TW201341070A - 液體管理系統及清洗液之回收再生裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明旨在提供一種液體管理系統及清洗液之回收再生裝置，其中液體管理系統(1E)包含清洗液供給裝置、精製裝置(17)與清洗液回收機構。清洗液供給裝置具有混合醇與純水以製作清洗液之混合槽(4)，於混合槽(4)內調整該清洗液中之醇濃度至既定濃度範圍內，對清洗裝置(100)供給該經濃度調整之清洗液。精製裝置(17)在混合槽(4)與清洗裝置(100)之間從自清洗裝置(100)被排出之清洗液中去除雜質。清洗液回收機構係回收自清洗裝置(100)被排出之清洗液並以濃縮器(16)濃縮，使其回到混合槽(4)之機構，包含配管(14a、14b、14c，14g)。藉由此系統，可維持包含醇與純水之清洗液中之醇濃度於一定範圍內，且可減少為調整濃度而添加之醇使用量。
Description
本發明係關於管理用於對半導體晶圓或LCD(Liquid Crystal Display)基板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)等進行清洗或乾燥之液體之系統及清洗液之回收再生裝置。
為對半導體晶圓等進行清洗或乾燥，有時會使用係醇與水之混合液之醇水溶液。日本特開2003-297795號公報(以下稱專利文獻1。)中，記載有作為清洗液使用使異丙醇(isopropyl alcohol)(以下略稱為IPA。)與超純水混合之液體之半導體晶圓之清洗乾燥裝置。具體而言，專利文獻1所記載之裝置包含：處理槽，對晶圓進行清洗、乾燥；清洗液混合單元，預先將供給至處理槽之清洗液調整至既定濃度；及清洗液供給部，使清洗液自清洗液混合單元朝清洗槽移動。
上述清洗液混合單元包含IPA槽與連接該IPA槽之混合槽。該混合槽更連接設於該混合槽外部之超純水供給源。且在連接IPA槽與混合槽之導管途中設有IPA補充泵。另一方面，清洗液供給部中設有測定對處理槽所供給之清洗液內之IPA濃度之IPA濃度計。
具有上述構成，記載於專利文獻1之裝置中，朝混合槽分別獨立供給既定量之IPA及超純水，製作既定濃度之清洗液。又，藉由清洗液供給部朝處理槽供給混合槽內之清洗液。
在此，一旦由IPA濃度計檢測到清洗液中IPA濃度降低，IPA補充泵即作動，自IPA槽對混合槽補充IPA。亦即，藉由補充IPA實現IPA濃度之調整。
又，清洗半導體晶圓等時，IPA濃度一定之清洗液宜經常以既定量循環。亦即，混合槽內清洗液的量(液面)宜維持在一定範圍內。然而，實際上，混合槽內之液面會變化。例如，不僅IPA會自於系內循環之清洗液蒸發，水分亦會自於系內循環之清洗液蒸發。且清洗液的一部分有時亦會附著於係清洗對象之晶圓而被帶出至系外。如此時，混合槽內清洗液之液面會降低。另一方面，水分有時亦會附著於係清洗對象之晶圓而被帶入至系內。此時，混合槽內清洗液之液面會上昇。就此點而言，記載於專利文獻1之半導體晶圓之清洗乾燥裝置中，混合槽內清洗液之液面未被管理。因此，記載於專利文獻1之半導體晶圓之清洗乾燥裝置中，調整清洗液濃度時混合槽內清洗液之量(液面)未被考慮。然而，在混合槽內清洗液之液面上昇之狀態，亦即，系內清洗液量增加之狀態下若實行清洗液之濃度調整，濃度調整所需之IPA量會增加。又，記載於專利文獻1之半導體晶圓之清洗乾燥裝置中於混合槽內設有複數位準感測器。然而，相關之位準感測器量測對混合槽所供給之超純水量，非用來管理混合有超純水與IPA之清洗液量(液面)。
且記載於專利文獻1之半導體晶圓之清洗乾燥裝置中，藉由補充IPA調整清洗液濃度。然而，IPA濃度超過既定值時，無法使其恢復。因此，調整清洗液濃度時，需無數次重複補充IPA並測定濃度，同時逐漸接近既定濃度，俾IPA濃度不超過既定值，一次IPA之補充量亦不得不為少量。總之，調整清洗液濃度需時間與勞力。特別是清洗半導體晶圓時，需以高精度管理清洗液濃度，故調整清洗液濃度需甚多之時間與勞力。
且專利文獻1中記載設有可交互切換使用之複數混合槽。然而，若不停止清洗液之循環而切換混合槽，於切換前後即會發生循環液量之變動等，難以穩定供給清洗液。且在切換混合槽前後切換清洗液，故清洗液狀態(濃度、溫度、污染狀態等)會變化，有對程序(清洗、乾燥)造成影響之虞。
【專利文獻1】日本特開2003-297795號公報([0023]~[0027]、[0037]~[0038]、圖1)
鑑於上述課題，本發明之目的之一在於可將包含醇與純水之清洗液中的醇濃度維持在一定範圍內，且可減少為調整濃度而添加之醇的使用量。本發明之另一目的在於對清洗裝置穩定供給高純度之清洗液。
作為本發明之一態樣，可提供管理於清洗對象物之清洗裝置中使用之清洗液之液體管理系統。
本液體管理系統包含清洗液供給裝置、精製裝置與清洗液回收機構。本態樣之清洗液供給裝置具有混合醇與純水以製作清洗液之混合機構，於該混合機構內調整該清洗液中之醇濃度至既定濃度範圍內，對清洗裝置供給該經濃度調整之清洗液。精製裝置係從由混合機構調整濃度之清洗液，或是自清洗裝置被排出之清洗液中去除雜質之裝置。且清洗液回收機構係於精製裝置之下游側或上游側具有將由該混合機構調整濃度之清洗液，或是自該清洗裝置被排出之清洗液加以濃縮之濃縮器，使該經濃縮及精製之清洗液回到混合機構之機構。
且作為另一態樣，可提供一種清洗液之回收再生裝置，將自作為清洗
液使用經調整至既定濃度範圍內之醇水溶液並清洗對象物之清洗裝置被排出之清洗液加以回收，再將清洗液調整至該既定濃度範圍內並對該清洗裝置加以供給。
此回收再生裝置亦更包含清洗液供給裝置、精製裝置與清洗液回收機構。本態樣之清洗液供給裝置具有被供給醇與純水，以製作醇濃度經調整至該既定濃度範圍內之清洗液之混合機構，對清洗裝置供給該經濃度調整之清洗液。精製裝置係從由混合機構調整濃度之清洗液，或是自清洗裝置被排出之清洗液中去除雜質之裝置。且清洗液回收機構係於精製裝置下游側或上游側具有將由該混合機構調整濃度之清洗液，或是自該清洗裝置被排出之清洗液加以濃縮之濃縮器，使該經濃縮及精製之清洗液回到混合機構之機構。
依本發明，可維持包含醇與純水之清洗液中之醇濃度於一定範圍內。且將由混合機構調整濃度之清洗液，或是自清洗裝置被排出之清洗液加以精製及濃縮，使其回到該混合機構，藉此可減少為調整濃度而添加之醇使用量。又，回到混合機構之清洗液濃度在一定範圍內，故可以更高精度調整清洗液濃度。且可穩定提供高純度清洗液。
1A~1E‧‧‧液體管理系統
2‧‧‧IPA供給源
3‧‧‧超純水供給源
4‧‧‧混合槽
5‧‧‧濃度測定裝置
6‧‧‧廢液槽
7‧‧‧控制部
10~13、14a~14g‧‧‧配管
15a、15b‧‧‧閥
16‧‧‧濃縮器
17‧‧‧精製裝置
100‧‧‧清洗裝置
圖1係顯示本發明第一實施形態之方塊圖。
圖2係顯示本發明第二實施形態之方塊圖。
圖3係顯示本發明第三實施形態之方塊圖。
圖4係顯示本發明第四實施形態之方塊圖。
圖5係顯示本發明第五實施形態之方塊圖。
以下詳細說明關於本發明第一實施形態。圖1係顯示依本實施形態之液體管理系統基本構成之方塊圖。
如圖1所示，依本實施形態之液體管理系統1A連接半導體晶圓之清洗裝置100，對該清洗裝置100供給清洗乾燥液。又，在此雖省略關於清洗裝置100之詳細說明，但該清洗裝置100至少包含使用由液體管理系統1A所供給之清洗乾燥液清洗半導體晶圓之清洗槽。
如圖1所示，液體管理系統1A包含：混合槽4，調製混合有醇(本實施形態中係IPA)與純水(本實施形態中係超純水)之清洗乾燥液(以下統稱為「清洗液」。)；醇供給機構，對混合槽4供給IPA；純水供給機構，對混合槽4供給超純水；濃度測定機構(濃度測定裝置5)，連接混合槽4；廢液槽6；及控制部7，整合控制該系統1A。
上述醇供給機構至少包含圖1所示之IPA供給源2、配管10及閥15a。
IPA供給源2例如包含：容器，儲存IPA；及機構，將該容器內之IPA朝混合槽4壓送。
作為壓送IPA之機構的具體例，可舉出氣體加壓或泵等。配管10連接IPA供給源2與混合槽4，形成用來將IPA自IPA供給源2朝混合槽4導入之流路。閥15a設於配管10，並由控制部7控制，調節IPA之導入開始或導入停止或IPA之導入量等。
上述純水供給機構至少包含圖1所示之超純水供給源3、配管11及閥15b。
配管11連接超純水供給源3與混合槽4，形成用來將超純水自超純水供給源3朝混合槽4導入之流路。閥15b設於配管11，並由控制部7控制，調節超純水之導入開始或導入停止或超純水之導入量等。超純水供給源3亦可係經由配管11直接連接混合槽4之超純水製造裝置。且超純水供給源3亦可包含下列者等：槽，儲存由超純水製造裝置製造之超純水；及泵，經由配管11將由該槽儲存之超純水朝混合槽4壓送。
為使供給IPA與超純水後混合槽4內清洗液之濃度馬上均一，混合槽4中宜包含攪拌機構，例如宜可以泵等使清洗液循環、吹送氣體(N2等)以攪拌之。且亦可於混合槽4前段設置管線攪拌器，使配管10與配管11匯流，將藉由管線攪拌器混合之清洗液儲存於混合槽4。且亦可不設置混合槽4，代之以設置管線攪拌器，將由管線攪拌器混合之清洗液直接對清洗裝置100供給。因此，於申請專利範圍所稱之混合機構中不僅包含混合槽，亦包含此以外者。
混合槽4與濃度測定機構(濃度測定裝置5)經由配管12相互連接。混合槽4與廢液槽6經由配管13相互連接。
又，混合槽4與清洗裝置100經由配管14a相互連接，藉由包含配管14a之第一送液機構，自混合槽4將經濃度調整之清洗液送往清洗裝置100。在此，混合槽4內清洗液之成分濃度，與剛自混合槽4流出後清洗液之成分濃度實質上相同。因此，在配管14a上設置濃度測定裝置5時，或自配管14a分支之不圖示配管連接濃度測定裝置5時皆可測定混合槽4內清洗液之成分濃度。亦即，本發明中之清洗液之成分濃度測定包含測定混合槽4內清洗液之成分濃度，與測定剛自混合槽4流出後清洗液之成分濃度雙方。
且液體管理系統1A具備將自清洗裝置100排出之清洗液濃縮並使其回
到混合槽4之濃縮器16。因此，清洗裝置100與濃縮器16經由配管14b相互連接，藉由包含配管14b之第二送液機構，將自清洗裝置100排出之清洗液送往濃縮器16。且混合槽4與濃縮器16經由配管14c相互連接，藉由包含配管14c之第三送液機構，將由濃縮器16濃縮之清洗液送往混合槽4。又，廢液槽6與濃縮器16經由配管14d相互連接，藉由包含配管14d之第四送液機構，將自濃縮器16出來的廢液送往廢液槽6。各送液機構中分別因應所需設置朝目的方向引起液流之泵等。
濃縮器16之濃縮機構中宜適用如浸透氣化法(PV法：Pervaporation)或蒸氣滲透法(VP法：Vapor Permeation)之膜分離技術。就可減小熱源之點而言宜為PV法。另一方面，VP法可使裝置小型化並高效率進行濃縮。PV法或VP法中使用之膜中可使用既存者。例如有沸石等無機類、聚醯亞胺類、纖維素類、聚乙烯醇類素材所構成之膜等。
沸石其機械性強度、脫水性能、耐熱性優異，可高效率進行濃縮。惟耐水性低故適於處理IPA濃度在80%以上之液體時。且特別在意來自沸石之溶離時，宜適用VP法。聚醯亞胺類等高分子類所構成之膜較沸石更具有耐水性，即使IPA濃度約為60%亦可進行處理。
其次，說明關於具有上述構成之液體管理系統1A之動作。首先，藉由控制部7，使圖1所示之閥15a、15b同時或依序開啟，並自IPA供給源2及超純水供給源3對混合槽4供給IPA及超純水。在此，以預先決定之一定比例供給IPA與超純水。換言之，分別供給預先決定之量的IPA與超純水，俾可獲得具有理想成分濃度(以下稱「理想濃度」。)之清洗液。藉此，可在混合槽4內混合IPA與超純水以製作清洗液。不過，於此時點混合槽4內清洗液之成分濃度不限於與理想濃度完全一致。因為，雖對混合槽4以一定比例供給IPA與超純水，但此比例係計算上的比例。
對混合槽4供給IPA及超純水，製作既定量清洗液後，即關閉閥15a、15b。接著，開始濃度調整處理。具體而言，在由控制部7控制下，經由配
管12抽取混合槽4內清洗液之一部分，由濃度測定裝置5測定其成分濃度。其後，對應由濃度測定裝置5測定之測定結果再次開啟閥15a與閥15b雙方或一方，並藉由IPA供給源2與超純水供給源3雙方或一方對混合槽4補充IPA與超純水雙方或一方。更具體而言，為使混合槽4內清洗液之成分濃度與理想濃度一致，重複數次由濃度測定裝置5進行之濃度測定，與IPA及/或超純水之補充。且為製作既定量清洗液亦可同時實行對混合槽4供給IPA及超純水與濃度調整處理。具體而言，亦可對混合槽4供給IPA及超純水，並同時抽取混合槽4內清洗液之一部分以測定成分濃度，對應其測定結果使閥15a與閥15b雙方或一方開合或調整開度。無論是在哪一情形下，本實施形態中之控制部7皆用作為依本申請案請求項4發明之第一控制機構。
為測定濃度所抽取之清洗液對應污染程度回到混合槽4或廢棄(可送往廢液槽6，亦可以其他線排出。)。自配管14a分支而連接濃度測定裝置5時，亦可使其回到配管14a或送往清洗裝置100。不過，作為濃度測定裝置5使用卡爾費雪水分計時，需於清洗液使用試劑。因此，濃度測定後之清洗液宜廢棄。
如上述製作理想濃度或近似理想濃度之濃度的清洗液後，即開始自混合槽4對清洗裝置100供給清洗液，並自清洗裝置100對混合槽4回收清洗液。具體而言，設置配管14a、14b、14c，俾清洗液自混合槽4經過清洗裝置100與濃縮器16再朝混合槽4循環，首先，經由配管14a對清洗裝置100之清洗槽供給混合槽4內經濃度調整之清洗液。接著，經由配管14b將於清洗裝置100清洗再經排出之清洗液送往濃縮器16。
於清洗槽中，因清洗液或水分作為晶圓附著物被帶出或帶入，或是蒸發等影響，在晶圓清洗過程中，於清洗槽清洗液之IPA濃度或雜質量會不同。然而一般而言因純水之混入、IPA蒸發等，自清洗裝置100排出之清洗液之IPA濃度相較於自混合槽4對清洗裝置100供給之清洗液之IPA濃度會較為降低。因此，以濃縮器16濃縮IPA。
經過濃縮器16之濃縮液經由配管14c被送往混合槽4，自濃縮器16出來的廢液被送往廢液槽6。於混合槽4藉由IPA供給機構或超純水供給機構調整清洗液之IPA濃度，再經由配管14a將此經濃度調整之清洗液送往清洗裝置100。如此，清洗液自混合槽4經由清洗裝置100與濃縮器16再朝混合槽4循環。藉此，可不停止清洗程序，對清洗裝置100供給理想濃度之清洗液。
本案申請人如日本特願2011-084456號及日本特願2011-084457號所示提倡一種液體管理系統，可不使用圖1所示之構成中之濃縮器16而僅藉由供給用配管與回收用配管，在清洗裝置100與混合槽4之間使清洗液循環，並同時維持該清洗液濃度於一定範圍內。
此等先前發明中，為維持清洗液(包含IPA與純水之液體)濃度於一定範圍內，進行自醇供給機構與純水供給機構醇或純水之供給、控制。然而，令人擔心下列點：依清洗液之濃度條件等，濃度調整所需之醇或純水量會增加，清洗液量增加至必要以上而無謂地調製清洗液(亦即醇與純水)。
例如，管理清洗液之IPA濃度為95%時，對清洗裝置100之供給流速(平均)為1L/min，清洗液消失量為0.2L/min，於清洗裝置100之純水混入量為0.1L/min。此時，自清洗裝置100朝混合槽4所回收之清洗液中流量(平均)0.9(=1-0.2+0.1)L/min，IPA濃度為84.4%。此時，為使清洗液濃度為95%，相對於所回收之清洗液需加入99.9%之IPA1.9L/min(依(84.4*0.9+99.9X)/(0.9+X)=95，X=1.9)。因此，濃度調整後之流量為2.8(=0.9+1.9)L/min，故系內液量增加(增加速度1.8(=2.8-1)L/min)。因此，需進行將經濃度調整之清洗液之一部分朝系外排出，或是捨去回收之清洗液的一部分以減少其回收液量(回收率)等對應。亦即，無論以何種方式對應皆會無謂地消耗IPA。
且即使在應管理之清洗液IPA濃度低時，若於清洗裝置100中純水混
入量多(=於清洗裝置中清洗液被大幅稀釋)即會無謂地消耗IPA。例如，管理清洗液IPA濃度為20%時，對清洗裝置100之供給流速(平均)為1L/min，清洗液消失量為0.1L/min，清洗裝置100中之純水混入量為0.9L/min。此時，自清洗裝置100由混合槽4回收之清洗液中流量(平均)1.8L/min，IPA濃度為10.0%。此時，為使清洗液濃度為20%，相對於所回收之清洗液需加入99.9%之IPA0.2L/min(依(10*1.8+99.9X)/(1.8+X)=20，X=0.2)。因此，濃度調整後流量為2.0L/min，故系內液量增加(增加速度1.0(=2.0-1)L/min)。因此，此時亦需進行將經濃度調整之清洗液一部分朝系外排出，或是捨去回收之清洗液的一部分以減少其回收液量(回收率)等對應。無論以何種方式皆還是會無謂地消耗IPA。
相對於對如此之先前發明的擔心，本實施形態中，藉由在用來自清洗裝置100朝混合槽4回收清洗液之液體回收路設置濃縮器16，濃縮回收之清洗液，使清洗液循環。因此，可減少為調整濃度而添加之IPA的使用量。
且藉由調整自濃縮器16送往混合槽4之濃縮液IPA濃度於一定範圍(係理想濃度更佳)，可穩定地以高精度在混合槽4進行濃度管理。且亦可減少清洗液朝系外廢棄之廢液量。
且本實施形態中，亦可進行維持混合槽4內液體的量於既定液量範圍內之液量調整處理。此時，於混合槽4內設置不圖示的液量測定機構(位準感測器)，連續地或間歇地監視混合槽4內清洗液之液面(液量)。控制部7根據位準感測器之監視結果實行液量調整處理。具體而言，藉由以位準感測器進行監視，檢測到混合槽4內清洗液之液量超過既定液量範圍(可在混合槽4與清洗裝置100之間循環，為在清洗槽對半導體晶圓進行清洗、乾燥充分的量的範圍)而減少後，即開啟閥15a、15b，自IPA供給源2及超純水供給源3朝混合槽4以一定比例供給IPA及超純水。另一方面，藉由以位準感測器進行監視，檢測到混合槽4內清洗液之液量超過既定液量範圍而增加後，控制部7即控制廢液機構廢棄混合槽4內清洗液的一部分。具
體而言，開啟配管13上不圖示的閥，將混合槽4內清洗液的一部分朝廢液槽6廢棄。如此，於混合槽4內，經常恰保持既定量濃度為理想濃度或近似理想濃度之清洗液。亦即，本實施形態中之控制部7亦用作為依本申請案請求項5之發明之第二控制機構。
然而，如上述於清洗液循環之期間內，清洗液之成分濃度亦會因各種要因變化。最一般的濃度變化雖係IPA濃度之降低，但此以外的濃度變化亦有可能。在此，於清洗液循環中，亦連續地或間歇地實行上述濃度調整處理。具體而言，在控制部7之控制下，藉由濃度測定裝置5連續地或間歇地測定清洗液之成分濃度。其結果，清洗液成分濃度超過既定濃度範圍而變化時，朝混合槽4補充IPA與超純水雙方或一方。具體而言，對應濃度測定裝置5之測定結果開啟閥15a與閥15b雙方或一方，並使IPA供給源2與超純水供給源3雙方或一方作動，朝混合槽4補充IPA與超純水雙方或一方。
在此，就盡量減少濃度調整所需之IPA的量之觀點而言，宜在實行濃度調整處理前先實行液量調整處理。且液量調整處理中，調整混合槽4內清洗液的量為在既定液量範圍內，且未達到該液量範圍上限的量，濃度調整處理中，供給IPA與純水雙方或一方，俾混合槽4內清洗液的量不超過液量範圍之上限。
作為濃度測定裝置5，亦可使用超音波濃度計、比電阻計、紅外光譜儀、布里克士計、比重計等。且作為液量測定機構，亦可使用負載檢測元件自混合槽4的負載求取混合槽4內的液量。
又，可在上述配管上因應所需設置泵或閥。且亦可因應所需設置濾器。且亦可在配管上設置熱交換器以進行清洗液之溫度管理。
且在因對半導體晶圓進行清洗、乾燥而使清洗液因雜質被污染時等，
亦可替換清洗液。然而，依本實施形態，可經由配管13將經污染之清洗液的一部分朝廢液槽6抽出，對混合槽4供給IPA及超純水，藉此稀釋雜質以製作理想濃度的清洗液。藉此，即使不替換所有經污染之清洗液，亦可不停止清洗程序，對清洗裝置供給理想濃度之清洗液。該清洗液之抽出與雜質之稀釋可分別進行，亦可同時進行。為減少用來稀釋雜質之IPA與超純水之使用量，宜抽出清洗液一部分以減少容量，再對混合槽4供給IPA及超純水，以稀釋雜質。清洗液因雜質被污染，且混合槽4液量降低時，不朝廢液槽6抽出經污染之清洗液而對混合槽4供給IPA及超純水。藉此，可稀釋雜質而製作理想濃度的清洗液。為監視清洗液之雜質濃度，藉由例如配管14a、14b、14c或12上或此等者之分支線，或直接連接混合槽4之取樣線設置微粒子偵測器(微粒子計)，監視清洗液中微粒子(雜質)的量即可。且雜質具有吸收光之性質時，亦可藉由吸光光度計監視雜質的量。
以下，詳細說明關於本發明第二實施形態。圖2係顯示依本實施形態之液體管理系統基本構成之方塊圖。
圖2所示之液體管理系統1B中，在清洗裝置100、混合槽4與濃縮器16之間清洗液供給/回收用配管之連接構成以外的點與依第一實施形態之液體管理系統1A本質上具有相同構成。因此，就與液體管理系統1A共通之構成於圖2中賦予相同符號省略說明。
本實施形態中，如圖2所示，清洗裝置100與濃縮器16未連通，清洗裝置100與混合槽4經由配管14a、14e相互連接。配管14a與第一實施形態相同構成將經濃度調整之清洗液自混合槽4送往清洗裝置100之第一送液機構。配管14e構成將自清洗裝置100排出之清洗液送往混合槽4之第五送液機構。
且混合槽4與濃縮器16經由配管14c、14f相互連接。配管14c與第一實施形態相同構成將由濃縮器16濃縮之清洗液送往混合槽4之第三送液機
構。配管14f構成將包含自清洗裝置100排出之清洗液之混合槽4內的清洗液送往濃縮器16之第六送液機構。各送液機構中因應所需設置朝目的方向引起液流之泵等。
於圖2所示之液體管理系統1B中，首先，經由配管14a對清洗裝置100之清洗槽供給於混合槽4經濃度管理之清洗液。經由配管14e將自清洗裝置100之清洗槽被排出之清洗液送往混合槽4。
於清洗槽中，因清洗液或水分作為晶圓之附著物被帶出或帶入，或是蒸發等影響，在晶圓清洗之過程內，清洗槽中清洗液之IPA濃度或雜質量會不同。然而一般而言因純水混入、IPA蒸發等，自清洗裝置100排出之清洗液之IPA濃度相較於自混合槽4對清洗裝置100供給之清洗液之IPA濃度會較為降低。因此，顯示混合槽4之清洗液之IPA濃度傾向於降低。以配管14f將包含自此清洗槽被排出之清洗液之混合槽4內之清洗液送往濃縮器16，濃縮IPA。
濃縮器16之濃縮機構中，與第一實施形態相同，宜適用使用沸石、聚醯亞胺類等所構成之膜之PV法或VP法。
將經過濃縮器16之濃縮液經由配管14c送往混合槽4，將來自濃縮器16之廢液送往廢液槽6。於混合槽4中藉由IPA供給機構或超純水供給機構調整清洗液之IPA濃度，再經由配管14a將此經濃度調整之清洗液送往清洗裝置100。如此，清洗液在混合槽4與清洗裝置100之間，以及混合槽4與濃縮器16之間循環。藉此，可不停止清洗程序，對清洗裝置100供給理想濃度之清洗液。
本實施形態中，藉由設置將由混合槽4回收之清洗液抽出並濃縮，且使其回到混合槽4之濃縮器16，與第一實施形態相同，可減少為調整濃度而添加之IPA之使用量。且藉由調整自濃縮器16送往混合槽4之濃縮液之IPA濃度於一定範圍(宜係理想濃度)，可穩定地以高精度進行混合槽4中之
濃度管理。且亦可減少清洗液朝系外之廢液量。
特別是本實施形態係將包含自清洗裝置100回收之清洗液之混合槽4內之清洗液抽出並於濃縮器16濃縮後使其回到混合槽4之構成。因此，可適用於可採取之混合槽4中IPA濃度範圍之容許值較大之情形。
又，使用配管14c、14f之濃縮處理亦可恆定地或非恆定地進行。非恆定時，在混合槽4內呈預先設定之IPA濃度以下之時點開始濃縮處理，進行一定時間之濃度處理，或進行濃縮處理至混合槽4之IPA濃度在另外設定之濃度以上止。
且混合槽4中，宜進行與第一實施形態相同之液量調整處理，或經污染之清洗液之處理。
以下，詳細說明關於本發明第三實施形態。圖3係顯示依本實施形態之液體管理系統基本構成之方塊圖。
圖3所示之液體管理系統1C中，除於依第一實施形態之液體管理系統1A將精製自清洗裝置排出之清洗液之精製裝置設於濃縮器16之前段與後段中任一方或雙方之點以外與依第一實施形態之液體管理系統1A本質上具有相同構成。因此，就與液體管理系統1A共通之構成於圖3中賦予相同符號省略說明。
本實施形態中，如圖3所示，清洗裝置100與精製裝置17經由配管14b相互連接，藉由包含配管14b之第二送液機構，將自清洗裝置100排出之清洗液送往精製裝置17。精製裝置17配置於濃縮器16之液體導入側。配管14c與第一實施形態相同構成將由濃縮器16濃縮之清洗液送往混合槽4之第三送液機構。各送液機構中因應所需設置朝目的方向引起液流之泵等。
又，圖3中雖揭示於濃縮器16前段設置精製裝置17之構成，但如前述，精製裝置17亦可設於濃縮器16後段或前後雙方。將精製裝置17設置於濃縮器16後段，亦即設置於濃縮器液體導出側時，以配管14b連接清洗裝置100與濃縮器16，以配管14c連接精製裝置17與混合槽4。
圖3所示之液體管理系統1C中，首先，經由配管14a對清洗裝置100之清洗槽供給混合槽4內經濃度調整之清洗液。接著，經由配管14b將自清洗裝置100之清洗槽被排出之清洗液送往精製裝置17。以濃縮器16處理經過精製裝置17之清洗液。
於清洗槽中，因清洗液或水分作為晶圓之附著物被帶出或帶入，或是蒸發等影響，在晶圓清洗之過程內，清洗槽中清洗液之IPA濃度或雜質量會不同。然而一般而言因純水混入、IPA蒸發等，自清洗裝置100排出之清洗液之IPA濃度相較於自混合槽4對清洗裝置100供給之清洗液之IPA濃度會較為降低。因此，以濃縮器16濃縮IPA。且清洗液之雜質量會因來自清洗裝置100、晶圓附著物、配管等之雜質上昇，故以精製裝置17去除自清洗裝置100排出之清洗液之雜質。
濃縮器16之濃縮機構中，與第一實施形態相同，宜適用使用沸石、聚醯亞胺類等所構成之膜之PV法或VP法。
精製裝置17可依去除之對象適當選擇。可作為精製裝置17適當使用例如離子交換樹脂塔、離子吸附膜、濾器(精密過濾膜)、蒸餾罐、蒸發罐等。
將經過濃縮器16之濃縮液經由配管14c送往混合槽4，將來自濃縮器16之廢液送往廢液槽6。於混合槽4中藉由IPA供給機構或純水供給機構調整清洗液之IPA濃度，再經由配管14a將此經濃度調整之清洗液送往清洗裝置100。如此，清洗液自混合槽4經過清洗裝置100與精製裝置17及濃縮器16再朝混合槽4循環。藉此，可不停止清洗程序，對清洗裝置100供給理想濃度之清洗液。
本實施形態藉由在用來使清洗液自清洗裝置100回到混合槽4之液體回收路設置濃縮器16，與第一實施形態相同，可減少為調整濃度而添加之IPA之使用量。且藉由調整自濃縮器16送往混合槽4之濃縮液之IPA濃度於一定範圍(宜係理想濃度)，可穩定地以高精度進行混合槽4中之濃度管理。且亦可減少清洗液朝系外之廢液量。
特別是本實施形態中，相對於第一實施形態精製裝置17設於濃縮器16之前段與後段任一方或雙方。因此，可穩定地對清洗裝置100供給高純度之清洗液。
且於混合槽4中，宜進行與第一實施形態相同之液量調整處理。
以下，詳細說明關於本發明第四實施形態。圖4係顯示依本實施形態之液體管理系統基本構成之方塊圖。
圖4所示之液體管理系統1D中，除於依第二實施形態之液體管理系統1B將精製使用完畢的清洗液之精製裝置17設於濃縮器16之前段與後段任一方或雙方之點以外與依第二實施形態之液體管理系統1B本質上具有相同構成。因此，關於與液體管理系統1B共通之構成圖4中賦予相同符號省略說明。
本實施形態中，如圖4所示，混合槽4與精製裝置17經由配管14f相互連接，藉由包含配管14f之第六送液機構，將包含自清洗裝置100排出之清洗液之混合槽4內之清洗液送往精製裝置17。精製裝置17配置於濃縮器16之液體導入側。配管14c與第二實施形態相同構成將由濃縮器16濃縮之清洗液送往混合槽4之第三送液機構。各送液機構中因應所需設置朝目的方向引起液流之泵等。
又，圖4中雖揭示於濃縮器16前段設置精製裝置17之構成，但如前述，精製裝置17亦可設於濃縮器16之後段或前後雙方。將精製裝置17設置於濃縮器16後段，亦即設置於濃縮器之液體導出側時，以配管14f連接混合槽4與濃縮器16，以配管14c連接精製裝置17與混合槽4。
圖4所示之液體管理系統1D中，首先，經由配管14a對清洗裝置100之清洗槽供給於混合槽4經濃度管理之清洗液。經由配管14e將自清洗裝置100之清洗槽被排出之清洗液送往混合槽4。藉此，於混合槽4之清洗液中包含一部分自清洗裝置100排出之清洗液。
於清洗槽中，因清洗液或水分作為晶圓之附著物被帶出或帶入，或是蒸發等影響，在晶圓清洗之過程內，清洗槽中清洗液之IPA濃度或雜質量會不同。然而一般而言因純水混入、IPA蒸發等，自清洗裝置100排出之清洗液之IPA濃度相較於自混合槽4對清洗裝置100供給之清洗液之IPA濃度會較為降低。且清洗液之雜質量會因來自清洗裝置100、晶圓附著物、配管等之雜質上昇。因此，顯示混合槽4內之IPA濃度傾向降低，雜質量傾向上昇。
在此，以配管14f將混合槽4內之清洗液送往精製裝置17，以精製裝置17去除清洗液之雜質。且將由精製裝置17精製之清洗液送往濃縮器16，濃縮IPA。
濃縮器16之濃縮機構中，與第一實施形態相同，宜適用使用沸石、聚醯亞胺類等所構成之膜之PV法或VP法。
可依去除之對象適當選擇精製裝置17。可作為精製裝置17適當使用例如離子交換樹脂塔、離子吸附膜、濾器(精密過濾膜)、蒸餾罐、蒸發罐等。
將經過濃縮器16之濃縮液經由配管14c送往混合槽4，將來自濃縮器16之廢液送往廢液槽6。於混合槽4中藉由IPA供給機構或純水供給機構
調整清洗液之IPA濃度，再經由配管14a將此經濃度調整之清洗液送往清洗裝置100。如此，清洗液在混合槽4與清洗裝置100之間，以及混合槽4與精製裝置17及濃縮器16之間循環。藉此，可不停止清洗程序，對清洗裝置100供給理想濃度之清洗液。
本實施形態中，藉由設置將由混合槽4回收之清洗液抽出並濃縮，且使其回到混合槽4之濃縮器16，與第一實施形態相同，可減少為調整濃度而添加之IPA之使用量。且藉由調整自濃縮器16送往混合槽4之濃縮液之IPA濃度於一定範圍(宜係理想濃度)，可穩定地以高精度進行混合槽4中之濃度管理。且亦可減少清洗液朝系外之廢液量。
特別是本實施形態中，相對於第二實施形態精製裝置17設於濃縮器16之前段與後段任一方或雙方。因此，可穩定地對清洗裝置100供給高純度之清洗液。
又，使用配管14c、14f之濃縮處理亦可恆定地或非恆定地進行。非恆定時，在混合槽4內呈預先設定之IPA濃度以下之時點開始濃縮處理，進行一定時間之濃度處理，或進行濃縮處理至混合槽4之IPA濃度在另外設定之濃度以上止。
且於混合槽4中，宜進行與第一實施形態相同之液量調整處理。
且本實施形態如以第二實施形態所說明，適合可採取之混合槽4之IPA濃度範圍之容許值較大之情形。
以下，詳細說明關於本發明第五實施形態。圖5係顯示依本實施形態之液體管理系統基本構成之方塊圖。
圖5所示之液體管理系統1E中，除於依第一實施形態之液體管理系統
1A將精製清洗液之精製裝置設於混合槽4與清洗裝置100之間之液體供給路之點以外與依第一實施形態之液體管理系統1A本質上具有相同構成。因此，就與液體管理系統1A共通之構成於圖5中賦予相同符號省略說明。
本實施形態中，如圖5所示，混合槽4與精製裝置17經由配管14a相互連接，藉由包含配管14a之第一送液機構，自混合槽4將經濃度調整之清洗液送往精製裝置17。且精製裝置17與清洗裝置100經由配管14g相互連接，藉由包含配管14g之第七送液機構，將由精製裝置17精製之清洗液送往清洗裝置100。各送液機構中因應所需設置朝目的方向引起液流之泵等。
圖5所示之液體管理系統1E中，首先，經由配管14a將混合槽4內經濃度調整之清洗液送往精製裝置17。接著，經由配管14g對清洗裝置100之清洗槽供給由精製裝置17精製之清洗液。
於清洗槽中，因清洗液或水分作為晶圓之附著物被帶出或帶入，或是蒸發等影響，在晶圓清洗之過程內，清洗槽中清洗液之IPA濃度或雜質量會不同。然而一般而言因純水混入、IPA蒸發等，自清洗裝置100排出之清洗液之IPA濃度相較於自混合槽4對清洗裝置100供給之清洗液之IPA濃度會較為降低。因此，將自清洗裝置100排出之清洗液送往濃縮器16，濃縮IPA。
濃縮器16之濃縮機構中，與第一實施形態相同，宜適用使用沸石、聚醯亞胺類等所構成之膜之PV法或VP法。
可依去除之對象適當選擇精製裝置17。例如作為精製裝置17可適當使用離子交換樹脂塔、離子吸附膜、濾器(精密過濾膜)、蒸餾罐、蒸發罐等。又，使用蒸餾罐或蒸發罐時，依使用條件精製前後之IPA濃度可能變化故需注意。
將經過濃縮器16之濃縮液經由配管14c送往混合槽4，將來自濃縮器16之廢液送往廢液槽6。於混合槽4中藉由IPA供給機構或純水供給機構調整清洗液之IPA濃度，再依序經過配管14a、精製裝置17、配管14g將此經濃度調整之清洗液送往清洗裝置100。又，回到混合槽4之清洗液之雜質量雖會因來自清洗裝置100、晶圓附著物、配管等之雜質上昇，但可以精製裝置17去除清洗液之雜質。
如此，清洗液自混合槽4依序經過精製裝置17、清洗裝置100與濃縮器16再朝混合槽4循環。藉此，可不停止清洗程序，對清洗裝置100供給理想濃度之清洗液。
本實施形態藉由在用來使清洗液自清洗裝置100回到混合槽4之液體回收路設置濃縮器16，與第一實施形態相同，可減少為調整濃度而添加之IPA之使用量。且藉由調整自濃縮器16送往混合槽4之濃縮液之IPA濃度於一定範圍(宜係理想濃度)，可穩定地以高精度進行混合槽4中之濃度管理。且亦可減少清洗液朝系外之廢液量。
特別是本實施形態中，相對於第一實施形態精製裝置17設於混合槽4與清洗裝置100之間之液體供給路。因此，可穩定地對清洗裝置100供給高純度之清洗液。
且於混合槽4中，宜進行與第一實施形態相同之液量調整處理。
又，設置濃縮器16及精製裝置17之位置不限於圖1~圖5所示處。濃縮器16設於將自清洗裝置100排出之清洗液回收並使其回到混合槽4之線即可。另一方面，精製裝置17設於該線或對清洗裝置100供給經濃度調整之清洗液之線即可。且濃縮裝置16與精製裝置17之液體通過順序亦不特別限定。因此，亦可係如精製後濃縮、濃縮後精製、精製後濃縮再精製等之處理構成。
其次說明本發明實施例1。本實施例係上述第一及第二實施形態更具體的例。
於單片旋轉清洗裝置之清洗槽設置6英吋之矽晶圓，對此清洗槽交互供給IPA與純水混合，IPA濃度為95%之清洗液與純水。又，擱置所清洗之矽晶圓於無塵室中1週期間。
純水對清洗槽之流量為2L/min，上述IPA濃度之清洗液對清洗槽之流量為1L/min，此等供給時間皆為1分鐘。
於此清洗槽設置排液線。於上述清洗液供給中回收自此排液線排出之清洗液，於上述純水供給中就自排液線排出之液體不回收而朝系外排出。
重複如此對清洗槽交互供給清洗液與純水15次，回收所排出之清洗液10L。回收液之IPA濃度為85%。為使此回收液呈清洗液之管理濃度95%，需加入IPA新液(99.9%)20L。此時液量至少為30L。此液量較係供給清洗液量之15(=1×15)L多，系內清洗液量增加故會浪費清洗液(IPA)。
在此，就上述回收液，以沸石膜藉由VP(Vapor Permeation)裝置進行濃縮處理，獲得IPA濃度99.9%之處理液。以濃縮處理自回收液去除水分，回收液量整體減少，故可減少相對於回收液IPA之添加量。其結果可防止無謂地使用IPA。又，即使在處理液之IPA濃度為清洗液之IPA濃度未滿時，亦可發揮此效果。
且若設計並調整濃縮器，俾處理液之IPA濃度在清洗液之IPA濃度附近，即可穩定地以高精度在混合槽調整濃度。
其次說明本發明實施例2。本實施例係上述第三及第四實施形態更具體的例。
於單片旋轉清洗裝置之清洗槽設置6英吋之矽晶圓，對此清洗槽交互供給IPA與純水混合，IPA濃度為95%之清洗液與純水。又，擱置所清洗之矽晶圓於無塵室中1週期間。
純水對清洗槽之流量為2L/min，上述IPA濃度之清洗液對清洗槽之流量為1L/min，此等供給時間皆為1分鐘。
於此清洗槽設置排液線。於上述清洗液供給中回收自此排液線排出之清洗液，於上述純水供給中就自排液線排出之液體不回收而朝系外排出。
重複如此對清洗槽交互供給清洗液與純水15次，回收所排出之清洗液10L。
以ICP質量分析裝置(ICP-MS)測定此時清洗液中及回收液中之金屬濃度。顯示測定結果於表1。因來自清洗裝置或晶圓之雜質，結果導致回收液之金屬濃度高於供給之清洗液之金屬濃度。在此，以離子交換樹脂塔(填充陰離子樹脂與陽離子樹脂於一座塔之混床式)精製此回收液。顯示精製後回收液之金屬濃度於表1。自此表可知，可藉由精製處理，精製到其金屬濃度與供給時之清洗液同等。
且回收液之IPA濃度為85%。惟於精製前後IPA濃度無變化。為使此
回收液呈清洗液之管理濃度95%，需加入IPA新液(99.9%)20L。此時液量至少為30L。此液量較係供給清洗液量之15(=1×15)L多，系內清洗液量增加故會浪費清洗液(IPA)。
在此，就精製之回收液，以沸石膜藉由VP(Vapor Permeation)裝置進行濃縮處理，獲得IPA濃度99.9%之處理液。以濃縮處理自回收液去除水分，回收液量整體減少，故可減少相對於回收液IPA之添加量。其結果可防止無謂地使用IPA。又，即使在濃縮處理液之IPA濃度為清洗液之IPA濃度未滿時，亦可發揮此效果。
且若設計並調整濃縮器，俾處理液之IPA濃度在清洗液之IPA濃度附近，即可穩定地以高精度在混合槽調整濃度。
其次說明本發明實施例3。本實施例係上述第三及第四實施形態更具體的例。惟實施例2係精製後進行濃縮處理之例，而本例係濃縮後進行精製處理之例。
進行與實施例2相同之實驗，測定此時回收液之IPA濃度時其為85%。為使此回收液呈清洗液之管理濃度95%，需加入IPA新液(99.9%)20L。此時液量至少為30L。此液量較係供給清洗液量之15(=1×15)L多，系內清洗液量增加故會浪費清洗液(IPA)。
在此，就回收液，以沸石膜藉由VP(Vapor Permeation)裝置進行濃縮處理，獲得IPA濃度99.9%之處理液。以濃縮處理自回收液去除水分，回收液量整體減少，故可減少相對於回收液IPA之添加量。其結果可防止無謂地使用IPA。又，即使在濃縮處理液之IPA濃度為清洗液之IPA濃度未滿時，亦可發揮此效果。且若設計並調整濃縮器，俾濃縮處理液之IPA濃度在清洗液之IPA濃度附近，即可穩定地以高精度在混合槽調整濃度。
且以ICP質量分析裝置(ICP-MS)測定供給時清洗液中及濃縮處理液中之金屬濃度。顯示測定結果於表2。因來自清洗裝置或晶圓等之雜質，結果導致濃縮處理液之金屬濃度高於供給之清洗液之金屬濃度。在此，以離子交換樹脂塔(填充陰離子樹脂與陽離子樹脂於一座塔之混床式)精製此濃縮處理液。顯示精製後處理液之金屬濃度於表2。自此表可知，可藉由精製處理，精製到其金屬濃度與供給時之清洗液同等。
以上，雖已使用發明之實施形態及實施例說明本發明申請案，但本發明申請案不限於此等實施形態及實施例，即使存在不逸脫本申請案發明要旨之範圍之設計變更其亦包含於本發明。亦即，只要是熟悉該技藝者當然即應可進行之各種變形、修正亦也包含於本發明。
本申請案主張以2011年12月20日所申請之日本申請案特願2011-278489為基礎之優先權，將其所有揭示導入於此。
1A‧‧‧液體管理系統
2‧‧‧IPA供給源
3‧‧‧超純水供給源
4‧‧‧混合槽
5‧‧‧濃度測定裝置
6‧‧‧廢液槽
7‧‧‧控制部
10~13、14a~14d‧‧‧配管
15a、15b‧‧‧閥
16‧‧‧濃縮器
100‧‧‧清洗裝置
Claims (12)
- 一種液體管理系統，用來管理於清洗對象物之清洗裝置中使用之清洗液，其特徵在於包含：清洗液供給裝置，具有混合醇與純水以製作清洗液之混合機構，以該混合機構調整該清洗液中之醇濃度至既定濃度範圍內，對該清洗裝置供給該經濃度調整之清洗液；精製裝置，將由該混合機構調整過濃度之清洗液，或是自該清洗裝置被排出之清洗液加以精製；及清洗液回收機構，於該精製裝置之上游側或下游側具有將由該混合機構調整過濃度之清洗液，或是自該清洗裝置被排出之清洗液加以濃縮之濃縮器，使該經濃縮及精製之清洗液回到該混合機構。
- 如申請專利範圍第1項之液體管理系統，其中：該清洗液回收機構具有送液機構，該送液機構係設置成：當清洗液已自該清洗裝置被排出的情形時，將清洗液經過該精製裝置與該濃縮器而送往該混合機構，或使清洗液回到該混合機構，經過該精製裝置與該濃縮器再送往該混合機構；或者當清洗液已由該混合機構調整濃度的情形時，依序使清洗液經過該精製裝置、該清洗裝置與該濃縮器而送往該混合機構。
- 如申請專利範圍第2項之液體管理系統，其中：該濃縮器係利用以PV法或VP法進行之膜濃縮者。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之液體管理系統，其中：該精製裝置包含離子交換樹脂塔、離子吸附膜、精密過濾膜其中至少一者。
- 如申請專利範圍第4項之液體管理系統，其中：該離子交換樹脂塔係混床式離子交換樹脂塔。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之液體管理系統，其中：該清洗液供給裝置包含：醇供給機構，對該混合機構供給醇；純水供給機構，對該混合機構供給純水；濃度測定機構，將藉由該混合機構混合醇與純水而得之清洗液的醇濃 度加以測定；及第一控制機構，藉由根據該濃度測定機構之測定結果控制該醇供給機構與該純水供給機構雙方或一方，實行濃度調整處理，維持以該混合機構混合醇與純水而得之清洗液的醇濃度於既定濃度範圍內。
- 如申請專利範圍第6項之液體管理系統，其中更包含：液量測定機構，將藉由該混合機構混合醇與純水而得之清洗液量加以測定；及第二控制機構，藉由根據該液量測定機構之測定結果控制該醇供給機構及該純水供給機構，實行液量調整處理，維持以該混合機構混合醇與純水而得之清洗液量於既定液量範圍內。
- 一種清洗液之回收再生裝置，將由利用經調整至既定濃度範圍內之醇水溶液作為清洗液以清洗對象物的清洗裝置排出之清洗液加以回收，再將清洗液調整至該既定濃度範圍內，並對該清洗裝置加以供給，其特徵在於包含：清洗液供給裝置，具有混合機構，被供給醇與純水以製作醇濃度調整至該既定濃度範圍內之清洗液；對該清洗裝置供給該經濃度調整之清洗液；精製裝置，將由該混合機構調整濃度之清洗液，或是自該清洗裝置被排出之清洗液加以精製；及清洗液回收機構，於該精製裝置之下游側或上游側設有濃縮器，將由該混合機構調整過濃度之清洗液，或是自該清洗裝置被排出之清洗液加以濃縮；使該經濃縮及精製之清洗液回到該混合機構。
- 如申請專利範圍第8項之清洗液之回收再生裝置，其中：該清洗液回收機構具有送液機構，該送液機構係設置成：當清洗液已自該清洗裝置被排出的情形時，將清洗液經過該精製裝置與該濃縮器而送往該混合機構，或使清洗液回到該混合機構，經過該精製裝置與該濃縮器再送往該混合機構；或者當清洗液已由該混合機構調整濃度的情形時，依序使清洗液經過該精製裝置、該清洗裝置與該濃縮器而送往該混合機構。
- 如申請專利範圍第9項之清洗液之回收再生裝置，其中：該濃縮器係利用以PV法或VP法進行之膜濃縮者。
- 如申請專利範圍第8至10項中任一項之清洗液之回收再生裝置，其中：該精製裝置包含離子交換樹脂塔、離子吸附膜、精密過濾膜其中至少一者。
- 如申請專利範圍第11項之清洗液之回收再生裝置，其中：該離子交換樹脂塔係混床式離子交換樹脂塔。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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