TWI830915B - 阻擋膜、使用其之波長轉換片材、及使用其之顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供一種可有效地抑制導光板與波長轉換片材黏連，且抑制波長轉換片材、導光板、漫射板等受損之波長轉換片材用之阻擋膜。 本發明之阻擋膜1係至少包含阻擋層13及基材層12、15之多層膜，且在阻擋膜1之一表面積層墊層16，該墊層16包含樹脂161及填料162，且填料之至少一部分突出；在墊層16之俯視下，自墊層16突出之填料162中被視認為相對於墊層16之厚度為2倍以上之粒徑之填料162之比例為自墊層16突出之填料162總量中之20%以上80%以下，墊層16之俯視下之1 mm2 之正方形內之填料162之總數為1800個以上。

Description

阻擋膜、使用其之波長轉換片材、及使用其之顯示裝置
本發明主要係關於一種顯示裝置之背光光源所使用之波長轉換片材。
近年來，伴隨著個人電腦之發展、尤其是可攜式個人電腦之發展，而液晶顯示裝置之需要增加。且，最近，因家庭用之液晶電視之普及率亦提高，智慧型手機、平板終端亦逐漸廣泛普及，而成為液晶顯示裝置之市場日益擴大之狀況。
此液晶顯示裝置一般而言具有液晶單元部，該液晶單元部具有彩色濾光器、對向基板、及由其等夾持之液晶層，且更具有被稱為背光部之光源。
又，最近，業界亦不斷開發利用量子點之技術之背光構件。所謂量子點係意指半導體之奈米尺寸之微粒子。又，量子點可藉由電子或激子拘限於奈米尺寸之較小之晶體內之量子拘限效應(量子尺寸效應)，而遍及發光波長之可見區域整體地進行調整。量子點由於可在較窄之波長頻帶下產生較強之螢光，故顯示裝置可以色純度優異之三原色之光進行照明。因而，可藉由利用量子點之背光，形成具有優異之色再現性之顯示裝置。
該顯示裝置之背光光源所使用之波長轉換片材具有將在樹脂之層分散有半導體之奈米尺寸之微粒子之螢光體層與LED光源之組合構成，且為了抑制螢光體層之劣化，而使阻擋膜積層於螢光體層之兩表面。
例如，業界曾開發一種波長轉換片材及使用其之背光單元，該波長轉換片材係在螢光體所含有之螢光體層積層有阻擋膜者，且阻擋膜將阻擋層積層於特定之聚對苯二甲酸乙二酯膜之一面(專利文獻1)。藉由為使用阻擋性及透明性優異之阻擋膜之波長轉換片材，而可提供更接近自然之鮮豔之色彩、且色調優異之顯示裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]WO2015/037733
[發明所欲解決之問題]
此處，於在顯示裝置使用波長轉換片材之情形下，存在沿背光之導光板之端面安裝波長轉換片材之鑲邊方式、及在導光板之背面側之表面安裝波長轉換片材之表面安裝方式等之使用導光板之安裝方式。又，除使用導光板之安裝方式以外，亦存在取代導光板，而在背面側配置LED，經由漫射板將自該光源照射之光朝波長轉換片材照射之正下型方式。
表面安裝方式藉由使導光板之背面側之表面與波長轉換片材相接地配置，而使自LED照射之光經由導光板朝波長轉換片材照射。表面安裝方式可減輕自LED發出之熱之影響。
另一方面，正下型方式藉由使漫射板之背面側之表面與波長轉換片材相接地配置，而自LED照射之光藉由漫射板而漫射且朝波長轉換片材照射。正下型方式容易維持畫面整體之明亮度，而可顯示高亮度之畫質。
然而，本發明人等顯而易知，在使安裝有波長轉換片材之表面安裝方式或正下型方式之顯示裝置自常溫常濕之環境向低溫、高溫或低濕、高濕等之特定之氣氛之環境變化時，或在自特定之氣氛之環境向常溫常濕之環境變化時等，存在產生導光板或漫射板等與波長轉換片材之阻擋膜局部黏連之現象之情形。又，亦存在產生下述現象之情形，即：在波長轉換片材在積層於導光板、漫射板等之狀態下進行搬運等之情形下，波長轉換片材與導光板等相互摩擦，而波長轉換片材及/或導光板等受損。
本發明係鑒於上述事態而完成者，目的在於提供一種可有效地抑制導光板或漫射板等與波長轉換片材黏連，且抑制波長轉換片材、導光板、漫射板等受損之波長轉換片材用之阻擋膜。 [解決問題之技術手段]
本發明者為了解決上述問題而反覆進行深入研究之結果發現：若為在阻擋膜之一個表面積層包含樹脂、及填料之墊層而成之阻擋膜，則可解決上述問題，從而完成本發明。
(1)一種阻擋膜，其係由至少包含阻擋層及基材層之多層膜構成者，且 在前述阻擋膜之一表面積層墊層， 該墊層包含樹脂、及填料，且該填料之至少一部分突出； 在前述墊層之俯視下，自前述墊層突出之前述填料中被視認為相對於前述墊層之厚度為2倍以上之粒徑之填料之比例為自前述墊層突出之前述填料總量中之20%以上80%以下； 前述墊層之俯視下之1 mm2 之正方形內之前述填料之總數為1800個以上。
(2)如(1)之阻擋膜，其中前述墊層中所含之前述填料包含選自包含丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、耐隆系樹脂及聚乙烯系樹脂之群之至少一種以上之樹脂。
(3)如(1)或(2)之阻擋膜，其中前述墊層中所含之前述樹脂包含丙烯酸系樹脂。
(4)如(1)至(3)中任一項之阻擋膜，其中在前述阻擋膜之與前述墊層為相反側之表面積層有底漆層。
(5)如(1)至(4)中任一項之阻擋膜，其中前述填料包含依據JIS A 9511而測定之壓縮強度為2.8 kgf/mm2 以上之樹脂。
(6)如(1)至(5)中任一項之阻擋膜，其中前述墊層之乾燥後之塗佈量為1.0 g/m2 以上3.6 g/m2 以下，依據JIS K7136而測定之前述墊層之霧度值為10%以上35%以下。
(7)一種波長轉換片材，其將包含螢光體之螢光體層之一面、與(1)至(6)中任一項之阻擋膜之與積層有前述墊層之側之面為相反側之面以對面之方式積層。
(8)一種顯示裝置，其係具備導光板之表面安裝式顯示裝置，且 依次積層LCD面板、偏光選擇反射片材、稜鏡片材、(7)之波長轉換片材、前述導光板、及反射片材； 在前述導光板之端面配置光源部； 前述波長轉換片材在前述墊層之側之面配置前述導光板。
(9)一種顯示裝置，其係具備漫射板之正下型方式之顯示裝置，且 依次積層LCD面板、偏光選擇反射片材、稜鏡片材、(7)之波長轉換片材、前述漫射板、光源部、及反射片材； 前述波長轉換片材在前述墊層之側之面配置前述漫射板。 [發明之效果]
本發明之波長轉換片材用之阻擋膜可有效地抑制導光板或漫射板與波長轉換片材黏連，且抑制波長轉換片材、導光板、漫射板等受損。
以下，針對本發明之具體的實施形態詳細地說明，但本發明並不受以下之實施形態任何限定，在本發明之目的之範圍內可適宜地施加變更而實施。
＜＜1.波長轉換片材＞＞ 波長轉換片材10如圖1所示積層有：含有螢光體112及密封樹脂111之螢光體層11、及在螢光體層11之兩表面之阻擋膜1及阻擋膜2。藉由使阻擋膜1、2積層於螢光體層11之兩表面，而對螢光體層賦予阻擋性。此外，在本說明書中，所謂螢光體層之兩表面側，在將波長轉換片材10用作背光光源之情形下，意指供配置光源之側(入光面側)、及與供配置背光光源之側為相反側(出光面側)之兩個表面側。
該阻擋膜1配置於波長轉換片材10之與導光板之背面側之表面相接之側。而且，在阻擋膜1之一個表面積層有墊層16。藉由在墊層之面配置導光板，而可有效地抑制導光板與波長轉換片材黏連。阻擋膜2配置於波長轉換片材10之跟與導光板相接之側為相反側，且在本實施形態中，如圖1所示，未設置上述之墊層。
此外，圖1之波長轉換片材10雖然形成僅在阻擋膜1之一個表面積層有墊層16之構成，但可為在阻擋膜2之表面(在圖1中為第2基材層25側之表面)亦積層有墊層之構成(未圖示)。例如，在圖1之波長轉換片材10中，當在阻擋膜2之側(第2基材層25側)配置光學膜時，只要為在墊層之面配置有光學膜之構成，即可同樣地有效地抑制光學膜與波長轉換片材黏連。
＜＜2.阻擋膜＞＞ 本實施形態之阻擋膜1如圖2所示般為至少包含阻擋層、及基材層之多層膜。具體而言，依序積層有第1基材層12、阻擋層13(無機氧化物薄膜層13b、有機被覆層13a)、接著劑層14、及第2基材層15，且在阻擋膜1之第2基材層15側之表面積層有墊層16。藉由在墊層之面配置導光板，而可有效地抑制導光板與波長轉換片材黏連。 阻擋膜2係省略上述之阻擋膜1之墊層16之阻擋膜，依序積層有第1基材層22、阻擋層23(無機氧化物薄膜層23b、有機被覆層23a)、接著劑層24、及第2基材層25。 此外，阻擋膜1並非係限定於上述之積層順序者，例如，可設為阻擋層13與第1基材層12經調換之層構成，亦即依序積層有阻擋層13(有機被覆層13a、無機氧化物薄膜層13b)、第1基材層12、接著劑層14、第2基材層15、及墊層16。又，同樣，阻擋膜2亦可依序積層有阻擋層23(有機被覆層23a、無機氧化物薄膜層23b)、第1基材層22、接著劑層24、及第2基材層25。 又，雖然對於第1基材層，顯示依序積層有無機氧化物薄膜層、有機被覆層之例，但並不限定於此，對於第1基材層，可依序積層有機被覆層、無機氧化物薄膜層。 以下，針對各層，利用圖2所示之阻擋膜1進行說明。
[墊層] 墊層16係包含樹脂161、及填料162之層，而且，該墊層16之表面並非形成均一且平坦之形狀，藉由在墊層中包含填料，而填料之至少一部分突出。可藉由此墊層，有效地抑制墊層16與導光板6之黏連。
此外，「填料之至少一部分突出之墊層」之語句係意指該墊層之表面並非形成均一且平坦之形狀，而為藉由填料在墊層之表面形成有起伏、及/或填料之至少一部分自墊層之表面露出之狀態。
再者，藉由在阻擋膜具備墊層，而在將阻擋膜或波長轉換片材捲繞為捲筒狀時，亦可防止阻擋膜或波長轉換片材彼此之黏連。因而，可將阻擋膜或波長轉換片材設為捲筒狀而進行保存或搬運。
尤其是，在如在波長轉換片材之墊層之面配置有導光板配置之顯示裝置之狀態下進行搬運等之情形下，存在墊層與導光板相互摩擦，而在墊層產生損傷之情形。或，存在墊層與導光板相互摩擦，而自墊層產生碎片，該碎片使墊層或導光板受損之情形。此墊層或導光板之損傷可能導致顯示裝置之外觀不良。
因而，本實施形態之阻擋膜之特徵在於，自該墊層突出之填料中之相對於墊層之厚度為2倍以上之粒徑之填料之比例、亦即在墊層之俯視下自墊層突出之填料中之被視認為相對於墊層之厚度為2倍以上之粒徑之填料之比例，為自墊層突出之填料總量中20%以上80%以下。在該填料之比例未達20%時，存在墊層之抗刮性惡化，進而無法有效地抑制墊層與導光板之黏連之情形。又，在該填料之比例超過80%時，墊層之抗刮性惡化。此處，所謂墊層16之厚度係如圖1、圖2中之t所示般意指構成墊層之樹脂161之層之厚度。
而且，本實施形態之阻擋膜之特徵在於墊層之俯視之1 mm2 之正方形內之填料之總數為1800個以上。藉此，可有效地抑制墊層與導光板之黏連，而提高墊層之抗刮性。此外，墊層之俯視之1 mm2 之正方形內之填料之總數之上限無特別限定，較佳為例如20000個以下，更佳為15000個以下。此處，所謂墊層之俯視之1 mm2 之正方形內之填料之總數係意指自表面側觀察墊層，外露於墊層之表面之填料之總數，不包含掩埋於墊層而自表面無法視認之填料之數目。
被視認為2倍以上之粒徑之填料之比例例如可藉由利用顯微鏡(例如雷射顯微鏡或掃描型電子顯微鏡)或顯微鏡等觀察俯視下之特定面積(例如258×260 μm)之墊層之表面而測定。此外，根據需要，以平面部分成為水平之方式調整測定畫面。而後，取得畫像，以可提取填料部分之方式，調整亮度。自該亮度經調整之畫像，算出粒子及該粒子之直徑。而且，基於根據塗佈量等算出之墊層之厚度，算出被視認為相對於該墊層之厚度為2倍以上之粒徑之填料之比例。
墊層之俯視下之1 mm2 之正方形內之填料之總數可以自該特定面積(例如258×260 μm)中之填料之總數成為1×1 mm之方式進行換算而算出。
此外，用於求得填料之比例及俯視下之1 mm2 之正方形內之填料之總數之顯微鏡可利用例如奧林巴斯社製之雷射顯微鏡即OLS4000。
藉由具備將自墊層突出之填料之比例、與特定面積之填料之總數設為上述之範圍之墊層，而可有效地抑制對墊層或導光板(漫射板)造成損傷。
此外，即便在為在阻擋膜2之表面(在圖1中為第2基材層25側之表面)積層有墊層之構成，且墊層與光學膜接觸之情形下，亦同樣。亦即，藉由具備將自墊層突出之填料之比例、與特定面積之填料之總數設為上述之範圍之墊層，而可有效地抑制對墊層或光學膜造成損傷。
尤其是，在光學膜為稜鏡片材之情形下，由於稜鏡因稜鏡片材之形狀而缺損，而可謂與其他之光學膜相比亦容易對光學膜造成損傷。
因而，在利用稜鏡片材作為光學膜之情形下，藉由在阻擋膜2之表面積層將自墊層突出之填料之比例、與特定面積之填料之總數設為上述之範圍之墊層，而可有效地抑制對光學膜(稜鏡片材)造成損傷。
又，該填料162包含壓縮強度為2.8 kgf/mm2 以上之樹脂。該樹脂之壓縮強度較佳為3.0 kgf/mm2 以上，更佳為4.0 kgf/mm2 以上。2.8 kgf/mm2 以上之樹脂可舉出例如丙烯酸系樹脂。藉由填料162之壓縮強度為2.8 kgf/mm2 以上，而難以產生填料由異物壓潰、削蝕等之問題，異物難以直接對墊層表面造成損傷，而發揮提高抗刮性之效果。丙烯酸系樹脂係選自包含甲基丙烯酸、丙烯酸、甲基丙烯酸酯、及丙烯酸酯之群之至少一種之包含具有羧基團或羰基之烯系不飽和單體作為單體成分之聚合物。假設填料162之壓縮強度未達2.8 kgf/mm2 ，則因在異物等混入時，填料發生壓潰、削蝕等，異物容易直接對墊層表面造成損傷，抗刮性降低，而並不令人滿意。
墊層之厚度只要能夠發揮本發明之效果則無特別限制。例如，較佳為1.0 μm以上50.0 μm以下，更佳為1.5 μm以上10.0 μm以下。此外，所謂墊層之厚度係意指墊層中之填料以外之樹脂部分之厚度(圖1、圖2中之t)，不包含朝樹脂之上冒出(外露)之填料之部分之厚度。墊層之厚度例如可藉由利用掃描型電子顯微鏡等觀察剖面而測定。
為了將墊層之厚度設於上述範圍，而墊層之乾燥後之塗佈量較佳為設為1.0 g/m2 以上3.6 g/m2 以下。若為此範圍，則可抑制填料被埋入墊層，抑制雜質進入墊層與導光板之間。假設墊層之乾燥後之塗佈量未達1.0 g/m2 ，則對於填料之墊層變薄，雜質進入墊層與導光板(漫射板)之間，而有可能對墊層或導光板(漫射板)造成損傷。若墊層之乾燥後之塗佈量超過3.6 g/m2 ，則填料埋入墊層，作為墊層之功能有可能受損。
墊層之霧度值較佳為10%以上35%以下，且更佳為10%以上25%以下。藉由墊層之霧度值為10%以上，而墊層中所含之填料之數目變得充分，可提高墊層之抗刮性，進而可有效地抑制墊層與導光板之黏連。藉由墊層之霧度值為35%以下，而可提高墊層之抗刮性，可提高作為顯示裝置之功能。 由於假設墊層之霧度值未達10%，則墊層中所含之填料之數目變得並不充分，故存在墊層之抗刮性惡化，進而無法有效地抑制墊層與導光板之黏連之情形。若墊層之霧度值超過35%，則墊層之抗刮性惡化，進而由於霧度值過高，而作為顯示裝置之功能降低。此外，霧度值可藉由依據JIS K7136且利用霧度計而測定。 以下，針對墊層中所含之樹脂及填料進行說明。
(樹脂) 墊層中所含之樹脂161只要為能夠達成本發明之目的之樹脂則無特別限制，可舉出例如：丙烯酸系樹脂、環氧樹脂、胺脂樹脂、聚酯系樹脂、聚酯丙烯酸酯系樹脂、聚胺基甲酸酯丙烯酸酯系樹脂、丙烯酸聚胺基甲酸酯系樹脂、及環氧丙烯酸酯系樹脂等。其中，基於具有硬度之觀點，較佳為丙烯酸系樹脂。
在包含丙烯酸系樹脂之情形下，丙烯酸系樹脂相對於墊層中所含之樹脂100質量部之比例較佳為60質量部以上，更佳為80質量部以上。
(填料) 填料形成為球狀，抑制導光板與波長轉換片材黏連。填料之種類無特別限制，可舉出例如丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、及聚乙烯系樹脂等。填料較佳為包含依據JIS A 9511而測定之壓縮強度為2.8 kgf/mm2 以上之樹脂者，可舉出例如丙烯酸系樹脂或聚苯乙烯系樹脂等。 又，填料除利用上述丙烯酸系樹脂或聚苯乙烯系樹脂以外，亦可利用二氧化矽微粒子、三聚氰胺、耐隆、苯并胍胺系微粒子等。此外，該等材料之硬度從高至低依序為二氧化矽微粒子、三聚氰胺、耐隆、聚苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚乙烯系樹脂。
填料之平均粒徑較佳為1 μm以上50 μm以下，更佳為1.5 μm以上10 μm以下。藉由填料之平均粒徑為1 μm以上，而填料之至少一部分自墊層之表面更多地露出，可更有效地抑制墊層16與導光板6之黏連，且可提高墊層之抗刮性。藉由填料之平均粒徑為50 μm以下，而可抑制因填料自墊層脫離所致之墊層之功能降低、或因脫離之填料在墊層產生損傷。
例如在基於JIS Z8820及Z8822之粒度分佈測定中，以D50之值獲得平均粒徑。平均粒徑可藉由例如動態光散射方式、雷射衍射散射方式、或SEM、TEM觀察而測定。
填料之含有量相對於墊層總量較佳為5質量%以上50質量%以下，更佳為10質量%以上40質量%以下。藉由為5質量%以上，而可更有效地防止墊層與導光板等其他之構件等之黏連。藉由為50質量%以下，而可確保用於將墊層成膜之充分之樹脂之量，從而墊層之成膜性提高。
墊層中所含之填料中自墊層突出之填料之含有量相對於墊層總量較佳為2質量%以上25質量%以下，更佳為5質量%以上20質量%以下。
填料之折射率與墊層中所含之樹脂之折射率的折射率差較佳為0.5以下，更佳為0.3以下，最佳為0.1以下。
(添加劑) 對於與本實施形態相關之墊層，可進一步根據需要，任意添加穩定劑、硬化劑、橋聯劑、潤滑劑、紫外線吸收劑及其他等之添加劑。
[基材層] 基材層構成阻擋膜之多層膜，且係主要包含樹脂之層。能夠用於基材層之材質只要為無損波長轉換片材之功能之材質，則無特別限制，可舉出例如，聚醯亞胺(PI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、非晶聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚醚醯亞胺、氟樹脂、及液晶聚合物等之樹脂。基於無損波長轉換片材之功能之透明性及耐熱性等之觀點，較佳為聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。此外，第1基材層12、22及第2基材層15、25之材質可為相同材質，亦可為不同材質。
雖然在阻擋膜1中，基材層之厚度無特別限制，但若為供形成阻擋層之基材層(例如圖1之第1基材層12、22)，較佳為8 μm以上150 μm以下，更佳為8 μm以上100 μm以下，以避免損害阻擋層之性能
構成圖1之波長轉換片材之阻擋膜1、2依序積層有第1基材層12、22、阻擋層13、23、接著劑層14、24、及第2基材層15、25。阻擋膜1不限定於由第1基材層、阻擋層、及第2基材層依序積層而成之阻擋膜，只要為至少包含阻擋層及基材層之多層膜即可。亦即，與構成圖1之波長轉換片材之阻擋膜不同地，阻擋層可配置於最外層，基材層可為1個。然而，若為構成圖1之波長轉換片材之阻擋膜，則由於阻擋層13、23未露出於阻擋膜之最表面，故減少在阻擋層產生損傷或破裂之可能性，可抑制因阻擋層產生損傷或破裂而引起之螢光體層之缺陷。此外，基材層亦可為3個以上。
在構成圖1之波長轉換片材10之阻擋膜1、2中，配置於螢光體層附近之第1基材層12、22之厚度較佳為8 μm以上50 μm以下，更佳為8 μm以上未達25 μm，最佳為8 μm以上20 μm以下。藉由第1基材層12、22之厚度為8 μm以上，可提高第1基材層12、22之阻擋性。藉由第1基材層12、22之厚度為50 μm以下，而可減少自第1基材層12、22之側面通過之氧或水蒸氣。
在構成圖1之波長轉換片材之阻擋膜中，第2基材層15、25之厚度較佳為超過25 μm 200 μm以下，更佳為38 μm以上175 μm以下，最佳為50 μm以上150 μm以下。藉由第2基材層15、25之厚度為超過25 μm 200 μm以下，而波長轉換片材之可撓曲性提高，與顯示裝置之背光光源貼合時之操作性提高。
基材層為了避免來自背光光源之光被遮擋，而較佳為基於JIS K 7361而測定之總光線透過率較高。具體而言，第1基材層12、22及第2基材層之基於JIS K 7361而測定之總光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上。
此外，為了提高與後述之阻擋層之緊密接著性等，而可在基材層之表面，根據需要，預先設置所期望之表面處理層(未圖示)。作為表面處理層，可任意實施例如電暈放電處理、臭氧處理、利用氧氣或氮氣等之低溫電漿處理、輝光放電處理、利用化學藥品等進行處理之氧化處理及其他等之前處理，例如可形成並設置電暈處理層、臭氧處理層、電漿處理層、氧化處理層、及其他等。
上述之表面前處理係作為用於改善各種樹脂之膜乃至片材與後述之阻擋層之緊密接著性等之方法而實施者，但作為改善上述之緊密接著性之方法，此外，例如亦可在各種樹脂之膜乃至片材之表面預先任意形成底漆塗佈劑層、底塗劑層、錨固塗佈劑層、接著劑層、或蒸鍍錨固塗佈劑層等，而設為表面處理層。
作為塗佈劑層，可使用例如以聚酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、環氧系樹脂、酚系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚乙酸乙烯酯系樹脂、聚乙烯或聚丙烯等之聚烯烴系樹脂或其共聚物乃至改良樹脂、纖維素系樹脂、及其他等為媒劑之主成分之樹脂組成物。
(阻擋層) 阻擋層係對阻擋膜賦予阻擋性之層，一般而言係塗佈包含聚乙烯醇等之水溶性高分子等之塗佈劑而形成之有機被覆層、及/或藉由對無機氧化物進行蒸鍍而形成之無機氧化物薄膜層。阻擋層係包含由有機被覆層與無機氧化物薄膜層積層而成之複數個層之層。此外，阻擋層並非係限定於由有機被覆層與無機氧化物薄膜層積層而成之複數個層者，有機被覆層或無機氧化物薄膜層各者可為單層，或可為如有機被覆層與無機氧化物薄膜層交替地積層2層以上之層。又，藉由有機被覆層與底漆層密接地積層，而可減少在積層於較有機被覆層更靠內層之無機氧化物薄膜層產生損傷或破裂。
有機被覆層係防止在後步驟中之各種二次損傷，且對阻擋膜賦予較高之阻擋性之層。有機被覆層係以阻氣性組成物為塗佈液進行塗佈而形成，該阻氣性組成物包含例如水溶性高分子、及包含1種以上之金屬醇鹽及水解物、或氯化錫之至少一者之水溶液或水/酒精混合溶液。有機被覆層較佳為含有選自包含含有羥基之高分子化合物、金屬醇鹽、金屬醇鹽水解物及金屬醇鹽聚合物之群之至少一種為成分。作為有機被覆層所使用之水溶性高分子，可舉出聚乙烯醇、聚乙烯吡咯啶酮、乙烯-乙烯醇共聚物等，尤其在利用聚乙烯醇、乙烯-乙烯醇共聚物之情形下，有機被覆層之阻氣性最為優異。聚乙烯醇系樹脂及/或乙烯-乙烯醇共聚物之含有量相對於上述之醇鹽之合計量100質量部在5質量部以上500質量部以下之範圍內，較佳為以約20質量部以上200質量部以下程度之配合比例製作阻氣性組成物。
在阻氣性組成物中亦可添加矽烷偶聯劑等。作為矽烷偶聯劑，可利用已知之含有有機反應性基團之有機烷氧基矽烷。在本發明中，具有環氧基之有機烷氧基矽烷尤佳，其中可使用例如γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基甲基二乙氧基矽烷、或β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等。上述之此矽烷偶聯劑可將1種乃至2種以上混合而使用。在本發明中，上述之此矽烷偶聯劑之使用量可在相對於上述之烷氧基矽烷100質量部為1質量部以上20質量部以下程度之範圍內使用。
有機被覆層之膜厚無特別限定，但較佳為100 nm以上500 nm以下。藉由有機被覆層之膜厚為100 nm以上，而可對阻擋膜賦予充分之阻擋性。藉由有機被覆層之膜厚為500 nm以下，而透明性優異，且不會降低波長轉換片材之特性。
無機氧化物薄膜層係與有機被覆層同樣地對阻擋膜賦予較高之阻擋性之層。無機氧化物薄膜層可例示包含氧化鋁、氧化矽、氧化鎂或其等之混合物之層。基於可對阻擋膜賦予充分之阻擋性之觀點及阻擋膜之生產效率之觀點，較佳為以氧化鋁或氧化矽為主成分之薄膜層。
形成無機氧化物薄膜層之方法可舉出藉由對無機氧化物進行蒸鍍而形成之方法。作為蒸鍍膜之形成方法，可舉出例如真空蒸鍍法、濺射法、及離子電鍍法等之物理汽相沈積(Physical Vapor Deposition法、PVD法)、或電漿化學汽相沈積、熱化學汽相沈積、及光化學汽相沈積等之化學汽相沈積(Chemical Vapor Deposition法、CVD法)等。
無機氧化物薄膜層之膜厚無特別限定，但較佳為5 nm以上500 nm以下。藉由無機氧化物薄膜層之膜厚為5 nm以上，而無機氧化物薄膜層成為均一，可對阻擋膜賦予充分之阻擋性。藉由無機氧化物薄膜層之膜厚為500 nm以下，而可對無機氧化物薄膜層充分地賦予可撓曲性，可減輕在無機氧化物薄膜層產生損傷或破裂之危險性。
阻擋層為了避免來自背光光源之光被遮擋，而較佳為基於JIS K 7361而測定之總光線透過率較高。具體而言，阻擋膜之基於JIS K 7361而測定之總光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上。此外，總光線透過率係在PET膜(膜厚：12 μm)上形成阻擋層時之測定值。
(接著劑層) 本實施形態之阻擋膜1如圖2所示般可在阻擋層13與第2基材層15之間積層接著劑層14。作為構成接著劑層14之接著劑，可使用例如聚乙酸乙烯酯系接著劑、包含丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯等之均聚物、或其等與甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、苯乙烯等之共聚物等之聚丙烯酸酯系接著劑、氰基丙烯酸酯系接著劑、包含乙烯與乙酸乙烯酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等之單體之共聚物等之乙烯共聚物系接著劑、纖維素系接著劑、聚酯系接著劑、聚醯胺系接著劑、聚醯亞胺系接著劑、包含脲樹脂或三聚氰胺樹脂等之胺基樹脂系接著劑、環氧樹脂系接著劑、環氧系接著劑、聚胺基甲酸酯系接著劑、反應型(甲基)丙烯酸系接著劑、包含氯平橡膠、腈橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠等之橡膠系接著劑、矽酮系接著劑、及包含鹼金屬矽酸鹽、低熔點玻璃等之無機系接著劑等。
構成接著劑層之接著劑之組成系可為水性型、溶液型、乳膠型、分散型等任一組成物形態，且，其性狀可為膜、片材狀、粉末狀、固體狀等之任一形態，再者，針對接著機構，可為化學反應型、溶劑揮發型、熱熔型、熱壓型等之任一形態。
構成接著劑層之接著劑可藉由例如輥式塗佈、凹版塗佈、刮刀塗佈、浸塗、噴塗、及其他之塗佈法、或印刷法等實施，作為其塗佈量，較理想為0.1 g/m2 以上10 g/m2 以下(乾燥狀態)。
此外，可積層例如在熱固性樹脂、或熱塑性樹脂中含有橋聯劑等之樹脂形成之樹脂層，而取代包含上述之接著劑之接著劑層。再者，可為使EVA、離子聚合物、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、聚乙烯系樹脂等之熱塑性樹脂熔融，藉由將熔融之熱塑性樹脂擠出並積層之擠出層疊而接著之方法。
(螢光體層) 螢光體層11係用於調整自背光光源發出之光之發光波長之層。在螢光體層11中含有包含量子點之1種或2種以上之螢光體。
形成螢光體112之量子點係具有量子拘限效應(quantum confinement effect)之特定之尺寸之半導體粒子。量子點在自激發源吸收光並達到能量激發狀態時，釋放相當於量子點之能帶隙之能量。若調節量子點之尺寸或物質之組成，則可調節能帶隙，可獲得各種位凖之波長頻帶之能量。尤其是，量子點可在較窄之波長頻帶下產生較強之螢光。因而，藉由顯示裝置可以色純度優異之三原色之光進行照明，而可設為具有優異之色再現性之顯示裝置。
螢光體係作為發光部之芯由保護層(外殼)被覆者。針對芯可使用例如硒化鎘(CdSe)、碲化鎘(CdTe)、硫化鎘(CdS)。針對保護層可使用硫化鋅(ZnS)。
螢光體層11可藉由將含有螢光體112之密封樹脂111積層而形成。例如，可藉由將含有螢光體112及密封樹脂111之混合液塗佈於基材層之表面並硬化而形成。密封樹脂111可舉出使聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺脂(甲基)丙烯酸酯、聚酯-胺脂(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、聚醇(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、異氰脲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸酯樹脂等之丙烯酸樹脂之光重合樹脂、酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚酯樹脂、矽酮樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂等之熱固性樹脂、或EVA、離子聚合物、聚乙烯醇縮丁醛(PVB)、聚乙烯系樹脂等之熱塑性樹脂含有橋聯劑等之樹脂。基於螢光體層與基材層之密接性之觀點，較佳為包含選自包含丙烯酸樹脂、環氧樹脂、胺脂樹脂、聚酯樹脂之群之至少1種以上之樹脂。又，可將其等單獨使用，或亦可將1種以上混合而使用。又，可形成用於提高密接性之密接層。
＜＜3.顯示裝置＞＞ 針對具備上述之波長轉換片材之顯示裝置，利用圖3～5進行說明。 圖3係示意性顯示本發明之一實施形態之表面安裝式顯示裝置之構成的立體圖。 圖4係圖3所示之顯示裝置之剖視圖。圖4所示之剖視圖係平行於構成顯示裝置之波長轉換片材10等所積層之方向、且平行於光源部與導光板排列之方向(自光源部發出之光之行進方向)之剖面之剖視圖。 圖5係示意性顯示本發明之一實施形態之正下型方式之顯示裝置之構成的剖視圖。
圖3及圖4所示之顯示裝置70依次積層有LCD面板71、偏光選擇反射片材72、稜鏡片材73、波長轉換片材10、導光板6、及反射片材7。又，在顯示裝置70中，以沿導光板6之至少一個端面(側面)之方式配置有光源部5。 LCD面板71係由透過型液晶顯示元件形成，在其顯示面形成影像資訊之透過型顯示部。 偏光選擇反射片材72係具有將特定之偏光狀態之光透過，針對其以外之偏光狀態之光進行反射之功能之片材狀之構件，可使用例如DBEF系列(住友3M株式會社製)。在使用此偏光選擇反射片材72之情形下，基於提高亮度及提高光之利用效率之觀點，較佳為偏光選擇反射片材72之透過軸以與位於LCD面板71之入光側之未圖示之偏光板之透過軸平行之方式配置。 稜鏡片材73係具有將自導光板6之上表面出射之光之行進方向偏向(集光)成正面方向(LCD面板之面板面之法線方向)之作用之光學片材。
導光板6係對光進行導光之大致平板狀之構件。導光板6使光源部5發出之光自平板狀之一端面入射，在導光板內於導光板6之上表面與下表面一面全反射一面進行導光，並適宜地自導光板6之上表面朝稜鏡片材73側出射。 反射片材7係可反射光之片材狀之構件，配置於導光板6之與稜鏡片材73為相反側，具有使自導光板6之下表面出射之光再次朝導光板6內反射之功能，提高自光源部5發出之光之利用效率。反射片材7基於提高光之利用效率等之觀點等，較佳為主要具有鏡面反射性(正反射性)者。反射片材7可利用例如至少反射面(導光板6側之面)由金屬等之具有較高之反射率之材料形成之片材狀之構件、及包含由具有較高之反射率之材料形成之薄膜(例如金屬薄膜)而作為表面層之片材狀之構件等。此外，並不限定於此，反射片材7可設為例如主要具有漫射反射性，且反射率較高之白色之樹脂製之片材狀構件等。 光源部5係發出對LCD面板71進行照明之光之光源。光源部5基於使光對於導光板6之一端面均等地入射之觀點，而例如由點光源以特定之間隔排列複數個而形成。該點光源利用例如LED(Light Emitting Diode，發光二極體)光源、及有機EL(Electro Luminescence，電致發光)光源。 圖3及圖4之顯示裝置70係將自配置於導光板6之端面之背光光源即光源部5照射之光朝導光板6入射，並在導光板內導光，且使自導光板6之上表面出射之光依次透過波長轉換片材10、稜鏡片材73、偏光選擇反射片材72、LCD面板71之所謂之表面安裝式顯示裝置。此外，反射片材7根據需要而設置。
在所謂之表面安裝式顯示裝置70中，波長轉換片材10以與導光板6相接之方式配置。此處，在先前之波長轉換片材用之阻擋膜或波長轉換片材之情形下，阻擋膜與導光板黏連，成為使液晶顯示裝置之顯示特性大幅度劣化之要因。又，在顯示裝置進行搬運等之情形下，波長轉換片材與導光板相互摩擦，波長轉換片材及/或導光板受損，亦成為使顯示裝置之顯示特性劣化之要因。
然而，若為在波長轉換片材之墊層之面配置有導光板之顯示裝置，則即便為表面安裝式顯示裝置，亦可有效地抑制阻擋膜與導光板黏連，且抑制波長轉換片材及/或導光板受損。
又，導光板可利用先前周知之導光板，但為了更有效地防止阻擋膜與導光板之黏連，而亦可將導光板之與阻擋膜相接之側之表面之形狀設為楔形狀。
針對具備上述之波長轉換片材之另一顯示裝置，利用圖5進行說明。圖5之顯示裝置80係在漫射板8之背面側配置光源部5，在漫射板8之與光源部5為相反側配置波長轉換片材10，經由漫射板8將自該光源部5照射之光朝波長轉換片材10照射之所謂之正下型方式之顯示裝置。 此外，在波長轉換片材10之與漫射板8為相反側，與上述之圖3及圖4所示之顯示裝置70同樣地，依序積層有稜鏡片材73、偏光選擇反射片材72、LCD面板71。又，在光源部5之與漫射板8為相反側設置反射片材7，可使自光源部5發出之光中之未朝漫射板8入射而反射之光再次朝漫射板8側，而提高光之利用效率。此外，圖5所示之光源部5藉由沿漫射板8之板面，將複數個點光源(LED)呈格柵狀等間隔地配置而形成。
在所謂之正下型方式之顯示裝置80中，波長轉換片材10以與漫射板8相接之方式配置。藉由在波長轉換片材10之墊層16之面配置漫射板8，而出於與上述顯示裝置70之情形同樣之理由，可有效地抑制阻擋膜與漫射板黏連，且抑制波長轉換片材及/或漫射板受損。
＜＜4.另一實施形態之阻擋膜＞＞ 利用圖6～9說明本發明之另一實施形態之阻擋膜及波長轉換片材。
在圖6之波長轉換片材30積層之阻擋膜3、4在供螢光體層31積層之側之表面積層有底漆層37、47。藉此，可提高阻擋膜與螢光體層之密接性。 此處，圖6所示之波長轉換片材30所使用之阻擋膜3如圖7所示依序積層有底漆層37、阻擋層33(有機被覆層33a、無機氧化物薄膜層33b)、第1基材層32、接著劑層34、第2基材層35、及墊層36。 又，阻擋膜4除省略上述之阻擋膜3之墊層以外，具備與阻擋膜3同樣之層構成。亦即，阻擋膜4依序積層有底漆層47、阻擋層43(有機被覆層43a、無機氧化物薄膜層43b)、第1基材層42、接著劑層44、及第2基材層45。 阻擋膜3、4之底漆層37、47側之面以各自與螢光體層31接觸之方式積層。
此處，波長轉換片材30可如圖8所示般採用下述形態，即：圖7所示之2片阻擋膜3各自以底漆層37與螢光體層31之表面、背面接觸之方式積層，且墊層36外露於波長轉換片材30之表面及背面之兩面。藉由在波長轉換片材30之兩面配置墊層，而在利用該波長轉換片材30構成顯示裝置(參照圖3～5)之情形下，不僅可抑制波長轉換片材30與導光板6或漫射板8之間之黏連或受損，亦可抑制波長轉換片材30與光學片材(稜鏡片材73)之間之黏連或受損。 此外，底漆層可如圖6之實施形態之波長轉換片材般積層於阻擋層與螢光體層之間，但例如可積層於基材層與螢光體層之間。以下，針對底漆層進行說明。
(底漆層) 底漆層可舉出例如包含聚胺基甲酸酯系樹脂組成物之底漆層，進而更佳為包含矽烷偶聯劑、及填充材。
作為聚胺基甲酸酯系樹脂組成物，具體而言，例如可使用藉由多官能異氰酸酯與含羥基化合物之反應而獲得之聚合物，具體而言，例如可使用藉由甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷二異氰酸酯、聚亞甲基聚-伸苯基聚異氰酸酯等之芳香族聚異氰酸酯、或六亞甲基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯等之脂肪族聚異氰酸酯等之多官能異氰酸酯、與聚醚聚醇、聚酯多元醇、聚丙烯酸酯多元醇等之含羥基化合物之反應而獲得之單液乃至雙液型聚胺基甲酸酯系樹脂。在本實施形態中，藉由使用如上述之聚胺基甲酸酯系樹脂，而提高底漆層之伸長率，例如提高層疊加工、或製袋加工等之後加工適合性，防止在後加工時產生阻擋層之裂痕等。
在底漆層中，較佳為將上述之聚胺基甲酸酯系樹脂組成物含有底漆層總量中40質量%以上，更佳為含有70質量%以上。藉由為40質量%以上，而底漆層之伸長性進一步提高。又，可進一步減少產生底漆層之裂痕之可能性。
作為矽烷偶聯劑，可使用具有雙重反應性之有機官能性矽烷單體類，可使用例如γ-氯丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三氯矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)矽烷、甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、β-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、γ-巰丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-脲丙基三乙氧基矽烷、雙(β-羥乙基)-γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-胺基丙基聚矽氧之水溶液等之1種乃至其以上。
矽烷偶聯劑之位於其分子之一端之官能基、通常為氯、烷氧基、或乙醯氧基等水解，形成矽醇基(SiOH)，其在有機被覆層或無機氧化物薄膜層之表面上及能夠形成螢光體層之墨水中，由共價鍵等修飾矽烷偶聯劑，而形成強固之結合。
另一方面，位於矽烷偶聯劑之另一端之乙烯基、甲基丙烯醯氧基、胺基、環氧、或巰基等之有機官能基形成於該矽烷偶聯劑之薄膜之上。
在底漆層中，較佳為將上述之矽烷偶聯劑含有底漆層總量中之1質量%以上30質量%以下，更佳為含有3質量%以上20質量%以下。若為1質量%以上，則阻擋層與底漆層之密接性及底漆層與螢光體層之密接性進一步提高。藉由為30質量%以下，則底漆層之伸長性進一步提高。又，可進一步減少產生底漆層之裂痕之可能性。
作為填充材，可使用例如碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁白、二氧化矽、滑石、玻璃膠、樹脂粉末及其他等。其係調整底漆劑之黏度等，而提高該塗佈適性等者。
在底漆層中，較佳為將上述之填充材含有底漆層總量中之0.5質量%以上30質量%以下，更佳為含有1質量%以上10質量%以下。藉由為0.5質量%以上，則對基材層之塗佈適性可提高，可進而防止黏連。藉由為30質量%以下，而可抑制底漆層之霧度值增加。
在底漆層中，可進一步根據需要，任意添加穩定劑、硬化劑、橋聯劑、潤滑劑、紫外線吸收劑及其他等之添加劑。
為了避免來自背光光源之光被遮擋，底漆層較佳為基於JIS K 7361而測定之總光線透過率較高。具體而言，與本實施形態相關之底漆層，其基於JIS K 7361而測定之總光線透過率較佳為85%以上，更佳為90%以上。此外，總光線透過率係在PET膜(膜厚：12 μm)上形成底漆層時之測定值。
作為底漆層之膜厚，例如，較佳為0.05 μm以上10 μm以下，更佳為0.1 μm以上3 μm以下。
此外，阻擋膜3並非係限定於上述之積層順序者，例如，可設為阻擋層33與第1基材層32經調換之層構成、亦即依序積層有底漆層37、第1基材層32、阻擋層33(無機氧化物薄膜層33b、有機被覆層33a)、接著劑層34、第2基材層35、及墊層36。又，同樣地，阻擋膜4亦可依序積層有底漆層47、第1基材層42、阻擋層43(無機氧化物薄膜層43b、有機被覆層43a)、接著劑層44、及第2基材層45。
又，附墊層之阻擋膜可如圖9所示之阻擋膜9般採用下述構成，即：在一片基材層55之一面形成阻擋層53，在另一面形成墊層56。 此處，阻擋層53可設為與上述之阻擋層13等同樣之構成，墊層56可設為與上述之墊層16同樣之構成。 又，基材層55係兼具上述之第1基材層、及第2基材層之作用之基材。亦即，基材層55係供形成阻擋層之基材，且係提高阻擋膜之操作性之基材。因而，基材層55由與上述之第1基材層、第2基材層同樣之材質形成，且厚度較佳為超過25 μm 200 μm以下，更佳為38 μm以上175 μm以下，最佳為50 μm以上150 μm以下。 藉由採用此層構成，而可使阻擋膜之層構成更單純化，可減少製造步驟，且可降低阻擋膜之製造之成本。
＜＜5.阻擋膜之製造方法＞＞ 說明圖2所示之阻擋膜1之製造方法之一例。阻擋膜1之製造方法可舉出包含例如下述步驟之阻擋膜之製造方法，即：阻擋層積層步驟，其在第1基材層12之一個表面積層阻擋層13；第2基材層積層步驟，其在第1基材層12之阻擋層13積層側之表面經由接著劑層14積層第2基材層15；及墊層積層步驟，其在阻擋膜之第2基材層15側之表面積層墊層16。
[阻擋層積層步驟] 在阻擋層積層步驟中，在基材膜之一個表面積層有機被覆層、及/或無機氧化物薄膜層，而作為阻擋層。有機被覆層可將乙烯醇等之包含水溶性高分子等之塗佈劑塗佈並硬化而形成。對塗佈劑進行塗佈之方法可舉出輥式塗佈、凹版塗佈、刮刀塗佈、浸塗、噴塗、及其他之塗佈法之塗佈方式。無機氧化物薄膜層可藉由對無機氧化物進行蒸鍍而形成。對無機氧化物進行蒸鍍之方法可舉出例如真空蒸鍍法、濺射法、及離子電鍍法等之物理汽相沈積(Physical Vapor Deposition法、PVD法)、或電漿化學汽相沈積、熱化學汽相沈積、及光化學汽相沈積等之化學汽相沈積(Chemical Vapor Deposition法、CVD法)等。
此外，亦可在基材膜之一個表面預先任意形成包含底漆塗佈劑層、底塗劑層、錨固塗佈劑層、接著劑之層、或蒸鍍錨固塗佈劑層等，而設為表面處理層。
此外，作為在該階段之將基材膜與阻擋層積層之階段之阻擋性，根據JIS K-7126之透氧率之值較佳為5 cc/m2 •day•atm以下(23℃、90%RH)。又，根據JIS K-7129 B法之水蒸氣透過度之值較佳為5 g/m2 •day •atm以下(40℃、90%RH)。透氧率例如可由MOCON社製透氧測定裝置OX-TRAN測定(MOCON法)。又，水蒸氣阻擋性例如可由MOCON社製水蒸氣透過率測定裝置PERMATRAN測定。
[第2基材層積層步驟] 在第2基材層積層步驟中，在阻擋層13之表面經由接著劑層14積層第2基材層。具體而言，在阻擋層13之表面塗佈接著劑，並將另一基材膜重合。塗佈接著劑之方法可藉由輥式塗佈、凹版塗佈、刮刀塗佈、浸塗、噴塗、及其他之塗佈法、或印刷法等而實施。
[墊層積層步驟] 在墊層積層步驟中，在阻擋膜之第2基材層15側之表面積層墊層16。具體而言，可將包含樹脂、填料、及溶劑等之墊層積層用之塗佈劑塗佈於阻擋膜之第2基材層15側之表面並硬化而形成。對塗佈劑進行塗佈之方法可舉出輥式塗佈、凹版塗佈、刮刀塗佈、浸塗、噴塗、及其他之塗佈法之塗佈方式。
＜＜6.另一實施形態之阻擋膜之製造方法＞＞ 說明圖7所示之阻擋膜3之製造方法之一例。阻擋膜3之製造方法包含例如：阻擋層積層步驟，其在第1基材層32之一個表面積層阻擋層33；底漆層積層步驟，其在阻擋層之表面積層底漆層37；墊層積層步驟，其在第2基材層35之一個表面積層墊層36；及第2基材層積層步驟，其在第1基材層32之表面(未積層阻擋層之側之表面)經由接著劑層34積層第2基材層35。
在底漆層積層步驟中，具體而言，在阻擋層33之表面塗佈底漆劑。將在上述之樹脂組成物等中添加溶媒、稀釋劑等而混合而成之底漆劑利用例如輥式塗佈、凹版塗佈、刮刀塗佈、浸塗、噴塗、及其他之塗佈法塗佈於有機被覆層或無機氧化物薄膜層之表面上，使塗佈膜乾燥，並去除溶媒、稀釋劑等。藉此，可積層底漆層。
說明圖9所示之阻擋膜9之製造方法之一例。阻擋膜9之製造方法包含例如：阻擋層積層步驟，其在基材層55之一個表面積層阻擋層53；及墊層積層步驟，其在基材層55之另一表面積層墊層56。阻擋層積層步驟與墊層積層步驟各者可利用與上述之另一阻擋膜1、3之製造方法同樣之步驟。
＜＜7.波長轉換片材之製造方法＞＞ 波長轉換片材例如可利用圖2所示之阻擋膜1、及藉由包含阻擋層積層步驟、及第2基材層積層步驟之阻擋膜之製造方法而製造之阻擋膜2而製造。具體而言，在阻擋膜1之第1基材層12之表面塗佈含有螢光體112及密封樹脂111之混合液(墨水)。然後，藉由與阻擋膜2之第1基材層22之表面接觸，並使混合液(墨水)硬化，而可製造圖1所示之波長轉換片材10。此外，可在阻擋膜2之第1基材層22之表面塗佈含有螢光體112及密封樹脂111之混合液(墨水)。
在製造圖6所示之波長轉換片材時，可藉由在阻擋膜3、4之底漆層37、47之表面塗佈含有螢光體312及密封樹脂311之混合液(墨水)，而同樣地製造。亦即，可藉由在阻擋膜3、4中任一阻擋膜之底漆層之表面塗佈混合液，與另一阻擋膜之底漆層之表面接觸，並使混合液硬化，而製造。
在製造圖8所示之波長轉換片材時，藉由在2片阻擋膜3中任一者之底漆層之表面塗佈含有螢光體312及密封樹脂311之混合液(墨水)，與另一阻擋膜之底漆層之表面接觸，並使混合液硬化，而製造。
＜＜8.顯示裝置之製造方法＞＞ 顯示裝置可經由在上述之波長轉換片材之墊層之面配置導光板之步驟而製造。 [實施例]
以下，利用實施例，進一步詳細地說明本發明，但本發明不受該等記載任何限制。
＜阻擋膜之製造＞ 在第1基材層之表面積層有阻擋層。具體而言，首先，將基材膜(雙軸向取向聚對苯二甲酸乙二酯膜、12 μm)安裝於捲取式真空蒸鍍裝置之送出捲筒，其次，將其送出，對該基材膜之一面，將鋁用作蒸鍍源，一面供給氧氣，一面藉由利用電子束(EB)加熱方式之真空蒸鍍法，形成膜厚10 nm之氧化鋁之無機被覆層(阻擋層)。
其次，另一方面，在組成a.包含聚乙烯醇、異丙醇及去離子水之混合液中加入預先製作之組成b.包含矽酸乙酯、塩酸、異丙醇、去離子水之水解液並攪拌，而獲得無色透明之阻氣性組成物。
其次，在上述之無機被覆層(阻擋層)之上，使用阻氣性組成物，利用凹版輥塗法將其塗佈，其次以100℃於10秒間進行加熱處理，而形成厚度300 nm(乾操狀態)之有機被覆層(阻擋層)。 其次，在阻擋層(有機被覆層)之上積層有底漆層。首先，作為矽烷偶聯劑，使用γ-環氧丙氧丙基三甲氧基矽烷，獲得包含1.0重量%之該矽烷偶聯劑、1.0重量%之二氧化矽粉末、13～15重量%之聚胺基甲酸酯系樹脂、3～4重量%之硝酸纖維素、31～38重量%之甲苯、29～30重量%之甲基乙基酮(MEK)、15～16%之異丙醇(IPA)之聚胺基甲酸酯系樹脂組成物。
而後，在積層有上述之阻擋層之膜之阻擋層，利用輥式塗佈法塗佈上述之聚胺基甲酸酯系樹脂組成物，其次，以120℃於20秒間進行乾燥，將由胺脂系樹脂組成物形成之底漆層積層500 nm。該積層體之積層順序為底漆層/有機被覆層(阻擋層)/無機氧化物薄膜層(阻擋層)/基材膜(第1基材層)。
其次，在另一基材膜(雙軸向取向聚對苯二甲酸乙二酯膜、50 μm)之一面積層墊層。具體而言，將樹脂即丙烯酸系樹脂、與填料即包含聚丙烯酸系樹脂之球狀粒子(Epostar MA(聚甲基丙烯酸甲酯系橋聯物)(為丙烯酸系橋橋聯物且壓縮強度為2.8 kgf/mm2 以上之樹脂)填料之平均粒徑為4 μm)混合，而製作墊層形成用之塗佈劑(固體成分、填料含有量記載於下述表中)。而且，將塗佈劑利用凹版輥式塗佈法塗佈於基材膜之表面(乾燥後之塗佈量記載於下述表中)。
其次，在積層有墊層之基材膜之基材膜(第2基材層)側之表面利用凹版輥塗法塗佈雙液硬化型聚胺基甲酸酯系層疊用接著劑，形成厚度4.0 g/m2 (乾燥狀態)之接著劑層。
其次，藉由將積層有上述之阻擋層之積層體之基材膜(第1基材層)側與接著劑層之表面重合，並進行乾式層疊積層，而製造如圖7之實施例1～11、比較例1～8之阻擋膜(積層順序為「底漆層/有機被覆層(阻擋層)/無機氧化物薄膜層(阻擋層)/基材膜(第1基材層)/接著劑層/第2基材層/墊層」)。
製造未積層墊層之比較例9之阻擋膜(積層順序為「底漆層/有機被覆層(阻擋層)/無機氧化物薄膜層(阻擋層)/基材膜(第1基材層)/接著劑層/第2基材層」)。
＜霧度值之測定＞ 針對上述之實施例及比較例之阻擋膜之防黏連層，測定霧度值。具體而言，依據JIS K7136，利用霧度計(HM-150：村上色彩製)測定防黏連層之霧度(%)。在表1、表2中顯示該結果。
＜波長轉換片材之製造＞ 利用上述之實施例及比較例之阻擋膜製造波長轉換片材。具體而言，將密封樹脂(為胺脂丙烯酸酯系樹脂、且為電離感放射線硬化性化合物)以螢光體相對於密封樹脂100質量部成為1質量部之方式，混合於芯包含硒化鎘(CdSe)、外殼包含硫化鋅(ZnS)之螢光體(平均粒徑3～5 nm之量子點)，而製造形成螢光體層之混合液(墨水)。
在實施例及比較例之阻擋膜之第1基材層側之表面塗佈形成螢光體層之混合液(墨水)。而後，使在上述之阻擋膜中未積層墊層之阻擋膜(積層順序為「第1基材層/無機氧化物薄膜層/有機被覆層/接著劑層/第2基材層」)之第1基材層之表面與混合液(墨水)以接觸之方式重合，並使混合液(墨水)乾燥，螢光體層之厚度成為100 μm，而製造波長轉換片材。
＜黏連試驗＞ 針對波長轉換片材，進行與進行環境試驗後之導光板之黏連確認試驗。具體而言，使波長轉換片材(50 mm×50 mm)之墊層與導光板以將各波長轉換片材相接之方式積層，而製造附導光板之波長轉換片材。進而，在波長轉換片材之上載置300 g之重物，而施加加重。而後，將附導光板之波長轉換片材於溫度60℃濕度90%及溫度80℃之環境試驗中分別放置100小時，並進行100小時放置後之各附導光板之波長轉換片材之黏連之確認。在表1、表2顯示評估結果(表中記述為「黏連」)。
(評估基準) 〇：在阻擋膜與導光板間完全未確認到黏連、或確認到以實質上不存在問題之程度略微地黏連。 ×：在阻擋膜與導光板之間確認到大部分黏連。
＜硬度確認試驗＞ 藉由依據JIS K5600-5-4(1999)之試驗，測定並確認實施例及比較例之阻擋膜之墊層之表面之鉛筆硬度。在表1、表2顯示評估結果(表1中記述為「鉛筆硬度」)。此處，表1、表2中之「鉛筆硬度」之評估在「未達B」之情形下，意指鉛筆硬度較B更柔軟，在「H以上」之情形下，意指鉛筆硬度與H同等或較其更硬。
＜振動試驗＞ 為了確認實施例及比較例之防止阻擋膜之墊層之因異物所致之損傷效果，而實施振動試驗。具體而言，準備2個實施例及比較例之阻擋膜(下表面200 mm×200 mm、上表面200×100 mm)，並以墊層彼此(針對比較例9之阻擋膜，為第2基材層彼此)對面之方式設置於振動裝置(TESTER產業社製學振型耐摩擦堅牢度試驗機AB-301)。此外，在2個阻擋膜之間置入10個ϕ0.3 mm之玻璃微珠。
而且，在該阻擋膜介隔著樹脂膜載置重物(200 g×6個)，將振動速度設為0.5 Hz，並振動10分鐘，以目視確認損傷之產生狀況。在表1中顯示評估結果(表中記述為「振動試驗」)。
(評估基準) 〇：在與玻璃珠接觸之層(墊層等)未確認到產生損傷。 ×：在與玻璃珠接觸之層(墊層等)確認到產生損傷。
[表1]
   比較例1 實施例1 實施例2 實施例3 比較例2
填料濃度 (質量%) 1.5 1.7 1.7 3.4 0.5
塗佈量 (g/m2 ) 0.94 1.60 1.60 3.18 0.63
墊層之厚度 (μm) 0.88 1.50 1.51 2.89 0.59
霧度值 (%) 9.7 11.4 10.2 21.4 6.8
1 mm2 內之填料總數 (個) 1685 2251 2087 3459 1118
2倍以上粒徑填料比例 (%) 80.8 75.5 74.3 37.5 81.3
黏連 〇 〇 〇 〇 〇
鉛筆硬度 B HB HB HB 未達B
振動試驗 × 〇 〇 〇 ×
   實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8
填料濃度 (質量%) 1.0 1.5 1.5 2.0 1.5
塗佈量 (g/m2 ) 1.35 1.55 2.41 2.13 3.42
墊層之厚度 (μm) 1.24 1.43 2.23 1.98 3.25
霧度值 (%) 13.8 20.1 25.9 30.1 29
1 mm2 內之填料總數 (個) 2952 3936 4293 11986 4368
2倍以上粒徑填料比例 (%) 77.3 65.5 37.2 27.9 22.2
黏連 〇 〇 〇 〇 〇
鉛筆硬度 HB HB F H以上 F
振動試驗 〇 〇 〇 〇 〇
[表2]
   比較例3 比較例4 比較例5 比較例6 實施例9
填料濃度 (質量%) 1.5 1.5 1.5 0.5 1.0
塗佈量 (g/m2 ) 4.19 5.18 6.51 0.55 1.26
墊層之厚度 (μm) 3.92 4.83 5.94 0.51 1.16
霧度值 (%) 29.9 30.8 30.6 7.8 19
1 mm2 內之填料總數 (個) 5814 6380 8259 1193 3772
2倍以上粒徑填料比例 (%) 12.6 7 3.1 92.5 62.1
黏連 〇 〇 〇 〇 〇
鉛筆硬度 B B B 未達B HB
振動試驗 × × × × 〇
   實施例10 比較例7 比較例8 實施例11 比較例9
填料濃度 (質量%) 1.5 1.5 1.5 2.0 —
塗佈量 (g/m2 ) 1.08 3.91 4.96 1.77 —
墊層之厚度 (μm) 0.99 3.70 4.53 1.63 —
霧度值 (%) 27.4 34.4 35.2 35.2 —
1 mm2 內之填料總數 (個) 7349 7349 6067 8259 —
2倍以上粒徑填料比例 (%) 54.6 7.7 8.1 33.8 —
黏連 〇 〇 〇 〇 ×
鉛筆硬度 H以上 B B H以上 —
振動試驗 〇 × × 〇 ×
所謂表中之「填料濃度」係意指墊層形成用溶劑總量中之填料之質量%。
所謂表中之「塗佈量」係意指墊層之乾燥後之每單位面積之塗佈量(為固體成分之質量，且單位為g/m2 )。
所謂表中之「墊層之厚度」係意指墊層之乾燥後之厚度(單位為μm)。此外，墊層之厚度可藉由例如對墊層之剖面進行SEM觀察而測定。
所謂表中之「1 mm2 內之填料總數」係藉由雷射顯微鏡(奧林巴斯社製之OLS4000)且利用上述之方法算出之值。更具體而言，利用上述雷射顯微鏡觀察俯視下之特定面積(258×260 μm)之墊層之表面，以自該特定面積(258×260 μm)中之填料之總數成為1×1 mm之方式進行換算而算出。此外，上述雷射顯微鏡使用50倍之物鏡。
所謂表中之「2倍以上粒徑填料比例」係意指在墊層之俯視下，自墊層突出之填料中之被視認為相對於墊層之厚度為2倍以上之粒徑之填料之比例，係藉由雷射顯微鏡(奧林巴斯社製之OLS4000)且利用上述之方法而算出之值。
根據上述評估結果可知，本發明之波長轉換片材用之阻擋膜係即便在供顯示裝置配置之環境之氣氛變化之情形下，顯示裝置內之導光板與波長轉換片材亦不會黏連，而環境穩定性優異之波長轉換片材用之阻擋膜。
再者，被視認為相對於墊層之厚度為2倍以上之粒徑之填料之比例為自前述墊層突出之前述填料總量中20%以上80%以下，墊層之俯視下之1 mm2 之正方形內之前述填料之總數為1800個以上之實施例1～11之阻擋膜之鉛筆硬度亦成為「HB」以上(與HB同等或較其更硬之評估)，再者，在振動試驗中亦無法確認到產生損傷。根據本試驗結果可知，係能夠有效地抑制產生墊層之損傷之阻擋膜。
此外，在各表中，「墊層之厚度」與「2倍以上粒徑填料比例」存在下述傾向，即：墊層之厚度越薄，2倍以上粒徑填料比例越增大，墊層之厚度越厚，2倍以上粒徑填料比例越減小，但在上述實施例、比較例之一部分中，存在與上述之傾向不同之情形。 例如，在實施例5～7中，實施例6在與實施例5之關係中，墊層之厚度變厚，伴隨於其，2倍以上粒徑填料比例減小，但實施例6在與實施例7之關係中，墊層之厚度變薄，但2倍以上粒徑填料比例減小。認為此係因為若塗佈液之填料濃度變化，則塗佈時之填料之轉印狀況變化，因此在與不同之填料濃度之比較下，難以在「墊層之厚度」與「2倍以上粒徑填料比例」獲得上述傾向。
1,3,9:阻擋膜(附墊層之阻擋膜) 2,4:阻擋膜 5:光源部 6:導光板 7:反射片材 8:漫射板 10,30:波長轉換片材 11,31:螢光體層 12,22,32,42:基材層(第1基材層) 13,23,33,43,53:阻擋層 13a,23a,33a,43a:有機被覆層 13b,23b,33b,43b:無機氧化物薄膜層 14,24,34,44:接著劑層 15,25,35,45:基材層(第2基材層) 16,36,56:墊層 37,47:底漆層 55:基材層 70,80:顯示裝置 71:LCD面板 72:偏光選擇反射片材 73:稜鏡片材 111,311:密封樹脂 112,312:螢光體 161:樹脂 162:填料 t:厚度
圖1係示意性顯示本發明之一實施形態之波長轉換片材之剖視圖。 圖2係示意性顯示本發明之一實施形態之波長轉換片材之配置於顯示裝置之顯示面側之阻擋膜的剖視圖。 圖3係示意性顯示本發明之一實施形態之表面安裝式顯示裝置之構成的立體圖。 圖4係圖3所示之顯示裝置之剖視圖。 圖5係示意性顯示本發明之一實施形態之正下型方式之顯示裝置之構成的剖視圖。 圖6係示意性顯示本發明之另一實施形態之波長轉換片材之剖視圖。 圖7係顯示本發明之另一實施形態之波長轉換片材之配置於顯示裝置之阻擋膜的剖視圖。 圖8係示意性顯示本發明之又一實施形態之波長轉換片材之剖視圖。 圖9係示意性顯示本發明之又一實施形態之阻擋膜之剖視圖。
1:阻擋膜(附墊層之阻擋膜)
2:阻擋膜
10:波長轉換片材
11:螢光體層
12,22:基材層(第1基材層)
13,23:阻擋層
13a,23a:有機被覆層
13b,23b:無機氧化物薄膜層
14,24:接著劑層
15,25:基材層(第2基材層)
16:墊層
111:密封樹脂
112:螢光體
161:樹脂
162:填料
t:厚度

Claims (8)

  1. 一種阻擋膜，其係由至少包含阻擋層及基材層之多層膜構成者，且在前述阻擋膜之一表面積層墊層，該墊層包含樹脂及填料，且該填料之至少一部分突出；在前述墊層之俯視下，自前述墊層突出之前述填料中被視認為相對於前述墊層之厚度為2倍以上之粒徑之填料之比例為自前述墊層突出之前述填料總量中之20%以上80%以下；前述墊層之俯視下之1mm2之正方形內之前述填料之總數為1800個以上；在前述阻擋膜之與前述墊層為相反側之表面積層有底漆層。
  2. 如請求項1之阻擋膜，其中前述墊層所含之前述填料包含選自包含丙烯酸系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、耐隆系樹脂及聚乙烯系樹脂之群之至少1種以上之樹脂。
  3. 如請求項1或2之阻擋膜，其中前述墊層所含之前述樹脂包含丙烯酸系樹脂。
  4. 如請求項1或2之阻擋膜，其中前述填料包含依據JIS A 9511而測定之壓縮強度為2.8kgf/mm2以上之樹脂。
  5. 如請求項1或2之阻擋膜，其中前述墊層乾燥後之塗佈量為1.0g/m2以上3.6g/mz以下，依據JIS K7136而測定之前述墊層之霧度值為10%以上35%以下。
  6. 一種波長轉換片材，其將包含螢光體之螢光體層之一面、與請求項1至5中任一項之阻擋膜之與積層有前述墊層之側之面為相反側之面以對面之方式積層。
  7. 一種顯示裝置，其係具備導光板之表面安裝式顯示裝置，且依次積層LCD面板、偏光選擇反射片材、稜鏡片材、請求項6之波長轉換片材、前述導光板、及反射片材；在前述導光板之端面配置光源部；前述波長轉換片材在前述墊層之側之面配置前述導光板。
  8. 一種顯示裝置，其係具備漫射板之正下型方式之顯示裝置，且依次積層LCD面板、偏光選擇反射片材、稜鏡片材、請求項6之波長轉換片材、前述漫射板、光源部、及反射片材；前述波長轉換片材在前述墊層之側之面配置前述漫射板。
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