DE102019212580A1 - Facettenbereich-erfassungsverfahren und erfassungsvorrichtung - Google Patents

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Abstract

Ein Facettenbereich-Erfassungsverfahren zum Erfassen eines Facettenbereichs eines SiC-Einkristallingots umfasst: einen Bestrahlungsschritt mit einem Bestrahlen einer ersten Fläche des SiC-Einkristallingots mit Licht; einen Fluoreszenzintensitätserfassungsschritt mit einem Erfassen der Intensität einer Fluoreszenz, die durch das Licht von der ersten Fläche des SiC-Einkristallingots erzeugt wird; und einen Bestimmungsschritt mit einem Bestimmen eines Bereichs der ersten Fläche, wo die Fluoreszenzintensität vergleichsweise niedrig ist, als Facettenbereich und einem Bestimmen eines Bereichs, wo die Fluoreszenzintensität vergleichsweise hoch ist, als Nicht-Facettenbereich.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Erfassungsverfahren zum Erfassen eines Facettenbereichs eines Siliziumcarbid-Einkristallingots (SiC-Einkristallingot) und eine Erfassungsvorrichtung zum Erfassen des Facettenbereichs.
  • BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
  • In den vergangenen Jahren wurde SiC als Ersatz für Silizium (Si) als Halbleitermaterial der nächsten Generation zum Verwenden für Leistungsbauelemente, wie zum Beispiel Wechselrichter und Wandler Aufmerksamkeit geschenkt. Ein SiC-Wafer wird durch Trennen eines SiC-Einkristallingots ausgebildet. Als Verfahren zum Herstellen eines SiC-Wafers durch Trennen des SiC-Einkristallingots war zum Beispiel ein Verfahren bekannt, bei dem der SiC-Einkristallingot durch Verwendung einer Drahtsäge getrennt wird. Jedoch weist das Verfahren mit einer Verwendung der Drahtsäge das Problem auf, dass der Verlust an SiC groß ist und die Anzahl der erhaltenen SiC-Wafer verglichen mit der Menge an SiC-Einkristallingots, die als Rohmaterial dient, gering ist. Zum Beispiel ist zum Herstellungszeitpunkt eines SiC-Wafers mit einer Dicke von in etwa 350 µm ein Bereich mit einer Dicke von in etwa 150 bis 200 µm als Schnittzugabe notwendig. Ferner sollte die Fläche des SiC-Wafers poliert werden, sodass ein Bereich mit einer Dicke von in etwa 50 µm entfernt wird, um Unregelmäßigkeiten oder Ähnliches von der Fläche des erhaltenen SiC-Wafers zu entfernen.
  • In Anbetracht dessen war ein Verfahren als Verfahren zum Herstellen eines SiC-Wafers, in dem der Verlust an SiC vergleichsweise klein ist, bekannt, indem ein Laserstrahl mit so einer Wellenlänge, die durch SiC übertragbar ist, während eines Einstellens eines Brennpunkts im Inneren des SiC-Einkristallingots aufgebracht wird, um modifizierte Schichten und sich von den modifizierten Schichten erstreckende Risse auszubilden, wodurch der SiC-Einkristallingot getrennt wird. Bei diesem Verfahren wird der Brennpunkt des Laserstrahls auf einer vorbestimmten Tiefenposition in dem SiC-Einkristallingot positioniert, und der Laserstrahl streicht an einer Trennebene entlang, um entlang der Trennebene die modifizierten Schichten auszubilden (siehe das japanische offengelegte Patent mit der Nummer 2016-127186).
  • Im Übrigen wird ein SiC-Einkristall während seines Wachstumsvorgangs mit Bereichen ausgebildet, die sich in ihrem Wachstumsmodus voneinander unterscheiden, das heißt ein Bereich, der Facettenbereich genannt wird, und ein Bereich, der Nicht-Facettenbereich genannt wird. Es ist bekannt, dass der Facettenbereich und der Nicht-Facettenbereich sich aufgrund des unterschiedlichen Wachstumsmodus bezüglich ihrer physikalischen Eigenschaften, wie zum Beispiel dem elektrischen Widerstand und der Defektdichte, voneinander unterscheiden. Angesichts dessen wurde zum Gewinnen von Bauelementen mit einer vorbestimmten Leistungsfähigkeit durch Verwendung der SiC-Waferherstellung eine Entwicklung einer Technologie zum Ausbilden eines SiC-Einkristallingots mit einem Steuern der Bereiche angestoßen, in denen der Facettenbereich und der Nicht-Facettenbereich ausgebildet werden (siehe die japanischen offengelegten Patente mit den Nummern 2014-40357, 2004-323348 und 2013-100217).
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Der Facettenbereich und der Nicht-Facettenbereich unterscheiden sich in Bezug auf den Brechungsindex voneinander. Wenn ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge, die durch SiC-übertragbar ist, in einer vorbestimmten Tiefe von der Oberfläche des SiC-Einkristallingots aus aufgebracht wird, um eine modifizierte Schicht auszubilden, würde der Laserstrahl daher in dem Facettenbereich und in dem Nicht-Facettenbereich auf unterschiedlichen Tiefenpositionen fokussiert werden. Als Ergebnis wird die modifizierte Schicht nicht in einer einheitlichen Tiefe ausgebildet, sodass eine Schnittzugabe (Schnittverlust) einer vorbestimmten Größe selbst in dem Fall einer Verwendung eines Trennverfahrens durch einen Laserstrahl notwendig ist. Angesichts dessen wurde erwogen, eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl jeweils unter unterschiedlichen Laserbearbeitungsbedingungen in dem Facettenbereich und in dem Nicht-Facettenbereich auszuführen, sodass unabhängig von den jeweiligen Bereichen eine modifizierte Schicht in einer einheitlichen Tiefe im Inneren des SiC-Einkristallingots ausgebildet wird. Zum Beispiel können in dem Fall eines SiC-Wafers der Facettenbereich und der Nicht-Facettenbereich durch visuelle Überprüfung basierend auf dem Kontrast unterschieden werden, der den Unterschied der Stickstoffkonzentration zwischen den Bereichen wiedergibt.
  • Jedoch in dem Fall eines SiC-Einkristallingots, der dicker ist als der SiC-Wafer, ist es schwierig, den Facettenbereich und den Nicht-Facettenbereich durch visuelle Überprüfung voneinander zu unterscheiden. Daher ist es im Falle eines SiC-Einkristallingots schwierig, die Positionen der jeweiligen Bereiche zu erkennen und den Laserstrahl unter für die jeweiligen Bereiche geeigneten Bearbeitungsbedingungen auf den SiC-Einkristallingot aufzubringen.
  • Dementsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Erfassungsverfahren und eine Erfassungsvorrichtung bereitzustellen, durch die ein Facettenbereich eines SiC-Einkristallingots auf einfache Weise erfasst werden kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Facettenbereich-Erfassungsverfahren zum Erfassen eines Facettenbereichs eines SiC-Einkristallingots bereitgestellt, der eine erste Fläche und eine zweite Fläche auf einer der ersten Fläche entgegengesetzten Seite aufweist und in dem sich eine c-Achse von der ersten Fläche zu der zweiten Fläche erstreckt, wobei das Facettenbereich-Erfassungsverfahren umfasst: einen Bestrahlungsschritt mit einem Bestrahlen der ersten Fläche des SiC-Einkristallingots mit Licht von einer Lichtquelle; einen Fluoreszenzintensitätserfassungsschritt mit einem Erfassen einer Fluoreszenz, die durch das Licht von der ersten Fläche des SiC-Einkristallingots erzeugt wird, mit dem die erste Fläche bestrahlt wird, um eine Verteilung der Fluoreszenzintensität zu erhalten; und einen Bestimmungsschritt mit einem Bestimmen eines Bereichs der ersten Fläche, wo die Fluoreszenzintensität, die bei dem Fluoreszenzintensitätserfassungsschritt erfasst wird, vergleichsweise niedrig ist, als Facettenbereich und Bestimmen eines Bereichs, wo die Fluoreszenzintensität vergleichsweise hoch ist, als Nicht-Facettenbereich.
  • Vorzugsweise umfasst das Facettenbereich-Erfassungsverfahren ferner einen Schleifschritt mit einem Schleifen der ersten Fläche durch Verwendung eines Schleifsteins vor dem Ausführen des Bestrahlungsschritts.
  • In Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Facettenbereich-Erfassungsvorrichtung zum Erfassen eines Facettenbereichs eines SiC-Einkristallingots bereitgestellt, der eine erste Fläche und eine zweite Fläche auf einer der ersten Fläche entgegengesetzten Seite aufweist und in dem sich eine c-Achse von der ersten Fläche zu der zweiten Fläche erstreckt, wobei die Facettenbereich-Erfassungsvorrichtung aufweist: einen Spanntisch, der den SiC-Einkristallingot mit der ersten Fläche zu einer oberen Seite gerichtet hält; eine Lichtquelle, die den durch den Spanntisch gehaltenen SiC-Einkristallingot mit Licht bestrahlt; eine Fluoreszenzerfassungseinheit, die eine Fluoreszenz erfasst, welche durch das Licht von der ersten Fläche erzeugt wird, mit dem die erste Fläche von der Lichtquelle aus bestrahlt wird, um eine Fluoreszenzintensitätsverteilung zu erhalten; und eine Bestimmungseinheit, die eine Position eines Facettenbereichs der ersten Fläche des SiC-Einkristallingots von der Fluoreszenzintensitätsverteilung erfasst, die durch die Fluoreszenzerfassungseinheit erfasst worden ist.
  • Vorzugsweise schließt die Fluoreszenzerfassungseinheit eine Abbildungseinheit ein, welche die erste Fläche des SiC-Einkristallingots abbildet, die die Fluoreszenz durch Bestrahlung mit dem Licht von der Lichtquelle erzeugt.
  • Wenn die erste Fläche des SiC-Einkristallingots mit dem Licht einer spezifischen Wellenlänge bestrahlt wird, wird von der ersten Fläche eine Fluoreszenz erzeugt. Da sich ein Facettenbereich und ein Nicht-Facettenbereich bezüglich ihrer optischen Eigenschaften voneinander unterscheiden, unterscheiden sie sich in der erzeugten Fluoreszenzintensität voneinander, wenn eine Bestrahlung mit Licht unter den gleichen Bedingungen ausgeführt wird. Zum Beispiel ist die Intensität einer Fluoreszenz in dem Facettenbereich vergleichsweise niedrig, wogegen die Intensität einer Fluoreszenz in dem Nicht-Facettenbereich vergleichsweise hoch ist. Mit anderen Worten korrespondiert die an der ersten Fläche des SiC-Einkristallingots erzeugte Fluoreszenzintensitätsverteilung mit der Verteilung des Facettenbereichs und des Nicht-Facettenbereichs. Unter Berücksichtigung dessen wird bei dem Erfassungsverfahren und der Erfassungsvorrichtung für den Facettenbereich in Übereinstimmung mit dem beschriebenen Aspekt der vorliegenden Erfindung die erste Fläche des SiC-Einkristallingots mit Licht bestrahlt und die an der ersten Fläche erzeugte Fluoreszenz wird erfasst. Dann kann durch Erhalten der Fluoreszenzintensitätsverteilung der Facettenbereich des SiC-Einkristallingots erfasst werden.
  • Daher werden in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ein Erfassungsverfahren und eine Erfassungsvorrichtung bereitgestellt, durch die ein Facettenbereich eines SiC-Einkristallingots auf einfache Weise erfasst werden kann.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine perspektivische Ansicht, die einen SiC-Einkristallingot schematisch darstellt;
    • 1B ist eine Seitenansicht, die einen SiC-Einkristallingot schematisch darstellt;
    • 2A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Facettenbereich des SiC-Einkristallingots schematisch darstellt;
    • 2B ist eine perspektivische Ansicht, die einen Bestrahlungsschritt und einen Fluoreszenzintensitätserfassungsschritt schematisch darstellt;
    • 3 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel eines Fluoreszenzlichtbilds darstellt, das durch eine Abbildungseinheit aufgenommen worden ist;
    • 4A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Laserbearbeitungsschritt schematisch darstellt;
    • 4B ist eine Schnittansicht, die den SiC-Einkristallingot mit ausgebildeten modifizierten Schichten und Rissen schematisch darstellt;
    • 4C ist eine Draufsicht, die den mit den modifizierten Schichten und Rissen ausgebildeten SiC-Einkristallingot schematisch darstellt; und
    • 5 ist ein Flussdiagramm, das den Ablauf der Schritte eines Facettenbereich-Erfassungsverfahrens darstellt.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Es wird nachfolgend eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen beschrieben. Als Erstes wird ein SiC-Einkristallingot beschrieben, von dem durch ein Facettenbereich-Erfassungsverfahren und eine Erfassungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform ein Facettenbereich zu erfassen ist. 1A ist eine perspektivische Ansicht, die einen SiC-Einkristallingot 11 schematisch darstellt, und 1B ist eine Seitenansicht, die den SiC-Einkristallingot 11 schematisch darstellt. Der SiC-Einkristallingot 11 weist eine erste Fläche 11a und auf einer der ersten Fläche 11a entgegengesetzten Seite eine zweite Fläche 11b auf. Die erste Fläche 11a und die zweite Fläche 11b sind parallel zueinander. Der SiC-Einkristallingot 11 ist zum Beispiel bei einer Trennebene parallel zu der ersten Fläche 11a geteilt und wird als ein SiC-Wafer abgetrennt. Der SiC-Wafer wird als Halbleitermaterial der nächsten Generation für die Herstellung von Leistungsbauelementen wie Wechselrichtung und Wandlern verwendet.
  • Zum Trennzeitpunkt des SiC-Einkristallingots 11 wird zum Beispiel ein Laserstrahl mit so einer Wellenlänge, die durch SiC übertragbar ist, entlang einer Trennebene auf einer Position in einem vorbestimmten Abstand in der Tiefe von der ersten Fläche 11a aus fokussiert, um durch einen Multiphotonen-Absorptionsvorgang eine modifizierte Schicht im Inneren des SiC-Einkristallingots 11 auszubilden. Dann erstrecken sich Risse von der modifizierten Schicht aus entlang der Trennfläche, wodurch der SiC-Einkristallingot 11 getrennt wird. Da die erste Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 eine mit dem Laserstrahl zu bestrahlende Fläche darstellt, ist anzumerken, dass sie davor zu einer Spiegelfläche poliert werden kann.
  • Wie in 1A veranschaulicht, ist der SiC-Einkristallingot 11 mit einer ersten Ausrichtungsebene 13 und einer zweiten Ausrichtungsebene 15 senkrecht zu der ersten Ausrichtungsebene 13 ausgebildet. Die Länge der ersten Ausrichtungsebene 13 ist größer als die Länge der zweiten Ausrichtungsebene 15. Der SiC-Einkristallingot 11 weist eine c-Achse 19, die in Bezug auf eine Senkrechte 17 zu der ersten Fläche 11a in Richtung der zweiten Ausrichtungsebene 15 um einen Abweichungswinkel α geneigt ist, und eine zu der c-Achse 19 senkrechte c-Ebene 21 auf. Die c-Achse 19 erstreckt sich zum Beispiel von der ersten Fläche 11a zu der zweiten Fläche 11b. Die c-Ebene 21 ist relativ zu der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 um einen Abweichungswinkel α geneigt. In dem SiC-Einkristallingot 11 ist die Richtung senkrecht zu der Erstreckungsrichtung der kürzeren zweiten Ausrichtungsebene 15 im Allgemeinen der Neigungswinkel der c-Achse 19. Die c-Ebenen 21 sind in dem SiC-Einkristallingot 11 auf einer molekularen Ebene zahllos eingerichtet. Der Abweichungswinkel α ist zum Beispiel auf 4° eingestellt. Jedoch ist der Abweichungswinkel α nicht auf 4° beschränkt, und der SiC-Einkristallingot 11 kann hergestellt werden, während der Abweichungswinkel α zum Beispiel frei auf einen Bereich von 1° bis 6° eingestellt ist.
  • Ein SiC-Einkristall wird in seiner Fläche mit Bereichen sich unterscheidender Wachstumsmodi ausgebildet, das heißt in einen als Facettenbereich benannten Bereich und einen als Nicht-Facettenbereich benannten Bereich. 2A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Facettenbereich 11d und einen Nicht-Facettenbereich 11c des SiC-Einkristallingots 11 schematisch darstellt. In 2A wird der Facettenbereich 11d veranschaulicht, und der Bereich, der anders ist als der Facettenbereich 11d, ist der Nicht-Facettenbereich 11c. Es ist bekannt, dass sich der Facettenbereich 11d und der Nicht-Facettenbereich 11c aufgrund des unterschiedlichen Wachstumsmodus in Bezug auf ihre physikalischen Eigenschaften, wie zum Beispiel dem elektrischen Widerstand und der Defektdichte, voneinander unterscheiden. Es ist jedoch anzumerken, dass bei dem SiC-Einkristallingot 11 der Facettenbereich 11d und der Nicht-Facettenbereich 11c durch visuelle Überprüfung schwer voneinander zu unterscheiden sind.
  • Der Facettenbereich 11d und der Nicht-Facettenbereich 11c unterscheiden sich voneinander in Bezug auf den Brechungsindex. Daher wird zum Zeitpunkt eines Fokussierens eines Laserstrahls mit so einer Wellenlänge, die durch SiC übertragbar ist, auf eine vorbestimmte Tiefe in dem SiC-Einkristallingot 11, um eine modifizierte Schicht auszubilden, der Laserstrahl auf unterschiedlichen Tiefenpositionen in dem Facettenbereich 11d und in dem Nicht-Facettenbereich 11c fokussiert. Insbesondere ist der Brechungsindex des Facettenbereichs 11d größer als der Brechungsindex des Nicht-Facettenbereichs 11c. Daher würde der Laserstrahl in dem Facettenbereich 11d in einer tieferen Position fokussiert und die modifizierte Schicht würde auf einer tieferen Position ausgebildet als in dem Nicht-Facettenbereich 11c.
  • Ferner unterscheiden sich der Facettenbereich 11d und der Nicht-Facettenbereich 11c in Bezug auf die Absorptionsfähigkeit eines Laserstrahls voneinander. Obwohl der Laserstrahl die Eigenschaft aufweist, durch SiC übertragen zu werden, wird er in SiC in einem vorbestimmten Verhältnis absorbiert. Die Laserstrahlabsorptionsfähigkeit bzw. das Laserstrahlabsorptionsvermögen in dem Nicht-Facettenbereich 11c ist niedriger als das Laserstrahlabsorptionsvermögen in dem Facettenbereich 11d. Daher ist die Intensität des Laserstrahls, der den Brennpunkt erreicht, in dem Nicht-Facettenbereich 11c stärker als in dem Facettenbereich 11d.
  • Insbesondere wird eine modifizierte Schicht auf einer einheitlichen Tiefe im Inneren des SiC-Einkristallingots 11 nicht einheitlich ausgebildet, selbst wenn die gesamte Fläche der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 mit einem Laserstrahl unter denselben Bedingungen bestrahlt wird. Daher wird die Schnittzugabe (Schnittverlust) zum Zeitpunkt des Trennens eines SiC-Wafers vergrößert. In Anbetracht dessen wird bei dem Facettenbereich-Erfassungsverfahren und der Erfassungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform die Position des Facettenbereichs 11d in dem SiC-Einkristallingot 11 erfasst. Wenn die Positionen des Facettenbereichs 11d und des Nicht-Facettenbereichs 11c erfasst werden, können die jeweiligen Bereiche unter unterschiedlichen Bedingungen mit dem Laserstrahl bestrahlt werden, sodass die modifizierte Schicht in den jeweiligen Bereichen einheitlich ausgebildet wird.
  • Die Erfassungsvorrichtung für den Facettenbereich 11d in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform wird nachfolgend beschrieben. 2B stellt einen Grundaufbau der Erfassungsvorrichtung 2 für den Facettenbereich 11d schematisch dar. Die Erfassungsvorrichtung 2 schließt einen Spanntisch 14, durch den der SiC-Einkristallingot 11 gehalten wird, und eine Lichtquelleneinheit 4 ein, die auf einer Oberseite des Spanntischs 14 angeordnet ist. Die Erfassungsvorrichtung 2 schließt ferner beispielsweise eine Abbildungseinheit 6 ein, die an der Lichtquelleneinheit 4 ausgerichtet ist.
  • Der Spanntisch 14 ist in sich mit einem nicht veranschaulichten Saugdurchgang versehen, von dem ein Ende mit einer oberen Fläche des Spanntischs 14 kommuniziert und eine nicht veranschaulichte Saugquelle mit dem anderen Ende des Saugdurchgangs verbunden ist. Wenn der SiC-Einkristallingot 11 auf der oberen Fläche des Spanntischs 14 platziert ist und die Saugquelle betätigt wird, um einen Unterdruck dazu zu bringen, über den Saugdurchgang auf den SiC-Einkristallingot 11 zu wirken, wird der SiC-Einkristallingot 11 über einen Unterdruck an dem Spanntisch 14 gehalten. Mit anderen Worten dient die obere Fläche des Spanntischs 14 als Haltefläche.
  • Die Lichtquelleneinheit 4 schließt in ihrem Inneren eine nicht veranschaulichte Lichtquelle ein. Die Lichtquelle ist zum Beispiel eine Quecksilberlampe oder eine lichtemittierende Diode (LED) und ist imstande, Licht zu emittieren, das eine Wellenlängenkomponente im Ultraviolettbereich (UV-Bereich) aufweist. Die Lichtquelleneinheit 4 schließt ferner einen Filter 8, wie zum Beispiel einen Bandpassfilter, der durch sich eine Übertragung von Licht mit einer bestimmten Wellenlänge zulässt, und eine Linse 10 zum Einstellen des Bereichs zur Bestrahlung mit dem Licht ein. Das Licht 12, das von der Lichtquelle emittiert wird, wird durch den Filter 8 übertragen. Zu diesem Zeitpunkt werden andere Komponenten als die vorbestimmte Wellenlänge des Lichts 12 abgeschirmt. Danach gelangt das Licht 12 durch die Linse 10, um damit den durch den Spanntisch 14 gehaltenen SiC-Einkristallingot 11 zu bestrahlen. Das Licht 12, mit dem der SiC-Einkristallingot 11 bestrahlt wird, ist Licht mit so einer Wellenlänge, die eine Fluoreszenz erzeugt, wenn der SiC-Einkristallingot 11 damit bestrahlt wird, und das Licht 12 sind UV-Strahlen mit einer Wellenlänge von zum Beispiel 365 nm.
  • Die Abbildungseinheit 6 ist in Richtung der Haltefläche des Spanntischs 14 ausgerichtet, und bildet eine Fluoreszenz ab, die erzeugt wird, wenn der durch den Spanntisch 14 gehaltene SiC-Einkristallingot 11 mit dem Licht 12 von der Lichtquelle bestrahlt wird, um ein Fluoreszenzbild der ersten Fläche 11a zu erhalten. Folglich schließt die Erfassungsvorrichtung 2 eine Fluoreszenzerfassungseinheit ein, zu der die Abbildungseinheit 6 gehört. Hier ist das Fluoreszenzbild ein Bild, auf dem eine Intensitätsverteilung einer Fluoreszenz erscheint. Es ist anzumerken, dass die Abbildungseinheit 6 weiter Seite an Seite in der Umgebung der Lichtquelleneinheit 4 angeordnet sein kann oder auf einer schrägen oberen Seite des Spanntischs 14 angeordnet sein kann.
  • Die Erfassungsvorrichtung 2 für den Facettenbereich 11d schließt ferner eine nicht veranschaulichte Steuerungseinheit ein, welche die Komponenten der Erfassungsvorrichtung 2 steuert. Die Steuerungseinheit ist mit dem Spanntisch 14, der Lichtquelleneinheit 4 und der Abbildungseinheit 4 elektrisch verbunden. Die Steuerungseinheit steuert die Lichtquelleneinheit 4, um den durch den Spanntisch 14 gehaltenen SiC-Einkristallingot 11 mit dem Licht 12 zu bestrahlen, und verursacht, dass die Abbildungseinheit 6 die Fluoreszenz erfasst und das Fluoreszenzbild ausbildet.
  • Es ist anzumerken, dass die Steuerungseinheit den Spanntisch 14 durch Steuerung der Lichtquelleneinheit 4 während einer Bestrahlung eines Teils der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 mit dem Licht 12 in einer Richtung parallel zu der Haltefläche bewegen kann, um das Licht 12 über die erste Fläche 11a streichen zu lassen. In diesem Fall korreliert die Steuerungseinheit die Koordinaten der Bestrahlungsposition der ersten Fläche 11a mit dem Licht 12 und der durch die Abbildungseinheit 6 erfassten Intensität der Fluoreszenz, um dadurch ein Fluoreszenzbild auszubilden. Die Steuerungseinheit der Erfassungsvorrichtung 2 für den Facettenbereich 11d kann eine Aufzeichnungseinheit einschließen, die das Fluoreszenzbild aufzeichnet, das basierend auf der erfassten Fluoreszenz ausgebildet wird. Zudem kann die Steuerungseinheit eine Bestimmungseinheit einschließen, welche die Position des Facettenbereichs 11d in der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 über die Intensitätsverteilung der Fluoreszenz bestimmt, die in dem Fluoreszenzbild erscheint.
  • Die an der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 erzeugte Fluoreszenz unterscheidet sich in ihrer Intensität zwischen dem Facettenbereich 11d und dem Nicht-Facettenbereich 11c. Daher ist das in der Aufzeichnungseinheit aufgezeichnete Fluoreszenzbild ein Fluoreszenzbild, das sich in Übereinstimmung mit den Positionen des Facettenbereichs 11d und des Nicht-Facettenbereichs 11c bezüglich der Fluoreszenzintensität unterscheidet. Zum Beispiel ist die Intensität der Fluoreszenz im Facettenbereich 11d verglichen mit dem Nicht-Facettenbereich 11c niedriger. In Anbetracht dessen bestimmt die Bestimmungseinheit der Steuerungseinheit einen Bereich als Facettenbereich 11d, wo die Fluoreszenzintensität in dem Fluoreszenzbild vergleichsweise niedrig ist, und einen Bereich als Nicht-Facettenbereich 11c, in dem die Fluoreszenzintensität vergleichsweise hoch ist. Auf diese Weise kann die Erfassungsvorrichtung 2 für den Facettenbereich 11d die Position des Facettenbereichs 11d in der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 über die Intensitätsverteilung der Fluoreszenz erfassen, die bei einer Bestrahlung des SiC-Einkristallingots 11 mit dem Licht 12 erzeugt wird. Es ist anzumerken, dass die Steuerungseinheit einen Speicherabschnitt aufweisen kann, der eine Information über die Position des erfassten Facettenbereichs 11d des SiC-Einkristallingots 11 speichert. Darüber hinaus kann die Steuerungseinheit die Information über die Position des Facettenbereichs 11d zu einer Laserbearbeitungsvorrichtung übertragen, welche den SiC-Einkristallingot 11 als einen SiC-Wafer abtrennt.
  • Das Facettenbereich-Erfassungsverfahren in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform, das unter Verwendung der Erfassungsvorrichtung 2 für den Facettenbereich 11d ausgeführt wird, wird nachfolgend beschrieben. 5 ist ein Flussdiagramm, das den Ablauf der Schritte des Facettenbereich-Erfassungsverfahrens schematisch darstellt.
  • Bei dem Erfassungsverfahren für den Facettenbereich 11d wird als erstes ein Bestrahlungsschritt S1 ausgeführt, bei dem die erste Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 mit dem Licht 12 von der Lichtquelle der Lichtquelleneinheit 4 bestrahlt wird. 2B ist eine perspektivische Ansicht, die den Bestrahlungsschritt S1 schematisch darstellt. Bei dem Bestrahlungsschritt S1 wird der SiC-Einkristallingot 11 mit der ersten Fläche 11a zur Oberseite hin gerichtet auf der oberen Fläche des Spanntischs 14 platziert. Dann wird die Saugquelle in dem Spanntisch 14 betätigt, um einen Unterdruck dazu zu bringen, auf den SiC-Einkristallingot 11 zu wirken, wodurch der SiC-Einkristallingot 11 über einen Unterdruck an dem Spanntisch 14 gehalten wird. Als Nächstes wird die Lichtquelleneinheit 4 betätigt, um das Licht 12 von der Lichtquelle zu emittieren, und die erste Fläche 11a wird durch den Filter 8 und die Linse 10 mit dem Licht 12 bestrahlt. Das Licht 12 ist Licht mit einer Wellenlänge, die kürzer oder gleich dem UV-Bereich ist, die bei Bestrahlung des SiC-Einkristallingots 11 damit an dem SiC-Einkristallingot 11 eine Fluoreszenz erzeugt. Zum Beispiel weist das Licht 12 Licht mit einer Wellenlänge von 365 nm auf. Es ist jedoch anzumerken, dass die Wellenlänge des Lichts 12 nicht hierauf beschränkt ist.
  • Bei dem Erfassungsverfahren für den Facettenbereich 11d in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform wird als Nächstes ein Fluoreszenzintensitätserfassungsschritt S2 ausgeführt, bei dem Fluoreszenz, die durch Bestrahlen der ersten Fläche 11a mit dem Licht 12 von der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 erzeugt wird, erfasst wird, um eine Intensitätsverteilung der Fluoreszenz zu erhalten. Die durch das Licht 12 erzeugte Fluoreszenz, mit dem die erste Fläche 11a bei dem Bestrahlungsschritts S1 bestrahlt wird, wird durch die Abbildungseinheit 6 erfasst, welche die Fluoreszenzerfassungseinheit ausbildet. 3 ist eine Draufsicht, die ein Fluoreszenzbild 16 der ersten Fläche 11a schematisch darstellt, durch welche die Intensitätsverteilung der durch die Abbildungseinheit 6 bei dem Fluoreszenzintensitätserfassungsschritt S2 erfassten Fluoreszenz wiedergegeben wird. Bei der Draufsicht der 3 ist für eine einfachere Erklärung ein Bereich mit schrägen Linien schraffiert, wo eine Fluoreszenzintensität vergleichsweise niedrig ist. Wie in 3 dargestellt, sind in dem Fluoreszenzbild 16 ein Bereich, wo die Intensität der erzeugten Fluoreszenz vergleichsweise hoch ist, und ein Bereich, wo die Intensität vergleichsweise niedrig ist, in der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 erkennbar.
  • Nachfolgend wird bei dem Erfassungsverfahren für den Facettenbereich 11d in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform ein Bestimmungsschritt S3 ausgeführt, bei dem die Positionen des Facettenbereichs 11d und des Nicht-Facettenbereichs 11c in der ersten Fläche 11a aus dem Fluoreszenzbild 16 bestimmt werden, das bei dem Fluoreszenzintensitätserfassungsschritt S2 erhalten wird. Bei dem Bestimmungsschritt S3 wird auf der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 der Bereich, in dem die Fluoreszenzintensität vergleichsweise niedrig ist, als Facettenbereich 11d bestimmt, wogegen der Bereich, in dem die Fluoreszenzintensität vergleichsweise hoch ist, als Nicht-Facettenbereich 11c bestimmt wird. In Übereinstimmung mit dem Erfassungsverfahren für den Facettenbereich 11d der vorliegenden Ausführungsform können der Facettenbereich 11d und der Nicht-Facettenbereich 11c durch Erfassen der Fluoreszenz erfasst werden, die bei Bestrahlung des SiC-Einkristallingots 11 mit dem Licht 12 erzeugt wird.
  • Es ist anzumerken, dass bei dem Erfassungsverfahren für den Facettenbereich 11d in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform vor dem Ausführen des Bestrahlungsschritts S1 ein Schleifschritt mit einem Schleifen der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 durch Verwendung eines Schleifsteins ausgeführt werden kann. Bei dem Bestrahlungsschritt S1 wird die erste Fläche 11a mit dem Licht 12 bestrahlt, und die sich ergebende Fluoreszenz wird beobachtet. Wenn die Fläche der ersten Fläche 11a nicht flach ist, werden in diesem Moment Bereiche der ersten Fläche 11a nicht unter einheitlichen Bedingungen mit dem Licht 12 bestrahlt, und Fluoreszenz wird nicht unter den gleichen Bedingungen erzeugt. Daher wird für eine angemessene Erfassung des Facettenbereichs 11d bevorzugt, den Schleifschritt auszuführen, um die erste Fläche 11a zu schleifen, wodurch eine Spiegelfläche erhalten wird. Wenn der Schleifschritt ausgeführt wird und die erste Fläche 11a flach ist, kann zudem der gesamte Bereich der ersten Fläche 11a unter gewünschten Bedingungen mit einem Laser bearbeitet werden und danach ein SiC-Wafer von dem SiC-Einkristallingot 11 getrennt werden.
  • Ferner kann bei dem Erfassungsverfahren für den Facettenbereich 11d in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform ein Speicherschritt ausgeführt werden, bei dem eine Information über die Positionen des Facettenbereichs 11d und des Nicht-Facettenbereichs 11c, die bei dem Bestimmungsschritt S3 erfasst werden, in einem Speicherabschnitt der Steuerungseinheit gespeichert wird. Der SiC-Wafer kann später durch Verwendung der Information über die Positionen des Facettenbereichs 11d und des Nicht-Facettenbereichs 11c, die in dem Speicherschritt gespeichert werden, aus dem SiC-Einkristallingot 11 hergestellt werden. Zum Zeitpunkt des Herstellens des SiC-Wafers kann eine einheitliche modifizierte Schicht auf einer vorbestimmten Tiefenposition in dem SiC-Einkristallingot ausgebildet werden, wenn der SiC-Einkristallingot mit einem Laserstrahl, der durch SiC übertragbar ist, unter Bedingungen bestrahlt wird, die jeweils für den Facettenbereich 11d und den Nicht-Facettenbereich 11c geeignet sind. In diesem Fall kann der Zuschnitt, der zum Zeitpunkt des Ausbildens des SiC-Wafers durch Trennung des SiC-Einkristallingots notwendig ist, vergleichsweise gering gehalten werden, und ein Verlust an SiC wird vermindert, sodass die SiC-Wafer effizienter hergestellt werden können.
  • Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen eines SiC-Wafers durch Laserbearbeitung des SiC-Einkristallingots 11, von dem der Facettenbereich 11d und der Nicht-Facettenbereich 11c erfasst worden sind, und die Laserbearbeitungsvorrichtung beschrieben. 4A ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch eine Weise darstellt, mit welcher der SiC-Einkristallingot 11 durch die Laserbearbeitungsvorrichtung mit einem Laser bearbeitet wird.
  • Die in 4A veranschaulichte Laserbearbeitungsvorrichtung 18 schließt einen Spanntisch 20 und auf einer oberen Seite des Spanntischs 20 eine Laserbearbeitungseinheit 22 ein. Der Spanntisch 20 ist auf eine ähnliche Weise wie der Spanntisch 14 der Erfassungsvorrichtung 2 für den Facettenbereich 11d eingerichtet. Der Spanntisch 20 kann in einer Richtung parallel zu einer Haltefläche oder einer oberen Fläche von dieser bewegt werden. Die Laserbearbeitungseinheit 22 weist als Funktion ein Fokussieren eines Laserstrahls 22a mit so einer Wellenlänge, die durch SiC übertragbar ist, auf eine vorbestimmte Tiefenposition in dem SiC-Einkristallingot 11 auf, der durch den Spanntisch 14 gehalten wird. Der Laserstrahl 22a wird auf eine Tiefenposition einer Trennebene des SiC-Einkristallingots 11 fokussiert.
  • Bei dem Herstellungsverfahren des SiC-Wafers wird als erstes ein Halteschritt mit einem Halten des SiC-Einkristallingots 11 ausgeführt. Bei dem Halteschritt wird der SiC-Einkristallingot 11 mit der ersten Fläche 11a zur Oberseite hin ausgerichtet auf der Haltefläche 11 des Spanntischs 20 der Laserbearbeitungsvorrichtung 18 platziert, und der SiC-Einkristallingot 11 wird über einen Unterdruck durch den Spanntisch 20 gehalten.
  • Als Nächstes wird ein Laserbearbeitungsschritt ausgeführt, bei dem der SiC-Einkristallingot 11 mit dem Laserstrahl 22a bestrahlt wird, um den SiC-Einkristallingot mit einem Laser zu bearbeiten. Bei dem Laserbearbeitungsschritt wird die Laserbearbeitungseinheit 22 betätigt, um den Spanntisch 20 während eines Fokussierens des Laserstrahls 22a auf einer vorbestimmten Tiefe im Inneren des SiC-Einkristallingots 11 mit einem Bearbeitungsvorschub in einer Richtung parallel zu der Haltefläche zu versetzen. Wie in 4A dargestellt, wird der Spanntisch 20 zum Beispiel in einer Richtung entlang der zweiten Ausrichtungsebene 15 des SiC-Einkristallingots 11 in einem Bearbeitungsvorschub versetzt. Wenn der Laserstrahl 22a auf eine vorbestimmte Tiefenposition im Inneren des SiC-Einkristallingots 11 fokussiert wird, wird eine modifizierte Schicht 23 durch einen Multiphotonen-Absorptionsvorgang in der Umgebung des Brennpunkts ausgebildet. Der Laserstrahl 22a wird von einem Ende zu dem anderen Ende auf den SiC-Einkristallingot 11 fokussiert, wonach der Spanntisch 20 in einer Einteilungszufuhr in einer Richtung parallel zu der Haltefläche des Spanntischs 20 und senkrecht zu der zweiten Ausrichtungsebene 15 versetzt wird. Danach wird der Laserstrahl 22a während eines Versetzens des Spanntischs 20 in eine Bearbeitungszufuhr in der Rückwärtsrichtung entlang der zweiten Ausrichtungsebene 15 auf den SiC-Einkristallingot 11 fokussiert.
  • Wenn die modifizierten Schichten 23 durch Bestrahlen mit dem Laserstrahl 22a ausgebildet werden, erstrecken sich Risse 25 von den modifizierten Schichten 23 entlang der Trennebene. 4B ist eine Schnittansicht, welche schematisch die Weise darstellt, mit der sich die Risse 25 von den modifizierten Schichten 23 erstrecken. Wie in 4B veranschaulicht, neigen die Risse 25 dazu, sich von den modifizierten Schichten 23 in einer Richtung entlang der c-Ebene 21 zu erstrecken (siehe 1A etc.). Zudem ist 4C eine Draufsicht, welche schematisch die Weise zeigt, mit der sich die Risse 25 von den ausgebildeten modifizierten Schichten 23 erstrecken. Es ist anzumerken, dass, obwohl die modifizierten Schichten 23 und die Risse 25 nicht an der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 erscheinen, diese für eine einfache Erklärung in 4C als durchgezogene Linien gezeichnet sind. Dann wird die gesamte Fläche der ersten Fläche 11a des SiC-Einkristallingots 11 mit dem Laserstrahl 22a bestrahlt. Als Ergebnis wird der SiC-Einkristallingot 11 aufgrund der Risse getrennt, die entlang der Trennebene ausgebildet sind, wodurch der SiC-Wafer ausgebildet wird.
  • Es ist anzumerken, dass wenn die Bestrahlung mit dem Laserstrahl 22a während des Laserbearbeitungsschritts für den gesamten Bereich entlang der ersten Fläche 11a unter den gleichen Bedingungen ausgeführt wird, sich die Tiefe der ausgebildeten modifizierten Schichten 23 und das Erstreckungsausmaß der Risse 25 zwischen dem Facettenbereich 11d und dem Nicht-Facettenbereich 11c unterscheiden. Angesichts dessen wird die Laserbearbeitung in dem Facettenbereich 11d und in dem Nicht-Facettenbereich 11c unter unterschiedlichen Bedingungen ausgeführt. Diesbezüglich werden die Bearbeitungsbedingungen in den jeweiligen Bereichen auf so eine Weise festgelegt, dass die modifizierten Schichten 23 und die Risse 25 in den jeweiligen Bereichen auf ähnliche Weise ausgebildet werden. In Übereinstimmung mit dem Erfassungsverfahren und der Erfassungsvorrichtung für den Facettenbereich 11d der vorliegenden Ausführungsform können hier die Positionen des Facettenbereichs 11d und des Nicht-Facettenbereichs 11c des SiC-Einkristallingots 11 vorläufig erfasst werden, bevor die Laserbearbeitung ausgeführt wird. Im Übrigen ist die Laserbearbeitungsvorrichtung 18 imstande, die Information über die Position des Facettenbereichs 11d für den Facettenbereich 11d von der Erfassungsvorrichtung 2 zu gewinnen. Daher kann zum Zeitpunkt des Ausführens der Laserbearbeitung die Laserbearbeitung unter Bearbeitungsbedingungen ausgeführt werden, die jeweils für die jeweiligen Bereiche geeignet sind, das heißt für den Facettenbereich 11d und den Nicht-Facettenbereich 11c.
  • Zum Beispiel wird zum Zeitpunkt einer Bearbeitung des Nicht-Facettenbereichs 11c eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 22a unter den Bearbeitungsbedingungen ausgeführt, die für den Nicht-Facettenbereich 11c angemessen sind. Dann werden die Bearbeitungsbedingungen zu dem Zeitpunkt, zu dem der Brennpunkt des Laserstrahls 22a den Facettenbereich 11d erreicht, umgestellt, und eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 22a wird ausgeführt. Zu dem Zeitpunkt, zu dem der Brennpunkt des Laserstrahls 22a wieder den Nicht-Facettenbereich 11c erreicht, kehren die Bearbeitungsbedingungen wieder zu den ursprünglichen zurück, und eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 22a wird ausgeführt. Alternativ wird der Spanntisch 20 bewegt, und der Nicht-Facettenbereich 11c wird unter für den Nicht-Facettenbereich 11c geeigneten Bedingungen mit einem Laser bearbeitet. Dann, wenn der Brennpunkt des Laserstrahls 22a den Facettenbereich 11d erreicht, wird eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 22a unterbrochen. Danach, wenn der Brennpunkt den Facettenbereich 11d verlässt, wird eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 22a wieder begonnen. Als Nächstes wird der Spanntisch 20 in der Rückwärtsrichtung bewegt, und eine Bestrahlung mit dem Laserstrahl 22a wird ausgeführt, wenn der Brennpunkt des Laserstrahls 22a den Facettenbereich 11d erreicht, um den Facettenbereich 11d unter für den Facettenbereich 11d geeigneten Bedingungen zu bearbeiten.
  • In diesen Fällen können die modifizierten Schichten gleichmäßig in einer vorbestimmten Tiefenposition in dem SiC-Einkristallingot 11 ausgebildet werden. Daher kann eine Schwankung bei der Tiefenposition, bei welcher der SiC-Einkristallingot 11 getrennt wird und Ähnliches, vermindert werden. Dementsprechend kann der Zuschnitt des SiC-Einkristallingots 11, der unter Berücksichtigung dieser Schwankungen benötigt wird, kleiner festgelegt werden. Folglich kann zum Zeitpunkt eines Ausbildens der SiC-Wafer aus dem SiC-Einkristallingot 11 der Verlust an SiC vermindert werden.
  • Es ist anzumerken, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die Beschreibung der obigen Ausführungsform beschränkt ist und mit vielfältigen Abwandlungen ausgeführt werden kann. Zum Beispiel wurde bei der obigen Ausführungsform ein Fall beschrieben, bei dem der SiC-Einkristallingot 11 durch den Spanntisch 14 gehalten wird, die erste Fläche 11a mit dem Licht bestrahlt wird und die sich ergebende Fluoreszenz erfasst wird. Jedoch ist eine Ausführung der vorliegenden Erfindung nicht hierauf beschränkt. Zum Beispiel muss der SiC-Einkristallingot 11 zum Zeitpunkt einer Bestrahlung mit dem Licht nicht durch den Spanntisch 14 gehalten werden, und der SiC-Einkristallingot 11 kann auf einem Tisch platziert sein, der keinen Unterdruckhaltemechanismus aufweist. Zudem kann die Erfassungsvorrichtung 2 für den Facettenbereich 11d zu der Laserbearbeitungsvorrichtung 18 gehören, die den SiC-Wafer von dem SiC-Einkristallingot 11 trennt. In diesem Fall wird der SiC-Einkristallingot 11, welcher der Erfassung der Position des Facettenbereichs 11d unterzogen worden ist, so wie er ist mit einem Laser bearbeitet, wodurch der SiC-Wafer von diesem getrennt wird. In diesem Fall kann der Spanntisch 20 der Laserbearbeitungsvorrichtung 18 als Spanntisch 14 der Erfassungsvorrichtung 2 dienen, und die Laserbearbeitungseinheit 22 der Laserbearbeitungsvorrichtung 18 kann als Lichtquelleneinheit 4 der Erfassungsvorrichtung 2 dienen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.

Claims (4)

  1. Ein Facettenbereich-Erfassungsverfahren zum Erfassen eines Facettenbereichs eines SiC-Einkristallingots, der eine erste Fläche und eine der ersten Fläche entgegengesetzte zweite Fläche aufweist und in dem sich eine c-Achse von der ersten Fläche zu der zweiten Fläche erstreckt, wobei das Facettenbereich-Erfassungsverfahren umfasst: einen Bestrahlungsschritt mit einem Bestrahlen der ersten Fläche des SiC-Einkristallingots mit Licht von einer Lichtquelle; einen Fluoreszenzintensitätserfassungsschritt mit einem Erfassen einer Fluoreszenz, die durch die Bestrahlung der ersten Fläche mit Licht von der ersten Fläche des SiC-Einkristallingots erzeugt wird, um eine Fluoreszenzintensitätsverteilung zu erhalten; und einen Bestimmungsschritt mit einem Bestimmen eines Bereichs der ersten Fläche als ein Facettenbereich, wo die Fluoreszenzintensität, die bei dem Fluoreszenzintensitätserfassungsschritt erfasst wird, vergleichsweise niedrig ist, und Bestimmen eines Bereichs als ein Nicht-Facettenbereich, wo die Fluoreszenzintensität vergleichsweise hoch ist.
  2. Facettenbereich-Erfassungsverfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: vor dem Ausführen des Strahlungsschritts einen Schleifschritt mit einem Schleifen der ersten Fläche durch Verwendung von Schleifsteinen.
  3. Facettenbereich-Erfassungsvorrichtung zum Erfassen eines Facettenbereichs eines SiC-Einkristallingots, der eine erste Fläche und eine zweite Fläche auf einer der ersten Fläche entgegengesetzten Seite aufweist und in dem sich eine c-Achse von der ersten Fläche zu der zweiten Fläche erstreckt, wobei die Facettenbereich-Erfassungsvorrichtung aufweist: einen Spanntisch, der den SiC-Einkristallingot mit der ersten Fläche zu einer Oberseite hin gerichtet hält; eine Lichtquelle, die den durch den Spanntisch gehaltenen SiC-Einkristallingot mit Licht bestrahlt; eine Fluoreszenzerfassungseinheit, welche eine Fluoreszenz erfasst, die durch das Licht, mit dem die erste Fläche von der Lichtquelle bestrahlt wird, von der ersten Fläche erzeugt wird, um eine Verteilung einer Fluoreszenzintensität zu erhalten; und eine Bestimmungseinheit, die eine Position eines Facettenbereichs der ersten Fläche des SiC-Einkristallingots aus der durch die Fluoreszenzerfassungseinheit erfassten Fluoreszenzintensitätsverteilung bestimmt.
  4. Facettenbereich-Erfassungsvorrichtung nach Anspruch 3, bei der die Fluoreszenzerfassungseinheit eine Abbildungseinheit aufweist, welche die erste Fläche des SiC-Einkristallingots abbildet, die durch Bestrahlung mit dem Licht von der Lichtquelle die Fluoreszenz erzeugt.
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