TWI816978B - 二氧化矽粉末、樹脂組成物及分散體 - Google Patents
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- TWI816978B TWI816978B TW109104986A TW109104986A TWI816978B TW I816978 B TWI816978 B TW I816978B TW 109104986 A TW109104986 A TW 109104986A TW 109104986 A TW109104986 A TW 109104986A TW I816978 B TWI816978 B TW I816978B
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 231
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000003809 water extraction Methods 0.000 claims description 5
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 11
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 13
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 12
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 3
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000012496 blank sample Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- HNSDLXPSAYFUHK-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(2-ethylhexyl) sulfosuccinate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)CC(S(O)(=O)=O)C(=O)OCC(CC)CCCC HNSDLXPSAYFUHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVHUUEPYEDOELM-UHFFFAOYSA-N 2-ethylpropanedioic acid;piperidin-1-id-2-ylmethylazanide;platinum(2+) Chemical compound [Pt+2].[NH-]CC1CCCC[N-]1.CCC(C(O)=O)C(O)=O YVHUUEPYEDOELM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 238000003556 assay Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000009841 combustion method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 125000003698 tetramethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
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- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
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- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C08L57/00—Compositions of unspecified polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/51—Particles with a specific particle size distribution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
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- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
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Abstract
本發明係提供一種二氧化矽粉末，其在作為半導體封止劑等樹脂填充劑來使用的情況下，能夠獲得間隙浸透性優良且黏度低的樹脂組成物。本發明的二氧化矽粉末係滿足以下條件：(1)藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的累積50質量%直徑D50係在300nm以上且500nm以下(較佳為330nm以上且400nm以下)；(2)鬆散堆積密度為250kg/m3以上且400kg/m3以下(較佳為270kg/m3以上且350kg/m3以下)；(3)[(D90-D50)/D50]x100%為30%以上且45%以下(較佳為33%以上且42%以下)。在藉由燃燒矽化合物之二氧化矽的製造方法中，能夠以下述方式進行製造：將具有三重管以上之同心圓多重管構造的燃燒器設置在反應器中，且該反應器具有在其周圍進行冷卻用的夾套部，並調整火焰的燃燒條件及冷卻條件。
Description
本發明係關於一種新穎的二氧化矽粉末、樹脂組成物及分散體。更詳細而言，本發明係關於一種粒徑及粒度分布被控制的二氧化矽粉末，且其填充性優良。特別是，本發明係提供一種新穎的二氧化矽粉末，其係能夠適當地作為添加至用於半導體封止劑等之樹脂組成物的填充劑。
一直以來，伴隨著以高集成、高密度化作為目的之半導體設備的小型化及薄型化，可添加至以環氧樹脂組成物作為代表的半導體封止劑及半導體實裝黏著劑之填充劑的粒徑具有變小的傾向。一直以來，作為該填充劑，能夠使用BET比表面積為5m2/g以上且20m2/g以下的非晶質二氧化矽粉末，且以一次粒徑換算，其粒徑為100nm以上且600nm以下左右。
然而，一般來說，因為具有前述BET比表面積的習知非晶質二氧化矽粉末的凝聚性強，故分散性差；結果，分散粒徑大且分散時的粒度分布廣。在使用如此之非晶質二氧化矽粉末的樹脂組成物中，存在著來自填充劑的粗粒子，且在成型時產生樹脂無法充分浸透至間隙即所謂浸透不良的問題。
為了解決朝前述間隙之浸透不良的問題，有人提出一種親水性乾式二氧化矽粉末，其BET比表面積與習知者相同在5m2/g以上且20m2/g以下的範圍內，且其凝聚性顯著變弱，分散性優良，並分散粒徑變小，分散時的粒度分布窄(專利文獻1)。又，也有人提出專利文獻2所載之二氧化矽粉末。
[專利文獻1]日本國公開專利公報「特開2014-152048公報」
[專利文獻2]日本國公開專利公報「特開2017-119621公報」
然而，在專利文獻1所載的二氧化矽粉末中，雖然其浸透至間隙部的樹脂浸透性提升，但因為分散粒徑小，產生了向樹脂組成物的增黏效果，故產生了填充有此二氧化矽粉末的樹脂組成物的黏度變高之問題。
另一方面，在專利文獻2中有人提案了一種二氧化矽粉末，儘管其BET比表面積在5m2/g以上且20m2/g以下，但是其粒徑在分散時維持低黏度，並且因為不含有阻礙間隙滲透的粗大粒子，故前述二氧化矽粉末具有獨特的分散性。藉由此獨特的分散性，添加有此二氧化矽粉末作為填充劑之樹脂組成物雖然顯示了能夠發揮黏度特性及間隙浸透性兩者的性能，但為了對應小間隙化，故期望黏度特性及間隙浸透性的性能更進一步提升。
因此，本發明的目的係提供一種粒徑及粒度分布被控制的二氧化矽粉末，且其填充性優良。更詳細而言，提供一種二氧化矽粉末，在使用其作為樹脂填充劑時，能夠獲得間隙浸透性優良且黏度低的樹脂組成物。
本發明人們為了解決前述課題，在藉由使矽化合物於火焰中燃燒而獲得二氧化矽的過程中，改變燃燒器、設置有燃燒器的反應器以及火焰條件等，並針對火焰中與火焰附近之二氧化矽粒子的生長及粒子的凝聚等進行了深入研究。結果發現，藉由調整火焰條件，可以獲得達到前述目的並具有優良的填充性之二氧化矽粉末，進而完成了本發明。
換言之，本發明係一種二氧化矽粉末，其特徵在於滿足以下條件(1)~(3)：
(1)藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的累積50質量%直徑D50係在300nm以上且500nm以下。
(2)鬆散堆積密度為250kg/m3以上且400kg/m3以下。
(3)[(D90-D50)/D50]x100%為30%以上且45%以下。其中，D90係藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的累積90質量%直徑。
因為本發明的二氧化矽粉末控制了其粒徑及粒度分布，且提高了填充性，故添加有該二氧化矽粉末的樹脂組成物，能夠同時達到優良的黏度特性及間隙滲透性。因此，能夠適當地作為半導體封止劑及半導體實裝黏著劑的填充劑。特別是，能夠適用於作為高密度實裝樹脂用的填充劑。
1:燃燒器
2:圓筒型外筒
3:反應器
[圖1]係製造二氧化矽時所使用的反應裝置重要部位的概略圖。
藉由所謂「乾式法(亦稱為燃燒法)」之二氧化矽粉末的製造方法來獲得本發明的二氧化矽粉末，且前述乾式法係藉由燃燒矽化合物來產生二氧化矽粉末，且在火焰中與火焰附近使其成長、凝聚。本發明的二氧化矽粉末係具有以下特性：
(1)藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的累積50質量%直徑D50係在300nm以上且500nm以下。
(2)鬆散堆積密度為250kg/m3以上且400kg/m3以下。
(3)[(D90-D50)/D50]x100%為30%以上且45%以下。其中，D90係藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的累積90質量%直徑。
若藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的累積50質量%直徑D50係(以下，亦稱為「中位直徑D50」)大於500nm，則雖然樹脂組成物的黏度低，但因為相對於間隙之二氧化矽粒徑過大，結果，在浸透至間隙時產生空孔(void)，而成為成型不良的原因。也就是說，無法獲得充分的狹窄間隙浸透性。另一方面，在粒徑小於300nm時，因為樹脂組成物的黏度過高故而不佳。中位直徑D50較佳係330nm以上且400nm以下。
二氧化矽粉末的填充特性可藉由鬆散堆積密度為250kg/m3以上且400kg/m3以下，來進行確定。此處的鬆散堆積密度係指將二氧化矽粉末朝具有特定容量的杯體(cup)中使其自然落下時的填充密度。在鬆散堆積密度小於250kg/m3的情況下，填充特性降低且樹脂組成物的黏度變高，故而不佳。
在鬆散堆積密度大於400kg/m3時，雖然樹脂組成物的黏度低，但因為相對於間隙來說，二氧化矽粒徑過大，結果，在浸透至間隙時產生空孔
(void)，而成為成型不良的原因。也就是說，無法獲得充分的狹窄間隙浸透性。鬆散堆積密度較佳係270kg/m3以上且350kg/m3以下。
就適度地調整粒度分布的特性而言，可藉由使累積50質量%直徑D50與累積90質量%直徑D90之間的關係，即[(D90-D50)/D50]x100%為30%以上且45%以下，來進行確定。在前述式中所表示的粒度分布大於45%時，粗粒子變多而成為空孔的原因。另一方面，粒度分布小於30%時，因為粒度分布變窄，鬆散堆積密度的值變小而低黏度化，故不佳。[(D90-D50)/D50]x100%較佳為33%以上且42%以下。
又，針對本發明的二氧化矽粉末，藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的幾何標準差σg較佳係在1.25以上且1.40以下的範圍內。前述幾何標準差σg小係代表粒度分布窄，故能夠減少粗粒子的量。然而，存在某種程度範圍的粒度分布之二氧化矽粉末，係能夠容易地降低添加至樹脂時的黏度。
又，幾何標準差σg係在使藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布成為10wt%以上且90wt%以下的範圍內，進行對數正態分布擬合(最小平方法)並根據擬合(fitting)來算出幾何標準差。
就前述離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布而言，其係將該親水性乾式二氧化矽粉末在1.5wt%濃度下，以輸出為20W且處理時間為15分鐘的條件，在水中進行分散所獲得之分散粒子的質量基準粒度分布。
藉由使本發明的二氧化矽粉末中，鐵、鎳、鉻及鋁各自的元素含量係小於1ppm，能夠降低半導體裝置內金屬配線間的短路，故較佳。
又，針對本發明的二氧化矽粉末，藉由使其熱水萃取法所測定之鈉離子、鉀離子及氯化物離子各自的離子含量係小於1ppm，能夠降低半導體裝置的作動不良、半導體裝置內金屬配線的腐蝕，故較佳。
又，構成本發明二氧化矽粉末的粒子較佳係球狀。可藉由例如電子顯微鏡觀察來確定該形狀。
本發明之二氧化矽粉末濃度為0.075wt%的水懸浮液相對於波長700nm的光之吸光度τ700較佳係0.60以下。吸光度τ700的值小，表示分散性良好；因此，分散的粒徑小更表示分散時的粒度分布窄，故粗粒子的數量少。因此，浸透性更好。
因為本發明的二氧化矽粉末具有前述般的中位直徑D50等，故藉由BET(Brunauer-Emmett-Teller)一點法所測定之比表面積一般來說為6m2/g以上且14m2/g以下左右。
前述般的本發明二氧化矽粉末的用途並未特別限定。本發明的二氧化矽粉末係能夠作為下述用途來使用：半導體封止材或半導體實裝黏著劑的填充材、晶片黏結膜(Die Attach Film)或晶片黏結膏(Die Attach Paste)的填充材、半導體封裝基板的絕緣膜等之樹脂組成物的填充材。特別是，本發明的二氧化矽粉末能夠適用於高密度實裝用樹脂組成物的填充材。就可使用於該樹脂組成物的樹脂而言，可舉出作為半導體封止材及黏著劑用的樹脂等習知樹脂，具體而言，可舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽氧樹脂等。
能夠將本發明的二氧化矽粉末分散於溶劑中並作為分散體來使用。分散體可為液體狀的分散液，亦可為將如此之分散液進行固化等後的固體狀者。就可用於分散二氧化矽粉末的溶劑而言，只要是容易使二氧化矽粉末分
散的溶劑，則並未特別限制。就如此之溶劑而言，舉例來說，能夠利用水；醇類、醚類及酮類等有機溶劑。就前述醇類而言，可舉出甲醇、乙醇及異丙醇等。就溶劑而言，可以使用水與一種以上的前述有機溶劑之混合溶劑。又，為了提高二氧化矽粒子的穩定性及分散性，可添加例如界面活性劑等分散劑、增黏劑、潤濕劑、消泡劑、酸性或鹼性的pH調整劑等各種添加劑。又，分散體的pH值沒有限制。
相較於將乾燥狀態的二氧化矽粉末混合至樹脂，在將如此之分散體混合至樹脂的情況下，能夠獲得二氧化矽粉末的分散狀態良好之樹脂組成物。粒子的分散狀態良好係指，樹脂組成物中的凝聚粒子變少。因此，含有本發明的二氧化矽粉末來作為填充劑之樹脂組合物，其黏度特性與間隙浸透性兩者的性能皆可以進一步提升。
又，本發明的二氧化矽粉末還可以作為石英製品的原料、化學機械拋光(CMP,Chemical Mechanical Polishing)研磨劑的磨粒、調色劑外部添加劑(Toner external additive)、液晶密封材的添加劑、牙科填充材、噴墨塗佈劑等。
又，因應上述用途，本發明的二氧化矽粉末還可作為具有經處理劑處理的二氧化矽粉末之基材或原料來使用，且前述處理劑係選自由矽烷化劑(Silylation Reagent)、矽氧樹脂油、矽氧烷類及脂肪酸等所組成群組中的至少一種。
以下，針對本發明的二氧化矽粉末的製造方法進行說明。
本發明的二氧化矽粉末係藉由乾式二氧化矽的製造方法所獲得，在前述製造方法中，藉由燃燒矽化合物來產生二氧化矽粉末，且在火焰中
與火焰附近使其成長、凝聚而獲得二氧化矽粉末；又，在前述製造方法中，將具有三重管以上之同心圓多重管構造的燃燒器設置在反應器中，且在該反應器的周圍設置有冷卻用的夾套部，並調整火焰的燃燒條件及冷卻條件。也就是說，藉由以使整個火焰的氧含量大之方式來控制火焰的燃燒條件，且藉由以使火焰的冷卻速度變慢之方式來控制冷卻條件，進而能夠有效率地製造本發明的二氧化矽粉末。
以下，列舉包含火焰的燃燒條件及冷卻條件之具體例，進行說明。
本發明的製造二氧化矽粉末的裝置之概略圖係顯示於圖1。在圖1所示的裝置中，在同心圓三重管構造之燃燒器1的周圍進一步還覆蓋圓筒型外筒2，且若將圓筒型外筒2視為燃燒器1的第四管，則燃燒器1整體上具有四重管構造。在下文中，將構成同心圓三重管的管從中心朝外緣依序稱為「中心管」、「第一環狀管」及「第二環形管」。
燃燒器1設置於反應器3中，且火焰在反應器3的內部燃燒，故在其內部由矽化合物產生二氧化矽。以使反應器3可以進行強制冷卻的方式，在其外部設置有夾套部(未圖示)，並且具有能夠使冷媒流過的構造。
在前述裝置中，預先將氣體狀態的矽化合物與氧混合並導入前述三重管的中心管。此時，亦可一併混合氮等的惰性氣體。又，矽化合物在常溫下為液體或固體時，藉由加熱該矽化合物並使其氣化來使用。又，在矽化合物進行水解反應而生成二氧化矽時，一併混合與氧反應而生成水蒸氣的燃料，例如為氫或碳氫化合物等。
又，將用於形成輔助火焰的燃料，例如氫或碳氫化合物等，導入鄰接於前述三重管的中心管之第一環狀管。此時，亦可一併混合氮等的惰性氣體再進行導入。又，亦可一併混合氧。
接著，將氧導入鄰接於前述三重管的第一環狀管的外側之第二環狀管。此氧係具有以下兩種功能：與矽化合物反應來生成二氧化矽、以及形成輔助火焰。此時，亦可一併混合氮等的惰性氣體。
接著，將氧與氮等惰性氣體之混合氣體導入前述三重管外壁與圓筒型外筒2的內壁所構成之空間。因為使用空氣作為該混合氣體係較為容易，故其為適當的態樣。
如前述般，在反應器3的外側設置夾套部，且使將燃燒熱去除至反應體系外的冷媒流通。因為大部分燃燒氣體係含有水蒸氣，故為了防止由水蒸氣的結露，以及在隨後的燃燒氣體中的腐蝕性成分被吸收到結露後之水中所引起的反應器3的腐蝕，燃燒熱吸收前的冷媒溫度(具體而言，冷媒導入至夾套的溫度)在50℃以上且200℃以下係為較佳的態樣。若考慮到實施的容易性，使用50℃以上且90℃以下的溫水作為冷媒係為較佳的態樣。又，計算將冷媒導入夾套部時的溫度(入口溫度)與從夾套部排出之冷媒的溫度(出口溫度)之間的差值，再從該溫度差、冷媒的比熱及冷媒的流動量，能夠確定被該冷媒所吸收的熱量，即冷媒從反應器3去除的熱量。
為了獲得本發明的二氧化矽粉末，如以下說明般，調整火焰的燃燒條件及冷卻條件係特別重要的，且較佳係滿足以下條件。
(A)Rcmbts≧0.5
Rcmbts：導入至第二環狀管的氧的量(mol/h)/(16x導入至中心管之原料氣體的量(mol/h))。
(B)NG3/MSi≦1.0
NG3：導入至第三環狀管之氣體的量(Nm3/h)；
MSi：生成之二氧化矽的質量(kg/h)。
接著，在Rcmbts小於0.5時，因為火焰整體的總氧量過少而使反應無法完整的進行，故粒子的成長時間變短。結果，產生粒徑為數十nm的微小粒子，中位直徑D50降低且鬆散堆積密度的值變小。
在前述NG3/MSi大於1.0時，火焰急速地冷卻，結果，產生粒徑為數十nm的微小粒子，且熔融狀態之二氧化矽熔融液的高黏度區域增加，故形狀轉換變得困難(各微小粒子係難以成長，且維持小粒徑的傾向變強)。因此，中位直徑D50降低至300nm以下。
就作為二氧化矽原料之矽化合物而言，並未特別限制，可使用在常溫下為氣體、液體或固體者。舉例來說，能夠使用下述化合物來作為矽化合物：例如八甲基環四矽氧烷等的環狀矽氧烷；例如六甲基二矽氧烷等的鏈狀矽氧烷；例如四甲氧基矽烷等的烷氧基矽烷；以及例如四氯矽烷等的氯矽烷。
藉由使用如矽氧烷及烷氧基矽烷等之在分子式中不包含氯的矽化合物，能夠顯著地降低獲得之二氧化矽粉末中所包含的氯化物，故較佳。
又，能夠容易地取得各種金屬雜質含量少的前述矽化合物。因此，藉由使用如此之金屬雜質含量少的矽化合物作為原料，能夠降低生成之二氧化矽粉末所含之金屬雜質的量。又，藉由蒸餾矽化合物等更進一步精製後再
作為原料來使用，能夠更進一步降低生成之二氧化矽粉末所含之金屬雜質的量。
本發明的二氧化矽粉末的回收並未特別限定，可藉由使用燒結金屬過濾器、陶瓷過濾器、袋式過濾器(bag filter)等進行過濾分離；或藉由氣旋(Cyclone)分離器等進行離心分離，而將二氧化矽粉末從燃燒氣體中分離並回收。
又，在前述說明中，雖然僅單獨使用一個同心圓三重管，但如後述實施例所示般，亦能夠以配置有複數個同心圓三重管之多數量方式來實施。在多數量方式的情況下，從獲得之本發明二氧化矽粉末的均勻性之觀點來看，較佳態樣係將各同心圓三重管設定為相同構造、相同尺寸，且同心圓三重管的最近中心之間的距離亦相同。又，圓筒型外筒2係可以一併被設置為覆蓋複數個同心圓三重管燃燒器。
又，在如習知般的燃燒矽化合物來製造二氧化矽粉末的方法中，因為在火焰中熔融的液體狀二氧化矽係藉由表面張力而進行球狀化，故被製造之固體二氧化矽粉末亦成為接近真球的球狀。又，前述方法所製造之二氧化矽粉末的粒子實質上不含內部氣泡，故真密度係大約與二氧化矽的理論密度2.2g/cm3一致。因此，在上述之本發明二氧化矽粉末的製造方法中所製造之二氧化矽粉末的形狀亦成為球狀，且真密度約為2.2g/cm3。
[小結]
本發明的二氧化矽粉末，其特徵在於滿足以下條件(1)~(3)：
(1)藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的累積50質量%直徑D50係在300nm以上且500nm以下。
(2)鬆散堆積密度為250kg/m3以上且400kg/m3以下。
(3)[(D90-D50)/D50]x100%為30%以上且45%以下。其中，D90係藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的累積90質量%直徑。
在前述本發明的二氧化矽粉末中，藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的幾何標準差σg較佳係在1.25以上且1.40以下的範圍內。
在前述本發明的二氧化矽粉末中，鐵、鎳、鉻及鋁各自的元素含量較佳係小於1ppm。
在前述本發明的二氧化矽粉末中，藉由熱水萃取法所測定之鈉離子、鉀離子及氯化物離子各自的離子含量較佳係小於1ppm。
又，本發明還提供一種樹脂組成物，其係在樹脂填充有本發明的二氧化矽粉末；本發明還提供一種分散體，其係在溶劑中分散有本發明的二氧化矽粉末。
[實施例]
為了具體地說明本發明而揭示了實施例及比較例，但本發明並非被此等實施例限定。
又，以下實施例及比較例的各種物性測定係按照以下的方法。
(1)BET比表面積
使用柴田理化學公司製的比表面積測定裝置SA-1000，藉由氮吸附BET一點法來測定BET比表面積S(m2/g)。
(2)吸光度τ700
將二氧化矽粉末0.3g與蒸餾水200ml至入玻璃製的樣品管瓶(AS ONE公司製，內容量30ml，外徑約28mm)，並以使超音細胞粉碎器(BRANSON公司製，
Sonifier II Model 250D，探頭：1.4英寸)的探頭尖端成為水面下15mm的方式，設置置入有試料的樣品管瓶，在輸出為20W、分散時間為15分鐘的條件下，將二氧化矽粉末分散在蒸餾水中，以製備二氧化矽濃度為1.5wt%的水懸浮液。接著，藉由添加蒸餾水將該水懸浮液進一步稀釋，以將其濃度降低至1/20，進而獲得濃度為0.075wt%的二氧化矽水懸浮液。
使用日本分光公司製的分光光度計V-630，測定獲得之二氧化矽濃度為0.075wt%之水懸浮液相對於波長700nm的光之吸光度τ700。又，在前述測定時，一併進行前述水懸浮液相對於波長460nm的光之吸光度τ460，且亦求得以ln(τ700/τ460)/ln(460/700)進行定義之分散性指數n。
(3)離心沉降法之質量基準粒度分布
使用CPS Instruments Inc.製的圓盤離心式粒度分布測定裝置DC24000，測定前述方法所獲得之二氧化矽濃度為1.5wt%之水懸浮液的質量基準粒度分布。又，就測定條件而言，設定旋轉數為9000rpm，二氧化矽的真密度為2.2g/cm3。
從獲得之質量基準粒度分布算出累積50質量%直徑D50與累積90質量%直徑D90。又，針對所獲得之質量基準粒度分布，在累積頻數為10質量%以上且90質量%以下的範圍內，進行對數正態分布擬合，並根據擬合(fitting)來算出幾何標準差σg。
(4)堆積密度
使用Hosokawa Micro股份有限公司製的粉體特性評價裝置Powder Tester PT-X型，測定鬆散堆積密度及振實堆積密度。本發明中的「鬆散堆積密度」係指疏填充狀態下的堆積密度，且能夠藉由下述方式進行測定：從體積為100mL的圓筒容器(材質：不銹鋼)的
18cm上方均勻地供給試料，在刮去容器上表面的試料後藉由稱重來測定。
另一方面，「振實堆積密度」係指，在其中進一步施加輕敲(Tapping)以形成密填充狀態時的堆積密度。此處，輕敲係指將填充有試料的容器從固定高度反覆落下，以對底部施加輕微的衝擊，並使試料成為密填充的操作。具體而言，為了測量鬆散堆積密度，在刮去容器上表面的試料並稱重後，再於此容器上蓋一個蓋子(下述之Hosokawa Micron公司製的粉末測試儀的設備)，並將粉末添加到其上緣為止，並執行輕敲180次。結束後，取下蓋子，刮去容器上表面的粉末後進行稱重，且將此狀態的堆積密度稱為振實堆積密度。
(5)鐵、鎳、鉻及鋁的元素含量
精確稱量2g乾燥後的二氧化矽粉末，並將其轉移到白金皿中，然後依序添加10mL濃硝酸及10mL氫氟酸。將前述白金皿置於設定為200℃的加熱板上，並藉由加熱使內容物乾燥固化。冷卻至室溫後，進一步添加2mL濃硝酸，並將其置於設定為200℃的加熱板上並加熱使其溶解。冷卻至室溫後，將作為白金皿中內容物的溶液轉移至容量為50mL的容量瓶中，使用超純水稀釋並調整至標線。使用前述稀釋後溶液作為樣品，並藉由ICP發射光分析裝置((股)島津製作所製，型號ICPS-1000IV)來測定鐵、鎳、鉻及鋁的元素含量。
(6)熱水萃取法的離子含量
將5g二氧化矽粉末添加至50g超純水中，並使用由氟樹脂製成的分解容器在120℃下加熱24小時以進行離子的熱水萃取。又，將超純水及二氧化矽粉末稱重至0.1mg單位為止。然後，使用離心分離器來分離固體成分，以獲得測定
樣品。又，在僅使用超純水的情況下進行相同的操作，並將其作為測定時的空白試料。
使用日本Dionex公司製的離子色譜系統ICS-2100，針對測定樣品及空白試料中所含的鈉離子、鉀離子及氯離子的濃度進行定量，並使用下式進行計算。
CSilica=(CSamplc-CBlank)×MPW/MSilica
CSilica：二氧化矽中的離子濃度(ppm)
CSample：測定樣品中的離子濃度(ppm)
CBlank：空白試料中的離子濃度(ppm)
MPW：超純水水量(g)
MSilica：二氧化矽重量(g)
又，各離子的CBlank係皆為0ppm。
(7)電子顯微鏡觀察
秤取0.03g的二氧化矽粉末添加至30ml的乙醇中，然後使用超音波洗淨器進行分散5分鐘，得到乙醇懸浮液。將此懸浮液滴在矽晶片上後進行乾燥，並使用日立High Technologies製的場發射型掃描式電子顯微鏡S-5500，對二氧化矽進行SEM觀察，並確認粒徑形狀。
(8)製造條件
使用基本構造如圖1所示之裝置來進行。其中，取決於實驗例，燃燒器的數量可以是三個。使用溫水作為冷媒來循環。又，除上述定義外，表中所示的製造條件的定義如下。
氧濃度：
(導入至中心管的氧的莫耳數)/(導入至中心管的氧的莫耳數+導入至中心管的氮的莫耳數)x100。
RO：
(導入至中心管的氧的莫耳數)/(16x導入至中心管的原料的莫耳數)。
RSFL：
(導入至第一環狀管的氫的莫耳數)/(32x導入至中心管的原料的莫耳數)。
除熱量：
(溫水的比熱)x(溫水導入量)x(溫水出口溫度-溫水入口溫度)。
又，因為在全部的實驗例中係導入75℃的溫水，故溫水入口溫度=75℃。又，使用1kcal/kg作為溫水的比熱。出口及入口係夾套部(未圖示)中的溫水排出口及導入口。
燃燒熱量：
(導入之原料的莫耳數x原料的燃燒熱量)+(導入之氫的莫耳數x氫的燃燒熱量)。
又，原料(八甲基環四矽氧烷)的燃燒熱量係使用1798kcal/mol，氫的燃燒熱量係使用58kcal/mol。
參照表1，將同心圓三重管的中心管、第一環形管及第二環形管分別簡單地記載為中心管、第一環形管及第二環形管。△係中心管的中心與另一個中心管的中心之間的距離(前述正三角形△的邊長)、d係中心管的內徑、D係中心管的中心與反應器內壁之間的最短距離。D/d越大，則意味著火焰與反應器內壁之間的距離越大。
[實施例1]
使用三個具有相同尺寸的同心圓三重管作為燃燒器，並對它們進行排列以使它們的中心成為正三角形，並且安裝圓筒型的外筒以將它們包圍。以使在三個燃燒器的中心部成為位於反應器的中心的位置之方式，將它們安裝並進行實驗。
在前述設定之下，如下述般，使八甲基環四矽氧烷燃燒，製造二氧化矽粉末。又，以下，簡單地將前述八甲基環四矽氧烷記載為原料。
將汽化的原料與氧及氮混合，然後在200℃下導入同心圓三重管的中心管。此外，將氫及氮混合並導入至第一環形管中，且前述第一環形管係對應同心圓三重管的中心管之最外圍鄰接管。又，將氧引入第二環形管，前述第二環形管係對應同心圓三重管的第一環形管之最外圍鄰接管。此外，將空氣導入至由同心圓三重管的第二環形管之外壁與圍繞同心圓三重管之外筒內壁所構成的空間中。
將75℃的溫水導入至反應器的夾套部。
測定所得到之二氧化矽粉末的以下特性：BET比表面積S、吸光度τ460、吸光度τ700、離心沉降法的質量基準粒度分布、鬆散堆積密度、振實堆積密度、Fe含量、Ni含量、Cr含量、Al含量、Na+含量、K+含量及Cl-含量。又，藉由電子顯微鏡觀察，確認構成該二氧化矽粉末之一次粒子的形狀。又，算出以下數值：從BET比表面積S算出BET比表面積的換算直徑DB；從吸光度τ460及吸光度τ700算出分散性指數n；以及從離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布來算出中位直徑D50、累積90質量%直徑D90以及幾何標準差σg。
於表1顯示了製造條件及所獲得之二氧化矽粉末的特性。又，Fe、Ni、Cr、Al、Na+、K+及Cl-的含量皆小於1ppm。
[實施例2~11]
如表1所示地變更製造條件，並與實施例1相同地製造二氧化矽粉末。顯示表1所獲得之二氧化矽粉末的物性。又，在任一實施例中，Fe、Ni、Cr、Al、Na+、K+及Cl-的含量皆小於1ppm。
[比較例1~6]
如表2所示地變更製造條件，並與實施例1相同地製造二氧化矽粉末。然而，在比較例3~6中，同心圓三重管燃燒器變更成僅為一個，且所使用的同心圓三重管的中心管的內徑係實施例1同心圓三重管的中心管的內徑的兩倍，並且第一環形管及第二環形管的尺寸也相應地增大。又，以使同心圓三重管的中心管的中心位於反應器的中心軸上之方式進行設置。
顯示由表2所獲得之二氧化矽粉末的物性
Claims (6)
- 一種二氧化矽粉末，其特徵在於滿足以下條件(1)~(3)：(1)藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的累積50質量%直徑D50係在300nm以上且500nm以下；(2)鬆散堆積密度為250kg/m3以上且400kg/m3以下；(3)[(D90-D50)/D50]x100%為30%以上且45%以下；其中，D90係藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的累積90質量%直徑。
- 如請求項1所述之二氧化矽粉末，其中，藉由離心沉降法所獲得之質量基準粒度分布的幾何標準差σg係在1.25以上且1.40以下的範圍內。
- 如請求項1或2所述之二氧化矽粉末，其中，鐵、鎳、鉻及鋁各自的元素含量係小於1ppm。
- 如請求項1或2所述之二氧化矽粉末，其中，藉由熱水萃取法所測定之鈉離子、鉀離子及氯化物離子各自的離子含量係小於1ppm。
- 一種樹脂組成物，其係在樹脂填充有如請求項1~4中任一項所述之二氧化矽粉末。
- 一種分散體，其係在溶劑中分散有如請求項1~4中任一項所述之二氧化矽粉末。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019-035109 | 2019-02-28 | ||
| JP2019035109 | 2019-02-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202035286A TW202035286A (zh) | 2020-10-01 |
| TWI816978B true TWI816978B (zh) | 2023-10-01 |
Family
ID=72238905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109104986A TWI816978B (zh) | 2019-02-28 | 2020-02-17 | 二氧化矽粉末、樹脂組成物及分散體 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220002165A1 (zh) |
| JP (1) | JP7430700B2 (zh) |
| KR (1) | KR20210130138A (zh) |
| CN (1) | CN113365943B (zh) |
| TW (1) | TWI816978B (zh) |
| WO (1) | WO2020175160A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113604182B (zh) * | 2021-08-16 | 2022-11-29 | 广东生益科技股份有限公司 | 一种树脂组合物及其应用 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TW200938485A (en) * | 2007-11-26 | 2009-09-16 | Evonik Degussa Gmbh | New precipiated silica for thickening and creating thixotropic behavior in liquid systems |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3891740B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2007-03-14 | 電気化学工業株式会社 | 微細球状シリカ質粉末の製造方法 |
| JP2003171117A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 疎水性シリカ微粉末及びその製造方法 |
| JP4060241B2 (ja) | 2003-06-24 | 2008-03-12 | 信越化学工業株式会社 | 疎水性球状シリカ系微粒子、その製造方法、および、それを用いた静電荷像現像用トナー外添剤 |
| EP1787957A1 (de) * | 2005-11-16 | 2007-05-23 | Degussa GmbH | Trockene Flüssigkeiten, Verfahren und Vorrichtung zu ihrer Herstellung |
| JP5008460B2 (ja) | 2006-06-09 | 2012-08-22 | 株式会社トクヤマ | 乾式シリカ微粒子 |
| JP6112888B2 (ja) | 2013-02-05 | 2017-04-12 | 株式会社トクヤマ | 乾式シリカ微粒子 |
| JP6901853B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2021-07-14 | 株式会社トクヤマ | 親水性乾式シリカ粉末 |
| KR20170119621A (ko) | 2016-04-19 | 2017-10-27 | 김상철 | 계좌인출 관리시스템 및 관리방법 |
| GB2559608A (en) * | 2017-02-13 | 2018-08-15 | Sibelco Nederland N V | Grains comprising silica and methods of forming grains comprising silica |
| JP6778662B2 (ja) * | 2017-08-01 | 2020-11-04 | 信越化学工業株式会社 | 造粒処理シリカの製造方法 |
| EP3476815B1 (en) * | 2017-10-27 | 2023-11-29 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Production of a porous product including post-adapting a pore structure |
| KR20200115502A (ko) * | 2018-01-31 | 2020-10-07 | 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 | 수지 조성물 |
| KR20230002311A (ko) | 2020-04-24 | 2023-01-05 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 표면 처리 실리카 분말의 제조 방법, 수지 조성물 및 슬러리 |
-
2020
- 2020-02-13 US US17/425,852 patent/US20220002165A1/en active Pending
- 2020-02-13 KR KR1020217023323A patent/KR20210130138A/ko unknown
- 2020-02-13 CN CN202080011725.4A patent/CN113365943B/zh active Active
- 2020-02-13 WO PCT/JP2020/005618 patent/WO2020175160A1/ja active Application Filing
- 2020-02-13 JP JP2021501921A patent/JP7430700B2/ja active Active
- 2020-02-17 TW TW109104986A patent/TWI816978B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002003213A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Nippon Aerosil Co Ltd | 非晶質微細シリカ粒子とその製造方法および用途 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2020175160A1 (zh) | 2020-09-03 |
| JP7430700B2 (ja) | 2024-02-13 |
| US20220002165A1 (en) | 2022-01-06 |
| TW202035286A (zh) | 2020-10-01 |
| CN113365943B (zh) | 2023-06-09 |
| CN113365943A (zh) | 2021-09-07 |
| WO2020175160A1 (ja) | 2020-09-03 |
| KR20210130138A (ko) | 2021-10-29 |
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