連接在一起的碳上的基團。以下示出示例性相鄰的R基團：
術語「液體組成物」係指材料溶解在其中以形成溶液的液體介質、材料分散在其中以形成分散體的液體介質、或材料懸浮在其中以形成懸浮液或乳液的液體介質。術語「溶劑」係指在室溫（20°C-25°C）下為液體的有機化合物。該術語旨在涵蓋單一有機化合物或者兩種或更多種有機化合物的混合物。
除非另有定義，否則本文使用的所有技術和科學術語均具有與本揭露所屬領域普通技術人員所通常理解的相同含義。儘管與本文所述之那些類似或等同的方法和材料可用於本揭露之實施方式的實踐或測試中，但在下面描述了合適的方法和材料。此外，材料、方法和實例僅為說明性的並且不旨在係限制性的。
在本說明書中，除非由使用上下文另外明確指明或相反指示，否則其中在本發明主題的實施方式被陳述或描述為包含（comprising）、包括（including）、含有（containing）、具有某些特徵或要素、由某些特徵或要素組成或由某些特徵或要素構成時，除了明確陳述或描述的那些之外的一個或多個特徵或要素也可存在於該實施方式中。所揭露的本發明主題的替代實施方式被描述為基本上由某些特徵或要素組成，其中將實質性改變操作原理或實施方式的區別特徵的實施方式特徵或要素在此不存在。所描述的本發明主題的另一個替代實施方式被描述為由某些特徵或要素組成，在該實施方式中或在其非本質變型中，僅存在所具體陳述或描述的特徵或要素。
至於本文未描述的範圍，有關特定材料、加工行為和電路的許多細節均是常規的並且可以在光致抗蝕劑、有機發光二極體顯示器、光伏打檢測器、光伏電池、和半導體構件領域的教科書和其他來源中找到。
提供了一種光敏組成物，其包含光引發劑和雙馬來醯亞胺（BMI）組分，其中該光引發劑係肟酯化合物，基於該雙馬來醯亞胺組分的重量，該肟酯化合物以0.5至25重量百分比存在。
在一個方面，雙馬來醯亞胺組分係雙馬來醯亞胺化合物。雙馬來醯亞胺化合物可以由如下所示的通式 (I) 表示：(I)
其中R係取代或未取代的連接基團，其選自由以下組成之群組：伸烷基、伸烷基芳基、伸環烷基、伸環烷基芳基、環烷基伸烷基二烷基矽氧烷、二芳基矽氧烷及其組合；並且R1
選自由以下組成之群組：氫、氘、鹵素、氰基、甲基、乙烯基、烯丙基、異戊二烯、具有1-100個碳原子的取代或未取代的異戊二烯及其組合。在一個實施方式中，R可以是具有1至100個碳原子、或2至50個碳原子、或5至20個碳原子的伸烷基基團。
在另一個方面，雙馬來醯亞胺化合物可以是雙馬來醯亞胺低聚物。雙馬來醯亞胺低聚物可以由如下所示的通式 (II) 表示：(II)
其中R2
係H或CH3
；R3
係C1
-C40
烷基、烷基聚二甲基矽氧烷或烷基芳基；R4
選自由以下組成之群組：，，，及其組合；並且
n係1至10的整數。
雙馬來醯亞胺組分的實例可以包括但不限於：C36伸烷基二胺醯亞胺，例如1,1'-((4-己基-3-辛基環己烷-1,2-二基)雙(辛烷-8,1-二基))雙(1H-吡咯-2,5-二酮)（BMI-689，可商購自設計者分子公司（Designer Molecules, Inc.）），1,6'-雙馬來醯亞胺-(2,2,4-三甲基)己烷（TMH-BMI，可商購自日本大和化成工業株式會社（Daiwa Kasei Industry Co., Ltd., Japan））、1,3-雙(3-馬來醯亞胺苯氧基)苯（APB-BMI，可商購自Hampford研究公司）、1,1'-[2,2'-雙(三氟甲基)[1,1'-聯苯]-4,4'-二基]雙[1H-吡咯-2,5-二酮]（MA-TFMB）、2,2-雙[4-(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯基]六氟丙烷（BMP3 CF3）和1,3-雙(4-馬來醯亞胺基苯氧基)苯（1,3雙4-PhoBMI）、1-(3-(5-(2,5-二氧-2,5-二氫-1H-吡咯-1-基)苯并[d]㗁唑-2-基)苯基)-1H-吡咯-2,5-二酮、1,1'-(磺醯基雙(4,1-伸苯基))雙(1H-吡咯-2,5-二酮)、1,1'-(磺醯基雙(3,1-伸苯基))雙(1H-吡咯-2,5-二酮)、1,1'-(1,1,3,3-四甲基二矽氧烷-1,3-二基)雙(丙烷-3,1-二基)雙(1H-吡咯-2,5-二酮)、1,1'-(亞甲基雙(2-乙基-6-甲基-4,1-伸苯基))雙(1H-吡咯-2,5-二酮)（BMI5100，可商購自日本大和化成工業株式會社）、1,1'-(1,3-伸苯基)雙(1H-吡咯-2,5-二酮)（BMI3000H，可商購自日本大和化成工業株式會社）、1,1'-(癸烷-1,10-二基)雙(1H-吡咯-2,5-二酮)、1,1'-(1,3,5-三𠯤-2,4-二基)雙(1H-吡咯-2,5-二酮)、1,1'-((全氟丙烷-2,2-二基)雙(4,1-伸苯基))雙(1H-吡咯-2,5-二酮)、1,1'-((9H-茀-9,9-二基)雙(4,1-伸苯基))雙(1H-吡咯-2,5-二酮)、以及1,1'-(亞甲基雙(4,1-伸苯基))雙(1H-吡咯-2,5-二酮)。更多商業雙馬來醯亞胺組分可以包括但不限於BMI 1400、BMI 1500、BMI 1700、BMI 4000和BMI 5000，其可商購自設計者分子公司。
基於雙馬來醯亞胺組分的重量，肟酯化合物可以以0.5至25重量百分比、或1至25重量百分比、或2至10重量百分比、或5至15重量百分比存在。肟酯化合物的實例可以包括但不限於以下所示的化合物及其組合：，，，和
其中R1
係CO2
Ph、CO2
Me或CO2
Et；R2
係酮、芳基、芳基醚、硫化物芳基醚或烷基；R3
係H、OH、COOH或甲基；R4
和R5
各自獨立地是具有1-10個碳原子的烷基基團、環烷基基團或苯基基團；R6
和R7
各自獨立地是具有1-10個碳原子的烷基基團、環烷基基團或苯基基團；R8
係具有1至5個碳原子的烷基基團；R9
係H、甲基或乙醯基；R10
係NO2
或ArCO；R11
係具有1至6個碳原子的烷基基團；並且R12
和R13
各自獨立地是具有1-10個碳原子的烷基基團、環烷基基團或苯基基團。Ar係芳基基團，例如苯基基團或甲苯基基團。
肟酯化合物的市售產品的實例可以包括但不限於IRGACURE OXE 01（1,2-辛二酮，1-[4-(苯硫基)-, 2-(O-苯甲醯肟)]）和IRGACURE OXE 02（乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-, 1-(O-乙醯肟)），可商購自巴斯夫公司（BASF）；ADEKA ARKLS NCI-930和ADEKA Optomer N-1919，可商購自日本旭電化工公司（ADEKA CORPORATION）；以及DFI-091，可商購自大東化工有限公司（Daito Chemix, Corporation）。肟酯化合物的更多描述可以在美國專利申請號2017/0003588 A1中找到，其全部內容藉由引用併入本文。
在一個實施方式中，肟酯化合物可以是，或。
在一個方面，光敏組成物可以進一步包含熱固性聚合物。然後可以將熱固性聚合物在輻射下交聯。在一個實施方式中，熱固性聚合物可以由如下所示的通式 (III) 表示：(III)
其中Ar1
係含有N、S、O或P原子的雜環；R2
係H、CH3
、乙基或三級丁基；R3
係H、CH3
、C1
-C12
烷基或C1
-C12
烯烴；R4
係環丁烯、1-環丁烯、1-氧基-環丁烯或α-甲基環丁烯；l係0至10的整數；R6
係具有1至12個碳原子的烷基基團、環烷基基團或芳基基團；n係5至70的整數；m係5至50的整數；並且o係5至50的整數；並且p係5至50的整數，其中l + n + m + o + p = 100。
在另一個方面，光敏組成物可以進一步包含至少一種可聚合的單體。該可聚合的單體可以是芳基環丁烯單體。在一個實施方式中，該芳基環丁烯單體具有式 (IV)、(V) 或 (VI)，如下所示：(IV)(V)(VI)
其中：
K1
係二價基團，其選自由以下組成之群組：烷基、芳基、碳環
芳基、多環芳基、雜芳基、芳氧基、芳基烷基、羰基、酯、羧基、醚、硫酯、硫醚和三級胺；
L1
係共價鍵或多價連接基團；
M係取代或未取代的二價芳族或聚芳族基團，或取代或未取代的二價雜芳族基團；
R2
- R5
係相同或不同的，並且各自獨立地選自由以下組成之群組：取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的芳氧基、烷基硫醇、芳基硫醇、取代的烷基胺基和取代的芳基胺基；
R6
- R8
係相同或不同的，並且各自獨立地選自由以下組成之群組：氫、氘、氰基、鹵素、甲基、乙烯基、烯丙基、異戊二烯和具有1-100個碳原子的取代或未取代的異戊二烯；
K2
係可聚合的官能基；並且
x和y係相同或不同的，並且是1-5的整數，其中當L1
係共價鍵時，y = 1。
芳基環丁烯單體的實例可以包括但不限於1-(4-乙烯基苯氧基)-苯并環丁烯、1-(4-乙烯基甲氧基)-苯并環丁烯、1-(4-乙烯基苯基)-苯并環丁烯、1-(4-乙烯基羥基萘基)-苯并環丁烯、4-乙烯基-1-甲基-苯并環丁烯、4-乙烯基-1-甲氧基-苯并環丁烯和4-乙烯基-1-苯氧基-苯并環丁烯。
如上所述之光敏組成物中的可聚合的單體可以進一步包含至少一種如通式 (VII) 所示的親二烯體單體：(VII)
其中B係氫、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳族部分、取代或未取代的雜芳族部分、羥基或取代或未取代的烷氧基；並且R9
-R11
係相同或不同的，並且各自獨立地選自由以下組成之群組：氫、甲基、乙烯基、烯丙基、異戊二烯、具有1-100個碳原子的取代或未取代的異戊二烯、具有1至100個碳原子的取代或未取代的烷基基團、鹵素、氰基、具有6至100個碳原子的取代或未取代的芳基基團、具有6至100個碳原子的取代或未取代的雜芳基基團及其組合。
在一個實施方式中，親二烯體單體可以是芳族乙烯基單體，其具有式 (VIII)：(VIII)
其中：
R12
- R14
在每次出現時係相同或不同的，並且選自由以下組成之群組：氫和C1-5
烷基；並且
R15
在每次出現時係相同或不同的，並且選自由以下組成之群組：氫和C1-5
烷基，其中相鄰的R15
基團可以連接以形成稠合的6員芳族環。
芳族乙烯基單體的實例可以包括但不限於苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、1-乙烯基萘和2-乙烯基萘。
如上所述之光敏組成物中的可聚合的單體可以進一步包含至少一種二烯單體。二烯單體可以具有通式 (IX)，如下所示：(IX)
其中R9
在每次出現時係相同或不同的，並且選自氫和甲基；並且R10
在每次出現時係相同或不同的，並且選自氫、C1-5
烷基、C1-5
烷氧基、C1-5
硫代烷基和C5-12
烯基。
二烯單體的實例可以包括但不限於丁二烯、異戊二烯、1,3-戊二烯、2,4-己二烯、環戊二烯、β-月桂烯、羅勒烯、環辛二烯、法呢烯和可聚合的萜烯。
如上所述之光敏組成物中的可聚合的單體可以進一步包含至少一種含雜環的單體。含雜環的單體可以是乙烯基取代的C3-12
雜環或乙烯基取代的C3-5
雜環。在一個實施方式中，雜環可以進一步被一個或多個C1-6
烷基、C6-12
碳環芳基或C3-12
雜芳基取代。
含雜環的單體選自由以下組成之群組：氮雜環、硫雜環、氮-硫雜環以及其取代的衍生物。
在一個實施方式中，含雜環的單體可為以係含氮雜環的單體。含氮雜環的單體可以包含至少一個環氮。含氮雜環的共聚單體的實例可以包括但不限於吡咯、吡啶、二𠯤、三𠯤、咪唑、苯并咪唑和喹啉酮。
含氮雜環的單體可以具有通式 (X)，如下所示：(X)
其中Z1
和Z2
係相同或不同的並且是N或CR15a
；R12
- R14
和R15a
在每次出現時係相同或不同的，並且選自由以下組成之群組：氫和C1-5
烷基。
這樣的含氮雜環的單體的實例可以包括但不限於4-乙烯基吡啶、4-乙烯基-1,3-二𠯤、2-乙烯基-1,3,5-三𠯤和4-甲基-5-乙烯基-1,3-噻唑。
在另一個實施方式中，含雜環的單體可以是含硫雜環的單體。含硫雜環的單體可以包含至少一個環硫。含硫雜環的單體的實例可以包括但不限於噻吩、苯并噻吩和二苯并噻吩。
在又另一個實施方式中，含雜環的單體可以是含氮-硫雜環的單體。含氮-硫雜環的單體可以包含至少一個環氮和至少一個環硫。含氮-硫雜環的單體的實例可以包括但不限於噻唑、噻二唑和噻二𠯤。
如上所述之光敏組成物中可以存在至少一種溶劑。溶劑的實例可以包括但不限於環戊酮、環己酮、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、γ-丁內酯、3-甲氧基丙酸酯、二丙二醇二甲醚、3-甲氧基乙酸丁酯、苯甲醚、均三甲苯、2-庚酮、cyrene、2-丁酮、乳酸乙酯、乙酸戊酯、乙酸正丁酯、正甲基-2-吡咯啶酮、N-丁基-2-吡咯啶酮及其組合。
可以藉由使光敏組成物中的上述一種或多種可聚合的單體聚合來形成聚合物，並且然後可以在輻射下使所形成的聚合物交聯。該聚合物可以在自由基引發劑或其他光敏化合物的存在下形成。在一個實施方式中，聚合過程可以在50°C-150°C的溫度下進行5-50小時的時間段。
自由基引發劑通常是偶氮化合物或有機過氧化物。在一個實施方式中，自由基引發劑係油溶性偶氮化合物。這樣的引發劑可以包括例如二甲基2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)和2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)。基於起始反應混合物的重量，添加的總引發劑可以為1-5 wt.%。
如上所述之光敏組成物中可以存在一種或多種另外的抑制劑。在一些實施方式中，抑制劑係受阻酚或哌啶-N-氧化物。該抑制劑可以選自由以下組成之群組：2,6-二三級丁基-4-甲基苯酚、2,5-二三級丁基-1,4-苯并氫醌、2-三級丁基氫醌、2,3,5-三甲基-1,4-氫醌、4-甲氧基苯酚、2,2,6,6-四甲基-1-哌啶基氧基、4-羥基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶基氧基、二苯并-1,4-噻𠯤、雙(2,4-二三級丁基苯基)新戊四醇二磷酸酯、三乙二醇雙[β-(5-三級丁基-4-羥基-3-甲基苯基)丙酸酯]以及2,6-二三級丁基-4-十八烷基苯酚，及其組合。
抑制劑的實例可以包括但不限於以下所示的以下化學結構： 和
可以將一種或多種非離子表面活性劑添加到如上所述之光敏組成物中。非離子表面活性劑的實例可以包括但不限於：和，
其中R係CH2
CF3
或CH2
CF2
CF3
，n係3-20的整數，x係5-20的整數，y係10-30的整數，並且z係5-20的整數。這樣的表面活性劑可以以0至40 g/L或0至25 g/L的量存在。
如上所述之光敏組成物可以進一步包含至少一種黏合促進劑。黏合促進劑可以是氧、硫或氮官能化的矽烷偶合劑。
在一個實施方式中，黏合促進劑可以選自由以下組成之群組：甲基丙烯醯氧基-3-丙基三烷氧基矽烷、3-巰基三烷氧基矽烷、4-乙烯基苯基乙基三烷氧基矽烷、苯基三烷氧基矽烷、4-乙烯基苯基三烷氧基矽烷、乙烯基三烷氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、N-2-[3-(三烷氧基矽基)丙基]-1,3,5-三𠯤-2,4,6-三胺、3-脲基丙基-三烷氧基矽烷、雙[3-(三烷氧基矽基)丙基]富馬酸酯、N-[3-(三烷氧基矽基)丙基]馬來醯胺酸、雙[3-(三烷氧基矽基)丙基]馬來酸酯、三烷氧基矽基丙基琥珀酸酐。烷氧基可以是甲氧基、乙氧基或異丙氧基。黏合促進劑還可以是一種或多種含有兩個或更多個氮原子的芳族雜環，例如咪唑、苯并三唑、5-甲基苯并三唑、5-羧基苯并三唑、1,3,5-三𠯤-2,4,6-三硫醇、1,3,4-噻二唑-2,5-二硫醇及其組合。
黏合促進劑的實例可以包括但不限於以下所示的以下化學結構：
另外，可以使用本領域中已知的各種蒸氣處理來增加本揭露之聚合物對基底表面的黏附，例如電漿處理。在某些應用中，在用本發明的組成物塗覆表面之前，可以較佳的是使用黏合促進劑處理基底表面。
可用於本揭露之光敏組成物中的合適的添加劑包括但不限於一種或多種無機填料、有機填料、增塑劑、金屬鈍化材料以及前述任何一種的組合。任何合適的無機填料都可視需要用於本發明的組成物中，並且是熟悉該項技術者眾所周知的。示例性的無機填料包括但不限於二氧化矽、碳化矽、氮化矽、氧化鋁、碳化鋁、氮化鋁、氧化鋯等及其混合物。無機填料可以是粉末、棒、球或任何其他合適形狀的形式。這樣的無機填料可以具有任何合適的尺寸。這樣的無機填料可以包含常規量的偶合劑，例如矽烷或鈦酸酯。
基於組成物的總重量，無機填料可以以0至80 wt.%或40至80 wt.%的量作為固體使用。在一些實施方式中，不存在無機填料。
在一個實施方式中，金屬鈍化材料係銅鈍化劑。合適的銅鈍化劑係本領域眾所周知的，並且包括咪唑、苯并三唑、乙二胺或其鹽或酸酯，以及亞胺基二乙酸或其鹽。
本揭露還涉及光敏介電膜。光敏介電膜可以由上述光敏組成物製備。可以使用任何已知的技術和設備將光敏組成物施加或沈積在基底的表面上。該組成物可以作為基本上連續的膜或以不連續的圖案施加，並且加熱以除去溶劑。沈積的組成物的厚度可以變化，這取決於所得的固化產物的期望厚度。本揭露之組成物可用於形成適合用作介電層、永久黏結黏合劑、應力緩衝層等的層或膜。在基底上形成的介電膜可以直接使用，或者可以剝離並在電子裝置中的不同基底上使用。
在本揭露中可以使用本領域已知的任何基底。基底的實例可以包括但不限於矽、銅、銀、銦錫氧化物、二氧化矽、玻璃、氮化矽、鋁、金、聚醯亞胺和環氧模塑化合物。
本揭露之光敏組成物可以藉由任何合適的方法沈積或塗覆在基底上。用於佈置本發明的組成物的合適方法包括但不限於旋塗、幕塗、噴塗、輥塗、浸塗、氣相沈積和層壓例如真空層壓，以及其他方法。在半導體製造工業中，旋塗係一種利用現有設備和製程的較佳的方法。在旋塗時，可隨著旋轉速度調節組成物的固體含量，以在其施加的表面上達到期望的組成物厚度。經沈積或塗覆的基底可以在合適的輻射下固化以形成本揭露之光敏介電膜。如果需要，可以在其後進行另外的加熱步驟以進一步將膜固化。
輻射通常可以從150 nm延伸至600 nm，或從190 nm延伸至600 nm（UV至可見光範圍）。合適的輻射存在於例如太陽光或來自人造光源的光中。光源沒有特別的限制並且可以根據目的適當地選擇。點光源和陣列（「燈罩（lamp carpet）」）均是合適的。其實例包括：碳弧燈，氙弧燈，可能具有金屬鹵化物摻雜物的低、中、高和超高壓汞燈（金屬鹵素燈），微波刺激的金屬蒸氣燈，準分子燈，超光化螢光燈管，螢光燈，氬氣白熾燈，電子手電筒，攝影泛光燈，發光二極體（LED），電子束和X射線。燈和待暴露的包括本揭露之光敏組成物的基底材料之間的距離可以根據預期的應用以及燈的類型和輸出而變化，並且可以例如為20 µm至150 cm。雷射光源，例如準分子雷射器，例如在157 mm暴露下的F準分子雷射器，用於在248 nm下暴露的KrF準分子雷射器和用於在193 nm下暴露的ArF準分子雷射器也是合適的。也可以使用在可見光區域中的雷射。視需要，可以使用解析度增強的其他特徵物，例如透鏡。在使用透鏡的情況下，可以使用0.05至0.6或0.1至0.3的數值孔徑。
在本實施方式的光敏介電膜中，當將兩個層的總膜厚度設定為1至80 µm時，光敏樹脂層的在248 nm至436 nm的波長帶中的最小透光率可以是80%或更大，或85%或更大。
在一個實施方式中，可以將本文所述之光敏組成物旋轉流延到期望的基底上。可以藉由狹縫式模頭塗布機或其他合適的設備流延該組成物，以形成電子應用所期望的乾膜。可以在70°C-150°C或90°C-120°C的溫度下將流延膜軟烘30秒至10分鐘，以除去殘留的溶劑。
然後可以使軟烘的膜在如上所述之輻射下經受固化條件。如果需要，可以將膜進一步在150°C-250°C下固化30分鐘至4小時。所得的固化的膜具有良好的拉伸強度、拉伸伸長率、對期望的基底（例如銅和矽晶圓）的良好的黏附性以及在高頻率下的低介電損耗。本文揭露的光敏組成物在不借助任何種類的無機填料的情況下即可獲得該等良好的特性。
在另一個實施方式中，本揭露之光敏組成物的層也可以作為乾膜形成並且藉由層壓佈置在基底的表面上。可使用多種合適的層壓技術，包括真空層壓技術，並且是熟悉該項技術者眾所周知的。在形成乾膜時，首先使用狹縫式模頭塗布、凹版印刷或其他適當的方法將本發明的組成物佈置（例如塗覆）在合適的膜支撐片（例如聚酯片，較佳的是聚對苯二甲酸乙二酯（PET）片，或聚醯亞胺片例如KAPTON™聚醯亞胺（杜邦公司（DuPont），德拉瓦州威明頓市）的前表面上。然後將組成物在合適的溫度（例如90°C至140°C）下軟烘適當的時間（例如1至30分鐘）以除去任何溶劑。然後將聚合物膜覆蓋片（例如聚乙烯）在室溫（20°C-25°C）下輥層壓到乾燥的組成物上，以在儲存和處理期間保護組成物。為了將乾燥的組成物佈置到基底上，首先將覆蓋片除去。然後，使用輥層壓或真空層壓將在支撐片上的乾燥的組成物層壓到基底表面上。層壓溫度可以為20°C至120°C。然後除去（剝離）支撐片，將乾燥的組成物留在該表面上。
本文所述之光敏組成物可用於形成這樣的介電膜：其在高頻率（20至40 GHz）下的Dk值小於2.5或小於2.4並且Df值小於0.006或小於0.005或小於0.004或小於0.0035。在一個實施方式中，介電膜在20 GHz的頻率下的Dk ≤ 2.5或 ≤ 2.4並且Df ≤ 0.004或 ≤ 0.035。在另一個實施方式中，介電膜在30 GHz的頻率下的Dk ≤ 2.35並且Df ≤ 0.004。在又另一個實施方式中，介電膜在40 GHz的頻率下的Dk ≤ 2.35並且Df ≤ 0.006。
本揭露還涉及多種多樣的電子裝置，其包括在電基底上的至少一層本申請的介電膜。多種多樣的電子裝置基底可以在本揭露中使用。電子裝置基底係用於製造任何電子裝置的任何基底。示例性的電子裝置基底包括但不限於半導體晶圓、玻璃、藍寶石、矽酸鹽材料、氮化矽材料、碳化矽材料、顯示裝置基底、環氧模塑化合物晶圓、電路板基底和熱穩定聚合物。如本文使用的，術語「半導體晶圓」旨在涵蓋半導體基底、半導體裝置以及用於各種互連水平的各種封裝物，包括單晶圓晶圓、多晶圓晶圓、用於各種水平的封裝物、用於發光二極體（LED）的基底或其他需要焊接連接的組件。半導體晶圓，例如矽晶圓、砷化鎵晶圓和矽鍺晶圓，可以被圖案化或未被圖案化。如本文使用的，術語「半導體基底」包括具有一個或多個半導體層或結構的任何基底，該半導體層或結構包括半導體裝置的活性或可操作部分。術語「半導體基底」被定義為意指包含半導體材料的任何構造，例如半導體裝置。半導體裝置係指半導體基底，在其上已經製造或正在製造至少一種微電子裝置。熱穩定的聚合物包括但不限於對用於將芳基環丁烯材料固化的溫度穩定的任何聚合物，例如聚醯亞胺，例如KAPTON™聚醯亞胺（杜邦公司，德拉瓦州威明頓市），液晶聚合物，例如VECSTAR™ LCP膜（可樂麗公司（Kuraray），日本東京）和雙馬來醯亞胺-三𠯤（BT）樹脂（三菱瓦斯化學株式會社（MGC），日本東京）。
本揭露還涉及一種包含親水性載體和成像層的預敏化的光刻印刷板，該成像層包含光敏組成物，以及一種用於製造該預敏化的光刻印刷板的光刻方法。該光刻方法包括以下步驟：(a) 以成像方式加熱包含親水性載體和成像層的預敏化的光刻印刷板，該成像層包含該光敏組成物；(b) 將該板暴露於紫外（UV）光；和 (c) 用溶液溶解並除去非成像區域。該光敏組成物與先前描述的那些相同。
親水性載體可以由金屬、塑膠或紙製成。載體可以是經表面處理的鋁板、經親水處理的塑膠膜或防水紙。具體地，載體可以是經受陽極氧化的鋁板、設置有親水層的聚對苯二甲酸乙二酯膜或層壓有聚乙烯膜的紙。
在一個實施方式中，可以使用經受陽極氧化的鋁板。鋁板可以是純鋁板，或包含鋁的主要成分和少量其他金屬的合金板。除鋁以外的金屬的實例包括Si、Fe、Mn、Co、Mg、Cr、Zn、Bi、Ni和Ti。其他金屬的量可以是10 wt. %或更少。鋁板的厚度為0.05至0.6 mm，或0.1至0.4 mm，或0.15至0.3 mm。
鋁板的表面可以進行粗化處理。粗化處理可以以機械、電化學或化學方式進行。機械粗化處理的實例包括球磨處理、刷磨處理、噴磨（blast grinding）處理和拋磨（buff grinding）處理。電化學粗化處理可以藉由以下方法進行，其中在含有酸（例如鹽酸或硝酸）的電解溶液中將直流電或交流電施加到板上。可以在兩種或更多種酸的混合物中進行電解粗化處理。化學粗化處理可以通以下方法進行，其中將鋁板浸入具有無機酸的鋁鹽的飽和水溶液中。在粗化處理之後，鋁板的表面粗糙度Ra（沿著中心線的平均值）可以是0.2至1.0 µm。
在粗化處理之後，可以對鋁板進行鹼蝕刻處理。鹼蝕刻溶液可以是氫氧化鉀或氫氧化鈉的水溶液。可以在鹼蝕刻處理之後進行中和處理。
然後可以對鋁板進行陽極氧化處理以提高載體的耐磨性。陽極氧化處理可以使用各種電解質來形成多孔氧化膜。電解質的實例包括硫酸、鹽酸、草酸、鉻酸及其混合物。
陽極氧化處理通常在以下條件下進行：電解溶液的濃度為1至80 wt. %，溶液的溫度為5至70°C，電流密度為5至60 A/dm2
，電壓為1至100 V，並且電解的時間為10秒至5分鐘。藉由陽極氧化形成的氧化膜的厚度為1.0至5.0 g/m2
，或1.5至4.0 g/m2
。
另外，可以在成像層上提供水溶性外塗層，以保護成像層的表面免受親油性物質引起的污染。水溶性外塗層由在印刷中可以容易除去的物質（例如水溶性有機聚合物）製成。水溶性有機聚合物的實例可以包括但不限於聚乙烯醇、聚乙酸乙烯酯、聚丙烯酸、其與鹼金屬和胺的鹽、聚甲基丙烯酸、其與鹼金屬和胺的鹽、聚丙烯醯胺、聚丙烯酸羥乙酯、聚乙烯吡咯啶酮、聚乙烯基甲基醚、聚-2-丙烯醯胺-2-甲基-1-丙磺酸、其與鹼金屬和胺的鹽、阿拉伯膠、纖維素醚（例如羧甲基纖維素、羧乙基纖維素、甲基纖維素）、糊精和其衍生物（例如白色糊精、被酶分解的糊精、醚化糊精、短梗黴聚糖）。
水溶性有機聚合物可以是共聚物。共聚物的實例可以包括但不限於乙烯醇-乙酸乙烯酯共聚物（部分皂化的聚乙酸乙烯酯）和乙烯基甲基醚-馬來酸酐共聚物。在藉由使聚乙酸乙烯酯部分皂化來製備乙烯醇-乙酸乙烯酯共聚物的情況下，皂化度可以為65%以上。可以組合使用兩種或更多種水溶性有機聚合物。水溶性外塗層的量可以是0.1至2.0 g/m2
。
可以將預敏化的光刻印刷板以成像方式加熱以形成圖像。在一個實施方式中，可以用熱記錄頭來以成像方式加熱該預敏化的板。使用熱敏頭的圖像形成不需要能夠將光轉換為熱的試劑。因為熱記錄頭通常給出具有低解析度的圖像，所以可以使用能夠將光轉換為熱的試劑。以成像方式曝光通常會提供具有更高解析度的圖像。
可以將預敏化的板藉由原始圖像（模擬數據）以成像方式曝光。也可以使用與原始圖像數據（通常是數位數據）相對應的光來掃描該預敏化的板。在模擬暴露中，光源可以是氙氣放電燈或紅外燈。在使用大功率燈（例如氙氣燈）作為光源的情況下，可以在短時間內進行閃光曝光。
在後者的掃描曝光中，通常可使用雷射，特別是紅外雷射。紅外雷射可以發出700至1,200 nm波長範圍內的光線。雷射器可以是高功率固體紅外雷射器（例如，半導體雷射器、YAG雷射器）。
當含有能夠將光轉換為熱的試劑的成像層暴露於掃描雷射光束時，該束的光能被轉換成熱能。使在預敏化的板的加熱區域（成像區域）中的其本揭露之光敏組成物聚合和/或交聯以使加熱區域硬化。如果化合物或聚合物包含在顆粒中，則加熱區域中的顆粒會熔化並融合，從而在親水性載體上形成疏水性區域。另一方面，未加熱區域（非成像區域）中的化合物或聚合物在板中沒有改變。在上述光刻方法中，還可以在步驟 (b) 與 (c) 之間增加加熱步驟。
在成像層中不使用顆粒的情況下（其中成像層係均勻的），可以將酸性基團引入成像層中的聚合物中，以藉由用鹼性顯影溶液清洗板來除去未加熱區域（非成像區域）。
在成像層中包含顆粒的情況下，可以用水或水溶液除去未加熱區域（非成像區域）中的顆粒。除去顆粒的步驟（顯影步驟）可以用壓力顯影（press development）代替。在壓力顯影中，將以成像方式加熱的板安裝在印刷機中，並進行常規印刷處理。可以藉由使用潤版水（dampening water）和油墨的印刷處理來使板顯影，並且隨後藉由使用該板、潤版水和油墨來進行印刷方法。當印刷機工作時，用潤版水、油墨或印刷處理的摩擦力來除去成像層的未加熱區域（非成像區域）。
在一個實施方式中，該光刻方法可以包括以下步驟：(a) 在印刷機的滾筒上安裝包含親水性載體和成像層的預敏化的光刻印刷板，該成像層包含本揭露之光敏組成物，(b) 將板暴露於雷射（從連接到印刷機的光源發射），並用潤版水和油墨對該板進行壓力顯影。可以使用配備有雷射曝光設備的印刷機來連續進行曝光到列印的步驟。
在顯影之後，可以加熱印刷板以引起未反應的化合物或聚合物（其殘留在成像區域中）的反應，從而進一步提高印刷板的耐久性（板磨損）。
實例
本文所述之概念將在以下實例中進一步說明，該實例不限制請求項中所述之本揭露之範圍。
材料：
β-月桂烯購自Vigon國際公司。苯乙烯購自西格瑪-奧德里奇公司（Sigma-Aldrich Corporation）。乙烯基甲苯從玳爾科技公司（Deltech Corporation）獲得。Vazo 65偶氮引發劑（V-65）和V-601購自富士膠片和光化學美國公司（FUJIFILM Wako Chemicals U.S.A. Corporation）。4-乙烯基吡啶從凡特魯斯公司（Vertellus）獲得並且按原樣使用。Polyfox PF656從歐諾法公司（Omnova Solutions）獲得。7-辛烯基三甲氧基矽烷（KBM-1083）和雙官能胺基矽氧烷（PAM-E）從信越化學工業株式會社（Shin-Etsu Chemical Company）獲得。雙馬來醯亞胺BMI-689和BMI-1400從設計者分子公司獲得。4-羥基TEMPO、Irgacure OXE01（OXE01）和Irgacure OXE02（OXE02）來自巴斯夫公司並且按原樣使用。Omnirad 819從IGM樹脂公司獲得。雙馬來醯亞胺BMI-4000、BMI-TMH和BMI-5100從大和化成工業株式會社獲得。3a,4,7,7a-四氫-4,7-環氧異苯并呋喃-1,3-二酮從奧克伍德化學公司（Oakwood Chemical）獲得。1-(4-乙烯基苯氧基)苯并環丁烯（BCB）根據美國專利申請號20190169327 A1製備，其全部內容藉由引用併入本文。所有其他溶劑和化學品均從陶氏化學公司（Dow Chemical Company）獲得，並且無需另外的純化而按原樣使用。
化合物合成
實例1 - S1
在氮氣保護下，向配備有攪拌棒和回流冷凝器的250 ml圓底燒瓶中添加10 g的PAM-E並且將其溶解在114 g的四氫呋喃中。當溶解完成時，添加固體形式的3a,4,7,7a-四氫-4,7-環氧異苯并呋喃-1,3-二酮（12.78 g），並且使溶液回流十小時。隨後將溶液冷卻至約25°C，並且藉由旋轉蒸發除去四氫呋喃。添加114 g的甲苯。使溶液再次回流6小時，並且然後藉由蒸餾除去甲苯。獲得14.77 g的淺黃色略黏的液體，其含有94%的期望產物。
實例2 - S2
將以下單體和溶劑添加到具有頂置攪拌的5 L夾套反應器中，並且在氮氣保護下加熱至80°C：1044.59 g 1-(4-乙烯基苯氧基)苯并環丁烯，778.34 g乙烯基甲苯，80.18 g 4-乙烯基吡啶，447.67 g β-月桂烯和997.04 g環己酮。將71.67 g V-65和888.21 g環己酮的引發劑進料以恒定速率添加到反應器中持續20小時，並且將溫度在80°C下保持另外2小時，然後降低至25°C。將該溶液直接用於製備以下可聚合的配製物。
實例3 - S3
替代地在100 ml EasyMax™反應器中使用與實例2相同的程序，並且使用以下量的材料：11.77 g 1-(4-乙烯基苯氧基)苯并環丁烯、8.83 g乙烯基甲苯、0.6 g乙烯基吡啶6.33 g β-月桂烯和11.79 g苯甲醚。將0.41 g V-601的光引發劑進料添加到反應器中並且反應15小時，並且然後將在10.71 g苯甲醚中的0.41 g V-65的進料以恒定速率進料到反應器中持續另外15小時，並且將溫度在80°C下保持另外2小時，然後降低至25°C。將該溶液直接用於製備以下可聚合的配製物。
可聚合的配製物
實例4
向20 ml玻璃小瓶中添加由實例3製備的S3，以構成固體含量的75.1重量%；添加BMI-689以等於固體的20重量%；添加OXE01以構成固體的2.5重量%；並添加2份7-辛烯基三甲氧基矽烷（KBM-1083）、0.2份4-羥基TEMPO和0.2份Polyfox PF-656的共混物，從而構成固體的2.4重量%。然後添加環戊酮，從而使整個溶液的固體含量為51%，並且總質量為15克。將小瓶密封並且滾動過夜以均化。然後將小瓶的內容物通過5微米Nylon™過濾器過濾。在塗覆之前，使溶液在環境條件下脫氣3小時。
實例5
以與實例4相同的方式製備配製物，除了用由實例2製備的S2代替S3。
實例6
以與實例4相同的方式製備配製物，除了用由實例2製備的S2代替S3，其用於構成固體的70.1%，並且BMI-689用於構成固體的25%。
實例7
以與實例4相同的方式製備配製物，除了用由實例2製備的S2代替S3，其用於構成固體的80.1%，以及BMI-689用於構成固體的15%。
實例8
以與實例4相同的方式製備配製物，除了用由實例2製備的S2代替S3，以及用OXE02代替OXE01。
實例9
以與實例4相同的方式製備配製物，除了用由實例2製備的S2代替S3，以及用BMI-1400代替BMI-689。
實例10
以與實例4相同的方式製備配製物，除了用由實例2製備的S2代替S3，以及用BMI-TMH代替BMI-698。
實例11
以與實例4相同的方式製備配製物，除了用由實例2製備的S2代替S3，以及用由實例1製備的S1代替BMI-689。
實例12
以與實例4相同的方式製備配製物，除了使用BMI-689來構成固體的92.6重量%以及除去S3。
對比實例1
以與實例4相同的方式製備配製物，除了用由實例2製備的S2代替S3，以及用Omnirad 819代替OXE01。
對比實例2
以與實例4相同的方式製備配製物，除了S3用於構成固體的77.6重量%以及除去OXE01。
對比實例3
以與實例4相同的方式製備配製物，除了用由實例2製備的S2代替S3，以及用BMI-5100代替BMI-689。
對比實例4
以與實例4相同的方式製備配製物，除了用由實例2製備的S2代替S3，以及用BMI-4000代替BMI-689。
聚合物膜的製備
藉由旋塗將聚合物配製物沈積到矽基底上以進行光刻評估，或沈積到銅晶圓基底上以獲得用於分析的自立式膜，其直徑為200 mm，並且在120°C下軟烘3分鐘。
為了確定距膜的輻照距離和所提供的總能量，使用Karl Süss掩模對準儀。使用20 µm的暴露和對準間隙。掩模對準儀使用寬頻UV光源，在此期間功率經測量為30 W。使用20秒的時間向膜提供600 mj/cm2
的光能。膜通過多透射掩模暴露，該多透射掩模允許可變的光強度通過以確定曝光速度。
將膜在65°C下暴露後烘烤90秒。將膜在丙二醇甲醚乙酸酯（PGMEA）中進行二到三十秒的水坑顯影（puddle development），然後旋轉乾燥，用PGMEA沖洗，並且使用120°C的後顯影烘烤持續1分鐘。
對於自立式膜樣品，然後將聚合物膜在Blue M烘箱中在200°C下在氮氣、小於100 ppm的氧氣下固化一小時。將所得的基底切割成合適的尺寸，並且將膜在5%硫酸銨的水浴中提起，沖洗並且乾燥以獲得用於分析的自立式膜。使用光學Filmetrics F50和相應的軟體工具測量膜厚度。
聚合物膜的表徵
測試方法
（1）介電特性：
使用IPC測試方法TM-650 2.5.5.1，使用銅分體圓柱諧振器（split cylinder resonator）和Keysight N5224A PNA網路分析儀來確定自立式膜的介電特性，該銅分體圓柱諧振器經過機械加工，使得它們各自具有20、30和40 GHz的空腔頻率。
膜的幾何形狀為使得基底延伸超過兩個圓柱形空腔部分的直徑。儘管介電基底的厚度可以在0.05 mm至5.0 mm變化。使用0.02 mm的基底厚度。
將自立式膜放置在分體圓柱諧振器的空腔中，並且使用網路分析儀測量TE011
諧振模式的諧振頻率和品質因子。使用由Keysight提供的軟體從TE011
諧振模式來計算膜的相對介電常數（Dk）和損耗正切（Df）。
（2）光刻數據
用如上所述之Filmetrics F50工具來測量顯影後的膜厚度損失。當膜厚度大於或等於在整個暴露的二十秒內膜厚度的百分之八（在這種情況下為358毫焦耳/平方釐米）時，從能量角度來確定凝膠點能量（Egel）。藉由圓形尺寸通孔的光學檢查來確定解析度，發現該通孔係藉由光學顯微鏡來分辨的。
（3）動態力學分析
將自立式膜切割成10 mm乘25 mm的幾何形狀，並且以0.06%的應變速率、1牛頓的預載入力和1赫茲的頻率放置在TA儀器公司（TA Instruments）動態力學分析儀Q800儀器中。使溫度平衡在50°C，然後以5°C/分鐘的速率升至200°C。玻璃化轉變溫度值作為tan δ曲線的最大值。
測試結果
在對比實例1-4中，不能獲得諸如Dk、Df和Tg的材料特性數據，因為該材料無法UV固化並且完全溶解在顯影劑中，留下乾淨的基底並且沒有由液體配製物形成膜。
表1列出了實例4-12的測試結果。
應注意的是，並不是所有的以上在一般性描述或實例中所描述的活動皆為必需的，一部分具體活動可能不是必需的，並且除了所描述的那些以外，還可進行一個或多個其他活動。此外，所列舉的活動的順序不必是它們實施的順序。
無
無
Claims (15)
- 一種光敏組成物，其包含光引發劑、雙馬來醯亞胺組分和芳基環丁烯單體；其中，該光引發劑係肟酯化合物，基於該雙馬來醯亞胺組分的重量，該肟酯化合物以0.5至25重量百分比存在；其中，該雙馬來醯亞胺組分包括雙馬來醯亞胺化合物或雙馬來醯亞胺低聚物；其中，該雙馬來醯亞胺化合物由通式(I)表示：
，及其組合；並且n係1至10的整數；以及其中，該芳基環丁烯單體由通式(IV)、(V)、或(VI)表示，
- 如請求項1所述之光敏組成物，其中，該光引發劑選自由以下組成之群組：
；及其組合，其中R1係CO2Ph、CO2Me或CO2Et；R2係酮、芳基、芳基醚、硫化物芳基醚或烷基；R3係H、OH、COOH、甲基；R4和R5各自獨立地是具有1-10個碳原子的烷基基團、環烷基基團或苯基基團；R6和R7各自獨立地是具有1-10個碳原子的烷基基團、環烷基基團或苯基基團；R8係具有1至5個碳原子的烷基基團；R9係H、甲基或乙醯基；R10係NO2或ArCO；R11係具有1至6個碳原子的烷基基團；並且R12和R13各自獨立地是具有1-10個碳原子的烷基基團、環烷基基團或苯基基團。
- 如請求項1所述之光敏組成物，其進一步包含熱固性聚合物。
- 如請求項3所述之光敏組成物，其中，該熱固性聚合物由通式(III)表示：
- 如請求項1所述之光敏組成物，其中，該芳基環丁烯單體選自由以下組成之群組：1-(4-乙烯基苯氧基)-苯并環丁烯、1-(4-乙烯基甲氧基)-苯并環丁烯、1-(4-乙烯基苯基)-苯并環丁烯、1-(4-乙烯基羥基萘基)-苯并環丁烯、4-乙烯基-1-甲基-苯并環丁烯、4-乙烯基-1-甲氧基-苯并環丁烯和4-乙烯基-1-苯氧基-苯并環丁烯。
- 如請求項1所述之光敏組成物，其進一步包含至少一種親二烯體單體。
- 如請求項6所述之光敏組成物，其中，該親二烯體單體由通式(VII)表示，
- 如請求項1所述之光敏組成物，其進一步包含至少一種二烯單體。
- 如請求項8所述之光敏組成物，其中，該二烯單體由通式(VIII)表示，
- 如請求項8所述之光敏組成物，其進一步包含至少一種含氮雜環的單體。
- 如請求項1所述之光敏組成物，其進一步包含抑制劑。
- 如請求項11所述之光敏組成物，其中，該抑制劑選自由以下組成之群組：2,6-二三級丁基-4-甲基苯酚、2,5-二三級丁基-1,4-苯并氫醌、2-三級丁基氫醌、2,3,5-三甲基-1,4-氫醌、4-甲氧基苯酚、2,2,6,6-四甲基-1-哌啶基氧基、4-羥基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶基氧基、二苯并-1,4-噻、雙(2,4-二三級丁基苯基)新戊四醇二磷酸酯、三乙二醇雙[β-(5-三級丁基-4-羥基-3-甲基苯基)丙酸酯]以及2,6-二三級丁基-4-十八烷基苯酚及其組合。
- 一種光刻方法，其包括以下步驟：(a)以成像方式加熱包含親水性載體和成像層的預敏化的光刻印刷板，該成像層包含如請求項1所述之光敏組成物；(b)將該板暴露於UV光；以及(c)用溶液溶解並除去非成像區域。
- 如請求項13所述之光刻方法，其進一步包括在該步驟(b)與(c)之間的加熱該板的步驟(b1)。
- 如請求項14所述之光刻方法，其進一步包括除去該成像層的未加熱區域的步驟(d)。
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