TWI798479B - 切割薄膜的製造方法、切割薄膜及切割薄膜用薄膜 - Google Patents

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Abstract

一種切割薄膜的製造方法，其包含利用波長400 nm以上且850 nm以下的雷射光線將包含樹脂層的切割前薄膜裁切，以獲得切割薄膜，其中前述切割前薄膜在前述雷射光線之波長的吸光度為0.10以下。

Description

切割薄膜的製造方法、切割薄膜及切割薄膜用薄膜
本發明係關於切割薄膜的製造方法、切割薄膜及切割薄膜用薄膜。
包含樹脂層的薄膜（以下亦稱為樹脂薄膜。）被用作為影像顯示裝置等所具備的光學薄膜等。近年，將樹脂薄膜因應例如最終製品的型態而精密加工的需求升高。就相比於利用刀具等機械性的裁切較能精密加工而言，可使用利用雷射光線的加工方法作為樹脂薄膜的加工方法（專利文獻1～3）。
『專利文獻』 《專利文獻1》日本專利公開第2018-052082號公報 《專利文獻2》日本專利公開第2006-108165號公報 《專利文獻3》日本專利公開第2016-057403號公報
若利用雷射光線將樹脂薄膜裁切，則通常在其裁切面的周圍形成雷射處理影響部。於此，所謂雷射處理影響部，係謂經雷射光線裁切之樹脂薄膜所包含之樹脂層因裁切時產生之熱而變形的部分。前述樹脂層的變形包含「樹脂層的厚度變大」及「樹脂層的厚度變小」兩者。並且，裁切亦包含穿孔。若此種雷射處理影響部之幅寬大，則可能造成樹脂薄膜之端部的隆起、尺寸的變化及皺褶的產生。因此，要求開發可在將薄膜裁切的同時減小雷射處理影響部之幅寬的方法，作為使用雷射光線之薄膜的裁切方法。
亦即，要求：利用雷射光線將包含樹脂層的切割前薄膜裁切，製造雷射處理影響部之幅寬為小之切割薄膜的方法；雷射處理影響部之幅寬為小的切割薄膜；以及用以獲得雷射處理影響部之幅寬為小之切割薄膜的切割薄膜用薄膜。
本發明人為能解決前述問題而潛心研究。其結果，發現藉由使用指定波長範圍的雷射光線，將具有指定範圍之吸光度的薄膜裁切，可解決前述問題，進而完成本發明。
亦即，本發明提供如下。
［1］一種切割薄膜的製造方法，其包含利用波長400 nm以上且850 nm以下的雷射光線將包含樹脂層的切割前薄膜裁切，以獲得切割薄膜，其中前述切割前薄膜在前述雷射光線之波長的吸光度為0.10以下。
［2］如［1］所記載之切割薄膜的製造方法，其中前述雷射光線為YAG雷射裝置的二次諧波。
［3］如［1］或［2］所記載之切割薄膜的製造方法，其中前述雷射光線為脈寬未達1 μs的脈衝光。
［4］如［1］～［3］之任一項所記載之切割薄膜的製造方法，其中前述樹脂層為含脂環結構樹脂的層體。
［5］如［1］～［4］之任一項所記載之切割薄膜的製造方法，其中前述切割前薄膜的厚度為200 μm以下。
［6］如［1］～［5］之任一項所記載之切割薄膜的製造方法，其中前述切割前薄膜更包含偏光件層。
［7］一種切割薄膜，其係經雷射光線裁切的切割薄膜，其中 前述切割薄膜包含樹脂層， 前述雷射光線的波長為400 nm以上且850 nm以下， 前述切割薄膜在前述雷射光線之波長的吸光度為0.10以下。
［8］如［7］所記載之切割薄膜，其更包含偏光件層。
［9］一種切割薄膜用薄膜，其係用以利用波長400 nm以上且850 nm以下之雷射光線裁切以獲得切割薄膜的切割薄膜用薄膜，其中 前述切割薄膜用薄膜包含樹脂層， 前述切割薄膜用薄膜在前述雷射光線之波長的吸光度為0.10以下。
根據本發明，提供：利用雷射光線將包含樹脂層的切割前薄膜裁切，製造雷射處理影響部之幅寬為小之切割薄膜的方法；雷射處理影響部之幅寬為小的切割薄膜；以及用以獲得雷射處理影響部之幅寬為小之切割薄膜的切割薄膜用薄膜。
以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下揭示之實施型態及示例物者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中，得任意變更而實施。
在以下說明中，所謂「長條狀」的薄膜，係謂相對於幅寬具有5倍以上之長度的薄膜，以具有10倍或者其以上的長度為佳，具體而言，係謂具有可收捲成輥狀來儲存或搬運之程度之長度的薄膜。薄膜之長度的上限，並無特別限制，得做成例如相對於幅寬10萬倍以下。
在下述中，參照「將切割前薄膜水平放置，對其自垂直方向照射雷射光線」之例進行說明。因此，除非另有註記，否則所謂「水平方向」，意謂與切割前薄膜之面平行的方向。
［1.切割薄膜之製造方法的概要］
本實施型態之切割薄膜的製造方法，包含利用波長400 nm以上且850 nm以下的雷射光線將包含樹脂層的切割前薄膜裁切，以獲得切割薄膜。根據本實施型態之切割薄膜的製造方法，可減小在切割薄膜中之雷射處理影響部之幅寬。
［1.1.用於裁切的雷射光線］
用於裁切之雷射光線的波長通常為400 nm以上且850 nm以下。雷射光線的波長以450 nm以上為佳，以500 nm以上為較佳，且以800 nm以下為佳，以600 nm以下為較佳。
藉由雷射光線的波長落於前述範圍，即使在切割前薄膜的吸光度為低的情況下，亦得減小在切割薄膜中之雷射處理影響部之幅寬。
雷射光線的波長，以釔鋁石榴石（YAG）雷射裝置之二次諧波所具有的波長為尤佳。YAG雷射裝置的二次諧波通常為532 nm左右，以532 nm為佳。
並且，前述雷射光線的波長範圍位於可見光區域，故在裁切加工時，裝置操作者可識別雷射光線的軌跡。因此，得正確進行裁切加工。
再者，為了遮斷自雷射裝置射出的雷射光線，有時會在雷射裝置裝配蓋體。並且，為能保護非裁切對象之物體絕於雷射光線，有時會裝配蓋體。由於可使用將可見光區域之光線吸收之通用的有色材料作為此時的蓋體，故得以低成本製造切割薄膜。
雷射光線以脈寬為未達1 μs的脈衝光為佳。由於此種脈衝光具有高峰值輸出，故相比於連續波雷射光線及具有1 μs以上之脈寬的雷射光線，容易發生剝蝕現象，得相對減少在裁切面之熱的影響。其結果，得有效減小在切割薄膜中之雷射處理影響部之幅寬。
雷射光線的脈寬，以100 ns以下為較佳，以50 ns以下為更佳，以1 ns以下為尤佳，通常大於0 s。
雷射光線的平均輸出（強度），以0.01 W以上為佳，以0.1 W以上為較佳，以1 W以上為更佳，且以1 kW以下為佳，以100 W以下為較佳，以50 W以下為更佳。藉由將雷射光線的平均輸出（強度）定為前述範圍之下限值以上，可將切割前薄膜迅速裁切。並且，藉由定為上限值以下，可有效減小在切割薄膜中之雷射處理影響部之幅寬。
［1.2.切割前薄膜］
切割前薄膜係藉由本實施型態之製造方法所裁切的對象。切割前薄膜包含樹脂層。
（切割前薄膜）
切割前薄膜在將切割前薄膜裁切之雷射光線之波長的吸光度為0.10以下。
以往認為，在「將在裁切之雷射光線之波長的吸光度為低之薄膜裁切」的情況下，需將雷射光線的強度增加至非常大，因此裁切面強烈遭受因熱所致的影響，故難以將薄膜準確裁切。
在本實施型態中，藉由使用指定波長範圍的雷射光線，將在雷射光線之波長之吸光度為0.10以下的切割前薄膜裁切，意外得減小在切割薄膜中之雷射處理影響部之幅寬。
切割前薄膜在所使用之雷射光線之波長的吸光度，以0.08以下為佳，以0.06以下為較佳，且通常為0以上，可大於0，亦可為0.01以上。藉由切割前薄膜的吸光度落於前述範圍，得有效減小在切割薄膜中之雷射處理影響部之幅寬。
切割前薄膜的吸光度係表示「自切割前薄膜之一面朝另一面穿透之光線的吸收」者。
在雷射光線之波長的吸光度可藉由以往眾所周知的方法來量測，例如得藉由紫外線可見光分光光度計（例如島津製作所製「UV-1800」）來量測。
切割前薄膜可為長條狀的薄膜，亦可為裁斷成張的薄膜，以長條狀的薄膜為佳。
並且，切割前薄膜可為僅具備1層之單層結構的薄膜，亦可為具備2層以上之多層結構的薄膜。
舉例而言，切割前薄膜亦可為在樹脂層更包含偏光件層作為任意層體的薄膜。
作為偏光件層，可列舉例如：在聚乙烯醇、部分縮甲醛化聚乙烯醇等適當之乙烯醇系聚合物的薄膜，以適當的順序及方式施以由碘及二色性染料等二色性物質所致之染色處理、延伸處理、交聯處理等適當之處理的薄膜。其中，以由包含聚乙烯醇之聚乙烯醇樹脂薄膜而成的偏光件層為佳。此種偏光件層係若使自然光入射時得使直線偏光穿透者，尤其以光線穿透率及偏光度優異者為佳。偏光件層的厚度一般為5 μm～80 μm，但不受限於此。
切割前薄膜除了偏光件層以外，還可具備接合劑層等任意層體。
在切割前薄膜為多層結構的情況下，以樹脂層配置於最外側為佳。並且，以「以樹脂層朝向雷射光源側的方式設置切割前薄膜，利用雷射光線裁切之」為佳。藉此，可有效減小切割薄膜之雷射處理影響部之幅寬。
切割前薄膜的厚度，以1 μm以上為佳，以3 μm以上為較佳，以5 μm以上為尤佳，並且以200 μm以下為佳，以150 μm以下為較佳，以100 μm以下為尤佳。藉由將切割前薄膜的厚度做成前述範圍之下限值以上，切割前薄膜及切割薄膜的處理性會變得容易。並且，藉由做成上限值以下，利用雷射光線的裁切會變得容易。
（樹脂層）
樹脂層係由樹脂所形成的層體。樹脂通常包含聚合物。樹脂得包含的聚合物可為單獨1種，亦可為2種以上之任意比率的組合。
作為形成樹脂層之樹脂得包含的聚合物，可列舉例如：於後敘述之含脂環結構聚合物、三乙酸纖維素、聚對酞酸乙二酯及聚碳酸酯。形成樹脂層之樹脂得包含的聚合物，在做成以厚度50 μm為佳之薄膜的情形中之在所使用之雷射光線之波長的吸光度，以0.10以下為佳，以0.08以下為較佳，以0.06以下為更佳，且通常為0以上，亦可為0.01以上。
並且，樹脂除了聚合物以外，得更包含任意成分。作為任意成分，可列舉：顏料、染料等著色劑；螢光增白劑；分散劑；塑化劑；熱穩定劑；光穩定劑；紫外線吸收劑；抗靜電劑；抗氧化劑；微粒子；界面活性劑等添加劑。
並且，在不阻礙本實施型態相關之製造方法之效果的範圍中，形成樹脂層的樹脂亦可包含得將所使用之雷射光線吸收的光吸收劑。
樹脂中得包含之光吸收劑的含有率，以20重量%以下為佳，以15重量%以下為較佳，以10重量%以下為更佳，且通常為0重量%以上，亦可為0.01重量%以上。
樹脂層以由含脂環結構樹脂所形成的層體為佳。含脂環結構樹脂通常包含含脂環結構聚合物。所謂含脂環結構聚合物，係聚合物的結構單元具有脂環結構的聚合物。
包含含脂環結構聚合物的樹脂通常透明性、尺寸穩定性、相位差顯現性及在低溫下的延伸性等特性優異。
含脂環結構聚合物得定為在主鏈具有脂環結構的聚合物、在側鏈具有脂環結構的聚合物、在主鏈及側鏈具有脂環結構的聚合物，以及此等之2種以上之任意比率的混合物。其中，就機械性強度及耐熱性的觀點而言，以在主鏈具有脂環結構的聚合物為佳。
作為脂環結構之例，可列舉：飽和脂環烴（環烷）結構及不飽和脂環烴（環烯、環炔）結構。其中，就機械強度及耐熱性的觀點而言，以環烷結構及環烯結構為佳，其中以環烷結構為尤佳。
構成脂環結構的碳原子數，每一個脂環結構以4個以上為佳，以5個以上為較佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為尤佳。若構成脂環結構的碳原子數為此範圍，則含脂環結構樹脂的機械強度、耐熱性及成形性可取得高度平衡。
在含脂環結構聚合物中，具有脂環結構之結構單元的比例，得視切割薄膜之使用目的而選擇。在含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之結構單元的比例，以55重量%以上為佳，以70重量%以上為更佳，以90重量%以上為尤佳。若在含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之結構單元的比例位於此範圍，則含脂環結構樹脂的透明性及耐熱性變佳。
含脂環結構聚合物之中，以環烯烴聚合物為佳。所謂環烯烴聚合物，係具有將環烯烴單體聚合而獲得之結構的聚合物。並且，環烯烴單體係「具有以碳原子形成之環結構，且在該環結構中具有聚合性之碳―碳雙鍵」的化合物。作為聚合性之碳―碳雙鍵之例，可舉出能開環聚合等聚合之碳―碳雙鍵。並且，作為環烯烴單體之環結構之例，可列舉：單環、多環、稠環、橋環及將此等組合的多環等。其中，就使所獲得之聚合物之介電特性及耐熱性等特性取得高度平衡的觀點而言，以多環的環烯烴單體為佳。
作為前述環烯烴聚合物之中良佳者，可列舉：降𦯉烯系聚合物、單環之環烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物及此等之氫化物等。此等之中，降𦯉烯系聚合物由於成形性良好，故尤其合適。
作為降𦯉烯系聚合物之例，可列舉：具有降𦯉烯結構之單體的開環聚合物及其氫化物；具有降𦯉烯結構之單體的加成聚合物及其氫化物。並且，作為具有降𦯉烯結構之單體的開環聚合物之例，可列舉：具有降𦯉烯結構之1種單體的開環均聚物、具有降𦯉烯結構之2種以上之單體的開環共聚物，以及具有降𦯉烯結構之單體及得與之共聚合之其他單體的開環共聚物。再者，作為具有降𦯉烯結構之單體的加成聚合物之例，可列舉：具有降𦯉烯結構之1種單體的加成均聚物、具有降𦯉烯結構之2種以上之單體的加成共聚物，以及具有降𦯉烯結構之單體及得與之共聚合之其他單體的加成共聚物。此等之中，具有降𦯉烯結構之單體之開環聚合物的氫化物，就成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸穩定性、輕量性等觀點而言尤其合適。
含脂環結構樹脂除了含脂環結構聚合物，還得包含含脂環結構聚合物以外的任意聚合物。含脂環結構聚合物以外的任意聚合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。
在含脂環結構樹脂中之含脂環結構聚合物的比例，理想上為100重量%，以80重量%以上為佳，以90重量%以上為較佳，以99重量%以上為尤佳。藉由將含脂環結構聚合物的比例做成前述範圍之下限值以上，可獲得霧度小的含脂環結構樹脂。
樹脂層之以在用於裁切之雷射光線之波長為佳的吸光度，以0.10以下為佳，以0.08以下為較佳，以0.06以下為更佳，且通常為0以上，以大於0為佳，亦可做成0.01以上。藉由樹脂層的吸光度落於前述範圍，得有效減小在切割薄膜中之雷射處理影響部之幅寬。
樹脂層的厚度，以1 μm以上為佳，以3 μm以上為較佳，以5 μm以上為尤佳，並且以200 μm以下為佳，以150 μm以下為較佳，以100 μm以下為尤佳。藉由將樹脂層的厚度做成前述範圍之下限值以上，切割前薄膜及切割薄膜的處理性會變得容易。並且，藉由做成上限值以下，利用雷射光線的裁切會變得容易。
［2.切割薄膜］
根據本實施型態的製造方法可製造切割薄膜，其係經雷射光線裁切的切割薄膜，其中前述切割薄膜包含樹脂層，前述雷射光線的波長為400 nm以上且850 nm以下，前述切割薄膜在前述雷射光線之波長的吸光度為0.10以下。
藉由本實施型態之製造方法所製造的切割薄膜，由於係將切割前薄膜裁切而獲得的薄膜，故切割薄膜所包含之樹脂層之例及佳例以及切割薄膜之物性的良佳範圍，亦與切割前薄膜所包含之樹脂層之例及佳例以及切割前薄膜之物性的良佳範圍相同。並且，在切割前薄膜除了樹脂層還包含接合層、偏光件層等任意層體的情況下，切割薄膜亦除了樹脂層還包含此種任意層體。
藉由本實施型態之製造方法所製造的切割薄膜，在樹脂層中之雷射處理影響部之幅寬為小。在切割薄膜之樹脂層中之雷射處理影響部之幅寬，以60 μm以下為佳，以50 μm以下為較佳，以40 μm以下為更佳，理想上為0 μm，但亦可為1 μm以上。
雷射處理影響部之幅寬得藉由下述方法來量測。
使用切片機將切割薄膜裁切。此時，使用切片機之裁切，以獲得垂直於「雷射光線掃描切割前薄膜之表面之線」之剖面的方式來進行。之後，藉由利用光學顯微鏡觀察由切片機切斷的剖面，得量測雷射處理影響部之幅寬L。
使用圖式更詳細說明在切割薄膜中之雷射處理影響部之幅寬L。圖1係繪示由包含樹脂層之切割前薄膜所製造之切割薄膜的剖面示意圖。
在切割薄膜100所包含之樹脂層110中，雷射處理影響部111形成為因裁切時產生的熱而變形的部分。通常，樹脂層110的雷射處理影響部111包含樹脂層110的裁切面112，與在鄰接於樹脂層110之裁切面112之區域中樹脂層110之厚度變得較裁切前還厚的部分113。在樹脂層110中，此樹脂層110之厚度變得較裁切前還厚的部分113經常被觀察為較雷射處理影響部111以外之部分114還隆起的部分。
所謂雷射處理影響部之幅寬L，係在切割薄膜100中之樹脂層110中之因雷射處理而受到影響的部分之水平方向的幅寬，係自「與裁切處之中心X最接近之部分的位置」至「離裁切處之中心X最遠之因雷射處理而受到影響之部分的位置」的距離。具體而言，雷射處理影響部111之幅寬L係自「樹脂層110的裁切面112之與裁切處之中心X最接近之部分的位置」至「樹脂層110之厚度D變得較裁切前還厚的部分113之與裁切面112相反之側之端」的長度。
圖2係繪示由包含樹脂層及偏光件層之切割前薄膜所製造之切割薄膜的剖面示意圖。
在包含樹脂層210及偏光件層220的切割薄膜200中，亦得如同圖1所示之切割薄膜100來決定雷射處理影響部211之幅寬L。
具體而言，雷射處理影響部211之幅寬L係自「切割薄膜200的裁切面212之與裁切處之中心X最接近之部分的位置」至「切割薄膜200之厚度D變得較裁切前還厚的部分213之與裁切面212相反之側之端」的長度。
在如此操作而獲得的切割薄膜，亦可視需求施以任意處理。作為此種任意處理，可列舉例如：延伸處理、表面處理、與其他薄膜的貼合處理等。
前述切割薄膜得用於任意用途。舉例而言，亦可使用切割薄膜作為光學薄膜。並且，切割薄膜可單獨使用，亦可與其他任意部件組合使用。舉例而言，亦可裝入液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置、電漿顯示裝置、FED（場發射）顯示裝置、SED（表面電場）顯示裝置等顯示裝置來使用。再者，切割薄膜亦可作為偏光件的保護薄膜使用。
［3.切割薄膜用薄膜］
前述切割前薄膜有利於用以利用波長400 nm以上且850 nm以下之雷射光線裁切以獲得雷射處理影響部之幅寬為小的切割薄膜。因此，藉由本發明，可提供：用以利用波長400 nm以上且850 nm以下之雷射光線裁切以獲得切割薄膜的切割薄膜用薄膜。前述切割薄膜用薄膜包含樹脂層，可利用波長400 nm以上且850 nm以下的雷射光線將前述切割薄膜用薄膜裁切以獲得切割薄膜，前述切割薄膜用薄膜在前述雷射光線之波長的吸光度為0.10以下。
在切割薄膜用薄膜中之樹脂層之例及佳例以及切割薄膜用薄膜之物性的良佳範圍，得定為與在前述切割前薄膜中之樹脂層之例及佳例、切割前薄膜之物性的良佳範圍相同。
『實施例』
以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下揭示之實施例者，在不脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中，得任意變更而實施。
以下說明的操作，除非另有註記，否則在常溫及常壓的條件下進行。
［評價方法］
（吸光度）
除了比較例2，在實施例及比較例中，藉由下述方法量測吸光度。
將切割前薄膜裁切成20×20 mm的大小。使用紫外線可見光分光光度計（島津製作所製「UV-1800」）在波長200 nm～800 nm的範圍量測在薄膜之厚度方向上的吸光度。之後，讀取在用於加工之雷射光線之波長的吸光度。
在比較例2中，藉由下述方法量測吸光度。
將切割前薄膜裁切成20×20 mm的大小，使用傅立葉轉換紅外光譜分析（Perkin Elmer公司製「Spectrum Two（商標）」）在波數800 cm－ 1 ～2000 cm－ 1 的範圍量測在厚度方向上的吸光度。之後，讀取在波數1065 cm－ 1 （波長9.4×103 nm）的吸光度。
（雷射處理影響部之幅寬的量測方法）
使用切片機將具有裁切面的試樣薄膜裁切。此時，使用切片機之裁切，以獲得「垂直於雷射光線掃描之線」之剖面的方式來進行。利用光學顯微鏡觀察此剖面，量測雷射處理影響部之幅寬L。
［實施例1］
（準備包含樹脂層之切割前薄膜的工序）
準備包含降𦯉烯系聚合物的含脂環結構樹脂（日本瑞翁公司製「Zeonor」）。使用T字模具式之薄膜熔融擠製成形機，將此含脂環結構樹脂成形成薄膜狀，獲得僅由含脂環結構樹脂之層體（L1）而成的切割前薄膜。成形時的條件為模唇800 μm、T字模具之幅寬300 mm、熔融樹脂溫度260℃、鑄造輥溫度115℃。切割前薄膜的厚度，亦即，樹脂層的厚度為50 μm。
切割前薄膜的吸光度藉由前述方法來量測。
（裁切工序）
準備得照射二次諧波之雷射光線的YAG（釔鋁石榴石）雷射裝置（SPECTRONIX公司製「LVE-G1000」）作為雷射振盪器。自此雷射振盪器對前述切割前薄膜照射波長532 nm、平均輸出（強度）10 W、脈寬15 ns的脈衝雷射光線。此時，前述雷射光線以使之直線掃描切割前薄膜之表面的方式照射。切割前薄膜在所照射之雷射光線掃描過的部分被裁切。藉此，獲得具有裁切面的切割薄膜。
包含切割薄膜之樹脂層的雷射處理影響部之幅寬L藉由前述方法來量測。
［實施例2］
除了將下述事項變更以外，比照實施例1操作，將切割前薄膜裁切。 ・將雷射振盪器變更為得照射二次諧波之雷射光線的YAG雷射裝置（SPECTRONIX公司製「LDH-1000」）。 ・將雷射光線的脈寬變更為50 ps。
［實施例3］
除了將下述事項變更以外，比照實施例1操作，將切割前薄膜裁切。 ・使用厚度50 μm的三乙酸纖維素薄膜作為切割前薄膜（樹脂層)。
〔實施例4〕
除了將下述事項變更以外，比照實施例1操作，將切割前薄膜裁切。
‧將實施例1之切割前薄膜變更為藉由下述工序而獲得的切割前薄膜。
準備作為偏光件層之層體(P1)。作為偏光件層之層體(P1)係碘吸附定向於聚乙烯醇且厚度為15μm的薄膜。在作為偏光件層之層體(P1)之一面上，使用接合劑將由實施例1所準備之作為樹脂層的含脂環結構樹脂之層體(L1)貼合。作為接合劑，使用包含聚乙烯醇及水溶性環氧樹脂的水溶液。藉此，獲得依序具備含脂環結構樹脂之層體(L1)、接合劑之層體及作為偏光件層之層體(P1)的切割前薄膜。
‧切割前薄膜之含脂環結構樹脂之層體(L1)以朝向雷射光源側的方式設置於雷射裝置，將切割前薄膜裁切。將雷射光線的平均輸出(強度)變更為15W。
〔比較例1〕
除了將下述事項變更以外，比照實施例1操作，將切割前薄膜裁切。
‧使用厚度50μm的聚醯亞胺薄膜作為切割前薄膜(樹脂層)。
〔比較例2〕
除了將下述事項變更以外，比照實施例1操作，將 切割前薄膜裁切。
‧將雷射振盪器變更為COHERENT公司製「DIAMOND E-250i」。
‧將雷射光線的波長變更為9400nm、平均輸出(強度)變更為70W、脈寬變更為100ns。
〔比較例3〕
除了將下述事項變更以外，比照實施例1操作，將切割前薄膜裁切。
‧將雷射振盪器變更為COHERENT公司製「AVIA 266-3」。
‧將雷射光線的波長變更為266nm、平均輸出(強度)變更為3W。
〔比較例4〕
除了將下述事項變更以外，比照實施例1操作，將切割前薄膜裁切。
‧將實施例1之切割前薄膜變更為藉由下述工序而獲得的切割前薄膜。
在由實施例4中準備的作為偏光件層之層體(P1)之一面上，使用接合劑將厚度50μm之作為樹脂層的聚醯亞胺薄膜貼合。作為接合劑，使用包含聚乙烯醇及水溶性環氧樹脂的水溶液。藉此，獲得依序具備聚醯亞胺之層體、接合劑之層體及作為偏光件層之層體(P1)的切割前薄膜。
‧切割前薄膜之聚醯亞胺的層體以朝向雷射光源側的方式設 置於雷射裝置，將切割前薄膜裁切。將雷射光線的平均輸出(強度)變更為15W。
實施例及比較例的結果揭示於下述表。
表中的簡稱表示下述意義。
COP：含脂環結構樹脂之層體
TAC：三乙酸纖維素薄膜
COP/PVA：包含含脂環結構樹脂之層體(L1)及作為偏光件層之層體(P1)的堆疊薄膜
PI：聚醯亞胺薄膜
PI/PVA：包含聚醯亞胺薄膜及作為偏光件層之層體(P1)的堆疊薄膜
並且，表中之薄膜厚度之欄位，在薄膜為包含樹脂層及作為偏光件層之層體(P1)之堆疊薄膜的情況下，表示為「樹脂層的厚度/作為偏光件層之層體(P1)的厚度」。
Figure 108129245-A0305-02-0022-1
『表2』
Figure 108129245-A0304-0002
自以上結果可知以下內容。
在實施例1～4相關之製造方法中，所獲得之切割薄膜的雷射處理影響部之幅寬L為55 μm以下之小。
另一方面，在雷射光線波長之切割前薄膜的吸光度較0.10大的比較例1、比較例3及比較例4相關之製造方法，所獲得之切割薄膜的雷射處理影響部之幅寬L為大。
再者，在使用之雷射光線的波長未達400 nm的比較例3及超過850 nm的比較例2相關之製造方法中，所獲得之切割薄膜的雷射處理影響部之幅寬L為大。
100‧‧‧切割薄膜 110‧‧‧樹脂層 111‧‧‧雷射處理影響部 112‧‧‧裁切面 113‧‧‧部分 200‧‧‧切割薄膜 210‧‧‧樹脂層 211‧‧‧雷射處理影響部 212‧‧‧裁切面 213‧‧‧部分 220‧‧‧偏光件層 L‧‧‧雷射處理影響部之幅寬 X‧‧‧裁切處之中心
〈圖1〉圖1係繪示由包含樹脂層之切割前薄膜所製造之切割薄膜的剖面示意圖。 〈圖2〉圖2係繪示由包含樹脂層及偏光件層之切割前薄膜所製造之切割薄膜的剖面示意圖。
100‧‧‧切割薄膜
110‧‧‧樹脂層
111‧‧‧雷射處理影響部
112‧‧‧裁切面
113‧‧‧部分
114‧‧‧部分
D‧‧‧厚度
L‧‧‧雷射處理影響部之幅寬
X‧‧‧裁切處之中心

Claims (9)

  1. 一種切割薄膜的製造方法，其包含利用波長400 nm以上且850 nm以下的雷射光線將包含樹脂層的切割前薄膜裁切，以獲得切割薄膜，其中前述切割前薄膜在前述雷射光線之波長的吸光度為0.10以下。
  2. 如請求項1所述之切割薄膜的製造方法，其中前述雷射光線為YAG雷射裝置的二次諧波。
  3. 如請求項1或2所述之切割薄膜的製造方法，其中前述雷射光線為脈寬未達1 μs的脈衝光。
  4. 如請求項1或2所述之切割薄膜的製造方法，其中前述樹脂層為含脂環結構樹脂的層體。
  5. 如請求項1或2所述之切割薄膜的製造方法，其中前述切割前薄膜的厚度為200 μm以下。
  6. 如請求項1或2所述之切割薄膜的製造方法，其中前述切割前薄膜更包含偏光件層。
  7. 一種切割薄膜，其係經雷射光線裁切的切割薄膜，其中前述切割薄膜包含樹脂層，前述雷射光線的波長為400 nm以上且850 nm以下，前述切割薄膜在前述雷射光線之波長的吸光度為0.10以下。
  8. 如請求項7所述之切割薄膜，其更包含偏光件層。
  9. 一種切割薄膜用薄膜，其係用以利用波長400 nm以上且850 nm以下之雷射光線裁切以獲得切割薄膜的切割薄膜用薄膜，其中前述切割薄膜用薄膜包含樹脂層，前述切割薄膜用薄膜在前述雷射光線之波長的吸光度為0.10以下。
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