TWI810765B - 處理液供應裝置以及處理液供應裝置的固體去除方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是處理液供應裝置以及處理液供應裝置的固體去除方法，公開一種具有沖洗功能的處理液供應裝置以及在處理液供應裝置中去除固態二氧化矽等固體的方法，其中，所述沖洗功能是指去除在向基板處理裝置供應處理液並回收來再生的處理液供應裝置中隨著供應處理液而析出的二氧化矽等固體的功能。

Description

處理液供應裝置以及處理液供應裝置的固體去除方法
本發明涉及處理液供應裝置以及處理液供應裝置的固體去除方法，更詳細地涉及具有沖洗功能的處理液供應裝置以及在處理液供應裝置中去除固態二氧化矽等固體的方法，其中，所述沖洗功能是指去除在向基板處理裝置供應處理液並回收來再生的處理液供應裝置中隨著供應處理液而析出的二氧化矽等固體的功能。
通常，在半導體元件以及顯示面板等的製造製程中使用各種種類的處理液。這樣的處理液通過處理液供應裝置將濃度、溫度以及流量等調節成符合製程條件，向處理基板的基板處理裝置供應。此時，處理液供應裝置將一個處理液或混合彼此不同的處理液而成的混合液向基板處理裝置供應。
例如，在清洗或蝕刻製程中，向形成有氮化矽膜和氧化矽膜的基板的表面供應作為蝕刻液的磷酸水溶液等處理液，執行選擇性地去除氮化矽膜的處理。
當使用磷酸水溶液對氮化矽膜和氧化矽膜選擇性地進行蝕刻處理時，磷酸水溶液中含有的二氧化矽(Silica)是對蝕刻選擇比起到重要作用的要素。
比如磷酸水溶液的處理液中二氧化矽濃度過低，則由於氧化矽膜的蝕刻速度變快，針對氮化矽膜的蝕刻選擇比降低。相反，即使二氧化矽濃度過高，也產生選擇性蝕刻不能合理地形成或過濾器堵塞等各種問題。
因此，當利用磷酸水溶液等處理液執行蝕刻製程時，重要的是將含在處理液中的二氧化矽濃度根據處理目的調整在合理範圍內。
尤其，最近隨著半導體的更新換代，蝕刻設備也從批量式蝕刻設備向單片式蝕刻設備更新換代。批量式蝕刻設備具有散佈不良、流動性缺陷問題以及難控制選擇比的缺點。因此，最近趨勢是開發單片式蝕刻設備。
單片式蝕刻設備適用用於將高溫的磷酸處理液供應到各腔室並將使用後的處理液回收再利用(recycle)的處理液再利用系統。
在適用這樣的處理液再利用系統時，當磷酸處理液的溫度下降或磷酸處理液不循環時，液態二氧化矽呈固態二氧化矽析出而可能成為粒子源(particle source)或成為管道堵塞以及傳感不良的原因。
因此，雖通過供應抑制二氧化矽析出的二氧化矽析出抑制劑等的方式等來防止二氧化矽析出，但是存在當添加二氧化矽析出抑制劑時不容易調節蝕刻選擇比的問題，另外存在執行處理液製程的過程中當處理液暴露於大氣時難以充分防止二氧化矽固體析出的問題。
因此，需要謀求能夠更有效地去除二氧化矽等固體析出來穩定地保持製程產出率的方案。
專利文獻0001：韓國專利公開公報第10-2020-0115316號。
專利文獻0002：韓國專利公開公報第10-2019-0099814號。
本發明的目的在於解決上述那樣的以往技術問題，目的在於解決由於二氧化矽等固體析出而無法穩定地保持製程產出率的問題。
尤其，目的在於提供對處理液供應裝置上容易析出二氧化矽的固體析出區域集中執行沖洗而能夠去除析出的二氧化矽等固體的方案。
進而，解決固態二氧化矽等固體析出而作用為粒子源(particle source)的問題，另外解決由於二氧化矽等固體析出而發生基板處理設施等的管道堵塞以及傳感不良等的問題。
本發明的解決課題不限於以上所提及的，本領域技術人員會從下面的記載能夠明確地理解未被提及的其它解決課題。
為了完成上述技術課題，根據本發明的處理液供應裝置的一實施例可包括：沖洗供應構件，將沖洗流體向處理液供應裝置的已設定的固體析出區域選擇性地供應；沖洗調節構件，引導對所述固體析出區域通過沖洗流體的流動執行沖洗；沖洗排放構件，從所述固體析出區域排放處理液或者沖洗流體；以及控制單元，控制對所述固體析出區域執行沖洗。
優選的是，所述沖洗供應構件包括：沖洗流體供應部，供應包含氟化氫(HF：hydrogen fluoride)、去離子水(DIW：deionized water)和惰性氣體中的任一個以上的沖洗流體；沖洗流體供應管線，將沖洗流體向所述固體析出區域供應；以及沖洗流體供應閥，將沖洗流體選擇性地從所述沖洗流體供應部向所述沖洗流體供應管線供應。
作為一例，所述固體析出區域可包括配置有基於基板處理條件測定二氧化矽(Silica)並供應定量的二氧化矽的二氧化矽供應構件的區域，所述沖洗調節構件包括與所述沖洗流體供應管線連接且與所述二氧化矽供應構件的二氧化矽測定管的前端連接的前端沖洗調節閥以及與所述二氧化矽測定管的後端以及二氧化矽供應管線連接的後端沖洗調節閥，從而引導殘留二氧化矽的排放和基於沖洗流體的沖洗，所述沖洗排放構件包括與所述沖洗調節閥連接而排放所述二氧化矽供應構件的殘留二氧化矽或者沖洗流體的排放管線。
作為一例，所述固體析出區域可包括配置有基於基板處理條件調整處理液的一個以上供應調整部、基於再生條件對回收的處理液進行調整的一個 以上處理液再生部和向基板處理裝置供應處理液的主供應部中的任一個以上的區域，所述沖洗調節構件包括與所述沖洗流體供應管線連接且與所述供應調整部、所述處理液再生部和所述主供應部中的任一個以上的循環管線連接的一個以上沖洗調節閥，從而引導殘留處理液的排放和基於沖洗流體的沖洗，所述沖洗排放構件包括與所述沖洗調節閥連接而排放所述供應調整部、所述處理液再生部和所述主供應部中的任一個以上的殘留處理液或者沖洗流體的排放管線。
作為一例，所述固體析出區域可包括配置有基於基板處理條件調整處理液的一個以上供應調整部、基於再生條件對回收的處理液進行調整的一個以上處理液再生部、向基板處理裝置供應處理液的主供應部和回收基板處理裝置的處理液的回收部中的任一個以上的區域，所述沖洗調節構件包括與所述沖洗流體供應管線連接且與所述供應調整部、所述處理液再生部和所述主供應部中的任一個以上的罐前端連接的前端沖洗調節閥以及與所述供應調整部、所述處理液再生部和所述主供應部中的任一個以上的罐後端連接的後端沖洗調節閥，從而引導殘留處理液的排放和基於沖洗流體的沖洗，所述沖洗排放構件包括與所述後端沖洗調節閥連接而排放所述罐的殘留處理液或者沖洗流體的排放管線。
作為一例，所述固體析出區域可包括配置有對向基板處理裝置供應的處理液進行取樣而測定二氧化矽濃度的取樣管線的區域，所述沖洗調節構件包括與所述沖洗流體供應管線連接且在所述取樣管線上與二氧化矽濃度計的前端連接的前端沖洗調節閥以及在所述取樣管線上與二氧化矽濃度計的後端連接的後端沖洗調節閥，從而引導殘留處理液的排放和基於沖洗流體的沖洗，所述沖洗排放構件包括與所述後端沖洗調節閥連接而排放所述取樣管線的殘留處理液或者沖洗流體的排放管線。
優選的是，所述沖洗排放構件可包括：多個排放管線，排放殘留在各個所述固體析出區域中的處理液或者執行沖洗後的沖洗流體；以及一個以上分配箱，將從所述多個排放管線中被選擇的多個排放管線排放的處理液或者沖洗流體合併且通過一個排放管線進行排放。
更優選的是，所述沖洗排放構件還可包括從一個以上所述分配箱接收廢棄液並儲存的緩衝罐。
再者，所述處理液供應裝置可包括：處理液供應單元，包括向基板處理裝置供應處理液的主供應部以及根據基板處理條件調整處理液並向所述主供應部提供的供應調整部；以及處理液再利用單元，包括從所述基板處理裝置回收處理液的回收部以及從所述回收部接收回收的處理液而根據再生條件調整處理液並向所述供應調整部提供的處理液再生部，與所述處理液供應單元和所述處理液再利用單元的每個對應地配置所述沖洗供應構件、所述沖洗調節構件以及所述沖洗排放構件。
另外，根據本發明的處理液供應裝置的固體去除方法的一實施例可包括：處理液排放步驟，排放在處理液供應裝置的已設定的固體析出區域殘留的處理液物質；沖洗步驟，向所述固體析出區域供應沖洗流體來執行沖洗；以及沖洗流體排放步驟，從所述固體析出區域選擇性地排放執行沖洗後的沖洗流體。
優選的是，所述處理液排放步驟可關閉對所述固體析出區域的處理液供應並開啟排放管線來排放殘留於所述固體析出區域的處理液，並選擇性地執行沖洗流體供應管線的開啟和關閉以及排放管線的開啟和關閉而用彼此不同的一個以上沖洗流體重複執行對所述固體析出區域的所述沖洗步驟和所述沖洗流體排放步驟。
更優選的是，以氟化氫(HF)、去離子水(DIW)及惰性氣體的依次順序、去離子水(DIW)、氟化氫(HF)、去離子水(DIW)及惰性氣體的依 次順序或者去離子水(DIW)及惰性氣體的依次順序重複執行所述沖洗步驟和所述沖洗流體排放步驟。
再者，所述沖洗步驟和所述沖洗流體排放步驟可選擇性地執行對所述固體析出區域的沖洗流體供應管線的開啟和關閉以及排放管線的開啟和關閉而以氟化氫(HF)及去離子水(DIW)的依次順序或者用去離子水(DIW)對所述固體析出區域執行沖洗並排放執行沖洗後的沖洗流體，並選擇性地執行對所述固體析出區域的沖洗流體供應管線的開啟和關閉以及排放管線的開啟和關閉而通過惰性氣體的流動排放或者去除殘留的沖洗流體。
作為一例，所述處理液排放步驟可基於基板處理條件測定二氧化矽(Silica)而關閉供應定量的二氧化矽的二氧化矽供應構件的二氧化矽供應並開啟排放管線來排放殘留的二氧化矽，所述沖洗步驟開啟沖洗流體供應管線而對二氧化矽測定管以及二氧化矽供應管線通過沖洗流體的流動執行沖洗，所述沖洗流體排放步驟開啟排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體。
作為另一例，所述處理液排放步驟可對基於基板處理條件調整處理液的一個以上供應調整部、基於再生條件調整回收的處理液的一個以上處理液再生部和向基板處理裝置供應處理液的主供應部中的任一個以上循環管線的被選擇的區間關閉處理液供應並開啟排放管線而排放殘留的處理液，所述沖洗步驟開啟沖洗流體供應管線而對所述循環管線的被選擇的區間通過沖洗流體的流動執行沖洗，所述沖洗流體排放步驟開啟排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體。
作為另一例，所述處理液排放步驟可對基於基板處理條件調整處理液的一個以上供應調整部、基於再生條件調整回收的處理液的一個以上處理液再生部、向基板處理裝置供應處理液的主供應部和回收基板處理裝置的處理液的回收部中的任一個以上罐關閉處理液供應並開啟排放管線而排放殘留的處理 液，所述沖洗步驟開啟沖洗流體供應管線而對所述罐通過沖洗流體的流動執行沖洗，所述沖洗流體排放步驟開啟排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體。
作為另一例，所述處理液排放步驟可對基於基板處理條件調整處理液的一個以上供應調整部、基於再生條件調整回收的處理液的一個以上處理液再生部和向基板處理裝置供應處理液的主供應部中的任一個以上關閉處理液供應並開啟排放管線而排放殘留的處理液，所述沖洗步驟和所述沖洗流體排放步驟通過沖洗流體供應管線供應去離子水(DIW)的沖洗流體而對罐以及循環管線用去離子水(DIW)的沖洗流體執行沖洗並開啟排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體，並對所述循環管線的被選擇的區間通過沖洗流體供應管線以氟化氫(HF)、去離子水(DIW)以及惰性氣體的依次順序供應沖洗流體而執行沖洗並開啟排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體。
作為又另一例，所述處理液排放步驟可關閉對向基板處理裝置供應的處理液進行取樣並測定二氧化矽濃度的取樣管線的處理液供應並開啟排放管線而排放殘留的處理液，所述沖洗步驟開啟沖洗流體供應管線而對所述取樣管線的具備二氧化矽濃度計的被選擇的區間通過沖洗流體的流動執行沖洗，所述沖洗流體排放步驟開啟排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體。
優選的是，所述沖洗流體排放步驟可將從多個排放管線中被選擇的多個排放管線排放的處理液和沖洗流體中的一個以上向分配箱提供，並將在所述分配箱中合併的處理液和沖洗流體中的一個以上保管於緩衝罐。
再者，根據本發明的處理液供應裝置的優選的一實施例可包括：沖洗供應構件，包括供應包含氟化氫(HF)、去離子水(DIW：deionized water)以及惰性氣體中的任一個以上的沖洗流體的沖洗流體供應部、將沖洗流體向固體析出區域供應的沖洗流體供應管線以及將沖洗流體選擇性地從所述沖洗流體供應部向所述沖洗流體供應管線供應的沖洗流體供應閥；沖洗調節構件，包括對 所述固體析出區域控制沖洗流體的流動的沖洗調節閥，從而引導殘留處理液的排放和基於沖洗流體的沖洗；沖洗排放構件，包括排放在各個所述固體析出區域殘留的處理液或者執行沖洗後的沖洗流體的多個排放管線、將從所述多個排放管線中被選擇的多個排放管線排放的處理液或者沖洗流體合併且通過一個排放管線排放的一個以上分配箱以及從所述分配箱接收處理液或者沖洗流體並保管的緩衝罐；以及控制單元，控制對所述固體析出區域執行沖洗，所述控制單元選擇性地控制所述沖洗流體供應管線的開啟和關閉以及所述排放管線的開啟和關閉，以氟化氫(HF)、去離子水(DIW)及惰性氣體的依次順序或者去離子水(DIW)及惰性氣體的依次順序對所述固體析出區域執行沖洗。
根據這樣的本發明，能夠在處理液供應裝置上有效地去除二氧化矽等固體析出物並執行沖洗製程後立即實現處理液供應，因此能夠有效地保持製程產出率。
尤其，對處理液供應裝置上容易析出二氧化矽的固體析出區域集中執行沖洗而能夠去除二氧化矽等固體。
10:基板處理裝置
100、400:處理液供應單元
110、410:供應調整部
111、411:調整處理液供應管
120、420:二氧化矽供應構件
121:二氧化矽供應部
122:二氧化矽供應閥
123、423:二氧化矽測定管
131:調整循環管線
132、432:調整管線泵
133:調整管線加熱器
134、264:磷酸濃度計
140:調整罐
141、142、441、442、461、462、571、591:物質供應管
143、273、183:惰性氣體供應構件
170、470:主供應部
171、471:處理液供應管
173、473:取樣管線
175、475:二氧化矽濃度計
180、480:主供應罐
181:物質供應構件
190:供應處理液回收管線
191:處理液供應管泵
193:處理液供應管過濾器
200、500:處理液再利用單元
210、510:回收部
220:廢處理液供應管
230、530:回收罐
235:主過濾器
240:回收處理液供應管
241:回收管泵
243:處理液供應閥
250、550:處理液再生部
251、551:再生處理液供應管
253:再生處理液供應閥
255、490:回收管線
257:再生處理液回收閥
261:再生循環管線
262、562:再生管線泵
263:再生管線加熱器
265:副過濾器
266:再生液供應閥
270:再生罐
271:物質供應管
331、333、335、341、343、345、371、373、375、381、387、633a、635a、641、643、645、665、671a、673a、675a、681、687:沖洗調節閥
310、360、610、660:沖洗供應構件
311、611、661:去離子水(DIW)供應部
312、612、662:氟化氫(HF)供應部
313、613、663:惰性氣體供應部
315、615:沖洗流體供應閥
316、616、666:小型供應管線SS
317、617、667:大型供應管線BS
321、347、621:前端沖洗調節閥
325、349、625:後端沖洗調節閥
350、390、650、690:沖洗排放構件
351、353、651、653、691:分配箱
355、655、695:緩衝罐
385:沖洗調節閥
125、425、427:二氧化矽供應管線
430:供應調整部
431:第一調整循環管線
440:第一調整罐
450:第二供應調整部
451:第二調整循環管線
460:第二調整罐
491:處理液供應管泵
560:第一處理液再生部
561:第一再生循環管線
570:第一再生罐
580:第二處理液再生部
581:第二再生循環管線
590:第二再生罐
HD1~HD8:排放管線
RD1~RD6:排放管線
S110、S120、S130、S140、S150、S160、S170、S180、S190:步驟
圖1示出適用本發明的處理液供應裝置的一實施例的結構圖。
圖2示出根據本發明的處理液供應裝置的處理液供應單元的一實施例。
圖3示出根據本發明的處理液再利用單元的一實施例。
圖4示出適用本發明的處理液供應裝置的另一實施例的結構圖。
圖5示出根據本發明的處理液供應裝置的處理液供應單元的另一實施例。
圖6示出根據本發明的處理液再利用單元的另一實施例。
圖7示出根據本發明的處理液供應裝置中固體去除方法的一實施例的流程圖。
圖8示出根據本發明對處理液供應裝置的二氧化矽供應構件執行固體析出區域的沖洗的實施例。
圖9以及圖10示出根據本發明對處理液供應裝置的供應調整部執行固體析出區域的沖洗的實施例。
圖11以及圖12示出根據本發明對處理液供應裝置的主供應部執行固體析出區域的沖洗的實施例。
圖13以及圖14示出根據本發明對處理液供應裝置的處理液再生部執行固體析出區域的沖洗的實施例。
圖15示出根據本發明對處理液供應裝置的回收部執行固體析出區域的沖洗的實施例。
為了說明本發明和本發明的工作上的優點以及通過本發明的實施達到目的，下麵例示本發明的優選實施例並參照其進行描述。
首先，在本申請使用的術語僅用於說明特定的實施例，並不是要限定本發明的意圖，單數的表述只要在文脈上沒有明確示意不同，可以包括複數表述。另外，在本申請中，應理解為“包括”或者“具有”等術語是要指定在說明書中記載的特徵、數量、步驟、工作、構成要件、零件或者它們的組合的存在，而不是預先排除一個或者其以上的其它特徵或數量、步驟、工作、構成要件、零件或者它們的組合的存在或者附加可能性。
在說明本發明時，當判斷為針對相關已知結構或者功能的具體說明可能使本發明的主旨模糊時，省略其詳細說明。
本發明公開具有沖洗功能的處理液供應裝置以及在處理液供應裝置中去除固態二氧化矽等固體的方法，其中，所述沖洗功能是指去除在向基板處理裝置供應處理液並回收來再生的處理液供應裝置中隨著供應處理液而析出的二氧化矽等固體的功能。
首先，通過一實施例觀察適用本發明的處理液供應裝置的概要結構，通過其實施例觀察在這樣的處理液供應裝置中用於防止二氧化矽等固體析出的本發明的具體結構。
本發明可以適用於供應用於去除基板表面的膜的濕式蝕刻製程或者清洗製程的處理液的處理液供應裝置，這樣的處理液供應裝置根據基板處理條件將各種處理液向基板處理裝置供應。
在下面的實施例中，將用於基板處理製程的處理液說明為含有二氧化矽的高溫磷酸水溶液，但其是為了便於說明所限定的，能夠在適用於本發明的處理液供應裝置中所使用的處理液可以包括從在基板處理製程中使用的氟化氫(HF)、硫酸(H3SO4)、過氧化氫(H2O2)、硝酸(HNO3)、磷酸(H3PO4)、臭氧水、SC-1溶液(氫氧化銨(NH4OH)、過氧化氫(H2O2)以及水(H2O)的混合液)等中選擇的至少任一個物質，除此之外，可以包括在基板處理製程中能夠使用的各種物質的處理液。
圖1示出適用本發明的處理液供應裝置的一實施例的結構圖。
適用本發明的處理液供應裝置可以包括處理液供應單元100、處理液再利用單元200、控制單元(未圖示)等而構成。
處理液供應單元100可以包括基於基板處理條件來調整並供應處理液的供應調整部110以及向基板處理裝置10供應處理液的主供應部170。
處理液再利用單元200可以包括從基板處理裝置10回收處理液的回收部210以及從回收部210接收回收的處理液並進行再生處理後向處理液供應單元100的供應調整部110提供再生處理液的處理液再生部250。
而且，控制單元(未圖示)可以控制針對處理液供應單元100和處理液再利用單元200的處理液的供應、調整、回收、再生或者廢棄。
本發明在所述圖1那樣的處理液供應裝置中賦予用於去除二氧化矽等固體析出物的沖洗功能，通過圖2以及圖3觀察在所述圖1中賦予沖洗功能的根據本發明的處理液供應裝置的實施例。
將處理液供應單元100和處理液再利用單元200劃分來觀察，圖2示出在處理液供應裝置上對處理液供應單元100賦予沖洗結構的情況，圖3示出在處理液供應裝置上對處理液再利用單元200賦予沖洗結構的情況。
首先，觀察適用於本發明的處理液供應單元100。
本發明的一實施例可以為了對處理液供應單元100執行沖洗，包括沖洗供應構件310、沖洗調節構件、沖洗排放構件350、控制單元(未圖示)等。
沖洗供應構件310可以向在處理液供應單元100上設定為固體析出區域的部分供應沖洗流體。在此，沖洗流體可以單獨或混合並選擇性地利用氟化氫(HF)、去離子水(DIW：deionized water)或者惰性氣體等。
沖洗供應構件310可以包括沖洗流體供應部、沖洗流體供應管線、沖洗流體供應閥等。
沖洗流體供應部可以根據所利用的沖洗流體劃分具備去離子水(DIW)供應部311、氟化氫(HF)供應部312、惰性氣體供應部313，可以通過沖洗流體供應閥315單獨或混合氟化氫(HF)、去離子水(DIW：deionized water)或者惰性氣體等並選擇性地向沖洗流體供應管線供應。
沖洗流體供應管線向在處理液供應單元100上設定的固體析出區域提供沖洗流體，可以將供應管線構成為考慮相應固體析出區域來調節沖洗流體供應量。比如當需要相對小量的沖洗流體供應時，可以通過小型供應管線SS 316形成沖洗流體供應，或者當需要相對大量的沖洗流體供應時，可以通過大型供應管線BS 317形成沖洗流體供應。
而且，沖洗調節構件引導通過從沖洗供應構件310提供的沖洗流體對設置在處理液供應單元100上的相應固體析出區域執行沖洗。為此，沖洗調節構件可以包括在各個固體析出區域的每個配置的沖洗調節閥。關於沖洗調節構件，在說明處理液供應單元100的詳細結構的同時進行說明。
沖洗排放構件350排放殘留於在處理液供應單元100上設定的固體析出區域的處理液且排放執行完沖洗的沖洗流體。
沖洗排放構件350可以包括排放管線HD1~HD6、一個以上分配箱351、353、緩衝罐355等。
排放管線HD1~HD6連接於固體析出區域而排放處理液或者沖洗流體，為此，可以設置為與各個固體析出區域的數量相對應。
分配箱351、353可以將從在多個排放管線之中選擇的多個排放管線排放的處理液或者沖洗流體合併且通過一個排放管線排放。
緩衝罐355可以從一個以上分配箱351、353接收廢棄液並儲存，若對廢棄液完成一定的處理則向外部排放。
尤其，在本發明中，對在處理液供應單元100上設定的固體析出區域執行沖洗，關於此，觀察處理液供應單元100的各結構來說明沖洗調節構件。
處理液供應單元100包括向基板處理裝置10供應處理液的主供應部170以及根據基板處理條件調整處理液並向主供應部170供應調整後的處理液的供應調整部110。
在供應調整部110可以設置供應二氧化矽的二氧化矽供應構件120。
二氧化矽供應構件120包括供應二氧化矽的二氧化矽供應部121、控制從二氧化矽供應部121的二氧化矽供應的二氧化矽供應閥122以及用於按照基板處理條件測定二氧化矽的量並供應定量的二氧化矽的二氧化矽測定管123。
這樣的二氧化矽供應構件120經常隨著殘留二氧化矽由於暴露於空氣中等各種各樣條件而可能析出固體的二氧化矽，由此可能產生管堵塞或被供應固體的二氧化矽的問題。
尤其，二氧化矽測定管123由於不是二氧化矽以流動狀態持續保持的區域，由此可能容易析出固體二氧化矽。因此，在本發明中，將設置有二氧化矽供應構件120的區域設定為固體析出區域，配置針對此的沖洗結構而進行支援以能夠執行沖洗。
為此，配置於二氧化矽供應構件120的沖洗調節構件可以包括前端沖洗調節閥321和後端沖洗調節閥325。
在前端沖洗調節閥321可以連接沖洗流體供應管線SS並連接二氧化矽供應構件120的二氧化矽測定管123的前端，前端沖洗調節閥321可以適用三向閥等多向閥，選擇性地形成沖洗流體供應等。
另外，在後端沖洗調節閥325可以連接二氧化矽測定管123的後端以及二氧化矽供應管線125並連接排放管線HD1，後端沖洗調節閥325可以適用三向閥等多向閥而選擇性地形成二氧化矽供應和沖洗流體排放等。
而且，控制單元可以通過沖洗調節構件控制二氧化矽供應構件120執行二氧化矽供應、排放以及沖洗。
供應調整部430可以具備儲存處理液的調整罐140、將磷酸或者去離子水(DIW)等處理液物質向調整罐140供應的各個物質供應管141、142以及提 供用於排放儲存在調整罐140中的處理液的壓力的惰性氣體供應構件143。在此，惰性氣體可以適用氮氣(N2)等。
並且，在供應調整部110可以設置用於使調整罐140的處理液自循環並將處理液按照基板處理條件調整的調整循環管線131。在調整循環管線131可以配置用於使調整罐140的處理液循環的調整管線泵132、對循環的處理液進行加熱的調整管線加熱器133、用於測定處理液的濃度或者溫度等的測定構件等。在此，測定構件可以包括測定磷酸水溶液的磷酸濃度的磷酸濃度計134和測定磷酸水溶液的溫度的溫度計(未圖示)等。調整管線泵132優選適用耐藥品性強的泵，作為一例，在小量的處理液輸送中可以適用隔膜泵(Diaphragm pump)，在大容量的處理液輸送中可以適用波紋管泵(Bellows pump)以及磁力泵(Magnetic Pump)。或者，也可以適用用於使一定量的混合液精密循環的計量泵(Metering pump)。
另外，雖未在所述圖2中示出，但可以設置用於通過調整循環管線131使處理液自循環或向調整處理液供應管111排放調整後的處理液的控制閥。在此，所述控制閥可以適用三向閥(three way valve)或者四向閥(four way valve)等。可以是，比如當使處理液自循環時，關閉控制閥來使處理液向調整循環管線131循環，當供應調整後的處理液時，開啟控制閥而向調整處理液供應管111排放調整後的處理液。
在調整處理液供應管111可以設置用於調整後的處理液的供應量測定以及流量測定的流量計(flowmeter)(未圖示)。
在供應調整部110中調整後的處理液向調整處理液供應管111排放並提供到主供應部170。
供應調整部110的工作通過控制單元來控制，控制單元控制成二氧化矽供應構件120按照基板處理條件測定二氧化矽的供應量並選擇性地供應定 量的二氧化矽，並且控制成各個物質供應管141、142選擇性地供應相應物質，控制成選擇性地通過調整循環管線131使處理液自循環並調節磷酸濃度和溫度。
在這樣的供應調整部110上，由於調整罐140和調整循環管線131等中頻繁發生處理液不持續流動而停留的情況，由此可能處理液的溫度下降並析出二氧化矽等各種處理液物質的固體。
因此，在本發明中，將調整罐140和調整循環管線131的被選擇的區間設定為固體析出區域，配置針對此的沖洗結構而進行支援以能夠執行沖洗。
為此，在調整循環管線131上的被選擇的區域以及調整罐140的輸入端和輸出端可以配置沖洗調節構件的沖洗調節閥，這些沖洗調節閥可以控制成相互有機地工作。
比如，在調整循環管線131的調整罐140的輸入端可以配置沖洗調節閥331，在調整循環管線131的調整管線泵132的前端和後端配置各個沖洗調節閥333、335，可以通過這些沖洗調節閥的有機工作對調整罐140和調整循環管線131的被選擇的區間執行沖洗。
在配置於調整罐140的輸入端的沖洗調節閥331可以連接沖洗流體供應管線BS、調整罐140的輸入端、調整循環管線131等。另外，在配置於調整管線泵132的前端的沖洗調節閥333可以連接調整罐140的排放端、調整管線泵132的輸入端、排放管線HD2、沖洗流體供應管線SS等，在配置於調整管線泵132的後端的沖洗調節閥335可以連接調整循環管線131的輸入端、調整管線泵132的輸出端、排放管線HD3、沖洗流體供應管線SS等。
各個沖洗調節閥可以根據被要求的輸入輸出而適用多向閥，比如配置於調整管線泵132的前端和後端的沖洗調節閥333、335可以適用四向閥等多向閥來選擇性地形成處理液的供應和排放以及沖洗流體的供應和排放等。
而且，控制單元可以通過沖洗調節構件控制對調整循環管線131上的被選擇的區域以及調整罐140執行處理液的供應、排放以及沖洗。
下面，觀察主供應部170，主供應部170可以具備儲存調整後的處理液的主供應罐180、將去離子水(DIW)等處理液物質向主供應罐180供應的物質供應構件181以及提供用於排放儲存在主供應罐180中的處理液的壓力的惰性氣體供應構件183。
另外，主供應部170具備將調整後的處理液從主供應罐180向基板處理裝置10供應的處理液供應管171以及用於從主供應罐180向處理液供應管171供應處理液的處理液供應管泵191。在處理液供應管171也可以設置用於將向基板處理裝置10供應的處理液最終過濾的處理液供應管過濾器193。
另外，在處理液供應管171也可以為了向基板處理裝置10供應的處理液的供應量測定以及流量測定而設置流量計(未圖示)。
並且，主供應部170可以包括用於對從主供應罐180供應的處理液進行取樣的取樣管線173以及測定取樣管線173的處理液的測定構件，在此，測定構件可以包括用於測定處理液中含有的二氧化矽濃度的二氧化矽濃度計175。
而且，可以設置用於根據取樣處理液的測定結果而回收沒有被適當地調整的處理液的供應處理液回收管線190。
供應處理液回收管線190可以連接成能夠基於測定的二氧化矽濃度而將處理液回收到主供應罐180，也可以根據需要在供應處理液回收管線190配置排放閥，將超過已設定的二氧化矽濃度的處理液排放到外部進行廢棄處理。
這樣的主供應部170的工作通過控制單元來控制，所述控制單元控制成通過處理液供應管171從主供應罐180向基板處理裝置10供應處理液，並通過取樣管線173對供應的處理液進行取樣而檢查處理液是否被適當地調整。比如，可以測定二氧化矽濃度或測定處理液的溫度等，基於其結果對供應調整部 110控制二氧化矽的供應或者加熱溫度。另外，所述控制單元也可以當取樣的處理液不滿足基板處理條件的一定水準範圍時，將向基板處理裝置10供應的處理液通過供應處理液回收管線190回收或排放到外部進行廢棄。
上面觀察的主供應部170可能隨著向基板處理裝置10斷續地供應處理液，處理液的溫度下降並析出二氧化矽等各種處理液物質的固體。
因此，在本發明中，將主供應部170的主供應罐180、處理液供應管171的被選擇的區間以及取樣管線173的被選擇的區間設定為固體析出區域，配置針對此的沖洗結構而進行支援以能夠執行沖洗。
為此，在處理液供應管171上的被選擇的區域以及主供應罐180的輸入端和輸出端可以配置沖洗調節構件的沖洗調節閥，這些沖洗調節閥可以控制成相互有機地工作。另外，可以在取樣管線173的被選擇的區間配置沖洗調節構件的沖洗調節閥來執行沖洗。
比如，在供應處理液回收管線190的主供應罐180的輸入端可以配置沖洗調節閥341，在處理液供應管171的處理液供應管泵191的前端和後端配置各個沖洗調節閥343、345，可以通過這些沖洗調節閥的有機工作對主供應罐180和處理液供應管171的被選擇的區間執行沖洗。
在配置於主供應罐180的輸入端的沖洗調節閥341可以連接沖洗流體供應管線BS、主供應罐180的輸入端、供應處理液回收管線190等。另外，在配置於處理液供應管泵191的前端的沖洗調節閥343可以連接主供應罐180的輸入端、處理液供應管泵191的輸入端、排放管線HD4、沖洗流體供應管線SS等，在配置於處理液供應管泵191的後端的沖洗調節閥345可以連接處理液供應管171、處理液供應管泵191的輸出端、排放管線HD5、沖洗流體供應管線SS等。
各個沖洗調節閥可以適用基於被要求的輸入輸出的多向閥，比如配置於處理液供應管泵191的前端和後端的沖洗調節閥343、345可以適用四向閥等多向閥來選擇性地形成處理液的供應和排放以及沖洗流體的供應和排放等。
而且，控制單元可以通過沖洗調節構件控制對處理液供應管171上的被選擇的區域以及主供應罐180執行處理液的供應、排放以及沖洗。
另外，關於取樣管線173的被選擇的區間，在取樣管線173上的二氧化矽濃度計175的前端配置前端沖洗調節閥347以及在取樣管線173上的二氧化矽濃度計175的後端配置後端沖洗調節閥349，從而可以執行取樣管線173上的殘留處理液的排放和利用沖洗流體的沖洗。
可以是，在配置於二氧化矽濃度計175的前端的前端沖洗調節閥347連接沖洗流體供應管線SS，在配置於二氧化矽濃度計175的後端的後端沖洗調節閥349連接排放管線HD6。
而且，控制單元可以通過沖洗調節構件控制對取樣管線173上的被選擇的區域執行處理液的供應、排放以及沖洗。
下面，觀察適用本發明的處理液再利用單元200。
本發明的一實施例可以為了對處理液再利用單元200執行沖洗，包括沖洗供應構件360、沖洗調節構件、沖洗排放構件390、控制單元(未圖示)等。
沖洗供應構件360和沖洗排放構件390與前面通過所述圖2所觀察的相似，因此省略對其的說明。
沖洗調節構件引導通過從沖洗供應構件360提供的沖洗流體對設定在處理液再利用單元200上的相應固體析出區域執行沖洗。為此，沖洗調節構件可以包括按照各個固體析出區域的每個配置的沖洗調節閥。關於沖洗調節構件，說明處理液再利用單元200的詳細結構的同時一起說明。
處理液再利用單元200也可以與前面觀察的處理液供應單元100空間上分離而配置為另一設備。即，為了解除基板處理設施的空間上制約，可以將處理液再利用單元200構成為相對於處理液供應單元100獨立的分離的裝置，在空間上不同場所配置處理液再利用單元200。
如此，處理液供應單元100和處理液再利用單元200空間上分離而配置為不同設備，因此用於對各個單元執行沖洗的結構也可以獨立地分別構成。
處理液再利用單元200可以包括從基板處理裝置10回收使用完的廢處理液的回收部210以及將由回收部210回收的廢處理液進行再生並向處理液供應單元100的供應調整部110供應的處理液再生部250。
回收部210可以包括被從基板處理裝置供應廢處理液的廢處理液供應管220以及與廢處理液供應管220連接而臨時儲存廢處理液的回收罐230。
另外，回收部210可以具備用於將儲存在回收罐230中的廢處理液向處理液再生部250供應的回收處理液供應管240以及用於將儲存在回收罐230中的廢處理液向回收處理液供應管240排放的回收管泵241。
並且，在回收部210可以設置當通過回收處理液供應管240向處理液再生部250供應廢處理液時用於過濾雜質等的主過濾器235。
回收部210的工作通過控制單元來控制，控制單元可以控制成在回收部210的回收罐230臨時保管廢處理液並將回收罐230的廢處理液向處理液再生部250供應或排放到外部進行廢棄。
這樣的回收部210從基板處理裝置10回收使用後的處理液並臨時保管，因此含有大量各種雜質，可能因保管使用後的處理液而容易析出二氧化矽等各種處理液物質的固體。
因此，在本發明中，將回收部210的回收罐230等被選擇的區間設定為固體析出區域，配置針對此的沖洗結構而進行支援以能夠執行沖洗。
為此，在回收罐230的前端和後端配置沖洗調節構件的沖洗調節閥，這些沖洗調節閥可以通過相互有機地工作對回收部210的被選擇的區間執行沖洗。
比如，在從基板處理裝置10接收廢處理液並向回收罐230供應的廢處理液供應管220上可以設置用於將廢處理液排放到排放管線RD3的沖洗調節閥385。另外，可以是，與沖洗流體供應管線BS連接而向回收罐230供應沖洗流體的沖洗調節閥381配置於回收罐230的前端，配置有與回收罐230的輸出端、回收處理液供應管240、排放管線RD4等連接的沖洗調節閥387。
而且，控制單元可以通過沖洗調節構件控制對回收部210上的被選擇的區域以及回收罐230執行處理液的供應、排放以及沖洗。
由回收部210回收的廢處理液可以被過濾而向處理液再生部250供應，在處理液再生部250中被再生處理成可使用的適當水準的處理液。
處理液再生部250包括儲存從回收部210供應的處理液的再生罐270，從回收處理液供應管240供應的處理液可以通過處理液供應閥243控制朝向再生罐270的供應。
在處理液再生部250可以設置向再生罐270供應去離子水(DIW)的處理液物質供應管271以及提供用於排放儲存在再生罐270中的處理液的壓力的惰性氣體供應構件273。在此，惰性氣體可以適用氮氣(N2)等。
並且，在處理液再生部250可以設置用於使再生罐270的處理液自循環並再生處理處理液的再生循環管線261，在再生循環管線261可以配置用於使再生罐270的處理液循環的再生管線泵262、用於加熱進行循環的處理液的再生管線加熱器263、用於測定處理液的濃度或者溫度等的測定構件等。在此，測定構件可以包括測定處理液的磷酸水分濃度的磷酸濃度計264以及測定處理液的溫度的溫度計(未圖示)等。
另外，可以設置用於通過再生循環管線261使處理液自循環或向再生處理液供應管251排放再生的處理液的再生液供應閥266。在此，再生液供應閥266可以適用三向閥(three way valve)或者四向閥(four way valve)等而選擇性地使處理液向再生循環管線261循環或向再生處理液供應管251排放再生處理液。
並且，在再生循環管線261設置用於使處理液自循環並進行過濾的副過濾器265。
進而，也可以設置回收從處理液再生部250通過再生處理液供應管251向供應調整部110供應的處理液的回收管線255。在再生處理液供應管251可以配置用於控制向供應調整部110供應再生處理液的再生處理液供應閥253，並且，配置用於向回收管線255回收再生處理液的再生處理液回收閥257。在此，再生處理液供應閥253和再生處理液回收閥257也可以用一個三向閥替代。
處理液再生部250的工作通過控制單元來控制，所述控制單元控制成從回收部210向處理液再生部250選擇性地供應廢處理液，並控制成各個物質供應管271選擇性地供應去離子水(DIW)等相應物質，並且控制成通過再生循環管線261使處理液自循環並調節磷酸水分濃度和溫度而對處理液進行再生。
在這樣的處理液再生部250上，由於再生罐270和再生循環管線261等中頻繁發生處理液不持續流動而停留的情況，由此可能處理液的溫度下降並析出二氧化矽等各種處理液物質的固體。
因此，在本發明中，將再生罐270和再生循環管線261的被選擇的區間設定為固體析出區域，配置對此的沖洗結構而進行支援以能夠執行沖洗。
為此，在再生循環管線261上的被選擇的區域以及再生罐270的輸入端和輸出端可以配置沖洗調節構件的沖洗調節閥，這些沖洗調節閥可以控制成相互有機地工作。
比如，在再生循環管線261的再生罐270的輸入端可以配置沖洗調節閥371，在再生循環管線261的再生管線泵262的前端和後端配置各個沖洗調節閥373、375，可以通過這些沖洗調節閥的有機工作對再生罐270和再生循環管線261的被選擇的區間執行沖洗。
在配置於再生罐270的輸入端的沖洗調節閥371可以連接沖洗流體供應管線BS、再生罐270的輸入端、再生循環管線261等。另外，在配置於再生管線泵262的前端的沖洗調節閥373可以連接再生罐270的排放端、再生管線泵262的輸入端、排放管線RD1、沖洗流體供應管線SS等，在配置於再生管線泵262的後端的沖洗調節閥375可以連接再生循環管線261的輸入端、再生管線泵262的輸出端、排放管線RD2、沖洗流體供應管線SS等。
各個沖洗調節閥可以根據被要求的輸入輸出而適用多向閥，比如配置於再生管線泵262的前端和後端的沖洗調節閥373、375可以適用四向閥等多向閥來選擇性地形成處理液的供應和排放以及沖洗流體的供應和排放等。
而且，控制單元可以通過沖洗調節構件控制對再生循環管線261上的被選擇的區域以及再生罐270執行處理液的供應、排放以及沖洗。
如以上所觀察那樣，本發明提出如下處理液供應裝置：在處理液供應單元100和處理液再利用單元200各自中設定產生二氧化矽等固體析出物的區域，並配置用於執行這樣的區域的沖洗的結構，從而賦予沖洗功能。
說明為所述圖2的處理液供應單元100和所述圖3的處理液再利用單元200配置於各不相同的空間，由此用於執行沖洗的沖洗供應構件和沖洗排放構件也單獨地配置於處理液供應單元100和處理液再利用單元200的每一個，但這是基於處理液供應裝置的設備配置，如果是處理液供應單元和處理液再利用單元連接配置於一個空間的情況，用於執行沖洗的結構也可以合併配置。
進而，前面通過所述圖1觀察的處理液供應裝置構成為在處理液供應單元100配置一個供應調整部110且在處理液再利用單元200配置一個處理液再生部250，但處理液供應單元100的供應調整部110的數量和處理液再利用單元200的處理液再生部250的數量可以根據需要改變。
關於此，圖4示出適用本發明的處理液供應裝置的另一實施例的結構圖。
所述圖4的實施例的基本結構配置與前面觀察的所述圖1的實施例相似，但處理液供應單元400包括並聯配置的兩個供應調整部410，處理液再利用單元500包括並聯配置的兩個處理液再生部550。
可以通過這樣的多個供應調整部410的並聯配置，任一個供應調整部410向主供應部470供應基於基板處理條件被調整濃度和溫度的處理液，同時另一個供應調整部410基於基板處理條件對處理液執行濃度和溫度調整。
另外，可以通過多個處理液再生部550的並聯配置，任一個處理液再生部550從回收部510接收使用後的處理液而進行再生，同時另一個處理液再生部550將再生的處理液向多個供應調整部410中的任一個供應。
可以通過這樣的多個供應調整部410和多個處理液再生部550的結構，形成連續的處理液調整和再生，同時將調整後的處理液向基板處理裝置連續供應，從而能夠進一步提高處理液供應效率。
本發明在如所述圖4那樣的處理液供應裝置中賦予用於去除二氧化矽等固體析出物的沖洗功能，將所述圖4中賦予沖洗功能的根據本發明的處理液供應裝置的實施例區分為圖5所示的處理液供應單元400的實施例和圖6所示的處理液再利用單元500的實施例來進行觀察。
在所述圖5的處理液供應單元400的實施例中，省略與前面說明的所述圖2的處理液供應單元100的實施例重複部分的說明，同樣地，在所述圖6的處 理液再利用單元500的實施例中，省略與前面說明的所述圖3的處理液再利用單元200的實施例重複部分的說明。
首先，觀察適用本發明的處理液供應單元400。
在所述圖5的處理液供應單元400中也可以為了執行沖洗而包括沖洗供應構件610、沖洗調節構件、沖洗排放構件650、控制單元(未圖示)等。
在沖洗供應構件610中可以根據所利用的沖洗流體而區分具備去離子水(DIW)供應部611、氟化氫(HF)供應部612、惰性氣體供應部613，可以通過沖洗流體供應閥615選擇性地將氟化氫(HF)、去離子水(DIW：deionized water)或者惰性氣體等單獨或者混合地供應於沖洗流體供應管線。
沖洗流體供應管線向在處理液供應單元400上設定的固體析出區域提供沖洗流體，可以根據所要求的沖洗流體供應量而區分具備小型供應管線SS 616和大型供應管線BS 617。
而且，沖洗調節構件引導通過從沖洗供應構件610提供的沖洗流體對在處理液供應單元400上設定的相應固體析出區域執行沖洗。為此，沖洗調節構件可以包括按照各個固體析出區域的每個配置的沖洗調節閥。關於沖洗調節構件，說明處理液供應單元400的詳細結構的同時一起說明。
沖洗排放構件650可以排放殘留於在處理液供應單元400上設定的固體析出區域的處理液並排放執行沖洗後的沖洗流體，包括排放管線HD1~HD8、一個以上分配箱651、653、緩衝罐655等。
排放管線HD1~HD8與固體析出區域連接而排放處理液或者沖洗流體，可以根據設定的固體析出區域的數量調節所具備的管線數量。
分配箱651、653可以將從多個排放管線中被選擇的多個排放管線排放的處理液或者沖洗流體合併而通過一個排放管線排放，緩衝罐655可以從一個 以上分配箱651、653接收廢棄液並儲存，若對廢棄液完成一定的處理則排放到外部。
在本發明中，觀察處理液供應單元400的各結構的同時說明為了對處理液供應單元400上的設定的固體析出區域執行沖洗而配置的沖洗調節構件。
處理液供應單元400包括向基板處理裝置10供應處理液的主供應部470以及根據基板處理條件調整處理液並向主供應部470供應調整後的處理液的供應調整部410。
供應調整部410可以包括第一供應調整部430和第二供應調整部450，並可以包括二氧化矽供應構件420。二氧化矽供應構件420可以向第一供應調整部430和第二供應調整部450的每個選擇性地供應二氧化矽。
二氧化矽供應構件420與前面通過所述圖2所觀察的相似，可以將配置有二氧化矽供應構件420的區域設定為固體析出區域，配置對此的沖洗結構而進行支援以能夠執行沖洗。
作為用於執行二氧化矽供應構件420的沖洗的結構，沖洗調節構件可以包括前端沖洗調節閥621和後端沖洗調節閥625。
在此，可以在後端沖洗調節閥625連接向第一供應調整部430供應二氧化矽的二氧化矽供應管線427以及向第二供應調整部450供應二氧化矽的二氧化矽供應管線425而調節成能夠向第一供應調整部430和第二供應調整部450選擇性地供應二氧化矽。
控制單元可以通過沖洗調節構件控制二氧化矽供應構件420執行二氧化矽供應、排放以及沖洗。
而且，第一供應調整部430和第二供應調整部450各自與前面觀察的所述圖2的實施例中的供應調整部110的結構相似。
在供應調整部410中調整後的處理液從第一供應調整部430和第二供應調整部450中的任一個以上選擇性地向調整處理液供應管411排放而提供到主供應部470。
這樣的供應調整部410的工作通過控制單元來控制，所述控制單元控制成二氧化矽供應構件420根據基板處理條件測定二氧化矽的供應量而向第一供應調整部430和第二供應調整部450選擇性地供應定量的二氧化矽，另外，控制成各個物質供應管441、442、461、462選擇性地供應相應物質，並控制成選擇性地通過第一調整循環管線431和第二調整循環管線451使處理液自循環並調節磷酸濃度和溫度。
優選的是，控制單元可以控制成第一供應調整部430和第二供應調整部450中的任一個調整處理液，另一個向主供應部470供應處理液或從處理液再生部550接收處理液。
而且，在所述圖5的實施例中，可以對第一供應調整部430以及第二供應調整部450的每個設定固體析出區域，可以對各個固體析出區域配置沖洗結構。
比如，可以將第一供應調整部430的第一調整罐440和第一調整循環管線431上的被選擇的區域設定為固體析出區域，並配置對此的沖洗結構，可以將第二供應調整部450的第二調整罐460和第二調整循環管線451上被選擇的區域設定為固體析出區域，並配置對此的沖洗結構。
針對在第一供應調整部430和第二供應調整部450設定的各個固體析出區域，可以配置前面通過所述圖2的實施例觀察的沖洗調節構件的沖洗調節閥，控制單元可以控制成這些沖洗調節閥相互有機地工作而對各個固體析出區域執行處理液的供應、排放以及沖洗。
觀察主供應部470，主供應部470具備與所述圖2中相似的結構，可以將主供應部470的主供應罐480、處理液供應管471的被選擇的區間以及取樣管線473的被選擇的區間設定為固體析出區域，配置對此的沖洗結構，從而進行支援以使得能夠執行沖洗。
配置於這些固體析出區域的沖洗調節構件的沖洗調節閥與所述圖2的結構相似，因此省略對此的說明。
而且，控制單元可以通過沖洗調節構件控制對處理液供應管471上的被選擇的區域、主供應罐480以及取樣管線473上的被選擇的區域執行處理液的供應、排放以及沖洗。
下面，觀察適用本發明的處理液再利用單元500。
在所述圖6的處理液再利用單元500中也可以為了執行沖洗而包括沖洗供應構件660、沖洗調節構件、沖洗排放構件690、控制單元(未圖示)等。
沖洗供應構件660和沖洗排放構件690與前面觀察的實施例相似，因此省略對此的說明。
沖洗調節構件引導通過從沖洗供應構件660提供的沖洗流體對在處理液再利用單元500上設定的相應固體析出區域執行沖洗。為此，沖洗調節構件可以包括按照各個固體析出區域的每個配置的沖洗調節閥。關於沖洗調節構件，說明處理液再利用單元500的詳細結構的同時一起說明。
處理液再利用單元500可以包括從基板處理裝置10回收使用後的廢處理液的回收部510以及將回收部510回收的廢處理液進行再生並向處理液供應單元400的供應調整部410供應的處理液再生部550。
回收部510與前面觀察的所述圖3的回收部210相似，控制單元可以控制成在回收部510的回收罐530中臨時保管廢處理液並將回收罐530中的廢處 理液根據處理液再生部550的第一處理液再生部560和第二處理液再生部580的工作狀態向任一個供應。
而且，在本發明中，可以將回收部510的回收罐530等被選擇的區間設定為固體析出區域，配置對此的沖洗結構而進行支援以使得能夠執行沖洗。
配置於這些固體析出區域的沖洗調節構件的沖洗調節閥與所述圖3的結構相似，因此省略對此的說明。
回收部510中回收的廢處理液可以被過濾並向處理液再生部550供應，在處理液再生部550中再生處理為可使用的適當水準的處理液。
處理液再生部550可以包括第一處理液再生部560和第二處理液再生部580，第一處理液再生部560和第二處理液再生部580並聯配置而分別獨立地同時或者不同時工作。
第一處理液再生部560和第二處理液再生部580可以將處理液按照再生條件進行再生處理後選擇性地通過再生處理液供應管551向供應調整部410提供，第一處理液再生部560和第二處理液再生部580各自的結構與前面觀察的所述圖3的處理液再生部250的結構相似。
進而，當供應調整部410包括第一供應調整部430和第二供應調整部450時，處理液再生部550可以將再生的處理液根據第一供應調整部430和第二供應調整部450的工作狀況向任一個選擇性地供應。或者，處理液再生部550也可以將再生的處理液僅向第一供應調整部430供應。
這樣的處理液再生部550的工作可以通過控制單元來控制，控制單元控制成將廢處理液從回收部510向第一處理液再生部560和第二處理液再生部580中的任一個以上選擇性供應，並控制成各個物質供應管571、591選擇性地供應去離子水(DIW)等相應物質，控制成通過第一再生循環管線561和第二再生循環管線581使處理液自循環並調節磷酸水分濃度和溫度，從而再生處理液。
優選的是，所述控制單元可以控制成第一處理液再生部560和第二處理液再生部580中的任一個進行處理液的再生，另一個將再生的處理液向供應調整部410供應或從回收部510接收廢處理液。
而且，在所述圖6的實施例中，可以將第一處理液再生部560以及第二處理液再生部580上的被選擇的區域設定為固體析出區域，配置對此的沖洗結構。
比如，可以將第一處理液再生部560的第一再生罐570和第一再生循環管線561的被選擇的區間設定為固體析出區域，並配置對此的沖洗結構，可以將第二處理液再生部580的第二再生罐590和第二再生循環管線581的被選擇的區間設定為固體析出區域，並配置對此的沖洗結構。
而且，控制單元可以控制成通過配置於第一處理液再生部560以及第二處理液再生部580的沖洗調節構件來執行處理液的供應、排放以及沖洗。
在本發明中，可以在上面觀察的處理液供應裝置配置沖洗結構而有效地去除二氧化矽等固體析出物。
進而，在本發明中，提出通過具有上面觀察的沖洗功能的處理液供應裝置在處理液供應裝置中去除固體的方法，對此進行觀察。
根據本發明的處理液供應裝置中固體去除方法可以大體上包括：排放在處理液供應裝置的已設定的固體析出區域殘留的處理液物質的處理液排放步驟；向所述固體析出區域供應沖洗流體而執行沖洗的沖洗步驟；以及從所述固體析出區域選擇性地排放執行沖洗後的沖洗流體的沖洗流體排放步驟。
圖7示出根據本發明的處理液供應裝置中固體去除方法的一實施例的流程圖。
首先，為了執行沖洗而停止處理液供應裝置的處理液供應(S110)，排放殘留於處理液供應裝置的處理液(S120)。
排放殘留處理液後向固體析出區域供應沖洗流體而執行沖洗，此時可以依次順序供應各種沖洗流體來執行沖洗。
首先，將含有氟化氫的沖洗流體供應於相應固體析出區域(S130)，執行去除附著於管道等的固體析出物的沖洗並將執行沖洗後的沖洗流體向排放管線排放(S140)。
在此，含有氟化氫的沖洗流體可以是考慮去除物件即析出物的種類和沖洗物件即固體析出區域的特性等而調節了濃度的氟化氫水溶液。另外，當在處理液供應裝置上的沖洗物件即固體析出區域的材質特性上不適合利用氟化氫的沖洗時，也可以排除用含有氟化氫的沖洗流體執行沖洗的過程。
下面，將去離子水(DIW)的沖洗流體向相應固體析出區域供應(S150)，執行沖洗並將執行沖洗後的沖洗流體向排放管線排放(S160)。
通過去離子水(DIW)的沖洗流體，可以去除殘留於管道等的析出物，同時由於事先執行的利用氟化氫的沖洗而可能在管道等殘留氟化氫，因此可以成為用於將其稀釋並去除的沖洗。
最後，向相應固體析出區域供應惰性氣體的沖洗流體(S170)，執行沖洗並與惰性氣體一起將雜質向排放管線排放(S180)。
事先用各種種類的沖洗流體對固體析出區域執行沖洗，由此在管道等可能殘留去離子水(DIW)等，另外，可能殘留未被及時排放的浮游物，因此可以以一定水準壓力供應惰性氣體的沖洗流體而將其去除。尤其，隨著殘留去離子水(DIW)等，之後在供應處理液時可能影響濃度，因此通過將殘留的去離子水(DIW)等沖洗流體蒸發或排放，可以將執行沖洗後的固體析出區域形成為完全空的空間。
進而，根據狀況，可以重複執行通過含有氟化氫的沖洗流體進行的沖洗、通過去離子水(DIW)的沖洗流體進行的沖洗，最終也可以形成通過惰性氣體的沖洗流體進行的沖洗。
若完成對相應固體析出區域執行的沖洗，則重新再開始通過處理液供應裝置進行的處理液供應(S190)，可以向基板處理裝置供應處理液。
在本發明中，通過執行這樣的沖洗過程，可以在處理液供應裝置上有效地去除二氧化矽等固體析出物。
下麵，觀察對在處理液供應裝置上設定為固體析出區域的各個部分，根據本發明執行沖洗的過程。
圖8示出根據本發明對基板處理裝置的配置有二氧化矽供應構件的區域執行沖洗的實施例。
所述圖8的二氧化矽供應構件420是配置於所述圖5的處理液供應單元400的二氧化矽供應構件420，可以包括二氧化矽測定管423，將被選擇的一定區間設定為固體析出區域來執行沖洗。
所述圖8的(a)那樣，控制單元關閉二氧化矽供應構件420的二氧化矽供應並將在具備二氧化矽測定管423的固體析出區域殘留的二氧化矽通過排放管線HD1排放。此時，沖洗調節構件的後端沖洗調節閥625可以適用多向閥而選擇性地關閉向二氧化矽供應構件420的供應調整部供應二氧化矽並開啟排放管線HD1來排放殘留二氧化矽。
排放管線HD1通過沖洗排放構件650的分配箱651與多個排放管線合併，通過排放管線HD1排放的殘留二氧化矽可以在緩衝罐655保管後經過一定處理向外部排放。
若排放在具備二氧化矽測定管423的固體析出區域殘留的二氧化矽，則如所述圖8的(b)那樣，控制單元將沖洗流體供應閥615控制成從沖洗供 應構件610的去離子水(DIW)供應部611向具備二氧化矽測定管423的固體析出區域供應去離子水(DIW)。此時，去離子水(DIW)不需要大量供應，因此控制成能夠通過小型供應管線SS 316供應。
去離子水(DIW)的沖洗流體向具備二氧化矽測定管423的固體析出區域供應，同時通過沖洗流體的流動和壓力，能夠去除在具備二氧化矽測定管423的固體析出區域殘留的二氧化矽等固體析出物。
控制單元控制後端沖洗調節閥625來執行沖洗，由此將含有固體物等雜質的去離子水(DIW)的沖洗流體通過排放管線HD1排放。
根據狀況，控制單元也可以在執行利用去離子水(DIW)的沖洗流體的沖洗之前，首先執行通過含有氟化氫的沖洗流體進行的沖洗。
若完成利用去離子水(DIW)等沖洗流體的沖洗，則如所述圖8的(c)那樣，控制單元控制沖洗流體供應閥615，控制成從惰性氣體供應部613向具備二氧化矽測定管423的固體析出區域供應惰性氣體的沖洗流體，並控制成開啟排放管線HD1而能夠進行排放。
隨著惰性氣體的沖洗流體供應，在具備二氧化矽測定管423的固體析出區域殘留的雜質和去離子水(DIW)等可以通過惰性氣體的壓力向排放管線HD1排放。
這樣的沖洗流體和雜質可以通過排放管線HD1在沖洗排放構件650的緩衝罐655保管並經過一定的處理製程向外部排放。
經過這樣的沖洗過程，可以在具備二氧化矽測定管423的固體析出區域中去除固體析出物或雜質等，附加地通過惰性氣體還完全去除沖洗流體等，從而可以在執行沖洗之後立即實現高品質的處理液供應。
圖9以及圖10示出根據本發明對處理液供應裝置的供應調整部執行固體析出區域的沖洗的實施例。
在所述圖9以及所述圖10中，供應調整部430是配置於所述圖5的處理液供應單元400的第一供應調整部430，可以將第一調整罐440和第一調整循環管線431的被選擇的區間設定為固體析出區域而執行沖洗。
所述圖9的(a)那樣，控制單元關閉第一供應調整部430的處理液供應並將在第一調整罐440和第一調整循環管線431殘留的處理液通過排放管線HD2和排放管線HD3排放。此時，沖洗調節構件的沖洗調節閥633a、635a可以適用四向閥而控制成使第一調整罐440和第一調整循環管線431的處理液循環並通過排放管線HD2和排放管線HD3排放。
排放管線HD2和排放管線HD3可以通過沖洗排放構件650的分配箱651合併而將排放的處理液在緩衝罐655保管後經過一定處理向外部排放。
若排放在第一供應調整部430的固體析出區域殘留的處理液，則如所述圖9的(b)那樣，控制單元可以控制配置於第一調整循環管線431的第一調整罐440的輸入端的沖洗調節閥331而將去離子水(DIW)的沖洗流體向第一供應調整部430的固體析出區域供應。此時，需要向第一供應調整部430的第一調整罐440等供應大量的去離子水(DIW)，因此可以通過沖洗流體供應管線BS 617供應去離子水(DIW)以供應大量的沖洗流體。
另外，控制單元可以控制成，將去離子水(DIW)的沖洗流體向第一調整罐440和第一調整循環管線431供應並使其循環，同時控制沖洗調節閥633a、635a而通過排放管線HD2和排放管線HD3進行排放。
用這樣的去離子水(DIW)的沖洗流體對第一調整罐440和第一調整循環管線431執行整體沖洗，從而可以一次去除二氧化矽等固體析出物和雜質等。
下面，控制單元對可能容易產生二氧化矽等固體析出物的固體析出區域執行沖洗，可能在排放處理液或沖洗流體的排放管線附近集中堆積固體析出物和雜質，因此可以對這樣的固體析出區域集中執行沖洗。
關於此，如所述圖10的(a)那樣，控制單元可以控制成含有氟化氫的沖洗流體從氟化氫(HF)供應部612通過沖洗流體供應管線SS 616分別供應於在調整管線泵432的前端和後端分別配置的沖洗調節閥633a、635a。優選的是，也可以考慮去除的析出物或雜質等而供應氟化氫的濃度被調節的氟化氫水溶液的沖洗流體。
並且，控制單元可以控制成供應含有氟化氫的沖洗流體的同時通過排放管線HD2和排放管線HD3進行排放，從而對排放管線附近集中執行沖洗。
當利用含有氟化氫的沖洗流體執行沖洗後在相應區域上殘留氟化氫等時，之後會影響處理液供應，因此如所述圖10的(b)那樣，控制單元可以控制成去離子水(DIW)的沖洗流體從去離子水(DIW)供應部611通過沖洗流體供應管線SS 616供應。另外，控制單元可以控制成供應去離子水(DIW)的沖洗流體並通過排放管線HD2和排放管線HD3進行排放。
可以通過這樣的去離子水(DIW)的沖洗流體，排放殘留的雜質或氟化氫等。
下面，如所述圖10的(c)那樣，控制單元可以控制成惰性氣體的沖洗流體從惰性氣體供應部613通過沖洗流體供應管線SS 616供應並通過排放管線HD2和排放管線HD3進行排放。
可以通過惰性氣體的壓力排放殘留的雜質或去離子水(DIW)等，同時還可以蒸發去除殘留的去離子水(DIW)。
通過經過這樣的沖洗過程，能夠在第一供應調整部430的固體析出區域上去除固體析出物或雜質等，附加地通過惰性氣體將沖洗流體等也完全去除，從而能夠執行沖洗後立即實現高品質的處理液供應。
圖11以及圖12示出根據本發明對處理液供應裝置的主供應部執行固體析出區域的沖洗的實施例。
在所述圖11以及所述圖12中，主供應部470是配置於所述圖5的處理液供應單元400的主供應部470，可以將主供應罐480、處理液供應管471的被選擇的區間以及取樣管線473的被選擇的區間設定為固體析出區域而執行沖洗。
如所述圖11的(a)那樣，控制單元關閉主供應部470的處理液供應並通過排放管線HD6和排放管線HD7排放在主供應罐480和處理液供應管471殘留的處理液。此時，沖洗調節構件的沖洗調節閥643、645可以適用四向閥而控制成使主供應罐480和處理液供應管471的處理液循環並通過排放管線HD6和排放管線HD7進行排放。
若排放在主供應部470的固體析出區域殘留的處理液，則如所述圖11的(b)那樣，控制單元可以控制在回收管線490的主供應罐480的輸入端配置的沖洗調節閥641而將去離子水(DIW)的沖洗流體向主供應部470的固體析出區域供應。此時，需要向主供應部470的主供應罐480等供應大量的去離子水(DIW)，因此可以通過沖洗流體供應管線BS 617供應去離子水(DIW)以供應大量的沖洗流體。
另外，控制單元可以控制成，將去離子水(DIW)的沖洗流體向主供應罐480和回收管線490供應並使其循環，並控制沖洗調節閥643、645而通過排放管線HD6和排放管線HD7進行排放。
用這樣的去離子水(DIW)的沖洗流體對主供應罐480和回收管線490執行整體沖洗，從而可以一次去除二氧化矽等固體析出物和雜質等。
下面，控制單元對可能容易產生二氧化矽等固體析出物的固體析出區域執行沖洗，可能在排放處理液或沖洗流體的排放管線附近集中堆積固體析出物和雜質，因此可以對這樣的固體析出區域集中執行沖洗。
關於此，如所述圖12的(a)那樣，控制單元可以控制成含有氟化氫的沖洗流體從氟化氫(HF)供應部612通過沖洗流體供應管線SS 616分別供應於在處理液供應管泵491的前端和後端分別配置的沖洗調節閥643、645。優選的是，也可以考慮去除的析出物或雜質等而供應氟化氫的濃度被調節的氟化氫水溶液的沖洗流體。
並且，控制單元可以控制成供應含有氟化氫的沖洗流體的同時通過排放管線HD6和排放管線HD7進行排放，從而對排放管線附近集中執行沖洗。
當利用含有氟化氫的沖洗流體執行沖洗後在相應區域上殘留氟化氫等時，之後會影響處理液供應，因此如所述圖12的(b)那樣，控制單元可以控制成去離子水(DIW)的沖洗流體從去離子水(DIW)供應部611通過沖洗流體供應管線SS 616供應。另外，控制單元可以控制成供應去離子水(DIW)的沖洗流體並通過排放管線HD6和排放管線HD7進行排放。
可以通過這樣的去離子水(DIW)的沖洗流體，排放殘留的雜質或氟化氫等。
下面，如所述圖12的(c)那樣，控制單元可以控制成惰性氣體的沖洗流體從惰性氣體供應部613通過沖洗流體供應管線SS 616供應並通過排放管線HD2和排放管線HD3進行排放。
可以通過惰性氣體的壓力排放殘留的雜質或去離子水(DIW)等，同時還可以蒸發去除殘留的去離子水(DIW)。
進而，也可以將對通過與所述圖11相似的過程將向基板處理裝置供應的處理液進行取樣並將測定二氧化矽濃度的取樣管線473的處理液供應進行 關閉，開啟排放管線HD8而排放殘留的處理液後，開啟沖洗流體供應管線SS而對在取樣管線473上具備二氧化矽濃度計475的被選擇的區間通過沖洗流體的流動執行沖洗，開啟排放管線HD8而排放執行沖洗後的沖洗流體。
通過經過這樣的沖洗過程，能夠在主供應部470的固體析出區域上去除固體析出物或雜質等，附加地通過惰性氣體將沖洗流體等也完全去除，從而能夠執行沖洗後立即實現高品質的處理液供應。
圖13以及圖14示出根據本發明對處理液供應裝置的處理液再生部執行固體析出區域的沖洗的實施例。
處理液再生部是配置於所述圖6的處理液再利用單元500的第一處理液再生部560，可以將第一再生罐570和第一再生循環管線561的被選擇的區間設定為固體析出區域而執行沖洗。
如所述圖13的(a)那樣，控制單元關閉第一處理液再生部560的處理液供應並通過排放管線RD1和排放管線RD2排放在第一再生罐570和第一再生循環管線561殘留的處理液。此時，沖洗調節構件的沖洗調節閥673a、675a可以適用四向閥而控制成使第一再生罐570和第一再生循環管線561的處理液循環並通過排放管線RD1和排放管線RD2進行排放。
排放管線RD1和排放管線RD2通過沖洗排放構件690的分配箱691合併，排放的處理液可以在緩衝罐695保管後經過一定處理向外部排放。
若排放在第一處理液再生部560的固體析出區域殘留的處理液，則如所述圖13的(b)那樣，控制單元可以控制配置於第一再生循環管線561的第一再生罐570的輸入端的沖洗調節閥671a而將去離子水(DIW)的沖洗流體向第一處理液再生部560的固體析出區域供應。此時，需要向第一處理液再生部560的第一再生罐570等供應大量的去離子水(DIW)，因此可以通過沖洗流體供應管線BS 667供應去離子水(DIW)以供應大量的沖洗流體。
另外，控制單元可以控制成，將去離子水(DIW)的沖洗流體向第一再生罐570和第一再生循環管線561供應並使其循環，並控制沖洗調節閥673a、675a而通過排放管線RD1和排放管線RD2進行排放。
用這樣的去離子水(DIW)的沖洗流體對第一再生罐570和第一再生循環管線561執行整體沖洗，從而可以一次去除二氧化矽等固體析出物和雜質等。
下面，控制單元對可能容易產生二氧化矽等固體析出物的固體析出區域執行沖洗，可能在排放處理液或沖洗流體的排放管線附近集中堆積固體析出物和雜質，因此可以對這樣的固體析出區域集中執行沖洗。
關於此，如所述圖14的(a)那樣，控制單元可以控制成含有氟化氫的沖洗流體從氟化氫(HF)供應部662通過沖洗流體供應管線SS 666分別供應於在再生管線泵562的前端和後端分別配置的沖洗調節閥673a、675a。優選的是，也可以考慮去除的析出物或雜質等而供應氟化氫的濃度被調節的氟化氫水溶液的沖洗流體。
並且，控制單元可以控制成供應含有氟化氫的沖洗流體的同時通過排放管線RD1和排放管線RD2進行排放，從而對排放管線附近集中執行沖洗。
當利用含有氟化氫的沖洗流體執行沖洗後在相應區域上殘留氟化氫等時，之後會影響處理液供應，因此如所述圖14的(b)那樣，控制單元可以控制成去離子水(DIW)的沖洗流體從去離子水(DIW)供應部661通過沖洗流體供應管線SS 666供應。另外，控制單元可以控制成供應去離子水(DIW)的沖洗流體並通過排放管線RD1和排放管線RD2進行排放。
可以通過這樣的去離子水(DIW)的沖洗流體，排放殘留的雜質或氟化氫等。
下面，如所述圖14的(c)那樣，控制單元可以控制成惰性氣體的沖洗流體從惰性氣體供應部663通過沖洗流體供應管線SS 666供應並通過排放管線RD1和排放管線RD2進行排放。
可以通過惰性氣體的壓力排放殘留的雜質或去離子水(DIW)等，同時還可以蒸發去除殘留的去離子水(DIW)。
通過經過這樣的沖洗過程，能夠在第一處理液再生部560的固體析出區域上去除固體析出物或雜質等，附加地通過惰性氣體將沖洗流體等也完全去除，從而能夠執行沖洗後立即實現高品質的處理液供應。
圖15示出根據本發明對處理液供應裝置的回收部執行固體析出區域的沖洗的實施例。
在所述圖15中，回收部510是配置於所述圖6的處理液再利用單元500的回收部510，可以將回收部510的回收罐530等被選擇的區間設定為固體析出區域而執行沖洗。
如所述圖15的(a)那樣，控制單元可以關閉回收部510的處理液回收以及供應，並控制沖洗調節閥665而將從基板處理裝置10提供的處理液直接通過排放管線RD5進行排放，並控制沖洗調節閥687而將在回收罐530等殘留的處理液通過排放管線RD6進行排放。
若排放在回收部510的固體析出區域殘留的處理液，則如所述圖12的(b)那樣，控制單元可以控制在回收罐530的輸入端配置的沖洗調節閥681而將去離子水(DIW)的沖洗流體向回收部510的回收罐530供應。此時，需要向回收罐530等供應大量的去離子水(DIW)，因此可以通過沖洗流體供應管線BS 667供應去離子水(DIW)以供應大量的沖洗流體。
另外，控制單元可以控制成，將去離子水(DIW)的沖洗流體向回收罐530供應，並控制沖洗調節閥687而通過排放管線RD6進行排放。
用這樣的去離子水(DIW)的沖洗流體對回收罐530等執行沖洗，從而可以去除在回收罐530等殘留的二氧化矽等固體析出物和雜質等。
下面，如所述圖15的(c)那樣，控制單元可以控制成惰性氣體的沖洗流體從惰性氣體供應部663通過沖洗流體供應管線BS 667供應而經由回收罐530等通過排放管線RD6進行排放。
可以通過惰性氣體的壓力排放殘留的雜質或去離子水(DIW)等，同時還可以蒸發去除殘留的去離子水(DIW)。
通過經過這樣的沖洗過程，能夠在回收部510的固體析出區域上去除固體析出物或雜質等，附加地通過惰性氣體將沖洗流體等也完全去除，從而能夠執行沖洗後立即實現高品質的處理液供應。
根據以上觀察的本發明，能夠在處理液供應裝置上有效地去除二氧化矽等固體析出物並執行沖洗製程後立即實現處理液供應，因此能夠有效地保持製程產出率。
尤其，對處理液供應裝置上容易析出二氧化矽的固體析出區域集中執行沖洗而能夠去除二氧化矽等固體。
以上說明只不過是例示說明瞭本發明的技術構思，本發明所屬技術領域中具有通常知識的人員應可以在不脫離本發明的實質性特徵的範圍內進行各種修改以及變形。因此，在本發明中記載的實施例是用於說明的，而不是用於限定本發明的技術構思，本發明的技術構思不限定於這樣的實施例。本發明的保護範圍應通過所附申請專利範圍來解釋，與其等同範圍內的所有技術構思應解釋為包括在本發明的權利範圍中。
S110~S190:步驟

Claims (18)

  1. 一種處理液供應裝置，向基板處理裝置供應處理液，所述處理液供應裝置包括：沖洗供應構件，將沖洗流體向處理液供應裝置的已設定的固體析出區域選擇性地供應；沖洗調節構件，引導對所述固體析出區域通過沖洗流體的流動執行沖洗；沖洗排放構件，從所述固體析出區域排放處理液或者沖洗流體，其中，所述沖洗排放構件包括：多個排放管線，排放殘留在各個所述固體析出區域中的處理液或者執行沖洗後的沖洗流體；以及一個以上分配箱，將從所述多個排放管線中被選擇的多個排放管線排放的處理液或者沖洗流體合併且通過一個排放管線進行排放；以及控制單元，控制對所述固體析出區域執行沖洗。
  2. 如請求項1所述的處理液供應裝置，其中，所述沖洗供應構件包括：沖洗流體供應部，供應包含氟化氫、去離子水和惰性氣體中的任一個以上的沖洗流體；沖洗流體供應管線，將沖洗流體向所述固體析出區域供應；以及沖洗流體供應閥，將沖洗流體選擇性地從所述沖洗流體供應部向所述沖洗流體供應管線供應。
  3. 如請求項2所述的處理液供應裝置，其中，所述固體析出區域包括配置有基於基板處理條件測定二氧化矽並供應定量的二氧化矽的二氧化矽供應構件的區域， 所述沖洗調節構件包括與所述沖洗流體供應管線連接且與所述二氧化矽供應構件的二氧化矽測定管的前端連接的前端沖洗調節閥以及與所述二氧化矽測定管的後端以及二氧化矽供應管線連接的後端沖洗調節閥，從而引導殘留二氧化矽的排放和基於沖洗流體的沖洗，所述沖洗排放構件包括與所述沖洗調節閥連接而排放所述二氧化矽供應構件的殘留二氧化矽或者沖洗流體的所述排放管線。
  4. 如請求項2所述的處理液供應裝置，其中，所述固體析出區域包括配置有基於基板處理條件調整處理液的一個以上供應調整部、基於再生條件對回收的處理液進行調整的一個以上處理液再生部和向基板處理裝置供應處理液的主供應部中的任一個以上的區域，所述沖洗調節構件包括與所述沖洗流體供應管線連接且與所述供應調整部、所述處理液再生部和所述主供應部中的任一個以上的循環管線連接的一個以上沖洗調節閥，從而引導殘留處理液的排放和基於沖洗流體的沖洗，所述沖洗排放構件包括與所述沖洗調節閥連接而排放所述供應調整部、所述處理液再生部和所述主供應部中的任一個以上的殘留處理液或者沖洗流體的所述排放管線。
  5. 如請求項2所述的處理液供應裝置，其中，所述固體析出區域包括配置有基於基板處理條件調整處理液的一個以上供應調整部、基於再生條件對回收的處理液進行調整的一個以上處理液再生部、向基板處理裝置供應處理液的主供應部和回收基板處理裝置的處理液的回收部中的任一個以上的區域，所述沖洗調節構件包括與所述沖洗流體供應管線連接且與所述供應調整部、所述處理液再生部和所述主供應部中調整罐、再生罐和主供應罐的任一個以上的前端連接的前端沖洗調節閥以及與所述供應調整部、所述處理液再 生部和所述主供應部中所述調整罐、所述再生罐和所述主供應罐的任一個以上的後端連接的後端沖洗調節閥，從而引導殘留處理液的排放和基於沖洗流體的沖洗，所述沖洗排放構件包括與所述後端沖洗調節閥連接而排放所述調整罐、所述再生罐和所述主供應罐中被連接的任一個以上的殘留處理液或者沖洗流體的所述排放管線。
  6. 如請求項2所述的處理液供應裝置，其中，所述固體析出區域包括配置有對向基板處理裝置供應的處理液進行取樣而測定二氧化矽濃度的取樣管線的區域，所述沖洗調節構件包括與所述沖洗流體供應管線連接且在所述取樣管線上與二氧化矽濃度計的前端連接的前端沖洗調節閥以及在所述取樣管線上與二氧化矽濃度計的後端連接的後端沖洗調節閥，從而引導殘留處理液的排放和基於沖洗流體的沖洗，所述沖洗排放構件包括與所述後端沖洗調節閥連接而排放所述取樣管線的殘留處理液或者沖洗流體的所述排放管線。
  7. 如請求項1所述的處理液供應裝置，其中，所述沖洗排放構件還包括從一個以上所述分配箱接收廢棄液並儲存的緩衝罐。
  8. 如請求項1所述的處理液供應裝置，其中，所述處理液供應裝置包括：處理液供應單元，包括向基板處理裝置供應處理液的主供應部以及根據基板處理條件調整處理液並向所述主供應部提供的供應調整部；以及處理液再利用單元，包括從所述基板處理裝置回收處理液的回收部以及從所述回收部接收回收的處理液而根據再生條件調整處理液並向所述供應調整部提供的處理液再生部， 與所述處理液供應單元和所述處理液再利用單元的每個對應地配置所述沖洗供應構件、所述沖洗調節構件以及所述沖洗排放構件。
  9. 一種處理液供應裝置的固體去除方法，對向基板處理裝置供應處理液的處理液供應裝置執行沖洗，所述處理液供應裝置的固體去除方法包括：處理液排放步驟，排放在所述處理液供應裝置的已設定的固體析出區域殘留的處理液物質；沖洗步驟，向所述固體析出區域供應沖洗流體來執行沖洗；以及沖洗流體排放步驟，從所述固體析出區域選擇性地排放執行沖洗後的沖洗流體，其中，所述沖洗流體排放步驟將從多個排放管線中被選擇的多個所述排放管線排放的處理液和沖洗流體中的一個以上向分配箱提供，並將在所述分配箱中合併的處理液和沖洗流體中的一個以上保管於所述緩衝罐。
  10. 如請求項9所述的處理液供應裝置的固體去除方法，其中，所述處理液排放步驟關閉對所述固體析出區域的處理液供應並開啟所述排放管線來排放殘留於所述固體析出區域的處理液，並選擇性地執行沖洗流體供應管線的開啟和關閉以及所述排放管線的開啟和關閉而用彼此不同的一個以上沖洗流體重複執行對所述固體析出區域的所述沖洗步驟和所述沖洗流體排放步驟。
  11. 如請求項10所述的處理液供應裝置的固體去除方法，其中，以氟化氫、去離子水及惰性氣體的依次順序、去離子水、氟化氫、去離子水及惰性氣體的依次順序或者去離子水及惰性氣體的依次順序重複執行所述沖洗步驟和所述沖洗流體排放步驟。
  12. 如請求項11所述的處理液供應裝置的固體去除方法，其中，所述沖洗步驟和所述沖洗流體排放步驟選擇性地執行對所述固體析出區域的所 述沖洗流體供應管線的開啟和關閉以及所述排放管線的開啟和關閉而以氟化氫及去離子水的依次順序或者用去離子水對所述固體析出區域執行沖洗並排放執行沖洗後的沖洗流體，並選擇性地執行對所述固體析出區域的所述沖洗流體供應管線的開啟和關閉以及所述排放管線的開啟和關閉而通過惰性氣體的流動排放或者去除殘留的沖洗流體。
  13. 如請求項10所述的處理液供應裝置的固體去除方法，其中，所述處理液排放步驟基於基板處理條件測定二氧化矽而關閉供應定量的二氧化矽的二氧化矽供應構件的二氧化矽供應並開啟所述排放管線來排放殘留的二氧化矽，所述沖洗步驟開啟所述沖洗流體供應管線而對二氧化矽測定管以及二氧化矽供應管線通過沖洗流體的流動執行沖洗，所述沖洗流體排放步驟開啟所述排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體。
  14. 如請求項10所述的處理液供應裝置的固體去除方法，其中，所述處理液排放步驟對基於基板處理條件調整處理液的一個以上供應調整部、基於再生條件調整回收的處理液的一個以上處理液再生部和向基板處理裝置供應處理液的主供應部中的任一個以上循環管線的被選擇的區間關閉處理液供應並開啟所述排放管線而排放殘留的處理液，所述沖洗步驟開啟所述沖洗流體供應管線而對所述循環管線的被選擇的區間通過沖洗流體的流動執行沖洗，所述沖洗流體排放步驟開啟所述排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體。
  15. 如請求項10所述的處理液供應裝置的固體去除方法，其中，所述處理液排放步驟對基於基板處理條件調整處理液的一個以上供應調整部、 基於再生條件調整回收的處理液的一個以上處理液再生部、向基板處理裝置供應處理液的主供應部和回收基板處理裝置的處理液的回收部中調整罐、再生罐、主供應罐和回收罐的任一個以上關閉處理液供應並開啟所述排放管線而排放殘留的處理液，所述沖洗步驟開啟所述沖洗流體供應管線而對所述調整罐、所述再生罐、所述主供應罐和所述回收罐的任一個以上通過沖洗流體的流動執行沖洗，所述沖洗流體排放步驟開啟所述排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體。
  16. 如請求項10所述的處理液供應裝置的固體去除方法，其中，所述處理液排放步驟對基於基板處理條件調整處理液的一個以上供應調整部、基於再生條件調整回收的處理液的一個以上處理液再生部和向基板處理裝置供應處理液的主供應部中的任一個以上關閉處理液供應並開啟所述排放管線而排放殘留的處理液，所述沖洗步驟和所述沖洗流體排放步驟通過所述沖洗流體供應管線供應去離子水的沖洗流體而對調整罐、再生罐和主供應罐的任一個以上以及循環管線用去離子水的沖洗流體執行沖洗並開啟所述排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體，並對所述循環管線的被選擇的區間通過所述沖洗流體供應管線以氟化氫、去離子水以及惰性氣體的依次順序供應沖洗流體而執行沖洗並開啟所述排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體。
  17. 如請求項10所述的處理液供應裝置的固體去除方法，其中，所述處理液排放步驟關閉對向基板處理裝置供應的處理液進行取樣並測定二氧化矽濃度的取樣管線的處理液供應並開啟所述排放管線而排放殘留的處理液， 所述沖洗步驟開啟所述沖洗流體供應管線而對所述取樣管線的具備二氧化矽濃度計的被選擇的區間通過沖洗流體的流動執行沖洗，所述沖洗流體排放步驟開啟所述排放管線而排放執行沖洗後的沖洗流體。
  18. 一種處理液供應裝置，向基板處理裝置供應處理液，所述處理液供應裝置包括：沖洗供應構件，包括供應包含氟化氫、去離子水以及惰性氣體中的任一個以上的沖洗流體的沖洗流體供應部、將沖洗流體向固體析出區域供應的沖洗流體供應管線以及將沖洗流體選擇性地從所述沖洗流體供應部向所述沖洗流體供應管線供應的沖洗流體供應閥；沖洗調節構件，包括對所述固體析出區域控制沖洗流體的流動的沖洗調節閥，從而引導殘留處理液的排放和基於沖洗流體的沖洗；沖洗排放構件，包括排放在各個所述固體析出區域殘留的處理液或者執行沖洗後的沖洗流體的多個排放管線、將從所述多個排放管線中被選擇的多個排放管線排放的處理液或者沖洗流體合併且通過一個排放管線排放的一個以上分配箱以及從所述分配箱接收處理液或者沖洗流體並保管的緩衝罐；以及控制單元，控制對所述固體析出區域執行沖洗，所述控制單元選擇性地控制所述沖洗流體供應管線的開啟和關閉以及所述排放管線的開啟和關閉，以氟化氫、去離子水及惰性氣體的依次順序或者去離子水及惰性氣體的依次順序對所述固體析出區域執行沖洗。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020168879A1 (en) * 2001-05-10 2002-11-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha And Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device, method of producing a semiconductor device, and semiconductor substrate cleaning apparatus used for the production method
CN1310291C (zh) * 2001-04-10 2007-04-11 华邦电子股份有限公司 具有防止管壁堵塞功能的芯片洗净设备
JP4692997B2 (ja) * 1998-07-07 2011-06-01 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
WO2012043767A1 (ja) * 2010-10-01 2012-04-05 三菱化学株式会社 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法
TW201341070A (zh) * 2011-12-20 2013-10-16 Organo Corp 液體管理系統及清洗液之回收再生裝置
TW201517142A (zh) * 2013-06-20 2015-05-01 Tokyo Electron Ltd 液處理方法、液處理裝置及記憶媒體
TW201606907A (zh) * 2014-05-16 2016-02-16 東京威力科創股份有限公司 基板液體處理裝置、基板液體處理裝置之清洗方法及記錄媒體
TW201738003A (zh) * 2016-03-08 2017-11-01 Ebara Corp 基板洗淨裝置、基板洗淨方法、基板處理裝置及基板乾燥裝置
TW202002051A (zh) * 2018-06-15 2020-01-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及處理液再利用方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7267727B2 (en) 2002-09-24 2007-09-11 Air Products And Chemicals, Inc. Processing of semiconductor components with dense processing fluids and ultrasonic energy
JP2005117014A (ja) * 2003-09-16 2005-04-28 Komatsu Electronic Metals Co Ltd エッチング液の金属除去装置、エッチング液の金属除去方法、半導体基板のエッチング処理装置、半導体基板のエッチング方法及びエッチング液
JP2007207941A (ja) 2006-01-31 2007-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、およびそれを用いた電子デバイスの製造方法
JP5829444B2 (ja) 2011-07-08 2015-12-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス リン酸再生方法、リン酸再生装置および基板処理システム
KR101309006B1 (ko) * 2011-09-30 2013-09-17 에프엔에스테크 주식회사 슬러지를 자동 제거하는 기판 식각 장치
JP6302708B2 (ja) * 2013-03-29 2018-03-28 芝浦メカトロニクス株式会社 ウェットエッチング装置
JP6159651B2 (ja) 2013-11-25 2017-07-05 東京エレクトロン株式会社 フィルタ洗浄方法、液処理装置及び記憶媒体
JP2015195306A (ja) 2014-03-31 2015-11-05 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
KR20190099814A (ko) 2018-02-20 2019-08-28 삼성전자주식회사 약액 리사이클 시스템, 약액 공급 시스템 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR102127563B1 (ko) * 2018-06-04 2020-06-26 에스케이실트론 주식회사 슬러리 순환장치
JP6843173B2 (ja) 2019-03-29 2021-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、および基板処理方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4692997B2 (ja) * 1998-07-07 2011-06-01 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
CN1310291C (zh) * 2001-04-10 2007-04-11 华邦电子股份有限公司 具有防止管壁堵塞功能的芯片洗净设备
US20020168879A1 (en) * 2001-05-10 2002-11-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha And Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device, method of producing a semiconductor device, and semiconductor substrate cleaning apparatus used for the production method
WO2012043767A1 (ja) * 2010-10-01 2012-04-05 三菱化学株式会社 半導体デバイス用基板の洗浄液及び洗浄方法
TW201341070A (zh) * 2011-12-20 2013-10-16 Organo Corp 液體管理系統及清洗液之回收再生裝置
TW201517142A (zh) * 2013-06-20 2015-05-01 Tokyo Electron Ltd 液處理方法、液處理裝置及記憶媒體
TW201606907A (zh) * 2014-05-16 2016-02-16 東京威力科創股份有限公司 基板液體處理裝置、基板液體處理裝置之清洗方法及記錄媒體
TW201738003A (zh) * 2016-03-08 2017-11-01 Ebara Corp 基板洗淨裝置、基板洗淨方法、基板處理裝置及基板乾燥裝置
TW202002051A (zh) * 2018-06-15 2020-01-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及處理液再利用方法

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