JPS61173171A - 半導体ウエハの抵抗率測定法 - Google Patents
半導体ウエハの抵抗率測定法Info
- Publication number
- JPS61173171A JPS61173171A JP1393285A JP1393285A JPS61173171A JP S61173171 A JPS61173171 A JP S61173171A JP 1393285 A JP1393285 A JP 1393285A JP 1393285 A JP1393285 A JP 1393285A JP S61173171 A JPS61173171 A JP S61173171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistivity
- semiconductor wafer
- wafer
- microwave
- obtd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＬＳＩの製造工程等において、半導体ウェ
ハの抵抗率や面内抵抗率分布を測定する際に用いられる
半導体クエへの抵抗率測定法に関する。
ハの抵抗率や面内抵抗率分布を測定する際に用いられる
半導体クエへの抵抗率測定法に関する。
半導体ウェハの抵抗率や面内抵抗率分布は、半導体材料
としての基本量であり、その良否は素子収率に重要な影
響を与える。このため、上記半導体クエへの製造工程や
素子工程においては、遂次上記半導体ウェハの抵抗率や
面内抵抗率分布を測定しておく必要がある。
としての基本量であり、その良否は素子収率に重要な影
響を与える。このため、上記半導体クエへの製造工程や
素子工程においては、遂次上記半導体ウェハの抵抗率や
面内抵抗率分布を測定しておく必要がある。
従来このような半導体ウニへの抵抗率の測定法としては
、四探針法が知られているが、この方法は測定時に上記
半導体ウェハの表面に傷や金属汚染を与えてしまう所謂
破壊検査法であるため、試料に対する測定には適用する
ことができるものの、製品とされるものの測定には使用
することができない。このため、製品とされろ半導体ウ
エノ１の抵抗率を測定し得る方法として、上記半導体の
表面に対して非接触の状態でその抵抗率を測定する渦電
流法がある。
、四探針法が知られているが、この方法は測定時に上記
半導体ウェハの表面に傷や金属汚染を与えてしまう所謂
破壊検査法であるため、試料に対する測定には適用する
ことができるものの、製品とされるものの測定には使用
することができない。このため、製品とされろ半導体ウ
エノ１の抵抗率を測定し得る方法として、上記半導体の
表面に対して非接触の状態でその抵抗率を測定する渦電
流法がある。
しかしながら、上記渦電流法にあっては、電気的制約か
らプローブの形状に制約があるため、１０ｍｍ７５以下
の面積内での狭い範囲の抵抗率を計測することができず
、よって半導体ウニフル表面の局部的な抵抗率を測定す
ることができないという欠点があった。また、上記半導
体ウェハの外周部近傍の測定もできない為、面内抵抗率
の分布も充分に得ることができないという欠点もあった
。
らプローブの形状に制約があるため、１０ｍｍ７５以下
の面積内での狭い範囲の抵抗率を計測することができず
、よって半導体ウニフル表面の局部的な抵抗率を測定す
ることができないという欠点があった。また、上記半導
体ウェハの外周部近傍の測定もできない為、面内抵抗率
の分布も充分に得ることができないという欠点もあった
。
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、半導体ウ
ェハに接触することなく、しかも微小面積内の抵抗室を
極めて高い精度で測定することができ、よって面内抵抗
率分布の面分解能を向上させることができる半導体クエ
への抵抗率測定法を提供することを目的とするものであ
る。
ェハに接触することなく、しかも微小面積内の抵抗室を
極めて高い精度で測定することができ、よって面内抵抗
率分布の面分解能を向上させることができる半導体クエ
への抵抗率測定法を提供することを目的とするものであ
る。
この発明の半導体ウェハの抵抗率測定法は、半導体ウェ
ハに電磁波を照射してその透過量又は反射量を計測し、
上記電磁波の照射量と透過量又は反射量との差により上
記半導体ウェハにおける上記電磁波の吸収量を得、この
吸収量から上記半導体ウニへの抵抗率を得るものである
。
ハに電磁波を照射してその透過量又は反射量を計測し、
上記電磁波の照射量と透過量又は反射量との差により上
記半導体ウェハにおける上記電磁波の吸収量を得、この
吸収量から上記半導体ウニへの抵抗率を得るものである
。
半導体ウェハ内に照射されたマイクロ波やＣＯ２レーザ
光等の波長λの電磁波が、上記半導体ウェハ内で吸収さ
れる量αは、α■λ２ｎで表わされる。
光等の波長λの電磁波が、上記半導体ウェハ内で吸収さ
れる量αは、α■λ２ｎで表わされる。
ここで、ｎはキャリヤー濃度を示すものである。
一方、上記半導体ウェハの抵抗率ρは、既知の定数であ
る電荷ｅと移動量μとを用いて、ρ＝＝ １／ｎｌｌ
ｙｐで表わされる。したがって以上の関係式から上記吸
収量αは、α■λ２／ρで表わされ、よって上記半導体
ウェハの抵抗率ρに反比例することになる。
る電荷ｅと移動量μとを用いて、ρ＝＝ １／ｎｌｌ
ｙｐで表わされる。したがって以上の関係式から上記吸
収量αは、α■λ２／ρで表わされ、よって上記半導体
ウェハの抵抗率ρに反比例することになる。
すなわち、上記半導体ウェハに波長λの電磁波を照射し
た場合における吸収量αを知ることにより上記半導体ウ
ニへの抵抗率ρを得ることができる。
た場合における吸収量αを知ることにより上記半導体ウ
ニへの抵抗率ρを得ることができる。
また、上記吸収量αと、上記半導体ウニへの厚さｔ及び
この半導体ウェハへの上記電磁波の照射面積Ａとの関係
は、ａｏｃＡｔとして表わされる。
この半導体ウェハへの上記電磁波の照射面積Ａとの関係
は、ａｏｃＡｔとして表わされる。
第１図は、上記原理に基づくこの発明の測定法の第１実
施例に使用する装置の模式図を示すものである。
施例に使用する装置の模式図を示すものである。
第１＠において、マイクロ波発振器ｌから発振したマイ
クロ波は、半導体ウェハ２の表面と僅かの間隙をもって
配設された入射側導波管３から上記半導体２忙側射され
る。そして、上記半導体ウェハ２内で吸収されずに透過
した上記マイクロ波は、上記半導体ウェハ２を間に挾ん
で上記入射側導波管３と対向配置された検出側導波管４
により検出されて検波器５に送られ増幅器６で増幅され
てその電圧が出力されるようになっている。
クロ波は、半導体ウェハ２の表面と僅かの間隙をもって
配設された入射側導波管３から上記半導体２忙側射され
る。そして、上記半導体ウェハ２内で吸収されずに透過
した上記マイクロ波は、上記半導体ウェハ２を間に挾ん
で上記入射側導波管３と対向配置された検出側導波管４
により検出されて検波器５に送られ増幅器６で増幅され
てその電圧が出力されるようになっている。
そして、上記半導体ウェハ２の抵抗率を測定するには、
先ず上記半導体ウェハ２を取り除いた状態で入射側導波
管３から照射されるマイクロ波を直接検出側導波管４に
より検出し、これにより上記マイクロ波の照射量Ｖ。を
得る。次に、抵抗率を測定すべき半導体ウェハ２を上記
導波管３，４間に挿入し、マイクロ波を照射してその透
過量■を同様にしχ増幅器６からの出力として得る。そ
して以上の測定値Ｖ０．Ｖにより、上記半導体ウェハ２
におけるマイクロ波の透過率Ｖ／Ｖｏあるいは吸収率（
Ｖｔｒ−Ｖ ） ／ Ｖｏを求める。次に、とのよ５に
して求めた値と、予め同様の方法により求めておいた既
知の抵抗率の半導体ウェハにおける抵抗率と吸収率又は
透過率との関係とを、互いの半導体ウニへの厚さ補正を
行なったうえで比較することにより、上記半導体ウェハ
２の抵抗率ρが得られる。
先ず上記半導体ウェハ２を取り除いた状態で入射側導波
管３から照射されるマイクロ波を直接検出側導波管４に
より検出し、これにより上記マイクロ波の照射量Ｖ。を
得る。次に、抵抗率を測定すべき半導体ウェハ２を上記
導波管３，４間に挿入し、マイクロ波を照射してその透
過量■を同様にしχ増幅器６からの出力として得る。そ
して以上の測定値Ｖ０．Ｖにより、上記半導体ウェハ２
におけるマイクロ波の透過率Ｖ／Ｖｏあるいは吸収率（
Ｖｔｒ−Ｖ ） ／ Ｖｏを求める。次に、とのよ５に
して求めた値と、予め同様の方法により求めておいた既
知の抵抗率の半導体ウェハにおける抵抗率と吸収率又は
透過率との関係とを、互いの半導体ウニへの厚さ補正を
行なったうえで比較することにより、上記半導体ウェハ
２の抵抗率ρが得られる。
しかして、このような半導体ウニへの抵抗率測定法によ
れば、半導体ウェハ２に対して非接触の状態でその抵抗
率を測定することができるため、製品とされる半導体ウ
ニへの測定を行なうことができる。また、上記電磁波と
して、レーザ光や高い周波数のマイクロ波等を用いるこ
とＫより半導体ウェハへの照射面積を極めて小さくする
ことができるため、狭い範囲の抵抗率をも測定すること
ができる。さらに、上記半導体ウェハ２の外周部におい
ても、計測に何等影響を受けないため、面内抵抗率の分
布も確実に測定することができる。
れば、半導体ウェハ２に対して非接触の状態でその抵抗
率を測定することができるため、製品とされる半導体ウ
ニへの測定を行なうことができる。また、上記電磁波と
して、レーザ光や高い周波数のマイクロ波等を用いるこ
とＫより半導体ウェハへの照射面積を極めて小さくする
ことができるため、狭い範囲の抵抗率をも測定すること
ができる。さらに、上記半導体ウェハ２の外周部におい
ても、計測に何等影響を受けないため、面内抵抗率の分
布も確実に測定することができる。
次に、第２図はこの発明の測定法の第２実施例を示すも
のである。この例のものにあっては、第１図に示したマ
イクロ波の入射側及び検出側導波管３，４に代えて各々
端面７がＨ字形に形成された同型の集束型導波管８ば用
いられ（〜・る。
のである。この例のものにあっては、第１図に示したマ
イクロ波の入射側及び検出側導波管３，４に代えて各々
端面７がＨ字形に形成された同型の集束型導波管８ば用
いられ（〜・る。
この例のものによれば、第１図に示したものより一層マ
イク四波の照射ビームを収斂させることができ、よって
上記通常の導波管３，４を用いた場合に比べてより挾い
範囲の抵抗率を測定することができる。
イク四波の照射ビームを収斂させることができ、よって
上記通常の導波管３，４を用いた場合に比べてより挾い
範囲の抵抗率を測定することができる。
また、第３図はこの発明の測定法の第３実施例を示すも
ので、この例のものにあっては、上記集束型導波管８の
端面７に、これを覆うとともに小矩形状のスリット９が
形成されたアルミ箔等からなる金属箔１０が設けられて
いる。
ので、この例のものにあっては、上記集束型導波管８の
端面７に、これを覆うとともに小矩形状のスリット９が
形成されたアルミ箔等からなる金属箔１０が設けられて
いる。
しかして、この例のものによれば、マイクロ波の照射が
上記金属箔１０のスリット９内のみから行なわれる為、
より収斂効果の高い特殊な集束型導波管を用いたり、あ
るいはより周波数の高いマイクロ波発振器を用いたりし
て照射ビームを収斂させる必要がなく、よって装置の複
雑化や高騰化を招くことなく、極めて容易により一層微
小な面積内での抵抗率を測定することができる。
上記金属箔１０のスリット９内のみから行なわれる為、
より収斂効果の高い特殊な集束型導波管を用いたり、あ
るいはより周波数の高いマイクロ波発振器を用いたりし
て照射ビームを収斂させる必要がなく、よって装置の複
雑化や高騰化を招くことなく、極めて容易により一層微
小な面積内での抵抗率を測定することができる。
第４図ないし第１０図は、この発明の半導体ウェハの抵
抗率測定法による各種の実験結果を示すものである。
抗率測定法による各種の実験結果を示すものである。
このうち、第４図ないし第７図は、いずれも厚さ４００
μｍのＰ型およびＮ型の各種の抵抗率Ｐを有するシリコ
ンウェハ圧ついて、周波数１０ Ｇｌｚのマイクロ波を
用いて抵抗率測定を行った場合の透過−４Ｖ／Ｖ、の変
化を示すものである。ここで、第４図は、その入射側お
よび検出側の導波管として通常の方形状端面を有する周
波数１０ＧＨｚ用の導波管を用いた場合の実験結果を、
第５図は、上記導波管として第２図に示した端面Ｈ字形
状の集束型導波管を用いた場合の実験結果を、第６図お
よび第７図はそれぞれ第３図に示したような上記集束型
導波管の端面をスリットを有するアルミ箔で覆った場合
であって第６図は上記スリットによりマイクロ波ビーム
をｌｍｍＸ５ｍ１＜の面積内から照射した場合の実験結
果を、また第７図は上記マイクロ波ビームを１ｍｍＸ５
ｍｍの面積内から照射した場合の実験結果をそれぞれ示
すものである。
μｍのＰ型およびＮ型の各種の抵抗率Ｐを有するシリコ
ンウェハ圧ついて、周波数１０ Ｇｌｚのマイクロ波を
用いて抵抗率測定を行った場合の透過−４Ｖ／Ｖ、の変
化を示すものである。ここで、第４図は、その入射側お
よび検出側の導波管として通常の方形状端面を有する周
波数１０ＧＨｚ用の導波管を用いた場合の実験結果を、
第５図は、上記導波管として第２図に示した端面Ｈ字形
状の集束型導波管を用いた場合の実験結果を、第６図お
よび第７図はそれぞれ第３図に示したような上記集束型
導波管の端面をスリットを有するアルミ箔で覆った場合
であって第６図は上記スリットによりマイクロ波ビーム
をｌｍｍＸ５ｍ１＜の面積内から照射した場合の実験結
果を、また第７図は上記マイクロ波ビームを１ｍｍＸ５
ｍｍの面積内から照射した場合の実験結果をそれぞれ示
すものである。
第４図ないし第７図から、周波数１０ＧＨ２のマイクロ
波を用いて上記シリコンウェハの抵抗率を測定する場合
には、概ね１０１〜１０２Ω−ｃｍ程度の範囲の抵抗率
を測定することができ、また第５図から第７図までに順
次示すように上記マイクロ波の照射ビームを収斂させる
ことにより分解能が増し、より詳細に測定することがで
きるとともに、スリットを有する金属箔を用いた場合に
はさらに１０３Ω−ｃｍ以上の抵抗率をも測定可能であ
ることが判か゛る。
波を用いて上記シリコンウェハの抵抗率を測定する場合
には、概ね１０１〜１０２Ω−ｃｍ程度の範囲の抵抗率
を測定することができ、また第５図から第７図までに順
次示すように上記マイクロ波の照射ビームを収斂させる
ことにより分解能が増し、より詳細に測定することがで
きるとともに、スリットを有する金属箔を用いた場合に
はさらに１０３Ω−ｃｍ以上の抵抗率をも測定可能であ
ることが判か゛る。
次に、第８図および第９図はそれぞれ周波ｈａＧＨｚの
マイクロ波を用いて、厚さ４００μｍで直径５０朋のＰ
型シリコンウェハの半径方向の面内抵抗率分布を測定し
た結果を縦軸に示す透過電圧の値として示したものであ
る。ここで、第８図は、入射用及び検出用導波管として
第２図に示す集束型導波管を用い、第２図中ＸＳＹの両
方向くついて測定した結果を示すもので、横軸の０点は
上記シリコンウェハの外周縁を、また２５羽の点はその
中心位置をそれぞれ示すものである。また第９図は、上
記導波管として第３図に示すアルミ箔で覆った集束型導
波管を用い、スリットにより１罷Ｘ５１の面積内からマ
イクロ波を照射した場合の結果を示すもので、第３図に
示すＹ方向について測定した結果を示すものである。そ
して、第８図においては、中心における抵抗率ρがα５
８Ｑ−ｃｍ（４探針法により計測）のシリコンウェハに
ついての、また第９図においては中心における抵抗率Ｐ
が［Ｌ３８Ω−Ｃｍ、Ｑ、７６Ω−ｃｍ、２．７Ω−ｃ
ｍ（４探針法により計測）の３種類のシリコンウェハに
ついての各測定結果をそれぞれ示す。
マイクロ波を用いて、厚さ４００μｍで直径５０朋のＰ
型シリコンウェハの半径方向の面内抵抗率分布を測定し
た結果を縦軸に示す透過電圧の値として示したものであ
る。ここで、第８図は、入射用及び検出用導波管として
第２図に示す集束型導波管を用い、第２図中ＸＳＹの両
方向くついて測定した結果を示すもので、横軸の０点は
上記シリコンウェハの外周縁を、また２５羽の点はその
中心位置をそれぞれ示すものである。また第９図は、上
記導波管として第３図に示すアルミ箔で覆った集束型導
波管を用い、スリットにより１罷Ｘ５１の面積内からマ
イクロ波を照射した場合の結果を示すもので、第３図に
示すＹ方向について測定した結果を示すものである。そ
して、第８図においては、中心における抵抗率ρがα５
８Ｑ−ｃｍ（４探針法により計測）のシリコンウェハに
ついての、また第９図においては中心における抵抗率Ｐ
が［Ｌ３８Ω−Ｃｍ、Ｑ、７６Ω−ｃｍ、２．７Ω−ｃ
ｍ（４探針法により計測）の３種類のシリコンウェハに
ついての各測定結果をそれぞれ示す。
第８図および第９図により、この方法によれば、シリコ
ンウェハの外周部に至るまでの全域に亘って面内抵抗率
分布を測定し得ることが判かる。
ンウェハの外周部に至るまでの全域に亘って面内抵抗率
分布を測定し得ることが判かる。
また、第１０図は、上記電磁波としてビーム径１朋グの
ＣＯ，レーザ光を用いた場合における厚さ４００μｍの
Ｐ型及びＮ型のシリコンウェハの抵抗率ρ（Ω−ｃｍ
）と透過率との関係を示す実験結果である。
ＣＯ，レーザ光を用いた場合における厚さ４００μｍの
Ｐ型及びＮ型のシリコンウェハの抵抗率ρ（Ω−ｃｍ
）と透過率との関係を示す実験結果である。
第１０図により、上記ＣＯ２レーザ光を用いた場合には
、さらに１０−２Ω−α近傍の抵抗率まで測定可能であ
ることが判かる。
、さらに１０−２Ω−α近傍の抵抗率まで測定可能であ
ることが判かる。
以上説明したようにこの発明の半導体ウニへの抵抗率測
定法は、半導体ウェハに電磁波を照射してその透過量又
は反射量を計測し、上記電磁波の照射量と透過量又は反
射量との差により上記半導体ウェハにおける上記電磁波
の吸収量を得、この吸収量から上記半導体ウニへの抵抗
率を得るものである。よって、この測定法によれば、半
導体ウェハに非接触の状態でその微小面積内の抵抗率を
容易かつ高い精度で測定することができる。しかも、照
射ビームを収斂させることが容易であるため面内抵抗率
分布も詳細に測定することができ、上記半導体ウェハの
製造工程における品質管理能力を大巾に向上させること
ができる。
定法は、半導体ウェハに電磁波を照射してその透過量又
は反射量を計測し、上記電磁波の照射量と透過量又は反
射量との差により上記半導体ウェハにおける上記電磁波
の吸収量を得、この吸収量から上記半導体ウニへの抵抗
率を得るものである。よって、この測定法によれば、半
導体ウェハに非接触の状態でその微小面積内の抵抗率を
容易かつ高い精度で測定することができる。しかも、照
射ビームを収斂させることが容易であるため面内抵抗率
分布も詳細に測定することができ、上記半導体ウェハの
製造工程における品質管理能力を大巾に向上させること
ができる。
第１図はこの発明の半導体ウニへの抵抗率測定法の第１
実施例に使用される装置の模式図、第２図は同じく第２
実施例忙使用される集束型導波管を示す模式図、第３図
は同じく第３実施例に使用されるスリットを有する金属
箔を示す模式図、第４図ないし第１０図は、この発明の
測定法による実験例を示すもので、第４図ないし第７図
は、それぞれマイクロ波を用い、導波管を各種変化させ
た場合のシリコンウェハの抵抗率と透過率との関係を示
すグラフ、第８図および第９図は、同様にしてシリコン
ウェハの面内抵抗率分布を測定した結果を示すグラフ、
第１０図はＣＯ，レーザ光を用いた場合のシリコンウェ
ハの抵抗率と透過率との関係を示すグラフである。 ２・・・・・・半導体ウェハ、３・・・・・・入射側導
波管、４・・・・・・検出側導波管、８・・・・・・集
束型導波管、９・・・・・・スリット、１０・・・・・
・金属箔。
実施例に使用される装置の模式図、第２図は同じく第２
実施例忙使用される集束型導波管を示す模式図、第３図
は同じく第３実施例に使用されるスリットを有する金属
箔を示す模式図、第４図ないし第１０図は、この発明の
測定法による実験例を示すもので、第４図ないし第７図
は、それぞれマイクロ波を用い、導波管を各種変化させ
た場合のシリコンウェハの抵抗率と透過率との関係を示
すグラフ、第８図および第９図は、同様にしてシリコン
ウェハの面内抵抗率分布を測定した結果を示すグラフ、
第１０図はＣＯ，レーザ光を用いた場合のシリコンウェ
ハの抵抗率と透過率との関係を示すグラフである。 ２・・・・・・半導体ウェハ、３・・・・・・入射側導
波管、４・・・・・・検出側導波管、８・・・・・・集
束型導波管、９・・・・・・スリット、１０・・・・・
・金属箔。
Claims (3)
- （１）半導体ウェハに電磁波を照射してその透過量又は
反射量を計測し、上記電磁波の照射量と透過量又は反射
量との差により得られる上記電磁波の吸収量から上記半
導体ウェハの抵抗率を得ることを特徴とする半導体ウェ
ハの抵抗率測定法。 - （２）上記電磁波はマイクロ波であり、かつ上記マイク
ロ波を集束型導波管を介して上記半導体ウェハに入射し
、その透過量を上記集束型導波管と同型の集束型導波管
により検出することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体ウェハの抵抗率測定法。 - （３）上記電磁波はマイクロ波であり、かつ上記マイク
ロ波を、端面がスリットを有する金属箔で覆われた導波
管を介して上記半導体ウエハへ入射することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェハの抵抗率測
定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1393285A JPS61173171A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 半導体ウエハの抵抗率測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1393285A JPS61173171A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 半導体ウエハの抵抗率測定法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61173171A true JPS61173171A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0518063B2 JPH0518063B2 (ja) | 1993-03-10 |
Family
ID=11846961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1393285A Granted JPS61173171A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | 半導体ウエハの抵抗率測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61173171A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270648A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Kanzaki Paper Mfg Co Ltd | 材料の電気的特性測定装置 |
| US4949034A (en) * | 1988-09-07 | 1990-08-14 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Method for contactless evaluation of characteristics of semiconductor wafers and devices |
| JP2004177274A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | 非接触導電率測定システム |
| WO2005045450A1 (ja) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | 非接触導電率測定装置 |
| JP2007324194A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5130904U (ja) * | 1974-08-28 | 1976-03-05 |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP1393285A patent/JPS61173171A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5130904U (ja) * | 1974-08-28 | 1976-03-05 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01270648A (ja) * | 1988-04-22 | 1989-10-27 | Kanzaki Paper Mfg Co Ltd | 材料の電気的特性測定装置 |
| US4949034A (en) * | 1988-09-07 | 1990-08-14 | Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha | Method for contactless evaluation of characteristics of semiconductor wafers and devices |
| JP2004177274A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Tohoku Techno Arch Co Ltd | 非接触導電率測定システム |
| WO2005045450A1 (ja) * | 2003-11-10 | 2005-05-19 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | 非接触導電率測定装置 |
| US7309995B2 (en) | 2003-11-10 | 2007-12-18 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Noncontact conductivity measuring instrument |
| JP2007324194A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｓｏｉウエーハの評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0518063B2 (ja) | 1993-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4679946A (en) | Evaluating both thickness and compositional variables in a thin film sample | |
| US4636088A (en) | Method and apparatus for evaluating surface conditions of a sample | |
| US5228776A (en) | Apparatus for evaluating thermal and electrical characteristics in a sample | |
| JP4265206B2 (ja) | 非接触導電率測定システム | |
| US4472633A (en) | Method and apparatus of measuring carrier distribution | |
| JP2007333640A (ja) | 半導体電気特性の測定装置と測定方法 | |
| JPS61173171A (ja) | 半導体ウエハの抵抗率測定法 | |
| Sakai et al. | Noncontact, electrode-free capacitance/voltage measurement based on general theory of metal-oxide-semiconductor (MOS) structure | |
| US4755049A (en) | Method and apparatus for measuring the ion implant dosage in a semiconductor crystal | |
| JP4166400B2 (ja) | 放射温度測定方法 | |
| JPS6160576B2 (ja) | ||
| JPH0755702A (ja) | 結晶欠陥計測装置及びそれを用いた半導体製造装置 | |
| JPH06118009A (ja) | 異物検査装置および異物検査方法 | |
| JPH0719844A (ja) | ウエーハの表面粗さ測定方法 | |
| JPS6253944B2 (ja) | ||
| JPS59150443A (ja) | 半導体のキヤリアライフタイム計測装置 | |
| RU2495370C1 (ru) | Устройство для контроля толщины проводящей пленки изделий электронной техники | |
| JPS61101045A (ja) | 半導体評価方法 | |
| JPH06101506B2 (ja) | ガリウム砒素半導体ウェ−ハのｅｌ２分布測定方法 | |
| Fournier et al. | Thermal wave probing of the optical electronic and thermal properties of semiconductors | |
| Lu et al. | Second‐harmonic responses of modulated photoreflectance in semiconductors | |
| CN108680850B (zh) | 少子寿命检测装置及检测方法 | |
| Badine et al. | Measurement of Thermal Properties and Interface Thermal Resistance of Thin Films by Thermoreflectance | |
| JPH0344544A (ja) | 結晶基板の内部歪み測定方法 | |
| JPS60195437A (ja) | 結晶の評価方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |