JPH03203343A - 検査方法 - Google Patents
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- JPH03203343A JPH03203343A JP1341139A JP34113989A JPH03203343A JP H03203343 A JPH03203343 A JP H03203343A JP 1341139 A JP1341139 A JP 1341139A JP 34113989 A JP34113989 A JP 34113989A JP H03203343 A JPH03203343 A JP H03203343A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2898—Sample preparation, e.g. removing encapsulation, etching
-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、パッシベーション膜処理したＩＣチップ等の
被検査体の検査方法に関するものである。
被検査体の検査方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、ＩＣチップ内の波形測定を行う場合は、パッシベ
ーション処理を行わない状態で組立てたＩＣチップやウ
ェハを使用するか、あるいは既にパッシベーション膜を
処理済みのＩＣチップやウェハに関しては、プラズマエ
ラチャ等によりパッシベーション膜を全面に除去する必
要があり、全面除去した後に初めて波形測定が可能であ
った。
ーション処理を行わない状態で組立てたＩＣチップやウ
ェハを使用するか、あるいは既にパッシベーション膜を
処理済みのＩＣチップやウェハに関しては、プラズマエ
ラチャ等によりパッシベーション膜を全面に除去する必
要があり、全面除去した後に初めて波形測定が可能であ
った。
特に、組立てたＩＣが不良品と判断され、そのＩＣチッ
プ内部の不良箇所を検査する場合にはＩＣチップのバッ
ジベージ３ン膜を全面にわったて除去し、その後マニュ
アルプローバのプローブ針で微細パターンにコンタクト
して検査するのが通常の方法であった。
プ内部の不良箇所を検査する場合にはＩＣチップのバッ
ジベージ３ン膜を全面にわったて除去し、その後マニュ
アルプローバのプローブ針で微細パターンにコンタクト
して検査するのが通常の方法であった。
（発明が解決しようとする課１ｉ）
しかし、バッジベージづン膜を施していない場合は特に
問題はないが、膜処理後において検査する場合は、被検
査位置以外まで全表面を全て除去しなければならないの
で、工程の負担となっていた。特に、第３図に示すよう
に、部分的にＩＣチップ１１のアルミパターン１２を検
査する場合は、低容量の微細針１３をアルミパターン１
２にコンタクトして行うので、微細針１３がアルミパタ
ーン１２上を横滑りしてしまい不安定な検査を余儀なく
されている実情にあった。また、全面除去処理によりＩ
Ｃ自体の電気特性が変化してしまうという問題があった
。
問題はないが、膜処理後において検査する場合は、被検
査位置以外まで全表面を全て除去しなければならないの
で、工程の負担となっていた。特に、第３図に示すよう
に、部分的にＩＣチップ１１のアルミパターン１２を検
査する場合は、低容量の微細針１３をアルミパターン１
２にコンタクトして行うので、微細針１３がアルミパタ
ーン１２上を横滑りしてしまい不安定な検査を余儀なく
されている実情にあった。また、全面除去処理によりＩ
Ｃ自体の電気特性が変化してしまうという問題があった
。
本発明は、上記の事情に鑑みて開発したものであり、パ
ッシベーション膜の被検査位置のみを迅速に除去するよ
うにしてこの位置より確実に、かつ安定した検査ができ
得るようにすることを目的としている。
ッシベーション膜の被検査位置のみを迅速に除去するよ
うにしてこの位置より確実に、かつ安定した検査ができ
得るようにすることを目的としている。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、パッシベーション膜処理を施した被検査体を
検査するにあたり、この被検査体の少なくとも被検査位
置を被覆しているパッシベーション膜をレーザビームに
より除去して開口部を設け、この開口部より電気的検査
を行うようにしたパッシベーション膜付き被検査体の検
査方法であ′る。
検査するにあたり、この被検査体の少なくとも被検査位
置を被覆しているパッシベーション膜をレーザビームに
より除去して開口部を設け、この開口部より電気的検査
を行うようにしたパッシベーション膜付き被検査体の検
査方法であ′る。
（作 用）
従って、本発明によると、パッシベーション膜処理を施
したＩＣチップ等の被検査体の内部を部分的に検査する
場合、レーザビームにより、当該位置のパッシベーショ
ン膜を例えばｏ、３〜２μｍ角程度除去して開口部を形
成し、この開口部より波形採取等の検査を行うことがで
きる。しかも、この開口の形成を大気中で実施すること
ができる。
したＩＣチップ等の被検査体の内部を部分的に検査する
場合、レーザビームにより、当該位置のパッシベーショ
ン膜を例えばｏ、３〜２μｍ角程度除去して開口部を形
成し、この開口部より波形採取等の検査を行うことがで
きる。しかも、この開口の形成を大気中で実施すること
ができる。
この場合、例えば１μＦ以下で低容量のプローブ針を開
口部よりＩＣチップ内部のアルミパターンにコンタクト
して波形採集を迅速に行うことができ、プローブ針の横
滑り現象も防止でき、しかも外部振動の影響も除去でき
安定したコンタクトが可能となる。
口部よりＩＣチップ内部のアルミパターンにコンタクト
して波形採集を迅速に行うことができ、プローブ針の横
滑り現象も防止でき、しかも外部振動の影響も除去でき
安定したコンタクトが可能となる。
（実施例）
以下、本発明におけるパッシベーション膜付き被検査体
の検査方法につき、ＩＣチップ内部の検査方法を例にし
てその実施例を詳述する。
の検査方法につき、ＩＣチップ内部の検査方法を例にし
てその実施例を詳述する。
第１図において、ＩＣチップ（被検査体）ｌを保護する
ために表面に酸化膜等を被覆してパッシベーション膜２
を施している。このパッシベーション膜２は、ＣＶＤ法
によるシリコン窒化膜や酸化膜、ＰＳＧ（リンシリケー
トガラス）膜等が施され、湿気、金属イオン、腐蝕性ガ
スなどの化学物質による汚染や、機械的な損傷、塵埃等
の付着を防止するために行うものである。
ために表面に酸化膜等を被覆してパッシベーション膜２
を施している。このパッシベーション膜２は、ＣＶＤ法
によるシリコン窒化膜や酸化膜、ＰＳＧ（リンシリケー
トガラス）膜等が施され、湿気、金属イオン、腐蝕性ガ
スなどの化学物質による汚染や、機械的な損傷、塵埃等
の付着を防止するために行うものである。
上記パッシベーション処理後のＩＣチップ１の電気的特
性を部分的に検査する場合がある。この際、この被検査
位置１ａのアルミパターンを被覆しているパッシベーシ
ョン膜２を除去して開口部３を設け、この開口部３より
微細パターンの波形採取等の検査を行うようにする。
性を部分的に検査する場合がある。この際、この被検査
位置１ａのアルミパターンを被覆しているパッシベーシ
ョン膜２を除去して開口部３を設け、この開口部３より
微細パターンの波形採取等の検査を行うようにする。
膜除去手段として、本実施例ではレーザビーム手段を用
いている。
いている。
第２図において、対物レンズ６ａと接眼レンズ６ｂを含
んで顕微鏡を構成し、光に６ｃから出力された光はミラ
ー６ｆで反射されて対物レンズ６ａを介してＩＣチップ
等の検査体１上に導かれる。
んで顕微鏡を構成し、光に６ｃから出力された光はミラ
ー６ｆで反射されて対物レンズ６ａを介してＩＣチップ
等の検査体１上に導かれる。
従って、この光源６Ｃからの照射光によってレーザビー
ム照射の位置決めができると共に、この場合の検査体１
の上面からの反射光を例えばミラー６ｇにより、撮像部
例えばＣＣＤカメラ６ｋを介してモニタ６ｄ側へ導くこ
とにより、ＩＣチップ表面等の画像をモニタ６ｄに映し
出すことができる。
ム照射の位置決めができると共に、この場合の検査体１
の上面からの反射光を例えばミラー６ｇにより、撮像部
例えばＣＣＤカメラ６ｋを介してモニタ６ｄ側へ導くこ
とにより、ＩＣチップ表面等の画像をモニタ６ｄに映し
出すことができる。
また、レーザ発振器６ｅを減衰フィルタ６ｈ絞り６１と
共に設けており、上記レーザ発振器６ｅとしてはＮｄ−
ＹＡＧレーザやＡ「レーザ等を用いることができ、実施
例では波長が０．５μｍ程度のレーザビームを使用して
いる。
共に設けており、上記レーザ発振器６ｅとしてはＮｄ−
ＹＡＧレーザやＡ「レーザ等を用いることができ、実施
例では波長が０．５μｍ程度のレーザビームを使用して
いる。
一般に、ＩＣチップ等の表面に形成されているバッジベ
ージ□ンＩＩ（保護膜）２は、厚さ１μ程度の５ｉｎ２
系（ガラス系）の材料からなっているので、このパッシ
ベーション膜２に吸収されやすい種類のレーザビームを
用い、このレーザビームを所定の強度１回数で出力する
ことにより、開口部３のパッシベーション膜を良好に除
去することができる。
ージ□ンＩＩ（保護膜）２は、厚さ１μ程度の５ｉｎ２
系（ガラス系）の材料からなっているので、このパッシ
ベーション膜２に吸収されやすい種類のレーザビームを
用い、このレーザビームを所定の強度１回数で出力する
ことにより、開口部３のパッシベーション膜を良好に除
去することができる。
この種のレーザビームは、従来においてＩＣ内部のアル
ミ配線カット用として用いられていたレーザビームとは
その強度、波長等において相違しており、波長０．５μ
ｍ程度のレーザビームを用いてＩＣチップ等の表層のパ
ッシベーション膜のみをカットするものである。
ミ配線カット用として用いられていたレーザビームとは
その強度、波長等において相違しており、波長０．５μ
ｍ程度のレーザビームを用いてＩＣチップ等の表層のパ
ッシベーション膜のみをカットするものである。
次に、作用について説明する。
まず、モニタ６ｄからＩＣチップ等の検査体１の上面を
見ながら、光源６Ｃからの照射光によって検査体位置１
ａに位置決めを行う。そして、レーザ発振器６ｅからレ
ーザビーム６ｊを出力し、減衰フィルタ６ｈにより出力
強度を調整すると共に、絞り６１によりビームを絞るこ
とにより、実施例では０．３〜２μｍ角程度の開口部３
を形成することができる。
見ながら、光源６Ｃからの照射光によって検査体位置１
ａに位置決めを行う。そして、レーザ発振器６ｅからレ
ーザビーム６ｊを出力し、減衰フィルタ６ｈにより出力
強度を調整すると共に、絞り６１によりビームを絞るこ
とにより、実施例では０．３〜２μｍ角程度の開口部３
を形成することができる。
この後、この開口部３より１μＦ以下で低容量のプロー
ブ針５を第１図に示すようにコンタクトさせて波形測定
等の検査をする。この場合、開口部３内でプローブ針５
をコンタクトさせるので、パターンからの脱落がなく、
横滑り現象も防止でき安定したコンタクトが可能となる
。しかも、このような小径の開口部３を形成することで
、電気的特性検査時の外部振動の影響をも除去できるこ
とが確認できた。これは、パッシベーション膜２に設け
た開口部３の内壁によって、第１図に示すようにプロー
ブ針５の先端外周を囲むように保持できるためである。
ブ針５を第１図に示すようにコンタクトさせて波形測定
等の検査をする。この場合、開口部３内でプローブ針５
をコンタクトさせるので、パターンからの脱落がなく、
横滑り現象も防止でき安定したコンタクトが可能となる
。しかも、このような小径の開口部３を形成することで
、電気的特性検査時の外部振動の影響をも除去できるこ
とが確認できた。これは、パッシベーション膜２に設け
た開口部３の内壁によって、第１図に示すようにプロー
ブ針５の先端外周を囲むように保持できるためである。
さらに、レーザビームを用いるので、膜除去を大気中で
行うことができるという利点があり、従って検査手段の
構成が簡略化され、検査コストを低減できる。
行うことができるという利点があり、従って検査手段の
構成が簡略化され、検査コストを低減できる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
［発明の効果］
以上のことから明らかなように、本発明による次のよう
な優れた効果がある。
な優れた効果がある。
すなわち、パッシベーション膜の被検査位置のみをレー
ザビームにより除去した開口部より微細パターンにプロ
ーブ針をコンタクトさせて検査することができるため、
ＩＣ内部からの波形採取を迅速に行うことができると共
に、プローブ針先の横滑りもなく、また、外部振動の影
響も除去でき、従来と比較して安定した波形採取等の検
査ができ得る等の効果がある。
ザビームにより除去した開口部より微細パターンにプロ
ーブ針をコンタクトさせて検査することができるため、
ＩＣ内部からの波形採取を迅速に行うことができると共
に、プローブ針先の横滑りもなく、また、外部振動の影
響も除去でき、従来と比較して安定した波形採取等の検
査ができ得る等の効果がある。
また、膜除去をレーザビームにより行っているので、大
気中で容易に検査することができ、検査コストを低減で
きるという効果がある。
気中で容易に検査することができ、検査コストを低減で
きるという効果がある。
第１図は、本発明の検査方法の一例を示し、微細パター
ンにプローブ針をコンタクトさせた波形採取を行う状態
を示した部分拡大断面図、第２図は、レーザビーム手段
を説明するための概略説明図、 第３図は、ＩＣチップにプローブ針をコンタクトさせて
波形採取を行う従来例を示した部分断面図である。 ｌ・・・被検査体、１ａ・・・被検査位置、２・・・パ
ッシベーション膜、３・・・開口部、５・・・プローブ
針、 ６・・・レーザビーム手段。
ンにプローブ針をコンタクトさせた波形採取を行う状態
を示した部分拡大断面図、第２図は、レーザビーム手段
を説明するための概略説明図、 第３図は、ＩＣチップにプローブ針をコンタクトさせて
波形採取を行う従来例を示した部分断面図である。 ｌ・・・被検査体、１ａ・・・被検査位置、２・・・パ
ッシベーション膜、３・・・開口部、５・・・プローブ
針、 ６・・・レーザビーム手段。
Claims (1)
- （１）パッシベーション膜処理を施した被検査体を検査
するに際し、この被検査体の少なくとも被検査位置を被
覆しているパッシベーション膜をレーザビームで除去し
て開口部を設け、この開口部より電気的検査を行うよう
にしたことを特徴とする検査方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341139A JPH03203343A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 検査方法 |
| US07/625,426 US5126662A (en) | 1989-12-29 | 1990-12-11 | Method of testing a semiconductor chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341139A JPH03203343A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03203343A true JPH03203343A (ja) | 1991-09-05 |
Family
ID=18343620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1341139A Pending JPH03203343A (ja) | 1989-12-29 | 1989-12-29 | 検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5126662A (ja) |
| JP (1) | JPH03203343A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7544733B2 (en) | 1996-09-06 | 2009-06-09 | Orica Australia Pty Ltd. | Stain resistant water-borne coating composition |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239260A (en) * | 1991-06-28 | 1993-08-24 | Digital Equipment Corporation | Semiconductor probe and alignment system |
| US20020053734A1 (en) | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
| US5867032A (en) * | 1995-11-30 | 1999-02-02 | Motorola, Inc. | Process for testing a semiconductor device |
| US6107816A (en) * | 1997-04-30 | 2000-08-22 | Lucent Technologies Inc. | Test apparatus for time dependent dielectric breakdown |
| US6433571B1 (en) | 1998-07-06 | 2002-08-13 | Motorola, Inc. | Process for testing a semiconductor device |
| KR100570070B1 (ko) * | 2003-11-18 | 2006-04-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 습기창을 구비한 구리배선의 신뢰성 측정용 테스트패턴 및그 제조 방법 |
| DE102007015283A1 (de) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Qimonda Ag | Testvorrichtung für Halbleiterbauelemente |
| JP7318652B2 (ja) * | 2018-08-20 | 2023-08-01 | 日本ゼオン株式会社 | カットフィルムの製造方法及びカットフィルム |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4103228A (en) * | 1977-05-16 | 1978-07-25 | Rca Corp. | Method for determining whether holes in dielectric layers are opened |
| US4242152A (en) * | 1979-05-14 | 1980-12-30 | National Semiconductor Corporation | Method for adjusting the focus and power of a trimming laser |
| JPS6014441A (ja) * | 1983-07-04 | 1985-01-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| US4785157A (en) * | 1986-01-09 | 1988-11-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for controlling electric resistance of a compound-type resistors |
| US4764485A (en) * | 1987-01-05 | 1988-08-16 | General Electric Company | Method for producing via holes in polymer dielectrics |
| JPS63231858A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-27 | Hitachi Ltd | 電子ビ−ム装置 |
| US4921810A (en) * | 1988-06-22 | 1990-05-01 | Nec Electronics Inc. | Method for testing semiconductor devices |
| US4978923A (en) * | 1989-04-26 | 1990-12-18 | Ron Maltiel | Electrical measurements of the profile of semiconductor devices during their manufacturing process |
-
1989
- 1989-12-29 JP JP1341139A patent/JPH03203343A/ja active Pending
-
1990
- 1990-12-11 US US07/625,426 patent/US5126662A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7544733B2 (en) | 1996-09-06 | 2009-06-09 | Orica Australia Pty Ltd. | Stain resistant water-borne coating composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5126662A (en) | 1992-06-30 |
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