JPS63151042A - 半導体結晶におけるイオン注入量測定方法 - Google Patents
半導体結晶におけるイオン注入量測定方法Info
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- JPS63151042A JPS63151042A JP62293041A JP29304187A JPS63151042A JP S63151042 A JPS63151042 A JP S63151042A JP 62293041 A JP62293041 A JP 62293041A JP 29304187 A JP29304187 A JP 29304187A JP S63151042 A JPS63151042 A JP S63151042A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- G—PHYSICS
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体製造技術の分野に関し、史に特定すると
製造過程中に実施されるイオン注入量測定技術の分野に
関する。
製造過程中に実施されるイオン注入量測定技術の分野に
関する。
（従来の技術）
イオン注入法とは高エネルギーイオンの打ち込みによっ
てウェハ近表面の化学及び物理的な組成を変化させる、
一般的な半導体￥Ｊ造工程の一つである。このイオン打
ち込みによって半導体の結晶格子は損傷を受ける。普通
、イオンビーム径（５＃ＩＩＩ＋）はウェハのサイズ（
７５−２５０ｍ）に比べて小さい。従って、ウェハに対
してイオンビームを走査することによってイオン注入け
を均一にすることが必要である。不適切な走査、ウェハ
の帯電またはビームの不安定性等を含む多くの要因によ
って、ウェハ表面でイオン注入量が不均一となる。イオ
ン注入量のこのような不均一性によって、当然、製造さ
れた半導体装置の電気的性質にばらつきが生じる。即ち
、イオン注入量の不均一性はその品質に直接のＩＩＩを
及ぼすものである。従って、イオン注入量を推定する技
術、またある場合は注入ｒｉ１の不均一性を推定する技
術が開発されてきた。
てウェハ近表面の化学及び物理的な組成を変化させる、
一般的な半導体￥Ｊ造工程の一つである。このイオン打
ち込みによって半導体の結晶格子は損傷を受ける。普通
、イオンビーム径（５＃ＩＩＩ＋）はウェハのサイズ（
７５−２５０ｍ）に比べて小さい。従って、ウェハに対
してイオンビームを走査することによってイオン注入け
を均一にすることが必要である。不適切な走査、ウェハ
の帯電またはビームの不安定性等を含む多くの要因によ
って、ウェハ表面でイオン注入量が不均一となる。イオ
ン注入量のこのような不均一性によって、当然、製造さ
れた半導体装置の電気的性質にばらつきが生じる。即ち
、イオン注入量の不均一性はその品質に直接のＩＩＩを
及ぼすものである。従って、イオン注入量を推定する技
術、またある場合は注入ｒｉ１の不均一性を推定する技
術が開発されてきた。
このような既知の測定技術の一つとして、直接シート抵
抗を測定するものがある。この方法では、ウェハは、格
子損傷を取り除き注入されたイオンを活性化するための
高温アニール（焼きなまし）の工程を経る。その後、同
一線上の４点プローブをウェハ表面に電気的に接触させ
、そのうちの２プロ一ブ間にＴｉ流を流すことが行われ
る。そして他の２７０一ブ間に・わたって電圧が測定さ
れ、抵抗値が検出される。
抗を測定するものがある。この方法では、ウェハは、格
子損傷を取り除き注入されたイオンを活性化するための
高温アニール（焼きなまし）の工程を経る。その後、同
一線上の４点プローブをウェハ表面に電気的に接触させ
、そのうちの２プロ一ブ間にＴｉ流を流すことが行われ
る。そして他の２７０一ブ間に・わたって電圧が測定さ
れ、抵抗値が検出される。
他の方法では、ウェハ中を伝播する熱波を利用している
。この方法では、レーザーエネルギーの高周波パルスが
半導体表面上に直接導入され、つ′エバ中を伝播する熱
波列が形成される。ウェハの表面温度は、このような波
がイオン注入による損傷を有する表面下を拡散していく
あいだに変化する。ウェハの表面温度は２次レーザビー
ムの反射をモニタして検出され、このようにしてイオン
注入量に関する信号が得られる。
。この方法では、レーザーエネルギーの高周波パルスが
半導体表面上に直接導入され、つ′エバ中を伝播する熱
波列が形成される。ウェハの表面温度は、このような波
がイオン注入による損傷を有する表面下を拡散していく
あいだに変化する。ウェハの表面温度は２次レーザビー
ムの反射をモニタして検出され、このようにしてイオン
注入量に関する信号が得られる。
イオン注入量の間接的な測定方法として、光学的線ｍ測
定と呼ばれるも−のがある。この方法では、ホトレジス
ト層で被覆されたガラスウェハが注入装置内でテスト片
として用いられる。このテスト片は強い注入を受けると
、ホトレジスト層を黒化させる。その結果、ホトレジス
ト層を通過した平行光線の透過量は、イオン注入量によ
って影響を受けることになり、これによって注入酊が測
定される。
定と呼ばれるも−のがある。この方法では、ホトレジス
ト層で被覆されたガラスウェハが注入装置内でテスト片
として用いられる。このテスト片は強い注入を受けると
、ホトレジスト層を黒化させる。その結果、ホトレジス
ト層を通過した平行光線の透過量は、イオン注入量によ
って影響を受けることになり、これによって注入酊が測
定される。
（発明の要約）
本発明の目的は、イオン注入された半導体結晶のイオン
注入片を直接測定する非接触型でかつ非破壊型の測定方
法およびその装置を提供するものである。
注入片を直接測定する非接触型でかつ非破壊型の測定方
法およびその装置を提供するものである。
本発明の他の目的は、半導体ウェハの製造過程中アニー
ル工程に先立ってイオン注入量を決定し、これによって
製造工程を完了する前にイオン注入工程における欠陥を
検出することが出来る測定技術を提供することである。
ル工程に先立ってイオン注入量を決定し、これによって
製造工程を完了する前にイオン注入工程における欠陥を
検出することが出来る測定技術を提供することである。
本発明の更に他の目的は、品質をモニタしイオン注入工
程 によって半導体製造過程におけるオートメ−シコンに理
想的に適するようにした測定技術を提供することである
。
程 によって半導体製造過程におけるオートメ−シコンに理
想的に適するようにした測定技術を提供することである
。
本発明の更に他の目的は、シリコン、ゲルマニウム、ヒ
化ガリウムおよびリン化インジュウムを含むいかなる結
晶体および半導体物質に対して適用可能なイオン注入量
測定システムを提供することである。
化ガリウムおよびリン化インジュウムを含むいかなる結
晶体および半導体物質に対して適用可能なイオン注入量
測定システムを提供することである。
本発明の更に伯の目的は、イオン注入された半導体結晶
表面に直射されるコヒーレント光エネルギー源を用い、
半導体結晶構造から反射される上記光エネルギーの第３
高調波強度を検出し測定する、イオン注入量測定技術を
提供することである。
表面に直射されるコヒーレント光エネルギー源を用い、
半導体結晶構造から反射される上記光エネルギーの第３
高調波強度を検出し測定する、イオン注入量測定技術を
提供することである。
（実施例）
第１図は、本発明の１実施例にかかる装置を示し、第２
図は第１図に示した装置によって得られた真空中および
空気中でのイオン注入量強度の測定結果を示す図である
。また第３図は予め規定されたイオン注入量境界を右す
るテストウェハを示し、第４図は第１図に示した装置に
よって第３図に示したデスｌ−ウェハを測定した時の測
定マツプを示するものである。
図は第１図に示した装置によって得られた真空中および
空気中でのイオン注入量強度の測定結果を示す図である
。また第３図は予め規定されたイオン注入量境界を右す
るテストウェハを示し、第４図は第１図に示した装置に
よって第３図に示したデスｌ−ウェハを測定した時の測
定マツプを示するものである。
第１図に示す実施例において、１０はＱ−スイッチＮｄ
：ＹＡＧレーザであり、基本波長が１．０６μで４ｎｓ
のパルスを１０Ｈ７の繰り返し数で発生する。レーザ１
０によって得られるパルスエネルギービームは偏光子１
２と平行光学系１４を通過する。平行化されたビームは
２色性ミラー１８に直射されここで半導体ウェハ３０の
表面上に反射される。つ１ハ３０は一般にＸ−Ｙ可動固
定台４０上におかれており、半導体結晶３０の表面上に
わたって多重サンプル測定が可能なようにされている。
：ＹＡＧレーザであり、基本波長が１．０６μで４ｎｓ
のパルスを１０Ｈ７の繰り返し数で発生する。レーザ１
０によって得られるパルスエネルギービームは偏光子１
２と平行光学系１４を通過する。平行化されたビームは
２色性ミラー１８に直射されここで半導体ウェハ３０の
表面上に反射される。つ１ハ３０は一般にＸ−Ｙ可動固
定台４０上におかれており、半導体結晶３０の表面上に
わたって多重サンプル測定が可能なようにされている。
ビームを走査させかつ半導体ウェハを固定することによ
って、異なった装置の配直になすことが可能である。
って、異なった装置の配直になすことが可能である。
ビームエネルギーのパルスが半導体結晶３０上に衝突す
ると、半導体３０の非直線性光学的性質のために基本波
長の高調波の反射が生じる。寸なわら、基本波長の第２
高調波が発生する。しかしながら、例えば一般にシリコ
ンのような対称中心を持つ結晶から放射される第２高調
波は、表面から数個の原子層からのものに限られること
が知られている。一方、発明者等は第３高調波が、基本
波長の吸収長すなわち第３１：Ｓ調波の吸収長に相当す
る結晶表面からの深さにおいて発生することを発見した
。従って、半導体結晶表面から約１０ｎｍである吸収長
に相当するプローブ深さは、イオン注入によって正常に
変化した材料の体積に相当する。勿論イオン注入過程で
生じた格子損傷は純粋の結・晶構造に比べて第３高調波
の強度に影響を及ぼす。従って、イオン注入量における
不均一性は、半導体結晶３０の表面からのこのような第
３高調波の放射におけるばらつきとして示される。
ると、半導体３０の非直線性光学的性質のために基本波
長の高調波の反射が生じる。寸なわら、基本波長の第２
高調波が発生する。しかしながら、例えば一般にシリコ
ンのような対称中心を持つ結晶から放射される第２高調
波は、表面から数個の原子層からのものに限られること
が知られている。一方、発明者等は第３高調波が、基本
波長の吸収長すなわち第３１：Ｓ調波の吸収長に相当す
る結晶表面からの深さにおいて発生することを発見した
。従って、半導体結晶表面から約１０ｎｍである吸収長
に相当するプローブ深さは、イオン注入によって正常に
変化した材料の体積に相当する。勿論イオン注入過程で
生じた格子損傷は純粋の結・晶構造に比べて第３高調波
の強度に影響を及ぼす。従って、イオン注入量における
不均一性は、半導体結晶３０の表面からのこのような第
３高調波の放射におけるばらつきとして示される。
第１図に示した実施例中に示される２色性ミラーは、基
本波長を反射し第３高調波を透過するものが選択されて
いる。半導体結晶３０から放射された第３高調波は、２
色性ミラー１８、フィルター２０および偏光子２２を透
過してセンサ２４に達する。この場合、センサ２４は光
電子増倍管であって、センサ２４に入射する基本周波数
の第３高調波の強度に相当した電気出力信号を発生する
。
本波長を反射し第３高調波を透過するものが選択されて
いる。半導体結晶３０から放射された第３高調波は、２
色性ミラー１８、フィルター２０および偏光子２２を透
過してセンサ２４に達する。この場合、センサ２４は光
電子増倍管であって、センサ２４に入射する基本周波数
の第３高調波の強度に相当した電気出力信号を発生する
。
光電子増倍管２４の出力は、市販されている積分／平均
器２６に供給される。この発明を導いた実験に使用され
た積分／平均器は、ニューシャーシー州プリンストンの
ＥＧ＆Ｇ Ｐｒ＋ｎＣｅｔＯｎ Ａｐｐｌｉｅｄ１１ｅ
ｓｅａｒｃｈ社製の信号処理システムモデル４００であ
る。
器２６に供給される。この発明を導いた実験に使用され
た積分／平均器は、ニューシャーシー州プリンストンの
ＥＧ＆Ｇ Ｐｒ＋ｎＣｅｔＯｎ Ａｐｐｌｉｅｄ１１ｅ
ｓｅａｒｃｈ社製の信号処理システムモデル４００であ
る。
積分／平均器２６の救能は、光電子増倍管センサ２４の
出力パルスを分析し、センサにおける第３高調波の相対
強度を示す出力を供給するものである。
出力パルスを分析し、センサにおける第３高調波の相対
強度を示す出力を供給するものである。
半導体結晶３０の表面と、２色性ミラー１８の半導体に
向ってビームが反射される点との間の“Ｌ １１で示さ
れる距離は、これら２点間の媒体が空気であるとき、考
慮されるべき重要点となる。
向ってビームが反射される点との間の“Ｌ １１で示さ
れる距離は、これら２点間の媒体が空気であるとき、考
慮されるべき重要点となる。
真空中では、この距離“Ｌ ＩＦは任意である。しかし
ながら、空気中では、空気によって第３高調波が発生し
、２色性ミラー１８と半導体３０間の経路において発生
する正弦的性質の強度変化が散乱によって生じる。′Ｌ
″が空気中で発生した第３高調波のコヒーレンス長の偶
数倍に等しいとさ、真空媒体を用いた測定にほぼ一致す
る測定結果が得られることを発見した。
ながら、空気中では、空気によって第３高調波が発生し
、２色性ミラー１８と半導体３０間の経路において発生
する正弦的性質の強度変化が散乱によって生じる。′Ｌ
″が空気中で発生した第３高調波のコヒーレンス長の偶
数倍に等しいとさ、真空媒体を用いた測定にほぼ一致す
る測定結果が得られることを発見した。
上述した測定方法を実施することによって空気を媒体と
して用いることが出来ると言う事実は、この測定方法を
オートメーション工程に極めて適したものとしている。
して用いることが出来ると言う事実は、この測定方法を
オートメーション工程に極めて適したものとしている。
第２図のグラフは、イオン注入量が図示された範囲内に
ある種々のサンプルに対して上述の装置を用いて行われ
た比較測定の結果を示している。
ある種々のサンプルに対して上述の装置を用いて行われ
た比較測定の結果を示している。
連続線１０１は真空媒体中での種々のサンプルの測定結
果を示す。破線１０３は、ミラー１８とサンプル表面間
が第３′Ｂ調波（１−ｃｏｈ）のほぼ０．４コヒーレン
ス良であるときの同じサンプルの空気媒体中での測定結
果を示す。１点鎖線１０５は、ミラー１８とサンプル表
面間の距離“Ｌ ＩＩが２ＬＣＯｈである上述の装置に
よって測定された同じサンプルの結果を示している。
果を示す。破線１０３は、ミラー１８とサンプル表面間
が第３′Ｂ調波（１−ｃｏｈ）のほぼ０．４コヒーレン
ス良であるときの同じサンプルの空気媒体中での測定結
果を示す。１点鎖線１０５は、ミラー１８とサンプル表
面間の距離“Ｌ ＩＩが２ＬＣＯｈである上述の装置に
よって測定された同じサンプルの結果を示している。
第２図から、“Ｌ”値として１ｃｏｈの偶数倍のものを
用いることによって、空気中で装置を使用した結果が真
空中での結果にほとんど同じとなることが分かる。
用いることによって、空気中で装置を使用した結果が真
空中での結果にほとんど同じとなることが分かる。
第３図は、Ｐ＋イＡンを５０ＫＥＶで注入すると言う際
立ったイオン注入が実行されたときのり−ンブルウエハ
の３個の領域を示している。領域“Ａ ＩＩでは注入量
は３Ｘ１０１３０−２であり、一方領域“Ｂ ＩＩでは
１．８×１０１３ｆｆ−２、領域１１ ＣＴＴでは５．
６Ｘ１０１３α−２である。
立ったイオン注入が実行されたときのり−ンブルウエハ
の３個の領域を示している。領域“Ａ ＩＩでは注入量
は３Ｘ１０１３０−２であり、一方領域“Ｂ ＩＩでは
１．８×１０１３ｆｆ−２、領域１１ ＣＴＴでは５．
６Ｘ１０１３α−２である。
第４図は、境界領域Ａ’ 、Ｂ’およびＣ′を定義する
ために、測定された第３高調波の相対強度の範囲を利用
して、第３図に示したサンプルの測定マツプを示すもの
である。
ために、測定された第３高調波の相対強度の範囲を利用
して、第３図に示したサンプルの測定マツプを示すもの
である。
上述の装置はパルスのサンプリングのために偏光子１２
および検光子２２を用いたものとして示されているが、
半導体ウェハ３０を回転移動させることによって、セン
サ２４に反射される第３高調波の検出値に変化が生じる
。従って、ビームに円偏光性を与え、方向性による疫化
を打ち消すた “めに、第１図に点線１６で示される
１／４波長板を用いることが望ましい。
および検光子２２を用いたものとして示されているが、
半導体ウェハ３０を回転移動させることによって、セン
サ２４に反射される第３高調波の検出値に変化が生じる
。従って、ビームに円偏光性を与え、方向性による疫化
を打ち消すた “めに、第１図に点線１６で示される
１／４波長板を用いることが望ましい。
本発明では、レーザ源１０からのパルスエネルギーの強
度は、約４０ｍＪのパルスエネルギーを ４持つように
選択されている。このエネルギーは、イオン注入によっ
てアモルファス化されたシリコン結晶のアニールしきい
値より十分に小さく、しかしながら同時にセンサ２４に
よって簡単に検出しつる第３高調波を結晶表面で発生す
るに十分な大きざである。この発明を少し変更すること
によって柔軟性が生じる。例えば、半導体結晶における
有効な測定のためのプローブ深さは、基礎の光照射にお
ける波長を選択することによって制御することが出来る
。一方、平均エネルギーをアニールのしきい値以下に保
持する一方、大電力のパルスが供給されるので、比較的
短いパルス幅が望まれる。更に、分析時間を短縮するた
めには高いパルス繰り返し数が望ましい。
度は、約４０ｍＪのパルスエネルギーを ４持つように
選択されている。このエネルギーは、イオン注入によっ
てアモルファス化されたシリコン結晶のアニールしきい
値より十分に小さく、しかしながら同時にセンサ２４に
よって簡単に検出しつる第３高調波を結晶表面で発生す
るに十分な大きざである。この発明を少し変更すること
によって柔軟性が生じる。例えば、半導体結晶における
有効な測定のためのプローブ深さは、基礎の光照射にお
ける波長を選択することによって制御することが出来る
。一方、平均エネルギーをアニールのしきい値以下に保
持する一方、大電力のパルスが供給されるので、比較的
短いパルス幅が望まれる。更に、分析時間を短縮するた
めには高いパルス繰り返し数が望ましい。
多くの修正および変更がこの発明の新規な概念の範囲か
らはずれる事無く、実施される。従って、特許請求の範
囲によって、本発明の真の精神および範囲中に含まれる
すべての修正および変更がカバーされることは、いうま
でもない。
らはずれる事無く、実施される。従って、特許請求の範
囲によって、本発明の真の精神および範囲中に含まれる
すべての修正および変更がカバーされることは、いうま
でもない。
第１図は、木、発明の１実施例にかかる装置を示す部ブ
ロック図、第２図は第１図に示した装置によって得られ
る真空中および空気中でのイオン注入量強度の測定結果
を示す図、第３図は予め規定されたイオン注入ｍ境界゛
を有するテストウェファを示す図、第４図は第３図に示
したテストウェファの第１図に示す装置による測定結果
を示す地図である。 １０：レーデ １８：２色性ミラー ２４：センサ ２６：ｆａ分／平均器 ３０：半導体結晶
ロック図、第２図は第１図に示した装置によって得られ
る真空中および空気中でのイオン注入量強度の測定結果
を示す図、第３図は予め規定されたイオン注入ｍ境界゛
を有するテストウェファを示す図、第４図は第３図に示
したテストウェファの第１図に示す装置による測定結果
を示す地図である。 １０：レーデ １８：２色性ミラー ２４：センサ ２６：ｆａ分／平均器 ３０：半導体結晶
Claims (12)
- （１）予め決定された基本波長を有するコヒーレント光
エネルギービームを供給する手段と、予め決められたパ
ルス幅とパルス繰り返し数を有する光エネルギーパルス
を供給するために上記コヒーレント光エネルギービーム
をパルス化する手段と、 上記パルス化されたコヒーレント光エネルギービームを
半導体結晶の一定の領域に直射する手段と、 上記半導体結晶の一定の領域から反射された上記基礎波
長の第３高調波を検出する手段と、 上記半導体結晶から反射された第３高調波エネルギーの
強度を測定するために上記検出手段に接続された手段と
、 から構成される、半導体結晶におけるイオン注入量測定
装置。 - （２）上記直射手段は、上記コヒーレント光エネルギー
ビームの供給手段と上記半導体結晶間に配置され上記基
礎波長を上記半導体結晶方向に反射させかつ上記基礎波
長の第３高調波を透過する２色性ミラーを含むことを特
徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の半導体結晶に
おけるイオン注入量測定装置。 - （３）上記２色性ミラーはまた上記検出手段と上記半導
体結晶間に位置し上記基礎波長の第３高調波のみを透過
するものである、特許請求の範囲第２項に記載の半導体
結晶におけるイオン注入量測定装置。 - （４）上記直射手段は上記半導体結晶表面に対して垂直
な入射角を有するように上記コヒーレント光エネルギー
ビームを直射するものである、特許請求の範囲第３項に
記載の半導体結晶におけるイオン注入量測定装置。 - （５）上記検出手段は、上記半導体結晶から半導体結晶
表面に対して垂直な方向に反射されたた第３高調波を受
光するものである、特許請求の範囲第４項に記載の半導
体結晶におけるイオン注入量測定装置。 - （６）上記直射手段と半導体結晶表面間の媒体が空気で
あり、かつ上記２色性ミラーと半導体結晶表面間の距離
が空気中における第３高調波の干渉長の偶数倍に等しい
ものである、特許請求の範囲第５項に記載の半導体結晶
におけるイオン注入量測定装置。 - （７）予め決定された基礎波長を有するコヒーレント光
エネルギービームの発生源を準備する過程と、 予め決定されたパルス幅及びパルス繰り返し数を有する
光エネルギーパルスを供給するために上記コヒーレント
光エネルギービームをパルス化する過程と、 半導体結晶の一定領域上に上記パルス化されたコヒーレ
ント光エネルギービームを直射する過程と、 上記半導体結晶の一定領域から反射された上記基本波長
の第３高調波を検出する過程と、 上記半導体結晶から反射された上記第３高調波エネルギ
ーの強度を測定する過程と、 からなる、半導体結晶におけるイオン注入量測定方法。 - （８）上記直射過程は、上記ビーム源と上記半導体結晶
間に位置し、上記基礎波長を半導体結晶方向に反射させ
かつ上記基本波長の第３高調波を透過するように配置さ
れた２色性ミラーを準備する過程を含んでいることを特
徴とする、特許請求の範囲第７項に記載の半導体結晶に
おけるイオン注入量測定方法。 - （９）上記検出過程は、光エネルギーを検出する手段を
準備する過程を含み、上記２色性ミラーは上記検出手段
に対して基礎波長の第３高調波のみを透過するように上
記検出手段と半導体結晶間に準備されかつ配置されるこ
とを特徴とする、特許請求の範囲第８項に記載の半導体
結晶におけるイオン注入量測定装置。 - （１０）上記直射過程は、上記コヒーレント光エネルギ
ービームを半導体結晶表面に対して垂直な入射角で直射
することによつて実行される事を特徴とする、特許請求
の範囲第９項に記載の半導体結晶におけるイオン注入量
測定方法。 - （１１）上記検出手段は、上記半導体結晶から半導体結
晶表面に対して垂直方向に反射された上記基本波長の第
３高調波を受光するように準備されていることを特徴と
する、特許請求の範囲第１０項に記載の半導体結晶にお
けるイオン注入量測定方法。 - （１２）直射手段と半導体結晶表面間の媒体が空気であ
り、かつ２色性ミラーは半導体結晶表面からの距離が空
気中での第３高調波のコヒーレンス長の偶数倍に等しい
距離となるように準備されていることを特徴とする、特
許請求の範囲第１１項に記載の半導体結晶におけるイオ
ン注入量測定方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US937158 | 1986-12-02 | ||
| US06/937,158 US4755049A (en) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | Method and apparatus for measuring the ion implant dosage in a semiconductor crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151042A true JPS63151042A (ja) | 1988-06-23 |
| JPH0318340B2 JPH0318340B2 (ja) | 1991-03-12 |
Family
ID=25469577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62293041A Granted JPS63151042A (ja) | 1986-12-02 | 1987-11-19 | 半導体結晶におけるイオン注入量測定方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4755049A (ja) |
| JP (1) | JPS63151042A (ja) |
| KR (1) | KR880008417A (ja) |
| CA (1) | CA1262291A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5074669A (en) * | 1989-12-12 | 1991-12-24 | Therma-Wave, Inc. | Method and apparatus for evaluating ion implant dosage levels in semiconductors |
| US5185273A (en) * | 1991-09-30 | 1993-02-09 | Motorola, Inc. | Method for measuring ions implanted into a semiconductor substrate |
| TW394977B (en) * | 1998-04-21 | 2000-06-21 | United Microelectronics Corp | A recycle method for the monitor control chip |
| US7029933B2 (en) * | 2004-06-22 | 2006-04-18 | Tech Semiconductor Singapore Pte. Ltd. | Method for monitoring ion implant doses |
| US7250313B2 (en) * | 2004-09-30 | 2007-07-31 | Solid State Measurements, Inc. | Method of detecting un-annealed ion implants |
| KR100699889B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-03-28 | 삼성전자주식회사 | 가변적인 이온주입 조건이 수반되는 반도체 소자의 제조방법 |
| US8415620B2 (en) * | 2010-01-11 | 2013-04-09 | International Business Machines Corporation | Determining doping type and level in semiconducting nanostructures |
| US8581204B2 (en) | 2011-09-16 | 2013-11-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for monitoring ion implantation |
| US10019565B2 (en) | 2015-12-17 | 2018-07-10 | Honeywell Federal Manufacturing & Technologies, Llc | Method of authenticating integrated circuits using optical characteristics of physically unclonable functions |
| US11041827B2 (en) * | 2019-04-12 | 2021-06-22 | International Business Machines Corporation | Carrier-resolved photo-hall system and method |
-
1986
- 1986-12-02 US US06/937,158 patent/US4755049A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-09-30 KR KR870010951A patent/KR880008417A/ko not_active Application Discontinuation
- 1987-11-19 JP JP62293041A patent/JPS63151042A/ja active Granted
- 1987-11-25 CA CA000552742A patent/CA1262291A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4755049A (en) | 1988-07-05 |
| CA1262291A (en) | 1989-10-10 |
| JPH0318340B2 (ja) | 1991-03-12 |
| KR880008417A (ko) | 1988-08-31 |
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