TWI811427B - 刻面區域之檢測方法及檢測裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題] 檢測SiC單晶晶錠的刻面區域的位置。 [解決手段] 本發明之刻面區域之檢測方法係具有：第一面、及與該第一面為相反側的第二面，檢測c軸由該第一面至該第二面的SiC單晶晶錠的刻面區域的刻面區域之檢測方法，其係包含：照射步驟，其係對該SiC單晶晶錠的該第一面照射來自光源的光；螢光強度檢測步驟，其係檢測藉由被照射在該第一面的該光而由該SiC單晶晶錠的該第一面所發生的螢光的強度；及判定步驟，其係將在該第一面中在該螢光強度檢測步驟中被檢測到的螢光強度為相對較小的區域判定為刻面區域，且將該螢光強度為相對較大的區域判定為非刻面區域。

Description

刻面區域之檢測方法及檢測裝置
本發明係關於檢測SiC(碳化矽)單晶晶錠的刻面區域之檢測方法、及檢測該刻面區域之檢測裝置。
近年來，以變流器或整流器為代表的功率元件等所使用的次世代的半導體材料而言，取代Si(矽)而以SiC(碳化矽)備受矚目。SiC晶圓係藉由SiC單晶晶錠被切片而形成。以將SiC單晶晶錠進行切片來製造SiC晶圓的方法而言，已知一種例如使用線鋸機來切出SiC單晶晶錠的方法。
但是，在使用線鋸機的方法中，係發生所失去的SiC的量多，與成為原料的SiC單晶晶錠的量相比，所得的SiC晶圓的數量變少的問題。例如，製造350μm左右的厚度的SiC晶圓時，必須要有150μm～200μm左右的厚度的區域作為餘白部分。此外，為了去除所得的SiC晶圓的表面的起伏等，必須研磨SiC晶圓的表面而去除50μm左右的厚度的區域。
因此，以SiC的損失相對較少的SiC晶圓的製造方法而言，已知一種將對SiC具透過性的波長的雷射束對SiC單晶晶錠的內部聚光而形成改質層、及由該改質層伸長的裂痕來進行割斷的方法。在該方法中，將該雷射束的聚光點定位在SiC單晶晶錠的預定的深度位置而沿著被割斷面掃描該雷射束，且沿著該被割斷面形成改質層(參照專利文獻1)。
但是，SiC單晶係形成：在其成長過程中被稱為刻面區域的區域、及被稱為非刻面區域的區域之彼此成長模式不同的區域。已知刻面區域、與非刻面區域係因其成長模式不同而電阻率或缺陷密度等物性不同。
因此，為了使用所製造的SiC晶圓而取得預定性能的元件，已開發出一種一邊控制刻面區域、與非刻面的形成區域一邊形成SiC單晶晶錠的技術(參照專利文獻2至4)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2016-127186號公報 [專利文獻2] 日本特開2014-40357號公報 [專利文獻3] 日本特開2004-323348號公報 [專利文獻4] 日本特開2013-100217號公報
(發明所欲解決之課題)
刻面區域、與非刻面區域係彼此折射率不同。因此，若欲以離SiC單晶晶錠的表面為預定的深度照射對SiC具透過性的波長的雷射束來形成改質層時，在刻面區域、與非刻面區域，該雷射束被聚光在不同的深度位置。因此，改質層並未形成在一樣的深度，因此在使用藉由雷射束所為之切片方法的情形下，亦必須要有一定大小的餘白部分(截口損失)。
因此，考慮以不依區域而在SiC單晶晶錠的內部的一樣深度形成改質層的方式，在刻面區域、與非刻面區域的各個，以不同的雷射加工條件照射該雷射束。例如，若為SiC晶圓，可藉由目視來確認反映出刻面區域、與非刻面區域的氮濃度的差的對比。
但是，SiC單晶晶錠係比SiC晶圓為較厚，並不容易藉由目視來判別刻面區域、與非刻面區域。因此，在SiC單晶晶錠中，難以辨識各個區域的位置，以適於各個區域的加工條件而將該雷射束照射在SiC單晶晶錠。
本發明係鑑於該問題點而完成者，其目的在提供一種可在SiC單晶晶錠中輕易檢測刻面區域的檢測方法及檢測裝置。 (解決課題之手段)
藉由本發明之一態樣，提供一種刻面區域之檢測方法，其係具有：第一面、及與該第一面為相反側的第二面，檢測c軸由該第一面至該第二面的SiC單晶晶錠的刻面區域的刻面區域之檢測方法，其特徵為：包含：照射步驟，其係對該SiC單晶晶錠的該第一面照射來自光源的光；螢光強度檢測步驟，其係檢測藉由被照射在該第一面的該光而由該SiC單晶晶錠的該第一面所發生的螢光，且取得該螢光的強度的分布；及判定步驟，其係將在該第一面中在該螢光強度檢測步驟中被檢測到的螢光的強度為相對較小的區域判定為刻面區域，且將該螢光的強度為相對較大的區域判定為非刻面區域。
較佳為另外包含：研削步驟，其係在實施該照射步驟之前，使用研削砥石來研削該第一面。
此外，藉由本發明之其他一態樣，提供一種刻面區域之檢測裝置，其係具有：第一面、及與該第一面為相反側的第二面，檢測c軸由該第一面至該第二面的SiC單晶晶錠的刻面區域的刻面區域之檢測裝置，其特徵為：具備：吸盤平台，其係在該第一面朝向上方的狀態下，保持該SiC單晶晶錠；光源，其係對被保持在該吸盤平台的該SiC單晶晶錠照射光；螢光檢測單元，其係檢測藉由從該光源被照射在該第一面的光而由該第一面所發生的螢光，且取得該螢光的強度的分布；及判定單元，其係由藉由該螢光檢測單元所被檢測到的該螢光的強度的分布，檢測該SiC單晶晶錠的該第一面的刻面區域的位置。
較佳為該螢光檢測單元係具備：攝像單元，其係對藉由利用該光源照射該光而發生該螢光的該SiC單晶晶錠的該第一面進行攝像。 (發明之效果)
若對SiC單晶晶錠的第一面照射特定波長的光，由該第一面發生螢光。在刻面區域、與非刻面區域，由於光學特性不同，因此以同一條件照射該光時所發生的螢光的強度不同。例如，在刻面區域中，螢光的強度相對較小，在非刻面區域中，該螢光的強度相對較大。亦即，在SiC單晶晶錠的第一面所發生的螢光的強度的分布對應刻面區域、與非刻面區域的分布。
因此，在本發明之一態樣之刻面區域之檢測方法及檢測裝置中，係對SiC單晶晶錠的第一面照射光，且檢測在該第一面所發生的螢光。接著，可藉由取得螢光的強度的分布，來檢測SiC單晶晶錠的刻面區域。
因此，藉由本發明，提供可在SiC單晶晶錠輕易檢測刻面區域的檢測方法及檢測裝置。
參照所附圖示，說明本發明之實施形態。首先，說明藉由本實施形態之刻面區域之檢測方法及檢測裝置來檢測刻面區域的SiC單晶晶錠。圖1(A)係模式顯示SiC單晶晶錠11的斜視圖，圖1(B)係模式顯示SiC單晶晶錠11的側面圖。SiC單晶晶錠11係具有：第一面11a、及第一面11a的相反側的第二面11b。第一面11a及第二面11b係彼此平行。
SiC單晶晶錠11係例如在與第一面11a呈平行的被割斷面被割斷，且切出為SiC晶圓。SiC晶圓係作為以變流器或整流器為代表之功率元件等的製造所使用的次世代的半導體材料而備受矚目。
割斷SiC單晶晶錠11時，例如將對SiC具透過性的波長的雷射束，沿著被割斷面聚光在離第一面11a為深預定距離的位置，藉由多光子吸收過程，在SiC單晶晶錠11的內部形成改質層。接著，由改質層沿著該被割斷面使裂痕伸長，藉此割斷SiC單晶晶錠11。其中，SiC單晶晶錠11的第一面11a係成為雷射束的被照射面，因此亦可預先被研磨而形成為鏡面。
在SiC單晶晶錠11，如圖1(A)所示，形成：第一定向平面13、及與第一定向平面13呈正交的第二定向平面15。第一定向平面13的長度係形成為比第二定向平面15的長度為更長。
SiC單晶晶錠11係具有：相對第一面11a的法線17，以第二定向平面15方向傾斜傾斜角(off-angle)α的c軸19；及與c軸19呈正交的c面21。該c軸19係例如由第一面11a至第二面11b。c面21係相對SiC單晶晶錠11的第一面11a傾斜傾斜角α。一般而言，在SiC單晶晶錠11，與較短的第二定向平面15的伸長方向呈正交的方向成為c軸19的傾斜方向。
c面21係以分子程度被設定無數在SiC單晶晶錠11中。傾斜角α係被設定為例如4˚。但是，傾斜角α並非為限定於4˚者，例如可在1˚～6˚的範圍自由設定來製造SiC單晶晶錠11。
SiC單晶係形成：在其成長過程中在表面被稱為刻面區域的區域、及被稱為非刻面區域的區域之彼此成長模式不同的區域。圖2(A)係模式顯示SiC單晶晶錠11的刻面區域11d、及非刻面區域11c的斜視圖。在圖2(A)係顯示該刻面區域11d，該刻面區域11d以外的區域為非刻面區域11c。
刻面區域11d、與非刻面區域11c係已知因其成長模式不同而電阻率或缺陷密度等物性不同。但是，在SiC單晶晶錠11中，刻面區域11d、與非刻面區域11c係難以藉由目視來判別。
刻面區域11d、與非刻面區域11c係折射率彼此不同。因此，當欲將對SiC具透過性的波長的雷射束聚光在SiC單晶晶錠11的預定深度而形成改質層時，在刻面區域11d、與非刻面區域11c，該雷射束被聚光在不同的深度位置。
更詳言之，在SiC單晶晶錠11中，刻面區域11d的折射率係大於非刻面區域11c的折射率。因此，在刻面區域11d，該雷射束被聚光在比非刻面區域11c為更深的位置，且改質層形成在更深的位置。
此外，刻面區域11d、與非刻面區域11c係雷射束的吸收性不同。該雷射束雖然對SiC具透過性，但是以一定比例被SiC吸收。接著，非刻面區域11c中的該雷射束的吸收性係比刻面區域11d中的該雷射束的吸收性為更低。因此，到達聚光點的該雷射束的強度係以非刻面區域11c比刻面區域11d為更強。
亦即，即使對SiC單晶晶錠11的第一面11a的全面，以同樣條件照射雷射束，亦未以SiC單晶晶錠11的內部的一樣的深度一樣地形成改質層。因此，切出為SiC晶圓時的餘白部分(截口損失(Kerf Loss))變大。
因此，在本實施形態之刻面區域之檢測方法及檢測裝置中，係檢測SiC單晶晶錠11的刻面區域11d的位置。若刻面區域11d、與非刻面區域11c的位置被檢測，可以在各個區域中一樣地形成改質層的方式，在各個區域以不同的條件照射雷射束。
接著，說明本實施形態之刻面區域11d之檢測裝置。在圖2(B)中係模式顯示刻面區域11d的檢測裝置2的主要構成。
該檢測裝置2係具備：保持SiC單晶晶錠11的吸盤平台14、及被配設在該吸盤平台14的上方的光源單元4。檢測裝置2係另外具備：例如在該光源單元4排列的攝像單元6。
吸盤平台14係在內部具備：一端通至吸盤平台14的上面的吸引路(未圖示)、及連接於該吸引路的另一端的吸引源(未圖示)。在吸盤平台14的上面載置SiC單晶晶錠11，若使該吸引源作動而通過該吸引路來使負壓作用於SiC單晶晶錠11時， SiC單晶晶錠11被吸引保持在吸盤平台14。亦即，吸盤平台14的上面成為保持面。
光源單元4係在內部具備光源(未圖示)。該光源係例如水銀燈或LED(Light Emitting Diode，發光二極體)，可發出包含紫外區域的波長成分的光。光源單元4係另外具備：透過特定波長的光的帶通濾波器等濾波器8、及調整該光的照射區域的透鏡10。
由該光源被出射的光12係透過濾波器8。此時，光12之該特定波長以外的成分被遮蔽。之後，光12係經由透鏡10而被照射在被保持在吸盤平台14的SiC單晶晶錠11。被照射在SiC單晶晶錠11的光12係被照射在SiC單晶晶錠11時產生螢光的波長的光，例如波長365nm的紫外線。
攝像單元6係被朝向吸盤平台14的保持面，對由光源照射光12在被保持在吸盤平台14的SiC單晶晶錠11時所產生的螢光進行攝像，而得第一面11a的螢光像。亦即，該檢測裝置2係具備藉由攝像單元6所構成的螢光檢測單元。在此，螢光像係指呈現螢光的強度的分布的畫像。其中，攝像單元6係可在光源單元4的近傍排列配設，或者，亦可配設在吸盤平台14的斜上方。
刻面區域11d的檢測裝置2係另外具備：控制該檢測裝置2的各構成要素的控制單元(未圖示)。該控制單元係與吸盤平台14、光源單元4、及攝像單元6作電性連接。該控制單元係控制光源單元4而對被保持在吸盤平台14的SiC單晶晶錠11照射該光12，使攝像單元6檢測該螢光而形成螢光像。
其中，控制單元亦可一邊控制該光源單元4而使該光12照射在該SiC單晶晶錠11的第一面11a的一部分，一邊使該吸盤平台14以與該保持面呈平行的方向移動，且使該光12在該第一面11a掃描。此時，控制單元係藉由將第一面11a中的該光12的被照射位置的座標、與在該攝像單元6被檢測的螢光的強度建立關連而形成螢光像。
刻面區域11d的檢測裝置2的該控制單元亦可具備記錄根據所被檢測到的該螢光所作成的螢光像的記錄單元。此外，該控制單元亦可具備：由在該螢光像所呈現的該螢光的強度的分布，來判定SiC單晶晶錠11的第一面11a中的刻面區域11d的位置的判定單元。
在SiC單晶晶錠11的第一面11a所產生的該螢光係在刻面區域11d、與非刻面區域11c為強度不同。因此，被記錄在該記錄單元的螢光像係成為螢光的強度依刻面區域11d、與非刻面區域11c的位置而異的螢光像。例如，在刻面區域11d，與非刻面區域11c相比較，螢光的強度變得較小。
因此，在該控制單元的該判定單元係將螢光像中螢光的強度相對較小的區域判定刻面區域11d，且將螢光的強度相對較大的區域判定為非刻面區域11c。如上所示，刻面區域11d的檢測裝置2係可由對SiC單晶晶錠11照射光12所產生的螢光的強度的分布，檢測SiC單晶晶錠11的第一面11a的刻面區域11d的位置。
其中，該控制單元亦可具備：記憶關於所被檢測到的SiC單晶晶錠11的刻面區域11d的位置的資訊的記憶部。接著，該控制單元亦可對將SiC單晶晶錠11切出為SiC晶圓的雷射加工裝置，傳送關於刻面區域11d的位置的資訊。
接著，說明使用刻面區域11d的檢測裝置2所實施之本實施形態之刻面區域之檢測方法。圖5係模式顯示該刻面區域之檢測方法的各步驟的流程的流程圖。
在該刻面區域11d的檢測方法中，首先，實施對SiC單晶晶錠11的第一面11a照射來自光源單元4的光源的光12的照射步驟S1。圖2(B)係模式顯示照射步驟S1的斜視圖。
在照射步驟S1中，係在吸盤平台14的上面，在將第一面11a朝向上方的狀態下載置SiC單晶晶錠11。接著，使吸盤平台14的吸引源作動而使負壓作用於該SiC單晶晶錠11，而使SiC單晶晶錠11吸引保持在吸盤平台14。
接著，使光源單元4作動而使光12由光源出射，經由濾波器8及透鏡10而對第一面11a照射光12。光12係比在被照射在SiC單晶晶錠11時在SiC單晶晶錠11產生螢光的紫外區域為更短的波長的光，例如365nm的波長的光。但是，光12的波長並非限定於此。
在本實施形態之刻面區域11d之檢測方法中，接著，實施檢測藉由被照射在第一面11a的光12而由SiC單晶晶錠11的第一面11a所發生的螢光，且獲得該螢光的強度的分布的螢光強度檢測步驟S2。藉由在照射步驟中被照射在第一面11a的光12所產生的螢光係藉由構成螢光檢測單元的攝像單元6而被檢測。
圖3係模式顯示反映出在螢光強度檢測步驟S2中藉由攝像單元6所被檢測的螢光的強度的分布的第一面11a的螢光像16的平面圖。在圖3所示之平面圖，為方便說明起見，係在螢光的強度相對較小的區域標註斜線的影線。如圖3所示，在螢光像16中，在SiC單晶晶錠11的第一面11a，係被確認所產生的螢光的強度相對較大的區域、及強度相對較小的區域。
接著，在本實施形態之刻面區域11d之檢測方法中，實施由在螢光強度檢測步驟S2中所得的螢光像16，判定第一面11a的刻面區域11d、與非刻面區域11c的位置的判定步驟S3。
在判定步驟S3中，係在SiC單晶晶錠11的第一面11a中，將螢光的強度相對較小的區域判定為刻面區域11d，且將螢光的強度相對較大的區域判定為非刻面區域11c。
藉由本實施形態之刻面區域11d之檢測方法，藉由檢測對SiC單晶晶錠11照射光12所產生的螢光，可檢測刻面區域11d、與非刻面區域11c。
其中，在本實施形態之刻面區域11d之檢測方法中，亦可在實施照射步驟S1之前，實施使用研削砥石來研削SiC單晶晶錠11的第一面11a的研削步驟。
在照射步驟S1中，係觀察在該第一面11a被照射光12所產生的螢光。此時，若第一面11a的表面不平坦，在第一面11a的各區域，未以一樣的條件被照射光12，此外，未以同樣的條件產生螢光。因此，為了適當檢測刻面區域11d，以實施研削步驟而第一面11a被研削且形成為鏡面為佳。
此外，若實施研削步驟而第一面11a為平坦，之後，當由SiC單晶晶錠11切出SiC晶圓時，可將第一 面11a的全域以所希望的條件實施雷射加工。
此外，在本實施形態之刻面區域11d之檢測方法中，亦可實施使關於在判定步驟S3中被檢測到的刻面區域11d及非刻面區域11c的位置的資訊記憶在控制單元的記憶部的記憶步驟。亦可使用關於在記憶步驟中被記憶的刻面區域11d及非刻面區域11c的位置的資訊，之後由SiC單晶晶錠11製造SiC晶圓。
製造SiC晶圓時，若以適於刻面區域11d、與非刻面區域11c之各個的條件，照射對SiC具透過性的雷射束時，可在SiC單晶晶錠的預定的深度位置形成一樣的改質層。此時，將SiC單晶晶錠切出而形成SiC晶圓時成為必須的餘白部分變得相對較小，SiC的損失率降低，因此可有效率地製造SiC晶圓。
接著，說明將被檢測到刻面區域11d及非刻面區域11c的SiC單晶晶錠11進行雷射加工來製造SiC晶圓的方法及雷射加工裝置。圖4(A)係模式顯示以該雷射加工裝置將SiC單晶晶錠11進行雷射加工的樣子的斜視圖。
圖4(A)所示之雷射加工裝置18係具備：吸盤平台20、及該吸盤平台20的上方的雷射加工單元22。該吸盤平台20係構成為與刻面區域11d的檢測裝置2的吸盤平台14相同。該吸盤平台20係可以與上面的保持面呈平行的方向移動。
雷射加工單元22係具有使對SiC具透過性的波長的雷射束22a聚光在被保持在吸盤平台20的SiC單晶晶錠11的預定的深度位置的功能。該雷射束22a係被聚光在SiC單晶晶錠11的被割斷面的深度位置。
在製造SiC晶圓的方法中，首先，實施保持SiC單晶晶錠11的保持步驟。在保持步驟中，在將第一面11a朝向上方的狀態下，使SiC單晶晶錠11載置於雷射加工裝置18的吸盤平台20的保持面，來吸引保持吸盤平台20的SiC單晶晶錠11。
接著，實施對SiC單晶晶錠11照射雷射束22a而將SiC單晶晶錠進行雷射加工的雷射加工步驟。在雷射加工步驟中，係使雷射加工單元22作動，一邊使雷射束22a聚光在SiC單晶晶錠11的內部的預定深度，一邊使吸盤平台20以與保持面呈平行的方向進行加工進給。
例如，如圖4(A)所示，使吸盤平台20以沿著SiC單晶晶錠11的第二定向平面15的方向進行加工進給。若使雷射束22a聚光在SiC單晶晶錠11的內部的預定的深度位置，藉由多光子吸收過程而在聚光點的近傍形成改質層23。
由SiC單晶晶錠11的一端至另一端，使雷射束22a聚光後，將吸盤平台20以與保持面呈平行而且與第二定向平面15呈垂直的方向進行分級進給。之後，一邊使吸盤平台20沿著第二定向平面15以相反方向進行加工進給，一邊使雷射束22a聚光在SiC單晶晶錠11。
若藉由雷射束22a的照射而形成改質層23時，裂痕25由該改質層23沿著被割斷面伸長。圖4(B)係模式顯示裂痕25由改質層23伸長的樣子的剖面圖。裂痕25係如圖4(B)所示，容易由改質層23以沿著c面21(參照圖1(A)等)的方向伸長。
此外，圖4(C)係模式顯示裂痕25由所形成的改質層23伸長的樣子的上面圖。其中，改質層23及裂痕25並未在SiC單晶晶錠11的第一面11a表現出，但是為方便說明，在圖4(C)中係以實線表示。
接著，遍及SiC單晶晶錠11的第一面11a的全面，照射雷射束22a。如此一來，藉由沿著被割斷面所形成的裂痕25，SiC單晶晶錠11被割斷且形成SiC晶圓。
其中，在雷射加工步驟中，若沿著第一面11a而以全域以相同條件照射雷射束22a時，所形成的改質層23的深度或裂痕25的伸長程度在刻面區域11d、與非刻面區域11c為不同。因此，以在刻面區域11d、與非刻面區域11c為不同的條件實施雷射加工。此時，各個區域中的加工條件係被設定為改質層23及裂痕25在各個區域形成為相同。
在此，藉由本實施形態之刻面區域11d之檢測方法及檢測裝置，可在實施雷射加工之前預先檢測SiC單晶晶錠11的刻面區域11d及非刻面區域11c的位置。接著，雷射加工裝置18係可由刻面區域11d的檢測裝置2取得關於該刻面區域11d的位置的資訊。因此，實施雷射加工時，可在刻面區域11d、與非刻面區域11c，以適於各個區域的加工條件實施雷射加工。
例如，將非刻面區域11c加工時，以適於非刻面區域11c的加工條件照射雷射束22a。接著，雷射束22a的聚光點來到刻面區域11d時，切換加工條件來照射雷射束22a。當雷射束22a的聚光點再次來到非刻面區域11c時，恢復加工條件來照射雷射束22a。
或者，使吸盤平台20移動，將非刻面區域11c以適於非刻面區域11c的條件進行雷射加工。接著，雷射束22a的聚光點來到刻面區域11d時，即停止雷射束22a的照射。之後，當該聚光點脫離刻面區域11d時，即再開始照射雷射束22a。
接著，使吸盤平台20以相反方向移動，當雷射束22a的聚光點來到刻面區域11d時，照射雷射束22a而將刻面區域11d以適於刻面區域11d的條件進行加工。
該等情形下，可在SiC單晶晶錠11的預定的深度位置，一樣地形成改質層。因此，SiC單晶晶錠11被割斷的深度位置等的不均會變小。因此，可考慮到該不均而將成為必要的SiC單晶晶錠11的餘白部分設定為較小。因此，當由SiC單晶晶錠11形成SiC晶圓時，可減少SiC的損失量。
其中，本發明並非限定於上述實施形態的記載，可作各種變更來實施。例如，在上述實施形態中，係說明使SiC單晶晶錠11保持在吸盤平台14而對第一面11a照射光，且檢測所發生的螢光的情形，但是本發明之一態樣並非限定於此。例如，當被照射該光時，亦可使SiC單晶晶錠11未保持在吸盤平台14，亦可將SiC單晶晶錠11載置於不具吸引保持機構的平台。
此外，刻面區域11d的檢測裝置2亦可被組入在由SiC單晶晶錠11切出SiC晶圓的雷射加工裝置18。此時，被檢測到刻面區域11d的位置的SiC單晶晶錠11係照原樣被雷射加工而切出成SiC晶圓。此時，雷射加工裝置18的吸盤平台20亦可作為檢測裝置2的吸盤平台14來發揮功能，雷射加工裝置18的雷射加工單元22亦可作為檢測裝置2的光源單元4來發揮功能。
上述實施形態之構造、方法等只要未脫離本發明之目的的範圍，即可適當變更實施。
11‧‧‧SiC單晶晶錠 11a‧‧‧第一面 11b‧‧‧第二面 11c‧‧‧非刻面區域 11d‧‧‧刻面區域 13、15‧‧‧定向平面 17‧‧‧第一面的法線 19‧‧‧c軸 21‧‧‧c面 23‧‧‧改質層 25‧‧‧裂痕 2‧‧‧檢測裝置 4‧‧‧光源 6‧‧‧攝像單元 8‧‧‧濾波器 10‧‧‧透鏡 12‧‧‧光 14、20‧‧‧吸盤平台 16‧‧‧螢光像 18‧‧‧雷射加工裝置 22‧‧‧雷射加工單元 22a‧‧‧雷射束
圖1(A)係模式顯示SiC單晶晶錠的斜視圖，圖1(B)係模式顯示SiC單晶晶錠的側面圖。 圖2(A)係模式顯示SiC單晶晶錠的刻面區域的斜視圖，圖2(B)係模式顯示照射步驟及螢光強度檢測步驟的斜視圖。 圖3係模式顯示以攝像單元所被攝像的螢光像之一例的平面圖。 圖4(A)係模式顯示雷射加工步驟的斜視圖，圖4(B)係模式顯示形成有改質層及裂痕的SiC單晶晶錠的剖面圖，圖4(C)係模式顯示形成有改質層及裂痕的SiC單晶晶錠的上面圖。 圖5係顯示刻面區域之檢測方法的各步驟的流程的流程圖。
2‧‧‧檢測裝置
4‧‧‧光源
6‧‧‧攝像單元
8‧‧‧濾波器
10‧‧‧透鏡
11‧‧‧SiC單晶晶錠
11a‧‧‧第一面
11b‧‧‧第二面
11c‧‧‧非刻面區域
11d‧‧‧刻面區域
12‧‧‧光
13、15‧‧‧定向平面
14‧‧‧吸盤平台

Claims (4)

  1. 一種刻面區域之檢測方法，其係具有：第一面、及與該第一面為相反側的第二面，檢測c軸由該第一面至該第二面的SiC單晶晶錠的刻面區域的刻面區域之檢測方法，其特徵為： 包含： 照射步驟，其係對該SiC單晶晶錠的該第一面照射來自光源的光； 螢光強度檢測步驟，其係檢測藉由被照射在該第一面的該光而由該SiC單晶晶錠的該第一面所發生的螢光，且取得該螢光的強度的分布；及 判定步驟，其係將在該第一面中在該螢光強度檢測步驟中被檢測到的螢光的強度為相對較小的區域判定為刻面區域，且將該螢光的強度為相對較大的區域判定為非刻面區域。
  2. 如申請專利範圍第1項之刻面區域之檢測方法，其中，另外包含：研削步驟，其係在實施該照射步驟之前，使用研削砥石來研削該第一面。
  3. 一種刻面區域之檢測裝置，其係具有：第一面、及與該第一面為相反側的第二面，檢測c軸由該第一面至該第二面的SiC單晶晶錠的刻面區域的刻面區域之檢測裝置，其特徵為： 具備： 吸盤平台，其係在該第一面朝向上方的狀態下，保持該SiC單晶晶錠； 光源，其係對被保持在該吸盤平台的該SiC單晶晶錠照射光； 螢光檢測單元，其係檢測藉由從該光源被照射在該第一面的光而由該第一面所發生的螢光，且取得該螢光的強度的分布；及 判定單元，其係由藉由該螢光檢測單元所被檢測到的該螢光的強度的分布，檢測該SiC單晶晶錠的該第一面的刻面區域的位置。
  4. 如申請專利範圍第3項之刻面區域之檢測裝置，其中，該螢光檢測單元係具備：攝像單元，其係對藉由利用該光源照射該光而發生該螢光的該SiC單晶晶錠的該第一面進行攝像。
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